JP2002100597A - 研磨方法および研磨装置 - Google Patents

研磨方法および研磨装置

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JP2002100597A JP2000289444A JP2000289444A JP2002100597A JP 2002100597 A JP2002100597 A JP 2002100597A JP 2000289444 A JP2000289444 A JP 2000289444A JP 2000289444 A JP2000289444 A JP 2000289444A JP 2002100597 A JP2002100597 A JP 2002100597A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体プロセスでの微小な凹凸面に対するＣＭ
Ｐ平坦化加工において、凸部の選択的な研磨を可能にし
た研磨方法を提供する。 【解決手段】被加工物表面の微細な凹凸の形状に応じ
て、被加工物の表面に選択的にレーザ光を照射し、これ
によって微細領域の除去制御を行ない、とくに表面凸部
２３の部分の選択的な研磨を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨方法および研磨
装置に係り、とくに加工目標とする平面または曲面に対
して凹凸を有する被加工面を粒子を含むスラリーを用い
て研磨する研磨方法および研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平１１−２８８９０６号公報に開示
されているように、半導体ウエハ基板の平坦化工程にお
いて、従来からＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリシ
ングＣｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌ
ｉｓｈｉｎｇ）加工方法が広く用いられている。
【０００３】従来のＣＭＰ加工方法は図１に示すよう
に、回転するポリシングプレート１１上に弾性体のポリ
シングパッド１２を接着固定する。これに対してシリコ
ンウエハ１３を研磨ヘッド１４の端面に固定する。そし
てシリコンウエハ１３の被研磨面を下向きにしてポリシ
ングパッド１２に圧着させる。このような状態において
スラリー１５を供給し、ポリシングプレート１１を回転
させるとともに研磨ヘッド１４をも回転させ、これによ
ってシリコンウエハ１３の表面を研磨する。
【０００４】このときにポリシングパッド１２とシリコ
ンウエハ１３とは互いに圧力が作用した状態で接触して
いるために、スラリー１５は研磨部分に十分に流入せ
ず、研磨状態が不安定になりがちだった。これを防止す
るためにポリシングパッド１２の表面をダイヤモンド工
具等でドレッシングし、比較的大きな凹凸を形成してス
ラリー溜りを形成していた。このために弾性体であるポ
リシングパッド１２の表面には、スラリー溜りの凹凸と
ドレッシング工具の引掻きにより形成された毛羽立ちが
生じていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１に示すようなＣＭ
Ｐ加工法によって研磨されるシリコンウエハ１３は図２
に示すように、その表面層において配線パターン等の規
則的な凹凸２１と、その上面に被覆された絶縁膜として
の薄膜層２２とを有し、薄膜層２２の表面が配線パター
ン２１の凹凸の影響によって表面凹凸２３を生ずる。Ｃ
ＭＰ加工法による平坦化工程においては、その薄膜層２
２の表面凹凸２３の凸部のみを選択的に研磨することに
よって平坦化が達成される。
【０００６】このためにポリシングパッド１２の弾性率
を高めるなどして、シリコンウエハ１３の凸部のみに接
触させて研磨をしようとする試みがなされていたが、実
際には図３に示すように、ポリシングパッド１２の表面
は圧力下で変形する弾性体から構成されておりしかもこ
のポリシングパッド１２の表面が毛羽立ちを生じた形状
になっているために、ポリシングパッド１２の表面は必
ずしも薄膜層２２の凸部２３ばかりでなく凹部にも接触
する。すなわち凸部２３のみを選択的に研磨することが
できない。
【０００７】このために図４において除去部分２４で示
すように、凸部２３の部分のみを大きく除去することに
