JP2002100819A - 圧電体素子、及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 88
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910002659 PbMg1/3Nb2/3O3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 65
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 63
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 2
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019653 Mg1/3Nb2/3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- -1 some of the Mg Ni Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
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- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
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- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 極めて高い圧電特性を有するとともに、セラ
ミックス基体と圧電体間の振動伝達性に優れ、アクチュ
エータ、センサーの小型化及び高密度化を図ることがで
きる圧電体素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックス基体２と、ＰｂＭｇ1/3Ｎ
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、Ｎ
ｉＯを全組成物中０．０５〜１０．０重量％含有する磁
器組成物からなる圧電体１と、圧電体１に電気的に接続
される電極３とを備え、圧電体１が、セラミックス基体
２に、直接又は電極３を介して固着されてなるものとす
る。 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１） 但し、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．８≦ｙ≦１．０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１．００
ミックス基体と圧電体間の振動伝達性に優れ、アクチュ
エータ、センサーの小型化及び高密度化を図ることがで
きる圧電体素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックス基体２と、ＰｂＭｇ1/3Ｎ
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、Ｎ
ｉＯを全組成物中０．０５〜１０．０重量％含有する磁
器組成物からなる圧電体１と、圧電体１に電気的に接続
される電極３とを備え、圧電体１が、セラミックス基体
２に、直接又は電極３を介して固着されてなるものとす
る。 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１） 但し、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．８≦ｙ≦１．０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１．００
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、圧電体素子に関
する。更に詳しくは、極めて高い圧電特性を有するとと
もに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝達性に優
れ、アクチュエータ、センサーの小型化及び高密度化を
図ることができる圧電体素子及びその製造方法に関す
る。
する。更に詳しくは、極めて高い圧電特性を有するとと
もに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝達性に優
れ、アクチュエータ、センサーの小型化及び高密度化を
図ることができる圧電体素子及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】 近年、インクジェットプリンタヘッ
ド、スピーカー、マイクロフォン等に圧電体素子が利用
されている。従来、圧電体素子としては、セラミックス
基体上に、磁器組成物からなる圧電体と、この圧電体に
電気的に接続された電極とを備えたものが知られている
が、圧電体を構成する磁器組成物については種々改良さ
れたものが開示されている。
ド、スピーカー、マイクロフォン等に圧電体素子が利用
されている。従来、圧電体素子としては、セラミックス
基体上に、磁器組成物からなる圧電体と、この圧電体に
電気的に接続された電極とを備えたものが知られている
が、圧電体を構成する磁器組成物については種々改良さ
れたものが開示されている。
【０００３】 例えば、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3二成
分固溶系組成物、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3三成分固溶系組成物、又はこれらの
組成物中のＰｂ、Ｍｇの一部をＮｉ、Ｎｂ、Ｍｎ等で置
換した組成物が開示されている（特公昭５０−３５１９
号公報、特公昭６０−１０２７７９号公報、Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉ
ｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ；４９［１１］５７７（１９６
６））。これらは、圧電体素子の圧電特性（例えば、圧
電ｄ定数）を決定する最も重要な要素である圧電体を構
成する磁器組成物自体の圧電特性を向上させたものであ
り、これら磁器組成物からなる圧電体を用いることによ
り、優れた圧電特性を有する圧電体素子が期待されるも
のである。
分固溶系組成物、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3三成分固溶系組成物、又はこれらの
組成物中のＰｂ、Ｍｇの一部をＮｉ、Ｎｂ、Ｍｎ等で置
換した組成物が開示されている（特公昭５０−３５１９
号公報、特公昭６０−１０２７７９号公報、Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉ
ｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ；４９［１１］５７７（１９６
６））。これらは、圧電体素子の圧電特性（例えば、圧
電ｄ定数）を決定する最も重要な要素である圧電体を構
成する磁器組成物自体の圧電特性を向上させたものであ
り、これら磁器組成物からなる圧電体を用いることによ
り、優れた圧電特性を有する圧電体素子が期待されるも
のである。
【０００４】 しかしながら、実際に、上述した磁器組
成物からなる圧電材料をセラミックス基体上に塗布し、
その後、熱処理して圧電体素子を製造した場合、得られ
る圧電体素子の圧電体の緻密性が低いため、屈曲変位が
低い、又は電圧を印加した際に緻密性が低い部分で絶縁
破壊を起こしてしまうという問題が指摘されていた（少
なくとも、従来このような認識の下、次に述べる圧電体
素子を製造していたのが現状であった。）。
成物からなる圧電材料をセラミックス基体上に塗布し、
その後、熱処理して圧電体素子を製造した場合、得られ
る圧電体素子の圧電体の緻密性が低いため、屈曲変位が
低い、又は電圧を印加した際に緻密性が低い部分で絶縁
破壊を起こしてしまうという問題が指摘されていた（少
なくとも、従来このような認識の下、次に述べる圧電体
素子を製造していたのが現状であった。）。
【０００５】 このため、従来の圧電体素子としては、
上述した磁器組成物からなる圧電材料を予め熱処理した
圧電体を、セラミックス基体上に張り付けたものが用い
られていた（特開平１１−２９３５７号公報）。この圧
電体素子は、セラミックス基体の拘束による圧電体の緻
密化の阻害、という点に着目して、磁器組成物からなる
圧電材料を予め加熱処理して圧電体の緻密化を図ること
により圧電特性を向上させたものである。
上述した磁器組成物からなる圧電材料を予め熱処理した
圧電体を、セラミックス基体上に張り付けたものが用い
られていた（特開平１１−２９３５７号公報）。この圧
電体素子は、セラミックス基体の拘束による圧電体の緻
密化の阻害、という点に着目して、磁器組成物からなる
圧電材料を予め加熱処理して圧電体の緻密化を図ること
により圧電特性を向上させたものである。
【０００６】 しかしながら、この圧電体素子では、圧
電体をセラミックス基体上に張り付ける際に無機系、有
機系の接着剤を用いる必要があるため、この接着剤が、
セラミックス基体と圧電体間の振動伝達を阻害したり、
又は接着剤成分が圧電体やセラミックス基体へ浸透して
これらの特性を劣化させてしまうという問題があった。
電体をセラミックス基体上に張り付ける際に無機系、有
機系の接着剤を用いる必要があるため、この接着剤が、
セラミックス基体と圧電体間の振動伝達を阻害したり、
又は接着剤成分が圧電体やセラミックス基体へ浸透して
これらの特性を劣化させてしまうという問題があった。
【０００７】 また、前述した従来の磁器組成物は、必
ずしも十分な圧電特性を有するものではなかった。
ずしも十分な圧電特性を有するものではなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、上述の問
題に鑑みてなされたものであり、極めて高い圧電特性を
有するとともに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝
達性に優れ、アクチュエータ、センサー等の小型化及び
高密度化を図ることができる圧電体素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
題に鑑みてなされたものであり、極めて高い圧電特性を
有するとともに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝
達性に優れ、アクチュエータ、センサー等の小型化及び
高密度化を図ることができる圧電体素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 本発明者は、上述の課
題を解決するべく鋭意研究した結果、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ
2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成物
で特定の組成を有する組成物を主成分とし、ＮｉＯを特
定割合で含有する磁器組成物からなる圧電材料を用いた
場合では、セラミックス基体上に塗布した後、加熱処理
しても、緻密化が進行し極めて高い圧電特性を有する圧
電体とすることができることを見出し、本発明を完成さ
せた。
題を解決するべく鋭意研究した結果、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ
2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成物
で特定の組成を有する組成物を主成分とし、ＮｉＯを特
定割合で含有する磁器組成物からなる圧電材料を用いた
場合では、セラミックス基体上に塗布した後、加熱処理
しても、緻密化が進行し極めて高い圧電特性を有する圧
電体とすることができることを見出し、本発明を完成さ
せた。
【００１０】 即ち、本発明によれば、セラミックス基
体と、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2 /3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3三成分固溶系組成物であって、下記一般式（１）に
示す組成物を主成分とし、ＮｉＯを全組成物中０．０５
〜１０．０重量％含有する磁器組成物からなる圧電体
と、この圧電体に電気的に接続される電極とを備え、圧
電体が、セラミックス基体に、直接又は電極を介して固
着されてなることを特徴とする圧電体素子が提供され
る。
体と、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2 /3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3三成分固溶系組成物であって、下記一般式（１）に
示す組成物を主成分とし、ＮｉＯを全組成物中０．０５
〜１０．０重量％含有する磁器組成物からなる圧電体
と、この圧電体に電気的に接続される電極とを備え、圧
電体が、セラミックス基体に、直接又は電極を介して固
着されてなることを特徴とする圧電体素子が提供され
る。
【００１１】
【化４】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１）
【００１２】 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
【００１３】 本発明においては、磁器組成物中のＮｉ
Ｏが、圧電体のセラミックス基体との固着面から厚さ方
向に高濃度となる濃度勾配を有して分散していることが
好ましい。
Ｏが、圧電体のセラミックス基体との固着面から厚さ方
向に高濃度となる濃度勾配を有して分散していることが
好ましい。
【００１４】 また、磁器組成物中のＰｂの２〜１０ｍ
ｏｌ％は、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａからなる群から選ばれる少
なくとも１種で置換してもよく、磁器組成物中のＰｂの
０．２〜１．０ｍｏｌ％は、Ｌａで置換してもよい。
ｏｌ％は、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａからなる群から選ばれる少
なくとも１種で置換してもよく、磁器組成物中のＰｂの
０．２〜１．０ｍｏｌ％は、Ｌａで置換してもよい。
【００１５】 また、セラミックス基体の厚さは、３μ
ｍ〜１ｍｍであることが好ましく、圧電体の厚さは、１
〜３００μｍであることが好ましい。更には、圧電体の
厚さに対するセラミックス基体の厚さの比（セラミック
ス基体／圧電体）は、０．１〜３０であることが好まし
い。
ｍ〜１ｍｍであることが好ましく、圧電体の厚さは、１
〜３００μｍであることが好ましい。更には、圧電体の
厚さに対するセラミックス基体の厚さの比（セラミック
ス基体／圧電体）は、０．１〜３０であることが好まし
い。
【００１６】 また、本発明によれば、ＰｂＭｇ1/3Ｎ
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、Ｎ
ｉＯを全組成物中０．０５〜１０．０重量％含有する磁
器組成物からなる圧電材料を、セラミックス基体上に、
又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布し、セ
ラミックス基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、磁
器組成物と同一又はより大きなＮｉＯ含有率の組成から
なる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理することを特
徴とする圧電体素子の製造方法が提供される。
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、Ｎ
ｉＯを全組成物中０．０５〜１０．０重量％含有する磁
器組成物からなる圧電材料を、セラミックス基体上に、
又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布し、セ
ラミックス基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、磁
器組成物と同一又はより大きなＮｉＯ含有率の組成から
なる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理することを特
徴とする圧電体素子の製造方法が提供される。
【００１７】
【化５】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１）
【００１８】 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
【００１９】 また、本発明によれば、ＰｂＭｇ1/3Ｎ
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、異
なるＮｉＯ含有率とした磁器組成物からなる複数種の圧
電材料を調製し、この複数種の圧電材料を、Ｎｉ含有率
の小さなものから順次セラミックス基体上、又はセラミ
ックス基体に形成された電極上に塗布し、このセラミッ
クス基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、熱処理す
ることを特徴とする圧電体素子の製造方法が提供され
る。
ｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成
物で、下記一般式（１）に示す組成物を主成分とし、異
なるＮｉＯ含有率とした磁器組成物からなる複数種の圧
電材料を調製し、この複数種の圧電材料を、Ｎｉ含有率
の小さなものから順次セラミックス基体上、又はセラミ
ックス基体に形成された電極上に塗布し、このセラミッ
クス基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、熱処理す
ることを特徴とする圧電体素子の製造方法が提供され
る。
【００２０】
【化６】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１）
【００２１】 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
【００２２】 また、本発明による圧電体素子は、緻密
で小型の誘電体素子、焦電体素子として、コンデンサや
各種センサーに用いることができる。
で小型の誘電体素子、焦電体素子として、コンデンサや
各種センサーに用いることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】 以下、本発明の実施の形態を、
図面を参照しつつ具体的に説明する。
図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２４】１．圧電体素子 図１に示すように、本発明の圧電体素子は、セラミック
ス基体２と、特定の磁器組成物を主成分とする圧電体１
と、この圧電体１に電気的に接続される電極３（３ａ、
３ｂ）とを備え、圧電体１が、セラミックス基体２に、
直接又は電極３を介して固着されてなるものである。以
下、具体的に説明する。
ス基体２と、特定の磁器組成物を主成分とする圧電体１
と、この圧電体１に電気的に接続される電極３（３ａ、
３ｂ）とを備え、圧電体１が、セラミックス基体２に、
直接又は電極３を介して固着されてなるものである。以
下、具体的に説明する。
【００２５】 本発明に用いられるセラミックス基体２
の材質としては、耐熱性、化学的安定性、及び絶縁性の
点から、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素、及びガラスよりなる群から選ばれる少な
くとも１種を含むものが好ましい。中でも、機械的強度
が大きく、靭性に優れる点から安定化された酸化ジルコ
ニウムを含むものが好ましい。
の材質としては、耐熱性、化学的安定性、及び絶縁性の
点から、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素、及びガラスよりなる群から選ばれる少な
くとも１種を含むものが好ましい。中でも、機械的強度
が大きく、靭性に優れる点から安定化された酸化ジルコ
ニウムを含むものが好ましい。
【００２６】 セラミックス基体２の厚さは、３μｍ〜
１ｍｍが好ましく、５〜５００μｍがより好ましく、７
〜２００μｍが特に好ましい。３μｍ未満であると、圧
電体素子の機械的強度が弱くなることがあり、１ｍｍを
超えると圧電体素子に電圧を印加した場合に圧電体１の
収縮応力に対するセラミックス基体２の剛性が大きくな
り、圧電体素子の屈曲変位が小さくなってしまうことが
ある。
１ｍｍが好ましく、５〜５００μｍがより好ましく、７
〜２００μｍが特に好ましい。３μｍ未満であると、圧
電体素子の機械的強度が弱くなることがあり、１ｍｍを
超えると圧電体素子に電圧を印加した場合に圧電体１の
収縮応力に対するセラミックス基体２の剛性が大きくな
り、圧電体素子の屈曲変位が小さくなってしまうことが
ある。
【００２７】 但し、図２に示すように、セラミックス
基体２は、圧電体１又は電極３（３ｂ）との固着面２ａ
に略対応する領域を上記の厚さとした薄肉部２ｃと、固
着面２ａ以外に略対応する領域を薄肉部２ｃより厚くし
た厚肉部２ｂとを設けることもできる。これにより、圧
電体素子の屈曲変位を大きくし、かつ機械的強度を大き
くすることができる。また、図３に示すように、このよ
うな構造単位を、共通化したセラミックス基体２上に複
数設ける構成とすることもできる。
基体２は、圧電体１又は電極３（３ｂ）との固着面２ａ
に略対応する領域を上記の厚さとした薄肉部２ｃと、固
着面２ａ以外に略対応する領域を薄肉部２ｃより厚くし
た厚肉部２ｂとを設けることもできる。これにより、圧
電体素子の屈曲変位を大きくし、かつ機械的強度を大き
くすることができる。また、図３に示すように、このよ
