JP2002047060A - 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/018—Dielectrics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型かつ大容量で、高周波領域においても安
定した特性を有し、しかも低温での焼成を実現すること
で、製造コストを大幅に低下させることができる誘電体
磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ＴｉＯ2
を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不
純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、
ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重
量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物
を０．５〜１０重量％添加したことを特徴とする。
定した特性を有し、しかも低温での焼成を実現すること
で、製造コストを大幅に低下させることができる誘電体
磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ＴｉＯ2
を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不
純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、
ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重
量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物
を０．５〜１０重量％添加したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法に関
し、更に詳しくは、高周波領域、特にマイクロ波領域に
おいて、高い比誘電率、低い誘電損失、高い絶縁抵抗等
の優れた電気的特性を有し、しかも、小型かつ大容量で
信頼性に優れ、さらには低温での焼成を実現すること
で、製造コストを大幅に低下させることを可能とする誘
電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法に関
し、更に詳しくは、高周波領域、特にマイクロ波領域に
おいて、高い比誘電率、低い誘電損失、高い絶縁抵抗等
の優れた電気的特性を有し、しかも、小型かつ大容量で
信頼性に優れ、さらには低温での焼成を実現すること
で、製造コストを大幅に低下させることを可能とする誘
電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、小型かつ大容量のコンデンサとし
てセラミックコンデンサがよく知られている。このセラ
ミックコンデンサは、セラミックスの誘電特性を利用し
た素子で、ルチル型のＴｉＯ2や、ペロブスカイト型の
ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3
等の誘電体材料を単体、もしくはこれらを組み合わせる
ことにより、所望の特性を有するコンデンサが得られ
る。
てセラミックコンデンサがよく知られている。このセラ
ミックコンデンサは、セラミックスの誘電特性を利用し
た素子で、ルチル型のＴｉＯ2や、ペロブスカイト型の
ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3
等の誘電体材料を単体、もしくはこれらを組み合わせる
ことにより、所望の特性を有するコンデンサが得られ
る。
【０００３】セラミックコンデンサは、単層型と積層型
に分類される。単層セラミックコンデンサは、上述した
材料（粉体）を加圧成形して所定形状、例えば、ペレッ
ト（円板状）、ロッド（円筒状）、チップ（角型状）等
の成形体とし、この成形体を１２００〜１４００℃の温
度で焼成して焼結体とした後、その表裏両面に電極を形
成することにより得ることができる。
に分類される。単層セラミックコンデンサは、上述した
材料（粉体）を加圧成形して所定形状、例えば、ペレッ
ト（円板状）、ロッド（円筒状）、チップ（角型状）等
の成形体とし、この成形体を１２００〜１４００℃の温
度で焼成して焼結体とした後、その表裏両面に電極を形
成することにより得ることができる。
【０００４】また、積層セラミックコンデンサは、上述
した材料（粉体）と有機バインダー及び有機溶剤を混練
してスラリーとし、ドクターブレード法によりこのスラ
リーをシート状に成形し脱脂してグリーンシートとし、
このグリーンシート上にＰｔやＰｄ等の貴金属からなる
電極を印刷した後に、これらのグリーンシートを厚み方
向に重ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を１２
００〜１４００℃の温度で焼成することにより得ること
ができる。
した材料（粉体）と有機バインダー及び有機溶剤を混練
してスラリーとし、ドクターブレード法によりこのスラ
リーをシート状に成形し脱脂してグリーンシートとし、
このグリーンシート上にＰｔやＰｄ等の貴金属からなる
電極を印刷した後に、これらのグリーンシートを厚み方
向に重ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を１２
００〜１４００℃の温度で焼成することにより得ること
ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のセラミックコンデンサにおいては、マイクロ波等の
高周波領域における適用範囲を広げる必要があり、比誘
電率、誘電損失、絶縁抵抗等の特性に対してもより高特
性かつ高信頼性を有するものが求められている。しかし
ながら、現在の誘電体材料ではこれらの要求に十分対応
するまでには至っていない。特に、積層セラミックコン
デンサにおいては、緻密な積層体を得るために１２００
〜１４００℃の温度で焼成する必要があり、また、内部
電極材料についても高温度でも安定なＰｔやＰｄ等の貴
金属を用いる必要があり、低コスト化が難しいという問
題点があった。
来のセラミックコンデンサにおいては、マイクロ波等の
高周波領域における適用範囲を広げる必要があり、比誘
電率、誘電損失、絶縁抵抗等の特性に対してもより高特
性かつ高信頼性を有するものが求められている。しかし
ながら、現在の誘電体材料ではこれらの要求に十分対応
するまでには至っていない。特に、積層セラミックコン
デンサにおいては、緻密な積層体を得るために１２００
〜１４００℃の温度で焼成する必要があり、また、内部
電極材料についても高温度でも安定なＰｔやＰｄ等の貴
金属を用いる必要があり、低コスト化が難しいという問
題点があった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、小型かつ大容量で、高周波領域においても
安定した特性を有し、しかも低温での焼成を実現するこ
とで、製造コストを大幅に低下させることができる誘電
体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
のであって、小型かつ大容量で、高周波領域においても
