JP2002079554A - 樹脂封止装置及び離型方法 - Google Patents
樹脂封止装置及び離型方法Info
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】成形品とカルの同時離型を可能とし、成形品の
品質を向上させる半導体装置のリードフレーム面内にて
樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封止
装置及び離型方法を提供する。 【解決手段】本発明の樹脂封止装置は、下金型１０に設
けられたポット１３及びゲート１４とに列接しポット１
３から樹脂を注入させる切欠である切欠部１と、切欠部
１に設けられ切欠部１に注入され硬化された樹脂を押し
出すエジェクタピン２とを設けた。本発明の離型方法
は、樹脂突起部３９とカル３８とを一体的に形成し、樹
脂突起部３９を成形品３７と同時に下金型１０から離型
させることにより、カル３８を成形品３７と同時に下金
型１０から離型させる。
品質を向上させる半導体装置のリードフレーム面内にて
樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封止
装置及び離型方法を提供する。 【解決手段】本発明の樹脂封止装置は、下金型１０に設
けられたポット１３及びゲート１４とに列接しポット１
３から樹脂を注入させる切欠である切欠部１と、切欠部
１に設けられ切欠部１に注入され硬化された樹脂を押し
出すエジェクタピン２とを設けた。本発明の離型方法
は、樹脂突起部３９とカル３８とを一体的に形成し、樹
脂突起部３９を成形品３７と同時に下金型１０から離型
させることにより、カル３８を成形品３７と同時に下金
型１０から離型させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の樹脂
封止に用いる樹脂封止装置及び離型方法に関し、特に半
導体装置のリードフレーム面内にて樹脂注入を行うトラ
ンスファーモールド方式の樹脂封止装置及び離型方法に
関する。
封止に用いる樹脂封止装置及び離型方法に関し、特に半
導体装置のリードフレーム面内にて樹脂注入を行うトラ
ンスファーモールド方式の樹脂封止装置及び離型方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、図１４の成形品の構造の
一例を示す断面図で示すように、リードフレーム３２の
アイランド３３上に半導体素子３１が搭載され、半導体
素子３１のボンディングパッド（図示せず）とリードフ
レーム３２のリード３４とがボンディングワイヤ３５に
て接続されている。そして、半導体素子３１、ボンディ
ングワイヤ３５、リードフレーム３２のアイランド３３
及びリード３４が、外界から保護するため、樹脂封止装
置を用い樹脂封止され、樹脂３６にて覆われている。
一例を示す断面図で示すように、リードフレーム３２の
アイランド３３上に半導体素子３１が搭載され、半導体
素子３１のボンディングパッド（図示せず）とリードフ
レーム３２のリード３４とがボンディングワイヤ３５に
て接続されている。そして、半導体素子３１、ボンディ
ングワイヤ３５、リードフレーム３２のアイランド３３
及びリード３４が、外界から保護するため、樹脂封止装
置を用い樹脂封止され、樹脂３６にて覆われている。
【０００３】ここで、半導体装置の樹脂封止に用いる樹
脂封止装置には、半導体装置のリードフレーム（３２）
面内にて樹脂注入を行うトランスファーモールド方式
と、リードフレーム（３２）面外から樹脂注入を行うト
ランスファーモールド方式の、２方式が有る。
脂封止装置には、半導体装置のリードフレーム（３２）
面内にて樹脂注入を行うトランスファーモールド方式
と、リードフレーム（３２）面外から樹脂注入を行うト
ランスファーモールド方式の、２方式が有る。
【０００４】そして、半導体装置のリードフレーム面内
にて樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂
封止装置は、構造として、成形金型に樹脂の経路である
ランナー部を有していない。これに対し、リードフレー
ム面外から樹脂注入を行うトランスファーモールド方式
の樹脂封止装置は、成形金型にランナー部を有してい
る。そのため、半導体装置のリードフレーム面内にて樹
脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封止装
置は、（リードフレーム面外から樹脂注入を行うトラン
スファーモールド方式の樹脂封止装置に対し）、樹脂効
率が優れており、生産性が向上し、コストを低減でき
る。
にて樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂
封止装置は、構造として、成形金型に樹脂の経路である
ランナー部を有していない。これに対し、リードフレー
ム面外から樹脂注入を行うトランスファーモールド方式
の樹脂封止装置は、成形金型にランナー部を有してい
る。そのため、半導体装置のリードフレーム面内にて樹
脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封止装
置は、（リードフレーム面外から樹脂注入を行うトラン
スファーモールド方式の樹脂封止装置に対し）、樹脂効
率が優れており、生産性が向上し、コストを低減でき
る。
【０００５】従来の半導体装置のリードフレーム面内に
て樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封
止装置（以下樹脂封止装置という）及び離型方法は、図
８の樹脂封止装置の上金型と下金型とから構成される成
形金型の下金型を示す平面図、及び図９乃至図１３の離
型工程を含むトランスファーモールド工程に於ける成形
金型の上下金型の動作を示す断面図で説明される。
て樹脂注入を行うトランスファーモールド方式の樹脂封
止装置（以下樹脂封止装置という）及び離型方法は、図
８の樹脂封止装置の上金型と下金型とから構成される成
形金型の下金型を示す平面図、及び図９乃至図１３の離
型工程を含むトランスファーモールド工程に於ける成形
金型の上下金型の動作を示す断面図で説明される。
【０００６】まず、図８に示すように、樹脂封止装置の
成形金型の下金型１０には、下金型１０上に載置される
