JP2002075101A - 配線、電極及び接点 - Google Patents
配線、電極及び接点Info
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- JP2002075101A JP2002075101A JP2000267825A JP2000267825A JP2002075101A JP 2002075101 A JP2002075101 A JP 2002075101A JP 2000267825 A JP2000267825 A JP 2000267825A JP 2000267825 A JP2000267825 A JP 2000267825A JP 2002075101 A JP2002075101 A JP 2002075101A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐候性の改善、電気的抵抗の低下を図った配
線、電極及び接点を得る。 【解決手段】 Ｃｕに、Ａｇが、０．３〜１０．０重量
％含有されたＣｕＡｇ合金に、耐食性向上材料として、
例えばＴｉであれば０．０１〜５．０重量％含有されて
なる合金薄膜により、配線、電極９、１０、１１、接点
を作成する。
線、電極及び接点を得る。 【解決手段】 Ｃｕに、Ａｇが、０．３〜１０．０重量
％含有されたＣｕＡｇ合金に、耐食性向上材料として、
例えばＴｉであれば０．０１〜５．０重量％含有されて
なる合金薄膜により、配線、電極９、１０、１１、接点
を作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器及び電子
部品の配線、電極及び接点に係わる。
部品の配線、電極及び接点に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器、電子部品において、配
線、電極及び接点に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃ
ｒ等の純金属による金属材料、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ
−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ等の合金に
よる金属材料を用いて配線パターンが形成されている。
線、電極及び接点に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃ
ｒ等の純金属による金属材料、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ
−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ等の合金に
よる金属材料を用いて配線パターンが形成されている。
【０００３】例えばフラットパネルディスプレイを構成
する液晶表示パネルにおいては、一般に、エッチング性
に優れ、電気抵抗が低い純Ａｌが配線材料として使用さ
れる。
する液晶表示パネルにおいては、一般に、エッチング性
に優れ、電気抵抗が低い純Ａｌが配線材料として使用さ
れる。
【０００４】しかしながら、純ＡｌやＡｌ系合金は、塩
素や酸素、硫黄等に対して化学的に活性であるため、耐
候性の点で問題を有している。また、純Ａｌは、融点が
６６０度と低く、液晶表示パネルの配線材料として使用
した場合には、配線膜形成後の化学気相成長（ＣＶＤ：
Chemical Vapor Deposition ）プロセス等における３０
０〜４００度程度の熱処理工程においてヒロック、ウィ
スカー等の欠陥が発生する恐れがある。このため液晶表
示パネルにおいては、高温で安定な高融点材料であるＴ
ａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等を純Ａｌに代えて配線材料として
使用することにより、このような欠陥の発生を防止する
ようになされたものもある。
素や酸素、硫黄等に対して化学的に活性であるため、耐
候性の点で問題を有している。また、純Ａｌは、融点が
６６０度と低く、液晶表示パネルの配線材料として使用
した場合には、配線膜形成後の化学気相成長（ＣＶＤ：
Chemical Vapor Deposition ）プロセス等における３０
０〜４００度程度の熱処理工程においてヒロック、ウィ
スカー等の欠陥が発生する恐れがある。このため液晶表
示パネルにおいては、高温で安定な高融点材料であるＴ
ａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等を純Ａｌに代えて配線材料として
使用することにより、このような欠陥の発生を防止する
ようになされたものもある。
【０００５】また、液晶表示パネルに用いられるカラー
フィルタ基板用のブラックマトリックスにおいて、画素
間、あるいは駆動回路部分など光の透過を防止すること
が望ましい部分には遮光膜として必要である。
フィルタ基板用のブラックマトリックスにおいて、画素
間、あるいは駆動回路部分など光の透過を防止すること
が望ましい部分には遮光膜として必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、液晶表示パ
ネルの配線材や電極材においては、欠陥の発生を防止す
る目的で純Ａｌに代えて使用されるＴａ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ等は、純Ａｌに比して抵抗率が大きい欠点がある。こ
