JP2002084165A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

Info

Publication number
JP2002084165A
JP2002084165A JP2001115642A JP2001115642A JP2002084165A JP 2002084165 A JP2002084165 A JP 2002084165A JP 2001115642 A JP2001115642 A JP 2001115642A JP 2001115642 A JP2001115642 A JP 2001115642A JP 2002084165 A JP2002084165 A JP 2002084165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
wave device
balanced signal
signal terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001115642A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3729081B2 (ja
Inventor
Yuichi Takamine
裕一 高峰
Kazunobu Shimoe
一伸 下江
Shigeto Taga
重人 田賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001115642A priority Critical patent/JP3729081B2/ja
Priority to US09/883,481 priority patent/US6882249B2/en
Priority to CNB011233222A priority patent/CN1224167C/zh
Priority to EP01401683.6A priority patent/EP1168612B1/en
Priority to KR1020010036554A priority patent/KR20020001608A/ko
Publication of JP2002084165A publication Critical patent/JP2002084165A/ja
Priority to US10/721,185 priority patent/US20040124740A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3729081B2 publication Critical patent/JP3729081B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0061—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0042—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0085—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14588—Horizontally-split transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一対の平衡信号端子を有する弾性表面波装置
において、平衡信号端子間の周波数のずれを改善するこ
とができ、平衡度に優れた弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 圧電基板２上に弾性表面波伝搬方向に沿
って少なくとも１つのＩＤＴ５〜７，１０〜１２が形成
されており、２つの平衡信号端子１６，１７を有する弾
性表面波装置において、平衡信号端子１６，１７の一方
に平衡信号端子１６，１７間の周波数特性のずれを補う
ようにリアクタンス成分が付加されている、弾性表面波
装置１。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばバンドパス
フィルタとして用いられる弾性表面波装置に関し、より
詳細には、入力端子及び／または出力端子が一対の平衡
信号端子を有する弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機の小型化及び軽量化が
進んでいる。そこで、携帯電話機は、構成部品点数の削
減、部品の小型化及び機能の複合化が進んでいる。
【０００３】上記のような状況に鑑み、携帯電話機のＲ
Ｆ段に用いられる弾性表面波フィルタに平衡−不平衡変
換機能、いわゆるバランの機能を持たせたものが種々提
案されている。
【０００４】図３０は、従来の平衡−不平衡変換機能を
有する弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面
図である。ここでは、弾性表面波伝搬方向に沿って第１
〜第３のＩＤＴ１０１〜１０３が配置されている。ＩＤ
Ｔ１０１〜１０３が設けられている領域の表面波伝搬方
向両側に反射器１０４，１０５が配置されている。ＩＤ
Ｔ１０１とＩＤＴ１０２との間隔、及びＩＤＴ１０２と
ＩＤＴ１０３との間隔は、ＩＤＴ１０１〜１０３の電極
指ピッチで定められる波長λＩとした場合、いずれも
０．７５λＩとされている。ＩＤＴ１０２の両端の電極
指１０９，１１０を太くすることにより、ＩＤＴ−ＩＤ
Ｔ間のフリーな部分が小さくされ、バルク波の放射によ
る損失が低減されている。なお、図３０において、端子
１０６，１０７は、平衡信号端子であり、端子１０８が
不平衡信号端子である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】平衡−不平衡変換機能
を有する弾性表面波フィルタでは、不平衡信号端子１０
８と平衡信号端子１０６との間及び不平衡信号端子１０
８と平衡端子１０７との間のそれぞれの通過帯域内にお
ける伝送特性が、振幅特性において等しくかつ位相が１
８０°反転していることが要求される。この振幅特性が
等しい条件を振幅平衡度といい、位相が１８０°反転し
ていることの程度が位相平衡度と呼ばれている。
【０００６】上記振幅平衡度及び位相平衡度は、平衡−
不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタを、３ポー
トのデバイスと考え、例えば不平衡入力端子をポート
１、平衡出力端子のそれぞれをポート２，ポート３とし
た場合、以下のように定義される。
【０００７】振幅平衡度＝｜Ａ｜、但し、Ａ＝｜２０ｌ
ｏｇＳ２１｜−｜２０ｌｏｇＳ３１｜ 位相平衡度＝｜Ｂ−１８０｜、但し、Ｂ＝｜∠Ｓ２１−
∠Ｓ３１｜ なお、Ｓ２１はポート１からポート２への伝達係数を、
Ｓ３１はポート１からポート３への伝達係数を示す。
【０００８】理想的には、フィルタの通過帯域内におい
て振幅平衡度が０ｄＢであり、位相平衡度は０度とされ
る必要がある。しかしながら、図３０に示した構成にお
いて、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタを得よう
とすると、ＩＤＴ１０２の電極指の本数が奇数本である
ため、平衡信号端子１０６につながっている電極指の数
が、平衡信号端子１０７に接続されている電極指の数よ
りも１本多くなり、平衡度が悪くなるという問題があっ
た。この問題は、特に、フィルタの中心周波数が高くな
るほど顕著に現れ、ＤＣＳ用やＰＣＳ用のように１．９
ＧＨｚ付近が中心周波数となるフィルタでは、十分な平
衡度を得ることができなかった。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、一対の平衡信号端子間の平衡度が改善された
弾性表面波装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、圧
電基板と、該圧電基板上に配置された少なくとも１つの
ＩＤＴとを備え、入力端子及び出力端子の少なくとも一
方が第１，第２の平衡信号端子を有する弾性表面波装置
において、第１，第２の平衡信号端子のうち一方に遅延
線またはリアクタンス成分及び遅延線が付加されている
ことを特徴とする、弾性表面波装置である。
【００１１】本願の第２の発明は、圧電基板と、該圧電
基板上に配置された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、
入力端子及び出力端子の少なくとも一方が第１，第２の
平衡信号端子を有する弾性表面波装置において、前記第
１，第２の平衡信号端子の双方に遅延線またはリアクタ
ンス成分が付加されており、前記第１の遅延線に付加さ
れている遅延線またはリアクタンス成分と、前記第２の
平衡信号端子に付加されている遅延線またはリアクタン
ス成分が異なっていることを特徴とする、弾性表面波装
置である。
【００１２】本願の第３の発明は、圧電基板と、該圧電
基板上に配置された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、
入力端子及び出力端子の少なくとも一方が第１，第２の
平衡信号端子を有する弾性表面波装置において、前記第
１，第２の平衡信号端子間にキャパシタンス成分が付加
されていることを特徴とする弾性表面波装置である。
【００１３】第１，第２の発明の弾性表面波装置の特定
の局面では、マイクロストリップラインが形成されてい