うな構造単位を、共通化したセラミックス基体２上に複
数設ける構成とすることもできる。
【００２８】 セラミックス基体２の表面の形状は特に
制限はなく、例えば、長方形、正方形、三角形、楕円
形、真円形、Ｒ付正方形、Ｒ付長方形、カプセル型、又
はこれらを組合わせた複合形等を挙げることができる。
制限はなく、例えば、長方形、正方形、三角形、楕円
形、真円形、Ｒ付正方形、Ｒ付長方形、カプセル型、又
はこれらを組合わせた複合形等を挙げることができる。
【００２９】 本発明に用いられる圧電体１は、ＰｂＭ
ｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固
溶系組成物であって、下記一般式（１）に示す組成物を
主成分とし、ＮｉＯを特定の割合で含有する磁器組成物
からなるものである。
ｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三成分固
溶系組成物であって、下記一般式（１）に示す組成物を
主成分とし、ＮｉＯを特定の割合で含有する磁器組成物
からなるものである。
【００３０】
【化７】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１）
【００３１】 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
【００３２】 これにより、磁器組成物自体の圧電特性
の向上と圧電体１の緻密化という両面から圧電体素子の
屈曲変位を向上させることができる。
の向上と圧電体１の緻密化という両面から圧電体素子の
屈曲変位を向上させることができる。
【００３３】 上記一般式（１）中、ａ，ｂ，ｃを、上
述した特定の範囲とするのは、この範囲外であると、圧
電体素子の屈曲変位が小さくなるためである。
述した特定の範囲とするのは、この範囲外であると、圧
電体素子の屈曲変位が小さくなるためである。
【００３４】 ＮｉＯの含有率は、磁器組成物中、０．
０５〜１０．０重量％であり、０．５０〜８．０重量％
が好ましく、１．０〜６．０重量％がより好ましい。Ｎ
ｉＯの含有率が、０．０５重量％未満であると緻密化が
不十分となり、圧電体素子の屈曲変位が小さくなり、Ｎ
ｉＯ含有率が、１０．０重量％を超えるとセラミックス
基体２との反応が増大し、やはり圧電体素子の屈曲変位
が小さくなる。
０５〜１０．０重量％であり、０．５０〜８．０重量％
が好ましく、１．０〜６．０重量％がより好ましい。Ｎ
ｉＯの含有率が、０．０５重量％未満であると緻密化が
不十分となり、圧電体素子の屈曲変位が小さくなり、Ｎ
ｉＯ含有率が、１０．０重量％を超えるとセラミックス
基体２との反応が増大し、やはり圧電体素子の屈曲変位
が小さくなる。
【００３５】 磁器組成物中のＮｉＯは、この磁器組成
物により構成される圧電体１に均一に分散していること
が好ましく、圧電体１のセラミックス基体２との固着面
２ａから厚さ方向に、高濃度となる濃度勾配を有して分
散していることがより好ましい。これにより、圧電体１
をセラミックス基体２に直接又は電極３を介して固着し
た場合であっても、より緻密化した圧電体１とすること
ができる。
物により構成される圧電体１に均一に分散していること
が好ましく、圧電体１のセラミックス基体２との固着面
２ａから厚さ方向に、高濃度となる濃度勾配を有して分
散していることがより好ましい。これにより、圧電体１
をセラミックス基体２に直接又は電極３を介して固着し
た場合であっても、より緻密化した圧電体１とすること
ができる。
【００３６】 磁器組成物自体の圧電特性を大きくする
ためには、磁器組成物中のＰｂを、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、
Ｌａよりなる群から選ばれる少なくとも１種で置換する
ことが好ましい。この際、磁器組成物中のＰｂをＳｒ、
Ｃａ、Ｂａからなる群から選ばれる少なくとも１種で置
換する場合は、磁器組成物中のＰｂの２〜１０ｍｏｌ％
を置換することが好ましく、４〜８ｍｏｌ％を置換する
ことがより好ましい。２ｍｏｌ％未満であると屈曲変位
が小さくなることがあり、１０ｍｏｌ％を超えるとキュ
リー点が低くなり、屈曲変位の温度変化が大きくなるこ
とがある。磁器組成物中のＰｂをＬａで置換する場合
は、磁器組成物中のＰｂの０．２〜１．０ｍｏｌ％を置
換することが好ましく、０．４〜０．９ｍｏｌ％を置換
することがより好ましい。０．２ｍｏｌ％未満であると
屈曲変位が小さくなることがあり、１．０ｍｏｌ％を超
えるとキュリー点が低くなり、屈曲変位の温度変化が大
きくなることがある。
ためには、磁器組成物中のＰｂを、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、
Ｌａよりなる群から選ばれる少なくとも１種で置換する
ことが好ましい。この際、磁器組成物中のＰｂをＳｒ、
Ｃａ、Ｂａからなる群から選ばれる少なくとも１種で置
換する場合は、磁器組成物中のＰｂの２〜１０ｍｏｌ％
を置換することが好ましく、４〜８ｍｏｌ％を置換する
ことがより好ましい。２ｍｏｌ％未満であると屈曲変位
が小さくなることがあり、１０ｍｏｌ％を超えるとキュ
リー点が低くなり、屈曲変位の温度変化が大きくなるこ
とがある。磁器組成物中のＰｂをＬａで置換する場合
は、磁器組成物中のＰｂの０．２〜１．０ｍｏｌ％を置
換することが好ましく、０．４〜０．９ｍｏｌ％を置換
することがより好ましい。０．２ｍｏｌ％未満であると
屈曲変位が小さくなることがあり、１．０ｍｏｌ％を超
えるとキュリー点が低くなり、屈曲変位の温度変化が大
きくなることがある。
【００３７】 磁器組成物の平均粒子径は、１〜２０μ
ｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましい。１μｍ未
満であると、圧電体１中の分域が十分発達しないため屈
曲変位が小さくなることがあり、２０μｍを超えると圧
電体１中の分域が大きいものの分域が動きにくくなるた
め、屈曲変位が小さくなることがある。
ｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましい。１μｍ未
満であると、圧電体１中の分域が十分発達しないため屈
曲変位が小さくなることがあり、２０μｍを超えると圧
電体１中の分域が大きいものの分域が動きにくくなるた
め、屈曲変位が小さくなることがある。
【００３８】 磁器組成物は、ペロブスカイト相以外の
相を、２０容積％以下有することが好ましく、１０容積
％以下有することがより好ましい。２０容積％より多く
有すると圧電体素子の屈曲変位が小さくなることがあ
る。
相を、２０容積％以下有することが好ましく、１０容積
％以下有することがより好ましい。２０容積％より多く
有すると圧電体素子の屈曲変位が小さくなることがあ
る。
【００３９】 圧電体１の気孔率は、１０容積％以下で
あることが好ましく、５容積％以下であることがより好
ましい。１０容積％を超えると圧電体素子の屈曲変位が
小さくなるとともに、機械的強度が小さくなることがあ
る。
あることが好ましく、５容積％以下であることがより好
ましい。１０容積％を超えると圧電体素子の屈曲変位が
小さくなるとともに、機械的強度が小さくなることがあ
る。
【００４０】 圧電体１の厚さは、１〜３００μｍが好
ましく、３〜１００μｍがより好ましく、５〜３０μｍ
が特に好ましい。１μｍ未満であると、本発明で用いら
れる特定の磁器組成物からなる圧電体１であっても緻密
化が不十分となり、圧電体素子の屈曲変位が小さくなる
ことがあり、３００μｍを超えると相対的にセラミック
ス基体２への応力が過大となるため、基体破壊を防止す
るためにより厚いセラミックス基体２が必要となり、結
局、圧電体素子の実用上要求される小型化が困難になる
ことがある。
ましく、３〜１００μｍがより好ましく、５〜３０μｍ
が特に好ましい。１μｍ未満であると、本発明で用いら
れる特定の磁器組成物からなる圧電体１であっても緻密
化が不十分となり、圧電体素子の屈曲変位が小さくなる
ことがあり、３００μｍを超えると相対的にセラミック
ス基体２への応力が過大となるため、基体破壊を防止す
るためにより厚いセラミックス基体２が必要となり、結
局、圧電体素子の実用上要求される小型化が困難になる
ことがある。
【００４１】 また、圧電体１の厚さに対するセラミッ
クス基体２の厚さの比（セラミックス基体／圧電体）
は、０．１〜３０が好ましく、０．３〜１０がより好ま
しく、０．５〜５が特に好ましい。０．１未満である
と、圧電体素子の機械的強度が弱くなることがあり、３
０を超えると圧電体素子の屈曲変位が小さくなることが
ある。
クス基体２の厚さの比（セラミックス基体／圧電体）
は、０．１〜３０が好ましく、０．３〜１０がより好ま
しく、０．５〜５が特に好ましい。０．１未満である
と、圧電体素子の機械的強度が弱くなることがあり、３
０を超えると圧電体素子の屈曲変位が小さくなることが
ある。
【００４２】 本発明に用いられる電極３は、圧電体１
に電気的に接続されるものであることの他は特に制限は
なく、例えば、図４に示すように、セラミックス基体２
に固着してなる圧電体１上に、一対の櫛形電極３ｃ、３
ｄを形成したものでもよく、逆に、図５に示すように、
セラミックス基体２に固着してなる一対の櫛形電極３
ｃ、３ｄ上に圧電体１を固着してなるものでもよい。
に電気的に接続されるものであることの他は特に制限は
なく、例えば、図４に示すように、セラミックス基体２
に固着してなる圧電体１上に、一対の櫛形電極３ｃ、３
ｄを形成したものでもよく、逆に、図５に示すように、
セラミックス基体２に固着してなる一対の櫛形電極３
ｃ、３ｄ上に圧電体１を固着してなるものでもよい。
【００４３】 また、図６に示すように、セラミックス
基体２に固着してなる共通電極３ｅ上に圧電体１を固着
してなるとともに、共通電極３ｅを固着している圧電体
１の面と反対の面に一対の櫛形電極３ｃ、３ｄを形成し
てなるものでもよく、逆に、図７に示すように、セラミ
ックス基体２に固着してなる一対の櫛形電極３ｃ、３ｄ
上に圧電体１を固着してなるとともに、櫛形電極３ｃ、
３ｄが固着している圧電体１の面と反対の面に共通電極
３ｅを形成してなるものでもよい。
基体２に固着してなる共通電極３ｅ上に圧電体１を固着
してなるとともに、共通電極３ｅを固着している圧電体
１の面と反対の面に一対の櫛形電極３ｃ、３ｄを形成し
てなるものでもよく、逆に、図７に示すように、セラミ
ックス基体２に固着してなる一対の櫛形電極３ｃ、３ｄ
上に圧電体１を固着してなるとともに、櫛形電極３ｃ、
３ｄが固着している圧電体１の面と反対の面に共通電極
３ｅを形成してなるものでもよい。
【００４４】 電極３の材質としては、白金、パラジウ
ム、ロジウム、銀、及びこれらの合金よりなる群から選
ばれる少なくとも１種を挙げることができる。中でも、
圧電体１を熱処理する際の耐熱性が高い点で、白金、又
は白金を主成分とする合金が好ましい。
ム、ロジウム、銀、及びこれらの合金よりなる群から選
ばれる少なくとも１種を挙げることができる。中でも、
圧電体１を熱処理する際の耐熱性が高い点で、白金、又
