JP3283023B2 - リードフレーム材のアウターリード部、それを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム材のアウターリード部、それを用いた半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム材の
アウターリード部、それを用いた半導体装置に関し、更
に詳しくは、導電性基体の表面をＰｂを含まないＳｎ系
めっき層で被覆したリードフレーム材のアウターリード
部であって、Ｐｂを含まないので環境を害することがな
く、半田付け性（半田濡れ性）が優れ、半田との接合強
度が高く、またリフロー処理時にも偏肉を生ずることの
ないリードフレーム材のアウターリード部に関する。
アウターリード部、それを用いた半導体装置に関し、更
に詳しくは、導電性基体の表面をＰｂを含まないＳｎ系
めっき層で被覆したリードフレーム材のアウターリード
部であって、Ｐｂを含まないので環境を害することがな
く、半田付け性（半田濡れ性）が優れ、半田との接合強
度が高く、またリフロー処理時にも偏肉を生ずることの
ないリードフレーム材のアウターリード部に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｕ単体またはＣｕ合金のような導電性
基体の表面を、Ｓｎ単体または半田に代表されるＳｎ合
金のめっき層で被覆したリード材は、前記Ｃｕ単体また
はＣｕ合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有
し、かつ、Ｓｎ単体またはＳｎ合金が備えている耐食性
と良好な半田付け性をも併有する高性能導体であって、
各種の端子，コネクタ，リードのような電気・電子機器
分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。
基体の表面を、Ｓｎ単体または半田に代表されるＳｎ合
金のめっき層で被覆したリード材は、前記Ｃｕ単体また
はＣｕ合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有
し、かつ、Ｓｎ単体またはＳｎ合金が備えている耐食性
と良好な半田付け性をも併有する高性能導体であって、
各種の端子，コネクタ，リードのような電気・電子機器
分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。
【０００３】また、半導体チップを回路基板に搭載する
場合には、半導体チップのアウターリード部に半田の溶
融めっきや電気めっきを行うことにより、当該アウター
リード部の半田付け性を向上せしめることが行われてい
る。ところで、上記したアウターリード部において、導
電性基体を被覆するめっき層がＳｎ単体から成る場合に
は次のような問題がある。
場合には、半導体チップのアウターリード部に半田の溶
融めっきや電気めっきを行うことにより、当該アウター
リード部の半田付け性を向上せしめることが行われてい
る。ところで、上記したアウターリード部において、導
電性基体を被覆するめっき層がＳｎ単体から成る場合に
は次のような問題がある。
【０００４】まず、形成されたＳｎめっき層にはＳｎの
ウイスカー（針状単結晶）が発生し、これが短絡事故の
原因になることがあるということである。このような問
題は、Ｓｎめっき層にリフロー処理を行うことにより解
消することができる。しかしながら、Ｓｎ単体の融点
は、２３２℃と比較的高温であり、またＳｎめっき層が
例えば、半田組み立て工程で加わる熱などで酸化されや
すいため、Ｓｎめっき層はその半田付け性が劣化すると
いう問題がある。
ウイスカー（針状単結晶）が発生し、これが短絡事故の
原因になることがあるということである。このような問
題は、Ｓｎめっき層にリフロー処理を行うことにより解
消することができる。しかしながら、Ｓｎ単体の融点
は、２３２℃と比較的高温であり、またＳｎめっき層が
例えば、半田組み立て工程で加わる熱などで酸化されや
すいため、Ｓｎめっき層はその半田付け性が劣化すると
いう問題がある。
【０００５】また、コンデンサー用リード線の場合は、
溶接対象の例えばアルミ線との溶接部の肉盛りを行うた
め、めっき層の厚みを厚肉化しているが、そのようなリ
ード線に前記リフロー処理を行うと、処理後のＳｎめっ
き層の偏肉が大きくなるという問題がある。一方、めっ
き層をＳｎ合金で形成すれば、Ｓｎめっき層の場合のよ
うなウイスカーは発生しない。このようなＳｎ合金の代
表例は半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用
いられている。
溶接対象の例えばアルミ線との溶接部の肉盛りを行うた
め、めっき層の厚みを厚肉化しているが、そのようなリ
ード線に前記リフロー処理を行うと、処理後のＳｎめっ
き層の偏肉が大きくなるという問題がある。一方、めっ
き層をＳｎ合金で形成すれば、Ｓｎめっき層の場合のよ
うなウイスカーは発生しない。このようなＳｎ合金の代
表例は半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用
いられている。
【０００６】しかしながら、半田に含まれているＰｂは
人体に悪影響を与える虞があるとのことから、最近で
は、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が
敬遠されている。そして、Ｐｂを含有しないＳｎ合金、
具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｉｎ
系，Ｓｎ−Ｚｎ系のものに代替されつつある。しかしな
がら、これらのＳｎ合金でめっき層を形成したアウター
リード部には次のような問題がある。
人体に悪影響を与える虞があるとのことから、最近で
は、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が
敬遠されている。そして、Ｐｂを含有しないＳｎ合金、
具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｉｎ
系，Ｓｎ−Ｚｎ系のものに代替されつつある。しかしな
がら、これらのＳｎ合金でめっき層を形成したアウター
リード部には次のような問題がある。
【０００７】まず、これら合金の融点は比較的低温であ