安定した特性を有し、しかも低温での焼成を実現するこ
とで、製造コストを大幅に低下させることができる誘電
体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次のような誘電体磁器組成物とそれを用い
た磁器コンデンサ及びその製造方法を提供した。すなわ
ち、請求項１記載の誘電体磁器組成物は、ＴｉＯ2を２
５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物
とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、Ｍｎ
Ｏ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量
％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を
０．５〜１０重量％添加してなることを特徴とする。
に、本発明は次のような誘電体磁器組成物とそれを用い
た磁器コンデンサ及びその製造方法を提供した。すなわ
ち、請求項１記載の誘電体磁器組成物は、ＴｉＯ2を２
５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物
とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、Ｍｎ
Ｏ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量
％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を
０．５〜１０重量％添加してなることを特徴とする。
【０００８】この誘電体磁器組成物では、ＴｉＯ2を２
５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物
とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、Ｍｎ
Ｏ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量
％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を
０．５〜１０重量％添加したことにより、高い比誘電
率、低い誘電損失、高い絶縁抵抗等の電気的特性を実現
することが可能になり、マイクロ波等の高周波領域にお
ける電気的特性が安定する。これにより、高周波領域に
おける製品の信頼性が向上する。
５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物
とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、Ｍｎ
Ｏ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量
％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を
０．５〜１０重量％添加したことにより、高い比誘電
率、低い誘電損失、高い絶縁抵抗等の電気的特性を実現
することが可能になり、マイクロ波等の高周波領域にお
ける電気的特性が安定する。これにより、高周波領域に
おける製品の信頼性が向上する。
【０００９】ここで、ＴｉＯ2の含有率を２５〜８５ｍ
ｏｌ％とした理由は、２５ｍｏｌ％未満では誘電損失が
増加するために高周波領域における電気的特性が低下
し、８５ｍｏｌ％を越えると焼結性が低下するために緻
密な焼結体が得られないからである。また、ＺｎＯの含
有率をＴｉＯ2を除く残部、すなわち１５〜７５ｍｏｌ
％とした理由は、１５ｍｏｌ％未満では焼結性が低下す
るために緻密な焼結体が得られず、７５ｍｏｌ％を越え
ると誘電損失が増加するために高周波領域における電気
的特性が低下するからである。
ｏｌ％とした理由は、２５ｍｏｌ％未満では誘電損失が
増加するために高周波領域における電気的特性が低下
し、８５ｍｏｌ％を越えると焼結性が低下するために緻
密な焼結体が得られないからである。また、ＺｎＯの含
有率をＴｉＯ2を除く残部、すなわち１５〜７５ｍｏｌ
％とした理由は、１５ｍｏｌ％未満では焼結性が低下す
るために緻密な焼結体が得られず、７５ｍｏｌ％を越え
ると誘電損失が増加するために高周波領域における電気
的特性が低下するからである。
【００１０】ＣｕＯは、誘電損失を改善するために添加
するものであって、その添加量は０．５〜１５重量％が
好ましい。その理由は、０．５重量％未満では誘電損失
の改善効果が得られず、また、１５重量％を越えると逆
に誘電損失が増加するからである。ＭｎＯ2は、誘電損
失を改善するために添加するものであって、その添加量
は０．１〜１０重量％が好ましい。その理由は、０．１
重量％未満では誘電損失の改善効果が得られず、また、
１０重量％を越えると逆に誘電損失が増加するからであ
る。
するものであって、その添加量は０．５〜１５重量％が
好ましい。その理由は、０．５重量％未満では誘電損失
の改善効果が得られず、また、１５重量％を越えると逆
に誘電損失が増加するからである。ＭｎＯ2は、誘電損
失を改善するために添加するものであって、その添加量
は０．１〜１０重量％が好ましい。その理由は、０．１
重量％未満では誘電損失の改善効果が得られず、また、
１０重量％を越えると逆に誘電損失が増加するからであ
る。
【００１１】Ａｌ2Ｏ3は、誘電損失を改善するために添
加するものであって、その添加量は０〜１０重量％が好
ましい。その理由は、１０重量％を越えると誘電損失が
増加するからである。ＰｂＯは、誘電損失を改善するた
めに添加するものであって、その添加量は０．００１〜
１０重量％が好ましい。その理由は、０．００１重量％
未満では誘電損失の改善効果が得られず、また、１０重
量％を越えると逆に誘電損失が増加するからである。な
お、上述した誘電損失の改善効果は、ｔａｎδ（損失係
数）を測定することにより確認することができる。
加するものであって、その添加量は０〜１０重量％が好
ましい。その理由は、１０重量％を越えると誘電損失が
増加するからである。ＰｂＯは、誘電損失を改善するた
めに添加するものであって、その添加量は０．００１〜
１０重量％が好ましい。その理由は、０．００１重量％
未満では誘電損失の改善効果が得られず、また、１０重
量％を越えると逆に誘電損失が増加するからである。な
お、上述した誘電損失の改善効果は、ｔａｎδ（損失係
数）を測定することにより確認することができる。
【００１２】ガラス組成物は、低温焼成時の粒界層にお
けるぬれ性を向上させ焼結性を高めるために焼結助剤と
して添加するものであって、その添加量は０．５〜１０
重量％が好ましい。その理由は、０．５重量％未満では
焼結助剤としての効果が現れないために緻密な焼結体を
得ることができず、また、１０重量％を越えると誘電損
失が増加するからである。ガラス組成物としては、添加
しても特性に悪影響を及ぼすことが無く、主組成物の成
分であるＴｉＯ2及びＺｎＯとぬれ性が良く、しかも５
００℃以上の温度で軟化および／または溶融するガラス
が好ましい。
けるぬれ性を向上させ焼結性を高めるために焼結助剤と
して添加するものであって、その添加量は０．５〜１０
重量％が好ましい。その理由は、０．５重量％未満では
焼結助剤としての効果が現れないために緻密な焼結体を
得ることができず、また、１０重量％を越えると誘電損
