JP2002064094A - 酸化物薄膜素子の製造方法 - Google Patents
酸化物薄膜素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓｉ単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物
薄膜の機能膜をエピタキシャル成長させた酸化物薄膜素
子を提供する。 【解決手段】Ｓｉ基板表面に電子線照射あるいは紫外線
照射をおこない、Ｓｉ基板上のＳｉＯ2 薄膜を除去した
後、酸化物薄膜を形成する。
薄膜の機能膜をエピタキシャル成長させた酸化物薄膜素
子を提供する。 【解決手段】Ｓｉ基板表面に電子線照射あるいは紫外線
照射をおこない、Ｓｉ基板上のＳｉＯ2 薄膜を除去した
後、酸化物薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物薄膜を機能
膜として利用するキャパシタ、超電導体等の酸化物薄膜
素子の製造方法に関する。
膜として利用するキャパシタ、超電導体等の酸化物薄膜
素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】様々な物理的特性を持つ金属酸化物が新
たな材料として見直されている。それらの薄膜をシリコ
ン（以下Ｓｉと記す）基板上に製膜すれば、特異な機能
をＳｉデバイスに付与できる可能性があり、Ｓｉ単結晶
基板を用いた酸化物薄膜研究が世界中で進められてい
る。以下、酸化物誘電体薄膜を機能膜として利用してい
るキャパシタを例に説明する。
たな材料として見直されている。それらの薄膜をシリコ
ン（以下Ｓｉと記す）基板上に製膜すれば、特異な機能
をＳｉデバイスに付与できる可能性があり、Ｓｉ単結晶
基板を用いた酸化物薄膜研究が世界中で進められてい
る。以下、酸化物誘電体薄膜を機能膜として利用してい
るキャパシタを例に説明する。
【０００３】酸化物単結晶の特性をＳｉ基板上の薄膜で
発現させるためには、エピタキシャルな高品質の薄膜を
作製しなければならない。しかし、Ｓｉ基板表面には、
大気中にて数nmの厚さの自然酸化膜( 以下ＳｉＯ2 膜と
記す）が生じており、そのＳｉＯ2 膜はアモルファス形
態をなしているため、良質なエピタキシャル膜を成長と
せるには、まず清浄なＳｉ基板表面を露出させる必要が
ある。
発現させるためには、エピタキシャルな高品質の薄膜を
作製しなければならない。しかし、Ｓｉ基板表面には、
大気中にて数nmの厚さの自然酸化膜( 以下ＳｉＯ2 膜と
記す）が生じており、そのＳｉＯ2 膜はアモルファス形
態をなしているため、良質なエピタキシャル膜を成長と
せるには、まず清浄なＳｉ基板表面を露出させる必要が
ある。
【０００４】そのプロセスとしては、通常次のような方
法がおこなわれる。まず、過酸化水素溶液を使用するい
わゆるＲＣＡ法を用いて、自然ＳｉＯ2 膜、金属不純
物、パーティクル等を除去する。次に洗浄したＳｉ基板
を超高真空製膜室に入れ、基板温度をおよそ８００℃以
上に加熱して、洗浄工程、製膜室搬入工程で発生するＳ
ｉＯ2 膜を気化させて除去する〔例えば、 Ishizaka,A.
andShiraki,Y. ジャーナルオブエレクトロケミカルソ
サイエティ誌, 133 巻, 666 頁,(1986年) 参照〕。
法がおこなわれる。まず、過酸化水素溶液を使用するい
わゆるＲＣＡ法を用いて、自然ＳｉＯ2 膜、金属不純
物、パーティクル等を除去する。次に洗浄したＳｉ基板
を超高真空製膜室に入れ、基板温度をおよそ８００℃以
上に加熱して、洗浄工程、製膜室搬入工程で発生するＳ
ｉＯ2 膜を気化させて除去する〔例えば、 Ishizaka,A.