り、そのため、半田組み立て工程の熱で、導電性基体の
構成材料であるＣｕなどがこのＳｎ合金めっき層の表面
に熱拡散してきて、当該Ｓｎ合金めっき層の半田付け性
が劣化するという問題である。更には、例えばアルミ線
と溶接する際に、溶接部の温度は瞬間的には２０００℃
近辺の温度になるため、当該溶接部の近傍では、Ｓｎ合
金めっき層内のＺｎ，Ｂｉ，Ｉｎなどの元素が瞬時にし
て気化し、その結果、溶接部にはブローホールが発生
し、その溶接強度が低下するという問題も発生する。し
かも、溶接部では、導電性基体からＣｕなどが熱拡散し
てリード材の表面にＣｕ−Ｓｎ系化合物層などが形成さ
れることにより、表面の変色と半田付け性の劣化も起こ
り得る。
り、そのため、半田組み立て工程の熱で、導電性基体の
構成材料であるＣｕなどがこのＳｎ合金めっき層の表面
に熱拡散してきて、当該Ｓｎ合金めっき層の半田付け性
が劣化するという問題である。更には、例えばアルミ線
と溶接する際に、溶接部の温度は瞬間的には２０００℃
近辺の温度になるため、当該溶接部の近傍では、Ｓｎ合
金めっき層内のＺｎ，Ｂｉ，Ｉｎなどの元素が瞬時にし
て気化し、その結果、溶接部にはブローホールが発生
し、その溶接強度が低下するという問題も発生する。し
かも、溶接部では、導電性基体からＣｕなどが熱拡散し
てリード材の表面にＣｕ−Ｓｎ系化合物層などが形成さ
れることにより、表面の変色と半田付け性の劣化も起こ
り得る。
【０００８】なお、Ｐｂを含まないＳｎ合金として例示
した前記した合金のうち、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｉｎ系
のものは上記の問題に加えて高価であるという問題があ
る。またＳｎ−Ｂｉ系のものは、耐熱性が劣り導電性基
体の熱拡散が起こりやすく、曲げ加工性に劣るのでめっ
き層にクラックが発生しやすく、更には半田付け後に形
成された接合部ではその接合強度が経時的に劣化すると
いう問題がある。そして、Ｓｎ−Ｚｎ系のものは、耐熱
性に劣っている。
した前記した合金のうち、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｉｎ系
のものは上記の問題に加えて高価であるという問題があ
る。またＳｎ−Ｂｉ系のものは、耐熱性が劣り導電性基
体の熱拡散が起こりやすく、曲げ加工性に劣るのでめっ
き層にクラックが発生しやすく、更には半田付け後に形
成された接合部ではその接合強度が経時的に劣化すると
いう問題がある。そして、Ｓｎ−Ｚｎ系のものは、耐熱
性に劣っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半田めっき
層を用いない従来のリードフレーム材のアウターリード
部における上記した問題を解決し、Ｐｂの悪影響が排除
されていることは勿論のこと、半田付け性に優れ、アル
ミ線などとの溶接部の溶接強度が高く、まためっき層の
全体を厚肉化してリフロー処理を行っても偏肉の発生を
抑制することができるリードフレーム材のアウターリー
ド部と、それを用いた半導体装置の提供を目的とする。
層を用いない従来のリードフレーム材のアウターリード
部における上記した問題を解決し、Ｐｂの悪影響が排除
されていることは勿論のこと、半田付け性に優れ、アル
ミ線などとの溶接部の溶接強度が高く、まためっき層の
全体を厚肉化してリフロー処理を行っても偏肉の発生を
抑制することができるリードフレーム材のアウターリー
ド部と、それを用いた半導体装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、導電性基体の表面に、Ｓｎ
単体から成る厚みｔ1の第１めっき層と、Ａｇ，Ｂｉ，
Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含
有し、前記Ｓｎ単体よりも低融点のＳｎ合金から成る厚
みｔ2の第２めっき層とがこの順序で積層されていて、
かつ、ｔ1，ｔ2は、６μｍ≦ｔ1≦１０μｍ，１μｍ≦
ｔ2≦３μｍ，０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の関係を満足す
る値であることを特徴とするリードフレーム材のアウタ
ーリード部が提供される。
ために、本発明においては、導電性基体の表面に、Ｓｎ
単体から成る厚みｔ1の第１めっき層と、Ａｇ，Ｂｉ，
Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含
有し、前記Ｓｎ単体よりも低融点のＳｎ合金から成る厚
みｔ2の第２めっき層とがこの順序で積層されていて、
かつ、ｔ1，ｔ2は、６μｍ≦ｔ1≦１０μｍ，１μｍ≦
ｔ2≦３μｍ，０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の関係を満足す
る値であることを特徴とするリードフレーム材のアウタ
ーリード部が提供される。
【００１１】また、本発明においては、上記リードフレ
ーム材のアウターリード部を用いた半導体装置が提供さ
れる。
ーム材のアウターリード部を用いた半導体装置が提供さ
れる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明のアウターリード部
Ａの基本構成を示す断面図である。図において、導電性
基体１の表面には、後述する第１めっき層２と第２めっ
き層３がこの順序で積層されためっき層の２層構造が形
成されている。そして、このアウターリード部Ａにおい
ては、最上層の第２めっき層３はその溶融温度（これを
Ｔ2とする）がその下に位置する第１めっき層２の溶融
温度（これをＴ1とする）よりも低くなっていることを
最大の特徴とする。
Ａの基本構成を示す断面図である。図において、導電性
基体１の表面には、後述する第１めっき層２と第２めっ
き層３がこの順序で積層されためっき層の２層構造が形
成されている。そして、このアウターリード部Ａにおい
ては、最上層の第２めっき層３はその溶融温度（これを
Ｔ2とする）がその下に位置する第１めっき層２の溶融
温度（これをＴ1とする）よりも低くなっていることを
最大の特徴とする。
【００１３】まず、このアウターリード部Ａにおける導
電性基体１としては、少なくともその表面が導電性を有
する材料であれば何であってもよく、例えば、Ｃｕ系，
