JP2002083417A

JP2002083417A - 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置

Info

Publication number: JP2002083417A
Application number: JP2000271236A
Authority: JP
Inventors: Fumiyoshi Kirino; 文良桐野; Norio Ota; 憲雄太田; Teruaki Takeuchi; 輝明竹内; Akira Yano; 亮矢野; Harumi Sakamoto; 晴美坂本; Koichiro Wakabayashi; 康一郎若林; Satoru Matsunuma; 悟松沼; Nobuyuki Inaba; 信幸稲葉; Mitsutoshi Honda; 光利本田; Hirotaka Yamamoto; 浩貴山本
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 2000-09-07
Filing date: 2000-09-07
Publication date: 2002-03-22

Abstract

(57)【要約】【課題】非晶質の磁性膜に形成される磁区の位置を高
精度に画定でき、高い信頼性を有する磁気記録媒体及び
それを備える磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１０は基板１上に下地膜２
と磁性膜３とを備える。下地膜２は、二次元的に規則的
に配列した六角形の結晶粒子とそれを取り囲む粒界部か
ら構成される。結晶粒子とその粒界によって下地膜表面
に凹凸が規則的に形成されている。かかる凹凸を有する
下地膜上に形成される磁性膜は下地膜の凹凸に対応した
凹凸が形成される。磁性膜の凹凸は磁壁の移動を妨げる
ピンニングサイトとして機能する。磁性膜に形成された
磁区は所望の位置に高精度に画定される。その結果、磁
区の揺らぎが低減されるので、エラーが低減され、高い
信頼性を有する磁気記録媒体を提供できる。本発明によ
り６０Ｇｂ／ｉｎ^２を越える超高密度記録を実現でき
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録用の磁
気記録媒体及びそれを備える磁気記録装置に関し、特
に、微小磁区のエッジの揺らぎを低減でき、高性能でか
つ高信頼性を有する超高密度記録に好適な磁気記録媒体
及びそれを用いた磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にはめざま
しいものがあり、各種形態の情報を統合したマルチメデ
ィアが急速に普及してきている。マルチメディアの一つ
としてコンピュータ等に装着される磁気ディスク装置が
知られている。現在、磁気ディスク装置は、記録密度を
向上させつつ小型化する方向に開発が進められている。
また、それに並行して装置の低価格化も急速に進められ
ている。

【０００３】磁気ディスクの高密度化を実現するために
は、１）ディスクと磁気ヘッドとの距離を狭めること、
２）磁気記録媒体の保磁力を増大させること、３）信号
処理方法を高速化すること、４）磁気記録媒体の熱揺ら
ぎを低減すること、等が要望されている。

【０００４】磁気記録媒体において高密度磁気記録を実
現するには、磁性膜の保磁力の増大が必要である。磁気
記録媒体の磁性膜には、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（−Ｔａ）系
の材料が広く用いられていた。この材料は、２０ｎｍ程
度のＣｏの結晶粒子が析出した結晶質材料である。かか
る材料を用いた磁気記録媒体において、例えば、４０Ｇ
ｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２（約６．２０Ｇｂｉｔ／ｃｍ^２）を
超える面記録密度を実現するためには、記録時や消去時
に磁化反転が生じる単位（磁気クラスター）を更に小さ
くするとともに、その粒子サイズの分布を小さくして、
磁性膜の構造や組織を精密に制御しなければならない。
このように磁性膜構造や組成を制御することにより、再
生時に媒体から発生するノイズを低減することができ
る。しかし、結晶粒子サイズに分布が存在し、サイズの
小さな粒子が存在していると、熱減磁や熱揺らぎが生じ
て、形成した磁区が安定に存在できない場合があった。
これは、サイズの小さな粒子がトリガーとなり、この粒
子を核として磁化反転が生じるためである。特に、記録
密度の増大に伴って磁区が微細化されると熱減磁や熱揺
らぎの影響は著しい。

【０００５】このように、高密度記録のためには、磁性
層の熱的安定性を高めなければならない。磁性層の熱的
安定性については、Ｋｕ・Ｖ／ｋ・Ｔで示される値を指
標とすることができる。ここで、Ｋｕ：磁気異方性エネ
ルギー、Ｖ：活性化体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温
度である。この値が大きいほど、磁性層は熱的に安定で
あることを示す。それゆえ、磁性層の熱的安定性を高め
るには、活性化体積Ｖ及び磁気異方性エネルギーＫｕを
大きくする必要がある。現時点においてＣｏ系材料で
は、Ｋｕ・Ｖ／ｋ・Ｔの値は６０〜７０程度である。

【０００６】これまで、活性化体積Ｖや磁気異方性エネ
ルギーＫｕを増大するために、磁性膜の組成や構造、更
には、磁気記録媒体の構造を工夫することにより検討さ
れてきた。それを実現する方法として、例えば、米国特
許４６５２４９９号には基板と磁性膜との間にシード膜
を設ける方法が開示されている。

【０００７】また、活性化体積Ｖや磁気異方性エネルギ
ーＫｕを増大させるための材料として、例えば、第２３
回日本応用磁気学会学術講演会８ａＢ−１１（１９９
９）には、光磁気記録媒体において用いられている希土
類−鉄族系の非晶質合金を用いることが開示されてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
シード膜を設ける方法を用いて磁性膜における磁性粒子
径及びその分布を制御することには限界があり、微小な
粒子や粗大化した粒子が混在している場合があった。微
小な粒子や粗大化した粒子は、情報を記録する場合（磁
化を反転させる場合）に、周囲の磁性粒子からの漏洩磁
界の影響を受ける。例えば、大きな粒子は、周囲の粒子
に磁気的な相互作用を与えるために、安定した記録が行
なえないという課題があった。

