JP2002043177A - 電解コンデンサ用リード線とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだ濡れ性が優れ、表面が平滑であり、耐
食性に優れた電解コンデンサ用リード線とその製造方法
を提供する。 【解決手段】 導電性基体１の上にリフロー処理された
Ｓｎ−Ｂｉ合金層２が形成されている電解コンデンサ用
リード線において、Ｓｎ−Ｂｉ合金層２の表面からその
半分の深さの位置に至る厚み領域２ＡにはＢｉ濃度が漸
次減少するＢｉの濃度勾配が形成されており、表面２ａ
から深さ０.５μｍまでの表層部２ＣにおけるＢｉ濃度
は２重量％以上であり、かつ、厚み領域２Ａから導電性
基体１との界面２ｂにまで至る厚み領域２ＢにおけるＢ
ｉ濃度は０.０１重量％以下である電解コンデンサ用リ
ード線。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表面にＳｎ−Ｂｉ合
金層が形成されている電解コンデンサ用リード線とその
製造方法に関し、更に詳しくは、はんだ濡れ性が優れ、
また表面が平滑であるため、滑り性が良好であり、そし
て電解コンデンサの電解質溶液に対する耐食性にも優れ
ている電解コンデンサ用リード線とその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＣｕまたはＣｕ合金から成る導電性基体
の表面をＳｎまたはＳｎ合金でめっき被覆した線材は、
ＣｕまたはＣｕ合金が備えている優れた導電性と機械的
強度を有し、かつ、ＳｎまたはＳｎ合金が備えている耐
食性と良好なはんだ付け性を併有する高性能導体であっ
て、各種の端子、コネクタ、リード線のような電気・電
子機器分野における用途、また電力ケーブルの分野など
で多用されている。

【０００３】ところで、上記した線材において、導電性
基体を被覆するめっき層がＳｎのみで形成されている場
合には、表面酸化に基づくはんだ付け性の劣化が起こ
り、またウイスカーが発生しやすいので短絡事故の原因
が生じやすいという問題がある。そのため、めっき層を
Ｓｎ合金で形成して、上記問題が生じないようにするこ
とが広く行われている。その場合のＳｎ合金の代表例は
Ｓｎ−Ｐｂ合金であり、これは従来から多用されてい
る。

【０００４】しかしながら、Ｓｎ−Ｐｂ合金中のＰｂ成
分は人体に悪影響を与える虞れがあるということから、
最近では、Ｓｎ−Ｐｂ合金は優れた性質を備えているに
もかかわらず、その使用が敬遠されている。そのため、
近年、このＳｎ−Ｐｂ合金に代わるものとして、Ｐｂフ
リーであるＳｎ−Ｂｉ合金が使用されはじめている。し
かしながら、このＳｎ−Ｂｉ合金のめっき層で被覆され
ているリード線の場合、基体中のＣｕ成分に対するＳｎ
成分の拡散速度が大きいので、高温の熱処理を行ったと
きに、基体とめっき層の界面にＳｎ−Ｃｕ層が形成され
る。通常、はんだ付けでは、めっき層がはんだ浴に溶け
るため、基体表面の活性なＣｕが露出し、そのことによ
ってはんだの濡れが実現する。しかしながら、Ｓｎ−Ｃ
ｕ層が形成されていると、基体表面には活性なＣｕが表
出しなくなる。その結果、はんだ濡れ性が劣化するとい
う問題が生じてくる。

【０００５】このような問題に対し、本発明者らは、導
電性基体の表面に、まず、Ｓｎめっき層を形成し、更に
そのＳｎめっき層の上にＳｎ−Ｂｉ合金から成るめっき
層を形成することにより、２層構造のめっき層を有する
リード線を開発した（特開平１０−２２９１５２号公報
を参照）。このリード線の場合、下層に位置するＳｎめ
っき層におけるＳｎの拡散速度が上層に位置するＳｎ−
Ｂｉ合金層におけるＳｎの拡散速度よりも小さく下層の
Ｓｎめっき層はいわばＳｎの拡散バリアとして機能し、
そのため、前記したＳｎ−Ｃｕ層が形成されにくくな
り、従来のＳｎめっき層単独で被覆されているリード線
に比べても、ほぼ同等のはんだ濡れ性を発揮する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た２層構造のめっき層で被覆されているリード線を用い
て電解コンデンサを組み立てると、次のような問題が発
生して、製造した電解コンデンサの信頼性の低下や、ま
た製造時における生産性の低下などが引き起こされてい
る。