Ｆｅ系，Ｎｉ系、Ａｌ系などをあげることができ、アウ
ターリード部の目的用途に応じて適宜に選定される。そ
れらのうち、少なくとも表面の構成材料はＣｕ単体やＣ
ｕ合金などであるものが好適である。とくにアウターリ
ード部に大きな機械的強度が要求される場合には、例え
ば鋼材を芯部とし、その表面をＣｕまたはＣｕ合金の層
で被覆したものであることが好ましく、またアウターリ
ード部に優れた導電性が要求される場合にはＣｕ単体で
基体を構成することが好ましい。また、導電性基体の形
状は限定されるものではなく、条，板状など、いずれで
あってもよい。
電性基体１としては、少なくともその表面が導電性を有
する材料であれば何であってもよく、例えば、Ｃｕ系，
Ｆｅ系，Ｎｉ系、Ａｌ系などをあげることができ、アウ
ターリード部の目的用途に応じて適宜に選定される。そ
れらのうち、少なくとも表面の構成材料はＣｕ単体やＣ
ｕ合金などであるものが好適である。とくにアウターリ
ード部に大きな機械的強度が要求される場合には、例え
ば鋼材を芯部とし、その表面をＣｕまたはＣｕ合金の層
で被覆したものであることが好ましく、またアウターリ
ード部に優れた導電性が要求される場合にはＣｕ単体で
基体を構成することが好ましい。また、導電性基体の形
状は限定されるものではなく、条，板状など、いずれで
あってもよい。
【００１４】このアウターリード部Ａは次のような効果
を発揮する。まず、最上層への半田付けを行うときに、
仮に半田付け温度ＴがＴ2≦Ｔ＜Ｔ1の関係を満足してい
る場合、最上層の第２めっき層３は溶融してもその下に
位置する第１めっき層２の溶融は起こっていないので、
この第１めっき層２が半田付け時の熱で導電性基体１か
ら熱拡散してくるＣｕなどに対しバリアとして機能する
ことになる。したがって、アウターリード部Ａにおける
半田付け性の劣化は抑制され、半田との間で良好な接合
強度を実現することができる。
を発揮する。まず、最上層への半田付けを行うときに、
仮に半田付け温度ＴがＴ2≦Ｔ＜Ｔ1の関係を満足してい
る場合、最上層の第２めっき層３は溶融してもその下に
位置する第１めっき層２の溶融は起こっていないので、
この第１めっき層２が半田付け時の熱で導電性基体１か
ら熱拡散してくるＣｕなどに対しバリアとして機能する
ことになる。したがって、アウターリード部Ａにおける
半田付け性の劣化は抑制され、半田との間で良好な接合
強度を実現することができる。
【００１５】また、第１めっき層２の厚みをｔ1、第２
めっき層３の厚みをｔ2とした場合、厚み：ｔ1＋ｔ2は
厚くても、厚みｔ2を薄くした状態でめっき層を全体と
して厚肉化し、それにリフロー処理を行ったとすると、
リフロー処理時には、薄い第２めっき層３だけは溶融し
ても厚い第１めっき層２の溶融を抑制することができ
る。その結果、リフロー処理終了後における偏肉の発生
を抑制することができるようになる。
めっき層３の厚みをｔ2とした場合、厚み：ｔ1＋ｔ2は
厚くても、厚みｔ2を薄くした状態でめっき層を全体と
して厚肉化し、それにリフロー処理を行ったとすると、
リフロー処理時には、薄い第２めっき層３だけは溶融し
ても厚い第１めっき層２の溶融を抑制することができ
る。その結果、リフロー処理終了後における偏肉の発生
を抑制することができるようになる。
【００１６】本発明のアウターリード部の場合、具体的
には、次のような態様のものが提案される。第１めっき
層２がＳｎ単体（融点：２３１.９℃）から成り、かつ
第２めっき層３がＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群か
ら選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金（I）か
ら成るものである。
には、次のような態様のものが提案される。第１めっき
層２がＳｎ単体（融点：２３１.９℃）から成り、かつ
第２めっき層３がＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群か
ら選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金（I）か
ら成るものである。
【００１７】すなわち、上記アウターリード部において
は、２層構造のめっき層のうち、１つはＳｎ単体で構成
し、他のめっき層はＳｎ合金（I）で構成するものであ
り、最上層の第２めっき層３がＳｎ単体より低融点のＳ
ｎ合金（I）で構成されたものである。アウターリード
部について詳細に説明する。
は、２層構造のめっき層のうち、１つはＳｎ単体で構成
し、他のめっき層はＳｎ合金（I）で構成するものであ
り、最上層の第２めっき層３がＳｎ単体より低融点のＳ
ｎ合金（I）で構成されたものである。アウターリード
部について詳細に説明する。
【００１８】アウターリード部で用いるＳｎ合金（I）
としては、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｃｕ
系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系の２元系合金の外に、
例えば、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ系、Ｓ
ｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系などの多元系合金をあげること
ができるが、いずれの場合でも、それら合金の溶融温度
はＳｎ単体の溶融温度よりも低くなるように合金組成が
調整されなければならない。
としては、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｃｕ
系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系の２元系合金の外に、
例えば、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ系、Ｓ
ｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系などの多元系合金をあげること
ができるが、いずれの場合でも、それら合金の溶融温度
はＳｎ単体の溶融温度よりも低くなるように合金組成が
調整されなければならない。
【００１９】例えば上記した２元系合金において、Ｓｎ
