JP2002039969A - 薄膜の密度測定方法及び磁気ディスク装置 - Google Patents
薄膜の密度測定方法及び磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JP2002039969A JP2002039969A JP2000223262A JP2000223262A JP2002039969A JP 2002039969 A JP2002039969 A JP 2002039969A JP 2000223262 A JP2000223262 A JP 2000223262A JP 2000223262 A JP2000223262 A JP 2000223262A JP 2002039969 A JP2002039969 A JP 2002039969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- density
- thin film
- film
- measuring
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009681 x-ray fluorescence measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜の密度測定方法及び磁気ディスク装置に
関し、簡単な測定法を組み合わせることによって、成膜
方法や成膜条件を変化させた試料の膜密度を簡便に且つ
精度良く測定する。 【解決手段】 Ｘ線反射率法によって薄膜の膜厚を測定
するとともに、蛍光Ｘ線測定法によって薄膜の構成元素
量を測定し、両者の測定値の相関関係の勾配から薄膜の
密度を求める。
関し、簡単な測定法を組み合わせることによって、成膜
方法や成膜条件を変化させた試料の膜密度を簡便に且つ
精度良く測定する。 【解決手段】 Ｘ線反射率法によって薄膜の膜厚を測定
するとともに、蛍光Ｘ線測定法によって薄膜の構成元素
量を測定し、両者の測定値の相関関係の勾配から薄膜の
密度を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜の密度測定方法
及び磁気ディスク装置に関するものであり、特に、磁気
ディスク装置を構成する磁気ヘッド及び磁気記録媒体に
一般的に用いられている薄膜の密度等の膜質を精度良く
管理するための手法に特徴のある薄膜の密度測定方法及
び磁気ディスク装置に関するものである。
及び磁気ディスク装置に関するものであり、特に、磁気
ディスク装置を構成する磁気ヘッド及び磁気記録媒体に
一般的に用いられている薄膜の密度等の膜質を精度良く
管理するための手法に特徴のある薄膜の密度測定方法及
び磁気ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータのメモリ装置である
ハードディスクの主要部分を構成するＭＲヘッドに所謂
スピンバルブ構造と呼ばれる異種金属層を複数層積層さ
せた多層薄膜が用いられ、また、磁気記録媒体には、最
近の高記録密度を反映した多層薄膜構造が用いられるよ
うになっている。
ハードディスクの主要部分を構成するＭＲヘッドに所謂
スピンバルブ構造と呼ばれる異種金属層を複数層積層さ
せた多層薄膜が用いられ、また、磁気記録媒体には、最
近の高記録密度を反映した多層薄膜構造が用いられるよ
うになっている。
【０００３】これらの多層薄膜構造を用いた磁気ヘッド
及び磁気記録媒体の特性は、膜構造が複雑になればなる
ほど、膜厚以外の要因である膜質、例えば、薄膜中の不
純物ガスや空孔の影響を受けやすくなる。
及び磁気記録媒体の特性は、膜構造が複雑になればなる
ほど、膜厚以外の要因である膜質、例えば、薄膜中の不
純物ガスや空孔の影響を受けやすくなる。
【０００４】また、高記録密度化に伴い、磁気ヘッドと
磁気記録媒体との間の磁気スペーシングの短縮化が図ら
れており、この磁気スペーシングには、磁気記録媒体と
磁気ヘッドの双方の表面に設けられたＤＬＣ（Ｄｉａｍ
ｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）からなる保護膜の厚
さが直接関係してくる。
磁気記録媒体との間の磁気スペーシングの短縮化が図ら
れており、この磁気スペーシングには、磁気記録媒体と
磁気ヘッドの双方の表面に設けられたＤＬＣ（Ｄｉａｍ
ｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）からなる保護膜の厚
さが直接関係してくる。
【０００５】現在、この様な保護膜の厚さは、４ｎｍか
ら１ｎｍ程度へと薄膜化が進行しているが、ＤＬＣ膜は
薄いほど、摩擦による膜の耐久性が低くなるため、成膜
方法や成膜条件によりＤＬＣ膜の膜質、特に、膜硬度を
向上させることが各所で行われている。
ら１ｎｍ程度へと薄膜化が進行しているが、ＤＬＣ膜は
薄いほど、摩擦による膜の耐久性が低くなるため、成膜
方法や成膜条件によりＤＬＣ膜の膜質、特に、膜硬度を
向上させることが各所で行われている。
【０００６】従来、薄膜の密度の測定方法として、薄膜
は、金属元素からなる多層膜試料でエピタキシャル膜で
ある場合、各層の密度はＸ線回折で測定した結晶の格子
定数から求めていた。
は、金属元素からなる多層膜試料でエピタキシャル膜で
ある場合、各層の密度はＸ線回折で測定した結晶の格子
定数から求めていた。
【０００７】また、ＤＬＣ膜やアモルファス膜の場合、
結晶質ではないため、Ｘ線反射率測定を行い、フィッテ
ィング解析により密度を求める方法が知られている（必
要ならば、特願平１０−２０２５９２号参照）。
結晶質ではないため、Ｘ線反射率測定を行い、フィッテ
ィング解析により密度を求める方法が知られている（必
要ならば、特願平１０−２０２５９２号参照）。
【０００８】このＸ線反射率法は、反射Ｘ線強度プロフ
ァイルの多層薄膜試料へのＸ線入射角依存性を、シミュ
レーション結果と合わせることによって物性を評価する
手法であり、例えば、薄膜／薄膜界面の平坦な試料につ
いては、反射Ｘ線強度は理論的には試料へのＸ線入射角
θの４乗に逆比例して減衰し、薄膜／薄膜界面が平坦で
ない場合にはさらに急激に減衰する。
ァイルの多層薄膜試料へのＸ線入射角依存性を、シミュ
レーション結果と合わせることによって物性を評価する
手法であり、例えば、薄膜／薄膜界面の平坦な試料につ
いては、反射Ｘ線強度は理論的には試料へのＸ線入射角
θの４乗に逆比例して減衰し、薄膜／薄膜界面が平坦で
ない場合にはさらに急激に減衰する。
【０００９】そこで、この入射角θ依存性の効果を相殺
するために、最小二乗法を用いてベースラインを決定
し、測定データに含まれる振動成分のみを抽出する。次
いで、解析モデルにおけるパラメータとなる各膜の膜
厚、密度、及び、界面ラフネスを値を適当に変えながら
シミュレートした結果と、測定データに含まれる振動成
分とを対比させ、所定の誤差に収まるように最小二乗法
フィッティング（ｆｉｔｔｉｎｇ）することによって、
各層の膜厚、密度等を決定するものである。
するために、最小二乗法を用いてベースラインを決定
し、測定データに含まれる振動成分のみを抽出する。次
いで、解析モデルにおけるパラメータとなる各膜の膜
厚、密度、及び、界面ラフネスを値を適当に変えながら
シミュレートした結果と、測定データに含まれる振動成