るパッケージ、または前記圧電基板がマイクロストリッ
プラインが備えられ、前記遅延線またはリアクタンス成
分がマイクロストリップラインにより構成されている。
【００１４】第１，第２の発明に係る弾性表面波装置の
より特定の局面では、圧電基板上にＩＤＴが形成されて
いる構造が、該ＩＤＴが形成されている面からフェイス
ダウン方式でパッケージ内に収納される。
【００１５】第１，第２の発明の弾性表面波装置の他の
局面によれば、電極が形成されているパッケージがさら
に備えられ、パッケージの電極と前記第１，第２の平衡
信号端子を有する入力端子及び出力端子の少なくとも一
方とがボンディングワイヤにより電気的に接続されてお
り、前記遅延線またはリアクタンス成分が前記ボンディ
ングワイヤにより構成されている。
【００１６】本発明（第１〜第３の発明）の特定の局面
では、前記弾性表面波装置が、弾性表面波伝搬方向に沿
って少なくとも３個のＩＤＴが配置されている縦結合共
振子型弾性表面波フィルタが構成される。
【００１７】本発明のより限定的な局面では、上記縦結
合共振子型弾性表面波フィルタが複数接続されている。
本発明の弾性表面波装置の他の特定の局面では、第１，
第２の平衡信号端子間に電気的中性点を有しないように
構成される。
【００１８】本発明のさらに他の特定の局面によれば、
本発明に係る弾性表面波装置を有する通信機が提供され
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
【００２０】図１〜図４を用いて、本発明の第１の実施
例に係る弾性表面波装置を説明する。なお、本実施例及
び以後の実施例では、ＡＭＰＳ用受信フィルタに応用さ
れる弾性表面波装置を例にとり説明する。
【００２１】本実施例では、４０±５°ＹカットＸ伝搬
ＬｉＴａＯ3基板からなる圧電基板２上において、図１
に示す電極構造が形成されて弾性表面波装置１が形成さ
れている。
【００２２】図１において、弾性表面波装置１では、圧
電基板２上に第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フ
ィルタ３，４が構成されている。縦結合共振子型弾性表
面波フィルタ３では、表面波伝搬方向に沿って第１〜第
３のＩＤＴ５〜７が配置されている。ＩＤＴ５〜７の設
けられている領域の両側に、反射器８，９が配置されて
いる。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ４において
も、表面波伝搬方向に沿って第１〜第３のＩＤＴ１０〜
１２が配置されており、ＩＤＴ１０〜１２が設けられて
いる領域の両側に反射器１３，１４が配置されている。
【００２３】縦結合共振子型弾性表面波フィルタ３，４
は同じ構造を有し、縦続接続されている。縦結合共振子
型弾性表面波フィルタ３の第２のＩＤＴ６の一端が不平
衡信号端子１５に接続されている。ＩＤＴ６の他端はグ
ラウンド電位に接続されている。また、ＩＤＴ５，７の
一端がグラウンド電位に接続されており、ＩＤＴ５，７
の他端が、それぞれ、ＩＤＴ１０，１２の一端に接続さ
れている。ＩＤＴ１０，１２の他端はグラウンド電位に
接続されている。ＩＤＴ１１の一端が平衡信号端子１６
に、他端が平衡信号端子１７に接続されている。
【００２４】本実施例では、平衡信号端子１６，１７間
に電気的中性点を有しないように構成されている。ま
た、ＩＤＴ５とＩＤＴ７とが逆位相とされており、ＩＤ
Ｔ１０，１２も逆位相とされている。従って、ＩＤＴ５
とＩＤＴ１０とを接続している信号ライン１８を流れる
信号の位相と、ＩＤＴ７，１２を接続している信号ライ
ン１９を流れる信号の位相とが逆とされている。
【００２５】ＩＤＴ５のＩＤＴ６と隣り合う電極指５ａ
はグラウンド電位に接続されており、ＩＤＴ７のＩＤＴ
６と隣り合う電極指７ａはグラウンド電位に接続されて
おり、電極指５ａ，７ａが同じ極性とされている。
【００２６】同様に、第２のＩＤＴ１１に隣り合うＩＤ
Ｔ１０の電極指１０ａと、ＩＤＴ１２のＩＤＴ１１に隣
り合う電極指１２ａは、いずれもグラウンド電位に接続
されており、同極性とされている。
【００２７】弾性表面波装置１の具体的な設計条件を以
下に示す。 電極指交叉幅Ｗ＝４９．０λＩ ＩＤＴ５，１０の電極指の本数＝２４本 ＩＤＴ６，１１の電極指の本数＝３４本 ＩＤＴ７，１２の電極指の本数＝２５本 ＩＤＴの波長λＩ＝４．４９μｍ 反射器の波長λＩ＝４．６４μｍ 反射器の電極指の本数＝１２０本 ＩＤＴ−ＩＤＴ間隔＝０．７９λＩ ＩＤＴ−反射器間隔＝０．４７λＲ なお、ＩＤＴ−ＩＤＴ間隔及びＩＤＴ−反射器間隔と
は、それぞれ、隣り合うＩＤＴの隣接している電極指中
心間距離及び隣り合うＩＤＴと反射器の電極指中心間距
離をいうものとする。
【００２８】ＩＤＴのデューティー＝０．７３ 反射器のデューティー＝０．５５ 但し、デューティーとは、電極指の幅方向寸法すなわち
表面波伝搬方向寸法の電極指の幅と電極指間ギャップと
の和に対する割合をいうものとする。
【００２９】電極膜厚＝０．０８λＩ なお、図１から明らかなように、中央の第２のＩＤＴ
６，１１の両端の電極指６ａ，６ｂ，１１ａ，１１ｂの
幅が太くされており、それによってＩＤＴ−ＩＤＴ間隔
における自由表面部分が小さくされている。
【００３０】上記弾性表面波装置１の圧電基板２上にお
ける実際のレイアウトを図２に略図的平面図で示す。図
２において、ＩＤＴ５〜７、１０〜１２及び反射器８，
９，１３，１４は、略図的に矩形の形状で示されてい
る。また、図２に示す端子２１〜２３は、グラウンド電
位に接続される端子である。図２において、不平衡信号
端子１５、平衡信号端子１６，１７及び端子２１〜２３
は矩形形状を有するように図示されているが、この部分
が、バンプボンディングによりパッケージの電極と導通
が図られる電極パッドを示し、この矩形の電極パッドの
中央に描かれている○がバンプ３７ａ〜３７ｈを示す。
【００３１】なお、不平衡信号端子１５及び平衡信号端
子１７の設けられている部分では、２個の電極パッド１
５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂが導電路２４，２５を介
して接続されており、すなわち不平衡信号端子１５及び
平衡信号端子１７では、それぞれ２つの電極パッドを用
いてパッケージの電極と導通が図られている。
【００３２】図３は、上記弾性表面波装置１がパッケー
ジ内に収納されている状態を示す略図的正面断面図であ
る。パッケージ３１は、底板３２と、側壁３３と、蓋材
３４とを有する。底板３２上に矩形枠状の側壁３３が接
合されて、収納空間３５が構成されている。この収納空
間３５内に弾性表面波装置１が収納されており、かつ蓋
材３４により収納空間３５が密閉されている。
【００３３】弾性表面波装置１はフェイスダウン方式
で、すなわち圧電基板２の電極が形成されている面が下
面となるように底板３２上にバンプにより接合されてい
る。すなわち、底板３２の上面には、導電膜よりなるダ
イアタッチ部３６が形成されている。このダイアタッチ
部３６に、バンプ３７ｄ，３７ｆ等により弾性表面波装
置１の前述した電極パッドが接合されている。
【００３４】上記ダイアタッチ部３６の平面形状を図４
に示す。ダイアタッチ部３６は、互いに分離された電極
３６ａ〜３６ｅを有する。電極３６ａは、図２に示した
不平衡信号端子１５に電気的に接続される部分であり、
○で示すバンプ３７ａ，３７ｂにより不平衡信号端子１
５に接合される。電極３６ｂは、図２に示した端子２１
〜２３にバンプ３７ｃ〜３７ｅにより電気的に接続され
る。また、電極３６ｃは、バンプ３７ｆにより平衡信号
端子１６に電極的に接続される。電極３６ｄは、バンプ
３７ｇ，３７ｈにより平衡信号端子１７に接合される。
【００３５】ところで、電極３６ｃには、マイクロスト
リップライン３６ｅが連ねられている。すなわち、平衡
信号端子１６には、マイクロストリップライン３６ｅが
直列に接続されている。
【００３６】マイクロストリップライン３６ｅは、ＡＭ
ＰＳ受信用フィルタの通過帯域の周波数帯ではリアクタ
ンス成分として働く。本実施例では、上記マイクロスト
リップライン３６ｅは、平衡信号端子１６に約０．８ｎ
Ｈ程度のリアクタンス成分を付加するように構成されて
いる。
【００３７】また、上記マイクロストリップライン３６
ｅは、遅延線としても機能する。上記電極３６ａ〜３６
ｄ及びマイクロストリップライン３６ｅは、図５に示す
外部端子に電気的に接続されている。図５は、パッケー
ジ３１の底板３２の下面に形成されている外部端子を略
図的に示す平面図である。なお、図５では、底板３２を
透かして外部端子３８ａ〜３８ｆが示されている。外部
端子３８ａは、電極３６ａに電気的に接続されており、
外部端子３８ｄ，３８ｆは、それぞれ、平衡信号端子に
接続されているマイクロストリップライン３６ｅ及び電
極３６ｄに電気的に接続されている。外部端子３８ｂ，
３８ｃ，３８ｅは、グラウンド電位に接続される外部端
子であり、前述した電極３６ｂに電気的に接続されてい
る。
【００３８】電極３６ａ，３６ｂ，３６ｄ及びマイクロ
ストリップライン３６ｅと、外部端子３８ａ〜３８ｆと
の電気的接続は、底板３２に底板３２を貫くスルーホー
ル電極を形成することにより、あるいは上面と下面の電
極を底板３２の側面を経由する導電膜を形成することに
より果たし得る。
【００３９】本実施例の弾性表面波装置の特徴は、上記
マイクロストリップライン３６ｅが、一方の平衡信号端
子１６に直列に接続されていることにある。本実施例の
弾性表面波装置の振幅平衡度−周波数特性及び位相平衡