−Ａｇ系の場合はＡｇ含有量の上限値を５重量％，Ｓｎ
−Ｂｉ系の場合はＢｉ含有量の上限値を８７重量％，Ｓ
ｎ−Ｃｕ系の場合はＣｕの含有量の上限値を２重量％，
Ｓｎ−Ｚｎ系の場合はＺｎ含有量の上限値を１２重量％
にそれぞれ規制することが必要である。上記上限値を超
えると、いずれの場合も、溶融温度はＳｎ単体より高く
なってしまい、本発明のアウターリード部における第２
めっき層３の材料としては不適切になる。
−Ａｇ系の場合はＡｇ含有量の上限値を５重量％，Ｓｎ
−Ｂｉ系の場合はＢｉ含有量の上限値を８７重量％，Ｓ
ｎ−Ｃｕ系の場合はＣｕの含有量の上限値を２重量％，
Ｓｎ−Ｚｎ系の場合はＺｎ含有量の上限値を１２重量％
にそれぞれ規制することが必要である。上記上限値を超
えると、いずれの場合も、溶融温度はＳｎ単体より高く
なってしまい、本発明のアウターリード部における第２
めっき層３の材料としては不適切になる。
【００２０】なお、Ｓｎ−Ｉｎ系の場合は、Ｉｎが含有
されているだけでその溶融温度はＳｎ単体よりも低くな
るのでＩｎ含有量の上限値に制限はない。しかしなが
ら、あまり多量に含有されていると、例えばアルミ線と
このアウターリード部とを溶接するときに、この第２め
っき層３は直接高熱に曝されるので、そのときのＩｎの
気化により溶接部にブローホールが発生して溶接強度の
低下を招く。したがって、Ｓｎ−Ｉｎ系の場合には、Ｉ
ｎ含有量は５０重量％以下に規制することが好ましい。
されているだけでその溶融温度はＳｎ単体よりも低くな
るのでＩｎ含有量の上限値に制限はない。しかしなが
ら、あまり多量に含有されていると、例えばアルミ線と
このアウターリード部とを溶接するときに、この第２め
っき層３は直接高熱に曝されるので、そのときのＩｎの
気化により溶接部にブローホールが発生して溶接強度の
低下を招く。したがって、Ｓｎ−Ｉｎ系の場合には、Ｉ
ｎ含有量は５０重量％以下に規制することが好ましい。
【００２１】また、Ｓｎ−Ｂｉ系の場合、融点との関係
ではＢｉ含有量は８７重量％まで許容されるが、半田と
接合したときに当該半田接合部にＢｉが２０重量％以上
存在していると、その半田接合部の接合強度が経時的に
劣化してしまう。そして、あまり多量にＢｉが含有され
ている系の場合、Ｉｎの場合と同じように溶接部にブロ
ーホールが発生して溶接強度の低下が引き起こされる。
このようなことから、Ｓｎ合金（I）としてＳｎ−Ｂｉ
系合金を用いる場合には、半田付け後の接合部における
Ｂｉ含有量が２０重量％よりも少なくなるような合金組
織に調整することが好ましい。
ではＢｉ含有量は８７重量％まで許容されるが、半田と
接合したときに当該半田接合部にＢｉが２０重量％以上
存在していると、その半田接合部の接合強度が経時的に
劣化してしまう。そして、あまり多量にＢｉが含有され
ている系の場合、Ｉｎの場合と同じように溶接部にブロ
ーホールが発生して溶接強度の低下が引き起こされる。
このようなことから、Ｓｎ合金（I）としてＳｎ−Ｂｉ
系合金を用いる場合には、半田付け後の接合部における
Ｂｉ含有量が２０重量％よりも少なくなるような合金組
織に調整することが好ましい。
【００２２】上記したＳｎ合金（I）のうち、Ｓｎ−Ａ
ｇ系とＳｎ−Ｉｎ系は比較的高価であり、またＳｎ−Ｚ
ｎ系やＳｎ−Ｉｎ系は半田付け時に酸化変色を起こして
劣化することがあり、Ｓｎ−Ｃｕ系の場合も半田付け時
に酸化変色を起こして劣化する問題があり、Ｓｎ−Ｂｉ
系が工業的には最も有利である。このＳｎ−Ｂｉ系は、
上記Ｓｎ合金（I）のうちで、それほど高価でもなく、
しかも耐酸化性に優れているからである。
ｇ系とＳｎ−Ｉｎ系は比較的高価であり、またＳｎ−Ｚ
ｎ系やＳｎ−Ｉｎ系は半田付け時に酸化変色を起こして
劣化することがあり、Ｓｎ−Ｃｕ系の場合も半田付け時
に酸化変色を起こして劣化する問題があり、Ｓｎ−Ｂｉ
系が工業的には最も有利である。このＳｎ−Ｂｉ系は、
上記Ｓｎ合金（I）のうちで、それほど高価でもなく、
しかも耐酸化性に優れているからである。
【００２３】このようなアウターリード部において、第
１めっき層２の厚みｔ1は、６〜１０μｍ，第２めっき
層の厚みｔ2は１〜３μｍに設定し、かつ、ｔ1とｔ2の
間では０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の関係が成立するように
設定される。第１めっき層２の厚みｔ1が６μｍより薄
くなると、半田付け時に導電性基体１から熱拡散してく
るＣｕなどに対しバリヤとしての機能が有効に発揮され
ず、また厚みｔ1を１０μｍより厚くしても無駄である
ばかりではなく、形成しためっき層に蓄積されるめっき
歪みが大きくなって基体との剥離やクラックなどが発生
しやすくなるからである。
１めっき層２の厚みｔ1は、６〜１０μｍ，第２めっき
層の厚みｔ2は１〜３μｍに設定し、かつ、ｔ1とｔ2の
間では０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の関係が成立するように
設定される。第１めっき層２の厚みｔ1が６μｍより薄
くなると、半田付け時に導電性基体１から熱拡散してく
るＣｕなどに対しバリヤとしての機能が有効に発揮され
ず、また厚みｔ1を１０μｍより厚くしても無駄である
ばかりではなく、形成しためっき層に蓄積されるめっき
歪みが大きくなって基体との剥離やクラックなどが発生
しやすくなるからである。
【００２４】第２めっき層の厚みｔ2が１μｍより薄く
なると、例えばアルミ線との溶接時に溶接部の肉盛りを
行うことができず、また厚みｔ2を３μｍより厚くする
と、例えばリフロー処理時に偏肉が起こりやすくなるか
らである。また、厚みｔ1の第１めっき層２と厚みｔ2の
第２めっき層３との間では、０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の
関係、すなわち、第２めっき層３の方を第１めっき層よ
りも薄くする。
なると、例えばアルミ線との溶接時に溶接部の肉盛りを
行うことができず、また厚みｔ2を３μｍより厚くする
と、例えばリフロー処理時に偏肉が起こりやすくなるか
らである。また、厚みｔ1の第１めっき層２と厚みｔ2の
第２めっき層３との間では、０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の
関係、すなわち、第２めっき層３の方を第１めっき層よ