よって、凸部２３を選択的に除去するという理想的な平
坦化プロセスの実現が困難であった。すなわち現実的に
は図５に示すように除去部分２４は凹凸２３に関係なく
ほぼ一定の厚みになり、研磨が進行してもシリコンウエ
ハ１３の表面に形成された薄膜層２２の凹凸２３はほぼ
一様に研磨が進み、平坦化はなかなか進行しないという
問題があった。
【０００８】このような現象は非球面レンズの加工にお
いても見られている。すなわち通常高精度研削加工によ
って求める非球面形状を創成し、その後に表面ダメージ
層を除去すると同時に、光学素子としての表面粗さを確
保する研磨工程が実行されている。
【０００９】しかるにその研磨工程では、事前測定によ
り研磨位置とそこでの除去量を計算したとしても、研磨
加工による除去形状はある面積をもつために、周辺も同
時に加工してしまうことになり、この結果意図した部分
以外の領域をも加工してしまうことになり、研磨加工が
研削工程で達成されていた精度をかえって悪化させる結
果になっていた。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決すること
を目的としてなされたものであって、凹凸を有する被加
工面を研磨する際にとくにその凸部の研磨除去量を相対
的に増大させるようにし、これによって加工目標とする
平面または曲面を得るようにした研磨方法および研磨装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】研磨方法に関する主要な
発明は、加工目標とする平面または曲面に対して凹凸を
有する被加工面を粒子を含むスラリーを用いて研磨する
研磨方法において、選択的に大きな研磨除去量を得たい
位置にレーザ光を照射することにより該位置の研磨除去
量を相対的に増大させることを特徴とする研磨方法に関
するものである。
【００１２】ここで被加工面上の凹凸の形状に応じてレ
ーザ光束の移動経路を決定して走査することにより、被
加工面上のレーザ光照射部分の研磨除去量を相対的に増
大させるようにしてよい。また被加工面上の凹凸の形状
に応じた遮光マスクをレーザ光路中に配置し、該遮光マ
スクを通して露光した露光部分である被加工面上のレー
ザ光の照射部分の研磨除去量を相対的に増大させるよう
にしてよい。
【００１３】また被加工面上のレーザ光の照射部分に光
放射圧によるレーザトラッピング現象によりスラリー中
の粒子を捕捉集合させ、レーザ光照射部分の近傍のスラ
リー中の粒子の集中度を局部的に上昇させ、被加工面上
の研磨除去量を増大させるようにしてよい。また被加工
面上のレーザ光の照射部分にレーザ光のエネルギにより
被加工面とスラリー液との化学反応により化学反応層を
形成し、該化学反応層をスラリー中の粒子により研磨除
去し、被加工面上の研磨除去量を増大させるようにして
よい。また被加工面上のレーザ光の照射部分に光放射圧
によるレーザトラッピング現象によりスラリー中の粒子
を捕捉集合させ、レーザ光照射部分の近傍のスラリー中
の粒子の集中度を局部的に上昇させ、かつ被加工面上の
レーザ光の照射部分にレーザ光のエネルギにより被加工
面とスラリー液との化学反応により化学反応層を形成
し、該化学反応層をスラリー中の粒子により研磨除去
し、被加工面上の研磨除去量を増大させるようにしてよ
い。
【００１４】また研磨加工前または研磨加工中に被加工
面上の研磨すべき部分の表面形状を測定して記憶し、そ
の測定データからレーザ光照射位置、レーザ光照射条
件、および研磨条件を算出し、その算出結果に従ってレ
ーザ光の照射および研磨加工を行なうようにしてよい。
【００１５】研磨装置に関する主要な発明は、加工目標
とする平面または曲面に対して凹凸を有する被加工面を
粒子を含むスラリーを用いて研磨する研磨装置におい
て、レーザ光を投影照射するレーザ光学系と、軸線方向
の押圧と回転運動とを行なう研磨工具系と、を有し、前
記レーザ光学系および前記研磨工具系が被加工面との間
で相対的な運動を行なうことにより、被加工面上の同一
位置でレーザ光の照射および研磨を同時にまたは逐次行
なうことを特徴とする研磨装置に関するものである。
【００１６】ここで研磨加工前または研磨加工中に被加
工面上の研磨予定部分の表面形状を形状測定手段によっ
て測定し、測定された形状を記憶手段によって記憶し、
記憶された測定データからレーザ光の照射位置、照射条
件、および研磨条件を算出し、該算出結果に基いて前記