リードフレームの半導体素子が搭載された位置に対応し
た位置に、半導体装置の成形形状に対応した形状の成形
用の複数のキャビティ１１が形成されている。そして各
キャビティ１１には、成形品取り出し用のエジェクタピ
ン１２が設けられている。
成形金型の下金型１０には、下金型１０上に載置される
リードフレームの半導体素子が搭載された位置に対応し
た位置に、半導体装置の成形形状に対応した形状の成形
用の複数のキャビティ１１が形成されている。そして各
キャビティ１１には、成形品取り出し用のエジェクタピ
ン１２が設けられている。
【０００７】そして、各キャビティ１１に成形材料であ
る樹脂を注入させるための供給口であるポット１３が設
けられている。そしてポット１３とキャビティ１１とを
連接し、キャビティ１１への樹脂の注入口であるゲート
１４が設けられている。そして各ポット１３内には、供
給された樹脂を各キャビティ１１に注入するためのプラ
ンジャ１５が設けられている。このプランジャ１５は、
成形金型の下金型１０に設けられ、下側から動作するの
でロアープランジャといわれる。
る樹脂を注入させるための供給口であるポット１３が設
けられている。そしてポット１３とキャビティ１１とを
連接し、キャビティ１１への樹脂の注入口であるゲート
１４が設けられている。そして各ポット１３内には、供
給された樹脂を各キャビティ１１に注入するためのプラ
ンジャ１５が設けられている。このプランジャ１５は、
成形金型の下金型１０に設けられ、下側から動作するの
でロアープランジャといわれる。
【０００８】ここで、ポット１３及びプランジャ１５は
複数組設けられていて、マルチプランジャ金型といわれ
る。そして、１組のポット１３及びプランジャ１５は、
複数のキャビティ１１に樹脂を注入する（図８に示す例
の場合は、４つのキャビティ１１に樹脂を注入する）。
複数組設けられていて、マルチプランジャ金型といわれ
る。そして、１組のポット１３及びプランジャ１５は、
複数のキャビティ１１に樹脂を注入する（図８に示す例
の場合は、４つのキャビティ１１に樹脂を注入する）。
【０００９】そして、樹脂封止装置の成形金型の上下金
型の型開き状態を示す図９に示すように、樹脂封止装置
の成形金型の上金型２０には、下金型１０に対向して、
下金型１０に形成された複数のキャビティ１１に対向し
て、半導体装置の成形形状に対応した形状の成形用の複
数のキャビティ２１が形成されている。
型の型開き状態を示す図９に示すように、樹脂封止装置
の成形金型の上金型２０には、下金型１０に対向して、
下金型１０に形成された複数のキャビティ１１に対向し
て、半導体装置の成形形状に対応した形状の成形用の複
数のキャビティ２１が形成されている。
【００１０】そして各キャビティ２１には、下金型１０
に設けられたエジェクタピン１２に対向して、成形品取
り出し用のエジェクタピン２２が設けられている。ま
た、下金型１０の各ポット１３（カル）に対応した位置
にも、成形品取り出し用のエジェクタピン２２ａが設け
られている。そして、成形金型の上下金型の型締め状態
で、対向する下金型（１０）上面に当接するエジェクタ
ポスト２９が設けられている。
に設けられたエジェクタピン１２に対向して、成形品取
り出し用のエジェクタピン２２が設けられている。ま
た、下金型１０の各ポット１３（カル）に対応した位置
にも、成形品取り出し用のエジェクタピン２２ａが設け
られている。そして、成形金型の上下金型の型締め状態
で、対向する下金型（１０）上面に当接するエジェクタ
ポスト２９が設けられている。
【００１１】そして、エジェクタピン２２の上端、エジ
ェクタピン２２ａの上端及びエジェクタポスト２９の上
端は、エジェクタピンプレート２６に固定されている。
そして、エジェクタピン２２、エジェクタピン２２ａ及
びエジェクタポスト２９は、エジェクタピンプレート２
６ごと、ノックアウトスプリング２８により下方に付勢
され押し下げられている。
ェクタピン２２ａの上端及びエジェクタポスト２９の上
端は、エジェクタピンプレート２６に固定されている。
そして、エジェクタピン２２、エジェクタピン２２ａ及
びエジェクタポスト２９は、エジェクタピンプレート２
６ごと、ノックアウトスプリング２８により下方に付勢
され押し下げられている。
【００１２】そして、成形金型の上下金型が型開き状態
では、エジェクタピン２２の下端部は、キャビティ２１
の底面より突出している。また、エジェクタピン２２ａ
の下端部及びエジェクタポスト２９の下端部は、上金型
２０の下面より突出している。
では、エジェクタピン２２の下端部は、キャビティ２１
の底面より突出している。また、エジェクタピン２２ａ
の下端部及びエジェクタポスト２９の下端部は、上金型
２０の下面より突出している。
【００１３】また、下金型１０に設けられたエジェクタ
ピン１２は、その下端がエジェクタピンプレート１６に
固定されている。そして、エジェクタピンプレート１６
は、ノックアウトロッド１７に固定されている。
ピン１２は、その下端がエジェクタピンプレート１６に
固定されている。そして、エジェクタピンプレート１６
は、ノックアウトロッド１７に固定されている。
【００１４】そして、成形金型の上下金型が型開き状態
では、エジェクタピン１２は、ノックアウトロッド１７
が下降した位置に位置することにより、下降した位置に
位置する。そして、エジェクタピン１２の上端は、キャ
ビティ１１の底面に位置している。
では、エジェクタピン１２は、ノックアウトロッド１７
が下降した位置に位置することにより、下降した位置に
位置する。そして、エジェクタピン１２の上端は、キャ
ビティ１１の底面に位置している。
【００１５】そして、図１０に示すように、型開き状態
の成形金型の下金型１０に、成形材料である樹脂３６を
供給し、樹脂封止されるリードフレーム３２を載置す
る。まず、下金型１０の各ポット１３内に、予備加熱さ
れ軟化したタブレット状の樹脂３６を夫々供給する。そ
して、下金型１０上の所定の位置に、半導体素子（図示
せず）が搭載され、ボンディングワイヤ（図示せず）に
て接続されたリードフレーム３２を載置する。
の成形金型の下金型１０に、成形材料である樹脂３６を
供給し、樹脂封止されるリードフレーム３２を載置す
る。まず、下金型１０の各ポット１３内に、予備加熱さ
れ軟化したタブレット状の樹脂３６を夫々供給する。そ