は白金を主成分とする合金が好ましい。
【００４５】 電極３の厚さは、１５μｍ以下が好まし
く、５μｍ以下がより好ましい。１５μｍを超えると、
電極３が緩和層として作用し、屈曲変位が小さくなるこ
とがある。尚、電極３は必要に応じて熱処理され、セラ
ミックス基体２と一体化される。
く、５μｍ以下がより好ましい。１５μｍを超えると、
電極３が緩和層として作用し、屈曲変位が小さくなるこ
とがある。尚、電極３は必要に応じて熱処理され、セラ
ミックス基体２と一体化される。
【００４６】 本発明の圧電体素子は、上述した圧電体
１が、上述したセラミックス基体２に、直接又は電極３
を介して固着されてなるものである。これにより、接着
剤等の介在によるセラミックス基体２と圧電体１間の振
動伝達性の低下、及び接着剤成分等の浸透による圧電体
１やセラミックス基体２の特性劣化による、圧電特性の
低下を回避することができる。
１が、上述したセラミックス基体２に、直接又は電極３
を介して固着されてなるものである。これにより、接着
剤等の介在によるセラミックス基体２と圧電体１間の振
動伝達性の低下、及び接着剤成分等の浸透による圧電体
１やセラミックス基体２の特性劣化による、圧電特性の
低下を回避することができる。
【００４７】 ここで「固着」とは、有機系、無機系の
一切の接着剤を用いることなく、セラミックス基体２と
圧電体１又は電極３との固相反応により、セラミックス
基体２に圧電体１を直接又は電極３を介して緊密一体化
することを意味する。尚、本発明の圧電体素子は、次に
述べる第一、第二の製造方法により製造することができ
る。
一切の接着剤を用いることなく、セラミックス基体２と
圧電体１又は電極３との固相反応により、セラミックス
基体２に圧電体１を直接又は電極３を介して緊密一体化
することを意味する。尚、本発明の圧電体素子は、次に
述べる第一、第二の製造方法により製造することができ
る。
【００４８】２．第一の製造方法 本発明の第一の製造方法は、特定の磁器組成物を主成分
とする圧電材料を、セラミックス基体上又はセラミック
ス基体に形成された電極上に塗布し、このセラミックス
基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、特定の組成か
らなる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理するもので
ある。以下、具体的に説明する。
とする圧電材料を、セラミックス基体上又はセラミック
ス基体に形成された電極上に塗布し、このセラミックス
基体上又は電極上に塗布した圧電材料を、特定の組成か
らなる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理するもので
ある。以下、具体的に説明する。
【００４９】 本発明の第一の製造方法では、まず、特
定の磁器組成物からなる圧電材料を、セラミックス基体
上又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布す
る。
定の磁器組成物からなる圧電材料を、セラミックス基体
上又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布す
る。
【００５０】 第一の製造方法で用いられるセラミック
ス基体は、本発明の圧電体素子で述べたものと同様であ
る。
ス基体は、本発明の圧電体素子で述べたものと同様であ
る。
【００５１】 第一の製造方法で用いられる圧電材料
は、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ 3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ
3三成分固溶系組成物であって、下記一般式（１）に示
す組成物を主成分とし、ＮｉＯを特定の割合で含有する
磁器組成物からなるものである。
は、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ 3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ
3三成分固溶系組成物であって、下記一般式（１）に示
す組成物を主成分とし、ＮｉＯを特定の割合で含有する
磁器組成物からなるものである。
【００５２】
【化８】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１）
【００５３】 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
５、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、
（ａ，ｂ，ｃ）＝（０．５５０，０．４２５，０．０２
５），（０．５５０，０．３２５，０．１２５），
（０．３７５，０．３２５，０．３００），（０．１０
０，０．４２５，０．４７５），（０．１００，０．４
７５，０．４２５），（０．３７５，０．４２５，０．
２００）で囲まれる範囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１．００である。）。」
【００５４】 これにより、磁器組成物自体の圧電特性
と圧電体の緻密化という両面から得られる圧電体素子の
圧電特性を大きくすることができる。
と圧電体の緻密化という両面から得られる圧電体素子の
圧電特性を大きくすることができる。
【００５５】 上記一般式（１）中、ａ，ｂ，ｃを、上
述した特定の範囲とするのは、この範囲外であると、圧
電体素子の屈曲変位が小さくなるためである。
述した特定の範囲とするのは、この範囲外であると、圧
電体素子の屈曲変位が小さくなるためである。
【００５６】 また、ＮｉＯの含有率は、磁器組成物
中、０．０５〜１０．０重量％であり、０．５０〜８．
０重量％が好ましく、１．０〜６．０重量％がより好ま
しい。ＮｉＯの含有率が０．０５重量％未満であると緻
密化が不十分となるため、圧電体素子の屈曲変位が小さ
くなり、ＮｉＯ含有率が１０．０重量％を超えるとセラ
ミックス基体との反応が増大するため、やはり圧電体素
子の屈曲変位が小さくなる。
中、０．０５〜１０．０重量％であり、０．５０〜８．
０重量％が好ましく、１．０〜６．０重量％がより好ま
しい。ＮｉＯの含有率が０．０５重量％未満であると緻
密化が不十分となるため、圧電体素子の屈曲変位が小さ
くなり、ＮｉＯ含有率が１０．０重量％を超えるとセラ
ミックス基体との反応が増大するため、やはり圧電体素
子の屈曲変位が小さくなる。
【００５７】 上述した一般式（１）に示す組成物の原
料としては、Ｐｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｔｉの各元素からなる単体、これら各元素の
酸化物（例えば、ＰｂＯ、Ｐｂ3Ｏ4、Ｌａ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2）、これら各元素の炭
酸塩（例えば、ＢａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｃ
ａＣＯ3）、又はこれら各元素を複数含有する化合物
（例えば、ＭｇＮｂ2Ｏ）等を挙げることができる。こ
れら圧電材料の原料は、１種単独で又は２種以上を組合
わせて用いることができる。
料としては、Ｐｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｔｉの各元素からなる単体、これら各元素の
酸化物（例えば、ＰｂＯ、Ｐｂ3Ｏ4、Ｌａ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2）、これら各元素の炭
酸塩（例えば、ＢａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｃ
ａＣＯ3）、又はこれら各元素を複数含有する化合物
（例えば、ＭｇＮｂ2Ｏ）等を挙げることができる。こ
れら圧電材料の原料は、１種単独で又は２種以上を組合
わせて用いることができる。
【００５８】 圧電材料の調製方法について特に制限は
ないが、例えば、以下の方法により行うことができる。
まず、前述した原料を、Ｐｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｚｒ、及びＴｉの各元素の含有率が、
上述した一般式（１）に基づいて所望の割合になるよう
に混合し、得られた組成物と、ＮｉＯとを上述した所定
の割合で混合し、得られた混合原料を、７５０〜１３０
０℃で仮焼して所望の磁器組成物とする。最後に、得ら
れた磁器組成物を、粉砕して所定の粒子径の圧電材料と
する。
ないが、例えば、以下の方法により行うことができる。
まず、前述した原料を、Ｐｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｚｒ、及びＴｉの各元素の含有率が、
上述した一般式（１）に基づいて所望の割合になるよう
に混合し、得られた組成物と、ＮｉＯとを上述した所定
の割合で混合し、得られた混合原料を、７５０〜１３０
０℃で仮焼して所望の磁器組成物とする。最後に、得ら
れた磁器組成物を、粉砕して所定の粒子径の圧電材料と
する。
【００５９】 尚、圧電材料の調製は、この他の方法に
よるものであってもよく、例えば、アルコキシド法や共
沈法等によって調製することができる。
よるものであってもよく、例えば、アルコキシド法や共
沈法等によって調製することができる。
【００６０】 圧電材料を塗布する方法は特に制限はな
いが、例えば、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸
着、ＰＶＤ、イオンプレーティング、ＣＶＤ、メッキ、
スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等を挙げるこ
とができる。中でも、簡単に精度の高い形状、厚さで連
続して塗布することができる点でスパッタリング法、ス
クリーン印刷法が好ましい。
いが、例えば、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸
着、ＰＶＤ、イオンプレーティング、ＣＶＤ、メッキ、
スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等を挙げるこ
とができる。中でも、簡単に精度の高い形状、厚さで連
続して塗布することができる点でスパッタリング法、ス
クリーン印刷法が好ましい。
【００６１】 第一の製造方法では、セラミックス基体
上に直接圧電材料を塗布してもよいが、先に、セラミッ
クス基体上に電極を形成し、その電極上に圧電材料を塗
布してもよい。電極を形成する方法としては、例えば、
イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ、イ
オンプレーティング、ＣＶＤ、メッキ、スクリーン印
刷、スプレー、ディッピング等を挙げることができる。
中でも、セラミックス基体及び圧電体との接合性の点で
スパッタリング法、スクリーン印刷法が好ましい。