失が増加するからである。ガラス組成物としては、添加
しても特性に悪影響を及ぼすことが無く、主組成物の成
分であるＴｉＯ2及びＺｎＯとぬれ性が良く、しかも５
００℃以上の温度で軟化および／または溶融するガラス
が好ましい。
【００１３】請求項２記載の誘電体磁器組成物は、請求
項１記載の誘電体磁器組成物において、前記ガラス組成
物は、硼酸ガラス、硼珪酸ガラス、硼酸亜鉛ガラス、硼
珪酸亜鉛ガラス、硼酸鉛ガラスのいずれか１種であるこ
とを特徴とする。
項１記載の誘電体磁器組成物において、前記ガラス組成
物は、硼酸ガラス、硼珪酸ガラス、硼酸亜鉛ガラス、硼
珪酸亜鉛ガラス、硼酸鉛ガラスのいずれか１種であるこ
とを特徴とする。
【００１４】請求項３記載の磁器コンデンサは、請求項
１または２記載の誘電体磁器組成物からなる素子の両面
に電極を形成してなることを特徴とする。
１または２記載の誘電体磁器組成物からなる素子の両面
に電極を形成してなることを特徴とする。
【００１５】請求項４記載の磁器コンデンサは、請求項
１または２記載の誘電体磁器組成物からなるシート状の
誘電体層と、電極層とを交互に積層してなることを特徴
とする。
１または２記載の誘電体磁器組成物からなるシート状の
誘電体層と、電極層とを交互に積層してなることを特徴
とする。
【００１６】請求項５記載の誘電体磁器組成物の製造方
法は、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎ
Ｏ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５
〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ
3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量
％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加した粉体
を、成形してバルク状もしくはシート状の成形体とし、
この成形体を８００℃以上の温度で焼成することを特徴
とする。
法は、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎ
Ｏ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５
〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ
3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量
％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加した粉体
を、成形してバルク状もしくはシート状の成形体とし、
この成形体を８００℃以上の温度で焼成することを特徴
とする。
【００１７】この製造方法では、ＴｉＯ2を２５〜８５
ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主
組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を
０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、Ｐｂ
Ｏを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜
１０重量％添加した粉体を、成形してバルク状もしくは
シート状の成形体とし、この成形体を８００℃以上の温
度で焼成することにより、焼結助剤であるガラス組成物
が焼成過程において粒界層のぬれ性を向上させ、成形体
中の粉末粒子同士を癒着させるとともに、粉末粒子間の
空隙を減少させて焼結を進行させる。これにより、８０
０℃以上の温度で焼成することにより、緻密で高強度の
焼結体を得ることが可能になる。
ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主
組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を
０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、Ｐｂ
Ｏを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜
１０重量％添加した粉体を、成形してバルク状もしくは
シート状の成形体とし、この成形体を８００℃以上の温
度で焼成することにより、焼結助剤であるガラス組成物
が焼成過程において粒界層のぬれ性を向上させ、成形体
中の粉末粒子同士を癒着させるとともに、粉末粒子間の
空隙を減少させて焼結を進行させる。これにより、８０
０℃以上の温度で焼成することにより、緻密で高強度の
焼結体を得ることが可能になる。
【００１８】請求項６記載の誘電体磁器組成物の製造方
法は、請求項５記載の誘電体磁器組成物の製造方法にお
いて、前記シート状の成形体の一主面に電極を形成し、
次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね合わせ加圧
して積層体とし、この積層体を前記温度で焼成すること
を特徴とする。
法は、請求項５記載の誘電体磁器組成物の製造方法にお
いて、前記シート状の成形体の一主面に電極を形成し、
次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね合わせ加圧
して積層体とし、この積層体を前記温度で焼成すること
を特徴とする。
【００１９】この製造方法では、シート状の成形体の一
主面に電極を形成し、次いで、この成形体を複数枚厚み
方向に重ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を前
記温度で焼成することにより、内部電極にＰｔやＰｄ等
の貴金属と比較して安価なＡｇ等の金属を用いることが
可能になり、従来より用いていたＰｔやＰｄ等の貴金属
を電極材料として用いる必要が無くなる。これにより、
高周波特性等の電気的特性を低下させること無く低コス
ト化を図ることが可能である。
主面に電極を形成し、次いで、この成形体を複数枚厚み
方向に重ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を前
記温度で焼成することにより、内部電極にＰｔやＰｄ等
の貴金属と比較して安価なＡｇ等の金属を用いることが
可能になり、従来より用いていたＰｔやＰｄ等の貴金属
を電極材料として用いる必要が無くなる。これにより、
高周波特性等の電気的特性を低下させること無く低コス
ト化を図ることが可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物とそれ
を用いた磁器コンデンサ及びその製造方法の各実施形態
について図面に基づき説明する。
を用いた磁器コンデンサ及びその製造方法の各実施形態
について図面に基づき説明する。
【００２１】［第１の実施形態］図１は本発明の第１の
実施形態のセラミックコンデンサ（磁器コンデンサ）を
示す断面図であり、図において、符号１はバルク状の誘
電体、２は誘電体１の両面に形成された端子電極、３は
端子電極２に接続されたリード線、４はこれらを封止す
るエポキシ樹脂である。
実施形態のセラミックコンデンサ（磁器コンデンサ）を
