JP2002097599A - 基板メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板などにメッキ液が残留しないよう洗浄除
去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が
防止できる基板メッキ装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部
をマスク部材としての当接部１７ａでマスクしてスピン
ベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓをメッキ処理
する基板メッキ装置において、メッキ処理された基板Ｗ
を、スピンベース３に支持された状態のまま洗浄カップ
３９に移送するように、このスピンベース３を移動させ
る反転，昇降駆動機構部１３，１５を備え、洗浄カップ
３９は、スピンベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗ
ｓと当接部１７ａとに洗浄液を供給し、基板Ｗの周辺部
が当接部１７ａでマスクされたままで処理面Ｗｓと当接
部１７ａとを洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板など（以下、単に基板と称す
る）に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、
特に、基板の処理面にメッキ液を供給した状態で給電し
て電解メッキ処理を施し、このメッキ処理後の基板など
を洗浄する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のメッキ処理としては、例えば、基
板の表面（処理面）に銅配線を施すためのメッキ処理が
ある。このように、基板に銅配線を施すためのメッキ処
理では、基板の裏面全体や、基板の処理面の周辺部にあ
たる所定範囲（例えば、数ミリの範囲）には、メッキに
よる成膜がされたり、メッキ液による汚染が生じたりす
ると、不都合となる部分が存在している。

【０００３】このためメッキ処理を施す際には、処理面
の周辺部分をメッキ液から遮断するためのリング状のマ
スク部材を基板に取り付け、このマスク部材とともに基
板の処理面をメッキ液中に接触させたり、処理面に対し
てメッキ液を供給するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例に係るメッキ処理の場合には、次のような問
題がある。すなわち、メッキ処理を終えるためにメッキ
液の供給を停止したり、基板をメッキ液中から引き上げ
ても、マスク部材と基板の処理面とが近接している角部
分にはメッキ液が残留したままとなっている。この残留
メッキ液は、たとえ基板とマスク部材とを高速回転（例
えば、２０００ｒｐｍ）させたとしても、角部分が回転
中心位置よりも外周側に位置し、なおかつ、基板の処理
面より突出している関係上、完全に除去することはでき
ない。そして、このような残留メッキ液がある基板のマ
スク部材を外すと、残留メッキ液が基板の周辺部にも拡
がってしまい、周辺部を汚染してしまうという問題があ
る。

【０００５】また、残留メッキ液は、基板の周辺部を汚
染するだけでなくマスク部材のカソード電極（陰極）に
も拡がって付着するので、メッキ処理を施すために次な
る基板が搬送されてくると、その基板の周辺部に残留メ
ッキ液が転写されて汚染されるという二次汚染が生じる
という問題もある。

【０００６】さらに、洗浄処理のために、残留メッキ液
で周辺部が汚染された基板を洗浄装置に搬送すると、搬
送系などを汚染してしまうという問題がある。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板やマスク部材にメッキ液が残留し
ないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマ
スク部材の汚染が防止できる基板メッキ装置を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面
の周辺部をマスク部材でマスクしてこの基板を支持する
基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板の処理
面にメッキ液を接触させてこの処理面をメッキ処理する
メッキ処理部とを有する基板メッキ装置において、前記
メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板支持
部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、
前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に移動させる
移動手段を備え、前記洗浄手段は、前記基板支持部に支
持された基板の処理面とマスク部材とに洗浄液を供給し
て、基板の周辺部を前記マスク部材でマスクした状態の
ままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄することを特
徴とするものである。

【０００９】また、請求項２に記載の基板メッキ装置
は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記洗
浄手段は、前記メッキ処理部の上方あるいは下方の位置
に設けられ、前記移動手段は、前記メッキ処理部でメッ
キ処理された基板を、前記基板支持部に支持された状態
のまま前記洗浄手段に移送するように、前記基板支持部
と前記洗浄手段とを相対的に上下方向に移動させること
を特徴とするものである。

【００１０】また、請求項３に記載の基板メッキ装置
は、請求項１または請求項２に記載の基板メッキ装置に
おいて、前記移動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の
少なくとも一方において、前記基板支持部に支持された
基板をこの基板の処理面の鉛直軸周りに回転させるよう
にこの基板支持部を回転させる基板回転機構部を備えて
いることを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項４に記載の基板メッキ装置
は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板メッ
キ装置において、前記洗浄手段は、洗浄処理後に、基板
の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度に余剰液の振り切
りを行うことを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項５に記載の基板メッキ装置
は、請求項２から請求項４のいずれかに記載の基板メッ
キ装置において、前記移動手段は、前記基板支持部に支
持された基板の処理面を上方と下方とに切り換えて向け
れるように前記基板支持部を反転させる反転機構部と、
基板の処理面側を前記メッキ処理部と前記洗浄手段とに
切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移
動機構部とを備えていることを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項６に記載の基板メッキ装置
は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板メッ
キ装置において、前記洗浄手段は、洗浄液として純水
を、前記基板支持部に支持された基板の処理面とマスク
部材とに供給することを特徴とするものである。