上に直接圧電材料を塗布してもよいが、先に、セラミッ
クス基体上に電極を形成し、その電極上に圧電材料を塗
布してもよい。電極を形成する方法としては、例えば、
イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ、イ
オンプレーティング、ＣＶＤ、メッキ、スクリーン印
刷、スプレー、ディッピング等を挙げることができる。
中でも、セラミックス基体及び圧電体との接合性の点で
スパッタリング法、スクリーン印刷法が好ましい。
【００６２】 電極を形成する材料としては、白金、パ
ラジウム、ロジウム、銀、及びこれらの合金よりなる群
から選ばれる少なくとも１種を挙げることができる。中
でも、圧電体を熱処理する際の耐熱性が高い点で、白
金、又は白金を主成分とする合金が好ましい。
ラジウム、ロジウム、銀、及びこれらの合金よりなる群
から選ばれる少なくとも１種を挙げることができる。中
でも、圧電体を熱処理する際の耐熱性が高い点で、白
金、又は白金を主成分とする合金が好ましい。
【００６３】 形成する電極の厚さは、１５μｍ以下が
好ましく、５μｍ以下がより好ましい。１５μｍを超え
ると、電極が緩和層として作用するために屈曲変位が小
さくなることがある。尚、電極は必要に応じて熱処理さ
れ、セラミックス基体と一体化される。
好ましく、５μｍ以下がより好ましい。１５μｍを超え
ると、電極が緩和層として作用するために屈曲変位が小
さくなることがある。尚、電極は必要に応じて熱処理さ
れ、セラミックス基体と一体化される。
【００６４】 本発明の第一の製造方法では、次いで、
上述したセラミックス基体上に塗布した圧電材料を、磁
器組成物と同一又はより大きなＮｉＯ含有率の組成から
なる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理する。圧電材
料を構成する磁器組成物中のＮｉＯの揮発を防止して、
圧電体を構成する磁器組成物中にＮｉＯが均一に、又は
圧電体とセラミックス基体との接触面から厚さ方向に高
濃度となる濃度勾配を有して分散する圧電体とすること
ができ、かつこのような圧電体をセラミックス基体と固
着させることができる。
上述したセラミックス基体上に塗布した圧電材料を、磁
器組成物と同一又はより大きなＮｉＯ含有率の組成から
なる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理する。圧電材
料を構成する磁器組成物中のＮｉＯの揮発を防止して、
圧電体を構成する磁器組成物中にＮｉＯが均一に、又は
圧電体とセラミックス基体との接触面から厚さ方向に高
濃度となる濃度勾配を有して分散する圧電体とすること
ができ、かつこのような圧電体をセラミックス基体と固
着させることができる。
【００６５】 具体的には、共存させる組成物のＮｉＯ
含有率を、圧電材料を構成する磁器組成物と同一とする
ことにより、ＮｉＯを圧電体中に均一に分散させること
ができ、圧電材料を構成する磁器組成物より高濃度とす
ることにより、ＮｉＯを圧電体中にセラミックス基体と
の接触面から厚さ方向に高濃度となる濃度勾配をもたせ
て分散させることができる。また、共存させる組成物の
ＮｉＯ含有率を調整することにより濃度勾配の大きさを
調整することもできる。尚、ＮｉＯ以外の成分について
特に制限はないが、他の成分の揮発防止という点で、他
の成分の含有率についても圧電材料を構成する磁器組成
物と同一にすることが好ましい。
含有率を、圧電材料を構成する磁器組成物と同一とする
ことにより、ＮｉＯを圧電体中に均一に分散させること
ができ、圧電材料を構成する磁器組成物より高濃度とす
ることにより、ＮｉＯを圧電体中にセラミックス基体と
の接触面から厚さ方向に高濃度となる濃度勾配をもたせ
て分散させることができる。また、共存させる組成物の
ＮｉＯ含有率を調整することにより濃度勾配の大きさを
調整することもできる。尚、ＮｉＯ以外の成分について
特に制限はないが、他の成分の揮発防止という点で、他
の成分の含有率についても圧電材料を構成する磁器組成
物と同一にすることが好ましい。
【００６６】 第一の製造方法における熱処理の温度
は、１０００〜１４００℃が好ましく、１１００〜１３
５０℃がより好ましい。１０００℃未満の温度では、セ
ラミックス基体と圧電体との固着が不完全であったり、
圧電体の緻密性が不十分となることがあり、１４００℃
を超えると、圧電材料中のＰｂの揮発量が多くなるた
め、所望の組成の圧電体を得ることが困難となることが
ある。熱処理は、電極を形成した後に行ってもよく、電
極を形成する前に行ってもよい。
は、１０００〜１４００℃が好ましく、１１００〜１３
５０℃がより好ましい。１０００℃未満の温度では、セ
ラミックス基体と圧電体との固着が不完全であったり、
圧電体の緻密性が不十分となることがあり、１４００℃
を超えると、圧電材料中のＰｂの揮発量が多くなるた
め、所望の組成の圧電体を得ることが困難となることが
ある。熱処理は、電極を形成した後に行ってもよく、電
極を形成する前に行ってもよい。
【００６７】３．第二の製造方法 本発明の第二の製造方法は、特定の磁器組成物からなる
圧電材料を調製し、調製した圧電材料を、特定の方法で
セラミックス基体等の上に塗布し、塗布された圧電材料
を、熱処理するものである。以下、具体的に説明する。
圧電材料を調製し、調製した圧電材料を、特定の方法で
セラミックス基体等の上に塗布し、塗布された圧電材料
を、熱処理するものである。以下、具体的に説明する。
【００６８】 本発明の第二の製造方法では、まず、特
定の組成物を主成分とし、異なるＮｉＯ含有率とした磁
器組成物からなる複数種の圧電材料を調製する。圧電材
料を調製するために用いる磁器組成物としては、第一の
製造方法で用いた磁器組成物と同一のものを用いること
ができ、また、第一の製造方法で述べた圧電材料の調製
方法と同様にして行うことができる。尚、第二の製造方
法は、異なるＮｉＯ含有率とした複数種の磁器組成物か
らなるものとする点で第一の製造方法と相違するもので
ある。
定の組成物を主成分とし、異なるＮｉＯ含有率とした磁
器組成物からなる複数種の圧電材料を調製する。圧電材
料を調製するために用いる磁器組成物としては、第一の
製造方法で用いた磁器組成物と同一のものを用いること
ができ、また、第一の製造方法で述べた圧電材料の調製
方法と同様にして行うことができる。尚、第二の製造方
法は、異なるＮｉＯ含有率とした複数種の磁器組成物か
らなるものとする点で第一の製造方法と相違するもので
ある。
【００６９】 本発明の第二の製造方法では、次に、異
なるＮｉＯ含有率の磁器組成物からなる複数種の圧電材
料を、ＮｉＯ含有率の小さなものから順次セラミックス
基体上又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布
する。これにより、圧電体を構成する磁器組成物中のＮ
ｉＯが、圧電体とセラミックス基体との接触面から厚さ
方向に高濃度となる濃度勾配を有して分散している圧電
体を確実に得ることができる。圧電材料の塗布の方法に
ついては特に制限はなく、第一の製造方法と同様にして
行うことができる。
なるＮｉＯ含有率の磁器組成物からなる複数種の圧電材
料を、ＮｉＯ含有率の小さなものから順次セラミックス
基体上又はセラミックス基体に形成された電極上に塗布
する。これにより、圧電体を構成する磁器組成物中のＮ
ｉＯが、圧電体とセラミックス基体との接触面から厚さ
方向に高濃度となる濃度勾配を有して分散している圧電
体を確実に得ることができる。圧電材料の塗布の方法に
ついては特に制限はなく、第一の製造方法と同様にして
行うことができる。
【００７０】 本発明の第二の製造方法では、次に、こ
のセラミックス基体上又は電極上に塗布した圧電材料
を、熱処理する。熱処理の際、必ずしもＮｉＯを含有す
る雰囲気制御用材料を共存させる必要はないが、磁器組
成物中のＮｉＯの濃度勾配をより精密に制御する点で、
ＮｉＯを含有する雰囲気制御用材料を共存させることが
好ましい。また、前述した異なるＮｉＯ含有率の複数種
の圧電材料を、すべて塗布した後、まとめて熱処理をし
てもよく、各種圧電材料を、それぞれ塗布した時点で個
別に熱処理を行ってもよい。熱処理の温度等について
は、第一の製造方法と同様である。
のセラミックス基体上又は電極上に塗布した圧電材料
を、熱処理する。熱処理の際、必ずしもＮｉＯを含有す
る雰囲気制御用材料を共存させる必要はないが、磁器組
成物中のＮｉＯの濃度勾配をより精密に制御する点で、
ＮｉＯを含有する雰囲気制御用材料を共存させることが
好ましい。また、前述した異なるＮｉＯ含有率の複数種
の圧電材料を、すべて塗布した後、まとめて熱処理をし
てもよく、各種圧電材料を、それぞれ塗布した時点で個
別に熱処理を行ってもよい。熱処理の温度等について
は、第一の製造方法と同様である。
【００７１】
【実施例】 以下、本発明を実施例により具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。尚、実施例、及び比較例についての各種測定は以下
のようにして行った。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。尚、実施例、及び比較例についての各種測定は以下
のようにして行った。
【００７２】１．屈曲変位 上下電極間に電界が３ｋＶ／ｍｍとなるように電圧を印
加した際に生じた屈曲変位をレーザー変位測定機により
測定した。
加した際に生じた屈曲変位をレーザー変位測定機により
測定した。
【００７３】２．気孔率 各実施例、及び各比較例で得られた圧電体素子の圧電体
の表面、縦横約５０μｍの範囲を走査型電子顕微鏡で鏡
検し、３視野での圧電体中の気孔の占める面積の割合を
それぞれ求め、その平均値を気孔率とした。
の表面、縦横約５０μｍの範囲を走査型電子顕微鏡で鏡
検し、３視野での圧電体中の気孔の占める面積の割合を
それぞれ求め、その平均値を気孔率とした。
【００７４】（実施例１）Ｙ2Ｏ3で安定化されたＺｒＯ
2基体（薄肉部の寸法：１．６×１．１ｍｍ、厚さ：１
０μｍ）上に白金からなる下部電極（寸法：１．２×
０．８ｍｍ、厚さ：３μｍ）をスクリーン印刷法により
形成し、熱処理により基体と一体化させた。その上にＰ
ｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3
９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量％とを含有する
磁器組成物からなる圧電材料（寸法：１．３×０．９ｍ
ｍ、厚さ：１３μｍ）を塗布し、圧電材料と同一の組成
の雰囲気制御用材料とともに１２７５℃、２時間熱処理
した。熱処理後の圧電材料の厚さは、１０μｍであっ
た。次いで、その上に金からなる上部電極（寸法：１．
２×０．８ｍｍ、厚さ：０．５μｍ）をスクリーン印刷
法により形成した後、熱処理して圧電体素子を製造し
た。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたところ、
２．２０μｍと非常に大きな屈曲変位が認められた。用
いた圧電材料の組成及び結果をまとめて表１に示す。