して、下金型１０上の所定の位置に、半導体素子（図示
せず）が搭載され、ボンディングワイヤ（図示せず）に
て接続されたリードフレーム３２を載置する。
【００１６】次に、図１１に示すように、成形金型の上
下金型の型締めを行う。そうすると、成形金型の上金型
２０と下金型１０とは衝合し、リードフレーム３２は上
金型２０と下金型１０とで挟持される。
下金型の型締めを行う。そうすると、成形金型の上金型
２０と下金型１０とは衝合し、リードフレーム３２は上
金型２０と下金型１０とで挟持される。
【００１７】この時、上金型２０に設けられたエジェク
タポスト２９の下端が、対向する下金型１０の上面に当
接する。そして、エジェクタポスト２９が固定されてい
るエジェクタピンプレート２６を付勢しているノックア
ウトスプリング２８が圧縮されて、エジェクタポスト２
９はその下端が対向する下金型１０の上面に当接したま
ま押し上げられ、上金型２０と下金型１０との衝合面に
位置する。
タポスト２９の下端が、対向する下金型１０の上面に当
接する。そして、エジェクタポスト２９が固定されてい
るエジェクタピンプレート２６を付勢しているノックア
ウトスプリング２８が圧縮されて、エジェクタポスト２
９はその下端が対向する下金型１０の上面に当接したま
ま押し上げられ、上金型２０と下金型１０との衝合面に
位置する。
【００１８】そしてこの事により、エジェクタピンプレ
ート２６に固定されているエジェクタピン２２ａも押し
上げられ、その下端は上金型２０の下面に位置する。そ
して、エジェクタピンプレート２６に固定されているエ
ジェクタピン２２も押し上げられ、その下端はキャビテ
ィ２１の底面に位置する。
ート２６に固定されているエジェクタピン２２ａも押し
上げられ、その下端は上金型２０の下面に位置する。そ
して、エジェクタピンプレート２６に固定されているエ
ジェクタピン２２も押し上げられ、その下端はキャビテ
ィ２１の底面に位置する。
【００１９】またこの時でも、下金型１０に設けられた
エジェクタピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に
位置したままである。
エジェクタピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に
位置したままである。
【００２０】そして、この（型締め）状態に於いて、下
金型１０のポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プ
ランジャ１５により、ゲート１４を介して各キャビティ
１１及びキャビティ２１に注入する。そして、注入した
樹脂３６を上金型２０及び下金型１０により所定時間加
熱保持（キュア）し硬化させる。こうして、リードフレ
ーム３２に搭載された半導体素子を樹脂封止した、成形
品が出来上がる。
金型１０のポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プ
ランジャ１５により、ゲート１４を介して各キャビティ
１１及びキャビティ２１に注入する。そして、注入した
樹脂３６を上金型２０及び下金型１０により所定時間加
熱保持（キュア）し硬化させる。こうして、リードフレ
ーム３２に搭載された半導体素子を樹脂封止した、成形
品が出来上がる。
【００２１】その後、図１２に示すように、成形金型の
上下金型の型開きを行う。そうすると、成形金型の上金
型２０と下金型１０とは離隔する。
上下金型の型開きを行う。そうすると、成形金型の上金
型２０と下金型１０とは離隔する。
【００２２】この時、上金型２０に設けられ対向する下
金型１０の上面に当接していたエジェクタポスト２９
は、固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、
圧縮されていたノックアウトスプリング２８により下方
に付勢され、下金型１０の上面を押し付けながら下金型
１０から離隔する。
金型１０の上面に当接していたエジェクタポスト２９
は、固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、
圧縮されていたノックアウトスプリング２８により下方
に付勢され、下金型１０の上面を押し付けながら下金型
１０から離隔する。
【００２３】そして同時に、エジェクタピン２２が、エ
ジェクタポスト２９と共に固定されているエジェクタピ
ンプレート２６ごと、ノックアウトスプリング２８によ
り下方に付勢され、出来上がった成形品３７を押し付け
ながら下金型１０から離隔する。
ジェクタポスト２９と共に固定されているエジェクタピ
ンプレート２６ごと、ノックアウトスプリング２８によ
り下方に付勢され、出来上がった成形品３７を押し付け
ながら下金型１０から離隔する。
【００２４】そしてまた同時に、エジェクタピン２２ａ
が、エジェクタポスト２９及びエジェクタピン２２と共
に固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、ノ
ックアウトスプリング２８により下方に付勢され、ポッ
ト１３内に残って硬化した樹脂（３６）であるカル３８
を押し付けながら下金型１０から離隔する。このように
して、成形品３７及びカル３８が上金型２０より離型さ
れる。
が、エジェクタポスト２９及びエジェクタピン２２と共
に固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、ノ
ックアウトスプリング２８により下方に付勢され、ポッ
ト１３内に残って硬化した樹脂（３６）であるカル３８
を押し付けながら下金型１０から離隔する。このように
して、成形品３７及びカル３８が上金型２０より離型さ
れる。
【００２５】そして、下金型１０に設けられたプランジ
ャ１５が、一旦下降し、元の位置に戻る。
ャ１５が、一旦下降し、元の位置に戻る。
【００２６】次に、図１３に示すように、下金型１０に
設けられたエジェクタピン１２が、固定されているエジ
ェクタピンプレート１６が固定されているノックアウト
ロッド１７が上昇することにより上昇し、成形品３７が
エジェクタピン２２により押し上げられる。そして同時
に、プランジャ１５が上昇し、カル３８がプランジャ１
５により押し上げられる。このようにして、成形品３７
及びカル３８が下金型１０より離型される。