度−周波数特性を、それぞれ、図６及び図７に実線で示
す。比較のために、マイクロストリップライン３６ｅが
形成されていないことを除いては上記と同様にして構成
された弾性表面波装置（従来例と略す）の振幅平衡度−
周波数特性及び位相平衡度−周波数特性を図６及び図７
に破線で示す。
【００４０】なお、上記従来例におけるパッケージの底
板上面に形成されている電極形状を図８に示す。図８か
ら明らかなように、平衡信号端子に接続される電極３６
Ｃの形状は、図４に示した電極３６ｃと異ならされてお
り、かつマイクロストリップライン３６ｅは接続されて
いない。この電極３６ｃは、外部端子３８ｅに接続され
ている。また、マイクロストリップラインを設けなかっ
たため、グラウンド電位に接続される電極３６ｂの形状
は、図４の場合と異ならされている。この電極３６ｂ
は、外部端子３８ｂ，３８ｃ，３８ｄに接続されてい
る。さらに、電極３６ａは、外部端子３８ａに接続され
ている。
【００４１】ＡＭＰＳ受信用フィルタにおける通過帯域
の周波数範囲は８６９〜８９４ＭＨｚである。この範囲
における最大振幅平衡度は、図６から明らかなように、
従来例では０．９ｄＢであるのに対し、本実施例では
０．７５ｄＢであり、約０．１５ｄＢだけ振幅平衡度が
改善している。また、図７から明らかなように、従来例
では、最大の位相平衡度は８°であるのに対し、本実施
例では３°であり、位相平衡度が約５°改善されてい
る。
【００４２】このように平衡度が改善されるのは、パッ
ケージ３１に、リアクタンス成分及び遅延線として作用
するマイクロストリップライン３６ｅが形成されて、平
衡信号端子１６にリアクタンス成分及び遅延線が付加さ
れているため、平衡信号端子１６，１７間の周波数特性
のずれが修正されているためである。上記リアクタンス
成分は、主に振幅平衡度を改善する効果を有し、上記遅
延線は位相平衡度を改善する効果を有する。
【００４３】すなわち、第１，第２の平衡信号端子１
６，１７間の周波数特性のずれ方は、弾性表面波素子の
構成、パッケージ３１における電極レイアウトや設計パ
ラメータによって変わるが、上記のように一方の平衡信
号端子にリアクタンス成分及び遅延線を付加することに
より、平衡度を改善することができる。言い換えれば、
第１，第２の平衡信号端子間の周波数特性のずれに応
じ、該ずれを補正するように一方の信号端子にリアクタ
ンス成分及び遅延線を付加することにより、平衡度を改
善することができる。
【００４４】従って、本実施例によれば、平衡−不平衡
変換機能を有する弾性表面波装置において、２つの平衡
信号端子の一方に、パッケージに形成されているマイク
ロストリップラインのリアクタンス成分及び遅延線を付
加することにより、従来例に比べて平衡度を効果的に改
善することができる。
【００４５】本実施例では、平衡信号端子１６，１７間
に電気的中性点を持たない構成としたが、電気的中性点
を有する弾性表面波装置においても同様の効果が得られ
る。これを、図９を参照して説明する。
【００４６】図９に示す変形例の弾性表面波装置では、
第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ４１〜
４４が用いられて、平衡−不平衡変換機能を有する弾性
表面波装置が構成されている。縦結合共振子型弾性表面
波フィルタ４１〜４４は、それぞれ、表面波伝搬方向に
沿って配置された第１〜第３のＩＤＴを有する３ＩＤＴ
タイプの縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。縦
結合共振子型弾性表面波フィルタ４１，４３の中央の第
２のＩＤＴ４１ｂ，４３ｂの一端が共通接続されて不平
衡信号端子４５に接続されている。ＩＤＴ４１ｂ，４３
ｂの他端はグラウンド電位に接続されている。また、縦
結合共振子型弾性表面波フィルタ４１の第１，第３のＩ
ＤＴ４１ａ，４１ｃの各一端がグラウンド電位に接続さ
れており、各他端が、それぞれ、縦結合共振子型弾性表
面波フィルタ４２の第１，第３のＩＤＴ４２ａ，４２ｃ
の一端に接続されている。ＩＤＴ４２ａ，４２ｃの他端
はグラウンド電位に接続されている。ＩＤＴ４２ｂの一
端がグラウンド電位に、他端が平衡信号端子４６に電気
的に接続されている。
【００４７】同様に、ＩＤＴ４３ａ，４３ｃの一端がグ
ラウンド電位に接続されており、他端が、それぞれ、縦
結合共振子型弾性表面波フィルタ４４の第１，第３のＩ
ＤＴ４４ａ，４４ｃの一端に接続されている。ＩＤＴ４
４ａ，４４ｃの他端はグラウンド電位に接続されてい
る。ＩＤＴ４４の中央の第２のＩＤＴ４４ｂの一端がグ
ラウンド電位に、他端が平衡信号端子４７に電気的に接
続されている。
【００４８】ここでは、縦結合共振子型弾性表面波フィ
ルタ４２，４４間で、中央の第２のＩＤＴ４２ｂ，４４
ｂの位相が反転されている。図９に示す弾性表面波装置
４０においても、平衡信号端子４６または平衡信号端子
４７に、周波数特性のずれに応じてリアクタンス成分及
び遅延線を付加することにより平衡度を改善することが
できる。
【００４９】同様に、図１０に示すように、２つの縦結
合共振子型弾性表面波フィルタ５１，５２を２段縦続接
続してなる弾性表面波装置５０においても、平衡信号端
子５４，５５の一方にリアクタンス成分及び遅延線を付
加することにより平衡度を改善することができる。な
お、弾性表面波装置５０では、縦結合共振子型弾性表面
波フィルタ５１の中央のＩＤＴ５１ｂの一端に不平衡信
号端子５３が接続されている。また、縦結合共振子型弾
性表面波フィルタ５２の中央のＩＤＴ５２ｂの１つのく
し歯電極が分割されて、一対の分割された部分に平衡信
号端子５４，５５が接続されている。そして、ＩＤＴ５
１ａ，５１ｃとＩＤＴ５２ａ，５２ｃとが電気的に接続
されて、平衡−不平衡変換機能を有するように構成され
ている。
【００５０】図１１及び図１２は、本発明が適用される
平衡−不平衡変換機能を有する弾性表面波装置のさらに
他の変形例を説明するための各模式的平面図である。図
１１に示す弾性表面波装置６０では、縦結合共振子型弾
性表面波フィルタ６１は、第１〜第３のＩＤＴ６１ａ〜
６１ｃを有し、第１〜第３のＩＤＴ６１ａ，６１ｃの一
端が弾性表面波共振子６２を介して不平衡信号端子６３
に接続されている。中央の第２のＩＤＴ６１ｂの一端が
平衡信号端子６４に、他端がもう一方の平衡信号端子６
５に接続されている。ここでも、平衡信号端子６４，６
５の一方にリアクタンス成分及び遅延線を付加すること
により平衡度を改善することができる。
【００５１】なお、図１１では、弾性表面波共振子６２
が縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６１に直列に接続
されていたが、弾性表面波共振子が並列に接続されてい
てもよく、あるいは直列及び並列の双方に弾性表面波共
振子が接続されている構造にも、本発明を適用すること
ができる。
【００５２】さらに、本発明は、平衡−不平衡変換機能
を有する弾性表面波装置に限定されず、図１２に示すよ
うに、入力端子及び出力端子の双方が一対の平衡信号端
子を有する弾性表面波装置にも適用することができ、そ
の場合においても上記実施例と同様に平衡度を改善する
ことができる。図１２に示す弾性表面波装置７０では、
第１〜第３のＩＤＴ７０ａ〜７０ｃは表面波伝搬方向に
沿って配置されている。ＩＤＴ７０ａ〜７０ｃが設けら
れている領域の両側には反射器７０ｄ，７０ｅが配置さ
れている。
【００５３】第１，第３のＩＤＴ７０ａ，７０ｃの一端
が平衡信号端子７２に、他端が平衡信号端子７３に接続
されている。第２のＩＤＴ７０ｂの一端が平衡信号端子
７４に、他端が平衡信号端子７５に接続されている。但
し、入力側及び出力側のいずれもが第１，第２の平衡信
号端子を有する。この場合においても、入力側及び／ま
たは出力側の一対の平衡信号端子間において、一方の平
衡信号端子にリアクタンス成分及び遅延線を付加するこ
とにより平衡度を改善することができる。
【００５４】なお、上述してきた実施例及び本発明が適
用される弾性表面波装置は、縦結合共振子型弾性表面波
フィルタを用いて、平衡信号を入力または出力する構造
を中心として説明したきたが、本発明は、横結合共振子
型弾性表面波フィルタやトランスバーサル型弾性表面波
フィルタを用いて平衡信号を出力または入力する構造に
も適用することができる。
【００５５】また、上記実施例では、パッケージ３１に
マイクロストリップラインを形成したが、マイクロスト
リップラインは、圧電基板上に形成してもよい。また、
上記実施例では、パッケージ３１にマイクロストリップ
ライン３６ｅをダイアタッチ部３６に形成したが、本発
明において、マイクロストリップラインを形成する方法
はこれに限定されるものではない。例えば、図１３に示
すように、パッケージ３１の底板３２と側壁３３との間
にマイクロストリップライン３６ｉを形成してもよく、
図１４に示すように、底板３２の下面に、さらに基板層
３２ａを形成し、該基板層３２ａと底板３２の下面との
間にマイクロストリップライン３６ｊを形成してもよ
い。この場合、マイクロストリップライン３６ａと、ダ
イアタッチ部３６との電気的接続は、底板３２に設けら
れたスルーホール電極３２ｂを用いて行えばよい。
【００５６】図１３及び図１４からも明らかなように、
パッケージ側に構成されるリアクタンス成分及び遅延線
を付加するためのマイクロストリップラインの形成位置
については、特に限定されるものではない。
【００５７】また、第１の実施例では、縦結合共振子型