【０００９】また、希土類−鉄族系の非晶質合金（希土
類−遷移金属合金）を磁性膜に用いた場合、かかる非晶
質合金は磁壁移動型の材料であるために、情報記録時に
磁壁位置を高精度に制御して記録磁区の位置を正確に確
定させる必要があった。また、かかる材料は、記録時や
消去時に磁化反転が生じる単位である磁気クラスターの
間で極めて強い磁気的相互作用が発生しているために所
望の記録磁区を形成することが困難であった。また、磁
気的相互作用の強さの違いにより様々な大きさの磁気ク
ラスターが混在する結果、磁化反転の生じた領域と生じ
ていない領域との境界線は、図８（Ｂ）に示すように、
全体として粗いジグザグのパターンを呈し、ノイズを増
大させることがあった。このように、非晶質合金を用い
て磁性膜を形成した場合は、磁区の位置や磁区の形状の
制御に課題があり、６０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２(約９．
３０Ｇｂｉｔｓ／ｃｍ^２)を超える記録密度で情報を記
録することは困難であった。

【００１０】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、本発明の第１の目的は、非晶質の磁性膜
に記録磁区を所望の形状及びサイズで所望の位置に確実
に形成することができる磁気記録媒体及びそれを備える
磁気記録装置を提供することにある。

【００１１】本発明の第２の目的は、磁化遷移領域にお
ける磁区の形状がジグザグパターンになることを防止
し、情報を低ノイズで再生することができる磁気記録媒
体及びそれを備える磁気記録装置を提供することにあ
る。

【００１２】本発明の第３の目的は、６０Ｇｂｉｔ／ｉ
ｎｃｈ^２（約９．３０Ｇｂｉｔｓ／ｃｍ^２）を越える超
高密度記録に好適な磁気記録媒体及びそれを備える磁気
記録装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に従
えば、磁気記録媒体において、基板上に、下地膜及び非
晶質の磁性膜を備え、上記下地膜は、結晶粒子と当該結
晶粒子を取り囲む非晶質の結晶粒界部とから構成され、
該結晶粒子及び結晶粒界部によって下地膜表面に凹凸が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体が提供さ
れる。

【００１４】本発明の磁気記録媒体は、基板上に下地膜
を備え、当該下地膜は、結晶粒子が非晶質の結晶粒界部
により取り囲まれ、それぞれの結晶粒子が下地膜面内で
規則的に配列した構造を有している。そして、基板上に
形成された下地膜の表面には、規則的に配列された結晶
粒子とその周囲の結晶粒界部とによって凹凸が規則正し
く形成されている。下地膜表面の凸部は、結晶粒子がそ
の周囲の結晶粒界部の表面から突出することにより形成
され得、その結果、結晶粒界部が凹部を画成することに
なり得る。このように表面に規則正しく凹凸が形成され
た下地膜上に非晶質の磁性膜を形成すると、図５に模式
的に示すように、この下地膜表面の凹凸を反映して磁性
膜の表面にもまた同様の凹凸が形成される。

【００１５】例えば、下地膜表面に形成されている凹凸
の凸部が、下地膜の結晶粒子から形成されている場合に
は、磁性膜の表面には、下地膜の結晶粒子に対応した磁
性膜凸部が形成され、磁性膜凸部を取り囲むように、結
晶粒界部に対応した磁性膜凹部（窪み）が形成される。
ここで、磁性膜凸部と磁性膜凹部は、同一材料で成膜さ
れているが、互いに異なる応力が発生しているために組
織や組成が異なる。かかる磁性膜に記録磁区を形成する
と、磁性膜凹部が磁壁移動の障害となり、形成された記
録磁区がピン止めされる。すなわち、下地膜の凸部上
（結晶粒子上）に形成された、結晶粒子とほぼ同一形状
の磁性膜凸部は、その周囲の磁性膜凹部と異なる磁気的
性質を有するために磁性膜凹部と磁気的に分断され、磁
性膜凸部が磁化反転単位となって、あたかも磁気クラス
ターのように振舞う。このように、下地膜の微細な凹凸
を反映して形成された磁性膜の凹凸が物理的（構造的）
なピン止めとして作用するので、磁性膜として磁壁移動
型の非晶質材料を用いたとしても、磁区と磁区との間に
形成される磁壁の移動を有効に防止し、磁性膜に所望の
形状及び寸法の記録磁区を所望の位置に形成することが
可能となる。また、下地膜の凹凸を反映して形成された
磁性膜の凹凸は、磁気ヘッドが磁気記録媒体に吸着する
ことを防止するためのテクスチャとしても有効である。

【００１６】また、下地膜の結晶粒子の寸法を制御する
ことによって上述の磁気クラスター（磁化反転単位）の
大きさを制御することができるので、下地膜の結晶粒子
を微小化することにより高密度記録を実現することがで
きる。例えば、６０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ^２の記録密度
を実現するには、結晶粒子サイズを５ｎｍ〜１５ｎｍ程
度にすればよく、更に記録密度を高めるには結晶粒子サ
イズを更に微小にすればよい。

【００１７】本発明の磁気記録媒体において、下地膜の
一つの結晶粒子は、図３に示すように、基板面に平行な
面内における形状が正六角形状であることが好ましく、
基板面に垂直な断面ではその結晶粒子が上方に柱状に成
長した構造を有していることが好ましい。特に、結晶粒
子の柱状の断面は、下地層の成長とともに扇状に広がる
ことなく、結晶粒界部の幅が均等な構造を有しているこ
とが好ましい。このような、一つが正六角柱をなす結晶
粒子の集合体は、正六角柱が規則的に配列したハニカム
構造を形成していることが好ましい。また、一個の正六
角形の結晶粒子の周囲に存在する粒子の個数は、平均で
５．８〜６．２個であることが好ましい。また、結晶粒
子サイズの分布が、統計学的な標準偏差：σが粒子サイ
ズの１５％以下であることが好ましく、更に、粒子サイ
ズの分布が正規分布または正規分布に近い分布であるこ
とが好ましい。

