JP2002094143A5

JP2002094143A5 -

Info

Publication number: JP2002094143A5
Application number: JP2001156018A
Authority: JP
Filing date: 2001-05-24
Publication date: 2005-04-14
Anticipated expiration: 2021-05-24

Description

【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気抵抗効果型素子は、式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1M_nO_3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)₂層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、
前記酸化物を挟むように前記酸化物に接して形成された一対の強磁性体と、を含み
一対の強磁性体の一方がペロブスカイト型酸化物からなり、他方が金属強磁性体であることを特徴とする。この素子では、上記(L-O)₂層を介してバイアス印加を行うことにより、磁気抵抗トンネル効果が発現する。

Claims

式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1M_nO_3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)₂層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、
前記酸化物を挟むように前記酸化物に接して形成された一対の強磁性体と、を含み
一対の強磁性体の一方がペロブスカイト型酸化物からなり、他方が金属強磁性体であることを特徴とする磁気抵抗効果型素子。
ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも１種の元素を、
LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも１種の元素を、
MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも１種の元素を、
Rは希土類元素をそれぞれ示し、
nは１、２または３であり、
x、zは、それぞれ、−１≦x≦１、０≦z＜１により示される範囲内の数値である。
前記ペロブスカイト型酸化物からなる強磁性体に接して形成された酸化物電極体をさらに含む請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
ペロブスカイト型酸化物からなる強磁性体が、式((R_1-pL_p)_1-yA_y)_mMO_m+2-dにより表される組成を有する請求項２に記載の磁気抵抗効果型素子。
ただし、A、L、M、Rは、それぞれ上記と同様の元素を示し、
mは１または２であり、
d、p、yは、それぞれ、０≦d≦１、０≦p≦１、０≦y≦１により示される範囲内の数値である。
pが０＜p≦１により示される範囲内の数値である請求項３に記載の磁気抵抗効果型素子。
ペロブスカイト型酸化物からなる強磁性体と、層状ペロブスカイト型酸化物とが、元素Lとして、同一種類の元素を含有する請求項４に記載の磁気抵抗効果型素子。
0.05≦y≦0.55であり、かつ0.05≦1-z≦0.55である請求項３に記載の磁気抵抗効果型素子。
0.8(1-z)≦y≦1.2(1-z)の関係が成立する請求項３に記載の磁気抵抗効果型素子。
酸化物電極体がペロブスカイト型酸化物からなる請求項２に記載の磁気抵抗効果型素子。
ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物電極体が、式(A_1-vR_v)_j(X_1-rT_r)O_j+2-qにより表される組成を有する請求項８に記載の磁気抵抗効果型素子。
ただし、A、Rは上記と同様の元素を示し、
Tは前記酸化物電極体が接する強磁性体に含まれる元素Mと同種の元素であり、
XはTi、V、Cu、Ru、NiおよびCrから選ばれる少なくとも１種の元素（ただし、前記Tを除く）を示し、
jは1または2であり、q、r、vは、それぞれ、０≦q≦１、０≦r≦１、０≦v≦１により示される範囲内の数値である。
０＜r≦１である請求項９に記載の磁気抵抗効果型素子。
金属強磁性体が、式Ni_xCo_yFe_zにより表される強磁性体を含む請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
ただし、x、y、zは、以下の(1)および(2)のいずれか一方と、x＋y＋z＝１とを満たすように定めた数値である。
(1) 0.6≦x≦0.9、0≦y≦0.4、0≦z≦0.3
(2) 0≦x≦0.4、0.2≦y≦0.95、0≦z≦0.5
金属強磁性体が、ZMnSb合金強磁性体を含む請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
ただし、Zは、Ni、PtおよびPdから選ばれる少なくとも１種の元素である。
一対の強磁性体の保磁力の大きさが互いに相違する請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
一対の強磁性体の厚さが互いに相違する請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
一対の強磁性体のいずれか一方に接して形成した反強磁性体をさらに含む請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
反強磁性体およびこの反強磁性体に接する強磁性体がともにペロブスカイト型酸化物からなる請求項１５に記載の磁気抵抗効果型素子。
希土類元素Rが、La、Pr、NdおよびSmから選ばれる少なくとも一種である請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子。
請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子を含むことを特徴とする磁気記憶素子。
請求項１に記載の磁気抵抗効果型素子を含むことを特徴とする磁気ヘッド。