設けられたエジェクタピン１２が、固定されているエジ
ェクタピンプレート１６が固定されているノックアウト
ロッド１７が上昇することにより上昇し、成形品３７が
エジェクタピン２２により押し上げられる。そして同時
に、プランジャ１５が上昇し、カル３８がプランジャ１
５により押し上げられる。このようにして、成形品３７
及びカル３８が下金型１０より離型される。
【００２７】そして、上金型２０及び下金型１０より離
型された成形品３７及びカル３８は、上下金型内から搬
送される。
型された成形品３７及びカル３８は、上下金型内から搬
送される。
【００２８】そして、エジェクタピン１２は、固定され
ているエジェクタピンプレート１６が固定されているノ
ックアウトロッド１７が下降することにより下降し、元
の位置に戻る。そして、プランジャ１５は、下降し、元
の位置に戻る。（図９に示す状態に戻る）。
ているエジェクタピンプレート１６が固定されているノ
ックアウトロッド１７が下降することにより下降し、元
の位置に戻る。そして、プランジャ１５は、下降し、元
の位置に戻る。（図９に示す状態に戻る）。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止に使用する樹
脂（３６）はある一定の工程能力にて製造される為に、
出来上がりの重量はある一定のばらつきを有している。
ここで、重量＝密度＊体積＊比重 であり、密度及び比
重は一定である。その為、使用する樹脂（３６）のタブ
レットの大きさ（体積）は、その重量のばらつきに応じ
て一定のばらつきを有している。
脂（３６）はある一定の工程能力にて製造される為に、
出来上がりの重量はある一定のばらつきを有している。
ここで、重量＝密度＊体積＊比重 であり、密度及び比
重は一定である。その為、使用する樹脂（３６）のタブ
レットの大きさ（体積）は、その重量のばらつきに応じ
て一定のばらつきを有している。
【００３０】そして、このような樹脂３６のタブレット
を用いて、樹脂封止装置において樹脂封止を行う為、樹
脂封止装置の成形金型の下金型１０のポット１３内で加
熱溶融した樹脂３６は、成形金型の上金型２０のキャビ
ティ２１及び下金型１０のキャビティ１１には隅々まで
注入され、下金型１０のゲート１４にも十分に注入され
ているが、下金型１０のポット１３内に残った樹脂（３
６）つまりカル３８の樹脂量（体積）はばらついてい
る。その為、出来上がったカル３８の厚さは、その樹脂
３６の重量のばらつきに応じて、ばらついていて、変化
することは避けられない。
を用いて、樹脂封止装置において樹脂封止を行う為、樹
脂封止装置の成形金型の下金型１０のポット１３内で加
熱溶融した樹脂３６は、成形金型の上金型２０のキャビ
ティ２１及び下金型１０のキャビティ１１には隅々まで
注入され、下金型１０のゲート１４にも十分に注入され
ているが、下金型１０のポット１３内に残った樹脂（３
６）つまりカル３８の樹脂量（体積）はばらついてい
る。その為、出来上がったカル３８の厚さは、その樹脂
３６の重量のばらつきに応じて、ばらついていて、変化
することは避けられない。
【００３１】従って、従来の樹脂封止装置及び離型方法
に於いては、厚さの変化しない成形品３７部と厚さが変
化するカル３８部の離型動作に於いて、同時に行う離型
タイミングにズレが発生してしまう。この、離型タイミ
ングのズレは成形品３７に過大な応力を与える為に、成
形品３７が機械的ダメージを受けてしまい樹脂クラック
が発生する等品質の低下を招いてしまうという問題があ
る。
に於いては、厚さの変化しない成形品３７部と厚さが変
化するカル３８部の離型動作に於いて、同時に行う離型
タイミングにズレが発生してしまう。この、離型タイミ
ングのズレは成形品３７に過大な応力を与える為に、成
形品３７が機械的ダメージを受けてしまい樹脂クラック
が発生する等品質の低下を招いてしまうという問題があ
る。
【００３２】従って、本発明の目的は、成形品とカルの
同時離型を可能とし、成形品の品質を向上させる半導体
装置のリードフレーム面内にて樹脂注入を行うトランス
ファーモールド方式の樹脂封止装置及び離型方法を提供
することにある。
同時離型を可能とし、成形品の品質を向上させる半導体
装置のリードフレーム面内にて樹脂注入を行うトランス
ファーモールド方式の樹脂封止装置及び離型方法を提供
することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止装置
は、成形金型に設けられたポット及びゲートとに列接し
前記ポットから樹脂を注入させる切欠である切欠部と、
前記切欠部に設けられ前記切欠部に注入され硬化された
前記樹脂を押し出すエジェクタピンとを設けたことを特
徴とする。
は、成形金型に設けられたポット及びゲートとに列接し
前記ポットから樹脂を注入させる切欠である切欠部と、
前記切欠部に設けられ前記切欠部に注入され硬化された
前記樹脂を押し出すエジェクタピンとを設けたことを特
徴とする。
【００３４】また、前記切欠部は、前記ポットを間に介
して、対になって対向して設けられている。また、前記
切欠部の深さは、前記成形金型に形成されたキャビティ
の深さと同程度である。
して、対になって対向して設けられている。また、前記
切欠部の深さは、前記成形金型に形成されたキャビティ
の深さと同程度である。
【００３５】また、前記切欠部に設けられたエジェクタ
ピンは、前記キャビティに設けられたエジェクタピンと
同一のプレートに固定されている。
ピンは、前記キャビティに設けられたエジェクタピンと
同一のプレートに固定されている。
【００３６】本発明の離型方法は、樹脂突起部とカルと
を一体的に形成し、前記樹脂突起部を成形金型から離型
させることにより、前記カルを前記成形金型から離型さ
せることを特徴とする。
を一体的に形成し、前記樹脂突起部を成形金型から離型
させることにより、前記カルを前記成形金型から離型さ
せることを特徴とする。
【００３７】本発明の離型方法は、樹脂突起部とカルと
を一体的に形成し、前記樹脂突起部を成形品と同時に成
形金型から離型させることにより、前記カルを前記成形
品と同時に前記成形金型から離型させることを特徴とす
る。
を一体的に形成し、前記樹脂突起部を成形品と同時に成
形金型から離型させることにより、前記カルを前記成形
品と同時に前記成形金型から離型させることを特徴とす
る。