示す断面図であり、図において、符号１はバルク状の誘
電体、２は誘電体１の両面に形成された端子電極、３は
端子電極２に接続されたリード線、４はこれらを封止す
るエポキシ樹脂である。
【００２２】誘電体１は、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ
％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物
に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜
１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．
００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量
％添加した材料組成からなる誘電体セラミックスであ
る。端子電極３は、ＡｇもしくはＡｇ合金を主成分とす
る金属により構成されている。Ａｇ合金としては、例え
ば、９０Ａｇ−１０Ｐｄ等が好適に用いられる。
％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物
に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜
１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．
００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量
％添加した材料組成からなる誘電体セラミックスであ
る。端子電極３は、ＡｇもしくはＡｇ合金を主成分とす
る金属により構成されている。Ａｇ合金としては、例え
ば、９０Ａｇ−１０Ｐｄ等が好適に用いられる。
【００２３】次に、このセラミックコンデンサの製造方
法について説明する。まず、粉末状のＴｉＯ2、Ｚｎ
Ｏ、ＣｕＯ、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、ガラス組成
物をそれぞれ所定量秤量した。ここでは、表１及び表２
に示す材料組成となるように秤量した。
法について説明する。まず、粉末状のＴｉＯ2、Ｚｎ
Ｏ、ＣｕＯ、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、ガラス組成
物をそれぞれ所定量秤量した。ここでは、表１及び表２
に示す材料組成となるように秤量した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】次いで、これらの粉体を所定量の水（もし
くはエタノール、アセトン等の有機溶媒）等の分散媒と
ともにボールミルに収容し、所定時間、例えば２４時間
混合・粉砕し、その後脱水（もしくは脱エタノール、脱
アセトン等の脱有機溶媒）・乾燥を行った。本発明の材
料組成以外の組成の試料も作製し比較例とした（表１及
び表２中では「※」で示してある）。
くはエタノール、アセトン等の有機溶媒）等の分散媒と
ともにボールミルに収容し、所定時間、例えば２４時間
混合・粉砕し、その後脱水（もしくは脱エタノール、脱
アセトン等の脱有機溶媒）・乾燥を行った。本発明の材
料組成以外の組成の試料も作製し比較例とした（表１及
び表２中では「※」で示してある）。
【００２７】次いで、この乾燥粉末を５５０〜７５０℃
の温度で０．５〜５．０時間、仮焼成し、次いで、ライ
カイ機（もしくは自動乳鉢）を用いて１〜２４時間粉砕
し、所定の粒度の仮焼粉とした。次いで、この仮焼粉に
所定量の有機バインダーを加えた後、ライカイ機等を用
いて均一に混合・造粒し、所定の粒度の造粒粉（団粒）
とした。有機バインダーはＰＶＡ（polyvinyl alcoho
l）水溶液を用いた。有機バインダーとしては、エチル
セルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液（アクリルバイ
ンダー）等を用いてもよい。
の温度で０．５〜５．０時間、仮焼成し、次いで、ライ
カイ機（もしくは自動乳鉢）を用いて１〜２４時間粉砕
し、所定の粒度の仮焼粉とした。次いで、この仮焼粉に
所定量の有機バインダーを加えた後、ライカイ機等を用
いて均一に混合・造粒し、所定の粒度の造粒粉（団粒）
とした。有機バインダーはＰＶＡ（polyvinyl alcoho
l）水溶液を用いた。有機バインダーとしては、エチル
セルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液（アクリルバイ
ンダー）等を用いてもよい。
【００２８】次いで、成形機を用いて、この造粒粉を直
径２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのペレットに成形し、その後、
大気中、８００℃以上の温度で０．５〜１０．０時間焼
成し、本実施形態の円板状の誘電体１を得た。なお、本
発明の材料組成の試料を本発明の焼成温度範囲以外の温
度で焼成し比較例とした（表１及び表２中では比較例を
「※」で示してある）。
径２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのペレットに成形し、その後、
大気中、８００℃以上の温度で０．５〜１０．０時間焼
成し、本実施形態の円板状の誘電体１を得た。なお、本
発明の材料組成の試料を本発明の焼成温度範囲以外の温
度で焼成し比較例とした（表１及び表２中では比較例を
「※」で示してある）。
【００２９】表３及び表４は、各試料における電気的特
性を示したものである。なお、表３及び表４中では比較
例を「※」で示してある。
性を示したものである。なお、表３及び表４中では比較
例を「※」で示してある。
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】ここでは、比誘電率（ε）及びｔａｎδ
（損失係数）は、２５℃において、１ＭＨｚ、１Ｖrms
の条件下で測定を行った。絶縁抵抗ＩＲ（Ω）は、１０
００Ｖ（ＤＣ）を１分間印加した後、測定を行った。
（損失係数）は、２５℃において、１ＭＨｚ、１Ｖrms
の条件下で測定を行った。絶縁抵抗ＩＲ（Ω）は、１０
００Ｖ（ＤＣ）を１分間印加した後、測定を行った。
【００３２】これらの表３及び表４から明かなように、
本実施形態の試料によれば、比誘電率（ε）、ｔａｎ
δ、絶縁抵抗ＩＲ共、高周波領域においても安定してい
ることがわかる。一方、比較例の試料では、本実施形態
の試料と比べて、比誘電率（ε）、ｔａｎδ、絶縁抵抗
ＩＲのいずれかが低下していることがわかる。さらに、
金属顕微鏡を用いて、本実施形態の試料の表面状態を観
察したところ、粒界に空孔等が認められず、緻密な焼結
体であることが確認された。
本実施形態の試料によれば、比誘電率（ε）、ｔａｎ
δ、絶縁抵抗ＩＲ共、高周波領域においても安定してい
ることがわかる。一方、比較例の試料では、本実施形態
の試料と比べて、比誘電率（ε）、ｔａｎδ、絶縁抵抗
ＩＲのいずれかが低下していることがわかる。さらに、
金属顕微鏡を用いて、本実施形態の試料の表面状態を観
察したところ、粒界に空孔等が認められず、緻密な焼結
体であることが確認された。
【００３３】以上説明したように、本実施形態のセラミ
ックコンデンサによれば、誘電体１を、ＴｉＯ2を２５
〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物と