【００１４】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板支持部は、基板の処理面の周辺部をマスク部材
でマスクしてこの基板を支持する。メッキ処理部は、基
板支持部に支持された基板の処理面にメッキ液を接触さ
せて基板の処理面をメッキ処理する。移動手段は、メッ
キ処理部でメッキ処理された基板を、基板支持部に支持
された状態のまま洗浄手段に移送するように、基板支持
部と洗浄手段とを相対的に移動させる。洗浄手段は、基
板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗
浄液を供給して、基板の周辺部をマスク部材でマスクし
た状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄す
る。したがって、基板やマスク部材にメッキ液が残留し
ないように洗浄除去され、残留メッキ液による基板やマ
スク部材の汚染が防止される。

【００１５】また、請求項２に記載の発明によれば、洗
浄手段は、メッキ処理部の上方あるいは下方の位置に設
けられている。移動手段は、メッキ処理部でメッキ処理
された基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄
手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対
的に上下方向に移動させる。したがって、基板洗浄を行
う洗浄手段の設置スペース、特に、平面視したときの設
置スペースが縮小される。

【００１６】また、請求項３に記載の発明によれば、移
動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方
において、基板支持部に支持された基板をこの基板の処
理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を
回転させる基板回転機構部を備えている。したがって、
メッキ処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周り
に回転させることで、メッキ処理の均一性が高められ、
洗浄処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに
回転させると清浄度が高められる。

【００１７】また、請求項４に記載の発明によれば、洗
浄手段は、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液
膜を残す程度に余剰液の振り切りを行う。したがって、
基板の処理面上には、液膜を残す程度に洗浄液を残存さ
せており、基板の処理面が大気に直接に曝露されないよ
うにしており、基板の処理面が大気に直接に曝されて乾
燥することに起因する基板の処理面の変質が防止され
る。

【００１８】また、請求項５に記載の発明によれば、移
動手段は、基板支持部に支持された基板の処理面を上方
と下方とに切り換えて向けれるようにこの基板支持部を
反転させる反転機構部と、基板の処理面側をメッキ処理
部と洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に
移動させる上下移動機構部とを備えている。したがっ
て、基板支持部に支持された基板の処理面が、上下に配
置されたメッキ処理部と洗浄手段とに適切に切り換えて
装着される。

【００１９】また、請求項６に記載の発明によれば、洗
浄手段は、洗浄液として純水を、基板支持部に支持され
た基板の処理面とマスク部材とに供給する。したがっ
て、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように純
水によって洗浄除去され、残留メッキ液による基板やマ
スク部材の汚染が防止される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。本実施例に係る基板メッキ装置の概
略構成を、図１を参照しながら説明する。図１は、本実
施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す図である。
本実施例に係る基板メッキ装置は、メッキ処理部２９で
基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ処理を施し、メッキ処理部
２９とは分離されて近接配置された洗浄カップ３９でこ
のメッキ処理後の基板Ｗなどを洗浄液（例えば、純水）
によって洗浄するものである。

【００２１】メッキ処理を受ける被対象物としての基板
Ｗは、メッキ処理を施すための処理面Ｗｓを上向きにし
た状態でメカチャック１に水平姿勢で支持される。メカ
チャック１は、基板Ｗの下面周辺部と端縁の複数箇所に
当接して基板Ｗを支持する。このメカチャック１は、ス
ピンベース３に配設されている支柱５（例えば、３本）
の内側面に取り付けられている。図２に示すように、基
板Ｗは、基板搬送機構（図示省略）によって、隣接する
支柱５の間からスピンベース３の内側に水平姿勢で搬送
される。図２は、基板の搬入時の状態を示す斜視図であ
る。なお、図２では、図示の都合上、メカチャック１と
後述するサセプタ２３とを省略してある。

【００２２】スピンベース３は、下部の回転軸７が中空
に形成されており、この回転軸７の外周側に配備された
回転駆動機構部９によって、図１に矢印ａで示すように
鉛直軸周りに回転可能に構成されている。また、このス
ピンベース３は、矢印ａで示す鉛直軸周りに回転自在な
状態で反転ベース１１に支持されており、この反転ベー
ス１１を反転駆動機構部１３によって、図１に矢印ｂで
示すように水平軸周りに回転させることで、基板Ｗの処
理面Ｗｓが上方あるいは下方に向くように反転可能に構
成されている。さらに、このスピンベース３は、反転ベ
ース１１を昇降駆動機構部１５によって、図１に矢印ｃ
で示す昇降方向に昇降させることで、昇降可能に構成さ
れている。