弾性表面波フィルタ３と縦結合共振子型弾性表面波フィ
ルタ４とは同じ構造とされていたが、必要に応じて電極
指交叉幅などの設計パラメータが異なっているものであ
ってもよい。
【００５８】さらに、圧電基板２として４０±５°Ｙカ
ットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3基板を用いたが、本発明におい
ては、圧電基板はこれに限定されず、例えば、６４〜７
２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板、４１°Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板などの適宜の圧電基板を用いる
ことができる。
【００５９】図１５は、本発明の第２の実施例に係る弾
性表面波装置を説明するための模式的平面図である。第
１の実施例の縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、
圧電基板２上に構成されている各電極がバンプによりパ
ッケージの電極と電気的に接続されていたが、本発明に
おいては、ボンディングワイヤによりパッケージの電極
と弾性表面波素子とが電気的に接続されていてもよい。
図１５に示す第２の実施例では、このように弾性表面波
フィルタ素子がボンディングワイヤによりパッケージの
電極と電気的に接続されている。
【００６０】図１５において、弾性表面波装置１の電極
構造は、第１の実施例とほぼ同様に構成されている。従
って、同一部分については、同一の参照番号を付するこ
とにより、その説明を省略する。
【００６１】第２の実施例では、パッケージ８１が、中
央に収納空間８２を有する。この収納空間８２に圧電基
板２が絶縁性接着剤（図示せず）を用いて固定されてい
る。収納空間８２の両側には段部８１ａ，８１ｂが形成
されている。段部８１ａ，８１ｂの高さは、弾性表面波
装置１が収納されている部分よりも高くされている。ま
た、図示を省略されているが、収納空間８２を閉成する
ように蓋材が段部８１ａ，８１ｂ間にまたがるように固
定される。
【００６２】段部８１ａ，８１ｂ上には、電極８３ａ〜
８３ｆが形成されている。電極８３ａ〜８３ｆは、弾性
表面波装置を外部と電気的に接続するための外部端子と
して機能する。
【００６３】なお、圧電基板２上におけるＩＤＴに接続
されている電極パッドの位置は、図２に示した電極パッ
ドと若干異ならされている。もっとも、電極パッドの位
置については特に意味はなく、ボンディングワイヤによ
る接続を容易とする適宜の位置に形成される。
【００６４】パッケージ８１に設けられた電極８３ｂ
が、不平衡信号端子１５にボンディングワイヤ８４ｂを
介して電気的に接続されている。また、電極８３ｄ，８
３ｆが、それぞれ、平衡信号端子１６，１７にボンディ
ングワイヤ８４ｅ，８４ｆを介して電気的に接続されて
いる。電極８３ａ，８３ｃ，８３ｅは、グラウンド電位
に接続される電極であり、そのうち電極８３ａにボンデ
ィングワイヤ８４ａを介して電極パッド８５が電気的に
接続されている。電極パッド８５は、ＩＤＴ５，７の一
端に接続されている。電極８３ｃが、ボンディングワイ
ヤ８４ｃを介して電極パッド８６に電気的に接続されて
いる。電極パッド８６は、ＩＤＴ６に電気的に接続され
ている。
【００６５】電極８３ｃは、ボンディングワイヤ８４ｄ
を介して電極パッド８７に電気的に接続されている。電
極パッド８７は、ＩＤＴ１０，１２に電気的に接続され
ている。
【００６６】本実施例では、ボンディングワイヤ８４
ｅ，８４ｆの長さが異ならされている。すなわち、ボン
ディングワイヤ８４ｅがボンディングワイヤ８４ｆに比
べて長くされており、それによって、一方の平衡信号端
子１６に平衡信号端子１７に比べて大きなリアクタンス
成分及び遅延線が付加されて、両平衡信号端子１６，１
７間の周波数のずれが補われ、平衡度が高められてい
る。
【００６７】より具体的には、本実施例では、ボンディ
ングワイヤ８４ｅは約１．０ｎＨ、ボンディングワイヤ
８４ｆは約０．５ｎＨのリアクタンス成分及び遅延線を
付加するような長さとされている。従って、平衡信号端
子１６側に、平衡信号端子１７側に比べて大きなリアク
タンス成分及び遅延線が付加されて、第１の実施例のマ
イクロストリップライン３６ｅと同様に機能する。
【００６８】本実施例の弾性表面波装置の振幅平衡度−
周波数特性及び位相平衡度−周波数特性を図１６及び図
１７に実線で示す。比較のために、図１８に示した弾性
表面波装置９０を用意した。ここでは、ボンディングワ
イヤ９１ａ，９１ｂの長さが等しくされている。すなわ
ち、平衡信号端子１６，１７に接続されているボンディ
ングワイヤの長さが等しくされている。その他の点につ
いては、第２の実施例と同様に構成されている。比較の
ために用意した図１８に示した弾性表面波装置の振幅平
衡度−周波数特性及び位相平衡度−周波数特性を図１６
及び図１７に破線で示す。
【００６９】図１６から明らかなように、ＡＭＰＳ受信
用フィルタにおける通過帯域の周波数範囲である８６９
〜８９４ＭＨｚにおける最大振幅平衡度は、従来例では
０．９ｄＢであるのに対し、第２の実施例では０．７ｄ
Ｂであり、約０．２ｄＢだけ振幅平衡度が改善してい
る。また、図１７から明らかなように、最大の位相平衡
度では、従来例では８°であるのに対し、第２の実施例
では５°となり、位相平衡度が約３°改善されているこ
とがわかる。
【００７０】すなわち、上記のように平衡信号端子１
６，１７に接続されるボンディングワイヤの長さを異な
らせたため、一方の平衡信号端子１６に大きなリアクタ
ンス成分及び遅延線が付加されて、平衡信号端子１６，
１７間の周波数特性のずれが修正されていることによ
り、平衡度が改善されている。
【００７１】なお、第２の実施例では、平衡信号端子１
６に大きなリアクタンス成分及び遅延線を付加したが、
平衡信号端子１６，１７間の周波数特性のずれ方が逆の
場合には、平衡信号端子１７側に大きなリアクタンス成
分及び遅延線を付加すればよい。
【００７２】図１９は、本発明の第３の実施例に係る弾
性表面波装置の電極構造を示す略図的平面図である。第
３の実施例の弾性表面波装置２０１は、平衡信号端子１
６，１７間に、コンデンサ２０２が外付けで付加されて
いることを除いては、図１に示した弾性表面波装置１と
同様に構成されている。コンデンサ２０２の静電容量は
１ｐＦとされている。
【００７３】第３の実施例の弾性表面波装置の振幅平衡
度−周波数特性及び位相平衡度−周波数特性を、それぞ
れ、図２０及び図２１に実線で示す。また、図２０及び
２１に、コンデンサ２０２が付加されていないことを除
いては同様に構成された弾性表面波装置の振幅平衡度−
周波数特性及び位相平衡度−周波数特性を破線で示す。
【００７４】ＡＭＰＳ受信用フィルタにおける通過帯域
の周波数範囲における最大振幅平衡度は、図２０から明
らかなように、破線で示した特性を有する弾性表面波装
置では０．９ｄＢであるのに対し、本実施例では０．５
ｄＢであり、約０．４ｄＢだけ振幅平衡度が改善されて
いることがわかる。
【００７５】また、図２１から明らかなように、コンデ
ンサ２０２が外付けされていない弾性表面波装置では、
最大位相平衡度は８°であるのに対し、本実施例では７
°であり、約１°位相平衡度が改善されていることがわ
かる。
【００７６】このように、第３の実施例において平衡度
が改善されるのは、平衡信号端子１６，１７間にキャパ
シタンス成分が付加されているため、平衡信号端子１
６，１７間の周波数特性のずれが修正されているためで
ある。
【００７７】上記のように、平衡信号端子間にキャパシ
タンス成分を付加することにより、通過帯域内における
平衡度を改善することができるが、逆に、通過帯域内の
ＶＳＷＲが悪化するおそれがある。そこで、図１９にお
いて付加されるコンデンサの容量値を変化させた場合の
ＶＳＷＲ、振幅平衡度及び位相平衡度を調べた。結果を
図２２〜図２４に示す。
【００７８】図２４から明らかなように、コンデンサの
容量が大きくなるに従って、ＶＳＷＲが悪化することが
わかる。また、図２３及び図２４から明らかなように、
位相平衡度はコンデンサの容量値が大きくなることによ
り改善されるが、振幅平衡度は容量値が１〜２ｐＦの範
囲で最も優れており、この範囲外では悪化する傾向があ
る。従って、これらを考慮すると、付加されるコンデン
サの容量値は２ｐＦ以下であることが望ましいことがわ
かる。
【００７９】上記第３の実施例では、キャパシタンス成
分を付加するためのコンデンサは外付けされているが、
パッケージ内において平衡信号端子１６，１７間のキャ
パシタンス成分を大きくすることによっても同様の効果
が得られる。例えば、図８に示す構成において、平衡信
号端子に接続される電極３６，３６ｄ間のアース電極ラ
インを除去し、図２５に示すように、電極３６ｃ，３６
ｄが隣り合うように配置することによっても、平衡信号
端子１６，１７間のキャパシタンス成分を大きくするこ
とができる。
【００８０】また、平衡信号端子１６，１７間に付加さ
れるキャパシタンス成分２０３，２０４は図２６に示す
ようにアース電位を介して付加されてもよく、その場合
においても同様の効果が得られる。より具体的には、例
えば、図２７に示すように、パッケージ内に、アース電
極２０５を形成し、アース電極２０５を平衡信号端子の
下方に位置するように付加することにより、平衡信号端
子１６，１７間のキャパシタンス成分を大きくすること
ができ、それによって弾性表面波装置の平衡度を改善す