【００３８】また、形成した前記樹脂突起部の樹脂量は
一定であり、形成した前記樹脂突起部の厚さは一定であ
る。
一定であり、形成した前記樹脂突起部の厚さは一定であ
る。
【００３９】この様な本発明によれば、厚さが一定で変
化しない樹脂突起部を形成し、樹脂突起部を離型させる
ことによりカルを離型させている。
化しない樹脂突起部を形成し、樹脂突起部を離型させる
ことによりカルを離型させている。
【００４０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施形態の樹脂封止装置の上金型と下金型とから構成
される成形金型の下金型を示す平面図、図２乃至図６は
図１の第１の実施形態の離型工程を含むトランスファー
モールド工程に於ける成形金型の上下金型の動作を示す
断面図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施形態の樹脂封止装置の上金型と下金型とから構成
される成形金型の下金型を示す平面図、図２乃至図６は
図１の第１の実施形態の離型工程を含むトランスファー
モールド工程に於ける成形金型の上下金型の動作を示す
断面図である。
【００４１】まず、図１に示すように、本実施形態の樹
脂封止装置の成形金型の下金型１０には、下金型１０上
に載置されるリードフレームの半導体素子が搭載された
位置に対応した位置に、半導体装置の成形形状に対応し
た形状の成形用の複数のキャビティ１１が形成されてい
る。そして各キャビティ１１には、成形品取り出し用の
エジェクタピン１２が設けられている。
脂封止装置の成形金型の下金型１０には、下金型１０上
に載置されるリードフレームの半導体素子が搭載された
位置に対応した位置に、半導体装置の成形形状に対応し
た形状の成形用の複数のキャビティ１１が形成されてい
る。そして各キャビティ１１には、成形品取り出し用の
エジェクタピン１２が設けられている。
【００４２】そして、各キャビティ１１に成形材料であ
る樹脂を注入させるための供給口であるポット１３が設
けられている。そしてポット１３とキャビティ１１とを
連接し、キャビティ１１への樹脂の注入口であるゲート
１４が設けられている。そして各ポット１３内には、供
給された樹脂を各キャビティ１１に注入するためのプラ
ンジャ１５が設けられている。
る樹脂を注入させるための供給口であるポット１３が設
けられている。そしてポット１３とキャビティ１１とを
連接し、キャビティ１１への樹脂の注入口であるゲート
１４が設けられている。そして各ポット１３内には、供
給された樹脂を各キャビティ１１に注入するためのプラ
ンジャ１５が設けられている。
【００４３】そして、ポット１３とゲート１４とに列接
し、ポット１３から樹脂を注入させる切欠である切欠部
１が設けられている。そして各切欠部１には、成形品取
り出し用のエジェクタピン２が設けられている。
し、ポット１３から樹脂を注入させる切欠である切欠部
１が設けられている。そして各切欠部１には、成形品取
り出し用のエジェクタピン２が設けられている。
【００４４】ここで、ポット１３及びプランジャ１５は
複数組設けられていて、１組のポット１３及びプランジ
ャ１５は、複数のキャビティ１１に樹脂を注入する。図
１に示す例の場合は、４つのキャビティ１１に樹脂を注
入する。
複数組設けられていて、１組のポット１３及びプランジ
ャ１５は、複数のキャビティ１１に樹脂を注入する。図
１に示す例の場合は、４つのキャビティ１１に樹脂を注
入する。
【００４５】そして、１組のポット１３とゲート１４と
に列接し、複数の切欠部１が設けられている。図１に示
す例の場合は、ポット１３を間に介して、一対の切欠部
１が対向して設けられている。
に列接し、複数の切欠部１が設けられている。図１に示
す例の場合は、ポット１３を間に介して、一対の切欠部
１が対向して設けられている。
【００４６】そして、樹脂封止装置の成形金型の上下金
型の型開き状態を示す図２に示すように、本実施形態の
樹脂封止装置の成形金型の上金型２０には、下金型１０
に対向して、下金型１０に形成された複数のキャビティ
１１に対向して、半導体装置の成形形状に対応した形状
の成形用の複数のキャビティ２１が形成されている。
型の型開き状態を示す図２に示すように、本実施形態の
樹脂封止装置の成形金型の上金型２０には、下金型１０
に対向して、下金型１０に形成された複数のキャビティ
１１に対向して、半導体装置の成形形状に対応した形状
の成形用の複数のキャビティ２１が形成されている。
【００４７】そして各キャビティ２１には、下金型１０
に設けられたエジェクタピン１２に対向して、成形品取
り出し用のエジェクタピン２２が設けられている。ま
た、下金型１０の各ポット１３（カル）に対応した位置
にも、成形品取り出し用のエジェクタピン２２ａが設け
られている。そして、成形金型の上下金型の型締め状態
で、対向する下金型（１０）上面に当接するエジェクタ
ポスト２９が設けられている。
に設けられたエジェクタピン１２に対向して、成形品取
り出し用のエジェクタピン２２が設けられている。ま
た、下金型１０の各ポット１３（カル）に対応した位置
にも、成形品取り出し用のエジェクタピン２２ａが設け
られている。そして、成形金型の上下金型の型締め状態
で、対向する下金型（１０）上面に当接するエジェクタ
ポスト２９が設けられている。
【００４８】そして、エジェクタピン２２の上端、エジ
ェクタピン２２ａの上端及びエジェクタポスト２９の上
端は、エジェクタピンプレート２６に固定されている。
そして、エジェクタピン２２、エジェクタピン２２ａ及
びエジェクタポスト２９は、エジェクタピンプレート２
６ごと、ノックアウトスプリング２８により下方に付勢
され押し下げられている。
ェクタピン２２ａの上端及びエジェクタポスト２９の上
端は、エジェクタピンプレート２６に固定されている。
そして、エジェクタピン２２、エジェクタピン２２ａ及
びエジェクタポスト２９は、エジェクタピンプレート２
６ごと、ノックアウトスプリング２８により下方に付勢
され押し下げられている。
【００４９】そして、成形金型の上下金型が型開き状態
では、エジェクタピン２２の下端部は、キャビティ２１
の底面より突出している。また、エジェクタピン２２ａ
の下端部及びエジェクタポスト２９の下端部は、上金型
２０の下面より突出している。