分とを対比させ、所定の誤差に収まるように最小二乗法
フィッティング（ｆｉｔｔｉｎｇ）することによって、
各層の膜厚、密度等を決定するものである。
【００１０】また、薄膜試料の膜厚が既知であれば、Ｒ
ＢＳ（ラザフォード後方散乱）法との併用によって、薄
膜の密度を求める方法も知られている。
ＢＳ（ラザフォード後方散乱）法との併用によって、薄
膜の密度を求める方法も知られている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のＸ線回
折法では、結晶化した部分の密度を見ているのであっ
て、不純物や空孔による密度変化を検出することは困難
であり、特に、ＤＬＣ膜等の結晶質ではない薄膜の密度
を測定することができないという問題がある。
折法では、結晶化した部分の密度を見ているのであっ
て、不純物や空孔による密度変化を検出することは困難
であり、特に、ＤＬＣ膜等の結晶質ではない薄膜の密度
を測定することができないという問題がある。
【００１２】また、Ｘ線反射率測定法の場合には、ＤＬ
Ｃ膜等の膜厚は精度良く測定することができるものの、
密度については元々測定精度が低いという問題があり、
特に、膜質の微妙な変化による密度の変化を察知するこ
とは困難であるという問題がある。
Ｃ膜等の膜厚は精度良く測定することができるものの、
密度については元々測定精度が低いという問題があり、
特に、膜質の微妙な変化による密度の変化を察知するこ
とは困難であるという問題がある。
【００１３】さらに、ＲＢＳ法の場合には、測定に加速
器を使用するため、測定装置系が非常に大型化するとと
もに、装置の準備と維持のコストが高く、日常的な薄膜
の密度測定に用いるにはコスト的に困難であるという問
題がある。
器を使用するため、測定装置系が非常に大型化するとと
もに、装置の準備と維持のコストが高く、日常的な薄膜
の密度測定に用いるにはコスト的に困難であるという問
題がある。
【００１４】したがって、本発明は、簡単な測定法を組
み合わせることによって、成膜方法や成膜条件を変化さ
せた試料の膜密度を簡便に且つ精度良く測定することを
目的とする。
み合わせることによって、成膜方法や成膜条件を変化さ
せた試料の膜密度を簡便に且つ精度良く測定することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の手順を示
す原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発
明における課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明においては、Ｘ線
反射率法によって薄膜の膜厚を測定するとともに、蛍光
Ｘ線測定法によって薄膜の構成元素量を測定し、両者の
測定値の相関関係の勾配から薄膜の密度を求めることを
特徴とする。
す原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発
明における課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明においては、Ｘ線
反射率法によって薄膜の膜厚を測定するとともに、蛍光
Ｘ線測定法によって薄膜の構成元素量を測定し、両者の
測定値の相関関係の勾配から薄膜の密度を求めることを
特徴とする。
【００１６】一般に、蛍光Ｘ線強度は、 蛍光Ｘ線強度∝薄膜の構成元素量＝付着量＝密度×膜厚 の関係で表されると考えられるので、 密度∝蛍光Ｘ線強度／膜厚＝勾配 となり、したがって、Ｘ線反射率法によって膜厚を精度
良く測定し、且つ、蛍光Ｘ線測定法によって薄膜の構成
元素量を精度良く測定することによって、測定値の相関
関係の勾配から薄膜の密度を簡便な方法によって精度良
く求めることができる。
良く測定し、且つ、蛍光Ｘ線測定法によって薄膜の構成
元素量を精度良く測定することによって、測定値の相関
関係の勾配から薄膜の密度を簡便な方法によって精度良
く求めることができる。
【００１７】また、この様に求めた密度は、相対密度で
あるので、密度の絶対値が既知の薄膜試料を用いて同じ
条件で測定した結果と比較して、勾配から求めた相対密
度を較正すれば良い。
あるので、密度の絶対値が既知の薄膜試料を用いて同じ
条件で測定した結果と比較して、勾配から求めた相対密
度を較正すれば良い。
【００１８】また、本発明は、薄膜に含まれる薄膜を成
膜する際に用いた雰囲気ガスの含有量を蛍光Ｘ線測定法
によって測定することによって、薄膜の密度を較正する
ことを特徴とする。
膜する際に用いた雰囲気ガスの含有量を蛍光Ｘ線測定法
によって測定することによって、薄膜の密度を較正する
ことを特徴とする。
【００１９】蛍光Ｘ線測定法によって薄膜を構成する元
素のみを測定した場合には、成膜雰囲気等に含まれるガ
ス元素が混入した場合の薄膜の密度を正確に測定するこ
とができないので、薄膜に含まれる薄膜を成膜する際に
用いた雰囲気ガスの含有量を蛍光Ｘ線測定法によって測
定することによって、薄膜の密度をより精度良く測定す
ることが可能になる。
素のみを測定した場合には、成膜雰囲気等に含まれるガ
ス元素が混入した場合の薄膜の密度を正確に測定するこ
とができないので、薄膜に含まれる薄膜を成膜する際に
用いた雰囲気ガスの含有量を蛍光Ｘ線測定法によって測
定することによって、薄膜の密度をより精度良く測定す
ることが可能になる。
【００２０】また、本発明は、上記の薄膜の密度測定方
法を用いて磁気抵抗効果素子を構成する金属多層膜、或
いは、磁気記録媒体を構成する金属多層膜の少なくとも
一方の密度、または、薄膜磁気ヘッド或いは磁気記録媒
体の表面を保護する保護膜の密度を測定することを特徴
とする。
法を用いて磁気抵抗効果素子を構成する金属多層膜、或
いは、磁気記録媒体を構成する金属多層膜の少なくとも
一方の密度、または、薄膜磁気ヘッド或いは磁気記録媒
体の表面を保護する保護膜の密度を測定することを特徴
とする。
【００２１】この様に、精密に密度制御した膜を用いる
ことによって、保護膜等をより密度の高い、即ち、硬度
の高い膜によって構成することができ、したがって、よ
り薄い膜の使用が可能になる。
ことによって、保護膜等をより密度の高い、即ち、硬度
の高い膜によって構成することができ、したがって、よ
り薄い膜の使用が可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図５を参照し
て、本発明の実施の形態の薄膜の密度測定方法を説明す
る。ここでは、ＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置で成膜したＤＬＣ膜と、スパッタ成膜
したＤＬＣ膜の密度の違い、及び、同じＩＢＤ装置を用
いて異なった成膜条件で成膜した各ＤＬＣ膜の密度差の
検出方法を説明する。
て、本発明の実施の形態の薄膜の密度測定方法を説明す
る。ここでは、ＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置で成膜したＤＬＣ膜と、スパッタ成膜
したＤＬＣ膜の密度の違い、及び、同じＩＢＤ装置を用
いて異なった成膜条件で成膜した各ＤＬＣ膜の密度差の
検出方法を説明する。
【００２３】図２（ａ）参照 図２（ａ）は、Ｘ線反射率測定法によって求めた薄膜の
膜厚の例を示す図であり、被測定試料となるＳｉ基板上
に堆積させたＤＬＣ膜に対し、波長が、例えば、λ＝