【００１８】ここで、磁性膜に形成される磁気クラスタ
ー同士の距離は、下地膜中の結晶粒子間の距離すなわち
結晶粒界の幅を制御することによって調整でき、磁気ク
ラスター間で働く磁気的相互作用を弱めるには、０．５
ｎｍ以上２ｎｍ以下が好適である。

【００１９】本発明において、下地膜の結晶質粒子は、
酸化コバルト、酸化ニッケル及び酸化鉄から選ばれる少
なくとも１種類の化合物が好適であり、結晶粒界部は、
酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タ
ンタル及び酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種類の酸
化物が好適である。

【００２０】また、本発明の磁気記録媒体では、下地膜
が磁性を有するように構成することもできる。下地膜に
磁性を持たせるには、下地膜中の結晶粒子を、例えば、
ストイキオメトリーを制御することにより実現できる。
例えばＣｏＯは非磁性を示すが、酸素濃度を制御してＣ
ｏ_３Ｏ_４をＣｏＯに含ませることにより、磁性を示すよ
うにすることができる。酸化コバルトに限らず、酸化鉄
や酸化ニッケルについても同様である。下地膜の結晶粒
子に磁性を持たせて、下地膜の結晶粒子上に形成される
磁性膜とのみ磁気的に結合させ、結晶粒子の周囲の結晶
粒界部上に形成される磁性膜とは磁気的に結合させない
ようにすれば、下地膜の結晶粒子上に位置する磁性膜の
ピン止め効果をより一層促進させることができる。すな
わち、下地膜の結晶粒子上に位置し、結晶粒子とほぼ同
一の形状を有する磁性膜部分（磁気クラスター）を、そ
の周囲の磁性膜部分から磁気的に孤立させることが可能
となり、前述の構造的なピン止めのみならず、磁気的に
ピン止めすることが可能となる。

【００２１】また、本発明の磁気記録媒体は、基板と下
地膜との間に、非晶質薄膜または一定の方位に配向した
配向膜を備えることができる。非晶質薄膜または配向膜
は、基板と下地膜との接着性を向上させたり、下地膜に
初期成長層が形成されることを抑制したりすることがで
きる。非晶質薄膜または配向膜を構成する材料は、金属
または非晶質無機化合物が好ましく、例えば、Ｈｆ、Ｒ
ｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ_３Ｎ_４、
Ｃ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２及びＮｉ−Ｐか
ら選ばれる少なくとも１種類の材料が好適である。

【００２２】また、本発明の磁気記録媒体は、下地膜と
磁性膜との間に、下地膜中の遊離の酸素が磁性膜を構成
する材料と反応することを防ぐための中間膜を形成して
も良い。かかる中間膜を構成する材料としては、例え
ば、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｎｉ−Ｐ、Ｃのうちより選ばれる少なくとも１種類の材
料が好適である。

【００２３】また、下地膜上に形成される種々の膜、例
えば、磁性膜や上述の中間膜は、下地膜表面に形成され
ている凹凸と密着して凹凸形状を維持した状態で形成さ
れることが好ましい。すなわち、下地膜と磁性膜との界
面、下地膜と中間膜との界面、または中間膜と磁性膜と
の界面を、例えば電子顕微鏡により観察したときに、各
界面が良好に密着していることが好ましい。より好まし
くは、下地膜上に形成される磁性膜が下地膜の表面の組
織及び形状を反映し、下地膜の結晶粒子に対応する磁性
膜部分が構造的及び磁気的に孤立して磁化反転の単位と
なることである。

【００２４】本発明において、上述したような規則正し
い凹凸を有する下地膜の成膜には、電子サイクロトロン
共鳴（ＥＣＲ）スパッタ法が好適である。このスパッタ
法は、バイアス電圧の印加の方法により、ターゲット粒
子の運動エネルギーを揃えることができ、且つそのエネ
ルギーをより精密に制御できる。特に、ＥＣＲスパッタ
法を用いて下地膜を形成することにより、複雑なスパッ
タ条件を必要とせずに、所望の形状のハニカム構造を形
成することができる。また、結晶粒子とその粒界によっ
て画成される凹凸を下地膜全体にわたって所望の高さで
均一に形成することができる。

【００２５】従来、磁気ヘッドが磁気ディスクに吸着す
ることを防止するために、磁気ディスクの表面を研磨テ
ープや微細な砥粒を用いて研磨して磁気ディスクの表面
に微細な凹凸（テクスチャ）を形成する方法が知られて
いる。かかる方法を用いても下地膜に微細な凹凸を形成
することができるが、下地膜に２０ｎｍ以下の凹凸を生
産性良く形成することは困難であると考えられる。上述
のＥＣＲスパッタ法を用いれば、下地膜にナノメートル
オーダーの凹凸を高精度に且つ生産性良く形成すること
ができる。

【００２６】本発明の第２の態様に従えば、本発明の第
１の態様に従う磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に情
報を記録または再生するための磁気ヘッドと、上記磁気
記録媒体を磁気ヘッドに対して駆動するための駆動装置
とを備える磁気記録装置が提供される。

【００２７】本発明の磁気記録装置は、本発明の第１の
態様に従う磁気記録媒体を装着しているので、音声情
報、コードデータ、画像情報等の情報を高密度記録で
き、記録された情報を低ノイズで再生することができ
る。また、本発明の磁気記録装置は、６０Ｇｂｉｔｓ／
ｉｎｃｈ^２(約９．３０Ｇｂｉｔｓ／ｃｍ^２)を超える面
記録密度で情報を記録することができる。