れにより大型化、高精細化により配線パターンの配線長
が増大するとともに配線パターンが微細化すると、簡易
かつ確実に駆動することが困難になる問題が生じる。こ
れにより液晶表示パネルにおいては、配線材料として好
適な材料が存在しないのが実状であった。
ネルの配線材や電極材においては、欠陥の発生を防止す
る目的で純Ａｌに代えて使用されるＴａ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ等は、純Ａｌに比して抵抗率が大きい欠点がある。こ
れにより大型化、高精細化により配線パターンの配線長
が増大するとともに配線パターンが微細化すると、簡易
かつ確実に駆動することが困難になる問題が生じる。こ
れにより液晶表示パネルにおいては、配線材料として好
適な材料が存在しないのが実状であった。
【０００７】これら液晶表示パネルにおいては、駆動デ
バイスとしてアモルファスシリコン又は多結晶シリコン
によるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が多く使用され
るが、この駆動デバイス側から見た電極材料としても適
切なものが存在しないのが実状である。
バイスとしてアモルファスシリコン又は多結晶シリコン
によるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が多く使用され
るが、この駆動デバイス側から見た電極材料としても適
切なものが存在しないのが実状である。
【０００８】すなわちこれらの駆動デバイスにおいて
は、電極の金属材料を酸化させて、この電極とシリコン
能動素子との間にゲート絶縁膜を形成することにより、
製造プロセスを簡略化するようになされたものがある
（陽極酸化法）。
は、電極の金属材料を酸化させて、この電極とシリコン
能動素子との間にゲート絶縁膜を形成することにより、
製造プロセスを簡略化するようになされたものがある
（陽極酸化法）。
【０００９】このようなゲート絶縁膜を形成することが
可能な配線材料としては、Ａｌ、Ｔａ（タンタル）があ
り、特にＴａの場合には、ピンホール等の欠陥が少な
く、歩留りの高い酸化絶縁膜を形成することができる。
しかしながらＴａは抵抗率が高く、このような陽極酸化
による場合には、抵抗率の低いＡｌを用いた２層配線に
よる電極構造とする必要があり、結局製造プロセスを増
加させることとなっていた。なお、この2 層配線による
場合、結局、配線パターンの抵抗率は、Ａｌにより決ま
る抵抗率となる。
可能な配線材料としては、Ａｌ、Ｔａ（タンタル）があ
り、特にＴａの場合には、ピンホール等の欠陥が少な
く、歩留りの高い酸化絶縁膜を形成することができる。
しかしながらＴａは抵抗率が高く、このような陽極酸化
による場合には、抵抗率の低いＡｌを用いた２層配線に
よる電極構造とする必要があり、結局製造プロセスを増
加させることとなっていた。なお、この2 層配線による
場合、結局、配線パターンの抵抗率は、Ａｌにより決ま
る抵抗率となる。
【００１０】上述のディスプレイデバイスへの応用以外
にも、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、
ＡＳＩＣ等の半導体デバイスにおいては、高集積化のた
め配線の幅が狭くなり、またチップサイズの大型化、多
層配線等の複雑化に伴い配線パターンの配線長が増大す
る傾向にあり、これによりこれらの半導体デバイスにあ
っても、低抵抗率で安定かつ加工性に優れた配線材料が
望まれている。
にも、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、
ＡＳＩＣ等の半導体デバイスにおいては、高集積化のた
め配線の幅が狭くなり、またチップサイズの大型化、多
層配線等の複雑化に伴い配線パターンの配線長が増大す
る傾向にあり、これによりこれらの半導体デバイスにあ
っても、低抵抗率で安定かつ加工性に優れた配線材料が
望まれている。
【００１１】すなわちこのような配線幅の減少、配線長
の増大は、配線における抵抗の増大を招き、この抵抗の
増大により配線における電圧降下が増大して素子の駆動
電圧が低下するようになり、また消費電力が増大し、さ
らには配線による信号伝達に遅延が発生するようにな
る。
の増大は、配線における抵抗の増大を招き、この抵抗の
増大により配線における電圧降下が増大して素子の駆動
電圧が低下するようになり、また消費電力が増大し、さ
らには配線による信号伝達に遅延が発生するようにな
る。
【００１２】またこのような半導体デバイス以外の、例
えばプリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等の
電子部品にあっては、配線材料、電極材料、接点材料に
Ｃｕ、Ａｇ等が用いられているが、これらの材料につい
ても耐候性が実用上未だ不十分な問題がある。
えばプリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等の
電子部品にあっては、配線材料、電極材料、接点材料に
Ｃｕ、Ａｇ等が用いられているが、これらの材料につい
ても耐候性が実用上未だ不十分な問題がある。
【００１３】本発明は、このような従来の技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的は、
電気抵抗が低く、安定かつ加工性に優れた配線材料、電
極材料、接点材料を提供することにある。
る問題点に着目してなされたものである。その目的は、