では、エジェクタピン２２の下端部は、キャビティ２１
の底面より突出している。また、エジェクタピン２２ａ
の下端部及びエジェクタポスト２９の下端部は、上金型
２０の下面より突出している。
【００５０】また、下金型１０に設けられたエジェクタ
ピン１２及びエジェクタピン２は、夫々その下端がエジ
ェクタピンプレート１６に固定されている。そして、エ
ジェクタピンプレート１６は、ノックアウトロッド１７
に固定されている。
ピン１２及びエジェクタピン２は、夫々その下端がエジ
ェクタピンプレート１６に固定されている。そして、エ
ジェクタピンプレート１６は、ノックアウトロッド１７
に固定されている。
【００５１】そして、成形金型の上下金型が型開き状態
では、エジェクタピン１２及びエジェクタピン２は、ノ
ックアウトロッド１７が下降した位置に位置することに
より、夫々下降した位置に位置する。そして、エジェク
タピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に位置して
いる。そしてエジェクタピン２の上端は、切欠部１の底
面に位置している。
では、エジェクタピン１２及びエジェクタピン２は、ノ
ックアウトロッド１７が下降した位置に位置することに
より、夫々下降した位置に位置する。そして、エジェク
タピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に位置して
いる。そしてエジェクタピン２の上端は、切欠部１の底
面に位置している。
【００５２】そして、図３に示すように、型開き状態の
成形金型の下金型１０に、成形材料である樹脂３６を供
給し、樹脂封止されるリードフレーム３２を載置する。
まず、下金型１０の各ポット１３内に、予備加熱され軟
化したタブレット状の樹脂３６を夫々供給する。そし
て、下金型１０上の所定の位置に、半導体素子（図示せ
ず）が搭載され、ボンディングワイヤ（図示せず）にて
接続されたリードフレーム３２を載置する。
成形金型の下金型１０に、成形材料である樹脂３６を供
給し、樹脂封止されるリードフレーム３２を載置する。
まず、下金型１０の各ポット１３内に、予備加熱され軟
化したタブレット状の樹脂３６を夫々供給する。そし
て、下金型１０上の所定の位置に、半導体素子（図示せ
ず）が搭載され、ボンディングワイヤ（図示せず）にて
接続されたリードフレーム３２を載置する。
【００５３】次に、図４に示すように、成形金型の上下
金型の型締めを行う。そうすると、成形金型の上金型２
０と下金型１０とは衝合し、リードフレーム３２は上金
型２０と下金型１０とで挟持される。
金型の型締めを行う。そうすると、成形金型の上金型２
０と下金型１０とは衝合し、リードフレーム３２は上金
型２０と下金型１０とで挟持される。
【００５４】この時、上金型２０に設けられたエジェク
タポスト２９の下端が、対向する下金型１０の上面に当
接する。そして、エジェクタポスト２９が固定されてい
るエジェクタピンプレート２６を付勢しているノックア
ウトスプリング２８が圧縮されて、エジェクタポスト２
９はその下端が対向する下金型１０の上面に当接したま
ま押し上げられ、上金型２０と下金型１０との衝合面に
位置する。
タポスト２９の下端が、対向する下金型１０の上面に当
接する。そして、エジェクタポスト２９が固定されてい
るエジェクタピンプレート２６を付勢しているノックア
ウトスプリング２８が圧縮されて、エジェクタポスト２
９はその下端が対向する下金型１０の上面に当接したま
ま押し上げられ、上金型２０と下金型１０との衝合面に
位置する。
【００５５】そしてこの事により、エジェクタピンプレ
ート２６に固定されているエジェクタピン２２ａも押し
上げられ、その下端は上金型２０の下面に位置する。そ
して、エジェクタピンプレート２６に固定されているエ
ジェクタピン２２も押し上げられ、その下端はキャビテ
ィ２１の底面に位置する。
ート２６に固定されているエジェクタピン２２ａも押し
上げられ、その下端は上金型２０の下面に位置する。そ
して、エジェクタピンプレート２６に固定されているエ
ジェクタピン２２も押し上げられ、その下端はキャビテ
ィ２１の底面に位置する。
【００５６】またこの時でも、下金型１０に設けられた
エジェクタピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に
位置したままである。そして、エジェクタピン２の上端
は、切欠部１の底面に位置したままである。
エジェクタピン１２の上端は、キャビティ１１の底面に
位置したままである。そして、エジェクタピン２の上端
は、切欠部１の底面に位置したままである。
【００５７】そして、この（型締め）状態に於いて、下
金型１０のポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プ
ランジャ１５により、ゲート１４を介して各キャビティ
１１及びキャビティ２１に注入する。そしてこの時同時
に、ポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プランジ
ャ１５により、切欠部１にも注入する。なおこの時、切
欠部１には、樹脂３６が隅々まで注入される。そして、
注入した樹脂３６を上金型２０及び下金型１０により所
定時間加熱保持（キュア）し硬化させる。こうして、リ
ードフレーム３２に搭載された半導体素子を樹脂封止し
た、成形品が出来上がる。
金型１０のポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プ
ランジャ１５により、ゲート１４を介して各キャビティ
１１及びキャビティ２１に注入する。そしてこの時同時
に、ポット１３内で加熱溶融した樹脂３６を、プランジ
ャ１５により、切欠部１にも注入する。なおこの時、切
欠部１には、樹脂３６が隅々まで注入される。そして、
注入した樹脂３６を上金型２０及び下金型１０により所
定時間加熱保持（キュア）し硬化させる。こうして、リ
ードフレーム３２に搭載された半導体素子を樹脂封止し
た、成形品が出来上がる。
【００５８】その後、図５に示すように、成形金型の上
下金型の型開きを行う。そうすると、成形金型の上金型
２０と下金型１０とは離隔する。
下金型の型開きを行う。そうすると、成形金型の上金型
２０と下金型１０とは離隔する。
【００５９】この時、上金型２０に設けられ対向する下