１．６２Åの単一波長の入射Ｘ線を照射してθ−２θス
キャンによるＸ線反射率を測定したものである。
膜厚の例を示す図であり、被測定試料となるＳｉ基板上
に堆積させたＤＬＣ膜に対し、波長が、例えば、λ＝
１．６２Åの単一波長の入射Ｘ線を照射してθ−２θス
キャンによるＸ線反射率を測定したものである。
【００２４】図に示すように、各被測定試料について測
定によって得られた振動成分の周期は被測定試料の膜厚
を反映するものであり、振動成分の周期は膜厚に逆比例
する関係になり、図において一番下のＤＬＣ４０Åの振
動成分の周期が一番長く、逆に、一番上のＤＬＣ１１０
Åの振動成分の周期が一番短くなることが理解できる。
定によって得られた振動成分の周期は被測定試料の膜厚
を反映するものであり、振動成分の周期は膜厚に逆比例
する関係になり、図において一番下のＤＬＣ４０Åの振
動成分の周期が一番長く、逆に、一番上のＤＬＣ１１０
Åの振動成分の周期が一番短くなることが理解できる。
【００２５】このＸ線反射強度に関する測定データは、
上述の様に、反射Ｘ線の強度は理論的には試料へのＸ線
入射角θの４乗に逆比例して減衰するという入射角θ依
存性があるので、この入射角θ依存性の効果を相殺する
ために、最小二乗法を用いてベースラインを決定し、測
定データに含まれる振動成分のみを抽出する必要があ
り、この様に振動成分のみを抽出した測定データを、膜
厚ｄを関数としてフーリエ変換して、フーリエ変換スペ
クトルを得る。なお、実際には、Ｘ線反射率解析に対応
したフーリエ変換ソフトを用いて、コンピュータに測定
データ入力して、自動的に計算することになる。
上述の様に、反射Ｘ線の強度は理論的には試料へのＸ線
入射角θの４乗に逆比例して減衰するという入射角θ依
存性があるので、この入射角θ依存性の効果を相殺する
ために、最小二乗法を用いてベースラインを決定し、測
定データに含まれる振動成分のみを抽出する必要があ
り、この様に振動成分のみを抽出した測定データを、膜
厚ｄを関数としてフーリエ変換して、フーリエ変換スペ
クトルを得る。なお、実際には、Ｘ線反射率解析に対応
したフーリエ変換ソフトを用いて、コンピュータに測定
データ入力して、自動的に計算することになる。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１は、各成膜条件の被測定試料につい
て、Ｘ線反射率測定法によって求めた膜厚と、Ｘ線反射
率測定法データのフィッティングによって解析した密度
とを纏めたものであり、密度を求めるに際しては、Ｓｉ
基板の密度を２．３３ｇ／ｃｍ 3 と固定して求めてい
る。
て、Ｘ線反射率測定法によって求めた膜厚と、Ｘ線反射
率測定法データのフィッティングによって解析した密度
とを纏めたものであり、密度を求めるに際しては、Ｓｉ
基板の密度を２．３３ｇ／ｃｍ 3 と固定して求めてい
る。
【００２８】各被測定試料の成膜条件としては、スパッ
タ法、基板温度Ｔs ＝２００℃、加速電圧Ｖa ＝８０
Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝１２０Ｖの標準条件によるＩＢ
Ｄ法、基板温度Ｔs ＝１００℃、加速電圧Ｖa ＝８０
Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝１２０Ｖの条件によるＩＢＤ
法、及び、基板温度Ｔs ＝２００℃、加速電圧Ｖa ＝６
０Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝０Ｖの条件によるＩＢＤ法の
４つを示している。
タ法、基板温度Ｔs ＝２００℃、加速電圧Ｖa ＝８０
Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝１２０Ｖの標準条件によるＩＢ
Ｄ法、基板温度Ｔs ＝１００℃、加速電圧Ｖa ＝８０
Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝１２０Ｖの条件によるＩＢＤ
法、及び、基板温度Ｔs ＝２００℃、加速電圧Ｖa ＝６
０Ｖ，バイアス電圧Ｖb ＝０Ｖの条件によるＩＢＤ法の
４つを示している。
【００２９】表１からは、各被測定試料の密度の大小関
係は、ＩＢＤ（Ｖa ＝６０Ｖ）＜スパッタ＜ＩＢＤ（Ｔ
s ＝１００℃）＜ＩＢＤ（標準条件）となった。
係は、ＩＢＤ（Ｖa ＝６０Ｖ）＜スパッタ＜ＩＢＤ（Ｔ
s ＝１００℃）＜ＩＢＤ（標準条件）となった。
【００３０】図２（ｂ）参照 図２（ｂ）は、各被測定試料について測定した蛍光Ｘ線
強度を模式的に示したものであり、薄膜の膜厚が厚いほ
ど、即ち、付着量が多いほど蛍光Ｘ線強度が大きくなる
ことを示している。
強度を模式的に示したものであり、薄膜の膜厚が厚いほ
ど、即ち、付着量が多いほど蛍光Ｘ線強度が大きくなる
ことを示している。
【００３１】即ち、 蛍光Ｘ線強度∝薄膜の構成元素量＝付着量＝密度×膜厚 の関係で表されると考えられるので、蛍光Ｘ線強度を測
定することは被測定試料の（密度×膜厚）を測定したこ
とになる。
定することは被測定試料の（密度×膜厚）を測定したこ
とになる。
【００３２】再び、図１参照 図１は、各被測定試料について測定した膜厚と付着量と
の相関関係を概念的に示した図であり、 密度∝付着量／膜厚＝勾配 となるので、膜厚と付着量との相関関係から被測定試料
の密度を求めることができる。
の相関関係を概念的に示した図であり、 密度∝付着量／膜厚＝勾配 となるので、膜厚と付着量との相関関係から被測定試料
の密度を求めることができる。
【００３３】そこで、各成膜条件について、ＤＬＣ膜の
膜厚の異なる複数の被測定試料を用意し、各被測定試料
について、上述のＸ線反射率測定法によって膜厚を測定
し、また、各被測定試料について、蛍光Ｘ線測定法によ
ってＣ−Ｋαの強度を測定した。
膜厚の異なる複数の被測定試料を用意し、各被測定試料
について、上述のＸ線反射率測定法によって膜厚を測定
し、また、各被測定試料について、蛍光Ｘ線測定法によ
ってＣ−Ｋαの強度を測定した。
【００３４】図３参照 図３は、上記の様に測定した各被測定試料のついてＸ線
強度を縦軸にし、Ｘ線反射率法によって測定した膜厚を
横軸として両者の相対関係を示したものである。図から
明らかなように、各成膜条件毎に各測定点はほぼ直線上
に乗るので、これらの直線の勾配を求めることによっ
て、各成膜条件による薄膜の密度の相対値を得ることが
できる。なお、図において、膜厚が０Åにおいて約０．
０６ｋｃｐｓのＸ線強度となっているが、これは、測定
系を構成する回折結晶に由来するＸ線であり、バックグ
ラウンドに相当するものである。
強度を縦軸にし、Ｘ線反射率法によって測定した膜厚を
横軸として両者の相対関係を示したものである。図から
明らかなように、各成膜条件毎に各測定点はほぼ直線上
に乗るので、これらの直線の勾配を求めることによっ
て、各成膜条件による薄膜の密度の相対値を得ることが
できる。なお、図において、膜厚が０Åにおいて約０．
０６ｋｃｐｓのＸ線強度となっているが、これは、測定
系を構成する回折結晶に由来するＸ線であり、バックグ
ラウンドに相当するものである。
【００３５】図４参照 図４は、図３から求めた各被測定試料の相対密度を縦軸
とし、表１に示したＸ線反射率測定データのフィッティ
ングによって求めた密度を横軸として示した図である。