電気抵抗が低く、安定かつ加工性に優れた配線材料、電
極材料、接点材料を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、Ｃｕに、Ａｇと耐食性向上材料が含有
されてなる合金薄膜により、電子機器及び電子部品を構
成する配線、電極、接点を形成するものである。また、
本発明は、Ｃｕに、Ａｇと、耐食性向上材料としてＴ
ｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｉ、Ｚｒの内の一種類、あるいは二種類の元素が
それぞれ添加されてなる合金薄膜により、配線、電極、
接点を形成するものである。本発明の反射膜によれば、
ＣｕにＡｇとＴｉまたはその他の耐食性向上材料を加え
ることで、ＡｇとＴｉまたはその他の耐食性向上材料
の、耐候性の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄
に対して、大気中あるいは特殊環境中で要求される高い
耐候性の向上を図ることができる。
めに、本発明は、Ｃｕに、Ａｇと耐食性向上材料が含有
されてなる合金薄膜により、電子機器及び電子部品を構
成する配線、電極、接点を形成するものである。また、
本発明は、Ｃｕに、Ａｇと、耐食性向上材料としてＴ
ｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｉ、Ｚｒの内の一種類、あるいは二種類の元素が
それぞれ添加されてなる合金薄膜により、配線、電極、
接点を形成するものである。本発明の反射膜によれば、
ＣｕにＡｇとＴｉまたはその他の耐食性向上材料を加え
ることで、ＡｇとＴｉまたはその他の耐食性向上材料
の、耐候性の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄
に対して、大気中あるいは特殊環境中で要求される高い
耐候性の向上を図ることができる。
【００１５】また、配線材料形成用薄膜、電極材料形成
用薄膜、接点材料形成用薄膜として、低抵抗率であっ
て、安定性かつ加工性に優れる。なお、ここで、配線，
電極及び接点は、導電体として同等物であるため、これ
らのひとつを説明した場合には、他の２つについても説
明したものとする。
用薄膜、接点材料形成用薄膜として、低抵抗率であっ
て、安定性かつ加工性に優れる。なお、ここで、配線，
電極及び接点は、導電体として同等物であるため、これ
らのひとつを説明した場合には、他の２つについても説
明したものとする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
形態を図面に基づいて説明する。本発明の合金により、
配線材料、電極材料、接点材料用の薄膜を形成した場合
について説明する。図１は、液晶表示パネルの一例とし
て反射型ＴＦＴカラー液晶ディスプレイを示した側面図
である。ここで、合金内の各金属の構成比率は、いずれ
かの請求項に記載した内容である。
形態を図面に基づいて説明する。本発明の合金により、
配線材料、電極材料、接点材料用の薄膜を形成した場合
について説明する。図１は、液晶表示パネルの一例とし
て反射型ＴＦＴカラー液晶ディスプレイを示した側面図
である。ここで、合金内の各金属の構成比率は、いずれ
かの請求項に記載した内容である。
【００１７】なお、ここでの配線材料、電極材料、接点
材料は、液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminesc
ence）パネル、プラズマディスプレイ、各種半導体デバ
イス、プリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等
に適用される。
材料は、液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminesc
ence）パネル、プラズマディスプレイ、各種半導体デバ
イス、プリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等
に適用される。
【００１８】偏光板１の片面にはガラス基板Ａ２が付着
されており、前記ガラス基板Ａ２に、スパッタ蒸着によ
りブラックマトリックス膜３が形成され、エッチングに
より格子状にパターニングすることにより形成される。
されており、前記ガラス基板Ａ２に、スパッタ蒸着によ
りブラックマトリックス膜３が形成され、エッチングに
より格子状にパターニングすることにより形成される。
【００１９】格子状のブラックマトリックス３に仕切ら
れた各微小部分にそれぞれカラーフィルタ４が形成され
ている。そして、前記カラーフィルタ４の上にはＩＴＯ
透明電極５が形成されている。
れた各微小部分にそれぞれカラーフィルタ４が形成され
ている。そして、前記カラーフィルタ４の上にはＩＴＯ
透明電極５が形成されている。
【００２０】一方、ガラス基板Ｂ１２の片面にはソース
電極９、ドレイン電極１０、ゲート電極１１、がスパッ
タ蒸着により形成され、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）が形成される。このソース電極９、ドレイン電極１
０、ゲート電極１１は、ＣｕにＡｇと、耐食性向上材料
としてＴｉが添加されてなる合金薄膜によりなる。前記
ＴＦＴの表面にアクリル樹脂８を付け、その表面を波状
にしておき、そこに、反射板を兼ねた、反射電極７を置
く。次いで、前記ガラス基板Ａ２とガラス基板Ｂ１２と
を、前記ＩＴＯ透明電極５と前記反射電極７とが向かい