する主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ
2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、
ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．
５〜１０重量％添加した材料組成としたので、高い比誘
電率、低いｔａｎδ、高い絶縁抵抗を実現することがで
き、マイクロ波等の高周波領域における電気的特性を安
定化させることができる。したがって、高周波領域にお
ける信頼性を向上させることができる。
ックコンデンサによれば、誘電体１を、ＴｉＯ2を２５
〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物と
する主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ
2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、
ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．
５〜１０重量％添加した材料組成としたので、高い比誘
電率、低いｔａｎδ、高い絶縁抵抗を実現することがで
き、マイクロ波等の高周波領域における電気的特性を安
定化させることができる。したがって、高周波領域にお
ける信頼性を向上させることができる。
【００３４】本実施形態のセラミックコンデンサの製造
方法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残
部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯ
を０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量
％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜
１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加し
た材料組成となるように、それぞれの粉体を秤量・混合
して混合粉とし、この混合粉を成形してバルク状の成形
体とし、この成形体を８００℃以上の温度で焼成したの
で、緻密で高強度の焼結体を低温焼成により作製するこ
とができる。
方法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残
部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯ
を０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量
％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜
１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加し
た材料組成となるように、それぞれの粉体を秤量・混合
して混合粉とし、この混合粉を成形してバルク状の成形
体とし、この成形体を８００℃以上の温度で焼成したの
で、緻密で高強度の焼結体を低温焼成により作製するこ
とができる。
【００３５】［第２の実施形態］図２は本発明の第２の
実施形態の積層セラミックコンデンサを示す断面図であ
り、図において、符号１１はシート状の誘電体層、１２
は薄厚の内部電極、１３、１４は端子電極であり、誘電
体層１１を８層、内部電極１２を７層、交互に積層した
構成である。
実施形態の積層セラミックコンデンサを示す断面図であ
り、図において、符号１１はシート状の誘電体層、１２
は薄厚の内部電極、１３、１４は端子電極であり、誘電
体層１１を８層、内部電極１２を７層、交互に積層した
構成である。
【００３６】誘電体層１１は、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍ
ｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組
成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．
１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを
０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０
重量％添加した材料組成からなるシート状の誘電体セラ
ミックスである。
ｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組
成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．
１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを
０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０
重量％添加した材料組成からなるシート状の誘電体セラ
ミックスである。
【００３７】内部電極１２及び端子電極１３、１４は、
導体としての特性を有し、しかも信頼性の高い電極材
料、例えば、ＡｇもしくはＡｇ合金を主成分とする金属
により構成されている。Ａｇ合金としては、例えば、９
０Ａｇ−１０Ｐｄ等が好適に用いられる。この積層セラ
ミックコンデンサは、高周波領域においても安定した特
性を有する。
導体としての特性を有し、しかも信頼性の高い電極材
料、例えば、ＡｇもしくはＡｇ合金を主成分とする金属
により構成されている。Ａｇ合金としては、例えば、９
０Ａｇ−１０Ｐｄ等が好適に用いられる。この積層セラ
ミックコンデンサは、高周波領域においても安定した特
性を有する。
【００３８】次に、この積層セラミックコンデンサの製
造方法について説明する。まず、本実施形態の材料組成
となるように、粉末状のＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｍ
ｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、ガラス組成物をそれぞれ所
定量秤量し、これらの粉体を所定量の水（もしくはエタ
ノール、アセトン）等の分散媒とともにボールミルに収
容し、所定時間、例えば２４時間混合・粉砕し、その後
脱水（もしくは脱エタノール、脱アセトン等の脱有機溶
媒）・乾燥を行った。
造方法について説明する。まず、本実施形態の材料組成
となるように、粉末状のＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｍ
ｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＯ、ガラス組成物をそれぞれ所
定量秤量し、これらの粉体を所定量の水（もしくはエタ
ノール、アセトン）等の分散媒とともにボールミルに収
容し、所定時間、例えば２４時間混合・粉砕し、その後
脱水（もしくは脱エタノール、脱アセトン等の脱有機溶
媒）・乾燥を行った。
【００３９】次いで、この乾燥粉に所定量の有機バイン
ダー及び有機溶剤を加えた後、ライカイ機、混練機等を