図から明らかなように、相対密度においても、Ｘ線反射
率測定データのフィッティングによって求めた密度と同
様に、ＩＢＤ（Ｖa ＝６０Ｖ）＜スパッタ＜ＩＢＤ（Ｔ
s ＝１００℃）＜ＩＢＤ（標準条件）の関係が得られて
いることが理解される。
とし、表１に示したＸ線反射率測定データのフィッティ
ングによって求めた密度を横軸として示した図である。
図から明らかなように、相対密度においても、Ｘ線反射
率測定データのフィッティングによって求めた密度と同
様に、ＩＢＤ（Ｖa ＝６０Ｖ）＜スパッタ＜ＩＢＤ（Ｔ
s ＝１００℃）＜ＩＢＤ（標準条件）の関係が得られて
いることが理解される。
【００３６】但し、各データは、破線で示した原点を通
る直線上に乗っていないが、これは、蛍光Ｘ線測定から
求めた相対密度の精度より、Ｘ線反射率で求めた密度値
の絶対精度が低いためである。
る直線上に乗っていないが、これは、蛍光Ｘ線測定から
求めた相対密度の精度より、Ｘ線反射率で求めた密度値
の絶対精度が低いためである。
【００３７】したがって、この様な相対密度から密度の
絶対値を求めるためには、同じＤＬＣ膜で密度の絶対値
が既知である膜試料について、同じ測定法によって求め
た相対密度と比較して絶対値を求めれば良い。
絶対値を求めるためには、同じＤＬＣ膜で密度の絶対値
が既知である膜試料について、同じ測定法によって求め
た相対密度と比較して絶対値を求めれば良い。
【００３８】例えば、単結晶のＤＬＣ、即ち、ダイヤモ
ンドについてＸ線反射率法を用いて膜厚を測定するとと
もに、蛍光Ｘ線強度を測定してその勾配から相対密度ρ
rbを測定する。ダイヤモンドの密度の絶対値ρabは既知
であるので、被測定試料の密度の絶対値ρasは、その相
対密度のρrs、の絶対値ρab、相対密度ρrbから、 ρas＝ρab×ρrs／ρrb として求めることができる。
ンドについてＸ線反射率法を用いて膜厚を測定するとと
もに、蛍光Ｘ線強度を測定してその勾配から相対密度ρ
rbを測定する。ダイヤモンドの密度の絶対値ρabは既知
であるので、被測定試料の密度の絶対値ρasは、その相
対密度のρrs、の絶対値ρab、相対密度ρrbから、 ρas＝ρab×ρrs／ρrb として求めることができる。
【００３９】上記の方法によって、アモルファス等の非
単結晶状態の薄膜の密度を従来のＸ線反射率法のみによ
って求めた密度よりも精確に求めることができるが、薄
膜に不純物が含まれていた場合には、この不純物が膜の
密度に反映されないので不正確な値になるという問題が
ある。
単結晶状態の薄膜の密度を従来のＸ線反射率法のみによ
って求めた密度よりも精確に求めることができるが、薄
膜に不純物が含まれていた場合には、この不純物が膜の
密度に反映されないので不正確な値になるという問題が
ある。
【００４０】即ち、ＤＬＣ膜には、ＤＬＣ膜の成膜工程
において用いる雰囲気ガスを構成する他の元素が含有さ
れることになるが、Ｃの量だけでは、薄膜を構成する他
の部分が空孔であるのか、雰囲気ガスを構成する他の元
素から構成されているのかを区別することができず、薄
膜の絶対密度が不正確になる。
において用いる雰囲気ガスを構成する他の元素が含有さ
れることになるが、Ｃの量だけでは、薄膜を構成する他
の部分が空孔であるのか、雰囲気ガスを構成する他の元
素から構成されているのかを区別することができず、薄
膜の絶対密度が不正確になる。
【００４１】そこで、ＮｉＰ基板上に成膜条件を変えて
成膜した３つの試料について、他の元素の含有量を測定
した。
成膜した３つの試料について、他の元素の含有量を測定
した。
【表２】 表２は、３つの試料について、ＸＰＳ法によって、その
組成比を予め測定した結果を示すものである。なお、試
料中に含まれるＯ（酸素）は、成膜後に大気中に晒すこ
とによって吸収されたものと考えられる。
組成比を予め測定した結果を示すものである。なお、試
料中に含まれるＯ（酸素）は、成膜後に大気中に晒すこ
とによって吸収されたものと考えられる。
【００４２】図５参照 図５は、表２に示す３つの試料についてのＮ−Ｋα線
（窒素原子のＫ殻のα線）の強度を測定した結果を示す
ものであり、Ｎ−Ｋα線の位置で試料による強度差が現
れ、それ以外のＮｉ−Ｌx ２次線ピーク（Ｎｉ−Ｌαと
Ｎｉ−Ｌβ1 の合成スペクトルの２次線）を含む他の角
度領域ではほぼ形状がほぼ一致していることが理解され
る。
（窒素原子のＫ殻のα線）の強度を測定した結果を示す
ものであり、Ｎ−Ｋα線の位置で試料による強度差が現
れ、それ以外のＮｉ−Ｌx ２次線ピーク（Ｎｉ−Ｌαと
Ｎｉ−Ｌβ1 の合成スペクトルの２次線）を含む他の角
度領域ではほぼ形状がほぼ一致していることが理解され
る。
【００４３】したがって、Ｎ−Ｋα線の強度から、Ｎ−
Ｋα線のバックグラウンド値を考慮することによって、
蛍光Ｘ線測定法によって非破壊でＤＬＣ膜中の窒素濃度
を求めることができ、この窒素濃度による質量をＤＬＣ
膜の質量に加えることによって、ＤＬＣ膜のより精確な
密度を求めることができる。
Ｋα線のバックグラウンド値を考慮することによって、
蛍光Ｘ線測定法によって非破壊でＤＬＣ膜中の窒素濃度
を求めることができ、この窒素濃度による質量をＤＬＣ
膜の質量に加えることによって、ＤＬＣ膜のより精確な
密度を求めることができる。
【００４４】したがって、上述の様に成膜条件による密
度の変化を精確に把握することによって、磁気ヘッドの
表面を覆うＤＬＣ膜及び磁気記録媒体の表面を覆うＤＬ
Ｃ膜の密度を精確に管理することができ、したがって、
密度が高くなる条件でＤＬＣ膜を成膜することによって
摩擦耐性をある程度保ったままで膜厚を薄くすることが
できる。
度の変化を精確に把握することによって、磁気ヘッドの
表面を覆うＤＬＣ膜及び磁気記録媒体の表面を覆うＤＬ
Ｃ膜の密度を精確に管理することができ、したがって、
密度が高くなる条件でＤＬＣ膜を成膜することによって
摩擦耐性をある程度保ったままで膜厚を薄くすることが
できる。
【００４５】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は上記の実施の形態に記載した構成に限られ
るものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上
記の実施の形態の説明においては、被測定試料としてＤ
ＬＣ膜としているが、ＤＬＣ膜に限られるものではな
く、各種の薄膜の密度の測定に適用されるものであり、
ＭＲヘッドの上下のリードギャップ層やキャップ層に用
いるＡｌ2 Ｏ3 膜の密度の測定に適用することによって
ピンホールのない密度の高い成膜方法を用いることによ
ってリードギャップ層やキャップ層の薄膜化が可能にな
る。
が、本発明は上記の実施の形態に記載した構成に限られ
るものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上
記の実施の形態の説明においては、被測定試料としてＤ
ＬＣ膜としているが、ＤＬＣ膜に限られるものではな
く、各種の薄膜の密度の測定に適用されるものであり、
ＭＲヘッドの上下のリードギャップ層やキャップ層に用
いるＡｌ2 Ｏ3 膜の密度の測定に適用することによって
ピンホールのない密度の高い成膜方法を用いることによ
ってリードギャップ層やキャップ層の薄膜化が可能にな
る。
【００４６】また、本発明の密度測定方法は、金属多層
膜の密度の測定方法としても用いることができるもので