ることができる。
【００８１】図２８及び図２９は、本発明に係る弾性表
面波装置を用いた通信機１６０を説明するための各概略
ブロック図である。図２８において、アンテナ１６１
に、ディプレクサ１６２が接続されている。ディプレク
サ１６２と受信側ミキサ１６３との間に、弾性表面波フ
ィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。ま
た、ディプレクサ１６２と送信側のミキサ１６６との間
には、増幅器１６７及び弾性表面波フィルタ１６８が接
続されている。このように、増幅器１６５が平衡信号に
対応されている場合、本発明に従って構成された弾性表
面波装置を上記弾性表面波フィルタ１６４として好適に
用いることができる。
【００８２】また、図２９に示すように、受信側におい
て用いられている増幅器１６５Ａが不平衡信号対応の場
合にも、本発明に従って構成された弾性表面波装置を弾
性表面波フィルタ１６４Ａとして好適に用いることがで
きる。
【００８３】
【発明の効果】第１の発明に係る弾性表面波装置では、
入力端子及び出力端子の少なくとも一方が第１，第２の
平衡信号端子を有する構成において、第１，第２の平衡
信号端子のうちの一方に、リアクタンスまたは遅延線が
付加されている。従って、第１，第２の平衡信号端子間
の周波数特性のずれに応じたリアクタンス成分または遅
延線を付加することにより、振幅平衡度や位相平衡度な
どの平衡度を効果的に改善することができる。
【００８４】また、第２の発明においては、入力端子及
び出力端子の少なくとも一方が第１，第２の平衡信号端
子を有する構成において、第１の平衡信号端子に付加さ
れているリアクタンス成分または遅延線の大きさと、第
２の平衡信号端子に付加されているリアクタンス成分ま
たは遅延線の大きさとが異なっているので、第１，第２
の平衡信号端子間の周波数特性のずれに応じて、両者に
付加されるリアクタンス成分または遅延線の大きさを異
ならせることにより、第１の発明と同様に振幅平衡度や
位相平衡度を効果的に改善することができる。
【００８５】圧電基板を収納しており、マイクロストリ
ップラインが形成されているパッケージがさらに備えら
れており、該マイクロストリップラインにより上記リア
クタンス成分または遅延線が構成されている場合には、
パッケージ側に必要とするリアクタンス成分または遅延
線の大きさに応じたマイクロストリップラインを形成す
るだけで、容易に本発明に係る弾性表面波装置を構成す
ることができる。
【００８６】また、マイクロストリップラインを用いて
上記リアクタンス成分または遅延線を構成した場合に
は、マイクロストリップラインがパッケージ内に構成さ
れるので、弾性表面波装置の実装面積を大きくすること
なく、平衡度を改善することができる。
【００８７】圧電基板上にＩＤＴが形成されている弾性
表面波素子が、ＩＤＴが形成されている面からフェイス
ダウン方式でパッケージ内に収納されている場合には、
本発明に従って、小型であり、平衡度に優れた弾性表面
波装置を提供することができる。
【００８８】圧電基板上にＩＤＴが構成されている弾性
表面波素子を収納し、かつ電極が形成されているパッケ
ージをさらに備え、パッケージの電極と弾性表面波素子
とがボンディングワイヤにより電気的に接続されている
場合には、一対の平衡信号端子に接続されるボンディン
グワイヤの長さを調整することにより上記リアクタンス
成分または遅延線の大きさを調整することができ、本発
明に従って平衡度が改善された弾性表面波装置を容易に
提供することができる。
【００８９】ボンディングワイヤの長さにより上記リア
クタンス成分または遅延線を付加した場合には、パッケ
ージの寸法を変更する必要はないため、実装面積を大き
くすることなく、平衡度を改善することができる。
【００９０】第３の発明では、入力端子及び出力端子の
少なくとも一方が第１，第２の平衡信号端子を有する構
成において、第１，第２の平衡信号端子間にキャパシタ
ンス成分が付加されているので、第１，第２の平衡信号
端子間の周波数特性のずれが修正され、それによって振
幅平衡度や位相平衡度が効果的に改善され得る。
【００９１】本発明において、表面波伝搬方向に沿っ
て、少なくとも３個のＩＤＴが配置されている縦結合共
振子型弾性表面波フィルタを構成した場合には、本発明
に従って振幅平衡度及び位相平衡度が改善された縦結合
共振子型弾性表面波フィルタを得ることができ、この場
合縦結合共振子型弾性表面波フィルタは複数段接続され
ていてもよい。
【００９２】また、本発明においては、第１，第２の平
衡信号端子間に電気的中性点を持たないことが好まし
い。もっとも、電気的中性点が構成されていてもよい。
いずれの場合においても、本発明に従って、振幅平衡度
や位相平衡度が改善された弾性表面波装置を構成するこ
とができる。
【００９３】本発明に係る弾性表面波装置を用いて構成
された通信機では、一対の平衡信号端子間における平衡
度が改善されるので、平衡度に優れた周波数特性を有す
る通信機を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置の
電極構造を示す模式的平面図。
【図２】本発明の第１の実施例における圧電基板上に構
成された電極構造のレイアウトを説明するための模式的
平面図。
【図３】本発明の第１の実施例の弾性表面波装置の構造
を示す正面断面図であり、弾性表面波フィルタ素子がパ
ッケージ内に収納されている状態を示す図。
【図４】第１の実施例で用いられているパッケージに形
成されている電極を説明するための模式的平面図。
【図５】第１の実施例のパッケージにおいて、底板の下
面に形成されている外部端子を説明するための模式的平
面図。
【図６】第１の実施例及び従来例の振幅平衡度−周波数
特性を示す図。
【図７】第１の実施例及び従来例の位相平衡度−周波数
特性を示す図。
【図８】第１の実施例の比較のために用意した従来例に
おけるパッケージに形成されている電極を説明するため
の模式的平面図。
【図９】本発明が適用される弾性表面波装置の他の例を
説明するための模式的平面図。
【図１０】本発明が適用される弾性表面波装置のさらに
他の例を説明するための模式的平面図。
【図１１】本発明が適用される弾性表面波装置の他の例
を説明するための模式的平面図。
【図１２】本発明が適用される弾性表面波装置のさらに
他の例を示し、入力側及び出力側のいずれが平衡信号端
子とされている弾性表面波装置を示す図。
【図１３】第１の実施例の変形例の弾性表面波装置を示
す模式的正面断面図。
【図１４】第１の実施例の他の変形例を説明するための
模式的正面断面図。
【図１５】本発明の第２の実施例に係る弾性表面波装置
を説明するための平面図。
【図１６】第２の実施例及び比較のために用意した従来
の弾性表面波装置の振幅平衡度−周波数特性を示す図。
【図１７】第２の実施例及び比較のために用意した従来
の弾性表面波装置の位相平衡度−周波数特性を示す図。
【図１８】第２の実施例と比較するために用意した従来
の弾性表面波装置の模式的平面図。
【図１９】第３の実施例に係る弾性表面波装置の電極構
造を示す略図的平面図。
【図２０】第３の実施例及び従来例の弾性表面波装置の
振幅平衡度−周波数特性を示す図。
【図２１】第３の実施例及び従来例の弾性表面波装置の
位相平衡度−周波数特性を示す図。
【図２２】第３の実施例において付加されるコンデンサ
の容量値とＶＳＷＲとの関係を示す図。
【図２３】第３の実施例の構造において付加されるコン
デンサの容量値と振幅平衡度との関係を示す図。
【図２４】第３の実施例の構造において付加されるコン
デンサの容量値と位相平衡度との関係を示す図。
【図２５】第３の実施例においてキャパシタンス成分を
付加する一例として、パッケージ側の電極間によりキャ
パシタンス成分を構成する例を示す模式的平面図。
【図２６】第３の実施例の変更例を説明するための略図
的平面図。
【図２７】図２６に示した変形例を構成するための一構
造例を示す模式的断面図。
【図２８】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機を説明するための概略ブロック図。
【図２９】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機の他の例を説明するための概略ブロック図。
【図３０】従来の弾性表面波装置を説明するための模式
的平面図。
【符号の説明】