金型１０の上面に当接していたエジェクタポスト２９
は、固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、
圧縮されていたノックアウトスプリング２８により下方
に付勢され、下金型１０の上面を押し付けながら下金型
１０から離隔する。
金型１０の上面に当接していたエジェクタポスト２９
は、固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、
圧縮されていたノックアウトスプリング２８により下方
に付勢され、下金型１０の上面を押し付けながら下金型
１０から離隔する。
【００６０】そして同時に、エジェクタピン２２が、エ
ジェクタポスト２９と共に固定されているエジェクタピ
ンプレート２６ごと、ノックアウトスプリング２８によ
り下方に付勢され、出来上がった成形品３７を押し付け
ながら下金型１０から離隔する。
ジェクタポスト２９と共に固定されているエジェクタピ
ンプレート２６ごと、ノックアウトスプリング２８によ
り下方に付勢され、出来上がった成形品３７を押し付け
ながら下金型１０から離隔する。
【００６１】そしてまた同時に、エジェクタピン２２ａ
が、エジェクタポスト２９及びエジェクタピン２２と共
に固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、ノ
ックアウトスプリング２８により下方に付勢され、ポッ
ト１３内に残って硬化した樹脂（３６）であるカル３８
を押し付けながら下金型１０から離隔する。このように
して、成形品３７及びカル３８が上金型２０より離型さ
れる。
が、エジェクタポスト２９及びエジェクタピン２２と共
に固定されているエジェクタピンプレート２６ごと、ノ
ックアウトスプリング２８により下方に付勢され、ポッ
ト１３内に残って硬化した樹脂（３６）であるカル３８
を押し付けながら下金型１０から離隔する。このように
して、成形品３７及びカル３８が上金型２０より離型さ
れる。
【００６２】そして、下金型１０に設けられたプランジ
ャ１５が、一旦下降し、元の位置に戻る。
ャ１５が、一旦下降し、元の位置に戻る。
【００６３】次に、図６に示すように、下金型１０に設
けられたエジェクタピン１２及びエジェクタピン２が、
夫々固定されているエジェクタピンプレート１６が固定
されているノックアウトロッド１７が上昇することによ
り上昇する。そして、成形品３７がエジェクタピン２２
により押し上げられる。そして同時に、切欠部１に注入
され硬化された樹脂３６（以下これを樹脂突起部３９と
いう）がエジェクタピン２により押し上げられる事によ
り、樹脂突起部３９に一体的に形成されているカル３８
が押し上げられる。このようにして、成形品３７及びカ
ル３８が下金型１０より離型される。
けられたエジェクタピン１２及びエジェクタピン２が、
夫々固定されているエジェクタピンプレート１６が固定
されているノックアウトロッド１７が上昇することによ
り上昇する。そして、成形品３７がエジェクタピン２２
により押し上げられる。そして同時に、切欠部１に注入
され硬化された樹脂３６（以下これを樹脂突起部３９と
いう）がエジェクタピン２により押し上げられる事によ
り、樹脂突起部３９に一体的に形成されているカル３８
が押し上げられる。このようにして、成形品３７及びカ
ル３８が下金型１０より離型される。
【００６４】ここで、樹脂突起部３９の厚さは、エジェ
クタピン２により押し上げられる時に、機械的に十分な
強度を有すれば良い。それゆえ、樹脂突起部３９の厚さ
つまり下金型１０に設けられた切欠部１の深さは、例え
ば、下金型１０に形成されたキャビティ１１の深さと同
程度でも良い。
クタピン２により押し上げられる時に、機械的に十分な
強度を有すれば良い。それゆえ、樹脂突起部３９の厚さ
つまり下金型１０に設けられた切欠部１の深さは、例え
ば、下金型１０に形成されたキャビティ１１の深さと同
程度でも良い。
【００６５】そして、上金型２０及び下金型１０より離
型された成形品３７及びカル３８は、上下金型内から搬
送される。
型された成形品３７及びカル３８は、上下金型内から搬
送される。
【００６６】そして、エジェクタピン１２及びエジェク
タピン２は、夫々固定されているエジェクタピンプレー
ト１６が固定されているノックアウトロッド１７が下降
することにより下降し、元の位置に戻る。（図２に示す
状態に戻る）。
タピン２は、夫々固定されているエジェクタピンプレー
ト１６が固定されているノックアウトロッド１７が下降
することにより下降し、元の位置に戻る。（図２に示す
状態に戻る）。
【００６７】図７は本発明の第２の実施形態の樹脂封止
装置の成形金型の下金型を示す平面図である。図７に示
すように、本実施形態の樹脂封止装置は、図１に示す第
１の実施形態では、ポット１３を間に介して、一対の切
欠部１が対向して設けられているのに対し、ポット１３
を間に介して、２対の切欠部１が夫々対向して設けられ
ているものである。なお、切欠部１には、夫々エジェク
タピン２が設けられている。
装置の成形金型の下金型を示す平面図である。図７に示
すように、本実施形態の樹脂封止装置は、図１に示す第
１の実施形態では、ポット１３を間に介して、一対の切
欠部１が対向して設けられているのに対し、ポット１３
を間に介して、２対の切欠部１が夫々対向して設けられ
ているものである。なお、切欠部１には、夫々エジェク
タピン２が設けられている。
【００６８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、厚
さの変化しない樹脂突起部を形成し、樹脂突起部を離型
させることにより厚さが変化するカルを離型させるの
で、厚さの変化しない成形品とカルの同時離型が可能に
なり、離型動作時成形品に与えられる応力を低減するこ
とができ、成形品の品質を向上させるという効果が得ら
れる。
さの変化しない樹脂突起部を形成し、樹脂突起部を離型
させることにより厚さが変化するカルを離型させるの
で、厚さの変化しない成形品とカルの同時離型が可能に
なり、離型動作時成形品に与えられる応力を低減するこ
とができ、成形品の品質を向上させるという効果が得ら
れる。
【図１】本発明の第１の実施形態の樹脂封止装置の成形
金型の下金型を示す平面図である。
金型の下金型を示す平面図である。