レーザ光学系がレーザ照射を行ない、あるいは前記研磨
工具系が研磨を行なうようにしてよい。またレーザ光学
系の光路中に遮光マスクが配置され、該遮光マスクによ
って被加工面上の凹凸の形状に応じて選択的なレーザ光
の照射が行なわれるようにしてよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本実施の形態は、例えば図２に示
すように、配線層２１および絶縁層２２がその上に形成
されたシリコンウエハ１３を図１に示すようなＣＭＰ加
工法によって研磨する際に、図５に示すように凹凸２３
がある部分もない部分もほぼ均一な除去量２４を得る加
工法ではなく、図４に示すように、凸部２３がある部分
の研磨量を相対的に増大させ、これによって表面が加工
目標とする平坦な面にするものである。
【００１８】図２に示すシリコンウエハ１３の層間絶縁
被膜２２は、層間絶縁被膜下面の配線層２１の凹凸の影
響によって、例えば４００〜５００ｎｍ程度の段差によ
る微小な凹凸を有し、その間隔は数１００ｎｍ〜数１０
０μｍである。このときの層間絶縁被膜２２の平坦化を
進めるためには、図４に示すような理想的な形態に研磨
すればよい。理想的な形態とは、表面の凹凸の内の凸部
のみを相対的にかつ選択的に研磨すればよい。ところが
上述の如く、従来の方法によっては図３に示すように、
凸部２３のみに選択的に接触させて研磨することはでき
ず、このために凸部のみを選択的に研磨することが極め
て困難であって、図５に示すような研磨しか行なえなか
った。
【００１９】この実施の形態は、層間絶縁被膜２２の表
面の凹凸の内の凸部２３のみを選択的に研磨する方法と
して、被加工物の表面の相対的な大きな除去量を得たい
領域にレーザ光を照射し、その照射部分を研磨用微小粒
子を含むスラリー１５を用いて研磨し、レーザ光照射部
分の研磨除去量の増大を図るようにしたものである。
【００２０】図６はこのような研磨方法を実現するため
の装置の概要を示している。この装置はフレーム２９と
ステー３０とを備えるとともに、その下部がベース３１
から構成されている。そしてベース３１上にはＸ−Ｙテ
ーブルから成る移動台３２が配されている。移動台３２
上には吸着固定装置３３が備えられ、この吸着固定装置
３３によってシリコンウエハ１３を吸着保持するように
している。
【００２１】上記吸着固定装置３３の斜め上方位置には
膜厚測定装置３５が配されている。またこの装置はＹＡ
Ｇレーザ３７を備えるとともに、光ファイバ３８によっ
てＹＡＧレーザ３７がレーザ光投影光学系３９に接続さ
れている。またこの光学系３９の側部には研磨工具４０
が配されるとともに、研磨工具４０は空気圧シリンダ４
１に連結されて取付けられている。また空気圧シリンダ
４１の出力側には電動モータ４２が配されている。また
研磨工具４０の側部にはスラリー供給装置１６が取付け
られており、この装置によってスラリー１５が供給され
るようになっている。
【００２２】上記膜厚測定装置３５は膜厚測定データ処
理回路４４に接続されている。また膜厚測定データ処理
回路４４は演算制御ユニット４５に接続されている。さ
らに上記演算制御ユニット４５がＸ−Ｙテーブル制御回
路４６と接続されており、この制御回路４６によってＸ
−Ｙテーブルから成る移動台３２の駆動制御を行なうよ
うにしている。
【００２３】次にこのような装置による研磨の動作につ
いて説明する。被加工物であるシリコンウエハ１３は水
平平面内のＸ−Ｙ方向に移動可能なＸ−Ｙテーブルから
成る移動台３２上に吸着固定装置３３を介して真空吸着
されて取付けられる。
【００２４】この後Ｘ−Ｙテーブル制御回路４６の指令
に基いて移動台３２が図中左方、すなわち膜厚測定装置
３５の下方に移動し、被加工物１３の上方に設置された
多重干渉計から成る膜厚測定装置３５によって被加工物
１３の表面の膜厚が測定される。そしてこのような膜厚
のデータは、移動台３２のＸ−Ｙ平面上における座標値
とともに膜厚測定データ処理回路４４に送られ、この処
理回路４４で処理された後演算制御ユニット４５に送ら
れてここで記憶される。このような膜厚の測定を、被加
工物１３の表面の全体にわたって微小間隔で行なうこと
により、被加工物１３の表面の凹凸形状を測定すること
になる。
【００２５】次にスラリー供給装置１６によって被加工
物１３の表面に研磨用微小粒子および研磨用薬液を含む
スラリー１５を供給する。この後に制御回路４６の指示
に基いて移動台３２がレーザ光投影光学系３９の下方に