あうように貼り合わせ、その隙間に液晶が流し込まれ
る。
電極９、ドレイン電極１０、ゲート電極１１、がスパッ
タ蒸着により形成され、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）が形成される。このソース電極９、ドレイン電極１
０、ゲート電極１１は、ＣｕにＡｇと、耐食性向上材料
としてＴｉが添加されてなる合金薄膜によりなる。前記
ＴＦＴの表面にアクリル樹脂８を付け、その表面を波状
にしておき、そこに、反射板を兼ねた、反射電極７を置
く。次いで、前記ガラス基板Ａ２とガラス基板Ｂ１２と
を、前記ＩＴＯ透明電極５と前記反射電極７とが向かい
あうように貼り合わせ、その隙間に液晶が流し込まれ
る。
【００２１】そして、ディスプレイ外部から入射した光
が反射電極７で反射され、カラーフィルタ４を透過する
ことによりディスプレイ表示可能となる。電圧によって
液晶の配位が変わることにより、表示、非表示が決定す
る。こうして表示、非表示のコントロールを行うこと
で、ディスプレイ上に画像が表現される。
が反射電極７で反射され、カラーフィルタ４を透過する
ことによりディスプレイ表示可能となる。電圧によって
液晶の配位が変わることにより、表示、非表示が決定す
る。こうして表示、非表示のコントロールを行うこと
で、ディスプレイ上に画像が表現される。
【００２２】従って、この実施形態の配線、電極及び接
点は、以下のような効果を発揮する。表示パネルにあっ
ては、配線パターンに適用して、大画面化、高精細化に
より配線長が増大し、また配線が微細化した場合でも、
簡易かつ確実に駆動することができ、また信頼性を向上
し、さらには消費電力を軽減することができる。
点は、以下のような効果を発揮する。表示パネルにあっ
ては、配線パターンに適用して、大画面化、高精細化に
より配線長が増大し、また配線が微細化した場合でも、
簡易かつ確実に駆動することができ、また信頼性を向上
し、さらには消費電力を軽減することができる。
【００２３】さらに各種半導体デバイスにおいても、配
線パターンに適用して、配線長の増大及び配線の微細化
による抵抗値の増大を防止でき、その分消費電力を軽減
することができる。また配線による電圧降下を防止で
き、さらには信号の遅延を防止でき、これらにより各種
特性を向上すると共に、信頼性を向上することができ
る。
線パターンに適用して、配線長の増大及び配線の微細化
による抵抗値の増大を防止でき、その分消費電力を軽減
することができる。また配線による電圧降下を防止で
き、さらには信号の遅延を防止でき、これらにより各種
特性を向上すると共に、信頼性を向上することができ
る。
【００２４】またプリント配線基板の配線パターン、チ
ップ部品の電極、リレーの接点等に適用して、好適な特
性を確保して高い信頼性を確保することができる。な
お、この発明は前記実施形態以外に、以下のように具体
化することができる。
ップ部品の電極、リレーの接点等に適用して、好適な特
性を確保して高い信頼性を確保することができる。な
お、この発明は前記実施形態以外に、以下のように具体
化することができる。
【００２５】・前記実施形態では、Ｃｕをベース材料と
してＡｇ、さらに第三元素としてＴｉが添加されたＣｕ
−Ｔｉ−Ａｇ合金薄膜を用いることについて説明した
が、第三元素はＴｉに限定されるわけではない。例え
ば、Ｐｄ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｉ、Ｚｒから単数もしくは複数選ばれた場合があ
げられる。
してＡｇ、さらに第三元素としてＴｉが添加されたＣｕ
−Ｔｉ−Ａｇ合金薄膜を用いることについて説明した
が、第三元素はＴｉに限定されるわけではない。例え
ば、Ｐｄ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｉ、Ｚｒから単数もしくは複数選ばれた場合があ
げられる。
【００２６】・配線、電極、接点において、反射型ＴＦ
Ｔカラー液晶ディスプレイの構造により説明したが、実
施例の表示パネル以外の型の表示パネル、またその他の
電気・電子部品に適用される。
Ｔカラー液晶ディスプレイの構造により説明したが、実
施例の表示パネル以外の型の表示パネル、またその他の
電気・電子部品に適用される。
【００２７】
【発明の効果】本発明の配線、電極、接点は、耐候性に
優れ、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優
れている。
優れ、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優
れている。
【図１】 表示パネルの一例の概略断面図
９…ソース電極、１０…ドレイン電極、１１…ゲート電
極。
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｖ ６１７Ｍ Ｆターム(参考） 4M104 AA09 BB04 CC05 GG09 HH16 HH20 5F033 GG04 HH12 VV06 VV15 WW04 XX10 XX18 5F110 AA03 AA14 BB01 BB03 BB06 BB07 BB08 CC07 DD02 EE06 EE44 HK06 HK33 HL06 HL23 NN02 5G050 AA01 AA02 AA03 AA11 AA12 AA13 AA29 AA34 AA36 AA43 AA46 AA48 AA54 BA08 CA01
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｃｕ（銅）を主成分として、そのＣｕを
９９．７〜８５．０重量％含有し、それにＡｇ（銀）を
添加して更に耐食性向上を目的とする添加元素を含有さ
れてなる少なくとも３元素以上の金属材料が含有されて
なることを特徴とする配線、電極及び接点。 - 【請求項２】 Ｃｕ（銅）を主成分として、それにＡｇ
（銀）を添加して更に電気的特性の補助及び制御を目的
とする添加元素を含有されてなる少なくとも３元素以上
の金属材料が含有されてなることを特徴とする配線、電
極及び接点。 - 【請求項３】 Ｃｕを主成分として、それにＡｇを添加
し、更に耐食性向上を目的としてＴｉ（チタン）を添加
してなるＣｕ−Ａｇ−Ｔｉ（銅−銀−チタン）合金金属
材料を用いる配線、電極及び接点。 - 【請求項４】 Ｃｕ（銅）を主成分として、それにＡｇ
（銀）を添加して更に耐食性向上を目的の添加元素とし
て、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ
（金）、Ｐｔ（白金）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロ
ム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｓｉ（シ
リコン）、Ｚｒ（ジルコニウム）から単数もしくは複数
選ばれたものである請求項１に記載の配線、電極及び接
点。 - 【請求項５】 Ｃｕ（銅）を主成分として、それにＡｇ
（銀）を添加して更に電気的特性の補助及び制御を目的
の添加元素として、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｌ（アルミ
ニウム）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｔａ（タンタ
ル）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバ
ルト）、Ｓｉ（シリコン）、Ｚｒ（ジルコニウム）から
単数もしくは複数選ばれたものである請求項２に記載の
配線、電極及び接点。 - 【請求項６】 Ａｇが、０．３〜１０．０重量％含有さ
れてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載の配線、電極及び接点。 - 【請求項７】 Ａｇが、０．３〜７．０重量％含有され
てなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
の配線、電極及び接点。 - 【請求項８】 Ａｇが、０．３〜５．０重量％含有され
てなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
の配線、電極及び接点。 - 【請求項９】 Ｔｉが、０．０１〜５．０重量％含有さ
れてなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記
載の配線、電極及び接点。 - 【請求項１０】 Ｔｉが、０．０１〜１．５重量％含有
されてなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の配線、電極及び接点。 - 【請求項１１】 Ｔｉが、０．０３〜０．９重量％含有
されてなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の配線、電極及び接点。 - 【請求項１２】 Ａｇが、０．３〜５．０重量％、Ｔｉ
が、０．０３〜０．９重量％含有されてなることを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線、電極及び
接点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000267825A JP4583564B2 (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 配線、電極及び接点 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000267825A JP4583564B2 (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 配線、電極及び接点 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075101A true JP2002075101A (ja) | 2002-03-15 |
| JP4583564B2 JP4583564B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=18754679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000267825A Expired - Lifetime JP4583564B2 (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 配線、電極及び接点 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4583564B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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