JP2002094331A - 高周波電力増幅装置及び無線通信機 - Google Patents

高周波電力増幅装置及び無線通信機

Info

Publication number
JP2002094331A
JP2002094331A JP2000275605A JP2000275605A JP2002094331A JP 2002094331 A JP2002094331 A JP 2002094331A JP 2000275605 A JP2000275605 A JP 2000275605A JP 2000275605 A JP2000275605 A JP 2000275605A JP 2002094331 A JP2002094331 A JP 2002094331A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
frequency power
power amplifier
amplifying
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000275605A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3895532B2 (ja
Inventor
Takayuki Tsutsui
孝幸 筒井
Tetsuaki Adachi
徹朗 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000275605A priority Critical patent/JP3895532B2/ja
Priority to EP01306974A priority patent/EP1191683A3/en
Priority to TW090120394A priority patent/TW595234B/zh
Priority to KR1020010050888A priority patent/KR20020020836A/ko
Priority to US09/938,547 priority patent/US6636114B2/en
Publication of JP2002094331A publication Critical patent/JP2002094331A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3895532B2 publication Critical patent/JP3895532B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085—Long tailed pairs
    • H03F3/45089—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45392—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising resistors in the source circuit of the AAC before the common source coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45544—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 利得が大幅に異なるＧＳＭシステムとＥＤＧ
Ｅシステムを単一の高周波電力増幅装置に組み込む。 【解決手段】 切り替えによってＧＳＭモードとＥＤＧ
Ｅモードで使用する多段増幅構成の高周波電力増幅装置
において、初段増幅器をデュアルゲートＭＯＳＦＥＴで
構成し、ＥＤＧＥモードでは、デュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴの第１ゲート電極にＡＰＣ信号または選択固定する
電位を供給するとともに、初段から３段の各トランジス
タのＶgs（Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs３）を電位固定または
ＡＰＣ信号を供給し、ＥＤＧＥモードでの利得をＧＳＭ
モードの利得に合わせるようにし、これによってノイズ
の発生を低減させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の増幅系を有
する高周波電力増幅装置に係わり、例えば、線形性増幅
及び非線形性増幅（飽和性増幅）が行える高周波電力増
幅装置（高周波電力増幅モジュール）及びこの高周波電
力増幅モジュールを組み込んだ無線通信機に関し、特
に、通信モード及び周波数帯が異なる複数の通信機能を
有する多モード多バンド通信方式のセルラー携帯電話機
に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、北米セルラー市場においては、従
来から使用されている北米全土をカバーするアナログ方
式のＡＭＰＳ（Advanced Mobile phone Servic）と、Ｔ
ＤＭＡ（time division multiple access ），ＣＤＭＡ
（code division multiple access ）等デジタル方式を
一つの携帯電話に組み込んだいわゆるデュアルモード携
帯電話機が使用されている。
【０００３】一方、欧州等においては、ＴＤＭＡ技術と
ＦＤＤ（frequency division duplex ：周波数分割双方
向）技術を使うＧＳＭ（Global System for Mobile Com
munication）方式が使用されている。また、ＧＳＭ方式
において伝送レートを高くできる通信システムとしてＥ
ＤＧＥ（Enhanced Data Rates for ＧＳＭ Evolution）
システムが開発されている。
【０００４】ＥＤＧＥについては、日経ＢＰ社発行「日
経エレクトロニクス」1999年11月15日号（no.757）、P1
31や、同誌2000年７月３日号（no.773号) 、P126〜P139
に記載されている。
【０００５】前者の文献には、高速化される世界各地の
移動体通信サービスについて記載されている。この文献
には、移動体通信サービスは、〜９．６ｋビット／秒の
第２世代から、〜２Ｍビット／秒の第３世代に移行する
ことについて記載されている。そして、欧州では、既存
のＧＳＭ網を拡張したパケット通信によるデータ通信サ
ービスであるＧＰＲＳ（General Packet Radio Servic
e：第２．５世代）を経て、ＥＤＧＥ（第３世代）に移
行し、米国では、ＩＳ−１３６システム（ＴＤＭＡ）か
ら前記ＥＤＧＥに移行するとともに、ＩＳ−９５システ
ム（ＣＤＭＡ）からｃｄｍａ２０００，ＩＳ−２０００
やＨＤＲ（High Data Rate）に移行する旨記載されてい
る。
【０００６】後者の文献には、携帯電話機の無線回路の
小型化について記載されている。また、高速データ通信
サービスでは、複数のチャネルを同時に使える制御技術
が開発されていること、ＧＳＭベースのデータ通信サー
ビス専用方式ＥＤＧＥでは、変調方式をＧＭＳＫから８
相ＰＳＫに変えて周波数利用効率を上げ、３８４ｋビッ
ト／秒を実現していることも記載されている。また、同
文献には、スーパーヘテロダイン方式及びダイレクト・
コンバージョン方式のチップ・セットを用いたＧＳＭ携
帯電話機のリファレンス・ボードが開示されている。
【０００７】一方、デュアルモード携帯電話機等による
多モード通信については、日経ＢＰ社発行「日経エレク
トロニクス」1997年１月27日号、(no.681)、P115〜P126
や、日立評論社発行「日立評論」1997年11月号、79巻、
Ｐ63〜Ｐ68に記載されている。後者の文献には、送信側
の送信周波数変換にオフセットＰＬＬ（Phase-LockedLo
op ）方式が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来、移動無線を使用
する多くの無線データ通信は、９．６kbpsの伝送レート
で行われているが、インターネットや企業のデータベー
スへのアクセスには、より高い伝送スピードが要求され
ていることから、これに対応する通信システムが必要に
なってきた。欧州，アジアを主体にサービスを行ってい
るＧＳＭシステムも、現状は９．６kbpsのサービスを行
っているが、前記の要求に対応する為、伝送レートを高
くしたＥＤＧＥシステムが開発されている。このシステ
ム導入により、データ伝送レートは３８４kbpsまで引き
上げられ、ＧＳＭシステムに対し、単位時間当たり４０
倍のデータを送ることが可能になる。
【０００９】ＥＤＧＥシステムのもう一つの利点として
は、ＧＳＭの基本システムを流用し、無線変調方式を一
部変更することにより導入できることから、新たなイン
フラを導入することなく運用することが可能である。こ
れは、多くの通信事業者にとって魅力的である。
【００１０】変更される変調方式はＧＳＭシステムのＧ
ＭＳＫ（Gaussian Minimum Shift Keying ）変調に対
し、ＥＤＧＥシステムでは３π／８−rotating８ＰＳＫ
（Phase Shift Keying）変調という方式となる。これに
より、無線装置の信号伝達部には、より高い線形性が必
要になる。
【００１１】ＥＤＧＥシステムはＧＳＭシステムを発展
させたシステムであることから、単一の携帯電話機には
ＧＳＭシステム及びＥＤＧＥシステムによる通話ができ
ることが望まれる。このため、携帯電話機にはＧＳＭシ
ステムのための増幅器とＥＤＧＥシステムのための増幅
器を組み込む必要がある。
【００１２】本発明者等は一つの増幅回路でＧＳＭシス
テム及びＥＤＧＥシステムに対応する高周波電力増幅モ
ジュールについて検討した。この結果、以下のような解
決課題があることに気がついた。
【００１３】（１）ＧＳＭで使用する場合、トランジス
タは飽和動作での使用になり、大出力が必要となる。即
ち、ＧＭＳＫ変調された例えば０ｄＢｍ程度の入力信号
に対し最大３６ｄＢｍ程度の出力電力が必要になる。
【００１４】（２）ＥＤＧＥで使用する場合、トランジ
スタは線形動作での使用になるため線形性が要求され
る。即ち、３π／８−rotating８ＰＳＫ変調された入力
信号に対し出力信号が歪まないことが要求される。ま
た、線形出力電力の最大は２８〜２９ｄＢｍ程度の範囲
になる。
【００１５】（３）ＧＳＭシステムとＥＤＧＥシステム
とでは、前述のように出力電力に最大電力が６〜８ｄＢ
ｍと大きな差があり、増幅クラス（Ａ級，Ｃ級）が異な
る。このため、単一の増幅器を共用すると両者の利得差
により、ノイズが多く発生したり、制御性が低くなる。
【００１６】本発明の目的は、飽和動作するシステム
と、線形動作するシステムを同一回路内で共存できる高
周波電力増幅装置及び無線通信機を提供することにあ
る。
【００１７】本発明の他の目的は、ＧＳＭシステム（飽
和動作）とＥＤＧＥシステム（線形動作）を同一回路内
で共存できる高周波電力増幅装置及び無線通信機を提供
することにある。
【００１８】本発明の他の目的は、複数モード・複数バ
ンド構成の高周波電力増幅装置及び無線通信機を提供す
ることにある。
【００１９】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２１】（１）増幅されるべき信号が供給される入
力端子と、出力端子と、コントロール端子と、モード切
替端子と、上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続
される複数の増幅段とを有し、上記複数の増幅段のそれ
ぞれは、その段への入力信号を受ける第１の端子と、そ
の段の出力信号を送出する第２の端子と、その段のため
の基準電位を受けるための第３の端子とからなり、上記
コントロール端子と上記各増幅段の第１の端子間にそれ
ぞれ接続され、上記コントロール端子に供給される電圧
に従った直流バイアス電位を上記第１の端子に印加する
バイアス回路と、上記各増幅段に対してそれぞれカレン
トミラー回路を構成する複数の温度特性補償回路と、上
記モード切替端子に供給される信号によって動作し、上
記各温度特性補償回路をオン・オフさせて通信モードを
切り替えるモード切替回路とを備え、上記増幅段のうち