【００２８】本発明の磁気記録装置において、磁気ヘッ
ドは、磁気記録媒体に記録された情報を再生するための
再生素子として、ＭＲ素子（Magneto Resistive素子；
磁気抵抗効果素子）やＧＭＲ素子（Giant Magneto Resi
stive素子；巨大磁気抵抗効果素子）、ＴＭＲ素子（Tun
neling Magneto Resistive素子；磁気トンネル型磁気抵
抗効果素子）を備え得る。これらの再生素子を用いるこ
とにより磁気記録媒体に記録された情報を高いＳ／Ｎで
再生することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体及び
それを備える磁気記録装置について実施例を用いて更に
詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。

【００３０】

【実施例】本実施例では、本発明に従う磁気記録媒体と
して、図１に示すような、基板１上に無機化合物薄膜
（下地膜）２、磁性膜３及び保護膜４を積層した構造を
有する磁気記録媒体１０を作製した。以下に、かかる磁
気記録媒体の製造方法、並びに、下地膜、磁性膜及び磁
気記録媒体の特性測定の結果について説明する。

【００３１】〔ＥＣＲスパッタ装置〕まず、磁気記録媒
体の無機化合物薄膜を成膜する際に用いるＥＣＲスパッ
タ装置について説明する。図２に、ＥＣＲスパッタ装置
の断面構造を概念的に示した。

【００３２】ＥＣＲスパッタ装置８０は、プラズマが発
生する第１チャンバ８１と、第１チャンバ８１の上方に
連結された環状のターゲット７０と、ターゲット７０の
上方に連結された第２チャンバ８３とを主に有する。第
１チャンバ８１は、石英製の円筒管であり、軸方向の上
方及び下方に一対のコイル６４、６６がそれぞれ周回し
て設けられている。第１チャンバ８１には、マイクロ波
発生器７４が導入管を介して連結されており、導入管は
第１チャンバ８１のコイル６４と６６との間に連結され
ている。第２チャンバ８３は金属製の真空チャンバであ
り、その頂部には、ターゲット７０から叩き出された粒
子を堆積させる基板６８が設置されている。さらに、第
２チャンバ８３の上方には、印加されたバイアスにより
引き出されたプラズマを収束させる（発散を抑制させ
る）ためのコイル６２が設けられている。ターゲット７
０と第２チャンバ８３内に設置された基板６８は、バイ
アス電圧が印加できるように、電源９０に接続されてい
る。

【００３３】第１チャンバ８１内部、ターゲット７０の
内側及び第２チャンバ内部は連通され、外部から閉塞さ
れている。装置動作時に不図示の真空ポンプにより、第
１チャンバ８１内部、ターゲット７０内側及び第２チャ
ンバ８３内部の共有の空間を減圧すると共に、第１チャ
ンバ８１内に不図示のガス供給口を介して気体（例えば
Ａｒ）を導入する。次いで、装置内部にコイル６４及び
６６を用いて一定の磁界を印加する。この磁界によっ
て、装置内部に存在する自由電子は、磁界軸を右回りに
サイクロトロン運動する。この電子サイクロトロン運動
の角振動数は、例えば、電子密度が１０^１０ｃｍ^−３程
度である場合には、約１０９Ｈｚ程度であり、マイクロ
波領域の角振動数となる。この磁場内にマイクロ波発生
器７４から、発生したマイクロ波を導入すると、マイク
ロ波は電子のサイクロトロン運動と共鳴し、そのマイク
ロ波のエネルギーが電子に吸収される共鳴吸収が起こ
る。この共鳴吸収によって電子は高エネルギーを得て加
速され、気体に衝突してその気体の電離を引き起こし、
高エネルギーを有するＥＣＲプラズマ７６を第１チャン
バ８１内に発生させる。ここで、電子には共鳴吸収によ
り一定レベルのエネルギーが与えられるので、電子のエ
ネルギー状態もまた一定の高エネルギーレベルにある。
このような電子を気体に衝突させてプラズマを発生させ
るため、このプラズマを構成する粒子は高エネルギーで
あると共に、放電などにより発生する通常のプラズマに
比べて各粒子のエネルギーが揃い、エネルギー分布の狭
いプラズマが得られる。

【００３４】プラズマの発生位置の上方にある環状のタ
ーゲット７０と基板６８の間には、バイアス電圧が印加
されているため、発生したプラズマはターゲット７０に
向かって引き出され、ターゲット７０に衝突してターゲ
ット粒子を叩き出す。この際に、バイアス電圧を変化さ
せることによって、ターゲット７０に衝突するプラズマ
の運動エネルギー、ひいてはプラズマによって叩き出さ
れたターゲット粒子の運動エネルギーを精密に制御する
ことが可能となる。このようにしてエネルギーが制御さ
れたターゲット粒子は、図示したようにターゲット粒子
の流れ７２として基板６８に向かい、基板６８上に均質
にかつ等しい膜厚で堆積する。

【００３５】〔下地膜の作製〕かかるＥＣＲスパッタ装
置を用いてガラス基板１上に無機化合物薄膜２を成膜し
た。無機化合物薄膜の成膜では、ＣｏＯとＳｉＯ_２を
４：１に混合して焼結したものをターゲットに、放電ガ
スには純Ａｒをそれぞれ使用した。スパッタ時の圧力は
０．３ｍＴｏｒｒ、投入マイクロ波電力は０．７ｋＷで
ある。また、基板には５００ＷのＲＦバイアスを印加し
た。作製した薄膜の膜厚は３０ｎｍである。

【００３６】得られた無機化合物薄膜２の表面及び断面
の構造を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察した。
観察された薄膜の平面構造の模式図を図３に示す。図３
に示したように、無機化合物薄膜２は、粒子径が１０ｎ
ｍの正六角形の粒子１２がハニカム状に配列した集合体
であり、各粒子は互いに粒界部１４を介して二次元的に
規則正しく配列していた。粒子間の距離は０．５〜０．
８ｎｍであった。粒子径及び粒子間の距離は、無機化合
物薄膜２の成膜に用いるターゲットの組成（ＣｏＯとＳ
ｉＯ_２の比など）を変化させることにより、任意に選択
することができる。また、薄膜２の断面構造を観察する
と、図４に示すように、正六角形の粒子１２が基板面に
対して垂直方向に柱状に成長していることがわかった。
かかる柱状組織は、途中で結晶粒子が大きくなるなど異
常成長することなく成長していた。