用いて混練し、所定の粘度を有するスラリーとした。こ
こで、有機バインダーとしては、ＰＶＡ（polyvinyl al
cohol）水溶液を用いた。有機バインダーは、エチルセ
ルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液（アクリルバイン
ダー）等を用いてもよい。次いで、ドクターブレード法
により、このスラリーをシート状に成形し脱脂してグリ
ーンシートとし、このグリーンシート上に、Ａｇ、もし
くは９０Ａｇ−１０Ｐｄ等のＡｇ合金を主成分とする導
電ペーストを所定のパターンに印刷し内部電極層とし
た。
ダー及び有機溶剤を加えた後、ライカイ機、混練機等を
用いて混練し、所定の粘度を有するスラリーとした。こ
こで、有機バインダーとしては、ＰＶＡ（polyvinyl al
cohol）水溶液を用いた。有機バインダーは、エチルセ
ルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液（アクリルバイン
ダー）等を用いてもよい。次いで、ドクターブレード法
により、このスラリーをシート状に成形し脱脂してグリ
ーンシートとし、このグリーンシート上に、Ａｇ、もし
くは９０Ａｇ−１０Ｐｄ等のＡｇ合金を主成分とする導
電ペーストを所定のパターンに印刷し内部電極層とし
た。
【００４０】次いで、これらのグリーンシートを厚み方
向に重ね合わせ、その後厚み方向に加圧して積層体とし
た。次いで、この積層体を８００℃以上の温度で焼成
し、その後、両側面に端子電極１３、１４を形成した。
以上により、誘電体層１１と内部電極１２とを交互に積
層した積層セラミックコンデンサを作製することができ
た。
向に重ね合わせ、その後厚み方向に加圧して積層体とし
た。次いで、この積層体を８００℃以上の温度で焼成
し、その後、両側面に端子電極１３、１４を形成した。
以上により、誘電体層１１と内部電極１２とを交互に積
層した積層セラミックコンデンサを作製することができ
た。
【００４１】以上説明したように、本実施形態の積層セ
ラミックコンデンサによれば、誘電体層１１を、ＴｉＯ
2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避
不純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量
％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１
０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組
成物を０．５〜１０重量％添加した材料組成としたの
で、小型かつ大容量で、高い比誘電率、低い誘電損失、
高い絶縁抵抗を実現することができ、マイクロ波等の高
周波領域における電気的特性を安定化させることができ
る。したがって、高周波領域における信頼性を向上させ
ることができる。
ラミックコンデンサによれば、誘電体層１１を、ＴｉＯ
2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避
不純物とする主組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量
％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１
０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０重量％、ガラス組
成物を０．５〜１０重量％添加した材料組成としたの
で、小型かつ大容量で、高い比誘電率、低い誘電損失、
高い絶縁抵抗を実現することができ、マイクロ波等の高
周波領域における電気的特性を安定化させることができ
る。したがって、高周波領域における信頼性を向上させ
ることができる。
【００４２】本実施形態の積層セラミックコンデンサの
製造方法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含
み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、
ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０
重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００
１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添
加した材料組成の混合粉を成形してなるグリーンシート
を厚み方向に重ね合わせて積層体とし、この積層体を８
００℃以上の温度で焼成するので、内部電極１２の材料
にＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して比較的安価なＡｇ等
の金属を用いることができ、ＰｔやＰｄ等の貴金属を電
極材料として用いる必要が無い。したがって、特性を低
下させること無く、低コスト化を図ることができる。
製造方法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含
み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、
ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０
重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００
１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添
加した材料組成の混合粉を成形してなるグリーンシート
を厚み方向に重ね合わせて積層体とし、この積層体を８
００℃以上の温度で焼成するので、内部電極１２の材料
にＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して比較的安価なＡｇ等
の金属を用いることができ、ＰｔやＰｄ等の貴金属を電
極材料として用いる必要が無い。したがって、特性を低
下させること無く、低コスト化を図ることができる。
【００４３】以上、本発明の誘電体磁器組成物とそれを
用いた磁器コンデンサ及びその製造方法の各実施形態に
ついて図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は上
述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。例
えば、第２の実施形態の積層セラミックコンデンサで
は、誘電体層１１を８層、内部電極１２を７層、交互に
積層した構成としたが、誘電体層１１及び内部電極１２
それぞれの大きさや層数は、必要とされる容量や特性に
より適宜変更可能である。
用いた磁器コンデンサ及びその製造方法の各実施形態に
ついて図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は上
述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。例
えば、第２の実施形態の積層セラミックコンデンサで
は、誘電体層１１を８層、内部電極１２を７層、交互に
積層した構成としたが、誘電体層１１及び内部電極１２
それぞれの大きさや層数は、必要とされる容量や特性に