最終段の増幅段を除く１乃至複数の増幅段と、この増幅
段に対応する温度特性補償回路は、直列接続される負荷
側半導体増幅素子と接地側半導体増幅素子でそれぞれ構
成され、上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制御端子
とこれに対応する温度特性補償回路の負荷側半導体増幅
素子の制御端子は接続され、上記増幅段の接地側半導体
増幅素子の制御端子は上記増幅段用のバイアス回路の分
圧抵抗を形成する抵抗間に接続され、異なる上記通信モ
ードの利得が近似するように、一方の通信モード（ＥＤ
ＧＥモード）では上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の
制御端子に選択固定した電位を印加し、上記各増幅段の
第１の端子にバイアス電位としてそれぞれ所定の固定電
位を印加することを特徴とする。
【００２２】上記モード切替回路の動作によって、位相
変調回路構成（飽和アンプ用回路構成、例えば、ＧＳＭ
用回路構成）または位相及び振幅変調回路構成（線形ア
ンプ用回路構成、例えば、ＥＤＧＥ用回路構成）に切り
替わる。負荷側半導体増幅素子と接地側半導体増幅素子
はデュアルゲート型の半導体増幅素子である。
【００２３】具体的構成としては、上記複数の増幅段と
これに付随する上記バイアス回路及び温度特性補償回路
並びにモード切替端子は複数設けられて複数の増幅系を
構成するとともに、上記各増幅系は上記モード切替端子
に接続されて多モード多バンド用の高周波電力増幅装置
を構成している。
【００２４】例えば、高周波電力増幅装置は、二つの増
幅系を有するデュアルバンド構成となるとともに、各増
幅系は上記（１）の構成であるデュアルモード構成とな
る。従って、高周波電力増幅装置は、ＧＳＭ９００とＧ
ＳＭ１８００と切り替えによって動作するＥＤＧＥとか
らなる。高周波電力増幅装置の外部電極端子は、入力端
子（Ｐin−ＧＳＭ９００，Ｐin−ＧＳＭ１８００）、出
力端子（Ｐout −ＧＳＭ９００，Ｐout −ＧＳＭ１８０
０）、コントロール端子（Ｖapc −ＧＳＭ９００，Ｖap
c −ＧＳＭ１８００）、第１基準電位（Ｖdd−ＧＳＭ９
００，Ｖdd−ＧＳＭ１８００）、第２基準電位（ＧＮ
Ｄ）、負荷側半導体増幅素子の第１の端子（Ｖcgs −Ｇ
ＳＭ９００, Ｖcgs −ＧＳＭ１８００）及びモード切替
端子（ｍｏｄｅ−ＳＷ）となる。
【００２５】このような高周波電力増幅装置は無線通信
機の送信系に組み込まれる。
【００２６】（２）上記（１）の構成において、ＥＤＧ
Ｅモードでは、上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制
御端子にはＡＰＣ（自動出力制御）信号を印加し、上記
各増幅段の第１の端子にバイアス電位としてそれぞれ所
定の固定電位を印加することを特徴とする。
【００２７】このような高周波電力増幅装置はダイレク
トコンバージョン方式やオフセットＰＬＬ方式として無
線通信機に組み込まれる。オフセットＰＬＬ方式におい
ては、高周波電力増幅装置は初段増幅段のデュアルゲー
トトランジスタの第１ゲートに振幅変調信号を直接入力
し、第２ゲートに位相信号を直接入力する。
【００２８】（３）上記（１）の構成において、ＥＤＧ
Ｅモードでは、上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制
御端子にはＡＰＣ信号を印加し、上記各増幅段の第１の
端子にバイアス電位としてそれぞれＡＰＣ信号を印加す
る。
【００２９】（４）通信モード信号に従って線形増幅動
作又は非線形増幅動作を行う高周波電力増幅装置であっ
て、増幅されるべき信号が供給される入力端子と、出力
端子と、モード切替端子と、上記入力端子と上記出力端
子の間に従属接続され、それぞれがその段へ供給される
入力信号を受ける第１の端子と、その段の出力信号を送
出する第２の端子とを有する複数の増幅段と、上記各増
幅段の第１の端子にそれぞれ接続され、バイアス電位を
上記第１の端子に印加するバイアス回路と、上記モード
切替端子に供給される通信モード信号に従ったモード信
号を形成するモード切替回路とを含み、上記複数の増幅
段のうち少なくとも１つの増幅段は互いに直列接続され
る第１半導体増幅素子と第２半導体増幅素子とを含み、
該増幅段の第１の端子は上記第２半導体増幅素子の制御
入力ノードに接続され、上記第２の端子は上記第１半導
体増幅素子の出力ノードに接続され、上記第１半導体増
幅素子の制御入力ノードに上記モード信号が供給され、
線形増幅動作としてとき及び非線形増幅動作をしている
とき、上記モード信号によって利得が制御されることを
特徴とする。
【００３０】（５）増幅されるべき信号が供給される入
力端子と、出力端子と、モード端子と、上記入力端子と
上記出力端子の間に従属接続され、それぞれがその段へ
供給される入力信号を受ける第１の端子と、その段の出
力信号を送出する第２の端子とを有する複数の増幅段
と、上記各増幅段にバイアス電位を供給するバイアス回
路と、上記モード端子に供給される信号に従ったＡＧＣ
信号を形成するモード回路とを備え、上記増幅段のうち
少なくとも１つの増幅段は、互いに直列接続された第１
半導体増幅素子と第２半導体増幅素子を有し、上記第１
半導体増幅素子の制御端子には上記ＡＧＣ信号が供給さ
れ、上記第１半導体増幅素子の出力端子は上記第２の端
子に接続され、上記第２半導体増幅素子の制御端子は上
記第１の端子に接続されていることを特徴とする。
【００３１】（６）増幅されるべき信号が供給される入
力端子と、出力端子と、モード端子と、上記入力端子と
上記出力端子の間に従属接続され、それぞれがその段へ
供給される入力信号を受ける第１の端子と、その段の出
力信号を送出する第２の端子とを有する複数の増幅段
と、上記各増幅段にバイアス電位を印加するバイアス回
路と、上記モード端子に供給される信号に従ったＡＰＣ
信号を形成するモード回路とを備え、上記増幅段のうち
少なくとも１つの増幅段は、互いに直列接続された第１
半導体増幅素子と第２半導体増幅素子とを有し、上記第
１半導体増幅素子の制御端子には上記ＡＰＣ信号が供給
され、上記第２半導体増幅素子の制御端子は第１の端子
が接続され、上記第１半導体増幅素子の出力端子は上記
第２の端子に接続されていることを特徴とする。
【００３２】前記（１）の手段によれば、（ａ）ＥＤＧ
Ｅモードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制御
端子には選択決定した固定電位を印加し、上記入力端子
にはＡＧＣ信号を入力し、上記各増幅段の第１の端子と
第３の端子間の電位をそれぞれ所定値に固定することに
よって、隣接チャネル漏洩電力規格を満たしつつＥＤＧ
Ｅモードの利得を抑止でき、異なる上記通信モード（Ｇ
ＳＭモード及びＥＤＧＥモード）の利得を近似させるこ
とができ、安定した多モード通信が可能になる。
【００３３】（ｂ）ＧＳＭ／ＥＤＧＥデュアルモードで
従来広く用いられているＧＳＭ０ｄＢｍ入力（３段構
成）が維持でき、ＶＣＯ出力を上げるもしくはプリアン
プを新たに導入する必要がない。
【００３４】前記（２）の手段によれば、（ａ）ＥＤＧ
Ｅモードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制御
端子にはＡＰＣ信号を印加し、上記入力端子には固定し
た所定信号を入力し、上記各増幅段の第１の端子と第３
の端子間の電位をそれぞれ所定値に固定することによっ
て、隣接チャネル漏洩電力規格を満たしつつＥＤＧＥモ
ードの利得を抑止でき、異なる上記通信モード（ＧＳＭ
モード及びＥＤＧＥモード）の利得を近似させることが
でき、安定した多モード通信が可能になる。
【００３５】（ｂ）ダイレクトコンバージョン方式では
ＡＧＣ回路が不要になり、部品点数の低減から無線通信
機の製造コストの低減が達成できる。
【００３６】（ｃ）オフセットＰＬＬ方式ではＡＧＣ回
路が不要になり、部品点数の低減から無線通信機の製造
コストの低減が達成できる。
【００３７】（ｄ）オフセットＰＬＬ方式では高周波電
力増幅装置にミキサー機能があり、個別回路としてのミ
キサーを必要としなくなり、部品点数の低減から無線通
信機の製造コストの低減が達成できる。
【００３８】前記（３）の手段によれば、（ａ）ＥＤＧ
Ｅモードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制御
端子にはＡＰＣ信号を印加し、上記入力端子には固定し
た所定信号を入力し、上記各増幅段の第１の端子と第３
の端子間の電位はそれぞれＡＰＣ信号によって制御する
ことによって、隣接チャネル漏洩電力規格を満たしつつ
ＥＤＧＥモードの利得を抑止でき、異なる上記通信モー
ド（ＧＳＭモード及びＥＤＧＥモード）の利得を近似さ
せることができ、安定した多モード通信が可能になる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４０】（実施形態１）本実施形態１では、モード
切替回路の動作によって、位相変調回路構成（飽和アン
プ用回路構成、例えば、ＧＳＭ用回路構成）または位相
及び振幅変調回路構成（線形アンプ用回路構成、例え
ば、ＥＤＧＥ用回路構成）に切り替えて通信が行える無
線通信機の例（デュアルモード・デュアルバンド無線通
信機）について説明する。
【００４１】図１はモード切り替えを行う高周波電力増
幅装置の回路構成を示す模式図である。この回路図から
も分かるように、本実施形態１の高周波電力増幅装置
は、ＧＳＭ９００とＧＳＭ１８００、さらにモードの切
替によるＥＤＧＥ９００とＥＤＧＥ１８００の増幅が行
えるデュアルバンド・デュアルモード構成の高周波電力
増幅装置である。
【００４２】増幅系は増幅段（ＡＭＰ１，ＡＭＰ２，Ａ
ＭＰ３）を順次従属接続した３段増幅構成となり、初段
の増幅段（ＡＭＰ１）は、直列接続される負荷側半導体
増幅素子Ｔｒ１ａと接地側半導体増幅素子Ｔｒ１ｂとか
らなる半導体増幅素子で形成されている。このＴｒ１は
デュアルゲート半導体増幅素子でもよい。
【００４３】半導体増幅素子は、ＭＯＳ（Metal Oxide
Semiconductor ）ＦＥＴ，シリコンバイポーラトランジ
スタ，ＧａＡｓ−ＭＥＳ（Metal-Semiconductor ）ＦＥ
Ｔ，ＨＢＴ（Hetero Junction Bipolar Transistor），
ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor ），Ｓ
ｉ−Ｇｅトランジスタ等を使用する。
【００４４】ＧＳＭＡＰＣから送出される２種類（ＧＳ
Ｍ９００，ＧＳＭ１８００）のＡＰＣ信号の一方は切替
スイッチＳＷ１の一方の接点に送出され、ＡＰＣ信号の
他方は切替スイッチＳＷ２の一方の接点に送出される。
また、ＧＳＭＡＰＣから送出される２種類のＡＰＣ信号
はＡＭＰ２及びＡＭＰ３のＶgs２及びＶgs３を制御す
る。
【００４５】ＥＤＧＥＡＰＣから送出される２種類のＥ
ＤＧＥ信号（ＥＤＧＥ９００，ＥＤＧＥ１８００）の一
方は切替スイッチＳＷ１の他方の接点に送出され、ＥＤ
ＧＥ信号の他方は切替スイッチＳＷ２の他方の接点に送
出される。
【００４６】切替スイッチＳＷ１の出力端はＡＭＰ１の
負荷側半導体増幅素子となるＴｒ１ａの制御端子（ゲー
ト電極）に接続され、Ｖcgs の制御がなされる。また、
切替スイッチＳＷ２の出力端はＡＭＰ１の接地側半導体
増幅素子となるＴｒ１ｂの制御端子（ゲート電極）に接
続され、Ｖgs１の制御がなされる。
【００４７】また、ＡＭＰ１，ＡＭＰ２，ＡＭＰ３の第
１の端子（ドレイン電極）には第１基準電位（Ｖdd）が
供給され、ＡＭＰ１の接地側半導体増幅素子Ｔｒ１ｂの
制御端子（ゲート電極）に入力信号が供給され、ＡＭＰ
３の出力が出力端子Ｐout に出力されるようになってい
る。
【００４８】このような構成の回路では、ＥＤＧＥの場
合は線形利得を抑え、ＧＳＭとＥＤＧＥの利得が同じ程
度になり、歪みや雑音の少ない安定したＧＳＭによる通
信と、ＥＤＧＥによる通信ができる高周波電力増幅装置
となる。
【００４９】次に、具体的な高周波電力増幅装置及びそ
の高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機について
説明する。
【００５０】高周波電力増幅装置２０は、図２の平面