andShiraki,Y. ジャーナルオブエレクトロケミカルソ
サイエティ誌, 133 巻, 666 頁,(1986年) 参照〕。
【０００５】ＳｉＯ2 膜は高温・高真空中ではＳｉＯに
分解されるが、そのＳｉＯは蒸気圧が高く気化し易いの
で、ＳｉＯ2 分子から酸素原子を取り除いてＳｉ原子を
作るエネルギーよりも低いエネルギーでＳｉＯ2 膜が基
板上から蒸発するのである〔例えば、 Lander, J. J. a
nd Morrison, J.,ジャーナルオブアプライドフィジック
ス誌, 33巻, 2089頁,(1962年).参照〕。
分解されるが、そのＳｉＯは蒸気圧が高く気化し易いの
で、ＳｉＯ2 分子から酸素原子を取り除いてＳｉ原子を
作るエネルギーよりも低いエネルギーでＳｉＯ2 膜が基
板上から蒸発するのである〔例えば、 Lander, J. J. a
nd Morrison, J.,ジャーナルオブアプライドフィジック
ス誌, 33巻, 2089頁,(1962年).参照〕。
【０００６】清浄化したＳｉ基板表面に、金属酸化膜を
製膜する際にも、表面に再びＳｉＯ 2 膜を成長させない
ための工夫が必要となる。例えば、Ｓｉより酸化され易
い金属の酸化物を、目的の酸化物薄膜とＳｉ基板との間
にバッファー層として、Ｓｉ基板と格子定数の近い酸化
物薄膜を低い酸素分圧にて製膜することにより達成され
る。そのような金属酸化膜としては、酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸化イット
リウム（Ｙ2 Ｏ3 ）、イットリウム安定化酸化ジルコニ
ウム（ＹＳＺ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化マ
グネシウムアルミニウム（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）などがＳｉ
基板上にエピタキシャル成長可能であると報告されてい
る〔 Harada Keizo, Nakanishi Hidenori, Itozaki Hid
eo and Yazu Shuji,ジャパニーズジャーナルオブアプラ
イドフィジックス誌, 30巻, 934-938 頁,(1991年) 、In
oue Tomoyasu他, 同誌, 32 巻, 1765-1767 頁,(1993
年)、Fukumoto Hirofunmi , Imura Takeshi and Osaka
Yukio, アプライドフィジックスレターズ誌, 55巻, 360
-361 頁,(1989年) 、Fork, D. K., Fenner,D. B., Conn
ell, G. A. N., Phillips, J. M. and Geballe, T. H.,
同誌, 57巻, 1137-1139 頁,(1990年) 参照〕。
製膜する際にも、表面に再びＳｉＯ 2 膜を成長させない
ための工夫が必要となる。例えば、Ｓｉより酸化され易
い金属の酸化物を、目的の酸化物薄膜とＳｉ基板との間
にバッファー層として、Ｓｉ基板と格子定数の近い酸化
物薄膜を低い酸素分圧にて製膜することにより達成され
る。そのような金属酸化膜としては、酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸化イット
リウム（Ｙ2 Ｏ3 ）、イットリウム安定化酸化ジルコニ
ウム（ＹＳＺ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化マ
グネシウムアルミニウム（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）などがＳｉ
基板上にエピタキシャル成長可能であると報告されてい
る〔 Harada Keizo, Nakanishi Hidenori, Itozaki Hid
eo and Yazu Shuji,ジャパニーズジャーナルオブアプラ
イドフィジックス誌, 30巻, 934-938 頁,(1991年) 、In
oue Tomoyasu他, 同誌, 32 巻, 1765-1767 頁,(1993
年)、Fukumoto Hirofunmi , Imura Takeshi and Osaka
Yukio, アプライドフィジックスレターズ誌, 55巻, 360
-361 頁,(1989年) 、Fork, D. K., Fenner,D. B., Conn
ell, G. A. N., Phillips, J. M. and Geballe, T. H.,
同誌, 57巻, 1137-1139 頁,(1990年) 参照〕。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＯ2 膜が僅かでも