１…弾性表面波装置 ２…圧電基板 ３，４…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ ５〜７…第１〜第３のＩＤＴ ５ａ，６ａ，６ｂ，７ａ…電極指 ８，９…反射器 １０〜１２…第１〜第３のＩＤＴ １０ａ，１１ａ，１１ｂ，１２ａ…電極指 １３，１４…反射器 １５…不平衡信号端子 １５ａ，１５ｂ…電極パッド １６，１７…平衡信号端子 １７ａ，１７ｂ…電極パッド ２１〜２３…端子 ２４，２５…導電路 ３１…パッケージ ３２…底板 ３３…側壁 ３４…蓋材 ３５…収納空間 ３６ａ〜３６ｄ…電極 ３６ｅ…マイクロストリップライン ３６ｉ，３６ｊ…マイクロストリップライン ３７ａ〜３７ｈ…バンプ ３８ａ〜３８ｆ…外部端子 ４０…弾性表面波装置 ４１〜４４…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ ４１ａ〜４１ｃ〜４４ａ〜４４ｃ…第１〜第３のＩＤＴ ４５…不平衡信号端子 ４６，４７…平衡信号端子 ５０…弾性表面波装置 ５１，５２…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ ５１ａ〜５１ｃ…第１〜第３のＩＤＴ ５２ａ〜５２ｃ…第１〜第３のＩＤＴ ５３…不平衡信号端子 ５４，５５…平衡信号端子 ６０…弾性表面波装置 ６１…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ ６１ａ〜６１ｃ…ＩＤＴ ６２…弾性表面波共振子 ６３…不平衡信号端子 ６４，６５…平衡信号端子 ７０…弾性表面波装置 ７１ａ〜７１ｃ…第１〜第３のＩＤＴ ７１ｄ，７１ｅ…反射器 ７２，７３，７４，７５…平衡信号端子 ８０…弾性表面波装置 ８１…パッケージ ８２…収納空間 ８３ａ〜８３ｆ…電極 ８４ａ〜８４ｆ…ボンディングワイヤ ８５〜８７…電極パッド ９１ａ，９１ｂ…ボンディングワイヤ １６０…通信機 １６１…アンテナ １６２…ディプレクサ １６３，１６６…ミキサ １６４…弾性表面波フィルタ １６５…増幅器 １６７…弾性表面波フィルタ １６８…増幅器 ２０１…弾性表面波装置 ２０２…コンデンサ ２０３，２０４…コンデンサ ２０５…アース電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田賀 重人 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA00 AA12 AA29 CC02 DD04 DD13 DD16 DD17 DD28 GG03 GG04 HA04 JJ09 KK03 KK10 LL01 LL03

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧電基板と、該圧電基板上に配置された
    少なくとも１つのＩＤＴとを備え、入力端子及び出力端
    子の少なくとも一方が第１，第２の平衡信号端子を有す
    る弾性表面波装置において、 前記第１，第２の平衡信号端子のうち一方に遅延線また
    はリアクタンス成分が付加されていることを特徴とす
    る、弾性表面波装置。
  2. 【請求項２】 圧電基板と、該圧電基板上に配置された
    少なくとも１つのＩＤＴとを備え、入力端子及び出力端
    子の少なくとも一方が第１，第２の平衡信号端子を有す
    る弾性表面波装置において、 前記第１，第２の平衡信号端子の双方に遅延線またはリ
    アクタンス成分が付加されており、前記第１の遅延線に
    付加されている遅延線またはリアクタンス成分と、前記
    第２の平衡信号端子に付加されている遅延線またはリア
    クタンス成分が異なっていることを特徴とする、弾性表
    面波装置。
  3. 【請求項３】 圧電基板と、該圧電基板上に配置された
    少なくとも１つのＩＤＴとを備え、入力端子及び出力端
    子の少なくとも一方が第１，第２の平衡信号端子を有す
    る弾性表面波装置において、 前記第１，第２の平衡信号端子間にキャパシタンス成分
    が付加されていることを特徴とする、弾性表面波装置。
  4. 【請求項４】 マイクロストリップラインが形成されて
    いるパッケージ、または前記圧電基板がマイクロストリ
    ップラインを備え、前記遅延線またはリアクタンス成分
    が前記マイクロストリップラインにより構成されてい
    る、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
  5. 【請求項５】 前記圧電基板上にＩＤＴが形成されてい
    る構造が、該ＩＤＴが形成されている面からフェイスダ
    ウン方式で前記パッケージ内に収納されている、請求項
    ４に記載の弾性表面波装置。
  6. 【請求項６】 電極が形成されているパッケージをさら
    に備え、前記パッケージの電極と前記第１，第２の平衡
    信号端子を有する入力端子及び出力端子の少なくとも一
    方とがボンディングワイヤにより電気的に接続されてお
    り、前記遅延線またはリアクタンス成分が前記ボンディ
    ングワイヤにより構成されている、請求項１または２に
    記載の弾性表面波装置。
  7. 【請求項７】 前記弾性表面波装置が、弾性表面波伝搬
    方向に沿って少なくとも３個のＩＤＴが配置されている
    縦結合共振子型弾性表面波フィルタである、請求項１〜
    ６のいずれかに記載の弾性表面波装置。
  8. 【請求項８】 前記縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
    が複数組み合わされている、請求項７に記載の弾性表面
    波装置。
  9. 【請求項９】 前記第１，第２の平衡信号端子間に電気
    的中性点を持たないことを特徴とする、請求項１〜８の
    いずれかに記載の弾性表面波装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の弾性
    表面波装置を有する通信機。
JP2001115642A 2000-06-27 2001-04-13 弾性表面波装置 Expired - Lifetime JP3729081B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001115642A JP3729081B2 (ja) 2000-06-27 2001-04-13 弾性表面波装置
US09/883,481 US6882249B2 (en) 2000-06-27 2001-06-18 Surface acoustic wave device
CNB011233222A CN1224167C (zh) 2000-06-27 2001-06-26 表面声波装置
EP01401683.6A EP1168612B1 (en) 2000-06-27 2001-06-26 Surface acoustic wave device
KR1020010036554A KR20020001608A (ko) 2000-06-27 2001-06-26 탄성 표면파 장치 및 이를 포함하는 통신 장치
US10/721,185 US20040124740A1 (en) 2000-06-27 2003-11-26 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-193295 2000-06-27
JP2000193295 2000-06-27
JP2001115642A JP3729081B2 (ja) 2000-06-27 2001-04-13 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002084165A true JP2002084165A (ja) 2002-03-22
JP3729081B2 JP3729081B2 (ja) 2005-12-21

Family

ID=26594795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001115642A Expired - Lifetime JP3729081B2 (ja) 2000-06-27 2001-04-13 弾性表面波装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6882249B2 (ja)
EP (1) EP1168612B1 (ja)
JP (1) JP3729081B2 (ja)
KR (1) KR20020001608A (ja)
CN (1) CN1224167C (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100503957B1 (ko) * 2001-08-14 2005-07-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치
WO2005104363A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタおよびそれを用いた通信機
US6967427B2 (en) 2002-03-18 2005-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and communication apparatus incorporating the same
JP2006042394A (ja) * 2002-03-15 2006-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡型高周波回路
WO2006123518A1 (ja) * 2005-05-16 2006-11-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
JP2007181195A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Kyocera Corp 弾性表面波素子、弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置
WO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
JP2008306773A (ja) * 2001-10-29 2008-12-18 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタ素子