図、図３の側面図、図４の正面図及び図５の高周波電力
増幅装置の底面の電極パターンを透視的に示す模式的平
面図に示すように、外観的には偏平な矩形体構造になっ
ている。高周波電力増幅装置２０は、板状の配線基板か
らなるモジュール基板２１と、このモジュール基板２１
の一面側（主面側）に重ねて取り付けられたキャップ２
２とによって偏平矩形体構造のパッケージ２３が構成さ
れた構造になっている。前記キャップ２２は電磁シール
ド効果の役割を果たす金属製になっている。前記配線基
板２１の配線パターンや配線基板２１に搭載される半導
体増幅素子を含む電子部品によって、図６に示すような
回路を構成するようになっている。
【００５１】図２及び図５に示すように、高周波電力増
幅装置２０の周面から底面に掛けてそれぞれ外部電極端
子が設けられている。この外部電極端子は、表面実装型
となり、モジュール基板２１に形成された配線とこの配
線の表面に形成されたソルダーによって形成されてい
る。１はＶcgs −ＧＳＭ９００用端子、２はノンコンタ
クト端子（Ｎ／Ｃ）、３はＰout −ＧＳＭ９００用端
子、４はＶdd−ＧＳＭ９００用端子、５はＶdd−ＧＳＭ
１８００用端子、６はＰout −ＧＳＭ１８００用端子、
７はモード切替端子（ｍｏｄｅ−ＳＷ）、８はＶcgs Ｇ
ＳＭ１８００用端子、９はＰin−ＧＳＭ１８００用端
子、１０はＶapc −ＧＳＭ１８００用端子、１１はＶap
c −ＧＳＭ９００用端子、１２はＰin−ＧＳＭ９００用
端子、ＧはＧＮＤ用端子である。
【００５２】図６は本実施形態１の高周波電力増幅装置
（送信ＲＦ信号増幅用のパワーアンプ）２０の等価回路
図である。この等価回路図で示すように、ＧＳＭ９００
用の増幅系ａとＧＳＭ１８００用の増幅系ｂを有すると
ともに、各増幅系ａ，ｂはモード切替端子（ｍｏｄｅ−
ＳＷ）からの信号によって回路構成が切り替わり、ＧＳ
Ｍ９００はＥＤＧＥ９００となり、ＧＳＭ１８００はＥ
ＤＧＥ１８００となる。
【００５３】増幅系ａ及び増幅系ｂはそれぞれ使用する
電子部品の性能は異なるものもあるが、回路構成は同一
となっている。従って、増幅系ａの説明において、増幅
系ａに対応する増幅系ｂの部品の記号を括弧内に示し、
増幅系ｂの説明とする。
【００５４】増幅系ａでの外部電極端子は、入力端子と
してのＰin−ＧＳＭ９００（増幅系ｂではＰin−ＧＳＭ
１８００）、出力端子としてのＰout −ＧＳＭ９００
（増幅系ｂではＰout −ＧＳＭ１８００）、第１基準電
位としてのＶdd−ＧＳＭ９００（増幅系ｂではＶdd−Ｇ
ＳＭ１８００）、Ｖcgs −ＧＳＭ９００（増幅系ｂでは
Ｖcgs ＧＳＭ１８００）、コントロール端子としてのＶ
apc −ＧＳＭ９００（増幅系ｂではＶapc −ＧＳＭ１８
００）、共有となるモード切替端子（ｍｏｄｅ−Ｓ
Ｗ）、そしてＧＮＤ用端子である。
【００５５】Ｐin−ＧＳＭ９００（Ｐin−ＧＳＭ１８０
０）とＰout −ＧＳＭ９００（Ｐout −ＧＳＭ１８０
０）との間には３段の増幅段が従属接続されている。初
段はデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒ１：増幅系ｂで
はＴｒ１０）であり、２段目及び３段目（出力段）はシ
ングルゲートのＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ３：増幅系
ｂではＴｒ１１，Ｔｒ１２）で構成されている。
【００５６】初段はデュアルゲートＭＯＳＦＥＴに代え
て、直列接続される負荷側半導体増幅素子と接地側半導
体増幅素子でそれぞれ構成するようにしてもよい。な
お、図６の回路構成においては、デュアルゲートＭＯＳ
ＦＥＴの負荷側トランジスタと接地側トランジスタには
特に符号は付けずに説明する。負荷側トランジスタの制
御端子を第１ゲート電極と呼称し、接地側トランジスタ
の制御端子を第２ゲート電極と呼称する。また、各増幅
段を構成するトランジスタのそれぞれは、その段への入
力信号を受ける第１の端子（ゲート電極）と、その段の
出力信号を送出する第２の端子（ドレイン電極）と、そ
の段のための基準電位を受けるための第３の端子（ソー
ス電極）とからなっている。
【００５７】上記各増幅段（Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３）
に対してそれぞれカレントミラー回路を構成する複数の
温度特性補償回路が設けられている。この温度特性補償
回路は、ゲート電極とドレイン電極を接続させたトラン
ジスタＴｒ４，Ｔｒ５，Ｔｒ６（増幅系ｂではＴｒ１
３，Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）で構成されている。
【００５８】Ｔｒ１（増幅系ｂではＴｒ１０）の第１ゲ
ート電極とトランジスタＴｒ４（増幅系ｂではＴｒ１
３）の第１ゲート電極は接続され、トランジスタＴｒ１
（増幅系ｂではＴｒ１０）の第１ゲート電極はＶcgs −
ＧＳＭ９００（増幅系ｂではＶcgs ＧＳＭ１８００）に
接続される。Ｔｒ１（Ｔｒ１０）の第２ゲート電極は入
力端子であるＰin−ＧＳＭ９００（増幅系ｂではＰin−
ＧＳＭ１８００）に接続されている。
【００５９】Ｔｒ１の第２ゲート電極とＴｒ４の負荷側
トランジスタのドレイン電極は抵抗Ｒ２を介して接続さ
れている。Ｖapc −ＧＳＭ９００（Ｖapc −ＧＳＭ１８
００）とＴｒ４（Ｔｒ１３）の第２ゲート電極は、分圧
抵抗を形成する抵抗Ｒ３（抵抗Ｒ１６）及び抵抗Ｒ４
（抵抗Ｒ１７）を介して接続されている。抵抗Ｒ３（抵
抗Ｒ１６）と抵抗Ｒ４（抵抗Ｒ１７）との間の配線部分
はＴｒ４（Ｔｒ１３）の負荷側トランジスタのドレイン
電極に接続されている。抵抗Ｒ３（抵抗Ｒ１６）及び抵
抗Ｒ４（抵抗Ｒ１７）によってバイアス回路が構成され
ている。
【００６０】Ｔｒ４（Ｔｒ１３）の第２ゲート電極と切
替スイッチ用のトランジスタＴｒ７（Ｔｒ１６）のドレ
イン電極は接続されている。このトランジスタのソース
電極は接地される。このトランジスタのゲート電極は抵
抗Ｒ５（抵抗Ｒ１８）を介してモード切替端子（ｍｏｄ
ｅ−ＳＷ）に接続されている。
【００６１】２段目は、上記初段とはデュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴとシングルゲートＭＯＳＦＥＴとの違いはあ
るが、モード切替端子にゲート電極が接続される切替ス
イッチ用のトランジスタＴｒ８（Ｔｒ１７）が設けられ
ている。このトランジスタＴｒ８（Ｔｒ１７）のソース
電極は接地され、ドレイン電極はカレントミラー回路を
形成するＴｒ５（Ｔｒ１４）のゲート電極に接続されて
いる。
【００６２】Ｔｒ５（Ｔｒ１４）のドレイン電極は抵抗
Ｒ９（Ｒ２２）を介してＴｒ２（Ｔｒ１１）のゲート電
極に接続されている。
【００６３】Ｖapc −ＧＳＭ９００（Ｖapc −ＧＳＭ１
８００）とＴｒ５（Ｔｒ１４）のゲート電極間には、分
圧抵抗を形成する抵抗Ｒ７（Ｒ２０）及び抵抗Ｒ６（抵
抗Ｒ１９）を介して接続されている。抵抗Ｒ７（抵抗Ｒ
２０）と抵抗Ｒ６（抵抗Ｒ１９）との間の配線部分はＴ
ｒ５（Ｔｒ１４）のドレイン電極に接続されている。抵
抗Ｒ７（Ｒ２０）及び抵抗Ｒ６（抵抗Ｒ１９）によって
バイアス回路が形成される。
【００６４】３段目は、２段目は同様に、モード切替端
子にゲート電極が接続される切替スイッチ用のトランジ
スタＴｒ９（Ｔｒ１８）が設けられている。このトラン
ジスタＴｒ９（Ｔｒ１８）のソース電極は接地され、ド
レイン電極はカレントミラー回路を形成するＴｒ６（Ｔ
ｒ１５）のゲート電極に接続されている。
【００６５】Ｔｒ６（Ｔｒ１５）のドレイン電極は抵抗
Ｒ１３（Ｒ２６）を介してＴｒ３（Ｔｒ１２）のゲート
電極に接続されている。
【００６６】Ｖapc −ＧＳＭ９００（Ｖapc −ＧＳＭ１
８００）とＴｒ６（Ｔｒ１５）のゲート電極間には、分
圧抵抗を形成する抵抗Ｒ１０（Ｒ２３）及び抵抗Ｒ１１
（抵抗Ｒ２４）を介して接続されている。抵抗Ｒ１０
（抵抗Ｒ２３）と抵抗Ｒ１１（抵抗Ｒ２４）との間の配
線部分はＴｒ６（Ｔｒ１５）のドレイン電極に接続され
ている。抵抗Ｒ１０（Ｒ２３）及び抵抗Ｒ１１（抵抗Ｒ
２４）によってバイアス回路が形成される。
【００６７】Ｔｒ１（Ｔｒ１０）の負荷側トランジス
タ、Ｔｒ２（Ｔｒ１１）及びＴｒ３（Ｔｒ１２）のドレ
イン電極は、Ｖdd−ＧＳＭ９００（Ｖdd−ＧＳＭ１８０
０）に接続されて第１基準電位（Ｖdd）が供給されるよ
うになっている。Ｔｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９（Ｔｒ１６，
Ｔｒ１７，Ｔｒ１８）によってモード切替回路が形成さ
れている。なお、回路図中のＬ１〜Ｌ１４はインピーダ
ンス整合回路である。
【００６８】このような、図６の等価回路で示す高周波
電力増幅装置は、図７に示すように無線通信機に組み込
まれて使用される。図７は無線通信機の一部を示すブロ
ック図であり、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦlinear）２６
からアンテナ（Ａntenna）３６までの部分を示す。
【００６９】アンテナ３６はアンテナ送受信切替器４０
のアンテナ端子ｅに接続されている。このアンテナ端子
ｅと送信受信切替スイッチ３５は電気的に接続されてい
る。送信受信切替スイッチ３５はコントロール端子ctl
に供給される切り替え信号によって動作し、スイッチを
ａ端子３５ａまたはｂ端子３５ｂに切り替える。ａ端子
３５ａに繋がる回路系が送信系回路を構成し、ｂ端子３
５ｂに繋がる回路系が受信系回路を構成する。即ち、ア
ンテナ送受信切替器４０の受信端子ＲＸとｂ端子３５ｂ
との間には容量Ｃが介在される。また、受信端子ＲＸと
高周波信号処理ＩＣ２６との間には、フィルター３７と
低雑音アンプ（ＬＮＡ）３８が順次接続される構成にな
っている。
【００７０】送信系回路には、前述の高周波電力増幅装
置（ＰＡ）２０が設けられている。この高周波電力増幅
装置２０には、高周波信号処理ＩＣ２６のベースバンド
２７から送出された信号が、電圧制御発振器（ＶＣＯ）
２８，ミキサー２９，自動利得制御回路（ＡＧＣ回路）
３０を介して入力される。また、高周波電力増幅装置２
０の出力は、アンテナ送受信切替器４０の入力端子ｄに
出力される。アンテナ送受信切替器４０は高周波電力増
幅装置２０から出力された信号を濾波するフィルター３
４が設けられている。このフィルター３４を通過した信
号は送信受信切替スイッチ３５のａ端子３５ａに送られ
る。
【００７１】高周波電力増幅装置２０は、自動出力制御
回路（ＡＰＣ回路）３２によって制御される。このＡＰ
Ｃ回路３２は高周波信号処理ＩＣ２６から送出される信
号に基づいて動作するＣＰＵ３１によって制御される。
高周波電力増幅装置２０の出力変動はカップラー３３に
よって検出され、この検出値は前記ＡＰＣ回路３２にフ
ィードバックされる。ＡＰＣ回路３２からはＡＧＣ回路
３０及び高周波電力増幅装置２０に制御信号が送出され
る。ＡＰＣ回路３２から高周波電力増幅装置２０には、
Ｖapc ／ＡＭ信号が送られる。また、高周波信号処理Ｉ
Ｃ２６から高周波電力増幅装置２０にはＶTXon信号とＧ
ＳＭ／ＥＤＧＥモード切り替え信号が送られる。
【００７２】ベースバンド２７から送出されるＲＦ信号
はＡＰＣ回路３２によって増幅制御され、送信受信切替
スイッチ３５の切り替え動作によってアンテナ３６に送
られる。アンテナ３６で受信された受信信号は、送信受
信切替スイッチ３５の切り替え動作によって受信端子Ｒ
Ｘを通り、フィルター３７及びＬＮＡ３８を通って高周
波信号処理ＩＣ２６に送られる。
【００７３】本実施形態１の無線通信機では、ＧＳＭ９
００とＧＳＭ１８００のデュアルバンド構成となるとと
もに、各バンドはモード切替トランジスタのオン・オフ
動作によってＧＳＭシステムとＥＤＧＥシステムに切り
替わり、４形態の無線通信（ＧＳＭ９００，ＧＳＭ１８
００，ＥＤＧＥ９００，ＥＤＧＥ１８００）が可能にな
る。
【００７４】ＧＳＭモード（ＧＳＭ ＭＯＤＥ）及びＥ
ＤＧＥモード（ＥＤＧＥ ＭＯＤＥ）では、変調時図８
及び図９に示すようなタイムマスクが使用される。図８
は従来のＧＳＭ変調方式のタイムマスクと、それに付随
する高周波電力増幅装置（パワーアンプ）への信号の働
きを示す。ハンドセットの動作状態において、パワーア
ンプへは、ＧＭＳＫの位相変調信号を有する一定の入力
