JP4608613B2 - レーザー照射微細加工方法 - Google Patents
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Description
Simeon M. Metev, Vadim P. Veiko: Laser-Assisted Microtechnology, Springer, 1998
Claims (6)
- 少なくとも銅エッチング剤及び酸化剤を含む化学溶液中に銅材料を置き、この銅材料表面を化学溶液中の酸化剤により酸化させることにより形成した酸化物薄膜を不動態膜として銅材料表面の上を覆い、
そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、
不動態膜が除去された部分のみ化学溶液中の銅エッチング剤によるエッチング作用で材料除去を行う、
ことから成るレーザー照射微細加工方法。 - 半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工する微細加工方法において、
前記半導体ウェーハを少なくとも銅エッチング剤及び酸化剤を含む加工液中に浸けて、銅膜表面を化学溶液中の酸化剤により酸化させることにより形成した酸化物薄膜を不動態膜として銅膜表面の上を覆い、
銅を除去すべき箇所に、集束レーザー光を選択的に照射して、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、
不動態膜が除去された部分のみ化学溶液中の銅エッチング剤によるエッチング作用で銅膜を選択的に除去加工することから成るレーザー照射微細加工方法。 - 前記加工液は、化学的機械的研磨プロセス(CMP)のために使用されるスラリーである請求項1又は2に記載のレーザー照射微細加工方法。
- 除去加工レートが、レーザー照射条件の変更により制御される請求項1又は2に記載のレーザー照射微細加工方法。
- 前記集束レーザー光を選択的に照射して選択的に除去加工する前に、一定フルエンスモードのレーザービームを使用して高レートでの除去加工を行う請求項1又は2に記載のレーザー照射微細加工方法。
- 前記集束レーザー光の照射は、レーザー波長が150〜700nmの波長範囲にあるレーザーから放射され、一対のコンピュータ制御のガルバノミラーによって偏向された後、対物レンズにより除去箇所表面に集光してスキャンされる請求項1又は2に記載のレーザー照射微細加工方法。
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Citations (3)
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JPH06204204A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-07-22 | Texas Instr Inc <Ti> | 異方性液相光化学エッチング方法 |
JP2002100597A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
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Patent Citations (3)
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