2基体（薄肉部の寸法：１．６×１．１ｍｍ、厚さ：１
０μｍ）上に白金からなる下部電極（寸法：１．２×
０．８ｍｍ、厚さ：３μｍ）をスクリーン印刷法により
形成し、熱処理により基体と一体化させた。その上にＰ
ｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3
９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量％とを含有する
磁器組成物からなる圧電材料（寸法：１．３×０．９ｍ
ｍ、厚さ：１３μｍ）を塗布し、圧電材料と同一の組成
の雰囲気制御用材料とともに１２７５℃、２時間熱処理
した。熱処理後の圧電材料の厚さは、１０μｍであっ
た。次いで、その上に金からなる上部電極（寸法：１．
２×０．８ｍｍ、厚さ：０．５μｍ）をスクリーン印刷
法により形成した後、熱処理して圧電体素子を製造し
た。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたところ、
２．２０μｍと非常に大きな屈曲変位が認められた。用
いた圧電材料の組成及び結果をまとめて表１に示す。
【００７５】（実施例２、及び比較例１、２）実施例１
において、圧電材料を表１のものを用いたことの他は、
実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られた
圧電体の屈曲変位を求めたところ、圧電材料の組成
（ａ，ｂ，ｃ）が本発明の範囲である実施例２の圧電体
素子では、２．２２μｍと大きな屈曲変位が認められ
た。これに対して、圧電材料の組成（ａ，ｂ，ｃ）が本
発明の範囲外である比較例１、２の圧電体素子では、そ
れぞれ１．５６μｍ、１．３８μｍと小さな屈曲変位で
あった。結果をまとめて表１に示す。
において、圧電材料を表１のものを用いたことの他は、
実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られた
圧電体の屈曲変位を求めたところ、圧電材料の組成
（ａ，ｂ，ｃ）が本発明の範囲である実施例２の圧電体
素子では、２．２２μｍと大きな屈曲変位が認められ
た。これに対して、圧電材料の組成（ａ，ｂ，ｃ）が本
発明の範囲外である比較例１、２の圧電体素子では、そ
れぞれ１．５６μｍ、１．３８μｍと小さな屈曲変位で
あった。結果をまとめて表１に示す。
【００７６】
【表１】
【００７７】（参考例１〜３）実施例１において、圧電
材料として、Ｐｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0. 43
Ｚｒ0.37Ｏ3 ９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量
％とを含有する磁器組成物を調製し、得られた磁器組成
物、それぞれ９７容量％、９３容量％、８５容量％に対
して、粒径８〜１２μｍのラテックス（熱処理により、
酸化気化してしまうため、熱処理前に存在していた個所
に強制的に気孔が生じる）をそれぞれ３容量％、７容量
％、１５容量％混合したものを圧電材料として用いたこ
と以外は実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。
圧電材料中のラテックス含有率が大きく、気孔率が１９
％の参考例３の圧電体では、屈曲変位が１．７７μｍで
あり、気孔率が１０％の参考例２の圧電体では、屈曲変
位が２．０８μｍであり、気孔率が５％の参考例１の圧
電体では、屈曲変位が２．２０μｍであり、気孔率が大
きくなるに従って屈曲変位が低下することが確認され
た。結果をまとめて表２に示す。
材料として、Ｐｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0. 43
Ｚｒ0.37Ｏ3 ９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量
％とを含有する磁器組成物を調製し、得られた磁器組成
物、それぞれ９７容量％、９３容量％、８５容量％に対
して、粒径８〜１２μｍのラテックス（熱処理により、
酸化気化してしまうため、熱処理前に存在していた個所
に強制的に気孔が生じる）をそれぞれ３容量％、７容量
％、１５容量％混合したものを圧電材料として用いたこ
と以外は実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。
圧電材料中のラテックス含有率が大きく、気孔率が１９
％の参考例３の圧電体では、屈曲変位が１．７７μｍで
あり、気孔率が１０％の参考例２の圧電体では、屈曲変
位が２．０８μｍであり、気孔率が５％の参考例１の圧
電体では、屈曲変位が２．２０μｍであり、気孔率が大
きくなるに従って屈曲変位が低下することが確認され
た。結果をまとめて表２に示す。
【００７８】
【表２】
【００７９】（実施例３、及び比較例３、４）実施例１
において、表３に示すＮｉＯ含有率の組成の圧電材料を
用いたこと以外は実施例１と同様にして圧電体素子を製
造した。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたとこ
ろ、ＮｉＯ含有率が１．５重量％の実施例３の圧電体素
子では、気孔率が５％と小さく、屈曲変位が２．２０μ
ｍと大きな値が認められた。これに対して、圧電材料中
のＮｉＯ含有率が０．０３重量％と小さな比較例３の圧
電体素子では、気孔率が１３％と大きく、屈曲変位が
１．７７μｍと小さな値であった。また、圧電材料中の
ＮｉＯ含有率が１５．０重量％と大きな比較例４の圧電
体素子では、気孔率が４％と小さかったものの、屈曲変
位が１．４１μｍと小さな値であった。結果をまとめて
表３に示す。
において、表３に示すＮｉＯ含有率の組成の圧電材料を
用いたこと以外は実施例１と同様にして圧電体素子を製
造した。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたとこ
ろ、ＮｉＯ含有率が１．５重量％の実施例３の圧電体素
子では、気孔率が５％と小さく、屈曲変位が２．２０μ
ｍと大きな値が認められた。これに対して、圧電材料中
のＮｉＯ含有率が０．０３重量％と小さな比較例３の圧
電体素子では、気孔率が１３％と大きく、屈曲変位が
１．７７μｍと小さな値であった。また、圧電材料中の
ＮｉＯ含有率が１５．０重量％と大きな比較例４の圧電
体素子では、気孔率が４％と小さかったものの、屈曲変
位が１．４１μｍと小さな値であった。結果をまとめて
表３に示す。
【００８０】
【表３】
【００８１】（実施例４）実施例１において、圧電材料
として、Ｐｂ1.00（Ｍｇ0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43
Ｚｒ0.37Ｏ3 ９８．０重量％と、ＮｉＯ ２．０重量
％とを含有する磁器組成物を用いたこと以外は実施例１
と同様にして圧電体素子製造した。得られた圧電体素子
の屈曲変位を求めたところ、２．１１μｍと比較的大き
な屈曲変位が認められた。また、圧電体中のＮｉＯの分
散状態をＥＰＭＡ分析により確認したところ均一に分散
していることが認められた。結果をまとめて表４に示
す。
として、Ｐｂ1.00（Ｍｇ0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43
Ｚｒ0.37Ｏ3 ９８．０重量％と、ＮｉＯ ２．０重量
％とを含有する磁器組成物を用いたこと以外は実施例１
と同様にして圧電体素子製造した。得られた圧電体素子
の屈曲変位を求めたところ、２．１１μｍと比較的大き
な屈曲変位が認められた。また、圧電体中のＮｉＯの分
散状態をＥＰＭＡ分析により確認したところ均一に分散
していることが認められた。結果をまとめて表４に示
す。
【００８２】（実施例５）実施例１において、Ｐｂ1.00
（Ｍｇ0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3９８．
０重量％と、ＮｉＯ ２．０重量％とを含有する磁器組
成物を用い、雰囲気制御用材料としてＰｂ1.00（Ｍｇ
0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3９０．０重量
％と、ＮｉＯ １０．０重量％とを含有する磁器組成物
を用いたこと以外は実施例１と同様にして圧電体素子を
製造した。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたとこ
ろ、２．２９μｍと実施例４の圧電体素子より大きな屈
曲変位が認められた。また、圧電体中のＮｉＯの分散状
態をＥＰＭＡ分析により確認したところ圧電体とセラミ
ックス基体との固着面から厚さ方向に高濃度となる濃度
勾配を有して分散していることが認められた。結果をま
とめて表４に示す。
（Ｍｇ0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3９８．
０重量％と、ＮｉＯ ２．０重量％とを含有する磁器組
成物を用い、雰囲気制御用材料としてＰｂ1.00（Ｍｇ
0.97/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43Ｚｒ0.37Ｏ3９０．０重量
％と、ＮｉＯ １０．０重量％とを含有する磁器組成物
を用いたこと以外は実施例１と同様にして圧電体素子を
製造した。得られた圧電体素子の屈曲変位を求めたとこ
ろ、２．２９μｍと実施例４の圧電体素子より大きな屈
曲変位が認められた。また、圧電体中のＮｉＯの分散状
態をＥＰＭＡ分析により確認したところ圧電体とセラミ
ックス基体との固着面から厚さ方向に高濃度となる濃度
勾配を有して分散していることが認められた。結果をま
とめて表４に示す。
【００８３】
【表４】
【００８４】（実施例６、及び比較例５、６）実施例１
において、表５に示す組成の圧電材料を用いたこと以外
は実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られ
た圧電体素子の屈曲変位を求めたところ、圧電材料中の
Ｎｂに対するＭｇの含有率が本発明の範囲内（ｙ＝０．
９７）である実施例６の圧電体素子では２．０３μｍと
大きな屈曲変位が認められた。これに対して、圧電材料
中のＮｂに対するＭｇの含有率が小さな（ｙ＝０．８
５）比較例５の圧電体素子では、１．２１μｍ、圧電材
料中のＮｂに対するＭｇの含有率が大きな（ｙ＝１．１
５）比較例６では、１．５５μｍといずれも小さな屈曲
変位となった。結果をまとめて表５に示す。
において、表５に示す組成の圧電材料を用いたこと以外
は実施例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られ
た圧電体素子の屈曲変位を求めたところ、圧電材料中の
Ｎｂに対するＭｇの含有率が本発明の範囲内（ｙ＝０．
９７）である実施例６の圧電体素子では２．０３μｍと
大きな屈曲変位が認められた。これに対して、圧電材料
中のＮｂに対するＭｇの含有率が小さな（ｙ＝０．８
５）比較例５の圧電体素子では、１．２１μｍ、圧電材
料中のＮｂに対するＭｇの含有率が大きな（ｙ＝１．１