あり、例えば、スピンバルブ磁気抵抗効果素子或いは磁
気記録媒体を構成する金属多層膜の密度管理に用いるこ
とによって、スピンバルブ磁気抵抗効果素子或いは磁気
記録媒体の特性を向上することができるとともに、その
再現性を高めることができる。
膜の密度の測定方法としても用いることができるもので
あり、例えば、スピンバルブ磁気抵抗効果素子或いは磁
気記録媒体を構成する金属多層膜の密度管理に用いるこ
とによって、スピンバルブ磁気抵抗効果素子或いは磁気
記録媒体の特性を向上することができるとともに、その
再現性を高めることができる。
【００４７】さらに、本発明の密度測定方法は、非晶質
の薄膜の密度測定方法に限られるものではなく、エピタ
キシャル膜の密度の測定方法にも適用されるものであ
る。
の薄膜の密度測定方法に限られるものではなく、エピタ
キシャル膜の密度の測定方法にも適用されるものであ
る。
【００４８】（付記１） 基板上に均一な成膜条件で膜
厚の異なる薄膜を成膜した複数の薄膜試料を用い、Ｘ線
反射率法によって前記各薄膜の膜厚を測定するととも
に、蛍光Ｘ線測定法によって前記各薄膜の構成元素量を
測定し、測定した膜厚と構成元素量との相関関係の勾配
から薄膜の密度を求めることを特徴とする薄膜の密度測
定方法。 （付記２） 上記測定した薄膜の密度を、密度値が既知
の試料を用いて較正することを特徴とする付記１記載の
薄膜の密度測定方法。 （付記３） 上記測定した薄膜の密度を、前記薄膜に含
まれる該薄膜を成膜する際に用いた雰囲気ガスの含有量
を蛍光Ｘ線測定法によって測定することによって、較正
することを特徴とする付記１または２に記載の薄膜の密
度測定方法。 （付記４） 上記薄膜を成膜する際に用いた雰囲気ガス
の含有量を蛍光Ｘ線測定法によって測定する際に、真空
中で測定することを特徴とする付記３記載の薄膜の密度
測定方法。 （付記５） 付記１乃至４のいずれか１に記載の薄膜の
密度測定方法によって密度を管理した金属多層膜を、少
なくとも磁気抵抗効果素子或いは磁気記録媒体の少なく
とも一方に用いたことを特徴とする磁気ディスク装置。 （付記６） 上記密度を管理した金属多層膜によって、
磁気抵抗効果素子を構成することを特徴とする付記５記
載の磁気ディスク装置。 （付記７） 上記密度を管理した金属多層膜によって、
磁気記録媒体を構成することを特徴とする付記５記載の
磁気ディスク装置。 （付記８） 付記１乃至４のいずれか１に記載の薄膜の
密度測定方法によって密度を管理した保護膜を、磁気抵
抗効果素子及び磁気記録媒体の表面に設けたことを特徴
とする磁気ディスク装置。
厚の異なる薄膜を成膜した複数の薄膜試料を用い、Ｘ線
反射率法によって前記各薄膜の膜厚を測定するととも
に、蛍光Ｘ線測定法によって前記各薄膜の構成元素量を
測定し、測定した膜厚と構成元素量との相関関係の勾配
から薄膜の密度を求めることを特徴とする薄膜の密度測
定方法。 （付記２） 上記測定した薄膜の密度を、密度値が既知
の試料を用いて較正することを特徴とする付記１記載の
薄膜の密度測定方法。 （付記３） 上記測定した薄膜の密度を、前記薄膜に含
まれる該薄膜を成膜する際に用いた雰囲気ガスの含有量
を蛍光Ｘ線測定法によって測定することによって、較正
することを特徴とする付記１または２に記載の薄膜の密
度測定方法。 （付記４） 上記薄膜を成膜する際に用いた雰囲気ガス
の含有量を蛍光Ｘ線測定法によって測定する際に、真空
中で測定することを特徴とする付記３記載の薄膜の密度
測定方法。 （付記５） 付記１乃至４のいずれか１に記載の薄膜の
密度測定方法によって密度を管理した金属多層膜を、少
なくとも磁気抵抗効果素子或いは磁気記録媒体の少なく
とも一方に用いたことを特徴とする磁気ディスク装置。 （付記６） 上記密度を管理した金属多層膜によって、
磁気抵抗効果素子を構成することを特徴とする付記５記
載の磁気ディスク装置。 （付記７） 上記密度を管理した金属多層膜によって、
磁気記録媒体を構成することを特徴とする付記５記載の
磁気ディスク装置。 （付記８） 付記１乃至４のいずれか１に記載の薄膜の
密度測定方法によって密度を管理した保護膜を、磁気抵
抗効果素子及び磁気記録媒体の表面に設けたことを特徴
とする磁気ディスク装置。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線反射率法によって
測定した膜厚と、蛍光Ｘ線強度測定法によって求めた付
着量から薄膜の密度を決定しているので、Ｘ線反射率法
のみから求めた密度よりも精度良く求めることができ、
特に、非晶質の薄膜の密度を簡便な方法で精度良く測定
することができ、それによって、密度の高い成膜方法に
よって極薄膜を形成することが可能になるので、高記録
密度の磁気ディスク装置等の信頼性の向上に寄与すると
ころが大きい。
測定した膜厚と、蛍光Ｘ線強度測定法によって求めた付
着量から薄膜の密度を決定しているので、Ｘ線反射率法
のみから求めた密度よりも精度良く求めることができ、
特に、非晶質の薄膜の密度を簡便な方法で精度良く測定
することができ、それによって、密度の高い成膜方法に
よって極薄膜を形成することが可能になるので、高記録
密度の磁気ディスク装置等の信頼性の向上に寄与すると
ころが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態における薄膜の膜厚及び付
着量の測定方法を示す図である。
着量の測定方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における測定した薄膜の膜
厚とＸ線（Ｃ−Ｋα）強度の相関関係の説明図である。
厚とＸ線（Ｃ−Ｋα）強度の相関関係の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態における測定した薄膜の密
度と、Ｘ線反射率法によって測定した薄膜の密度の相関
の説明図である。
度と、Ｘ線反射率法によって測定した薄膜の密度の相関
の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態における薄膜中の雰囲気ガ
スの含有量の測定結果の説明図である。
スの含有量の測定結果の説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｎ 23/227 Ｇ０１Ｎ 23/227 Ｆターム(参考） 2F067 AA27 BB02 BB17 CC13 GG01 HH04 JJ03 KK01 KK08 RR14 RR44 2G001 AA01 BA04 BA08 BA15 CA01 CA03 FA02 FA09 FA29 KA01 KA11 MA05 NA03 NA07 NA11 NA17 5D034 BA04 DA04 DA07 5D112 AA07 AA24 BC05 JJ06
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に均一な成膜条件で膜厚の異なる
薄膜を成膜した複数の薄膜試料を用い、Ｘ線反射率法に
よって前記各薄膜の膜厚を測定するとともに、蛍光Ｘ線
測定法によって前記各薄膜の構成元素量を測定し、測定
した膜厚と構成元素量との相関関係の勾配から前記薄膜
の密度を求めることを特徴とする薄膜の密度測定方法。 - 【請求項２】 上記測定した薄膜の密度を、密度値が既