【図２】図２乃至図６は、図１の第１の実施形態の離型
工程を含むトランスファーモールド工程に於ける成形金
型の上下金型の動作を示す断面図である。そして、図２
は成形金型の上下金型の型開き状態を示す断面図であ
る。
工程を含むトランスファーモールド工程に於ける成形金
型の上下金型の動作を示す断面図である。そして、図２
は成形金型の上下金型の型開き状態を示す断面図であ
る。
【図３】型開き状態の成形金型の下金型に、樹脂を供給
し、リードフレームを載置した状態を示す断面図であ
る。
し、リードフレームを載置した状態を示す断面図であ
る。
【図４】型締め状態の成形金型の上下金型に、樹脂を注
入した状態を示す断面図である。
入した状態を示す断面図である。
【図５】成形金型の上下金型の型開き状態を示し、成形
品及びカルが上金型より離型された状態を示す断面図で
ある。
品及びカルが上金型より離型された状態を示す断面図で
ある。
【図６】型開き状態の成形金型の上下金型に於いて、成
形品及びカルが下金型より離型された状態を示す断面図
である。
形品及びカルが下金型より離型された状態を示す断面図
である。
【図７】本発明の第２の実施形態の樹脂封止装置の成形
金型の下金型を示す平面図である。
金型の下金型を示す平面図である。
【図８】従来の樹脂封止装置の成形金型の下金型を示す
平面図である。
平面図である。
【図９】図９乃至図１３は、図８の従来の離型工程を含
むトランスファーモールド工程に於ける成形金型の上下
金型の動作を示す断面図である。そして、図９は成形金
型の上下金型の型開き状態を示す断面図である。
むトランスファーモールド工程に於ける成形金型の上下
金型の動作を示す断面図である。そして、図９は成形金
型の上下金型の型開き状態を示す断面図である。
【図１０】型開き状態の成形金型の下金型に、樹脂を供
給し、リードフレームを載置した状態を示す断面図であ
る。
給し、リードフレームを載置した状態を示す断面図であ
る。
【図１１】型締め状態の成形金型の上下金型に、樹脂を
注入した状態を示す断面図である。
注入した状態を示す断面図である。
【図１２】成形金型の上下金型の型開き状態を示し、成
形品及びカルが上金型より離型された状態を示す断面図
である。
形品及びカルが上金型より離型された状態を示す断面図
である。
【図１３】型開き状態の成形金型の上下金型に於いて、
成形品及びカルが下金型より離型された状態を示す断面
図である。
成形品及びカルが下金型より離型された状態を示す断面
図である。
【図１４】半導体装置の成形品の構造の一例を示す断面
図である。
図である。
１ 切欠部 ２，１２，２２，２２ａ エジェクタピン １０ 下金型 １１，２１ キャビティ １３ ポット １４ ゲート １５ プランジャ １６，２６ エジェクタピンプレート １７ ノックアウトロッド ２０ 上金型 ２８ ノックアウトスプリング ２９ エジェクタポスト ３１ 半導体素子 ３２ リードフレーム ３３ アイランド ３４ リード ３５ ボンディングワイヤ ３６ 樹脂 ３７ 成形品 ３８ カル ３９ 樹脂突起部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (7)
- 【請求項１】 成形金型に設けられたポット及びゲート
とに列接し前記ポットから樹脂を注入させる切欠である
切欠部と、前記切欠部に設けられ前記切欠部に注入され
硬化された前記樹脂を押し出すエジェクタピンとを設け
たことを特徴とする樹脂封止装置。 - 【請求項２】 前記切欠部は、前記ポットを間に介し
て、対になって対向して設けられている請求項１記載の
樹脂封止装置。 - 【請求項３】 前記切欠部の深さは、前記成形金型に形
成されたキャビティの深さと同程度である請求項１また
は２記載の樹脂封止装置。 - 【請求項４】 前記切欠部に設けられたエジェクタピン
は、前記キャビティに設けられたエジェクタピンと同一
のプレートに固定されている請求項１記載の樹脂封止装
置。 - 【請求項５】 樹脂突起部とカルとを一体的に形成し、
前記樹脂突起部を成形金型から離型させることにより、
前記カルを前記成形金型から離型させることを特徴とす
る離型方法。 - 【請求項６】 樹脂突起部とカルとを一体的に形成し、
前記樹脂突起部を成形品と同時に成形金型から離型させ
ることにより、前記カルを前記成形品と同時に前記成形
金型から離型させることを特徴とする離型方法。 - 【請求項７】 形成した前記樹脂突起部の樹脂量は一定
であり、形成した前記樹脂突起部の厚さは一定である請
求項６記載の離型方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000271468A JP3602422B2 (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP2002079554A true JP2002079554A (ja) | 2002-03-19 |
| JP3602422B2 JP3602422B2 (ja) | 2004-12-15 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3602422B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1299341C (zh) * | 2003-04-08 | 2007-02-07 | 株式会社电装 | 树脂密封半导体器件、树脂密封的方法和成型模具 |
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2000
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1299341C (zh) * | 2003-04-08 | 2007-02-07 | 株式会社电装 | 树脂密封半导体器件、树脂密封的方法和成型模具 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3602422B2 (ja) | 2004-12-15 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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