りも薄くする。
【００２５】その理由の１つは、例えば第２めっき層３
をＳｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ｉｎ系で形成する際に、これら
高価な合金系のめっき層を薄くすることにより、アウタ
ーリード部としての機能低下を招くことなく、コスト低
減が可能となるからである。また、第２めっき層３がＳ
ｎ−Ｂｉ系である場合、第１めっき層２の厚みを厚くし
て基体からのＣｕなどの熱拡散を抑制して当該Ｓｎ−Ｂ
ｉ系めっき層の半田付け性を確保したうえで、このＳｎ
−Ｂｉ系めっき層を薄くすることにより、曲げ加工性を
良好にすることができる。
をＳｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ｉｎ系で形成する際に、これら
高価な合金系のめっき層を薄くすることにより、アウタ
ーリード部としての機能低下を招くことなく、コスト低
減が可能となるからである。また、第２めっき層３がＳ
ｎ−Ｂｉ系である場合、第１めっき層２の厚みを厚くし
て基体からのＣｕなどの熱拡散を抑制して当該Ｓｎ−Ｂ
ｉ系めっき層の半田付け性を確保したうえで、このＳｎ
−Ｂｉ系めっき層を薄くすることにより、曲げ加工性を
良好にすることができる。
【００２６】更には、例えば半田付け時やリフロー処理
時、またアルミ線などとの溶接時に２層構造のめっき層
が溶融した場合には、溶融後の再凝固時に形成された新
たなめっき層ではＳｎ合金に含有されていたＢｉ，Ａｇ
などの成分がＳｎで希釈された状態になる。例えば第２
めっき層がＳｎ−Ｂｉ系で形成されている場合には、新
たなめっき層におけるＢｉ含有量が低下することにな
る。このように、この第２めっき層の厚み（ｔ2）を薄
くすることにより、新たなめっき層におけるＢｉ含有量
を低下させて、半田付け後の接合部における接合強度の
経時的な低下を抑制することができる。
時、またアルミ線などとの溶接時に２層構造のめっき層
が溶融した場合には、溶融後の再凝固時に形成された新
たなめっき層ではＳｎ合金に含有されていたＢｉ，Ａｇ
などの成分がＳｎで希釈された状態になる。例えば第２
めっき層がＳｎ−Ｂｉ系で形成されている場合には、新
たなめっき層におけるＢｉ含有量が低下することにな
る。このように、この第２めっき層の厚み（ｔ2）を薄
くすることにより、新たなめっき層におけるＢｉ含有量
を低下させて、半田付け後の接合部における接合強度の
経時的な低下を抑制することができる。
【００２７】とくに、第２めっき層３の厚みは２層構造
のめっき層全体の厚みの４０％以下の厚みになっている
ことが好ましい。すなわち、ｔ2／ｔ1≦0.６７になって
いることが好ましい。コストの面でも、半田付け性、耐
熱性の点でも、また半田の接合強度やアルミ線などとの
溶接部の溶接強度の点でも良好な特性が得られるからで
ある。
のめっき層全体の厚みの４０％以下の厚みになっている
ことが好ましい。すなわち、ｔ2／ｔ1≦0.６７になって
いることが好ましい。コストの面でも、半田付け性、耐
熱性の点でも、また半田の接合強度やアルミ線などとの
溶接部の溶接強度の点でも良好な特性が得られるからで
ある。
【００２８】本発明のアウターリード部は、導電性基体
１の表面に例えば電気めっきや溶融めっきを行って製造
することができる。そのとき、Ｓｎや前記Ｓｎ合金
（I）のめっきに先立ち、導電性基体１の表面に予めＮ
ｉやＣｏを下地めっきしておくと、これらの下地めっき
層が導電性基体のＣｕなどの熱拡散を抑制するためのバ
リアとして有効に機能し、この上に形成された２層構造
のめっき層の耐熱性が向上し、得られたアウターリード
部は優れた半田付け性を具備するようになるので好適で
ある。とくに、第２めっき層３が低融点のＳｎ−Ｂｉ系
で形成される場合には有効である。
１の表面に例えば電気めっきや溶融めっきを行って製造
することができる。そのとき、Ｓｎや前記Ｓｎ合金
（I）のめっきに先立ち、導電性基体１の表面に予めＮ
ｉやＣｏを下地めっきしておくと、これらの下地めっき
層が導電性基体のＣｕなどの熱拡散を抑制するためのバ
リアとして有効に機能し、この上に形成された２層構造
のめっき層の耐熱性が向上し、得られたアウターリード
部は優れた半田付け性を具備するようになるので好適で
ある。とくに、第２めっき層３が低融点のＳｎ−Ｂｉ系
で形成される場合には有効である。
【００２９】本発明のアウターリード部の場合、基体表
面にめっき層を形成したのち、一旦、リフロー処理を行
って、少なくとも第２めっき３を溶融し、再凝固させる
ことが好ましい。なお、このとき、温度制御を行うこと
により第２めっき層３の下に位置する第１めっき層２の
少なくとも一部は溶融しないようにすると、厚みをより
均一にすることができるので好適である。
面にめっき層を形成したのち、一旦、リフロー処理を行
って、少なくとも第２めっき３を溶融し、再凝固させる
ことが好ましい。なお、このとき、温度制御を行うこと
により第２めっき層３の下に位置する第１めっき層２の
少なくとも一部は溶融しないようにすると、厚みをより
均一にすることができるので好適である。
【００３０】
【実施例】実施例１〜１２，比較例１〜３ 直径0.５mmの銅被服鋼線を、電解脱脂槽，酸洗槽，Ｓｎ
めっき槽，Ｓｎ合金めっき槽に順次走行せしめて表１で
示した第１めっき層，第２めっき層を形成し、本発明の
第１のリード材であるリード線を製造した。
めっき槽，Ｓｎ合金めっき槽に順次走行せしめて表１で
示した第１めっき層，第２めっき層を形成し、本発明の
第１のリード材であるリード線を製造した。
【００３１】各リード線を、１５５℃のエアバス内に２
４時間保持したのち、下記の仕様で半田付け性（半田濡
れ性）およびアルミ線との溶接強度を評価した。 半田付け性：リード線を温度２３０℃の溶融共晶半田の
中に２秒間浸漬したのち引き上げて半田の濡れ面積を測
定し、リード線の浸漬面積に対する測定面積の百分率で
表示。この値が大きいほど半田付け性は優れていること
を表す。
４時間保持したのち、下記の仕様で半田付け性（半田濡
れ性）およびアルミ線との溶接強度を評価した。 半田付け性：リード線を温度２３０℃の溶融共晶半田の
中に２秒間浸漬したのち引き上げて半田の濡れ面積を測
定し、リード線の浸漬面積に対する測定面積の百分率で
表示。この値が大きいほど半田付け性は優れていること
を表す。
【００３２】アルミ線との溶接強度：ＪＩＳ Ｃ ００５
１に準拠して測定。すなわち、リード線とアルミ線を溶
接したのち下側に配したリード線に１kgの荷重をぶら下
げ、アルミ線をチャックでつかみ、溶接部の両側にロー
ラを接触させ、この状態で、チャックを左右交互に振っ
てアルミ線の首振り運動を行うことにより溶接部に９０
°の曲げを反復して付与した。チャックを左に振り元に
戻して１回、ついで右に振り元に戻して２回という態様
で回数を数え、溶接部が破断するまでの回数を計測。 以上の結果を表１に示した。
１に準拠して測定。すなわち、リード線とアルミ線を溶
接したのち下側に配したリード線に１kgの荷重をぶら下
げ、アルミ線をチャックでつかみ、溶接部の両側にロー
ラを接触させ、この状態で、チャックを左右交互に振っ
てアルミ線の首振り運動を行うことにより溶接部に９０
°の曲げを反復して付与した。チャックを左に振り元に
戻して１回、ついで右に振り元に戻して２回という態様
で回数を数え、溶接部が破断するまでの回数を計測。 以上の結果を表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から次のことが明らかである。 （１）本発明のリード材は半田付け性と溶接強度のいず
れもが良好である。とくに、実施例４，実施例５，実施
例６，実施例７を対比して明らかなように、それぞれの
第２めっき層の厚みは異なっているとはいえ、用いたＳ
ｎ合金（Ｉ）におけるＳｎ以外の成分の含有量はいずれ
も１０重量％と同じであるにもかかわらず、第２めっき
層がＳｎ−Ｂｉ系で構成されている実施例４のリード材
は半田付け性が他の実施例よりも良好な値を示してい
る。このようなことから、第１のリード材における第２
めっき層はＳｎ−Ｂｉ系で構成することの有用性が明ら
かである。
れもが良好である。とくに、実施例４，実施例５，実施
例６，実施例７を対比して明らかなように、それぞれの
第２めっき層の厚みは異なっているとはいえ、用いたＳ
ｎ合金（Ｉ）におけるＳｎ以外の成分の含有量はいずれ
も１０重量％と同じであるにもかかわらず、第２めっき
層がＳｎ−Ｂｉ系で構成されている実施例４のリード材
は半田付け性が他の実施例よりも良好な値を示してい
る。このようなことから、第１のリード材における第２
めっき層はＳｎ−Ｂｉ系で構成することの有用性が明ら
かである。
【００３５】しかし、第２めっき層がＳｎ−Ｂｉ系の場
合であっても、実施例１１，１２で明らかなように、Ｂ
ｉ含有量が少なすぎると溶接強度は向上するものの半田
付け性は悪くなり、逆にＢｉ含有量が多すぎると、半田
付け性と溶接強度の両方が劣化する。このようなことか
ら、第２めっき層をＳｎ−Ｂｉ系で構成する場合には、
このめっき層におけるＢｉ含有量は５〜３０重量％にす
ることが好適であることがわかる。
合であっても、実施例１１，１２で明らかなように、Ｂ
ｉ含有量が少なすぎると溶接強度は向上するものの半田
付け性は悪くなり、逆にＢｉ含有量が多すぎると、半田
付け性と溶接強度の両方が劣化する。このようなことか
ら、第２めっき層をＳｎ−Ｂｉ系で構成する場合には、
このめっき層におけるＢｉ含有量は５〜３０重量％にす
ることが好適であることがわかる。
【００３６】（２）実施例１と比較例１を対比すると、
両者とも基体上のめっき層の厚みはいずれも１０μｍと
同じであるが、比較例１では実施例１に比べて溶接強度
は若干向上しているものの半田付け性は大幅に劣化して
いる。比較例１で溶接強度が実施例１に比べて若干向上
しているのは、比較例１のめっき層がＳｎ単体から成
り、溶接時のブローホールの原因になる他の成分を含有
していないからである。しかし、そのめっき層は１層の
みであるため、半田付け時に基体から拡散してくるＣｕ
に対するバリヤ機能がないため、半田付け性が大幅に劣
化しているのである。
両者とも基体上のめっき層の厚みはいずれも１０μｍと
同じであるが、比較例１では実施例１に比べて溶接強度
は若干向上しているものの半田付け性は大幅に劣化して
いる。比較例１で溶接強度が実施例１に比べて若干向上
しているのは、比較例１のめっき層がＳｎ単体から成
り、溶接時のブローホールの原因になる他の成分を含有
していないからである。しかし、そのめっき層は１層の
みであるため、半田付け時に基体から拡散してくるＣｕ
に対するバリヤ機能がないため、半田付け性が大幅に劣
化しているのである。
【００３７】（３）また、実施例４と比較例２，実施例
７と比較例３を対比して明らかなように、半田付け性を
高めるためには、Ｓｎ−１０％Ｂｉめっき層の下にそれ
より融点が高いＳｎめっき層を配置する（実施例４と比
較例２の対比）ことや、Ｓｎ−１０％Ｚｎめっき層の下
にそれより融点の高いＳｎめっき層を配置する（実施例
７と比較例３の対比）ことの有用性が明らかである。
７と比較例３を対比して明らかなように、半田付け性を
高めるためには、Ｓｎ−１０％Ｂｉめっき層の下にそれ
より融点が高いＳｎめっき層を配置する（実施例４と比
較例２の対比）ことや、Ｓｎ−１０％Ｚｎめっき層の下
にそれより融点の高いＳｎめっき層を配置する（実施例
７と比較例３の対比）ことの有用性が明らかである。
【００３８】なお、各リード線を大気中に長時間放置し
ておいたところ、比較例１のリード線の場合には、ウイ
スカーが発生した。しかし、表面層がＳｎ合金で形成さ
れている他のリード線の全てにはウイスカーの発生は認
められなかった。また、各リード線に温度７５０℃、送
り速度５０〜７０ｍ/分でリフロー処理を行ったとこ
ろ、めっき層全体の厚みが１０μｍを超えているもの
（実施例４，７，１０）には偏肉の発生は全く認められ
なかった。しかし、比較例１は偏肉の発生が認められ
た。
ておいたところ、比較例１のリード線の場合には、ウイ
スカーが発生した。しかし、表面層がＳｎ合金で形成さ
れている他のリード線の全てにはウイスカーの発生は認
められなかった。また、各リード線に温度７５０℃、送
り速度５０〜７０ｍ/分でリフロー処理を行ったとこ
ろ、めっき層全体の厚みが１０μｍを超えているもの
（実施例４，７，１０）には偏肉の発生は全く認められ
なかった。しかし、比較例１は偏肉の発生が認められ
た。
【００３９】なお、リフロー処理後にあっては、実施例
１〜１２，比較例１〜３のリード線には、いずれも、ウ
イスカーの発生は認められなかった。
１〜１２，比較例１〜３のリード線には、いずれも、ウ
イスカーの発生は認められなかった。
【００４０】実施例１３〜３８，比較例４，５ 表２，３で示したように直径０.６mmの純銅線に、一
旦、Ｎｉをめっきして厚み0.５μｍの下地めっき層を成
膜し、その後、その上に、表２，３で示したような第１
めっき層と第２めっき層を順次形成した。ついで、各線
材を温度１７０℃のエアバス内で４８時間加熱したの
ち、表２，３で示した条件下でリフロー処理を行い、直
ちに水冷して溶融めっき層を再凝固させた。
旦、Ｎｉをめっきして厚み0.５μｍの下地めっき層を成
膜し、その後、その上に、表２，３で示したような第１
めっき層と第２めっき層を順次形成した。ついで、各線
材を温度１７０℃のエアバス内で４８時間加熱したの
ち、表２，３で示した条件下でリフロー処理を行い、直
ちに水冷して溶融めっき層を再凝固させた。
【００４１】得られた各線材につき、下記の仕様で半田
付け性と偏肉の度合いを測定した。 半田付け性：実施例１〜１２の場合と同じ。 リフロー処理後の偏肉の度合：線材を長さ１０cmに切断
し、めっき層の厚みを、３０点、蛍光Ｘ線で測定し、最
大厚みと最小厚みの差として表示。 以上の結果を一括して表２，３に示した。
付け性と偏肉の度合いを測定した。 半田付け性：実施例１〜１２の場合と同じ。 リフロー処理後の偏肉の度合：線材を長さ１０cmに切断
し、めっき層の厚みを、３０点、蛍光Ｘ線で測定し、最
大厚みと最小厚みの差として表示。 以上の結果を一括して表２，３に示した。
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】表２，３から次のことが明らかである。 （１）各実施例は、半田付け性が８０〜９５％、偏肉の
度合が０.１〜１.２μｍであり、Ｓｎめっき層１層のみ
の比較例４に比べて、半田付け性がはるかに優れ、偏肉
は小さい。 （２）実施例１３〜１８は、第１めっき層が同一で、第
２めっき層の厚みのみが変化しているリード材の事例で
あるが、第２めっき層の厚みが厚くなってｔ2／ｔ1が１
を超えるようになると、半田付け性の劣化が起こり、ま
た偏肉も大きくなり始めている。逆に、実施例１３のよ
うに第２めっき層の厚みが薄くなってｔ2／ｔ1が０.１
より小さくなると、偏肉の度合は小さいものの半田付け
性は悪くなりはじめている。このようなことから第２め
っき層の厚みは０.５〜５μｍにすることが好ましいこ
とがわかる。
度合が０.１〜１.２μｍであり、Ｓｎめっき層１層のみ
の比較例４に比べて、半田付け性がはるかに優れ、偏肉
は小さい。 （２）実施例１３〜１８は、第１めっき層が同一で、第
２めっき層の厚みのみが変化しているリード材の事例で
あるが、第２めっき層の厚みが厚くなってｔ2／ｔ1が１
を超えるようになると、半田付け性の劣化が起こり、ま
た偏肉も大きくなり始めている。逆に、実施例１３のよ
うに第２めっき層の厚みが薄くなってｔ2／ｔ1が０.１
より小さくなると、偏肉の度合は小さいものの半田付け
性は悪くなりはじめている。このようなことから第２め
っき層の厚みは０.５〜５μｍにすることが好ましいこ
とがわかる。
【００４５】（３）実施例１９〜２４は、第２めっき層
が同一で第１めっき層の厚みのみが変化しているリード
材の事例であるが、この第１めっき層の厚みが薄くなる
と、半田付け性が悪くなり、バリアとしての機能低下を
招いている。また逆に、第１めっき層が厚くなりすぎて
も、半田付け性は飽和傾向を示している。このようなこ
とから、第１めっき層の厚みは１〜１５μｍにすること
が好ましい。
が同一で第１めっき層の厚みのみが変化しているリード
材の事例であるが、この第１めっき層の厚みが薄くなる
と、半田付け性が悪くなり、バリアとしての機能低下を
招いている。また逆に、第１めっき層が厚くなりすぎて
も、半田付け性は飽和傾向を示している。このようなこ
とから、第１めっき層の厚みは１〜１５μｍにすること
が好ましい。
【００４６】（４）実施例２５〜２９は、第２めっき層
を構成するＳｎ−Ｂｉ系合金の組成が変化していること
を除いては全て同じであるリード材の事例であるが、Ｂ
ｉ含有量が多すぎても、また少なすぎても半田付け性の
劣化が認められる。とくに、Ｂｉ含有量が３重量％の場
合（実施例２５）は、偏肉が大きくなっている。このよ
うなことから、第２めっき層をＳｎ−Ｂｉ系合金で構成
する場合には、Ｂｉ含有量を５〜３０重量％にすること
が好適である。
を構成するＳｎ−Ｂｉ系合金の組成が変化していること
を除いては全て同じであるリード材の事例であるが、Ｂ
ｉ含有量が多すぎても、また少なすぎても半田付け性の
劣化が認められる。とくに、Ｂｉ含有量が３重量％の場
合（実施例２５）は、偏肉が大きくなっている。このよ
うなことから、第２めっき層をＳｎ−Ｂｉ系合金で構成
する場合には、Ｂｉ含有量を５〜３０重量％にすること
が好適である。
【００４７】（５）実施例３０〜３３は、第２めっき層
の合金組成を変化させたリード材の事例であるが、いず
れの場合も良好な半田付け性を示し、また、偏肉の度合
も良好である。 （６）実施例１５と実施例１４を対比すると、両者の相
違はＮｉ下地めっき層の有無だけにあるが、Ｎｉの下地
めっき層を形成していない実施例３４の方が半田付け性
は悪い。 このようなことから、Ｎｉ下地めっき層を形成すること
の有用性が明らかである。
の合金組成を変化させたリード材の事例であるが、いず
れの場合も良好な半田付け性を示し、また、偏肉の度合
も良好である。 （６）実施例１５と実施例１４を対比すると、両者の相
違はＮｉ下地めっき層の有無だけにあるが、Ｎｉの下地
めっき層を形成していない実施例３４の方が半田付け性
は悪い。 このようなことから、Ｎｉ下地めっき層を形成すること
の有用性が明らかである。
【００４８】（７）実施例１５と実施例３６の相違点は
リフロー処理の有無にあるが、リフロー処理を行わない
方が半田付け性は悪くなっている。このようなことか
ら、めっき層の形成後、リフロー処理を行うことの有用
性が明らかである。
リフロー処理の有無にあるが、リフロー処理を行わない
方が半田付け性は悪くなっている。このようなことか
ら、めっき層の形成後、リフロー処理を行うことの有用
性が明らかである。
【００４９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
アウターリード部は、まずめっき層がＰｂを含まないの