【００３７】また、薄膜表面には、規則性に優れた凹凸
が存在しており、凸部が粒子１２に相当し、凹部が粒界
部１４に相当していた。凸部と凹部との高低差は６〜７
ｎｍ程度であった。この高低差は、無機化合物薄膜の表
面をドライエッチングすることにより、更に大きくした
り、逆に小さくしたりすることができる。すなわち、エ
ッチング条件を選択することにより所望の値に制御可能
である。磁気ヘッドを安定浮上させたり、磁性膜におけ
る磁壁のピンニングサイトになるには、上記範囲が好適
である。また、薄膜表面を巨視的に観察したところ、う
ねりが形成されており、その周期は１５０ｎｍ〜１６０
ｎｍ程度であった。うねりの周期が短すぎるとテクスチ
ャとして機能せず、磁気ヘッドを媒体上で浮上させたと
きに、磁気ヘッドと媒体との距離が離れるために好まし
くない。また、うねりの周期が長すぎても高密度記録に
適さない。

【００３８】また、無機化合物薄膜２のエネルギー分散
型Ｘ線分析（μ-ＥＤＸ）を行なって粒子１２とその粒
界部１４を分析したところ、粒子１２は主にコバルトの
酸化物であり、粒界部１４に存在しているのは主に酸化
シリコンであることがわかった。ここで、粒子１２のコ
バルト酸化物中には酸化シリコンが微量含まれ、また粒
界部１４の酸化シリコンにはコバルト酸化物が微量含ま
れているが、その組織や物性に及ぼす影響は小さい。ま
た、無機化合物薄膜の格子像観察を行なったところ、粒
子１２のコバルト酸化物は結晶質であり、粒界部１４の
酸化シリコンは非晶質であることがわかった。

【００３９】つぎに、上述の無機化合物薄膜の表面のＴ
ＥＭ観察結果を用いて、結晶粒子径の分布及びある１つ
の結晶粒子の周囲に存在している結晶粒子の数（以下、
配位粒子数と呼ぶ）を解析した。結晶粒子径について
は、ランダムに選択した一辺が２００ｎｍの正方形中に
存在している粒子について調べた。その結果、平均結晶
粒子径は１０ｎｍであった。粒子径の分布は正規分布を
しており、標準偏差を求めると０．６ｎｍ以下であっ
た。このように粒子径分布が小さいのは薄膜形成にＥＣ
Ｒスパッタ法を用いたためである。ＲＦスパッタ法やＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法を用いて薄膜を形成した場合
では、粒子径分布は１．０ｎｍ程度であることから、Ｅ
ＣＲスパッタ法を用いて薄膜を形成する方法は高密度記
録という観点から極めて有効な方法である。配位粒子数
について、ランダムに選択した２８０個の結晶粒子につ
いて調べた。その結果、平均で６．０２個であった。こ
のことは、結晶粒子の粒径のばらつきが少なく、基板面
に平行な面内で結晶粒子の正六角形がハニカム状に極め
て規則的に配列していることを示している。

【００４０】この配位粒子数は、結晶粒子間の間隔に依
存して変化する。ここで、ＳｉＯ_２は構造に規則性を持
たせる重要な役割を有しており、ＳｉＯ_２濃度は形成す
る結晶粒子の間隔を決定していることが分かった。この
結晶粒子間の距離は、ターゲットの組成（ＣｏとＳｉの
比、あるいはＣｏＯとＳｉＯ_２の比等）を変化させるこ
とにより所望の値を容易かつ任意に選択することができ
る。例えば、ＣｏＯ−ＳｉＯ_２膜中のＳｉＯ_２濃度を多
くすると、この結晶粒子間距離は長くなる。結晶粒子間
の距離は、基板温度を上げるなどの成膜プロセスを最適
化することにより変化させることができる。一方、Ｓｉ
Ｏ_２濃度を低くすると結晶粒子間の距離は狭くなる（結
晶粒子どうしが接近する）。それと同時に、粒子形状に
乱れが観測された。配位粒子数は、７個程度と多い粒子
があったり、逆に４〜５個と少ない粒子が存在してお
り、ばらつきが大きくなった。また、二次元の配列に乱
れが生じ、ハニカム構造が崩れているのが観察された。
適当な結晶粒子間隔範囲は０．５〜２ｎｍであり、本実
施例では、この範囲に含まれるようにＳｉＯ_２濃度の制
御を行った。

【００４１】また、比較のために無機化合物薄膜をＥＣ
Ｒスパッタ法に代えてＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り形成した。マグネトロンスパッタ法により形成した無
機化合物薄膜の構造を、ＴＥＭによる観察像を用いて前
述のＥＣＲスパッタ法による膜の場合と同様に解析し
た。その結果、平均粒子径は１０ｎｍであり、粒子径分
布は正規分布をしているものの、標準偏差（σ）は１．
２ｎｍであり、ＥＣＲスパッタ法により形成した膜の標
準偏差（σ）０．７ｎｍと比較すると粒子径のばらつき
が大きかった。また、配位粒子数を２８０個の結晶粒子
について調べたところ、平均６．３０個であり、ＥＣＲ
スパッタ法を用いて形成した場合に比べて規則性が低下
していることが分かった。この比較実験から、ＥＣＲス
パッタ法を用いて無機化合物薄膜２を形成すると、薄膜
２の規則性を大きく改善でき、高密度記録に有利な膜が
得られることがわかった。