より適宜変更可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の誘電体磁器組成物によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５
ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主
組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を
０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、Ｐｂ
Ｏを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜
１０重量％添加したので、高い比誘電率、低い誘電損
失、高い絶縁抵抗を実現することができ、マイクロ波等
の高周波領域における電気的特性を安定化させることが
できる。したがって、高周波領域における信頼性を向上
させることができる。
載の誘電体磁器組成物によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５
ｍｏｌ％含み、残部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主
組成物に、ＣｕＯを０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を
０．１〜１０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、Ｐｂ
Ｏを０．００１〜１０重量％、ガラス組成物を０．５〜
１０重量％添加したので、高い比誘電率、低い誘電損
失、高い絶縁抵抗を実現することができ、マイクロ波等
の高周波領域における電気的特性を安定化させることが
できる。したがって、高周波領域における信頼性を向上
させることができる。
【００４５】請求項３記載の磁器コンデンサによれば、
本発明の誘電体磁器組成物からなる素子の両面に電極を
形成したので、高周波領域における誘電体損失を小さく
することができる。その結果、マイクロ波等の高周波領
域における電気的特性を安定化させることができ、高周
波領域における信頼性を向上させることができる。ま
た、電極に、ＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して比較的安
価なＡｇ等の金属を用いることができるので、特性を低
下させずに製造コストを低減することができる。
本発明の誘電体磁器組成物からなる素子の両面に電極を
形成したので、高周波領域における誘電体損失を小さく
することができる。その結果、マイクロ波等の高周波領
域における電気的特性を安定化させることができ、高周
波領域における信頼性を向上させることができる。ま
た、電極に、ＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して比較的安
価なＡｇ等の金属を用いることができるので、特性を低
下させずに製造コストを低減することができる。
【００４６】請求項４記載の磁器コンデンサによれば、
本発明の誘電体磁器組成物からなるシート状の誘電体
と、電極とを交互に積層したので、高周波領域における
誘電体損失を小さくすることができる。その結果、マイ
クロ波等の高周波領域における電気的特性を安定化させ
ることができ、高周波領域における信頼性を向上させる
ことができる。また、電極に、ＰｔやＰｄ等の貴金属と
比較して比較的安価なＡｇ等の金属を用いることができ
るので、特性を低下させずに製造コストを低減すること
ができる。
本発明の誘電体磁器組成物からなるシート状の誘電体
と、電極とを交互に積層したので、高周波領域における
誘電体損失を小さくすることができる。その結果、マイ
クロ波等の高周波領域における電気的特性を安定化させ
ることができ、高周波領域における信頼性を向上させる
ことができる。また、電極に、ＰｔやＰｄ等の貴金属と
比較して比較的安価なＡｇ等の金属を用いることができ
るので、特性を低下させずに製造コストを低減すること
ができる。
【００４７】請求項５記載の誘電体磁器組成物の製造方
法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部
をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯを
０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、
Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０
重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加した粉
体を、成形してバルク状もしくはシート状の成形体と
し、この成形体を８００℃以上の温度で焼成するので、
低温焼成により緻密で高強度の焼結体を作製することが
できる。
法によれば、ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残部
をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯを
０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量％、
Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜１０
重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加した粉
体を、成形してバルク状もしくはシート状の成形体と
し、この成形体を８００℃以上の温度で焼成するので、
低温焼成により緻密で高強度の焼結体を作製することが
できる。
【００４８】請求項６記載の誘電体磁器組成物の製造方
法によれば、シート状の成形体の一主面に電極を形成
し、次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね合わせ
加圧して積層体とし、この積層体を前記温度で焼成する
ので、内部電極材料にＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して
安価なＡｇ等の金属を用いることができ、ＰｔやＰｄ等
の貴金属を電極材料として用いる必要が無くなる。した
がって、製品の特性を低下させること無く低コスト化を
図ることができる。
法によれば、シート状の成形体の一主面に電極を形成
し、次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね合わせ
加圧して積層体とし、この積層体を前記温度で焼成する
ので、内部電極材料にＰｔやＰｄ等の貴金属と比較して
安価なＡｇ等の金属を用いることができ、ＰｔやＰｄ等
の貴金属を電極材料として用いる必要が無くなる。した
がって、製品の特性を低下させること無く低コスト化を
図ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の単層セラミックコ
ンデンサを示す断面図である。
ンデンサを示す断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態の積層セラミックコ