で環境に悪影響を及ぼす心配はない。その上で、めっき
層は、高融点の第１めっき層とそれよりも融点の低い第
２めっき層との２層構造になっているので、半田付け時
に第２めっき層が溶融しても、そのときの熱で基体から
拡散してくるＣｕなどは第１めっき層でバリアされ、そ
の結果、半田付け性は向上する。
アウターリード部は、まずめっき層がＰｂを含まないの
で環境に悪影響を及ぼす心配はない。その上で、めっき
層は、高融点の第１めっき層とそれよりも融点の低い第
２めっき層との２層構造になっているので、半田付け時
に第２めっき層が溶融しても、そのときの熱で基体から
拡散してくるＣｕなどは第１めっき層でバリアされ、そ
の結果、半田付け性は向上する。
【００５０】そして、アウターリード部にあっては、第
２めっき層をＳｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ｉｎ系などの高価な
合金で形成する場合でも、第１めっき層（Ｓｎめっき
層）の厚みを厚くして当該第２めっき層を薄くすればよ
いのでコスト低減を実現することができる。しかも、第
２めっき層を薄くすることにより、リフロー処理後の偏
肉を小さくすることができる。
２めっき層をＳｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ｉｎ系などの高価な
合金で形成する場合でも、第１めっき層（Ｓｎめっき
層）の厚みを厚くして当該第２めっき層を薄くすればよ
いのでコスト低減を実現することができる。しかも、第
２めっき層を薄くすることにより、リフロー処理後の偏
肉を小さくすることができる。
【図１】本発明のアウターリード部例を示す断面図であ
る。
る。
１ 導電性基体 ２ 第１めっき層 ３ 第２めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 晃 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古河電気工業株式会社内 (72)発明者 杉江 欣也 大阪府寝屋川市楠根北町２番５号 協和 電線株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−13638（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−259193（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−176883（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−187654（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 C25D 5/10
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性基体の表面に、Ｓｎ単体から成る
厚みｔ1の第１めっき層と、Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，
Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有し、前記Ｓ
ｎ単体よりも低融点のＳｎ合金から成る厚みｔ2の第２
めっき層とがこの順序で積層されていて、かつ、ｔ1，
ｔ2は、６μｍ≦ｔ1≦１０μｍ，１μｍ≦ｔ2≦３μ
ｍ，０.１≦ｔ2／ｔ1≦０.５の関係を満足する値である
ことを特徴とするリードフレーム材のアウターリード
部。 - 【請求項２】 少なくとも前記第２めっき層がリフロー
処理されている請求項１のリードフレーム材のアウター
リード部。 - 【請求項３】 請求項１または２のリードフレーム材の
アウターリード部を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34675799A JP3283023B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | リードフレーム材のアウターリード部、それを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34675799A JP3283023B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | リードフレーム材のアウターリード部、それを用いた半導体装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30877597A Division JPH10229152A (ja) | 1996-12-10 | 1997-11-11 | 電子部品用リード材、それを用いたリードおよび半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138334A JP2000138334A (ja) | 2000-05-16 |
| JP3283023B2 true JP3283023B2 (ja) | 2002-05-20 |
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ID=18385620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34675799A Expired - Fee Related JP3283023B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | リードフレーム材のアウターリード部、それを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
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- 1999-12-06 JP JP34675799A patent/JP3283023B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000138334A (ja) | 2000-05-16 |
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