【００４２】上述の無機化好物薄膜の成膜では、ターゲ
ットとして、ＣｏＯとＳｉＯ_２との混合したものを焼結
して用いたが、これらの各化合物を単体で焼結したもの
をターゲットに用い、二元同時スパッタにより成膜して
もよく、成膜法やターゲットの種類には依存しない。無
機化合物薄膜の成膜において重要なことは、マイクロ波
を用いたＥＣＲスパッタ法を用い、スパッタ粒子のエネ
ルギーを精密に制御することである。

【００４３】また、無機化合物薄膜の成膜において、膜
厚を５ｎｍ程度としても、逆に、１００ｎｍと厚くして
も得られる膜の表面および断面の組織や構造、粒子サイ
ズおよびサイズ分布などに、膜厚に依存した変化は見ら
れなかった。５ｎｍ以下の膜厚では、成膜装置の都合
上、安定して作製することが困難であり、また、１００
ｎｍ以上では成膜に時間がかかるとともに、膜の内部応
力が増して膜が基板から剥離するので製造上の制限があ
る。

【００４４】〔磁性膜の成膜〕つぎに、無機化合物薄膜
上に情報記録用の磁性膜３として、Ｔｂ_１５Ｆｅ_７０Ｃ
ｏ_１５膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により成膜し
た。かかるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の組成は、遷移金属の副
格子磁化が優勢となる組成である。スパッタの際には、
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金をターゲットに、純Ａｒを放電ガ
スにそれぞれ使用した。形成した磁性膜の厚さは２０ｎ
ｍである。スパッタ時の圧力は２０ｍＴｏｒｒ、投入Ｒ
Ｆ電力は１ｋＷ／１５０ｍｍφである。

【００４５】かかる磁性膜を成膜する前に、無機化合物
薄膜上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌなどの金属膜やＳｉ
_３Ｎ_４などの窒化物膜を形成し、これらの膜を介して磁
性膜を成膜してもよい。かかる金属膜や窒化物膜は、磁
性膜（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜）の保護や凹凸の制御に効果
がある。

【００４６】また、磁性膜表面に形成される凹凸は、無
機化合物薄膜表面の凹凸を反映しているが、成膜方法や
成膜条件を選択することにより所望の凹凸（平坦を含
む）を得ることができる。

【００４７】〔保護膜の成膜〕次いで、磁性膜３上に保
護膜４として、ＥＣＲスパッタ法によりカーボン薄膜を
形成した。ターゲットにはカーボンターゲットを用い、
放電ガスにはＡｒを使用した。スパッタ時の圧力は０．
３ｍＴｏｒｒ、投入マイクロ波電力は１ｋＷ（周波数は
２．９３ＧＨｚ）、基板温度は室温である。マイクロ波
により励起されたプラズマを引き込むためのＲＦバイア
スをターゲットに印加した。その値は５００Ｗである。
なお、カーボンは導電体であるのでＤＣ電圧を印加して
引き込んでも同様の効果が得られる。

【００４８】こうしてカーボン膜を膜厚３ｎｍで成膜し
た。得られたカーボン膜の組織を高分解能透過型電子顕
微鏡にて観察したところ、カーボン膜は３ｎｍ膜厚でも
アイランド状になることなく全体にわたって均一な膜を
形成していた。

【００４９】ここで、保護膜の保護性能を調べるため
に、保護膜の膜厚を次第に薄くして形成したところ、膜
厚が１ｎｍになっても保護膜のカバレージに変化はな
く、アイランド状にはならなかった。膜厚を１ｎｍより
も更に薄くしたが、電子顕微鏡の分解能以下になり、十
分な解析を行なうことはできなかった。しかし、保護性
能を考えると、少なくとも１ｎｍ程度以上の膜厚が必要
であると考えられる。

【００５０】また、カーボン膜の密度を、体積が既知の
試料を溶解して濃度を定量する方法により求めたとこ
ろ、ＥＣＲスパッタ法により作製したカーボン膜の密度
は理論密度の６９％であった。

【００５１】こうして図１に示す積層構造を有する磁気
記録媒体１０を作製した。

【００５２】〔磁気記録媒体の諸特性〕つぎに、得られ
た磁気記録媒体の磁気特性を測定した。ＶＳＭ（Vibrat
ing Sample Magnetometer）による測定からＭ−Ｈルー
プを得た。その結果から、角型比のＳおよびＳ^＊はとも
に１．０であり、良好な角型性が得られた。また、保磁
力：Ｈｃは３．５ｋＯｅ（約２７８．５３ｋＡ／ｍ）、
飽和磁化：Ｍｓは５００ｅｍｕ／ｃｍ^３であった。ま
た、基板面に対して垂直方向の垂直磁気異方性エネルギ
ーが６×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３であり、基板面に垂直な
方向に大きな磁気異方性を有する磁性体であった。

【００５３】この磁気記録媒体の活性化体積を測定した
ところ、磁気記録媒体として広く用いられているＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ系磁性膜における値（約７０）の約３０倍と
著しく大きかった。このことは、この磁性膜が熱的安定
性に優れていることを示している。

【００５４】つぎに、磁性膜の構造をＸ線回折法により
調べたところ、回折ピークは得られず、Ｘ線的には非晶
質であった。また、高分解能透過型電子顕微鏡（高分解
能ＴＥＭ）により組織や構造を調べたところ、明確な格
子は見られず、非晶質か、極微細な組織の集合体である
ことがわかった。ここで、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜には非晶
質合金を用いたが、Ｔｂからなる層、Ｆｅからなる層及
びＣｏからなる層を交互に積層して構成されるＴｂ／Ｆ
ｅ／Ｃｏ多層膜や、Ｔｂからなる層とＦｅ−Ｃｏ合金か
らなる層とを交互に積層してなるＴｂ／Ｆｅ−Ｃｏ多層
膜のような、希土類元素と鉄族元素の交互積層多層膜
（人工格子膜）を用いても同様の効果が得られた。