【０００７】例えば、表面側のめっき層を無光沢めっき
で形成した場合、当該めっき層の表面には凹凸が生じて
いるので、電解コンデンサの製造時に付着した電解質溶
液を洗浄しても、その電解質溶液を充分に除去すること
が困難であり、その結果、残置した電解質溶液の作用で
実使用時にリード線の腐食が進行する。また、表面に凹
凸が存在していると、そのリード線を電解コンデンサの
アルミ端子にはんだ付けしたときに、はんだがリード線
から剥離しやすくなるため、不良品が発生しやすく、ま
た製造した電解コンデンサの信頼性も低くなりやすい。
そのため、製造ラインを頻繁に停止してその点検を行う
ことが必要となり、製造時の生産性は低下する。

【０００８】したがって、電解コンデンサ用のリード線
には、はんだ濡れ性が優れていることはもちろんのこ
と、表面の平滑性が良好であるということは重要な必要
条件となる。その場合、表面側のめっき層の形成時に無
光沢めっきを行えば、その表面は比較的平滑になるた
め、上記した問題の発生を抑制するという点では有効で
あると考えられる。

【０００９】しかしながら、他方では、無光沢めっきを
適用すると、そのめっき層の耐熱性は低下し、また曲げ
加工性も低下するという新たな問題が生じてくる。ま
た、表面の平滑性を高めるためには、めっき層の形成後
に例えばリフロー処理のような熱処理を行って、めっき
層を一旦溶融したのち再凝固させることが有効であり、
この方法は、電解コンデンサ用のリード線にも適用され
ている。

【００１０】しかしながら、このリフロー処理で留意す
べきことは、あまり過剰なリフロー処理を行うと、再凝
固後に形成される単一層の厚みのばらつきが大きくなっ
て、表面の平滑性は向上してもはんだ濡れが低下すると
いう問題が生じてくる。とくに、表面側がＳｎ−Ｂｉ合
金層になっているリード線に過剰なリフロー処理を行う
と、表面側のＢｉが全層内に拡散してしまうのでＢｉの
効果は失われ、また、めっき層の薄い部分で基体の成分
が容易に拡散するというような問題も生ずるので、Ｓｎ
−Ｂｉ合金層に対するリフロー処理の場合には、前記し
た再凝固層における厚みのばらつきの極小化という問題
に加え、Ｂｉ濃度の適正化という問題が重要になってく
る。

【００１１】本発明は、表面にリフロー処理で形成され
たＳｎ−Ｂｉ合金層を有する電解コンデンサ用リード線
における上記した問題に解決を与える発明であって、再
凝固層における厚みばらつきが小さいので、はんだ濡れ
性が優れていることはもちろんのこと、表面の平滑性が
優れているので、滑り性が良好で、電解質溶液の付着に
基づく腐食を抑制することができる電解コンデンサ用リ
ード線とそれを製造する方法の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、導電性基体上にリフロー処
理されたＳｎ−Ｂｉ合金層が形成されている電解コンデ
ンサ用リード線において、前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の表面
からその半分の深さの位置に至る厚み領域には、Ｂｉ濃
度が漸次減少するＢｉの濃度勾配が形成されており、前
記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の表面から深さ０.５μｍまでの表
層部におけるＢｉ濃度が２重量％以上であり、かつ、前
記厚み領域から前記導電性基体に至る厚み領域における
Ｂｉ濃度は０.０１重量％以下であることを特徴とする
電解コンデンサ用リード線が提供される。

【００１３】そして、前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の最も厚い
部分の厚みをａ（μｍ）、最も薄い部分の厚みをｂ（μ
ｍ）としたとき、ａ，ｂの間には、次式：０.８≦ｂ／
ａ≦１.０の関係が成立していることが好ましい。ま
た、本発明においては、導電性基体上にＳｎ層とＳｎ−
Ｂｉ合金層を順次形成し、ついでリフロー処理を行うこ
とを特徴とする電解コンデンサ用リード線の製造方法が
提供される。

【００１４】更に、本発明においては、前記電解コンデ
ンサ用リード線を用いて組み立てられた電子部品が提供
される。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のリード線は、図１で示し
たように、導電性基体１と、それを被覆するＳｎ−Ｂｉ
合金層２で構成されている。まず、導電性基体１として
は、Ｃｕ、または黄銅、リン青銅のようなＣｕ合金で構
成されていることが好ましい。また、例えば鋼材を芯材
とし、その表面が上記したＣｕまたはＣｕ合金で被覆さ
れているものであってもよい。

【００１６】次に、本発明におけるＳｎ−Ｂｉ合金層２
は次のような要件を備えていることを特徴とする。 （１）まず、リフロー処理によって形成された単一のＳ
ｎ−Ｂｉ合金層である。すなわち、後述するように、基
材１の上にＳｎ層とＳｎ−Ｂｉ合金層をめっき法で順次
形成して２層構造のめっき層とし、これにリフロー処理
を行うことにより、Ｓｎ層とＳｎ−Ｂｉ合金層の一部ま
たは全部が、一旦、溶融し、ついで再凝固されて形成さ
れた単一のＳｎ−Ｂｉ合金層である。

【００１７】（２）このＳｎ−Ｂｉ合金層２はリフロー
処理で形成されるため、不可避的に最も厚い部分と最も
薄い部分が存在する。そして、最も厚い部分の厚みをａ
（μｍ）、最も薄い部分の厚みをｂ（μｍ）としたと
き、このＳｎ−Ｂｉ合金層２では、ａ，ｂ間には、次
式：０.８≦ｂ／ａ≦１.０の関係が成立していることが
好ましい。ｂ／ａ値が０.８より小さい場合には、Ｓｎ
−Ｂｉ合金層２の厚みのばらつきが大きくなっているの
で、そのリード線におけるはんだ濡れ性は低下する。な
お、ｂ／ａ＝１とは厚みのばらつきがない状態を示すの
で、ｂ／ａ値が１より大きくなることはあり得ない。

【００１８】（３）このＳｎ−Ｂｉ合金層２では、図２
で示したように、その表面２ａから導電性基体１との界
面２ｂへと向かう厚み方向において、表面２ａから半分
の深さの位置に至る厚み領域２ＡにはＢｉの濃度勾配が
形成されている。具体的には、表面２ａ側ほどＢｉ濃度
が高く、界面２ｂ側にいくほどＢｉ濃度は低減している
ようなＢｉの濃度勾配である。

【００１９】このＢｉの濃度勾配は、次のようにして形
成されていく。すなわち、めっきで形成されたＳｎ層と
Ｓｎ−Ｂｉ合金層の２層構造のめっき層の溶融は、リフ
ロー処理時の熱が表面側から伝導するので、表面から芯
部に向かって進行するが、再凝固の過程では、降温は芯
部から進んでいくので、下層のＳｎ層を構成していて相
対的に高融点であるＳｎの再凝固から始まり、比較的低
融点である含Ｂｉ共晶組成は表面側に移動しながら再凝
固していくことになる。その結果として、Ｂｉの上記し
た濃度勾配が形成されるのである。

【００２０】このＳｎ−Ｂｉ合金層２の場合、表面のＢ
ｉ濃度が最も高い状態でＢｉの濃度勾配が形成されてい
るので、まず、表面に高濃度で存在するＢｉの作用では
んだ濡れ性は向上している。また、Ｂｉ濃度が高くなる
ほどそのＳｎ−Ｂｉ合金は低融点となるため、リフロー
処理時には表面側は液状になりやすく、その結果、リフ
ロー処理後における再凝固したＳｎ−Ｂｉ合金層２の表
面の平滑性は向上していることになる。このことは、こ
の表面に電解質溶液が付着してもそれを充分に洗浄・除
去できる状態になっているので、当該リード線の耐食性
の向上に貢献していることになる。

【００２１】ただし、Ｂｉ濃度が高いということは曲げ
加工時にクラックが発生しやすいということである。し
かしながら、このＳｎ−Ｂｉ合金層２の場合、導電性基
体１側ほどＢｉ濃度が低くなっていてその曲げ加工性が
良好になっているので、仮に、Ｂｉ濃度が最も高い表面
でクラックが発生しても、そのクラックの伝播は比較的
浅い位置で停止するようになり、そのためリード線の耐
食性低下が抑制されることになる。

【００２２】（４）そして、このＳｎ−Ｂｉ合金層２の
場合、（３）で説明した厚み領域２ＡにおけるＢｉの濃
度勾配の形成ということを前提にして、図２で示したよ
うに、表面２ａから深さ０.５μｍまでの表層部２Ｃに
おけるＢｉ濃度は２重量％以上で、かつ、その厚み領域
２Ａから導電性基体１とＳｎ−Ｂｉ合金層との界面２ｂ
に至る厚み領域２ＢにおけるＢｉ濃度は０.０１重量％
以下になっている。

【００２３】一般に、リフロー処理後におけるＳｎ層に
してもＳｎ−Ｂｉ合金層にしても、その表面には厚み１
〜２nm程度の自然酸化皮膜が生成している。そして、Ｂ
ｉを含まないＳｎ層の場合には、例えば部品実装に伴う
熱処理を受ける過程で、この酸化皮膜は２０〜３０nm程
度にまで成長してはんだ濡れ性の低下が引き起こされ
る。

【００２４】しかしながら、Ｓｎ−Ｂｉ合金層の場合
は、酸化皮膜の成長は厚み１０〜２０nm程度で停止し
て、そのはんだ濡れ性の低下が抑制される。Ｂｉ配合の
この作用効果は、Ｂｉ濃度が２重量％以上、好ましくは
３〜５重量％である場合に発現するのであって、Ｂｉ濃
度が２重量％未満である場合にはあまり効果がない。こ
のようなことから、このＳｎ−Ｂｉ合金層２では、前記
した厚み領域２ＡにおけるＢｉ濃度が２重量％以上に設
定されているのである。その際、厚み領域２Ａの厚みの
上限を０.２μｍと規定した理由は、Ｂｉの高濃度領域
をこれより厚くすると、曲げ加工性の低下が起こりはじ
めて不都合であるからである。

【００２５】なお、界面２ｂ側の厚み領域２Ｂは、Ｓｎ
リッチな領域とすることにより、上層側から導電性基体
１側へ拡散してくるＳｎの拡散バリアとして機能させる
ことを目的として形成されるものである。このような機
能を発揮させるために、厚み領域２ＢにおけるＢｉ濃度
が０.０１重量％以下になっていることが必要になる。
この条件が満たされていないと、界面２ｂにはＳｎ−Ｃ
ｕ層が生成しはじめてはんだ濡れ性の低下が引き起こさ
れるようになるからである。

【００２６】（５）このＳｎ−Ｂｉ合金層２は、既に述
べた条件を必要とするが、それに加えて、次のような条
件を満たしていることが好ましい。すなわち、このＳｎ
−Ｂｉ合金層２におけるＢｉの平均濃度が０.１〜１.０
重量％になっていることである。この平均濃度が０.１
重量％より低い場合は、Ｓｎ単独層の場合と同じよう
に、表面酸化やウイスカーの発生が起こりやすくなり、
また、１.０重量％より高い場合には、表面側における
前記したＢｉ濃度が高くなりすぎて曲げ加工性の低下を
招くと同時に、はんだ付け時に当該はんだが剥離する、
いわゆるリフトオフが発生するようになるからである。
好ましいＢｉの平均濃度は０.２〜１.０重量％である。

【００２７】このような本発明のリード線は、図３で示
したように、導電性基体１の表面に、Ｓｎ層２₀とＳｎ
−Ｂｉ合金層２₁を順次めっき法で形成して２層構造の
めっき層とし、ついで全体にリフロー処理を行って製造
することができる。このとき、リフロー処理の条件、と
りわけ温度条件を過剰にすると、下層のＳｎ層まで溶融
して再凝固したときのＳｎ−Ｂｉ合金層２におけるｂ／
ａ値は前記した範囲を満たさなくなり、また表面にも凹
凸が発生することがあり、更には表面におけるＢｉ濃度
も前記した値より低くなってしまうので、このようなこ
とを考慮してリフロー処理条件は設定される。通常、温
度７５０〜８５０℃で４０ｍ／分程度のライン速度を採
用することが好ましい。

【００２８】

【実施例】実施例１〜３、比較例１〜３ 線径０.６mmのＣｕ被覆鋼線に電解脱脂と酸洗の前処理
を行ったのち、まず厚み８μｍのＳｎ層２₀をめっき形
成し、更にその上に厚み２μｍのＳｎ−３％Ｂｉ合金層
２₁をめっき形成して図３で示した線材を製造した。つ
いで、この線材に表１で示した条件のリフロー処理を行
って単一のＳｎ−Ｂｉ合金層２が形成されている図１の
リード線にした。このリード線につき、下記の仕様でＳ
ｎ−Ｂｉ合金層２の厚み、Ｂｉの濃度勾配、耐食性、滑
り性、はんだ濡れ性を測定した。

【００２９】（１）厚みの測定：単一のＳｎ−Ｂｉ合金
層２の厚みを、コリメータ径０.１mmの蛍光Ｘ線膜厚計
により４０点測定し、その最大厚み（ａ）と最小厚み
（ｂ）を求めた。 （２）Ｂｉの濃度勾配：オージェ電子分光測定器で、表
面から厚み方向で、表面から０.５μｍの深さの位置、
合金層の表面から１／４の深さの位置、合金層の表面か
ら１／２の深さの位置、合金層の表面から３／４の深さ
の位置におけるＢｉ濃度を測定した。このＳｎ−Ｂｉ合
金層２の一部を剥離してそのＢｉ濃度を分析し、Ｂｉの
平均濃度も測定した。

【００３０】（３）耐食性：リード線の表面に電解コン
デンサの電解質溶液の滴下したのち、水洗、乾燥処理を
行い、ついで、温度４０℃、相対湿度９５％の雰囲気下
に２４時間放置したのち、その表面を光学顕微鏡で観察
して、腐食生成物発生の有無を調べた。 （４）滑り性：平板の上にリード線を固定し、そのリー
ド線の表面に１mmＲの曲率をもったステンレス鋼製の曲
面板を荷重５gfで押し当てた状態で１回摺動し、動摩擦
係数を測定した。測定後、リード線の表面を観察し、Ｓ
ｎ−Ｂｉ合金層２の剥離状態を目視観察。

【００３１】（５）はんだ濡れ性：リード線に、温度１
７０℃で２４時間の熱処理を行ったのち、所望の長さに
切断し、Ｓｎ−３.５％Ａｇのはんだ浴（浴温２５０
℃）に、ロジン２５％のフラックスを用いて２秒間浸漬
し、そのときの濡れ面積を測定し、その値を浸漬面積で
除算して濡れ面積の比率（％）を求めた。この値が９５
％以上のものは、合格品である。 以上の結果を一括して表１に示した。

【００３２】

【表１】

【００３３】表１から次のことが明らかである。 （１）まず、実施例と比較例２を対比すると、高い温度
でリフロー処理された比較例２の場合は、２層構造のめ
っき層が全て溶融したのでＢｉの濃度勾配は形成されて
おらず、またそのｂ／ａ値が小さく、Ｓｎ−Ｂｉ合金層
２の厚みばらつきが大きいので、はんだ濡れ性が大幅に
低下している。

【００３４】（２）また、比較例１の場合は、リフロー
処理温度が低すぎてＳｎ−Ｂｉ合金層が充分に溶融しな
かったが、そのため、ｂ／ａ値は大きくなっているとは
いえ、Ｓｎ−Ｂｉ合金層２の表面滑り性は悪く、また耐
食性も低下していて腐食生成物が発生している。 （３）実施例１〜３を比べると、リフロー処理温度の低
いものは、溶融の程度が少ないので、厚みのばらつきが
小さく、その結果、滑り性、はんだ濡れ性が相対的に向
上している。

【００３５】実施例４〜７、比較例４,５ 線径０.５mmのＣｕ線に電解脱脂と酸洗の前処理を行っ
たのち、まずＳｎ層２₀をめっき形成し、更にその上に
Ｓｎ−Ｂｉ合金層２₁をめっき形成して図３で示した線
材を製造した。このとき、各めっき条件を変えることに
より、厚みとＢｉ濃度が表２で示した値になっている線
材にした。

【００３６】ついで、この線材に、温度７５０℃、ライ
ン速度５０ｍ／分でリフロー処理を行って図１で示した
リード線にした。これらリード線につき、実施例１〜３
と同様にして、Ｓｎ−Ｂｉ合金層２の厚み、Ｂｉの濃度
勾配、耐食性、滑り性、はんだ濡れ性、そしてＳｎ−Ｂ
ｉ合金層２におけるＢｉの平均濃度を測定した。結果を
表２に示した。

【００３７】

【表２】

【００３８】表２から次のことが明らかである。 （１）実施例４〜７は、比較例４，５に比べると、Ｂｉ
の濃度勾配が形成されており、またＳｎ−Ｂｉ合金層の
厚みのばらつきも小さい。その結果、はんだ濡れ性、滑
り性が優れたものになっている。