JP2010512077A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 整合が改善されたｄｍｓフィルタ
WO2010073377A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 太陽誘電株式会社 分波器および電子装置
WO2010140445A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置及びデュプレクサ
US8174339B2 (en) 2008-12-26 2012-05-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer, substrate for duplexer, and electronic apparatus
US8228137B2 (en) 2007-08-23 2012-07-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter, demultiplexer, and module including demultiplexer, communication apparatus

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828879B2 (en) 2001-02-16 2004-12-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Longitudinal coupled multiple mode surface acoustic wave filter
JP3414387B2 (ja) 2001-03-09 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3820954B2 (ja) * 2001-10-12 2006-09-13 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3743341B2 (ja) * 2001-10-17 2006-02-08 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US7277403B2 (en) * 2001-12-13 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd Duplexer with a differential receiver port implemented using acoustic resonator elements
JP3922163B2 (ja) * 2001-12-25 2007-05-30 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
CN100488045C (zh) * 2002-04-15 2009-05-13 松下电器产业株式会社 高频器件和通信设备
ATE362674T1 (de) * 2002-05-16 2007-06-15 Tdk Corp Antennenweiche
US7112912B2 (en) * 2004-03-16 2006-09-26 Tdk Corporation Surface acoustic wave device and branching filter
JP4381714B2 (ja) * 2003-04-16 2009-12-09 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 表面弾性波デバイス、表面弾性波装置、及び表面弾性波デバイスの製造方法
US8896397B2 (en) * 2003-04-16 2014-11-25 Intellectual Ventures Fund 77 Llc Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device
US7126346B2 (en) * 2003-12-18 2006-10-24 Agilent Technologies, Inc. Method, apparatus, and article of manufacture for manufacturing high frequency balanced circuits
JP3993579B2 (ja) * 2004-04-28 2007-10-17 富士通メディアデバイス株式会社 バランス出力型フィルタ
JPWO2008068951A1 (ja) * 2006-12-07 2010-03-18 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
DE102007028288B4 (de) * 2007-06-20 2013-06-06 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes MEMS Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP5762749B2 (ja) * 2007-12-19 2015-08-12 エム ケー エス インストルメンツインコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 冷電子増倍放出源を備える電離真空計
JP5343965B2 (ja) 2008-03-14 2013-11-13 パナソニック株式会社 弾性波フィルタ
US20140374151A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Jia Lin Yap Wire bonding method for flexible substrates
JP6365435B2 (ja) * 2015-06-24 2018-08-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN106370598A (zh) * 2016-09-07 2017-02-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于表面声波的微球操纵装置及其制作方法、成像系统
JP6888691B2 (ja) * 2017-12-19 2021-06-16 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4625184A (en) * 1982-07-02 1986-11-25 Clarion Co., Ltd. Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon
CN85101813B (zh) 1985-04-01 1987-05-20 株式会社日立制作所 表面声波滤波器
JPH03220911A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ
US5847626A (en) * 1994-02-22 1998-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Balanced-type surface acoustic wave lattice filter
JPH07297675A (ja) 1994-04-26 1995-11-10 Fujitsu Ltd 弾性表面波共振器
US5835990A (en) * 1995-06-16 1998-11-10 Northern Telecom Limited Longitudinally coupled double mode surface wave resonators
KR100213372B1 (ko) 1996-05-10 1999-08-02 이형도 모노리틱 쏘 듀플렉서
JP3186604B2 (ja) * 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3224202B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置
CA2199238C (en) * 1997-03-05 2002-07-02 Ji-Dong Dai Surface wave device with capacitance
DE19818826B4 (de) * 1998-04-27 2004-11-04 Epcos Ag Oberflächenwellenfilter mit erhöhter Bandbreite
EP0961404B1 (en) * 1998-05-29 2008-07-02 Fujitsu Limited Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
KR100418550B1 (ko) * 1998-12-29 2004-02-11 가부시끼가이샤 도시바 탄성표면파 장치
JP3414387B2 (ja) * 2001-03-09 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2003060484A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3826877B2 (ja) * 2002-01-22 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置