【００５５】〔磁気記録装置〕つぎに、かかる磁気特性
を有する磁気記録媒体の表面上に潤滑剤を塗布すること
によって磁気ディスクを完成させた。そして同様のプロ
セスにより複数の磁気ディスクを作製し、磁気記録装置
に同軸上に組み込んだ。磁気記録装置の概略構成を図６
及び図７に示す。

【００５６】図６は磁気記録装置１００の上面の図であ
り、図７は、磁気記録装置１００の図６における破線Ａ
−Ａ’方向の断面図である。記録用磁気ヘッドとして、
２．１Ｔの高飽和磁束密度を有する軟磁性膜を用いた薄
膜磁気ヘッドを用いた。また、記録信号は、巨大磁気抵
抗効果を有するデュアルスピンバルブ型ＧＭＲ磁気ヘッ
ドにより再生した。磁気ヘッドのギャップ長は０．１２
μｍであった。記録用磁気ヘッド及び再生用磁気ヘッド
は一体化されており、図６及び図７では磁気ヘッド５３
として示した。この一体型磁気ヘッドは磁気ヘッド用駆
動系５４により制御される。

【００５７】複数の磁気ディスク５１はスピンドル５２
により同軸回転される。ここで、磁気ヘッド面と磁性膜
との距離は１２ｎｍに保った。この磁気ディスク５１に
５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ^２（約７．７５Ｇｂｉｔｓ／
ｃｍ^２）に相当する信号（８００ｋＦＣＩ）を記録して
磁気ディスクのＳ／Ｎを評価したところ、３０ｄＢの再
生出力が得られた。また、この磁気ディスクの欠陥レー
トを測定したところ、信号処理を行なわない場合の値で
１×１０^−５以下であった。

【００５８】ここで、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用い
て、記録した部分の磁化状態を観察した。その結果、磁
化遷移領域には、従来の結晶質系の磁性膜において観測
されるような特有なジグザグパターンは観測されなかっ
た。このように本実施例の磁気記録媒体では磁化遷移領
域にジグザグパターンが形成されていないために、ノイ
ズレベルがＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の従来の磁気記録媒体に
比べて著しく小さくなっている。また、磁性膜が非晶質
であることもノイズレベルが低い原因である。また、従
来の磁気記録媒体では、隣同士の記録磁区の間や記録磁
区の中に、反磁界の影響によって生じる、周囲と逆向き
の磁化を有する微小な逆磁区が観察されたが、本実施例
の磁気記録媒体では、隣同士の記録磁区の間や記録磁区
の中に、微小な逆磁区は殆ど観察されなかった。隣同士
の記録磁区の間や記録磁区の中に、微小な逆磁区が殆ど
存在しないこともノイズレベルが低い原因の１つであ
る。

【００５９】本実施例の磁気記録媒体において、磁化遷
移領域に、ジグザグパターンが観測されなかったのは、
表面に凹凸を有する無機化合物膜を磁性膜の下地として
形成したために、下地膜の凹凸に対応して形成された磁
性膜の凹凸が磁壁の移動の障害となったからである。磁
壁部分においては、図８（Ａ）に示すように僅かにジグ
ザグパターンが形成されている。かかるジグザグパター
ンは、無機化合物薄膜の表面に存在する凹凸に依存して
形成されるものであり、規則性を有している。それゆ
え、凹凸の構造や形状を考慮して信号処理を行なうこと
により、更に高Ｓ／Ｎで情報を再生することができる。
なお、図８（Ａ）においては、ジグザグパターンが下地
膜の凹凸に沿って形成される様子を強調して示すため
に、下地膜の六角形状の凸部２個程度を磁化反転の単位
（記録磁区）として模式的に示している。ジグザグパタ
ーンの変化はジッタの変化として観測できる。そこで、
一定のパターンを磁気記録媒体に記録し、タイムインタ
ーバルアナライザ（ＴＩＡ）により磁区のエッジの揺ら
ぎを測定した。測定の結果、無機化合物薄膜を備えない
磁気記録媒体に比べて、エッジの揺らぎは１／１０以下
に低減していた。

【００６０】以上、本発明に従う磁気記録媒体及びそれ
を備える磁気記録装置について実施例により説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の改
良例及び変形例を含み得る。

【００６１】例えば、上記実施例では、無機化合物膜２
をガラス基板１上に直接成膜して磁気記録媒体を作製し
たが、例えば、Ｈｆなどの非晶質の膜を介して無機化合
物薄膜を形成して磁気記録媒体を構成してもよい。これ
により、無機化合物薄膜の初期成長層の形成を抑制する
ことができるので、無機化合物薄膜の結晶粒子の配列の
規則性や結晶性を更に向上させることができる。また、
Ｈｆ以外に、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｃ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ
_２、Ｎｉ−Ｐなどの材料を用いても同様の効果を得るこ
とができる。

【００６２】また、上記実施例では、磁性膜を、ＲＦマ
グネトロンスパッタ法を用いて成膜したが、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法やエレクトロンサイクロトロンレゾナ
ンスを利用したスパッタ法（ＥＣＲスパッタ法）を用い
て行ってもよい。また、磁性膜として、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ系の非晶質合金膜を用いたが、これ以外に、例えば、
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
などの希土類と鉄族の合金膜や多層膜、更には、Ｐｔ
（あるいはＰｄ）／Ｃｏ交互積層多層膜などの磁壁移動
型の情報記録用の磁性膜を用いてもよい。