【００３９】（２）比較例１は、そのＳｎ−Ｂｉ合金層
におけるＢｉ濃度が高いので、実施例と同じ条件のリフ
ロー処理を行っても、溶融が激しく進みＳｎ−Ｂｉ合金
層の厚みのばらつきが大きく、はんだ濡れ性が劣ってい
る。ここで、実施例のリード線と比較例のリード線につ
き、Ｓｎ−Ｂｉ合金層２の厚み方向における各成分濃度
を測定した結果をそれぞれ図４と図５に示す。

【００４０】図４は実施例の結果であり、図５は比較例
の結果である。図４と図５から明らかなように、実施例
のリード線におけるＳｎ−Ｂｉ合金層では表面から２μ
ｍ程度の厚み領域にＢｉの濃度勾配が形成されている。
しかしながら、比較例のリード線には上記したようなＢ
ｉの濃度勾配は形成されていない。このようなことか
ら、本発明で規定したようなＢｉの濃度勾配をＳｎ−Ｂ
ｉ合金層に形成することの有用性は明らかである。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
リード線の場合、導電性基体上に形成されているＳｎ−
Ｂｉ合金層はリフロー処理によって形成されたものであ
るため、その表面が平滑であり、また厚み方向にＢｉの
濃度勾配が形成されている。したがって、電解コンデン
サの製造過程で付着する電解質溶液を完全に洗浄・除去
することができるので耐食性が優れており、また表面に
おける高濃度のＢｉの作用ではんだ濡れ性が優れ、更に
はＢｉの濃度勾配の作用で良好な曲げ加工性も確保され
ている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のリード線の断面構造を示す断面図であ
る。

【図２】リフロー処理後のＳｎ−Ｂｉ合金層におけるＢ
ｉの濃度勾配を説明するための断面図である。

【図３】リフロー処理前のリード線の断面構造を示す断
面図である。

【図４】実施例に基づくリード線のＳｎ−Ｂｉ合金層に
おける表面からの深さと組成との関係を示すグラフであ
る。

【図５】比較例に基づくリード線のＳｎ−Ｂｉ合金層に
おける表面からの深さと組成との関係を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１ 導電性基体 ２ リフロー処理後のＳｎ−Ｂｉ合金層 ２₀ Ｓｎ層 ２₁ Ｓｎ−Ｂｉ合金層 ２ａ Ｓｎ−Ｂｉ合金層２の表面 ２ｂ Ｓｎ−Ｂｉ合金層２と導電性基体１との界面 ２Ａ 表面２ａから半分の深さの位置に至るまでの厚
み領域 ２Ｂ 厚み領域２Ａから導電性基体１の界面２ｂに至
る厚み領域 ２Ｃ 表面２ａから深さ０.５μｍまでの表層部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 智 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 松田 晃 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 瀬川 勲 大阪府寝屋川市楠根北町２番５号 協和電 線株式会社内 (72)発明者 杉江 欣也 大阪府寝屋川市楠根北町２番５号 協和電 線株式会社内 Ｆターム(参考） 4K044 AA06 AB04 BA01 BA10 BB03 BC02 BC05 BC08 CA04 CA11 CA18 CA53 CA62

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基体上にリフロー処理されたＳｎ
   −Ｂｉ合金層が形成されている電解コンデンサ用リード
   線において、 前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の表面からその半分の深さの位置
   に至る厚み領域には、Ｂｉ濃度が漸次減少するＢｉの濃
   度勾配が形成されており、前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の表面
   から深さ０.５μｍまでの表層部におけるＢｉ濃度が２
   重量％以上であり、かつ、前記厚み領域から前記導電性
   基体に至る厚み領域におけるＢｉ濃度は０.０１重量％
   以下であることを特徴とする電解コンデンサ用リード
   線。
2. 【請求項２】 前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層の最も厚い部分の
   厚みをａ（μｍ）、最も薄い部分の厚みをｂ（μｍ）と
   したとき、ａ，ｂの間には、次式：０.８≦ｂ／ａ≦１.
   ０の関係が成立している請求項１の電解コンデンサ用リ
   ード線。
3. 【請求項３】 前記Ｓｎ−Ｂｉ合金層におけるＢｉの平
   均濃度が０.１〜１.０重量％である請求項１または２の
   電解コンデンサ用リード線。
4. 【請求項４】 導電性基体上にＳｎ層とＳｎ−Ｂｉ合金
   層を順次形成し、ついでリフロー処理を行うことを特徴
   とする請求項１〜３のいずれかの電解コンデンサ用リー
   ド線の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかの電解コンデン
   サ用リード線を用いて組み立てられた電子部品。