残っていると、目的とする酸化物がエピタキシャル成長
できなくなるので完全に除去する必要がある。そこで、
さらに完璧にＳｉＯ2 膜を除去するために、Ｓｉ基板上
にＳｉを蒸着することが研究されている〔例えば、Wil
k, G. D., Yi Wei, Edwards, Hal andWallace, R. M.,
アプライドフィジックスレターズ誌, 70巻, 28頁,(199
7年).参照〕。この方法によれば、表面にＳｉＯ2 膜が
残っていれば、蒸着したＳｉと反応してＳｉＯが形成さ
れ、それが蒸発するのである。
残っていると、目的とする酸化物がエピタキシャル成長
できなくなるので完全に除去する必要がある。そこで、
さらに完璧にＳｉＯ2 膜を除去するために、Ｓｉ基板上
にＳｉを蒸着することが研究されている〔例えば、Wil
k, G. D., Yi Wei, Edwards, Hal andWallace, R. M.,
アプライドフィジックスレターズ誌, 70巻, 28頁,(199
7年).参照〕。この方法によれば、表面にＳｉＯ2 膜が
残っていれば、蒸着したＳｉと反応してＳｉＯが形成さ
れ、それが蒸発するのである。
【０００８】しかし実際にＳｉを蒸着するには幾つか技
術的な難しい点がある。例えば、通常、電子線蒸着をお
こなうには、最適な蒸着速度があるといわれているが、
その制御が難しい。また、Ｓｉの蒸着によってＳｉ基板
表面の平坦性を向上できると報告されているが、蒸着条
件が悪いとかえって表面を荒れさせることになる。この
ような問題に鑑み本発明の目的は、Ｓｉ基板上のＳｉＯ
2 膜を除去して、容易に清浄表面が得られ、バッファー
層／Ｓｉ基板界面にアモルファス層をなさずに金属酸化
物薄膜素子を製造する方法を提供することにある。
術的な難しい点がある。例えば、通常、電子線蒸着をお
こなうには、最適な蒸着速度があるといわれているが、
その制御が難しい。また、Ｓｉの蒸着によってＳｉ基板
表面の平坦性を向上できると報告されているが、蒸着条
件が悪いとかえって表面を荒れさせることになる。この
ような問題に鑑み本発明の目的は、Ｓｉ基板上のＳｉＯ
2 膜を除去して、容易に清浄表面が得られ、バッファー
層／Ｓｉ基板界面にアモルファス層をなさずに金属酸化
物薄膜素子を製造する方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発
明は、シリコン単結晶基板上に酸化物薄膜を製膜した酸
化物薄膜素子の製造方法において、シリコン基板表面に
超高真空、８００℃以上の高温状態で電子線または紫外
線照射をおこなってシリコン基板上のシリコン酸化膜を
除去した後に、酸化物薄膜を形成するものとする。
明は、シリコン単結晶基板上に酸化物薄膜を製膜した酸
化物薄膜素子の製造方法において、シリコン基板表面に
超高真空、８００℃以上の高温状態で電子線または紫外
線照射をおこなってシリコン基板上のシリコン酸化膜を
除去した後に、酸化物薄膜を形成するものとする。
【００１０】電子線照射はＳｉＯ2 膜の結合している酸
素原子を遊離させてＳｉＯに変えることができる。そし
てＳｉＯは極めて蒸気圧が高く、揮発し易い。従って、
ＳｉＯとすることができれば、容易にＳｉＯ2 膜を除去
することができる〔例えば、Fujita, S.,Maruno,S., Wa
tanabe, H. and Ichikawa, M., アプライドフィジック
スレターズ誌, 69巻, 638 頁,(1996年) 参照〕。
素原子を遊離させてＳｉＯに変えることができる。そし
てＳｉＯは極めて蒸気圧が高く、揮発し易い。従って、
ＳｉＯとすることができれば、容易にＳｉＯ2 膜を除去
することができる〔例えば、Fujita, S.,Maruno,S., Wa
tanabe, H. and Ichikawa, M., アプライドフィジック
スレターズ誌, 69巻, 638 頁,(1996年) 参照〕。
【００１１】８００℃以上の高温状態で電子線照射をお
こなえば、表面を荒れさせることなく、清浄な表面を得
ることができる。同様にＳｉ基板全面にＳｉＯ2 分子の
熱振動に共鳴する波長の紫外線を照射することによって
も同様な作用を得られる。酸化物薄膜がチタン酸バリウ
ムストロンチウムであれば、もれ電流の少ない強誘電体
キャパシタとすることができることは実施例の項で示し
た通りである。
こなえば、表面を荒れさせることなく、清浄な表面を得
ることができる。同様にＳｉ基板全面にＳｉＯ2 分子の
熱振動に共鳴する波長の紫外線を照射することによって
も同様な作用を得られる。酸化物薄膜がチタン酸バリウ
ムストロンチウムであれば、もれ電流の少ない強誘電体
キャパシタとすることができることは実施例の項で示し
た通りである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明の実施