移動される。そしてＹＡＧレーザ３７から射出されたレ
ーザ光束は光ファイバ３８を通過し、被加工物１３の上
方に設置された投影光学系３９を経由して被加工物１３
の表面に照射される。
【００２６】このときに予め測定された被加工物１３の
表面形状に応じて、レーザ光は図２に示すシリコンウエ
ハ１３の配線２１の上部の表面の凸部２３のみに照射さ
れる。この光は単一光束として照射され、移動台３２の
移動によって被加工物１３の表面の走査を行なうように
して照射が行なわれる。なお投影光学系に走査光学系を
組込むようにしてもよい。
【００２７】この後に移動台３２がＸ−Ｙテーブル制御
回路４６の出力信号に基いて、研磨工具４０の下方に移
動し、研磨工具４０が空気圧シリンダ４１および電動モ
ータ４２の作用によって同時に圧力と回転運動とを作用
させながら移動台３２の送り運動により研磨を進めるこ
とになる。
【００２８】このときに図７に示すように被加工物１３
の表面に対してレーザ光の照射を行なうことによって、
被加工物１３の表面においてレーザトラッピング現象に
よりスラリー１５中の微粒子５１が凸部２３の上部に凝
集して堆積する。
【００２９】微粒子５１を含むスラリー１５にレーザ光
を照射すると、その光放射圧によって微粒子５１がレー
ザ光束に捕捉される現象はレーザトラッピングとして知
られている。このときスラリー１５が供給されたシリコ
ンウエハ１３の表面をレーザ光束により走査すると、図
７に示すように走査軌跡上に微粒子５１が集積して固化
する現象が見られる。この現象がレーザトラッピング現
象である。このような微粒子５１の集積痕をシリコンウ
エハ１３の凸部２３上に形成した後に研磨を行なうこと
により、微粒子５１の集積痕跡周辺のみが局部的に研磨
され、微細パターン２１と対応する表面凸部２３のみが
除去加工される。
【００３０】同時に薄膜層２２とスラリー中の薬液との
化学反応によって、被加工物１３の表面に比較的軟質の
化学反応層５２が図７に示すように形成され、とくにレ
ーザ光照射部分においては活発な化学反応によって急速
な化学反応層５２が形成される。
【００３１】すなわちスラリー１５が供給されたシリコ
ンウエハ１３にレーザ光束を照射すると、その照射部分
の温度上昇等によって表面に化学反応層が活発に形成さ
れる。この化学反応層５２は水和層と考えられる。そし
てレーザ光の照射によって活発な水和層の形成を行なっ
た後に、この水和層を除去するスラリー１５による研磨
加工によってとくに表面の凸部２３の除去速度が増大さ
れる。
【００３２】なおここで研磨に用いられるスラリー１５
の組成としては、次のような組合わせのものが利用可能
である。
【００３３】 砥粒（微粒子） 分散液 ＳｉＯ2 ＫＯＨ ＣｅＯ2 Ｈ2Ｏ ＳｉＯ2 ＮＨ4 ＯＨ Ａｌ2 Ｏ3 ＫＯＨ レーザ光投影光学系３９はレーザ光束を容易に凹凸パタ
ーン２１の幅寸法程度に絞込むことが可能であるため
に、微小幅の凸部２１に関しても選択的研磨が可能にな
る。このような過程を辿ることによって、微細な凹凸形
状を有するシリコンウエハ１３上の層間絶縁膜２２等に
おいて、高精度の平坦化加工が可能になり、図４におい
て２４で示す選択的な除去量をもった薄膜層２２の除去
が可能になり、これによって極めて高い平坦度をもった
理想的な研磨加工が行なわれるようになる。
【００３４】なお本加工法はシリコンウエハ１３上の層
間絶縁被膜２２ばかりでなく、シリコンウエハ１３上に
形成される金属膜、例えばデュアルダマシン工程におけ
る銅等の金属膜においても同様の作用によって高精度の
平坦化を実現することができる。また非球面レンズの研
磨のように、被加工物の特定位置を小型研磨工具で研磨
する場合においても、同様に適用可能であって、加工面
内における位置分解能が向上することによって、高精度
加工が実現されるようになる。
【００３５】本実施の形態のとくに図６に示す装置およ
びこの装置によって行なわれる研磨加工方法によれば、
シリコンウエハ１３等の被加工物の特定位置を小型工具
１５により研磨する場合に、高精度の位置分解能で研磨
加工が行なわれる。また半導体プロセスでの微小な凹凸
面に対するＣＭＰ平坦化加工において、凸部２３の選択
的な研磨が可能になる。このために図４に示すような理
想的な高度の平坦度が得られる。
【００３６】このような研磨装置および研磨方法は上述
の如く、ＳｉＯ2 系材料を主材料としたシリコンウエハ