５）比較例６では、１．５５μｍといずれも小さな屈曲
変位となった。結果をまとめて表５に示す。
【００８５】
【表５】
【００８６】（実施例７及び比較例７）実施例１におい
て、表６に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施
例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電
体素子の屈曲変位を求めたところ、圧電材料中のＰｂの
含有率が本発明の範囲内（ｘ＝０．９８）である実施例
７の圧電体素子では２．２３と大きな屈曲変位が認めら
れた。これに対して、圧電材料中のＰｂの含有率の小さ
な（ｘ＝０．９３）比較例７の圧電体素子では、１．７
５と小さな屈曲変位となった。結果をまとめて表６に示
す。
て、表６に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施
例１と同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電
体素子の屈曲変位を求めたところ、圧電材料中のＰｂの
含有率が本発明の範囲内（ｘ＝０．９８）である実施例
７の圧電体素子では２．２３と大きな屈曲変位が認めら
れた。これに対して、圧電材料中のＰｂの含有率の小さ
な（ｘ＝０．９３）比較例７の圧電体素子では、１．７
５と小さな屈曲変位となった。結果をまとめて表６に示
す。
【００８７】
【表６】
【００８８】（実施例８〜１１）実施例１において、表
７に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施例１と
同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電体素子
の屈曲変位を求めたところ、実施例８〜１１のいずれの
圧電体素子についても１．８９〜２．１６と比較的大き
な屈曲変位が認められた。但し、Ｐｂの５．０ｍｏｌ％
をＳｒで置換した組成からなる圧電材料を用いた実施例
９の圧電体素子、及びＰｂの１０．０ｍｏｌ％をＢａで
置換した組成からなる圧電材料を用いた実施例１０の圧
電体素子では、屈曲変位がそれぞれ２．１６μｍ、２．
１０μｍと、Ｐｂを全く置換しない組成からなる圧電材
料を用いた実施例８の圧電体素子の屈曲変位２．０２μ
ｍに比べ、いずれも大きな屈曲変位が認められた。一
方、Ｐｂの７．５ｍｏｌ％をＳｒ、７．５ｍｏｌ％をＣ
ａ（全体で１５ｍｏｌ％）で置換した組成からなる圧電
材料を用いた実施例１１の圧電体素子では、屈曲変位が
１．８９μｍと、Ｐｂを全く置換しない組成からなる圧
電材料を用いた実施例８の圧電体素子の屈曲変位２．０
２μｍに比べ、小さな屈曲変位となった。結果をまとめ
て表７に示す。
７に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施例１と
同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電体素子
の屈曲変位を求めたところ、実施例８〜１１のいずれの
圧電体素子についても１．８９〜２．１６と比較的大き
な屈曲変位が認められた。但し、Ｐｂの５．０ｍｏｌ％
をＳｒで置換した組成からなる圧電材料を用いた実施例
９の圧電体素子、及びＰｂの１０．０ｍｏｌ％をＢａで
置換した組成からなる圧電材料を用いた実施例１０の圧
電体素子では、屈曲変位がそれぞれ２．１６μｍ、２．
１０μｍと、Ｐｂを全く置換しない組成からなる圧電材
料を用いた実施例８の圧電体素子の屈曲変位２．０２μ
ｍに比べ、いずれも大きな屈曲変位が認められた。一
方、Ｐｂの７．５ｍｏｌ％をＳｒ、７．５ｍｏｌ％をＣ
ａ（全体で１５ｍｏｌ％）で置換した組成からなる圧電
材料を用いた実施例１１の圧電体素子では、屈曲変位が
１．８９μｍと、Ｐｂを全く置換しない組成からなる圧
電材料を用いた実施例８の圧電体素子の屈曲変位２．０
２μｍに比べ、小さな屈曲変位となった。結果をまとめ
て表７に示す。
【００８９】
【表７】
【００９０】（実施例１２〜１４）実施例１において、
表８に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施例１
と同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電体素
子の屈曲変位を求めたところ、実施例１２〜１４のいず
れの圧電体素子についても１．７８〜２．２０μｍと比
較的大きな屈曲変位が認められた。但し、Ｐｂの０．８
ｍｏｌ％をＬａで置換した組成からなる圧電材料を用い
た実施例１３の圧電体素子では、屈曲変位が２．２０μ
ｍと、Ｐｂの一部をＬａで置換していない組成からなる
圧電材料を用いた実施例１２の圧電体素子の屈曲変位
２．０２μｍに比べ大きな屈曲変位が認められた。一
方、Ｐｂの１．５ｍｏｌ％をＬａで置換した組成からな
る圧電材料を用いた実施例１４の圧電体素子では、屈曲
変位が１．７８μｍと、実施例１２の圧電体素子の２．
０２μｍに比べ小さな屈曲変位となった。結果をまとめ
て表８に示す。
表８に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施例１
と同様にして圧電体素子を製造した。得られた圧電体素
子の屈曲変位を求めたところ、実施例１２〜１４のいず
れの圧電体素子についても１．７８〜２．２０μｍと比
較的大きな屈曲変位が認められた。但し、Ｐｂの０．８
ｍｏｌ％をＬａで置換した組成からなる圧電材料を用い
た実施例１３の圧電体素子では、屈曲変位が２．２０μ
ｍと、Ｐｂの一部をＬａで置換していない組成からなる
圧電材料を用いた実施例１２の圧電体素子の屈曲変位
２．０２μｍに比べ大きな屈曲変位が認められた。一
方、Ｐｂの１．５ｍｏｌ％をＬａで置換した組成からな
る圧電材料を用いた実施例１４の圧電体素子では、屈曲
変位が１．７８μｍと、実施例１２の圧電体素子の２．
０２μｍに比べ小さな屈曲変位となった。結果をまとめ
て表８に示す。
【００９１】
【表８】
【００９２】（実施例１５、１６及び比較例８）実施例
１において、Ｐｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43
Ｚｒ0.37Ｏ3９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量％
とを含有する圧電材料を用い、更に、表９に示す組成の
雰囲気制御用材料を用いたこと以外は実施例１と同様に
して圧電体素子を製造した。得られた圧電体素子の屈曲
変位を求めたところ、圧電体を構成する磁器組成物と同
一の組成からなる雰囲気制御用材料を用いて製造した実
施例１５の圧電体素子では２．２０μｍと大きな屈曲変
位が認められ、圧電体を構成する磁器組成物よりＮｉＯ
含有率の大きな組成からなる雰囲気制御用材料を用いて
製造した実施例１６の圧電体素子では、２．４２μｍと
更に大きな屈曲変位が認められた。これに対して、圧電
体を構成する磁器組成物よりＮｉＯ含有率の小さな組成
からなる雰囲気制御用材料を用いて製造した比較例８の
圧電体素子では、２．０３μｍと実施例１５及び１６の
圧電体素子に比べ小さな屈曲変位となった。結果をまと
めて表９に示す。
１において、Ｐｂ1.00（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.20Ｔｉ0.43
Ｚｒ0.37Ｏ3９８．５重量％と、ＮｉＯ １．５重量％
とを含有する圧電材料を用い、更に、表９に示す組成の
雰囲気制御用材料を用いたこと以外は実施例１と同様に
して圧電体素子を製造した。得られた圧電体素子の屈曲
変位を求めたところ、圧電体を構成する磁器組成物と同
一の組成からなる雰囲気制御用材料を用いて製造した実
施例１５の圧電体素子では２．２０μｍと大きな屈曲変
位が認められ、圧電体を構成する磁器組成物よりＮｉＯ
含有率の大きな組成からなる雰囲気制御用材料を用いて
製造した実施例１６の圧電体素子では、２．４２μｍと
更に大きな屈曲変位が認められた。これに対して、圧電
体を構成する磁器組成物よりＮｉＯ含有率の小さな組成
からなる雰囲気制御用材料を用いて製造した比較例８の
圧電体素子では、２．０３μｍと実施例１５及び１６の
圧電体素子に比べ小さな屈曲変位となった。結果をまと
めて表９に示す。
【００９３】
【表９】
【００９４】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の圧電体
素子及びその製造方法によれば、極めて高い圧電特性を
有するとともに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝
達性に優れ、アクチュエータ、センサー等の小型化及び
高密度化を図ることができる圧電体素子及びその製造方
法を提供することができる。
素子及びその製造方法によれば、極めて高い圧電特性を
有するとともに、セラミックス基体と圧電体間の振動伝
達性に優れ、アクチュエータ、センサー等の小型化及び
高密度化を図ることができる圧電体素子及びその製造方
法を提供することができる。
【図１】 本発明の圧電体素子の一の実施の形態を模式
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
【図２】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
【図３】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
【図４】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
【図５】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
的に示す説明図で、（イ）は、平面図、（ロ）は、Ｘ−
Ｘ’断面図である。
【図６】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図７】 本発明の圧電体素子の他の実施の形態を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【符号の説明】 １…圧電体、２…セラミックス基体（２ａ…固着面、２
ｂ…厚肉部、２ｃ…薄肉部）、３…電極（３ａ…上部電
極、３ｂ…下部電極、３ｃ、３ｄ…櫛型電極、３ｅ…共
通電極）。
ｂ…厚肉部、２ｃ…薄肉部）、３…電極（３ａ…上部電
極、３ｂ…下部電極、３ｃ、３ｄ…櫛型電極、３ｅ…共
通電極）。
Claims (9)
- 【請求項１】 セラミックス基体と、 ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3三
成分固溶系組成物で、下記一般式（１）に示す組成物を
主成分とし、ＮｉＯを全組成物中０．０５〜１０．０重
量％含有する磁器組成物からなる圧電体と、 該圧電体に電気的に接続される電極とを備え、 前記圧電体が、前記セラミックス基体に、直接又は前記
電極を介して固着されてなることを特徴とする圧電体素