の形態を具体的に説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明にかかる強誘電体キャパシ
タの模式的断面図である。Ｓｉ基板１上に、バッファー
層２としてＣｅＯ2 、下部電極３としてルテニウム酸ス
トロンチウム（ＳｒＲｕＯ3 、以下ＳＲＯと記す）、強
誘電体層４としてチタン酸バリウムストロンチウム
〔（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 、以下ＢＳＴＯと記
す〕、上部電極５としてＳＲＯが、この順に積層されて
いる。下部電極３、強誘電体層４、上部電極５の厚さは
いずれも約１００nmである。
の形態を具体的に説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明にかかる強誘電体キャパシ
タの模式的断面図である。Ｓｉ基板１上に、バッファー
層２としてＣｅＯ2 、下部電極３としてルテニウム酸ス
トロンチウム（ＳｒＲｕＯ3 、以下ＳＲＯと記す）、強
誘電体層４としてチタン酸バリウムストロンチウム
〔（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 、以下ＢＳＴＯと記
す〕、上部電極５としてＳＲＯが、この順に積層されて
いる。下部電極３、強誘電体層４、上部電極５の厚さは
いずれも約１００nmである。
【００１３】なお図中に各層の格子定数を記した。下部
電極３のＳＲＯは導電性であり、また、擬ペロブスカイ
ト立方晶とすると、その格子定数は０．３９２８nmであ
る。Ｓｉ基板１、バッファー層２の括弧内の数値は、格
子定数を√２で割った値である。これらの値は上に積層
された下部電極３、強誘電体層４、上部電極５の格子定
数の値に近くなっている。従って、Ｓｉ基板１、バッフ
ァー層２の〔１１０〕方向に下部電極３の〔１００〕方
向が配向してエピタキシャル成長をすることになる。続
く強誘電体層４、上部電極５の酸化物薄膜の製膜におい
ても同様にエピタキシャル成長する。
電極３のＳＲＯは導電性であり、また、擬ペロブスカイ
ト立方晶とすると、その格子定数は０．３９２８nmであ
る。Ｓｉ基板１、バッファー層２の括弧内の数値は、格
子定数を√２で割った値である。これらの値は上に積層
された下部電極３、強誘電体層４、上部電極５の格子定
数の値に近くなっている。従って、Ｓｉ基板１、バッフ
ァー層２の〔１１０〕方向に下部電極３の〔１００〕方
向が配向してエピタキシャル成長をすることになる。続
く強誘電体層４、上部電極５の酸化物薄膜の製膜におい
ても同様にエピタキシャル成長する。
【００１４】図１の強誘電体キャパシタの製造方法を以
下に詳しく述べる。まず、Ｓｉ基板１を通常のＲＣＡ法
で洗浄する。具体的には硫酸（Ｈ2 ＳＯ4）と過酸化水
素水（Ｈ2 Ｏ2 ）との混合液、希弗酸（ＨＦ）、アンモ
ニア水（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）との
混合液、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と
の混合液を用いて順次処理し、水洗する。
下に詳しく述べる。まず、Ｓｉ基板１を通常のＲＣＡ法
で洗浄する。具体的には硫酸（Ｈ2 ＳＯ4）と過酸化水
素水（Ｈ2 Ｏ2 ）との混合液、希弗酸（ＨＦ）、アンモ
ニア水（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）との
混合液、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と
の混合液を用いて順次処理し、水洗する。
【００１５】処理後のＳｉ基板１を、その後、ＫｒＦレ
ーザーを用いるパルスレーザー堆積装置（ＰＬＤ）のチ
ャンバーに入れ、１×１０-6Paの真空度のもとでＳｉ基
板１を約８５０℃に加熱する。１×１０-5Paより高真空
にすることにより、酸化膜（ＳｉＯ2 ）が還元された一
酸化シリコン（ＳｉＯ）の蒸発が起きるからであり、ま
た、１×１０-5Paより低真空では、チャンバー内壁に吸
着していた有機物により、折角清浄化したＳｉ基板１表
面が炭素汚染されてしまう。従ってそれより高真空でな
ければならない。
ーザーを用いるパルスレーザー堆積装置（ＰＬＤ）のチ
ャンバーに入れ、１×１０-6Paの真空度のもとでＳｉ基
板１を約８５０℃に加熱する。１×１０-5Paより高真空
にすることにより、酸化膜（ＳｉＯ2 ）が還元された一
酸化シリコン（ＳｉＯ）の蒸発が起きるからであり、ま
た、１×１０-5Paより低真空では、チャンバー内壁に吸
着していた有機物により、折角清浄化したＳｉ基板１表