【００６３】また、磁性膜と無機化合物薄膜との間に中
間膜を設けることもできる。これによりディスクの信頼
性をさらに向上させることができる。中間膜に用いる材
料は、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ−Ｐ、Ｃなどの元素や、これらの元素を母元素
とし、これに母元素以外の元素を添加した合金が好まし
い。これらの材料から構成される中間膜を磁性膜と無機
化合物薄膜との間に設けることにより、無機化合物層か
ら磁性膜中への酸素が拡散することを抑制することがで
きる。それゆえ、磁性膜の磁気特性の変動が抑制される
ので、磁気記録媒体の信頼性を向上させることができ
る。

【００６４】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、結晶粒子とそ
の粒界によって表面上に微細で且つ規則正しい凹凸が形
成された下地膜を有し、この下地膜上に非晶質の磁性膜
を備えるので、磁性膜にも下地膜に対応した微細な凹凸
が形成されている。かかる磁性膜の凹凸は、磁壁の移動
の障壁となって磁性膜に形成された磁区のエッジ位置を
高精度に画定することができる。それゆえ磁性膜に形成
される記録磁区の揺らぎが低減され、低ノイズで且つ高
い信頼性で情報を再生することができる。

【００６５】本発明の磁気記録媒体及びその磁気記録媒
体を装着した磁気記録装置は、６０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃ
ｈ^２を越える高記録密度で情報を記録することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の断面構造を模式的に示
す図である。

【図２】ＥＣＲスパッタ装置の概略構成を示す図であ
る。

【図３】無機化合物薄膜の平面構造の概略を示す図であ
る。

【図４】無機化合物薄膜の断面構造の概略を示す図であ
る。

【図５】無機化合物薄膜とその上に成膜された磁性膜の
断面構造の概略を示す図である。

【図６】本発明に従う磁気記録装置の概略構成図であ
る。

【図７】図６の磁気記録装置のＡ−Ａ’方向における断
面図である。

【図８】磁化遷移領域の様子を模式的に示した図であ
り、図８（Ａ）は本発明の磁気記録媒体の磁化遷移領域
の様子であり、図８（Ｂ）は従来の磁気記録媒体の磁化
遷移領域の様子である。

【符号の説明】

１基板２無機化合物薄膜３磁性膜４保護膜５１磁気ディスク５２スピンドル５３磁気ヘッド５４磁気ヘッドの駆動系

フロントページの続き (72)発明者太田憲雄大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者竹内輝明大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者矢野亮大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者坂本晴美大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者若林康一郎大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者松沼悟大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者稲葉信幸大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者本田光利茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者山本浩貴茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者中澤哲夫茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者内藤孝茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA02 BA03 BA06 BA07 BA09 BA11 BA12 BA16 BA17 BA21 BA26 BA32 BA34 BA35 BA43 BA44 BA46 BA48 BA58 BB02 BD11 CA05 DC09 DC48 5D006 BB07 CA01 CA05 CA06 EA03 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体において、基板上に、下地膜及び非晶質の磁性膜を備え、上記下地膜は、結晶粒子と当該結晶粒子を取り囲む非晶
質の結晶粒界部とから構成され、該結晶粒子及び結晶粒
界部によって下地膜表面に凹凸が形成されていることを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記結晶粒子は、基板面に平行な面内に
おいて六角形状を有しており、各結晶粒子が基板面に平
行な面内においてハニカム状に配列していることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記結晶質粒子は、酸化コバルト、酸化
ニッケル及び酸化鉄からなる群から選ばれた少なくとも
１種類の化合物から構成され、上記結晶粒界部は、酸化
シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタ
ル及び酸化亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種
類の酸化物からなる無機化合物から構成されていること
を特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記基板と下地膜との間に、非晶質薄膜
または一定の方位に配向した配向膜を備えることを特徴
とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気記録媒
体。
【請求項５】上記非晶質薄膜または配向膜は、金属ま
たは非晶質無機化合物から形成されていることを特徴と
する請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】上記非晶質薄膜または配向膜が、Ｈｆ、
Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ
_３Ｎ_４、Ｃ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２及びＮ
ｉ−Ｐからなる群から選ばれた少なくとも１種類の材料
から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の
磁気記録媒体。
【請求項７】上記下地膜と磁性膜との間に中間膜を備
え、該中間膜が、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ−Ｐ及びＣからなる群から選ばれた
少なくとも１種類の材料から構成されていることを特徴
とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録媒
体。
【請求項８】上記下地膜の結晶粒子が凸部を形成し、
結晶粒界部が凹部を形成していることを特徴とする請求
項１〜７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】上記凸部と凹部の高さの差が３ｎｍ〜１
０ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の磁気記
録媒体。
【請求項１０】上記下地膜は、電子サイクロトロン共
鳴スパッタ法を用いて形成されていることを特徴とする
請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】上記結晶粒子の粒子径分布の標準偏差
が平均粒子径の１５％以下であることを特徴とする請求
項１〜１０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】上記結晶粒子は、基板表面に垂直な方
向における構造が柱状構造であることを特徴とする請求
項１〜１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】上記結晶粒子は、５ｎｍ〜１５ｎｍの
範囲内の粒子径を有することを特徴とする請求項１〜１
２のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】上記結晶粒界部が、０．５ｎｍ以上２
ｎｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１〜１３
のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】１つの結晶粒子の周囲に析出している
結晶粒子数の平均が５．８以上６．２以下であることを
特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の磁気
記録媒体。
【請求項１６】上記磁性膜の表面に、上記下地膜の表
面の凹凸を反映した凹凸が形成されていることを特徴と
する請求項１〜１５のいずれか一項に記載の磁気記録媒
体。
【請求項１７】上記磁性膜表面の凹凸の凸部と凹部と
の高さの差が３ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする
請求項１６に記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】請求項１〜１７のいずれか一項に記載
の磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に情報を記録また
は再生するための磁気ヘッドと、上記磁気記録媒体を磁
気ヘッドに対して駆動するための駆動装置とを備える磁
気記録装置。