１３上の層間絶縁被膜の平坦化を可能にするものであ
る。さらにＣｕ等の金属膜の平坦化をも可能にする。ま
た非球面レンズ等の表面研磨に用いると、高精度の研磨
が可能になる。
【００３７】上記実施の形態においてはレーザ光学系３
９がレーザ光を絞ってシリコンウエハ１３の薄膜層２２
上の凸部２３に選択的にレーザ光を照射している。この
場合にはＸ−Ｙテーブル３２を用いて走査しながらレー
ザ光の照射が行なわれる。このような構成に代えて、走
査を行なうことなくしかもレーザ光の照射を行なうため
に遮光マスク５８を用いてよい。
【００３８】図８はこのような装置を示しており、エキ
スパンダレンズ５６、集束レンズ５７、遮光マスク５
８、集束レンズ５９、、および凹レンズ６０をレーザ光
学系中に配する。
【００３９】エキスパンダレンズ５６によってレーザ光
を拡散させ、集束レンズ５７によって拡散されたレーザ
光を平行光に変換し、平行光になったレーザ光を遮光マ
スク５８中を透過させ、この後に集束レンズ５９で絞
り、凹レンズ６０で平行光にしてシリコンウエハ１３の
表面に投射する。このようなレーザ光の投射によれば、
遮光マスク５８のパターン形状に応じてシリコンウエハ
１３の表面にレーザ光の照射が行なわれる。従ってＸ−
Ｙテーブル３２とレーザ光投影光学系３９とを用いた走
査によるレーザ照射を行なうことなくしかもシリコンウ
エハ１３の表面の薄膜層２２のとくに表面凸部２３のみ
に選択的にレーザ光を照射することが可能になる。
【００４０】
【発明の効果】加工方法に関する主要な発明は、加工目
標とする平面または曲面に対して凹凸を有する被加工面
を粒子を含むスラリーを用いて研磨する研磨方法におい
て、選択的に大きな研磨除去量を得たい位置にレーザ光
を照射することにより該位置の研磨除去量を相対的に増
大させるようにしたものである。
【００４１】従ってレーザ光が照射される部分がとくに
他の部分に比べて相対的な大きな研磨量で研磨が行なわ
れることになり、選択的に研磨量を調整できるととも
に、表面の凹凸の内の凸部の領域にレーザ光を予め照射
しておくことによって凸部の選択的な研磨が可能にな
る。
【００４２】研磨装置に関する主要な発明は、加工目標
とする平面または曲面に対して凹凸を有する被加工面を
粒子を含むスラリーを用いて研磨する研磨装置におい
て、レーザ光を投影照射するレーザ光学系と、軸線方向
の押圧と回転運動とを行なう研磨工具系と、を有し、レ
ーザ光学系および研磨工具系が被加工面との間で相対的
な運動を行なうことにより、被加工面上の同一位置でレ
ーザ光の照射および研磨を同時にまたは逐次行なうよう
にしたものである。
【００４３】従ってこのような研磨装置によれば、被加
工面の所定の位置にレーザ光を照射するとともに研磨を
同時にまたは逐次的に行なうことが可能になり、これに
よって被加工面上の所定の領域の選択的な研磨を行なう
ことが可能な研磨装置を提供できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＭＰ加工方法を示す正面図である。
【図２】表面に配線パターンと絶縁薄膜層とが形成され
たシリコンウエハの要部拡大断面図である。
【図３】シリコンウエハの薄膜層の研磨を示す要部拡大
断面図である。
【図４】理想的な薄膜層の研磨を示すシリコンウエハの
要部拡大断面図である。
【図５】従来の薄膜層の研磨を示すシリコンウエハの要
部拡大断面図である。
【図６】研磨装置の正面図である。
【図７】シリコンウエハ上の薄膜層にレーザ光を照射し
ている状態を示す拡大断面図である。
【図８】遮光マスクを用いたレーザ光学系の要部断面図
である。
【符号の説明】
１１‥‥ポリシングプレート、１２‥‥ポリシングパッ
ド、１３‥‥シリコンウエハ、１４‥‥研磨ヘッド、１
５‥‥スラリー、１６‥‥スラリー供給装置、２１‥‥
凹凸（配線パターン）、２２‥‥薄膜層（絶縁膜）、２
３‥‥表面凹凸、２４‥‥除去部分（研磨部分）、２９
‥‥フレーム、３０‥‥ステー、３１‥‥ベース、３２
‥‥移動台（Ｘ−Ｙテーブル）、３３‥‥吸着固定装
置、３５‥‥膜厚測定装置、３７‥‥ＹＡＧレーザ、３
８‥‥光ファイバ、３９‥‥レーザ光投影光学系、４０
‥‥研磨工具、４１‥‥空気圧シリンダ、４２‥‥電動
モータ、４４‥‥膜厚測定データ処理回路、４５‥‥演
算制御ユニット、４６‥‥Ｘ−Ｙテーブル制御回路、５
１‥‥微粒子、５２‥‥化学反応層、５６‥‥エキスパ
ンダレンズ、５７‥‥集束レンズ、５８‥‥遮光マス