ンデンサを示す断面図である。
ンデンサを示す断面図である。
１ バルク状の誘電体 ２ 端子電極 ３ リード線 ４ エポキシ樹脂 １１ 誘電体層 １２ 内部電極 １３、１４ 端子電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４１５ ４１５ Ｂ２８Ｂ 11/00 Ｚ (72)発明者 鄭 勝教 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞314番 地 三星電機株式会社内 (72)発明者 呉 濬禄 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞314番 地 三星電機株式会社内 (72)発明者 張 炳圭 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞314番 地 三星電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA19 AA25 AA26 AA28 AA29 AA30 AA32 BA09 CA08 GA02 GA06 GA11 4G055 AA08 AC09 BA22 BA29 5E001 AB01 AB03 AE00 AE03 AE04 AH05 AH08 AH09 AJ01 AJ02 5G303 AA01 AA10 AB01 AB06 AB07 AB15 BA12 CA01 CB01 CB02 CB11 CB18 CB25 CB30 CB35 CB38 DA05
Claims (6)
- 【請求項１】 ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残
部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯ
を０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量
％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜
１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加し
てなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記ガラス組成物は、硼酸ガラス、硼珪
酸ガラス、硼酸亜鉛ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス、硼酸鉛
ガラスのいずれか１種であることを特徴とする請求項１
記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の誘電体磁器組成
物からなる素子の両面に電極を形成してなることを特徴
とする磁器コンデンサ。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の誘電体磁器組成
物からなるシート状の誘電体層と、電極層とを交互に積
層してなることを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項５】 ＴｉＯ2を２５〜８５ｍｏｌ％含み、残
部をＺｎＯ及び不可避不純物とする主組成物に、ＣｕＯ
を０．５〜１５重量％、ＭｎＯ2を０．１〜１０重量
％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１０重量％、ＰｂＯを０．００１〜
１０重量％、ガラス組成物を０．５〜１０重量％添加し
た粉体を、成形してバルク状もしくはシート状の成形体
とし、この成形体を８００℃以上の温度で焼成すること
を特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項６】 前記シート状の成形体の一主面に電極を
形成し、次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね合
わせ加圧して積層体とし、この積層体を前記温度で焼成
することを特徴とする請求項５記載の誘電体磁器組成物
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227743A JP3599645B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| KR10-2001-0022379A KR100406351B1 (ko) | 2000-07-27 | 2001-04-25 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227743A JP3599645B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002047060A true JP2002047060A (ja) | 2002-02-12 |
| JP3599645B2 JP3599645B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=18721149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000227743A Expired - Fee Related JP3599645B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3599645B2 (ja) |
| KR (1) | KR100406351B1 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3269910B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0859344A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-05 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP3103296B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2000-10-30 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 |
| JP3081605B1 (ja) * | 1999-05-21 | 2000-08-28 | 株式会社サムスン横浜研究所 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227743A patent/JP3599645B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-25 KR KR10-2001-0022379A patent/KR100406351B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020010461A (ko) | 2002-02-04 |
| JP3599645B2 (ja) | 2004-12-08 |
| KR100406351B1 (ko) | 2003-11-19 |
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