知の試料を用いて較正することを特徴とする請求項１記
載の薄膜の密度測定方法。 - 【請求項３】 上記測定した薄膜の密度を、前記薄膜に
含まれる該薄膜を成膜する際に用いた雰囲気ガスの含有
量を蛍光Ｘ線測定法によって測定することによって、較
正することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜
の密度測定方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜の密度測定方法によって密度を管理した金属多層膜
を、磁気抵抗効果素子或いは磁気記録媒体の少なくとも
一方に用いたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜の密度測定方法によって密度を管理した保護膜を、
磁気抵抗効果素子及び磁気記録媒体の表面に設けたこと
を特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223262A JP4282878B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 薄膜の密度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223262A JP4282878B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 薄膜の密度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002039969A true JP2002039969A (ja) | 2002-02-06 |
| JP4282878B2 JP4282878B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=18717381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000223262A Expired - Fee Related JP4282878B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 薄膜の密度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4282878B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008128672A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Hitachi Maxell Ltd | 層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法 |
| JP2009245490A (ja) * | 2008-03-29 | 2009-10-22 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体 |
| RU2498215C1 (ru) * | 2010-11-26 | 2013-11-10 | Баошань Айрон Энд Стил Ко., Лтд. | Способ измерения в режиме реального времени толщины пленки не содержащего хром покрытия на поверхности полосовой стали |
| JP2015129666A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 富士通株式会社 | Ｘ線分析方法及びｘ線分析装置 |
| WO2020066161A1 (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リガク | 測定装置、プログラム及び測定装置の制御方法 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202339A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 螢光ｘ線分析方法 |
| JPH05188019A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-07-27 | Hitachi Ltd | Ｘ線複合分析装置 |
| JPH0694653A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線分析装置 |
| JPH06221841A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 積層体の膜評価法及びこれを用いた膜評価装置及び薄膜製造装置 |
| JPH06338053A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | カーボン膜の膜質評価方法 |
| JPH0712714A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法 |
| JPH08184572A (ja) * | 1995-01-04 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 全反射ｘ線分析装置 |
| JPH1038821A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Hitachi Ltd | 薄膜積層体検査方法 |
| JPH10318737A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Technos Kenkyusho:Kk | 膜厚測定方法 |
| JPH1151882A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率測定装置およびｘ線反射率測定方法および磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
| JPH11108862A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率測定及び蛍光ｘ線測定による金属多層膜の構造解析方法及びそれに用いる標準試料及び装置 |
| JPH11296847A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体の評価方法および磁気記録媒体の製造方法ならびに磁気記録媒体の製造装置 |
| JP2000009666A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Rigaku Industrial Co | Ｘ線分析装置 |
| JP2000035408A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率法を用いた膜構造解析方法 |
| JP2000097883A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 積層構造検査法、成膜制御法、成膜装置および磁気記録再生装置 |
