JP2002040626A5 - - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 3
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Description
【発明の名称】導体パターンの検査方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
【００３７】
したがって、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、パターン間ギャップの狭い導電部を具備する電気光学装置を製造する場合においても、導体部のパターン欠陥を迅速に検出することができ、生産効率を向上することができる。また、本発明の電気光学装置の製造方法を用いて製造される電子機器に適用することができる。
したがって、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、パターン間ギャップの狭い導電部を具備する電気光学装置を製造する場合においても、導体部のパターン欠陥を迅速に検出することができ、生産効率を向上することができる。また、本発明の電気光学装置の製造方法を用いて製造される電子機器に適用することができる。
Claims (7)
- 基板上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストの露光及び現像を行う工程と、
２以上の基板について、同位置に前記フォトレジストのパターン欠陥を検出し、前記フォトレジストのパターンを検査する工程とを具備することを特徴とする導体パターンの検査方法。 - 前記フォトレジストのパターンを検査する工程は、
形状が同一又は類似の前記フォトレジストのパターン欠陥が検出された場合に、前記フォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマスクにパターン欠陥があると判定することを特徴とする導体パターンの検査方法。 - 請求項１又は２に記載の導体パターンの検査方法において、
前記検査の結果を前記フォトレジストの露光を行う工程、又はそれ以前の工程にフィードバックする工程を更に具備することを特徴とする導体パターンの検査方法。 - 基板上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストの露光及び現像を行う工程と、
２以上の基板について、同位置に前記フォトレジストのパターン欠陥を検出し、前記フォトレジストのパターンを検査する工程とを具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記フォトレジストのパターンを検査する工程は、
形状が同一又は類似の前記フォトレジストのパターン欠陥が検出された場合に、前記フォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマスクにパターン欠陥があると判定することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項４又は５に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記検査の結果を前記フォトレジストの露光を行う工程、又はそれ以前の工程にフィードバックする工程を更に具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項４乃至６に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造される液晶装置を備えてなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222579A JP2002040626A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 導体パターンの検査方法、電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222579A JP2002040626A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 導体パターンの検査方法、電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040626A JP2002040626A (ja) | 2002-02-06 |
| JP2002040626A5 true JP2002040626A5 (ja) | 2004-12-24 |
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| JP2000222579A Withdrawn JP2002040626A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 導体パターンの検査方法、電気光学装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006053405A (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Sharp Corp | アレイ基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| CN109000887B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种图案检测装置及方法、图案化控制系统及方法 |
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2000
- 2000-07-24 JP JP2000222579A patent/JP2002040626A/ja not_active Withdrawn
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