電力（Ｐin）が入力されている。ベースバンドを含むＲ
Ｆリニア制御部から送信せよというＶTXon信号がパワー
アンプに送られると、それに応じてパワーアンプが待機
状態〔Ｖapc 電圧で出力電力（Ｐout ）を可変できる状
態〕になり、基地局からのパワークラス指定に応じてＶ
apc 電圧コントロールにてパワーアンプのＰout をパワ
ー制御する。
【００７５】この一連の動作においてＧＳＭモード１ス
ロットの場合、図に示すタイムマスク（色付き部）内で
のパワーの立ち上げ及び立ち下げを行う必要があり、実
際にはパワーはあるクラスでの一定状態にて位相情報信
号を有するＧＭＳＫ変調（位相変調）が行われることに
なる。
【００７６】一方、ＥＤＧＥ変調方式の場合、ＧＭＳＫ
の位相変調（ＰＭ）にプラスしてＡＭ成分を有するた
め、図９に示すように、８−ＰＳＫのＡＭ／ＰＭ成分を
含む変調を行う必要がある。つまりＧＳＭモード時と異
なり、信号のリニア増幅が要求される。従って、この場
合、ＶTXon信号でパワーアンプを待機状態に（この場合
は線形性を確保できるバイアス印加を行う）して、Ｖap
c 電圧コントロールでＥＤＧＥのＡＭ変調をパワークラ
ス制御と同じく行うことになる。これは従来方式では、
このＶapc 電圧は固定でＡＧＣプリアンプで行っていた
機能である。なお、１スロットでのタイムマスク指定及
びパワークラスをある一定状態で変調する点はＧＳＭモ
ードと同じである。
【００７７】つぎに、３つの動作例について説明する。
これら３つの動作例では、図１７の表に示すように、Ｇ
ＳＭモードはいずれの動作例でも同じであるが、ＥＤＧ
Ｅモードは、ＥＤＧＥモード１，ＥＤＧＥモード２，Ｅ
ＤＧＥモード３と異なる。
【００７８】（動作例１）動作例１においては、高周波
電力増幅装置（パワーアンプ）２０は、図７のブロック
に示す状態で使用される。そして、図１７に示すように
バイアス構成は、ＧＳＭモードでは、Ｖcgs はＡＰＣ、
Ｖgs１はＡＰＣ又は固定、Ｖgs２及びＶgs３はＡＰＣ、
Ｐinは固定状態で使用される。従って、このＧＳＭモー
ドでは、パワーアンプに送り込む入力信号をＡＧＣで制
御する必要はなくなる。
【００７９】ＥＤＧＥモードはＥＤＧＥモード１を採用
する。ＥＤＧＥモード１では、Ｖcgs は所望の電位を選
択して固定する。また、Ｖgs１，Ｖgs２及びＶgs３は固
定する。パワーアンプに送り込む入力信号ＰinはＡＧＣ
で制御する。
【００８０】なお、本発明に先立つ検討回路のバイアス
構成は、図１７の表に示すように、ＧＳＭモードでは、
Ｖcgs ，Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs３はＡＰＣ、Ｐinは固定
状態で使用する。従って、ＡＧＣ制御は不要となる。Ｅ
ＤＧＥモードでは、Ｖcgs ，Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs３は
固定し、ＰinはＡＧＣ制御する。
【００８１】動作例１におけるＧＳＭモードでは、Ｖgs
１はＡＰＣまたは固定とするが、固定の場合には以下の
ような特長を有することになる。
【００８２】Ｖgs１を固定にすることにより、入力（Ｐ
in）から見たインピーダンスが安定すること。ＡＰＣ電
圧を下げて行き、Ｐout を１ｍＷ程度まで下げた場合の
初段ＦＥＴのリニアリティが維持できる利点がある。
【００８３】このような使用形態について説明する。Ｇ
ＳＭ９００モードの場合、各段のＶgs１，Ｖgs２，Ｖgs
３を所望のパワークラスに応じて自動パワー制御（ＡＰ
Ｃ）する必要があり、ｍｏｄｅ−ＳＷは２〜２．５Ｖ
程度の電圧（High）に設定する。
【００８４】上記により、Ｔｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９
のゲートバイアスが閾値電圧（Ｖth）よりも高くなるた
め、各々のＴｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９のドレイン−ソース
間に電流が流れ、抵抗Ｒ４，Ｒ６，Ｒ１１はそれぞれの
Ｔｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９のソースのＧＮＤに接地された
状態となる。この時、Ｔｒ４の第２ゲート電極及びＴｒ
５，Ｔｒ６のゲートバイアスはＴｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９
がＯＮすることで、閾値電圧よりも低電位となるから、
カレントミラー回路には電流がほとんど流れない。従っ
て、各増幅段のＶgs（Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs３）はそれ
ぞれＲ３対Ｒ４、Ｒ７対Ｒ６、Ｒ１０対Ｒ１１の各分圧
抵抗比に基づき、設定することができる。
【００８５】上記の状態において、Ｖapc −ＧＳＭ
９００からＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３のＶgs（Ｖgs１，Ｖ
gs２，Ｖgs３）電圧を可変させることにより、ＧＳＭ
（飽和モード）でのバイアス動作が可能になる。なお、
Ｖcgs −ＧＳＭ９００には、Ｖapc −ＧＳＭ９００と共
通なバイアス値が供給されるように、前記各抵抗比率が
設定されている。
【００８６】一方、ＥＤＧＥモード（ＥＤＧＥ９０
０）の場合は、ｍｏｄｅ−ＳＷを０〜０．３Ｖ程度の電
圧（Low ）に切り替える。
【００８７】上記よりＴｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９のゲ
ートバイアスは閾値電圧（Ｖth）よりも低いことから、
Ｒ４，Ｒ６，Ｒ１１のＴｒ７，Ｔｒ８，Ｔｒ９側はＯＰ
ＥＮ状態となる。従って、各増幅段のＶgs（Ｖgs１，Ｖ
gs２，Ｖgs３）にそれぞれＲ３とＲ４＋Ｔｒ４で構成さ
れたカレントミラー回路、Ｒ７とＲ６＋Ｔｒ５で構成さ
れたカレントミラー回路、Ｒ１０とＲ１１＋Ｔｒ６で構
成されたカレントミラー回路で構成されたバイアス回路
に基づき、温度特性が補償された一定バイアスを与える
ことができる。即ち、線形アンプに必要な温度特性補償
されたアイドル電流を与えることができる。
【００８８】この時、コントロールゲート側バイアス
Ｖcgs −ＧＳＭ９００の電位を可変にすることにより、
初段トランジスタＴｒ１の負荷側トランジスタのドレイ
ン電圧を可変できるので、初段トランジスタＴｒ１から
出る波形を大きく歪ませなくて済む。従って、ＥＤＧＥ
の線形動作、即ち、ＡＣＰＲ（隣接チャネル漏洩電力）
の仕様を満たした状態で、図１０及び図１１に示すよう
に増幅器の利得を可変できる。
【００８９】図１０はＥＤＧＥ出力電力とＥＤＧＥＧａ
ｉｎとの相関を示すグラフである。同グラフでは、Ｇａ
ｉｎ（利得）が従来の例と、本動作例１においてＶcgs
を変化させた場合（Ｖcgs ＝１．０Ｖ，Ｖcgs ＝１．０
５Ｖ，Ｖcgs ＝１．１５Ｖ，Ｖcgs ＝１．３０Ｖ）での
Ｇａｉｎの違いを示すものである。この場合の各端子に
印加供給する電位は、Ｖdd＝３．５Ｖ、Ｖapc ＝２．２
Ｖ、周波数＝９００ＭＨｚ、Ｐin＝制御電位である。こ
のようにＶcgs の電位制御によってＥＤＧＥのＧａｉｎ
を変化させることができる。
【００９０】図１１はＥＤＧＥ出力電力と隣接チャネル
漏洩電力〔ＡＣＰＲ：４００ＫＨｚ（ｄＢｃ）〕との相
関を示すグラフである。ＡＣＰＲが−５７ｄＢｃより小
さく、Ｐout が２８．５ｄＢｍよりも低い領域（色付け
した領域）が仕様を満たす範囲である。
【００９１】この動作例は、バイアス一定で入力電力
（Ｐin）を変化させた例であり、Ｖcgs バイアス値をＧ
ＳＭ動作時と同じくした初期状態に比べ、２０ｄＢ以上
もの利得低減が可能になる。
【００９２】このように動作例１では、初段のデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴのコントロールゲートを含むバイア
ス回路をＥＤＧＥモード使用時に用い、カレントミラー
回路等を駆使したバイアス回路を、ＧＳＭモード及びＥ
ＤＧＥモードのそれぞれのモードに応じて切り替えるこ
とにより、ＧＳＭと同一チェーンの３段構成でＥＤＧＥ
利得を目標の３５ｄＢ前後に低減できるため、携帯電話
実機上において、ノイズや制御性に悪影響を与えない程
度の利得でＥＤＧＥモードの増幅が実現できる。
【００９３】（動作例２）次に他の動作例について説明
する。この動作例では、無線通信機の機能構成は図１２
に示すようになる。即ち、上記動作例１の場合は図７に
示すように、パワーアンプに送り込む入力電力をＡＧＣ
回路で制御したが、図１２に示すように動作例２ではミ
キサー２９から直接パワーアンプ２０に入力するもので
ある。
【００９４】動作例２ではＥＤＧＥモードは、図１７に
示すように、ＥＤＧＥモード２のようになる。ＥＤＧＥ
モード２では、Ｖcgs はＡＰＣ、Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs
３，Ｐinは固定状態で使用する。従って、ＡＧＣ制御は
不要となる。
【００９５】即ち、動作例２におけるＥＤＧＥモード２
では、ＥＤＧＥ入力電力（Ｐin）を一定にし、Ｖapc を
あるバイアス値（ここではＶapc ＝２．２Ｖ）に固定し
て、Ｖcgs のみでＥＤＧＥパワーを制御するものであ
る。
【００９６】図１３はＥＤＧＥモード２における出力電
力及びパワーアンプ効率（ＰＡＥ）と、初段デュアルゲ
ートのＶcgs との相関を示すグラフである。このグラフ
から明らかなように、ＡＣＰＲを目標の−５７ｄＢｃ以
下に維持した状態で、パワー制御が実現できるのが分か
る。即ち、これまでの線形アンプで必須であったＡＧＣ
回路が不要になり、ＧＳＭ動作時と同じく入力電力一定
でＡＰＣ電圧（ここではＶcgs ）のパワーコントロール
が可能となる。
【００９７】この時、パワーＯＦＦ時のアンプの入出力
アイソレーションは、ＶTXon信号を用いてＶcgs のタイ
ムマスクを含む形でＶapc を別途０Ｖと２．２ＶでＯＮ
／ＯＦＦさせることにより確保できる。
【００９８】動作例２のＥＤＧＥモード２の場合、図１
８及び図１９に示すような使用が可能になる。図１８は
ダイレクトコンバージョン方式において、本実施形態１
の高周波電力増幅装置を組み込んだ本発明方式と、ＡＧ
Ｃ回路を組み込んだ従来方式を示すブロック図であり、
図１９はオフセットＰＬＬ方式において、本実施形態１
の高周波電力増幅装置を組み込んだ本発明方式と、ＡＧ
Ｃ回路を組み込んだ従来方式を示すブロック図である。
【００９９】図１８に示すダイレクトコンバージョン方
式において、アンテナ出力を一定にするための制御を、
パワーアンプの前段にあるＡＧＣアンプのゲインを制御
することにより実現している。これに対して本実施形態
１では、ＡＧＣを使用することなく、パワーアンプ内の
初段デュアルゲートＦＥＴのコントロールゲート電圧を
制御することにより実現している。
【０１００】また、図１９に示すオフセットＰＬＬ方式
において、従来方式では、ベースバンドから出力される
ＥＤＧＥ変調のＡＭ・ＰＭ信号成分をミキサーで合成し
た後、その信号をＡＧＣアンプでゲイン調整し、その
後、パワーアンプに入力しており、アンテナ出力の制御
はパワーアンプ前段のＡＧＣアンプのゲインを可変する
ことで行っている。
【０１０１】これに対して本実施形態１では、上記の信
号処理及び利得制御を、パワーアンプ内の初段デュアル
ゲートＦＥＴのコントロールゲート電圧を制御すること
により実現しており、ＡＧＣはもとより、ミキサーも不
要とすることができる。
【０１０２】これらの方式の利点としては、ＥＤＧＥ動
作の際にコントロールゲートＶcgsにＡＭ変調、入力端
子（Ｐin）からＰＭ変調を分けて入力とする構成を容易
にとることができる点にある。
【０１０３】また、オフセットＰＬＬ方式及びダイレク
トコンバージョン方式共に、ＡＧＣ回路が不要になる。
また、オフセットＰＬＬ方式ではミキサーも不要にな
る。即ち、本実施形態では、コントロールゲートを用い
ることで、これまで述べてきたようにＶcgs 電圧を用い
たＡＭ振幅での線形性が確保できることから、入力から
ＰＭ変調、Ｖcgs からＡＭ変調を初段デュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴにより合成するミキサー機能を有することに
なる。
【０１０４】従って、ＡＧＣ回路またはＡＧＣ回路とミ
キサーが不要となることから、パワーアンプ外部のセッ
トの構成部品数を大幅に低減でき、無線通信機のコスト
低減が達成できる。
【０１０５】（動作例３）次に他の動作例について説明
する。この動作例では、無線通信機の機能構成は図１４
に示すようになる。即ち、上記動作例２の場合における
高周波信号処理ＩＣ２６からパワーアンプ２０に送るＶ
TXon信号が無くなる状態である。
【０１０６】動作例３ではＥＤＧＥモードは、図１７に
示すように、ＥＤＧＥモード３のようになる。ＥＤＧＥ
モード３では、Ｖcgs ，Ｖgs１，Ｖgs２，Ｖgs３はＡＰ
Ｃ、Ｐinは固定状態で使用する。この場合もＡＧＣ制御
は不要となる。
【０１０７】即ち、動作例３におけるＥＤＧＥモード３
では、Ｖapc 電圧とＶcgs とを線形性（ＡＣＰＲ）を満
たす範囲である相関を保ちながら、入力電力一定にて電
圧制御での出力電力コントロールを行う。この状態で得
られた関係を図１５及び図１６に示す。図１５は動作例
３におけるＶapc と、初段デュアルゲートのＶcgsとの
相関を示すグラフであり、図１６は動作例３におけるＶ
apc に対する出力電力及びＡＣＰＲとの相関を示すグラ
フである。
【０１０８】ＥＤＧＥモード３の場合、ＥＤＧＥ動作時
はＧＳＭ動作時に比べパワー段（最終増幅段）をＡ級に
近い状態で駆動させる必要があるため、パワー段への入
力電力を下げる必要がある。つまり、Ｖcgs ／Ｖapc の
値をＧＳＭ動作時のそれに比べて小さくする必要があ
る。ＥＤＧＥモード３では、図１５のグラフの相関を保
つことで、各増幅段の線形性を維持しながら、全てのゲ
ートバイアス可変でのＥＤＧＥ動作が確認できた。図１
６に示すように、ＡＣＰＲ仕様は−５７ｄＢｃ以下とす
る。
【０１０９】ＥＤＧＥモード３による制御方法の利点
は、低出力時の動作電流を、上記動作例２によるＥＤＧ
Ｅモード２の制御方法（Ｖapc ＝固定）に対し削減でき
る点、及び出力ＯＦＦ時に全てのトランジスタのゲート
バイアスがＯＦＦされるため、アンプの入出力アイソレ
ーションが確保できる点にある。
【０１１０】ただし、前述のようにＶapc 電圧とＶcgs
電圧の相関を線形性を満たす範囲で別途維持する必要が
新たに生じる。この関係は整合やトランジスタの種類、
バイアス構成などによって当然異なるのは言うまでもな
い。
【０１１１】本実施形態は前述の動作例に限定されるも
のではない。例えば、他の動作例としては、増幅系の２
段目のトランジスタもデュアルゲートＭＯＳＦＥＴを用
い、Ｖcgs と３段目のＶgs３のみをＥＤＧＥＡＰＣコン
トロールに用いてもよい。
【０１１２】（実施形態２）図２０は本発明の他の実施
形態（実施形態２）である高周波電力増幅装置の回路構
成を示すブロック図である。
【０１１３】本実施形態２では、初段のデュアルゲート
ＭＯＳＦＥＴのみを共有化し、２段目以降の増幅するト
ランジスタを分けた１入力２出力の構成を示すものであ
る。この例では、ＧＳＭとＷ（Wideband）−ＣＤＭＡに
適用した例を示す。初段のトランジスタの共用化によ
り、より小型化が達成できる。なお、初段も分けて２入
力、２出力にした構成でもよい。この場合、Ｗ−ＣＤＭ
Ａは線形動作であるので、当然デュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴを用いることは言うまでもない。以上本発明者によ
ってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは
いうまでもない、たとえば、ＰＣＳ（Personal Communi
cation System ）通信やマルチメディアを対象とするＷ
−ＣＤＭＡ等の２ＧＨｚ帯のデジタル通信用の増幅も単
一の高周波電力増幅装置に組み込むことができる。ま
た、ＡＭＰＳとＴＤＭＡなど別の飽和／線形システムで
もよい。
【０１１４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【０１１５】（１）飽和動作するシステムと線形動作す
るシステムをノイズ発生を抑止した状態で同一回路内に
共存できる高周波電力増幅装置及び無線通信機を提供す
ることができる。
【０１１６】（２）ＧＳＭシステム（飽和動作するシス
テム）とＥＤＧＥシステム（線形動作するシステム）を
ノイズ発生を抑止した状態で同一回路内に共存できる高
周波電力増幅装置及び無線通信機を提供することができ
る。
【０１１７】（３）ノイズ発生が抑止できる高性能な複
数モード・複数バンド構成の高周波電力増幅装置及び無
線通信機を提供することができる。
【０１１８】（４）部品点数の低減から高周波電力増幅
装置及び無線通信機の製造コストの低減が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である高周
波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態１の高周波電力増幅装置の平面図で
ある。
【図３】本実施形態１の高周波電力増幅装置の側面図で
ある。
【図４】本実施形態１の高周波電力増幅装置の正面図で
ある。
【図５】本実施形態１の高周波電力増幅装置の底面の電
極パターンを透視的に示す模式的平面図である。
【図６】本実施形態１の高周波電力増幅装置の等価回路
図である。
【図７】本実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込ん
だ無線通信機の機能構成を示す一部のブロック図であ
る。
【図８】デュアルバンド高周波電力増幅装置のＧＳＭモ
ードでのタイムマスクを示す模式図である。
【図９】デュアルバンド高周波電力増幅装置のＥＤＧＥ
モードでのタイムマスクを示す模式図である。
【図１０】本実施形態１の高周波電力増幅装置の動作例
１におけるＥＤＧＥ出力電力とＥＤＧＥＧａｉｎとの相
関を示すグラフである。
【図１１】前記動作例１におけるＥＤＧＥ出力電力と隣
接チャネル漏洩電力（ＡＣＰＲ）との相関を示すグラフ
である。
【図１２】本実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込
んだ無線通信機の機能構成を示す一部のブロック図であ
る。
【図１３】本実施形態１の高周波電力増幅装置の動作例
２における出力電力及びパワーアンプ効率（ＰＡＥ）
と、初段デュアルゲートのＶcgs との相関を示すグラフ
である。
【図１４】本実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込
んだ無線通信機の機能構成を示す一部のブロック図であ
る。
【図１５】本実施形態１の高周波電力増幅装置の動作例
３におけるＶapc と、初段デュアルゲートのＶcgs との
相関を示すグラフである。
【図１６】本実施形態１の高周波電力増幅装置の動作例
３におけるＶapc に対する出力電力及びＡＣＰＲとの相
関を示すグラフである。
【図１７】前記動作例１・２・３における無線通信機の
機能構成を示す一部のブロック図である。
【図１８】ダイレクトコンバージョン方式において、本
実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込んだ本発明方
式と、ＡＧＣ回路を組み込んだ従来方式を示すブロック
図である。
【図１９】オフセットＰＬＬ方式において、本実施形態
１の高周波電力増幅装置を組み込んだ本発明方式と、Ａ
ＧＣ回路を組み込んだ従来方式を示すブロック図であ
る。
【図２０】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
１…Ｖcgs −ＧＳＭ９００用端子、２…ノンコンタクト
端子（Ｎ／Ｃ）、３…Ｐout −ＧＳＭ９００用端子、４
…Ｖdd−ＧＳＭ９００用端子、５…Ｖdd−ＧＳＭ１８０
０用端子、６…Ｐout −ＧＳＭ１８００用端子、７…モ
ード切替スイッチ（ｍｏｄｅ−ＳＷ）、８…Ｖcgs ＧＳ
Ｍ１８００用端子、９…Ｐin−ＧＳＭ１８００用端子、
１０…Ｖapc −ＧＳＭ１８００用端子、１１…Ｖapc −
ＧＳＭ９００用端子、１２…Ｐin−ＧＳＭ９００用端
子、Ｇ…ＧＮＤ用端子、２０…高周波電力増幅装置、２
１…モジュール基板、２２…キャップ、２３…パッケー
ジ、２６…高周波信号処理ＩＣ（ＲＦlinear）、２７…
ベースバンド、２８…電圧制御発振器（ＶＣＯ）、２９
…ミキサー、３０…ＡＧＣ回路、３１…ＣＰＵ、３２…
ＡＰＣ回路、３３…カップラー、３４…フィルター、３
５…送信受信切替スイッチ、３５ａ…ａ端子、３５ｂ…
ｂ端子、３６…アンテナ（Ａntenna）、３７…フィルタ
ー、３８…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、４０…アンテナ送
受信切替器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｇ 3/20 Ｈ０３Ｇ 3/20 Ｃ ５Ｋ０１１ Ｈ０４Ｂ 1/40 Ｈ０４Ｂ 1/40 Ｆターム(参考） 5J069 AA01 AA41 CA02 CA41 CA87 FA10 HA10 HA13 HA25 HA29 HA38 KA00 KA09 KA12 KA29 KA32 KA41 KA68 MA08 QA04 SA14 TA01 TA02 TA06 5J090 AA01 AA41 CA02 CA41 CA87 CN04 FA10 HA10 HA13 HA25 HA29 HA38 KA00 KA09 KA12 KA29 KA32 KA41 KA68 QA04 SA14 TA01 TA02 TA06 5J091 AA01 AA41 CA02 CA41 CA87 FA10 HA10 HA13 HA25 HA29 HA38 KA00 KA09 KA12 KA29 KA32 KA41 KA68 MA08 QA04 SA14 TA01 TA02 TA06 UW08 5J092 AA01 AA41 CA02 CA41 CA87 FA10 HA10 HA13 HA25 HA29 HA38 KA00 KA09 KA12 KA29 KA32 KA41 KA68 MA08 QA04 SA14 TA01 TA02 TA06 UR12 5J100 JA01 KA05 LA00 LA10 QA01 SA01 5K011 BA10 DA12 EA03 JA01 KA01 KA04

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】増幅されるべき信号が供給される入力端子
    と、 出力端子と、 コントロール端子と、 モード切替端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続される複数
    の増幅段とを有し、 上記複数の増幅段のそれぞれは、その段への入力信号を
    受ける第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２
    の端子と、その段のための基準電位を受けるための第３
    の端子とからなり、 上記コントロール端子と上記各増幅段の第１の端子間に
    それぞれ接続され、上記コントロール端子に供給される
    電圧に従った直流バイアス電位を上記第１の端子に印加
    するバイアス回路と、 上記各増幅段に対してそれぞれカレントミラー回路を構
    成する複数の温度特性補償回路と、 上記モード切替端子に供給される信号によって動作し、
    上記各温度特性補償回路をオン・オフさせて通信モード
    を切り替えるモード切替回路とを備え、 上記増幅段のうち最終段の増幅段を除く１乃至複数の増
    幅段と、この増幅段に対応する温度特性補償回路は、直
    列接続される負荷側半導体増幅素子と接地側半導体増幅
    素子でそれぞれ構成され、上記増幅段の負荷側半導体増
    幅素子の制御端子とこれに対応する温度特性補償回路の
    負荷側半導体増幅素子の制御端子は接続され、上記増幅
    段の接地側半導体増幅素子の制御端子は上記増幅段用の
    バイアス回路の分圧抵抗を形成する抵抗間に接続され、 異なる上記通信モードの利得が近似するように、一方の
    通信モードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制
    御端子にはＡＰＣ信号を印加し、 上記各増幅段の第１の端子にバイアス電位としてそれぞ
    れ所定の固定電位を印加することを特徴とする高周波電
    力増幅装置。
  2. 【請求項２】上記モード切替回路の動作によって、位相
    変調回路構成または位相及び振幅変調回路構成に切り替
    わることを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅
    装置。
  3. 【請求項３】上記モード切替回路の動作によって、飽和
    アンプ用回路構成または線形アンプ用回路構成に切り替
    わることを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅
    装置。
  4. 【請求項４】上記モード切替回路の動作によって、ＧＳ
    Ｍ用回路構成またはＥＤＧＥ用回路構成に切り替わるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅装置。
  5. 【請求項５】上記複数の増幅段とこれに付随する上記バ
    イアス回路及び温度特性補償回路は複数組設けられて複
    数の増幅系を構成するとともに、上記複数の増幅系の各
    増幅系は上記モード切替端子に接続されて多モード多バ
    ンド用の高周波電力増幅装置を構成していることを特徴
    とする請求項１に記載の高周波電力増幅装置。
  6. 【請求項６】上記複数の増幅系の初段増幅段は共有した
    構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の高
    周波電力増幅装置。
  7. 【請求項７】上記直列接続される負荷側半導体増幅素子
    と接地側半導体増幅素子はデュアルゲート型の半導体増
    幅素子であることを特徴とする請求項１に記載の高周波
    電力増幅装置。
  8. 【請求項８】増幅されるべき信号が供給される入力端子
    と、 出力端子と、 コントロール端子と、 モード切替端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続される複数
    の増幅段とを有し、 上記複数の増幅段のそれぞれは、その段への入力信号を
    受ける第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２
    の端子と、その段のための基準電位を受けるための第３
    の端子とからなり、 上記コントロール端子と上記各増幅段の第１の端子間に
    それぞれ接続され、上記コントロール端子に供給される
    電圧に従った直流バイアス電位を上記第１の端子に印加
    するバイアス回路と、 上記各増幅段に対してそれぞれカレントミラー回路を構
    成する複数の温度特性補償回路と、 上記モード切替端子に供給される信号によって動作し、
    上記各温度特性補償回路をオン・オフさせて通信モード
    を切り替えるモード切替回路とを備え、 上記増幅段のうち最終段の増幅段を除く１乃至複数の増
    幅段と、この増幅段に対応する温度特性補償回路は、直
    列接続される負荷側半導体増幅素子と接地側半導体増幅
    素子でそれぞれ構成され、上記増幅段の負荷側半導体増
    幅素子の制御端子とこれに対応する温度特性補償回路の
    負荷側半導体増幅素子の制御端子は接続され、上記増幅
    段の接地側半導体増幅素子の制御端子は上記増幅段用の
    バイアス回路の分圧抵抗を形成する抵抗間に接続され、 異なる上記通信モードの利得が近似するように、一方の
    通信モードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制
    御端子にはＡＰＣ信号を印加し、 上記各増幅段の第１の端子にバイアス電位としてそれぞ
    れＡＰＣ信号を印加することを特徴とする高周波電力増
    幅装置。
  9. 【請求項９】上記モード切替回路の動作によって、位相
    変調回路構成または位相及び振幅変調回路構成に切り替
    わることを特徴とする請求項８に記載の高周波電力増幅
    装置。
  10. 【請求項１０】上記モード切替回路の動作によって、飽
    和アンプ用回路構成または線形アンプ用回路構成に切り
    替わることを特徴とする請求項８に記載の高周波電力増
    幅装置。
  11. 【請求項１１】上記モード切替回路の動作によって、Ｇ
    ＳＭ用回路構成またはＥＤＧＥ用回路構成に切り替わる
    ことを特徴とする請求項８に記載の高周波電力増幅装
    置。
  12. 【請求項１２】上記複数の増幅段とこれに付随する上記
    バイアス回路及び温度特性補償回路は複数組設けられて
    複数の増幅系を構成するとともに、上記複数の増幅系の
    各増幅系は上記モード切替端子に接続されて多モード多
    バンド用の高周波電力増幅装置を構成していることを特
    徴とする請求項８に記載の高周波電力増幅装置。
  13. 【請求項１３】上記複数の増幅系の初段増幅段は共有し
    た構成になっていることを特徴とする請求項８に記載の
    高周波電力増幅装置。
  14. 【請求項１４】上記直列接続される負荷側半導体増幅素
    子と接地側半導体増幅素子はデュアルゲート型の半導体
    増幅素子であることを特徴とする請求項８に記載の高周
    波電力増幅装置。
  15. 【請求項１５】増幅されるべき信号が供給される入力端
    子と、 出力端子と、 コントロール端子と、 モード切替端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続される複数
    の増幅段とを有し、 上記複数の増幅段のそれぞれは、その段への入力信号を
    受ける第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２
    の端子と、その段のための基準電位を受けるための第３
    の端子とからなり、 上記コントロール端子と上記各増幅段の第１の端子間に
    それぞれ接続され、上記コントロール端子に供給される
    電圧に従った直流バイアス電位を上記第１の端子に印加
    するバイアス回路と、 上記各増幅段に対してそれぞれカレントミラー回路を構
    成する複数の温度特性補償回路と、 上記モード切替端子に供給される信号によって動作し、
    上記各温度特性補償回路をオン・オフさせて通信モード
    を切り替えるモード切替回路とを備え、 上記増幅段のうち最終段の増幅段を除く１乃至複数の増
    幅段と、この増幅段に対応する温度特性補償回路は、直
    列接続される負荷側半導体増幅素子と接地側半導体増幅
    素子でそれぞれ構成され、上記増幅段の負荷側半導体増
    幅素子の制御端子とこれに対応する温度特性補償回路の
    負荷側半導体増幅素子の制御端子は接続され、上記増幅
    段の接地側半導体増幅素子の制御端子は上記増幅段用の
    バイアス回路の分圧抵抗を形成する抵抗間に接続され、 異なる上記通信モードの利得が近似するように、一方の
    通信モードでは上記増幅段の負荷側半導体増幅素子の制
    御端子に選択固定した電位を印加し、 上記各増幅段の第１の端子にバイアス電位としてそれぞ
    れ所定の固定電位を印加することを特徴とする高周波電
    力増幅装置。
  16. 【請求項１６】上記モード切替回路の動作によって、位
    相変調回路構成または位相及び振幅変調回路構成に切り
    替わることを特徴とする請求項１５に記載の高周波電力
    増幅装置。
  17. 【請求項１７】上記モード切替回路の動作によって、飽
    和アンプ用回路構成または線形アンプ用回路構成に切り
    替わることを特徴とする請求項１５に記載の高周波電力
    増幅装置。
  18. 【請求項１８】上記モード切替回路の動作によって、Ｇ
    ＳＭ用回路構成またはＥＤＧＥ用回路構成に切り替わる
    ことを特徴とする請求項１５に記載の高周波電力増幅装
    置。
  19. 【請求項１９】上記複数の増幅段とこれに付随する上記
    バイアス回路及び温度特性補償回路は複数組設けられて
    複数の増幅系を構成するとともに、上記複数の増幅系の
    各増幅系は上記モード切替端子に接続されて多モード多
    バンド用の高周波電力増幅装置を構成していることを特
    徴とする請求項１５に記載の高周波電力増幅装置。
  20. 【請求項２０】上記複数の増幅系の初段増幅段は共有し
    た構成になっていることを特徴とする請求項１５に記載
    の高周波電力増幅装置。
  21. 【請求項２１】上記直列接続される負荷側半導体増幅素
    子と接地側半導体増幅素子はデュアルゲート型の半導体
    増幅素子であることを特徴とする請求項１５に記載の高
    周波電力増幅装置。
  22. 【請求項２２】請求項１に記載の高周波電力増幅装置を
    有する無線通信機。
  23. 【請求項２３】上記高周波電力増幅装置は入力端子に直
    交成分信号と同期成分信号を入力するダイレクトコンバ
    ージョン方式で使用されることを特徴とする請求項２２
    に記載の無線通信機。
  24. 【請求項２４】上記高周波電力増幅装置は初段増幅段の
    デュアルゲートトランジスタの第１ゲートに振幅変調信
    号を直接入力し、第２ゲートに位相信号を直接入力する
    オフセットＰＬＬ方式で使用されることを特徴とする請
    求項２２に記載の無線通信機。
  25. 【請求項２５】請求項８に記載の高周波電力増幅装置を
    有する無線通信機。
  26. 【請求項２６】請求項１５に記載の高周波電力増幅装置
    を有する無線通信機。
  27. 【請求項２７】通信モード信号に従って線形増幅動作又
    は非線形増幅動作を行う高周波電力増幅装置であって、 増幅されるべき信号が供給される入力端子と、 出力端子と、 モード切替端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続され、それ
    ぞれがその段へ供給される入力信号を受ける第１の端子
    と、その段の出力信号を送出する第２の端子とを有する
    複数の増幅段と、 上記各増幅段の第１の端子にそれぞれ接続され、バイア
    ス電位を上記第１の端子に印加するバイアス回路と、 上記モード切替端子に供給される通信モード信号に従っ
    たモード信号を形成するモード切替回路とを含み、 上記複数の増幅段のうち少なくとも１つの増幅段は互い
    に直列接続される第１半導体増幅素子と第２半導体増幅
    素子とを含み、該増幅段の第１の端子は上記第２半導体
    増幅素子の制御入力ノードに接続され、上記第２の端子
    は上記第１半導体増幅素子の出力ノードに接続され、 上記第１半導体増幅素子の制御入力ノードに上記モード
    信号が供給され、 線形増幅動作をしているとき及び非線形増幅動作をして
    いるとき、上記モード信号によって利得が制御されるこ
    とを特徴とする高周波電力増幅装置。
  28. 【請求項２８】上記モード信号に従って飽和アンプまた
    は非飽和アンプとして動作することを特徴とする請求項
    ２７に記載の高周波電力増幅装置。
  29. 【請求項２９】上記モード信号に従って、ＧＳＭ用アン
    プまたはＥＤＧＥ用アンプとして動作することを特徴と
    する請求項２７に記載の高周波電力増幅装置。
  30. 【請求項３０】上記互いに直列接続される第１半導体増
    幅素子と第２半導体増幅素子は、１個のデュアルゲート
    型の半導体増幅素子であることを特徴とする請求項２７
    に記載の高周波電力増幅装置。
  31. 【請求項３１】増幅されるべき信号が供給される入力端
    子と、 出力端子と、 モード端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続され、それ
    ぞれがその段へ供給される入力信号を受ける第１の端子
    と、その段の出力信号を送出する第２の端子とを有する
    複数の増幅段と、 上記各増幅段にバイアス電位を供給するバイアス回路
    と、 上記モード端子に供給される信号に従ったＡＧＣ信号を
    形成するモード回路とを備え、 上記増幅段のうち少なくとも１つの増幅段は、互いに直
    列接続された第１半導体増幅素子と第２半導体増幅素子
    とを有し、 上記第１半導体増幅素子の制御端子には上記ＡＧＣ信号
    が供給され、上記第１半導体増幅素子の出力端子は上記
    第２の端子に接続され、上記第２半導体増幅素子の制御
    端子は上記第１の端子に接続されていることを特徴とす
    る高周波電力増幅装置。
  32. 【請求項３２】上記直列接続される第１半導体増幅素子
    と第２半導体増幅素子は、１個のデュアルゲート型の半
    導体増幅素子であることを特徴とする請求項３１に記載
    の高周波電力増幅装置。
  33. 【請求項３３】増幅されるべき信号が供給される入力端
    子と、 出力端子と、 モード端子と、 上記入力端子と上記出力端子の間に従属接続され、それ
    ぞれがその段へ供給される入力信号を受ける第１の端子
    と、その段の出力信号を送出する第２の端子とを有する
    複数の増幅段と、 上記各増幅段にバイアス電位を印加するバイアス回路
    と、 上記モード端子に供給される信号に従ったＡＰＣ信号を
    形成するモード回路とを備え、 上記増幅段のうち少なくとも１つの増幅段は、互いに直
    列接続される第１半導体増幅素子と第２半導体増幅素子
    とを有し、 上記第１半導体増幅素子の制御端子には上記ＡＰＣ信号
    が供給され、上記第２半導体増幅素子の制御端子は第１
    の端子が接続され、上記第１半導体増幅素子の出力端子
    は上記第２の端子に接続されていることを特徴とする高
    周波電力増幅装置。
  34. 【請求項３４】上記直列接続される第１半導体増幅素子
    と第２半導体増幅素子は、１個のデュアルゲート型の半
    導体増幅素子であることを特徴とする請求項３３に記載
    の高周波電力増幅装置。
  35. 【請求項３５】請求項２７に記載の高周波電力増幅装置
    を有する無線通信機。
  36. 【請求項３６】請求項３１に記載の高周波電力増幅装置
    を有する無線通信機。
  37. 【請求項３７】請求項３３に記載の高周波電力増幅装置
    を有する無線通信機。
JP2000275605A 2000-09-11 2000-09-11 高周波電力増幅装置及び無線通信機 Expired - Lifetime JP3895532B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000275605A JP3895532B2 (ja) 2000-09-11 2000-09-11 高周波電力増幅装置及び無線通信機
EP01306974A EP1191683A3 (en) 2000-09-11 2001-08-16 High frequency power amplifier module and wireless communication apparatus
TW090120394A TW595234B (en) 2000-09-11 2001-08-20 High frequency power amplifier module and wireless communication apparatus
KR1020010050888A KR20020020836A (ko) 2000-09-11 2001-08-23 고주파 전력증폭장치 및 무선통신기
US09/938,547 US6636114B2 (en) 2000-09-11 2001-08-27 High frequency power amplifier module and wireless communication apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000275605A JP3895532B2 (ja) 2000-09-11 2000-09-11 高周波電力増幅装置及び無線通信機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002094331A true JP2002094331A (ja) 2002-03-29
JP3895532B2 JP3895532B2 (ja) 2007-03-22

Family

ID=18761205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000275605A Expired - Lifetime JP3895532B2 (ja) 2000-09-11 2000-09-11 高周波電力増幅装置及び無線通信機

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6636114B2 (ja)
EP (1) EP1191683A3 (ja)
JP (1) JP3895532B2 (ja)
KR (1) KR20020020836A (ja)
TW (1) TW595234B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006511143A (ja) * 2002-12-19 2006-03-30 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ バイアス制御を伴う電力増幅器
KR100704568B1 (ko) * 2002-08-05 2007-04-06 인티그런트 테크놀로지즈(주) 가변 이득 저잡음 증폭기
US7239855B2 (en) 2003-05-13 2007-07-03 Renesas Technology Corporation communication semiconductor integrated circuit device and wireless communication system
KR100751554B1 (ko) 2006-06-28 2007-08-23 엘지전자 주식회사 이중 대역 주파수 입력이 가능한 이동통신 단말기의 전력증폭 장치 및 전력 증폭 방법
US7346318B2 (en) 2003-05-15 2008-03-18 Renesas Technology Corp. High frequency power amplifier component and radio communication system
JP2008516510A (ja) * 2004-10-08 2008-05-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ デュアルバイアス制御回路
JP2009218996A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅装置
JP2009284034A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅器およびｒｆ電力増幅装置
JP2011512098A (ja) * 2008-02-08 2011-04-14 クゥアルコム・インコーポレイテッド 複数モード電力増幅器

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5754961A (en) 1994-06-20 1998-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Radio communication system including SDL having transmission rate of relatively high speed
JP2002111415A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 高周波電力増幅装置及び無線通信機
JP2003037454A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Hitachi Ltd 高周波電力増幅回路
CN1225082C (zh) * 2001-11-26 2005-10-26 松下电器产业株式会社 高频功率放大装置和使用它的功率放大器模块
CN1623281A (zh) * 2002-02-28 2005-06-01 株式会社瑞萨科技 高频功率放大器电路及用于通信的电子部件
JP2003298360A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Hitachi Ltd 高周波増幅器
US6937101B2 (en) 2002-04-30 2005-08-30 Skyworks Solutions, Inc. Dual mode power amplifier having a common controller
GB0212740D0 (en) * 2002-05-31 2002-07-10 Hitachi Ltd Transmitter and wireless communication apparatus using the transmitter
DE60319511T2 (de) * 2003-06-10 2009-03-26 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Reduktion von radiofrequentem Übersprechen
JP3841416B2 (ja) * 2003-10-07 2006-11-01 松下電器産業株式会社 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置
US6888410B1 (en) * 2003-10-10 2005-05-03 Broadcom Corp. Power amplifier having low gate oxide stress
US7304539B2 (en) * 2003-10-16 2007-12-04 Renesas Technology Corporation High frequency power amplifier circuit and electronic component for high frequency power amplifier
JP4394498B2 (ja) * 2004-03-31 2010-01-06 株式会社ルネサステクノロジ 高周波回路装置及びそれを用いた移動体通信端末
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
DE102005007159A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Eads Deutschland Gmbh Hochfrequenzverstärker
US7164319B2 (en) * 2005-04-29 2007-01-16 Triquint Semiconductor, Inc. Power amplifier with multi mode gain circuit
JP4750463B2 (ja) * 2005-05-11 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅器およびそれを用いた送信器および移動体通信端末
KR100756041B1 (ko) * 2005-06-27 2007-09-07 삼성전자주식회사 믹서를 이용한 도허티 증폭장치 및 송신기
US7446605B2 (en) * 2006-09-27 2008-11-04 Infineon Technologies Ag Amplifier arrangement with controllable gain and method for controlling an amplifier gain
EP2101410B1 (en) * 2006-12-26 2016-08-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Transmitting device and communication device
KR100974574B1 (ko) * 2008-01-16 2010-08-06 한국과학기술원 저항성 주파수 혼합 장치 및 이를 이용한 신호 처리 방법
CN201528316U (zh) * 2009-08-31 2010-07-14 华为终端有限公司 一种功放装置及用户设备的接收装置
DE112009005411B4 (de) * 2009-12-03 2018-10-18 Snaptrack, Inc. Leistungsverstärkerschaltung und Anpassungsschaltung
US8487706B2 (en) * 2010-01-25 2013-07-16 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked linear power amplifier with capacitor feedback and resistor isolation
US8350624B2 (en) 2010-09-01 2013-01-08 Peregrine Semiconductor Corporation Amplifiers and related biasing methods and devices
US8368462B2 (en) 2010-10-06 2013-02-05 Peregrine Semiconductor Corporation Method, system, and apparatus for RF switching amplifier
CN103477558B (zh) * 2011-08-31 2016-04-06 株式会社村田制作所 半导体集成电路装置及高频功率放大器模块
CN106533374A (zh) * 2016-09-20 2017-03-22 锐迪科微电子（上海）有限公司 一种多频gsm射频功率放大器
US9960737B1 (en) 2017-03-06 2018-05-01 Psemi Corporation Stacked PA power control
CN209375663U (zh) 2018-12-19 2019-09-10 南京米乐为微电子科技有限公司 一种高动态范围的宽频对数检波器
CN111245371B (zh) * 2020-03-06 2023-07-04 重庆百瑞互联电子技术有限公司 一种功率混频器、射频电路、装置、设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5337019A (en) * 1992-02-20 1994-08-09 Siemens Aktiengesellschaft Integrated circuit arrangement
GB2269716A (en) * 1992-08-03 1994-02-16 Texas Instruments Ltd Bias circuit for changing class of part of multistage amplifier
US5661434A (en) * 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
JP3139734B2 (ja) * 1995-11-07 2001-03-05 日本電気株式会社 可変利得増幅器
US5880631A (en) * 1996-02-28 1999-03-09 Qualcomm Incorporated High dynamic range variable gain amplifier
US5774017A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Anadigics, Inc. Multiple-band amplifier
JPH1126776A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Mitsubishi Electric Corp デュアルゲートｆｅｔ及びデュアルゲートｆｅｔを使用した高周波回路
US6172567B1 (en) * 1998-08-31 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Radio communication apparatus and radio frequency power amplifier
JP2001168647A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Hitachi Ltd 高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100704568B1 (ko) * 2002-08-05 2007-04-06 인티그런트 테크놀로지즈(주) 가변 이득 저잡음 증폭기
JP2006511143A (ja) * 2002-12-19 2006-03-30 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ バイアス制御を伴う電力増幅器
JP4744881B2 (ja) * 2002-12-19 2011-08-10 エヌエックスピー ビー ヴィ バイアス制御を伴う電力増幅器
US7239855B2 (en) 2003-05-13 2007-07-03 Renesas Technology Corporation communication semiconductor integrated circuit device and wireless communication system
US7346318B2 (en) 2003-05-15 2008-03-18 Renesas Technology Corp. High frequency power amplifier component and radio communication system
JP2008516510A (ja) * 2004-10-08 2008-05-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ デュアルバイアス制御回路
KR100751554B1 (ko) 2006-06-28 2007-08-23 엘지전자 주식회사 이중 대역 주파수 입력이 가능한 이동통신 단말기의 전력증폭 장치 및 전력 증폭 방법
JP2011512098A (ja) * 2008-02-08 2011-04-14 クゥアルコム・インコーポレイテッド 複数モード電力増幅器
US8718582B2 (en) 2008-02-08 2014-05-06 Qualcomm Incorporated Multi-mode power amplifiers
JP2009218996A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅装置
JP2009284034A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅器およびｒｆ電力増幅装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020020836A (ko) 2002-03-16
EP1191683A3 (en) 2004-05-06
JP3895532B2 (ja) 2007-03-22
US6636114B2 (en) 2003-10-21
EP1191683A2 (en) 2002-03-27
TW595234B (en) 2004-06-21
US20020030541A1 (en) 2002-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3895532B2 (ja) 高周波電力増幅装置及び無線通信機
US7227415B2 (en) High frequency power amplifier circuit and radio communication system
US7224228B2 (en) Semiconductor integrated circuit for high frequency power amplifier, electronic component for high frequency power amplifier, and radio communication system
JP4202852B2 (ja) 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置
TW548894B (en) High frequency power amplifying method and wireless communication apparatus
JP2004159221A (ja) 通信用半導体集積回路および無線通信システム
JP2001168647A (ja) 高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置
WO1997013320A1 (fr) Amplificateur de puissance et dispositif de telecommunications
WO2004023649A1 (ja) 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム
JP2003298360A (ja) 高周波増幅器
JP2004193846A (ja) 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム
JP2006319737A (ja) 半導体集積回路装置
JP2006094076A (ja) 高周波電力増幅回路および高周波電力増幅用電子部品
JP3965284B2 (ja) 高周波増幅装置及び送受信装置
US6658243B2 (en) High frequency power amplifying apparatus having amplifying stages with gain control signals of lower amplitudes applied to earlier preceding stages
US6711392B1 (en) Balanced power amplifier for low power radio communications
US20060291588A1 (en) Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus for communication
JP2000244264A (ja) 高周波電力増幅装置
JP2005020383A (ja) 高周波電力増幅回路および無線通信システム
JP2005123860A (ja) 高周波電力増幅回路および高周波電力増幅用電子部品
US20050136847A1 (en) Communication semiconductor integrated circuit device and electrical apparatus
JP2005236570A (ja) 高周波回路装置
JP2003188653A (ja) 無線通信用電子部品および通信用半導体集積回路
JP2001102877A (ja) 増幅回路およびこれを用いた無線装置
Morkner et al. A 1.7 mA low noise amplifier with integrated bypass switch for wireless 0.05-6 GHz portable applications

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060919

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3895532

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222

Year of fee payment: 7

EXPY Cancellation because of completion of term