| JP2000121582A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Fujitsu Ltd | 金属多層膜のｘ線反射率プロファイル解析方法及び記憶媒体 |
| JP2000147199A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Rigaku Industrial Co | ベリリウム蛍光ｘ線分析用多層膜分光素子 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000223262A patent/JP4282878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202339A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 螢光ｘ線分析方法 |
| JPH05188019A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-07-27 | Hitachi Ltd | Ｘ線複合分析装置 |
| JPH0694653A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線分析装置 |
| JPH06221841A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 積層体の膜評価法及びこれを用いた膜評価装置及び薄膜製造装置 |
| JPH06338053A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | カーボン膜の膜質評価方法 |
| JPH0712714A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法 |
| JPH08184572A (ja) * | 1995-01-04 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 全反射ｘ線分析装置 |
| JPH1038821A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Hitachi Ltd | 薄膜積層体検査方法 |
| JPH10318737A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Technos Kenkyusho:Kk | 膜厚測定方法 |
| JPH1151882A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率測定装置およびｘ線反射率測定方法および磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
| JPH11108862A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率測定及び蛍光ｘ線測定による金属多層膜の構造解析方法及びそれに用いる標準試料及び装置 |
| JPH11296847A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体の評価方法および磁気記録媒体の製造方法ならびに磁気記録媒体の製造装置 |
| JP2000009666A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Rigaku Industrial Co | Ｘ線分析装置 |
| JP2000035408A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Fujitsu Ltd | Ｘ線反射率法を用いた膜構造解析方法 |
| JP2000097883A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 積層構造検査法、成膜制御法、成膜装置および磁気記録再生装置 |
| JP2000121582A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Fujitsu Ltd | 金属多層膜のｘ線反射率プロファイル解析方法及び記憶媒体 |
| JP2000147199A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Rigaku Industrial Co | ベリリウム蛍光ｘ線分析用多層膜分光素子 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| 北出康博，原嘉昭，渦巻拓也，清水豊，押木満雅，淡路直樹，古宮聰: ""Ｘ線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討"", 日本応用磁気学会学術講演概要集, vol. 第２１回、４ａＡ−５, JPN6008045041, 2 October 1997 (1997-10-02), JP, pages 250 - 250, ISSN: 0001260187 * |
| 北出康博・原嘉昭・渦巻拓也・押木満雅・清水豊・淡路直樹・古宮聰: ""Ｘ線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討"", 日本応用磁気学会誌, vol. 第２２巻、第４−２号, JPN6008045048, 15 April 1998 (1998-04-15), JP, pages 513 - 516, ISSN: 0001128114 * |
| 原嘉昭，北出康博，清水豊，渦巻拓也，押木満雅: ""Ｘ線反射率と蛍光Ｘ線測定による金属多層膜構造解析"", 日本応用磁気学会学術講演概要集, vol. 第２１回、５ａＣ−６, JPN6008045043, 2 October 1997 (1997-10-02), JP, pages 432, ISSN: 0001128115 * |
| 原嘉昭・北出康博・清水豊・渦巻拓也・押木満雅: ""Ｘ線反射率と蛍光Ｘ線測定による金属多層構造解析"", 日本応用磁気学会誌, vol. 第２２巻、第４−２号, JPN6008045038, 15 April 1998 (1998-04-15), JP, pages 601 - 604, ISSN: 0001260188 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008128672A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Hitachi Maxell Ltd | 層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法 |
| JP2009245490A (ja) * | 2008-03-29 | 2009-10-22 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体 |