面が炭素汚染されてしまう。従ってそれより高真空でな
ければならない。
【００１６】Ｓｉ基板表面を電子線がスキャンできるよ
うに改造した反射高速エネルギー電子回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）装置の電子線銃を用いてＳｉ基板全面に、電子線を
加速電圧３０kVで照射した。なお、電子線照射後の表面
にＳｉＯ2 が存在しないことを、オージェ電子スペクト
ロスコピーにより確認した。その後にＰＬＤでＣｅＯ2
を約１０nm製膜した。製膜後、表面を走査電子顕微鏡
（ＳＥＭ）で観察すると、電子線照射無しの場合に比べ
て結晶粒径が大きくなっており、粒界の密度が低下して
いた。
うに改造した反射高速エネルギー電子回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）装置の電子線銃を用いてＳｉ基板全面に、電子線を
加速電圧３０kVで照射した。なお、電子線照射後の表面
にＳｉＯ2 が存在しないことを、オージェ電子スペクト
ロスコピーにより確認した。その後にＰＬＤでＣｅＯ2
を約１０nm製膜した。製膜後、表面を走査電子顕微鏡
（ＳＥＭ）で観察すると、電子線照射無しの場合に比べ
て結晶粒径が大きくなっており、粒界の密度が低下して
いた。
【００１７】この薄膜の上に下部電極３、強誘電体４、
上部電極５をＰＬＤにて製膜してコンデンサを作製し
た。上部電極５の製膜は、金属膜マスクを用いて選択的
におこなったが、全面に製膜した後に適当なフォトエッ
チングを施しても良い。このようにして、ＢＳＴＯ膜を
誘電体とするキャパシタを作製した。下部電極３と、上
部電極５との間に電圧を印加して漏れ電流を測定したと
ころ、電子線照射無しの場合に比べ約１／２に低減され
ていた。これは、電子線照射で表面のＳｉＯ2 膜が除去
され、その上に作製したＣｅＯ2 の膜質が改善されたた
めと考えられる。
上部電極５をＰＬＤにて製膜してコンデンサを作製し
た。上部電極５の製膜は、金属膜マスクを用いて選択的
におこなったが、全面に製膜した後に適当なフォトエッ
チングを施しても良い。このようにして、ＢＳＴＯ膜を
誘電体とするキャパシタを作製した。下部電極３と、上
部電極５との間に電圧を印加して漏れ電流を測定したと
ころ、電子線照射無しの場合に比べ約１／２に低減され
ていた。これは、電子線照射で表面のＳｉＯ2 膜が除去
され、その上に作製したＣｅＯ2 の膜質が改善されたた
めと考えられる。
【００１８】ＢＳＴＯ膜の上下にＳＲＯ膜を用いたの
は、電極としての他にＢＳＴＯ膜の界面での酸素欠損を
防ぐ効果もある。 〔実施例２〕Ｓｉ基板のＲＣＡ洗浄後、実施例１の電子
線照射の代わりにＳｉＯ2 分子の熱振動に共鳴する波長
の紫外線（約３００nm）を照射し、同様にＣｅＯ2 のバ
ッファー層３以降の製膜をおこなって強誘電体キャパシ
タを作製した。
は、電極としての他にＢＳＴＯ膜の界面での酸素欠損を
防ぐ効果もある。 〔実施例２〕Ｓｉ基板のＲＣＡ洗浄後、実施例１の電子
線照射の代わりにＳｉＯ2 分子の熱振動に共鳴する波長
の紫外線（約３００nm）を照射し、同様にＣｅＯ2 のバ
ッファー層３以降の製膜をおこなって強誘電体キャパシ
タを作製した。
【００１９】漏れ電流を測定したところ、実施例１とほ
ぼ同じ値を示した。従って、紫外線照射によっても表面
のＳｉＯ2 膜が除去され、その上に作製したＣｅＯ2 の
膜質も改善されると考えられる。ＳｉＯの蒸発時の活性
化エネルギーは約０．７eVであることが知られている
［アプライドフィジックスレターズ誌、57巻、2302〜23
04頁、(1990 年) 参照] 。従って理論的には１７００nm
より短波長の光であればＳｉＯの蒸発を促すことができ
るはずである。しかし実際的には、約４００nmより短波
長の紫外線を用いることが有効であった。酸化物薄膜素
子としては、ここに記したキャパシタの他に、高温超伝
導体薄膜の製膜にも有効と考えられる。
ぼ同じ値を示した。従って、紫外線照射によっても表面
のＳｉＯ2 膜が除去され、その上に作製したＣｅＯ2 の
膜質も改善されると考えられる。ＳｉＯの蒸発時の活性
化エネルギーは約０．７eVであることが知られている
［アプライドフィジックスレターズ誌、57巻、2302〜23
04頁、(1990 年) 参照] 。従って理論的には１７００nm
より短波長の光であればＳｉＯの蒸発を促すことができ
るはずである。しかし実際的には、約４００nmより短波
長の紫外線を用いることが有効であった。酸化物薄膜素
子としては、ここに記したキャパシタの他に、高温超伝
導体薄膜の製膜にも有効と考えられる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線または紫外線照射により清浄なＳｉ表面を得ること
ができ、その上に酸化物薄膜を成長させた場合に膜質が
向上する。このようにして、結晶性の良い酸化物薄膜を
エピタキシャル成長させることにより、シリコン単結晶
基板上に酸化物薄膜素子を構成することができた。
子線または紫外線照射により清浄なＳｉ表面を得ること
ができ、その上に酸化物薄膜を成長させた場合に膜質が
向上する。このようにして、結晶性の良い酸化物薄膜を
エピタキシャル成長させることにより、シリコン単結晶
基板上に酸化物薄膜素子を構成することができた。
【００２１】よって本発明は、酸化物薄膜素子の適用範
囲を格段に広げ、一層の普及を可能ならしめるであろ
う。
囲を格段に広げ、一層の普及を可能ならしめるであろ
う。
【図１】本発明にかかる強誘電体キャパシタの断面図
１ Ｓｉ基板 ２ バッファー層 ３ 下部電極 ４ 強誘電体層 ５ 上部電極
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン単結晶基板上に酸化物薄膜を製膜
した酸化物薄膜素子の製造方法において、シリコン基板
表面に超高真空、８００℃以上の高温状態で電子線照射
をおこなって基板上のシリコン酸化膜を除去した後に、
酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜素子
の製造方法。 - 【請求項２】シリコン単結晶基板上に酸化物薄膜を製膜
した酸化物薄膜素子の製造方法において、シリコン基板
表面に超高真空、８００℃以上の高温状態で紫外線照射
をおこなって基板上のシリコン酸化膜を除去した後に、
酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜素子
の製造方法。 - 【請求項３】酸化物薄膜がチタン酸バリウムストロンチ
ウムであることを特徴とする請求項１または２に記載の
強誘電体キャパシタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249606A JP2002064094A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 酸化物薄膜素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249606A JP2002064094A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 酸化物薄膜素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064094A true JP2002064094A (ja) | 2002-02-28 |
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ID=18739328
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249606A Withdrawn JP2002064094A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 酸化物薄膜素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002064094A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1906140A2 (en) | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Topcon Corporation | Device and method for position measurement |
| JP2008120100A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | ヘッドの製造方法及びプリンタの製造方法 |
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2000
- 2000-08-21 JP JP2000249606A patent/JP2002064094A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1906140A2 (en) | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Topcon Corporation | Device and method for position measurement |
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