【００２３】なお、上述した回転駆動機構部９と反転駆
動機構部１３と昇降駆動機構部１５とが本発明の移動手
段に相当し、これらの具体的な構成については後述す
る。

【００２４】続いて、スピンベース３の３本の支柱５の
上部には、平面視環状のカソードリング１７が配設され
ている。このカソードリング１７の要部構成について、
図３を用いて説明する。図３は、カソードリングの要部
構成を示す概略断面図である。図３に示すように、この
カソードリング１７は、その内周側に、基板Ｗの処理面
Ｗｓの周辺にあたる周辺部に当接する当接部１７ａを備
えている。この当接部１７ａは、基板Ｗの処理面Ｗｓの
周辺部にメッキ液が浸入することを防止するとともに、
スピンベース３の回転軸７を介して供給された負電圧を
基板Ｗの処理面Ｗｓに対して印加する。具体的には、こ
の当接部１７ａには、シール部材１９を設けることで、
基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部へのメッキ液の浸入を防止
しており、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部に接触するよう
にカソード電極（陰極）２１を設けることで、負電圧を
基板Ｗの処理面Ｗｓに対して印加している。

【００２５】なお、上述したカソードリング１７の当接
部１７ａが本発明のマスク部材に相当する。

【００２６】図１に戻って、スピンベース３の内部に
は、回転軸７に沿って昇降可能に構成されたサセプタ２
３が配備されている。このサセプタ２３の下部側には、
伝達部材２５が取り付けられ、この伝達部材２５と反転
ベース１１との間にはエアシリンダ２７が配設されてい
る。このようにすることで、エアシリンダ２７のピスト
ンによる直線方向ｄの運動（伸縮運動）がサセプタ２３
に伝達され、このサセプタ２３がメカチャック１とカソ
ードリング１７との間で昇降するようになっている。

【００２７】また、このサセプタ２３の上部側には、メ
カチャック１とカソードリング１７との間で基板Ｗを昇
降させる際に基板Ｗを載置する載置部２３ａが形成され
ている。ここでは、この載置部２３ａとしては、基板Ｗ
の裏面を面支持するものを採用しているが、基板Ｗの裏
面の所定の複数箇所をピン支持するものなど、種々のタ
イプのものを採用しても良い。この載置部２３ａは、メ
カチャック１の下方に待機しており、所要時にはその位
置とカソードリング１７との間で昇降移動する。例え
ば、サセプタ２３の載置部２３ａに基板Ｗが載置される
と、サセプタ２３は、カソードリング１７の当接部１７
ａに基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部を当接させるように上
昇する。この状態では、基板Ｗは、カソードリング１７
の当接部１７ａとサセプタ２３の載置部２３ａとによっ
て挟持されている状態となっている。なお、回転駆動機
構部９によって、スピンベース３が図１に矢印ａで示す
鉛直軸周りに回転するときには、サセプタ２３も一緒に
同一方向に回転することになるが、サセプタ２３の回転
運動は伝達部材２５には伝達されないので、伝達部材２
５が図１に矢印ａで示すように鉛直軸周りに回転するこ
とはない。

【００２８】なお、上述したカソードリング１７とサセ
プタ２３が本発明の基板支持部に相当する。

【００２９】続いて、スピンベース３の下方位置には、
基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ処理を施すためのメッキ処
理部２９が備えられている。このメッキ処理部２９に
は、メッキ液供給源（図示省略）からメッキ液が供給さ
れ、そのメッキ液を上部開口部３１ａから溢れ出させる
方式のメッキ液供給カップ３１が備えられている。この
メッキ液供給カップ３１は、基板Ｗの処理面Ｗｓにメッ
キ液を接触させるように、スピンベース３に支持された
基板Ｗの処理面Ｗｓが上部開口部３１ａに近接されて、
なおかつ、スピンベース３を図１に矢印ａで示す鉛直軸
周りに回転させることで基板Ｗを回転させて、この基板
Ｗの処理面Ｗｓをメッキする。そして、このメッキ液供
給カップ３１の周囲には、メッキ液供給カップ３１の上
部開口部３１ａから溢れ出たメッキ液を回収するための
メッキ液回収カップ３３が備えられている。また、この
メッキ液回収カップ３３の周囲には、メッキ処理時に生
じるミストを好適に回収するためのミスト回収カップ３
５が備えられている。このように、メッキ処理部２９
は、メッキ液供給カップ３１、メッキ液回収カップ３
３、ミスト回収カップ３５が中心からその順に配設され
た三重筒構造となっている。メッキ液供給カップ３１の
上部開口部３１ａに基板Ｗの処理面Ｗｓを近接させるの
で、メッキ液回収カップ３３およびミスト回収カップ３
５の上部には、少なくとも基板Ｗなどが出し入れできる
程度の大きさの開口部を有している。また、このメッキ
液供給カップ３１には、正電圧を印加するためのアノー
ド電極（陽極）３７が配設されている。

【００３０】さらに、スピンベース３の上方位置には、
メッキ処理を受けた基板Ｗを洗浄するためのドーナツ状
の洗浄カップ３９が備えられている。この洗浄カップ３
９の下側には、メッキ処理を受けた基板Ｗをスピンベー
ス３で支持したままの状態で基板Ｗの処理面Ｗｓを洗浄
カップ３９の内部に向けた状態で装着可能な下部開口部
３９ａを有している。この洗浄カップ３９は、下部開口
部３９ａから外側下方に向かって傾斜する傾斜面４１ａ
が形成された排水回収路４１を備えている。また、この
洗浄カップ３９の上部側方には、洗浄液（例えば、純
水）を吐出するための洗浄ノズル４３が配備されてい
る。なお、この洗浄カップ３９には、基板Ｗに純水を吐
出して行われる洗浄処理に起因するミストが外部に飛散
するのを防止するために、飛散防止カバー４５が備えら
れている。洗浄動作時には、回転駆動機構部９によっ
て、スピンベース３を図１に矢印ａで示す鉛直軸周りに
回転させ、回転中の基板Ｗに洗浄ノズル４３からの純水
を吐出している。基板Ｗに吐出された洗浄液は、基板Ｗ
の遠心力により、傾斜面４１ａ並びに排水回収路４１の
方に好適に飛ばされて案内され、洗浄カップ３９とカソ
ードリング１７との間から漏れ落ちるようなことはな
い。

【００３１】なお、上述した洗浄カップ３９が本発明の
洗浄手段に相当する。

【００３２】回転駆動機構部９は、スピンベース３に支
持された基板Ｗを、この基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周
り（矢印ａの方向）に回転させるように、このスピンベ
ース３を回転させる。この回転駆動機構部９は、例え
ば、反転ベース１１に配設された第１電動モータ４７
と、この第１電動モータ４７の回転軸に嵌入された第１
外歯車４９と、スピンベース３の回転軸７の外周に設け
られた第２外歯車５１と、この第１電動モータ４７の回
転を伝動するために第１外歯車４９と第２外歯車５１と
にかけられた輪状の第１タイミングベルト５３とを備え
ている。

【００３３】なお、上述した回転駆動機構部９が本発明
の基板回転機構部に相当する。

【００３４】反転駆動機構部１３は、スピンベース３に
支持された基板Ｗの処理面Ｗｓを上方と下方とに切り換
えて向けれるように、矢印ｂの方向にスピンベース３な
どを反転させる。この反転駆動機構部１３は、例えば、
上下ベース５５に配設された第２電動モータ５７と、こ
の第２電動モータ５７の回転軸に嵌入された第３外歯車
５９と、上下ベース５５の所定箇所に軸芯が嵌入されて
回転自在に支持された第４外歯車６１と、この第２電動
モータ５７の回転を伝動するために第３外歯車５９と第
４外歯車６１とにかけられた輪状の第２タイミングベル
ト６３とを備えている。そして、この第４外歯車６１の
一方の平面（上下ベース５５から遠い方の平面）には、
反転ベース１１の一端が装着されている。なおここで
は、反転駆動機構部１３を、上述したように第２電動モ
ータ５７と第３，第４外歯車５９，６１と第２タイミン
グベルト６３とで構成しているが、上下ベース５５に配
設された第２電動モータ５７の回転軸を反転ベース１１
の一端に装着して、第２電動モータ５７の回転を反転ベ
ース１１に直接に伝動させて反転ベース１１を直接に回
転させるようにしても良い。

【００３５】昇降駆動機構部１５は、基板Ｗの処理面Ｗ
ｓ側をメッキ処理部２９と洗浄カップ３９とに切り換え
て装着するようにスピンベース３などを矢印ｃで示す上
下方向に移動させる。この昇降駆動機構部１５は、例え
ば、位置が固定である基台６５に回転軸が上下方向に向
くようにして配設された第３電動モータ６７と、この第
３電動モータ６７の回転軸に嵌合されて上下方向に向く
ようにしたボールネジ６９と、上下ベース５５に固着さ
れてボールネジ６９が螺入されたナット部７１とを備え
ている。ボールネジ６９の回転動作は、ナット部７１に
よって、上下ベース５５を矢印ｃで示す上下方向に移動
させる直線運動に変換される。

【００３６】なお、上述した反転駆動機構部１３が本発
明の反転機構部に相当し、上述した昇降駆動機構部１５
が本発明の上下移動機構部に相当する。

【００３７】次に、上記のように構成されている基板メ
ッキ装置の動作について詳細に説明する。

【００３８】（１）メッキ準備動作 〔Ｓ１〕基板Ｗの搬入（図２及び図４参照） まず、基板搬送機構（図示省略）により、基板Ｗが、こ
の基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きにした水平姿勢の状態
で、隣接する支柱５の間からスピンベース３の内側に搬
入され、処理面Ｗｓを上向きにした水平姿勢の状態でメ
カチャック１に支持される。このとき、サセプタ２３の
載置部２３ａは、メカチャック１の下方に待機してい
る。

【００３９】〔Ｓ２〕基板Ｗの支持（図５及び図３参
照） そして、エアシリンダ２７のピストンを縮めることでサ
セプタ２３をカソードリング１７の方に近づけ、すなわ
ち、サセプタ２３を上昇させて、このサセプタ２３の載
置部２３ａ上に基板Ｗを載置して、さらに、基板Ｗの処
理面Ｗｓの周辺部をカソードリング１７の当接部１７ａ
に当接させる。このとき、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部
は、図３に示すように、カソードリング１７のシール部
材１９とカソード電極２１とに押圧されている。

【００４０】〔Ｓ３〕基板Ｗの反転（図６参照） 反転駆動機構部１３により反転ベース１１を矢印ｂの方
向に反転させることで、基板Ｗの処理面Ｗｓが下向きと
なるように、スピンベース３を反転させる。

【００４１】（２）メッキ処理動作 〔Ｓ４〕基板Ｗの下降（図７参照） 昇降駆動機構部１５により、基板Ｗの処理面Ｗｓをメッ
キ液供給カップ３１の上部開口部３１ａに近接させるよ
うに、メッキ処理高さまでスピンベース３などを下降さ
せる。

【００４２】〔Ｓ５〕基板Ｗのメッキ処理（図７参照） メッキ液供給カップ３１へのメッキ液の供給を開始し
て、メッキ液供給カップ３１の上部開口部３１ａからメ
ッキ液を溢れ出させるようにして、基板Ｗの処理面Ｗｓ
にメッキ液を接触させるようにする。回転駆動機構部９
により、スピンベース３の回転軸７を矢印ａの方向に回
転させることで、基板Ｗをゆっくり回転させる。そし
て、基板Ｗがゆっくり回転している状態で、メッキ液供
給カップ３１のアノード電極（陽極）３７と、基板Ｗの
処理面Ｗｓの周辺部に接触させているカソード電極２１
との間に所定電圧を印加する。このように基板Ｗをメッ
キ処理高さで矢印ａ方向にゆっくり回転させながら、メ
ッキ液流を基板Ｗの処理面Ｗｓにあてて通電し、所定時
間だけ電解メッキ処理する。

【００４３】〔Ｓ６〕基板Ｗのメッキ処理終了（図８参
照） メッキ処理の所定時間が経過した後、通電を停止すると
ともに、メッキ液供給カップ３１に対するメッキ液の供
給を停止し、昇降駆動機構部１５により、基板Ｗの処理
面Ｗｓをメッキ液から離間させたメッキ液振り切り高さ
までスピンベース３を上昇させる。そして、回転駆動機
構部９により、スピンベース３の回転軸７の回転速度を
所定の振り切り速度まで上げて、基板Ｗの処理面Ｗｓや
カソードリング１７に付着しているメッキ液を遠心力で
振り切る。しかしながら、遠心力が加わる方向の関係
上、カソードリング１７と基板Ｗの処理面Ｗｓとが近接
している角部分には、メッキ液が付着して残留する。な
お、この振り切り後に、スピンベース３の回転軸７の回
転速度を所定の回転速度まで下げる。

【００４４】（３）水洗準備動作 〔Ｓ７〕基板Ｗの上昇と反転（図９参照） 振り切りを行った後、昇降駆動機構部１５により、スピ
ンベース３を反転位置高さまで上昇させる。そして、こ
の反転位置高さにおいて、反転駆動機構部１３により反
転ベース１１を矢印ｂの方向に反転させることで、基板
Ｗの処理面Ｗｓが上向きとなるように、スピンベース３
を反転させる。

【００４５】〔Ｓ８〕基板Ｗの洗浄カップ３９への装着
（図１０参照） 昇降駆動機構部１５により、スピンベース３を水洗高さ
まで上昇させて、洗浄カップ３９の下部開口部３９ａ
に、メッキ処理を受けた基板Ｗをスピンベース３で支持
したままの状態で基板Ｗの処理面Ｗｓを洗浄カップ３９
の内部に向けるようにして装着する。

【００４６】（４）水洗動作 〔Ｓ９〕基板Ｗの水洗（図１０参照） 基板Ｗを矢印ａ方向にゆっくり回転させながら、洗浄ノ
ズル４３から基板Ｗに純水を所定時間だけ吐出する。基
板Ｗに吐出された純水は、基板Ｗの処理面Ｗｓを流れ、
カソードリング１７と処理面Ｗｓとが近接している角部
分に付着している残留メッキ液を洗い流しつつ、傾斜面
４１ａ並びに排水回収路４１を流れて排水される。

【００４７】〔Ｓ１０〕基板Ｗの水洗終了（図１１参
照） 所定時間が経過した後、純水の基板Ｗへの供給を停止し
て、回転駆動機構部９により、スピンベース３の回転軸
７の回転速度を所定の余剰液振り切り速度まで上げて、
基板Ｗの処理面Ｗｓやカソードリング１７に付着してい
る純水を遠心力でそこそこに振り切る。具体的には、基
板Ｗの処理面Ｗｓ上に純水の水膜を残す程度に余剰液の
振り切りを行っている。

【００４８】（５）処理完了動作 〔Ｓ１１〕基板Ｗの下降（図１２参照） 昇降駆動機構部１５により、スピンベース３を搬送高さ
まで下降させる。

【００４９】〔Ｓ１２〕基板Ｗの支持解除（図１２参
照） エアシリンダ２７のピストンを伸ばすことでサセプタ２
３をカソードリング１７から遠ざけ、すなわち、サセプ
タ２３を下降させて、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部をカ
ソードリング１７の当接部１７ａから離間させて、基板
Ｗの処理面Ｗｓの周辺部に対するカソードリング１７の
シール部材１９とカソード電極２１との押圧を解除す
る。さらに、サセプタ２３の載置部２３ａ上に載置され
ている基板Ｗがメカチャック１に支持されるように、こ
のサセプタ２３をメカチャック１の下方にまで下降させ
る。

【００５０】〔Ｓ１３〕基板Ｗの搬出（図１２参照） 基板搬送機構（図示省略）により、上述した一連の処理
を受けた基板Ｗが、この基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きに
した水平姿勢の状態で、スピンベース３の内側から隣接
する支柱５の間を介して搬出される。このようにして、
基板Ｗの処理面Ｗｓに対するメッキ処理、並びに、基板
Ｗやカソードリング１７に残留するメッキ液の洗浄除去
処理が行われて次工程に搬出される。

【００５１】したがって、メッキ処理部２９でメッキ処
理された基板Ｗは、スピンベース３に支持された状態の
まま洗浄カップ３９に移送され、洗浄カップ３９は、ス
ピンベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓとカソー
ドリング１７とに洗浄液（純水）を供給して、基板Ｗの
周辺部をカソードリング１７でマスクした状態のままで
基板Ｗの処理面Ｗｓとカソードリング１７とを洗浄する
ので、基板Ｗやカソードリング１７にメッキ液が残留し
ないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板Ｗや
カソードリング１７の汚染が防止できる。また、残留メ
ッキ液によって汚染されているカソードリング１７に次
の基板Ｗが取り付けられることでこの基板Ｗに残留メッ
キ液が転写されて汚染されるという二次汚染も防止でき
る。

【００５２】また、洗浄カップ３９はメッキ処理部２９
の上方位置に設けられ、メッキ処理部２９でメッキ処理
された基板Ｗを、スピンベース３に支持された状態のま
ま、メッキ処理部２９の上方位置にある洗浄カップ３９
に移送するので、洗浄カップ３９の設置スペース、特
に、平面視したときの設置スペースを縮小することがで
きる。また、基板Ｗの大型化に伴い洗浄カップ３９が大
きくなっても、平面視した状態の設置スペースは拡大し
ないので、大型の基板Ｗを扱う基板メッキ装置であって
も、全体として装置をコンパクトに構成することも可能
である。

【００５３】また、メッキ処理時及び洗浄処理時に、ス
ピンベース３に支持された基板Ｗをこの基板Ｗの処理面
Ｗｓの鉛直軸周りに回転させるようにこのスピンベース
３を回転させる回転駆動機構部９を備えているので、メ
ッキ処理時にスピンベース３を基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛
直軸周りに回転させることで、メッキ処理の均一性を高
めることができ、洗浄処理時にスピンベース３を基板Ｗ
の処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させることで清浄度を
高めることができる。

【００５４】また、洗浄処理後に、基板Ｗの処理面Ｗｓ
上に純水の水膜を残す程度に余剰液の振り切りを行って
いるので、基板Ｗの処理面Ｗｓを大気に直接に曝露させ
ないようにでき、基板Ｗの処理面Ｗｓが大気に直接に曝
されて乾燥することに起因する基板Ｗの処理面Ｗｓの酸
化等の変質を防止できる。

【００５５】また、基板Ｗ上に残ったメッキ液による好
ましくないエッチング反応（例えば、銅を溶かす等の反
応）をその場で純水洗浄により停止させることができる
ので、メッキ処理終了から上記エッチング反応の停止ま
での時間を、常に同じ時間間隔に保つことができ、搬送
系のタイミング等に影響されない再現性の良い処理が実
現でき、品質のバラツキが少ない高品質な基板Ｗを得る
ことができる。また、本実施例装置に基板Ｗを搬送する
ための搬送系や、本実施例装置外の次工程の処理部にメ
ッキ液を持ち出さないので、前記の搬送系や次工程の処
理部に耐薬液性の負担を強いることがない。

【００５６】なお、本発明は以下のように変形実施する
ことも可能である。

【００５７】（１）上述した実施例では、洗浄液として
純水を用いているが、酸、アルカリ、及びオゾンを純水
に溶解したオゾン水等に例示されるように、通常の基板
洗浄で用いられる洗浄液を用いても構わない。

【００５８】（２）上述した実施例では、メッキ処理部
２９でメッキ処理された基板Ｗを、スピンベース３に支
持された状態のまま洗浄カップ３９に移送するように、
スピンベース３を移動させているが、スピンベース３に
替えて洗浄カップ３９を移動させたり、スピンベース３
と洗浄カップ３９の両方を移動させたりしても良い。

【００５９】（３）上述した実施例では、回転駆動機構
部９によって、メッキ処理時と洗浄処理時の両方の場合
において、スピンベース３に支持された基板Ｗをこの基
板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させるようにこの
スピンベース３を回転させているが、メッキ処理時また
は洗浄処理時の一方において必要がある場合のみスピン
ベース３を回転させても良い。

【００６０】（４）上述した実施例では、洗浄カップ３
９は、メッキ処理部２９の上方位置に設けられている
が、メッキ処理部２９の下方位置に設けるようにしても
良い。この場合は、洗浄カップ３９は、スピンベース３
に支持された基板Ｗがこのカップ内に挿入されるように
上部に開口部を有し、メッキ処理部２９は、フェイスア
ップの状態で基板Ｗを回転させながら通電してメッキす
るものを採用することで実現できる。

【００６１】（５）上述した実施例では、洗浄カップ３
９は、メッキ処理部２９の上方位置に設けられている
が、メッキ処理部２９の側方位置に設けるようにしても
良い。この場合は、平面視したときの洗浄カップ３９の
設置スペースを縮小することはできないが、基板Ｗやカ
ソードリング１７にメッキ液が残留しないように洗浄除
去でき、残留メッキ液による基板Ｗやカソードリング１
７の汚染が防止できる。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板の処理面の周辺部をマス
ク部材でマスクしてこの基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板の処理面にメッキ液を
接触させてこの処理面をメッキ処理するメッキ処理部と
を有する基板メッキ装置において、メッキ処理部でメッ
キ処理された基板を、基板支持部に支持された状態のま
ま洗浄手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段と
を相対的に移動させる移動手段を備え、洗浄手段は、基
板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗
浄液を供給して、基板の周辺部をマスク部材でマスクし
た状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄する
ので、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように
洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の
汚染が防止できる。

【００６３】また、請求項２に記載の発明によれば、洗
浄手段は、メッキ処理部の上方あるいは下方の位置に設
けられ、移動手段は、メッキ処理部でメッキ処理された
基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に
移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対的に上
下方向に移動させるので、基板洗浄を行う洗浄手段の設
置スペース、特に、平面視したときの設置スペースを縮
小することができる。また、基板の大型化に伴い洗浄手
段が大きくなっても、平面視した状態の設置スペースは
拡大しないので、大型の基板を扱う基板メッキ装置であ
っても、全体として装置をコンパクトに構成することも
可能である。

【００６４】また、請求項３に記載の発明によれば、移
動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方
において、基板支持部に支持された基板をこの基板の処
理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を
回転させる基板回転機構部を備えているので、メッキ処
理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに回転さ
せることで、メッキ処理の均一性を高めることができ、
洗浄処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに
回転させると清浄度を高めることができる。

【００６５】また、請求項４に記載の発明によれば、洗
浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度
に余剰液の振り切りを行う洗浄手段を備えているので、
基板の処理面を大気に直接に曝露させないようにでき、
基板の処理面が大気に直接に曝されて乾燥することに起
因する基板の処理面の変質を防止できる。

【００６６】また、請求項５に記載の発明によれば、移
動手段は、基板支持部に支持された基板の処理面を上方
と下方とに切り換えて向けれるようにこの基板支持部を
反転させる反転機構部と、基板の処理面側をメッキ処理
部と洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に
移動させる上下移動機構部とを備えているので、基板支
持部に支持された基板の処理面を、上下に配置されたメ
ッキ処理部と洗浄手段とに適切に切り換えて装着するこ
とができ、上下に配置されたメッキ処理部と洗浄手段と
から良好にメッキ処理と洗浄処理とが受けられ、なおか
つ、平面視したときの設置スペースが縮小された構成を
実現することができる。

【００６７】また、請求項６に記載の発明によれば、洗
浄手段は、洗浄液として純水を、基板支持部に支持され
た基板の処理面とマスク部材とに供給するので、基板や
マスク部材にメッキ液が残留しないように純水によって
洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の
汚染が防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る基板メッキ装置の概略構
成を示す図である。

【図２】基板の搬入時の状態を示す斜視図である。

【図３】カソードリングの要部構成を示す概略断面図で
ある。

【図４】基板の搬入時の状態を示す図である。

【図５】メッキ処理の説明に供する図である。

【図６】メッキ処理の説明に供する図である。

【図７】メッキ処理の説明に供する図である。

【図８】メッキ処理の説明に供する図である。

【図９】洗浄処理の説明に供する図である。

【図１０】洗浄処理の説明に供する図である。

【図１１】洗浄処理の説明に供する図である。

【図１２】基板の搬出時の状態を示す図である。

【符号の説明】

３ … スピンベース ９ … 回転駆動機構部 １３ … 反転駆動機構部 １５ … 昇降駆動機構部 １７ … カソードリング １７ａ… 当接部 ２３ … サセプタ ２３ａ… 載置部 ２９ … メッキ処理部 ３９ … 洗浄カップ Ｗ … 基板 Ｗｓ… 処理面

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の処理面の周辺部をマスク部材でマ
   スクしてこの基板を支持する基板支持部と、前記基板支
   持部に支持された基板の処理面にメッキ液を接触させて
   この処理面をメッキ処理するメッキ処理部とを有する基
   板メッキ装置において、 前記メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板
   支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するよう
   に、前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に移動さ
   せる移動手段を備え、 前記洗浄手段は、前記基板支持部に支持された基板の処
   理面とマスク部材とに洗浄液を供給して、基板の周辺部
   を前記マスク部材でマスクした状態のままで基板の処理
   面とマスク部材とを洗浄することを特徴とする基板メッ
   キ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記洗浄手段は、前記メッキ処理部の上方あるいは下方
   の位置に設けられ、 前記移動手段は、前記メッキ処理部でメッキ処理された
   基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま前記洗
   浄手段に移送するように、前記基板支持部と前記洗浄手
   段とを相対的に上下方向に移動させることを特徴とする
   基板メッキ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板メ
   ッキ装置において、 前記移動手段は、 メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方において、
   前記基板支持部に支持された基板をこの基板の処理面の
   鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を回転さ
   せる基板回転機構部を備えていることを特徴とする基板
   メッキ装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
   の基板メッキ装置において、 前記洗浄手段は、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄
   液の液膜を残す程度に余剰液の振り切りを行うことを特
   徴とする基板メッキ装置。
5. 【請求項５】 請求項２から請求項４のいずれかに記載
   の基板メッキ装置において、 前記移動手段は、 前記基板支持部に支持された基板の処理面を上方と下方
   とに切り換えて向けれるように前記基板支持部を反転さ
   せる反転機構部と、 基板の処理面側を前記メッキ処理部と前記洗浄手段とに
   切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移
   動機構部とを備えていることを特徴とする基板メッキ装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   の基板メッキ装置において、 前記洗浄手段は、洗浄液として純水を、前記基板支持部
   に支持された基板の処理面とマスク部材とに供給するこ
   とを特徴とする基板メッキ装置。