子。 【化１】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１） 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．８≦ｙ≦
１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、（ａ，ｂ，ｃ）＝
（０．５５０，０．４２５，０．０２５），（０．５５
０，０．３２５，０．１２５），（０．３７５，０．３
２５，０．３００），（０．１００，０．４２５，０．
４７５），（０．１００，０．４７５，０．４２５），
（０．３７５，０．４２５，０．２００）で囲まれる範
囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１．００であ
る。）。」 - 【請求項２】 前記磁器組成物中の前記ＮｉＯが、前記
圧電体の前記セラミックス基体との固着面から厚さ方向
に高濃度となる濃度勾配を有して分散している請求項１
に記載の圧電体素子。 - 【請求項３】 前記磁器組成物中のＰｂの２〜１０ｍｏ
ｌ％が、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａからなる群から選ばれる少な
くとも１種で置換されてなる請求項１又は２に記載の圧
電体素子。 - 【請求項４】 前記磁器組成物中のＰｂの０．２〜１．
０ｍｏｌ％が、Ｌａで置換されてなる請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の圧電体素子。 - 【請求項５】 前記圧電体の厚さが、１〜３００μｍで
ある請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電体素子。 - 【請求項６】 前記セラミックス基体の厚さが、３μｍ
〜１ｍｍである請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧
電体素子。 - 【請求項７】 前記圧電体の厚さに対する前記セラミッ
クス基体の厚さの比（セラミックス基体の厚さ／圧電体
の厚さ）が、０．１〜３０である請求項１〜６のいずれ
か一項に記載の圧電体素子。 - 【請求項８】 ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−
ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成物で、下記一般式（１）
に示す組成物を主成分とし、ＮｉＯを全組成物中０．０
５〜１０．０重量％含有する磁器組成物からなる圧電材
料を、セラミックス基体上に、又は該セラミックス基体
に形成された電極上に塗布し、前記塗布された圧電材料
を、前記磁器組成物と同一又はより大きなＮｉ含有率の
組成からなる雰囲気制御用材料を共存させて熱処理する
ことを特徴とする圧電体素子の製造方法。 【化２】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１） 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．８≦ｙ≦
１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、（ａ，ｂ，ｃ）＝
（０．５５０，０．４２５，０．０２５），（０．５５
０，０．３２５，０．１２５），（０．３７５，０．３
２５，０．３００），（０．１００，０．４２５，０．
４７５），（０．１００，０．４７５，０．４２５），
（０．３７５，０．４２５，０．２００）で囲まれる範
囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１．００であ
る。）。」 - 【請求項９】 ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−
ＰｂＴｉＯ3三成分固溶系組成物で、下記一般式（１）
に示す組成物を主成分とし、異なるＮｉＯ含有率とした
磁器組成物からなる複数種の圧電材料を調製し、 該複数種の圧電材料を、Ｎｉ含有率の小さなものから順
次セラミックス基体上に、又は前記セラミックス基体に
形成された電極上に塗布し、 前記塗布された圧電材料を、熱処理することを特徴とす
る圧電体素子の製造方法。 【化３】 Ｐｂx（Ｍｇy/3Ｎｂ2/3）aＴｉbＺｒcＯ3 …（１） 「式（１）中、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．８≦ｙ≦
１．０であり、かつａ，ｂ，ｃが、（ａ，ｂ，ｃ）＝
（０．５５０，０．４２５，０．０２５），（０．５５
０，０．３２５，０．１２５），（０．３７５，０．３
２５，０．３００），（０．１００，０．４２５，０．
４７５），（０．１００，０．４７５，０．４２５），
（０．３７５，０．４２５，０．２００）で囲まれる範
囲の小数である（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１．００であ
る。）。」
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286115A JP3512379B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 圧電体素子、及びその製造方法 |
| US09/953,674 US6565997B2 (en) | 2000-09-20 | 2001-09-17 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| EP20010307926 EP1191611B1 (en) | 2000-09-20 | 2001-09-18 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| DE60140343T DE60140343D1 (de) | 2000-09-20 | 2001-09-18 | Piezoelektrisches Bauelement und dessen Herstellungsprozess |
| US10/072,297 US6731049B2 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-07 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US10/072,294 US6610427B2 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-07 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US10/354,647 US6652905B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-01-30 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US10/428,216 US6713123B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-05-02 | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US10/666,879 US7052732B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-09-19 | Method for producing a piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286115A JP3512379B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 圧電体素子、及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003344232A Division JP2004153252A (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | 圧電体素子、及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100819A true JP2002100819A (ja) | 2002-04-05 |
| JP3512379B2 JP3512379B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=18770082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000286115A Expired - Lifetime JP3512379B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 圧電体素子、及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6565997B2 (ja) |
| EP (1) | EP1191611B1 (ja) |
| JP (1) | JP3512379B2 (ja) |
| DE (1) | DE60140343D1 (ja) |
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| EP2086030A2 (en) | 2008-01-30 | 2009-08-05 | Ngk Insulator, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramics and process for producing the same |
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| JPS4220029Y1 (ja) | 1965-03-15 | 1967-11-21 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6652905B2 (en) | 2003-11-25 |
| JP3512379B2 (ja) | 2004-03-29 |
| EP1191611B1 (en) | 2009-11-04 |
| EP1191611A2 (en) | 2002-03-27 |
| DE60140343D1 (de) | 2009-12-17 |
| US20030170381A1 (en) | 2003-09-11 |
| EP1191611A3 (en) | 2004-11-24 |
| US6565997B2 (en) | 2003-05-20 |
| US20020056827A1 (en) | 2002-05-16 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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