ク、５９‥‥集束レンズ、６０‥‥凹レンズ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】加工目標とする平面または曲面に対して凹
    凸を有する被加工面を粒子を含むスラリーを用いて研磨
    する研磨方法において、 選択的に大きな研磨除去量を得たい位置にレーザ光を照
    射することにより該位置の研磨除去量を相対的に増大さ
    せることを特徴とする研磨方法。
  2. 【請求項２】被加工面上の凹凸の形状に応じてレーザ光
    束の移動経路を決定して走査することにより、被加工面
    上のレーザ光照射部分の研磨除去量を相対的に増大させ
    ることを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
  3. 【請求項３】被加工面上の凹凸の形状に応じた遮光マス
    クをレーザ光路中に配置し、該遮光マスクを通して露光
    した露光部分である被加工面上のレーザ光の照射部分の
    研磨除去量を相対的に増大させることを特徴とする請求
    項１に記載の研磨方法。
  4. 【請求項４】被加工面上のレーザ光の照射部分に光放射
    圧によるレーザトラッピング現象によりスラリー中の粒
    子を捕捉集合させ、レーザ光照射部分の近傍のスラリー
    中の粒子の集中度を局部的に上昇させ、被加工面上の研
    磨除去量を増大させることを特徴とする請求項１〜請求
    項３の何れかに記載の研磨方法。
  5. 【請求項５】被加工面上のレーザ光の照射部分にレーザ
    光のエネルギにより被加工面とスラリー液との化学反応
    により化学反応層を形成し、該化学反応層をスラリー中
    の粒子により研磨除去し、被加工面上の研磨除去量を増
    大させることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか
    に記載の研磨方法。
  6. 【請求項６】被加工面上のレーザ光の照射部分に光放射
    圧によるレーザトラッピング現象によりスラリー中の粒
    子を捕捉集合させ、レーザ光照射部分の近傍のスラリー
    中の粒子の集中度を局部的に上昇させ、かつ被加工面上
    のレーザ光の照射部分にレーザ光のエネルギにより被加
    工面とスラリー液との化学反応により化学反応層を形成
    し、該化学反応層をスラリー中の粒子により研磨除去
    し、被加工面上の研磨除去量を増大させることを特徴と
    する請求項１〜請求項３の何れかに記載の研磨方法。
  7. 【請求項７】研磨加工前または研磨加工中に被加工面上
    の研磨すべき部分の表面形状を測定して記憶し、その測
    定データからレーザ光照射位置、レーザ光照射条件、お
    よび研磨条件を算出し、その算出結果に従ってレーザ光
    の照射および研磨加工を行なうことを特徴とする請求項
    １〜６の何れかに記載の研磨方法。
  8. 【請求項８】加工目標とする平面または曲面に対して凹
    凸を有する被加工面を粒子を含むスラリーを用いて研磨
    する研磨装置において、 レーザ光を投影照射するレーザ光学系と、 軸線方向の押圧と回転運動とを行なう研磨工具系と、 を有し、前記レーザ光学系および前記研磨工具系が被加
    工面との間で相対的な運動を行なうことにより、被加工
    面上の同一位置でレーザ光の照射および研磨を同時にま
    たは逐次行なうことを特徴とする研磨装置。
  9. 【請求項９】研磨加工前または研磨加工中に被加工面上
    の研磨予定部分の表面形状を形状測定手段によって測定
    し、測定された形状を記憶手段によって記憶し、記憶さ
    れた測定データからレーザ光の照射位置、照射条件、お
    よび研磨条件を算出し、該算出結果に基いて前記レーザ
    光学系がレーザ照射を行ない、あるいは前記研磨工具系
    が研磨を行なうことを特徴とする請求項８に記載の研磨
    装置。
  10. 【請求項１０】レーザ光学系の光路中に遮光マスクが配
    置され、該遮光マスクによって被加工面上の凹凸の形状
    に応じて選択的なレーザ光の照射が行なわれることを特
    徴とする請求項８に記載の研磨装置。
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