JP3931767B2 (ja) * 2002-08-29 2007-06-20 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100503957B1 (ko) * 2001-08-14 2005-07-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치
JP2008306773A (ja) * 2001-10-29 2008-12-18 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタ素子
JP2006042394A (ja) * 2002-03-15 2006-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡型高周波回路
US6967427B2 (en) 2002-03-18 2005-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and communication apparatus incorporating the same
US7760048B2 (en) 2004-04-19 2010-07-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter and communication device equipped with the elastic wave filter
WO2005104363A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタおよびそれを用いた通信機
KR100778226B1 (ko) * 2004-04-19 2007-11-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 및 그것을 사용한 통신기
WO2006123518A1 (ja) * 2005-05-16 2006-11-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
JPWO2006123518A1 (ja) * 2005-05-16 2008-12-25 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
JP4665965B2 (ja) * 2005-05-16 2011-04-06 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
JP2007181195A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Kyocera Corp 弾性表面波素子、弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置
JP2010512077A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 整合が改善されたｄｍｓフィルタ
WO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
JP4867997B2 (ja) * 2006-12-25 2012-02-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2010-04-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
GB2457392A (en) * 2006-12-25 2009-08-19 Murata Manufacturing Co Elastic wave device
GB2457392B (en) * 2006-12-25 2011-07-20 Murata Manufacturing Co Acoustic wave device
US8228137B2 (en) 2007-08-23 2012-07-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter, demultiplexer, and module including demultiplexer, communication apparatus
US8174339B2 (en) 2008-12-26 2012-05-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer, substrate for duplexer, and electronic apparatus
CN102265515A (zh) * 2008-12-26 2011-11-30 太阳诱电株式会社 双工器以及电子装置
EP2381576A1 (en) * 2008-12-26 2011-10-26 Taiyo Yuden Co., Ltd. Demultiplexer and electronic device
WO2010073377A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 太陽誘電株式会社 分波器および電子装置
US8274342B2 (en) 2008-12-26 2012-09-25 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer and electronic device
EP2381576A4 (en) * 2008-12-26 2012-11-28 Taiyo Yuden Kk DEMULTIPLEXER AND ELECTRONIC EQUIPMENT
JP5177589B2 (ja) * 2008-12-26 2013-04-03 太陽誘電株式会社 分波器および電子装置
KR101276944B1 (ko) 2008-12-26 2013-06-19 다이요 유덴 가부시키가이샤 분파기 및 전자 장치
WO2010140445A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置及びデュプレクサ
US8319582B2 (en) 2009-06-04 2012-11-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave apparatus and duplexer
JP5104959B2 (ja) * 2009-06-04 2012-12-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びデュプレクサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20010043024A1 (en) 2001-11-22
JP3729081B2 (ja) 2005-12-21
CN1331513A (zh) 2002-01-16
US20040124740A1 (en) 2004-07-01
US6882249B2 (en) 2005-04-19
KR20020001608A (ko) 2002-01-09
EP1168612A3 (en) 2008-09-24
CN1224167C (zh) 2005-10-19
EP1168612B1 (en) 2013-04-17
EP1168612A2 (en) 2002-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3729081B2 (ja) 弾性表面波装置
KR100622258B1 (ko) 탄성표면파 장치
JP4270207B2 (ja) 弾性表面波フィルタ及び通信機
US7283016B2 (en) Balanced acoustic wave filter and acoustic wave filter
JP3918698B2 (ja) 弾性表面波装置、通信装置
KR100482669B1 (ko) 탄성 표면파 필터 및 통신 장치
JP5018894B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
US20080224790A1 (en) Balance filter and duplexer
KR100503957B1 (ko) 탄성 표면파 장치
JP3743341B2 (ja) 弾性表面波装置
KR100489777B1 (ko) 탄성표면파 필터 및 통신 장치
US8319582B2 (en) Elastic wave apparatus and duplexer
JP4063273B2 (ja) 弾性表面波装置
JP4403861B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3922163B2 (ja) 弾性表面波装置
JP4329557B2 (ja) 弾性表面波装置、通信機

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050308

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3729081

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term