| RU2498215C1 (ru) * | 2010-11-26 | 2013-11-10 | Баошань Айрон Энд Стил Ко., Лтд. | Способ измерения в режиме реального времени толщины пленки не содержащего хром покрытия на поверхности полосовой стали |
| JP2015129666A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 富士通株式会社 | Ｘ線分析方法及びｘ線分析装置 |
| WO2020066161A1 (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リガク | 測定装置、プログラム及び測定装置の制御方法 |
| KR20200136037A (ko) | 2018-09-28 | 2020-12-04 | 가부시키가이샤 리가쿠 | 측정 장치, 프로그램 및 측정 장치의 제어 방법 |
| US11125704B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-09-21 | Rigaku Corporation | Measurement system, program, and measurement system control method |
| EP3859320A4 (en) * | 2018-09-28 | 2021-12-01 | Rigaku Corporation | MEASURING DEVICE, PROGRAM AND MEASURING DEVICE CONTROL PROCESS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4282878B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Noyan et al. | Residual stress/strain analysis in thin films by X-ray diffraction | |
| US8298609B1 (en) | Method and system for interrogating the thickness of a carbon layer | |
| Yen et al. | Microstructure and properties of ultrathin amorphous silicon nitride protective coating | |
| JP2002039969A (ja) | 薄膜の密度測定方法及び磁気ディスク装置 | |
| Leung et al. | A search for strain gradients in gold thin films on substrates using x-ray diffraction | |
| Gehanno et al. | Structural and magnetic properties of epitaxial Fe0. 5Pd0. 5 thin films studied by Mössbauer spectroscopy | |
| Fu et al. | Dielectric tensor characterization and evaluation of several magneto‐optical recording media | |
| CN110767562B (zh) | 薄膜物相含量的测量方法 | |
| JPH0712714A (ja) | 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法 | |
| Morales et al. | Interdiffusion and exchange bias in the Mn x Pt 1− x/Co system | |
| JP2002221502A (ja) | 薄膜の密度測定方法 | |
| Richter et al. | Calibrating an ellipsometer using x-ray reflectivity | |
| Asinovsky | Optimization of the polycrystalline silicon-on-silicon dioxide characterization using spectroscopic ellipsometry | |
| De Groot | Optical properties of alumina titanium carbide sliders used in rigid disk drives | |
| JP3329197B2 (ja) | 薄膜積層体検査方法 | |
| Deyneka et al. | Depth profiles of Argon incorporated into Boron Nitride films during preparation and their temperature dependent evolution | |
| Birkholz | Thin films and multilayers | |
| JPH1038694A (ja) | エリプソメーター | |
| JP2000035408A (ja) | Ｘ線反射率法を用いた膜構造解析方法 | |
| Agbo et al. | PREFERRED CRYSTAL ORIENTATION IN THIN-FILM NANOCRYSTALLINE SILICON DETERMINED BY RAMAN SPECTROSCOPY. | |
| Lorenz et al. | Al1− xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties | |
| Li et al. | Evaluations of diamond-like-carbon film optical constants and their effects on flying height determination | |
| Scardi et al. | Residual stress in fiber-textured thin films of cubic materials | |
| JP2001126324A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| RU2772247C1 (ru) | Способ измерения внутренних напряжений многослойных наноструктурированных покрытий, основанный на использовании синхротронного излучения |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060726 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090303 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090318 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |