JP2002032030A - 電気光学装置の製造方法、端子の接続方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

電気光学装置の製造方法、端子の接続方法、電気光学装置および電子機器

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JP2002032030A JP2001078902A JP2001078902A JP2002032030A JP 2002032030 A JP2002032030 A JP 2002032030A JP 2001078902 A JP2001078902 A JP 2001078902A JP 2001078902 A JP2001078902 A JP 2001078902A JP 2002032030 A JP2002032030 A JP 2002032030A
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憲治 内山
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    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上の端子と実装基材の端子とを精度良く
接続する。 【解決手段】 端子９が形成された基板６ａと、出力用
端子１１ｃを備える配線基板１１とをＡＣＦ２０を介し
て接合する。出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、当該接
合時における基板６ａまたは配線基板１１の変形を考慮
して、端子９のピッチＰ１とは異なっている。そして、
上記接合の際に生じる基板６ａまたは配線基板１１の変
形に伴って、端子９のピッチＰ１’と出力用端子１１ｃ
のピッチＰ２’とが略同一となった状態で、両端子を接
続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置の製
造方法、電気光学装置および電子機器に関し、特に複数
の基材の各々に形成された端子群同士を接続するための
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶装置やエレクトロルミネッセ
ンス（ＥＬ）装置などに代表される電気光学装置は、携
帯電話機や携帯情報端末といった各種の電子機器の表示
装置として広く普及している。この電気光学装置は、多
くの場合、文字や数字、絵柄などの情報を表示するため
に用いられている。
【０００３】この種の電気光学装置は、液晶やＥＬとい
った電気光学物質を保持するための基板と、当該基板上
に形成され、電気光学物質に電圧を印加する電極とを備
えるのが一般的である。例えば、電気光学物質として液
晶を用いた液晶装置においては、液晶を挟持する一対の
基板の各々のうち他方の基板と対向する面に、液晶に電
圧を印加するための電極が形成されている。そして、液
晶に印加される電圧を制御することによって液晶の配向
方向が制御され、当該液晶を透過する光が変調される。
【０００４】かかる電気光学装置においては、通常、上
記電極に対して駆動信号を出力する駆動用ＩＣチップが
用いられる。この駆動用ＩＣチップは、例えば上記基板
と接合されるフレキシブル基板上に実装される。この場
合、フレキシブル基板上に形成された配線パターンおよ
び電極端子と、電気光学装置の基板に形成された端子と
は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導
電膜）などの導電性接着剤を介して接続されるのが一般
的である。ＡＣＦは、接着用樹脂に導通粒子を分散させ
たものである。具体的には、電気光学パネルの基板とフ
レキシブル基板とがＡＣＦ中の接着用樹脂によって接着
されるとともに、パネル基板上の端子とフレキシブル基
板上の端子とが導通粒子を介して電気的に接続される。
このようにＡＣＦを用いて電気光学パネルの基板とフレ
キシブル基板とを接合する工程においては、両者の間に
ＡＣＦを挟み込んだ状態で、フレキシブル基板を電気光
学パネルの基板に対して熱圧着するのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フレキ
シブル基板は上記熱圧着の際に熱膨張するため、当該フ
レキシブル基板に形成された端子の位置が熱圧着前の位
置とは異なってしまうという問題があった。そして、こ
のような端子の位置ずれが生じると、当該端子が、本来
接続されるべきパネル基板上の端子に接続されず、その
隣りの端子に接続されてしまったり、パネル基板上の複
数の端子にまたがって接続されてしまうといった具合
に、端子間接続の信頼性が低下してしまうという問題が
あった。かかる問題は、電気光学パネルの基板に形成さ
れた端子のピッチが細かい場合に、特に深刻な問題とな
る。
【０００６】本発明は、以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、基板上の端子と実装基材の端子との接
続信頼性を向上させることができる電気光学装置の製造
方法、端子の接続方法、電気光学装置および電子機器を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学
物質を保持する基板を備えた電気光学パネルと、当該基
板に接合された実装基材とを具備する電気光学装置の製
造方法であって、前記基板の面上に形成された第１端子
群と、前記第１端子群のピッチとは異なるピッチで前記
実装基材の面上に形成された第２端子群とを、前記基板
と前記実装基材との接合に伴って相互に接続する接続工
程を有し、前記接続工程においては、前記接合の際に生
じる前記基板または前記実装基材の変形に伴って略同一
のピッチとなった前記第１端子群と前記第２端子群とを
接続することを特徴としている。
【０００８】この製造方法によれば、基板および実装基
材の変形（伸縮）を考慮して前記第１端子群のピッチと
第２端子群のピッチとを異ならせてあるので、たとえ基
板と実装基材との接合に伴って当該基板または実装基材
が変形する場合であっても、前記第１端子群と第２端子
群とを精度良く接続することができる。つまり、基板ま
たは実装基材の変形に伴って第１端子群と第２端子群の
ピッチが変化して、接続時における両端子群の相対的な
位置がずれるといった事態を未然に防止することができ
るのである。一般的に、電気光学装置においては、基板
および実装基材の端子が極めて狭いピッチで多数形成さ
れているため、基板または実装基材の変形が、第１端子
群と第２端子群との接続精度に与え得る影響は比較的大
きい。したがって、本発明は、狭いピッチの端子同士の
接続を要する電気光学装置について適用した場合に、特
に顕著な効果を奏し得るということができる。
【０００９】なお、上記製造方法においては、前記接続
工程に先立って、前記基板の面上に相互に離間して形成
された複数の第１アライメントマークと、前記実装基材
の面上に前記第１アライメントマークの間隔と略同一の
間隔で相互に離間して形成された複数の第２アライメン
トマークとが合致するように、前記基板と前記実装基材
とを位置合わせする位置合わせ工程を行なうことが望ま
しい。すなわち、上記第１端子群および第２端子群につ
いては、基板と実装基材との接合前の状態において相互
にピッチを異ならせる反面、接合前において基板と実装
基材との位置合わせを行なう場合には、基板上の複数の
第１アライメントマークの間隔と実装基材上の複数の第
２アライメントマークの間隔とを略同一とすることが望
ましい。こうすれば、上記接続工程前における基板と実
装基材との相対的な位置を、第１アライメントマークと
第２アライメントマークとが合致するように調整するこ
とによって、両者の位置合わせを容易に行なうことがで
きる。なお、この場合、接続工程の後においては、基板
または実装基材の変形に伴って第１アライメントマーク
の間隔と第２アライメントマークの間隔とは異なること
となる。しかしながら、位置合わせを行なう時点におい
て両間隔が一致している限り、接続工程の後において双
方の間隔が一致しなくなっても問題は生じない。
【００１０】なお、前記接続工程においては、前記基板
と前記実装基材との間に接着層を介在させるとともに当
該接着層を加熱した状態で、当該基板と当該実装基材と
を圧着することが望ましい。こうすれば、基板と実装基
材とを確実に接合することができるとともに、第１端子
群と第２端子群とを一括して接続することが可能となり
生産性を向上させることができる。一方、かかる接合を
行なった場合には、当該接着層の加熱に伴って第１基材
または第２基材が熱変形しやすいと考えられるが、本発
明によれば、かかる熱変形を考慮して第１端子群および
第２端子群のピッチが選定されているため、上記熱変形
にもかかわらず第１端子群と第２端子群とを精度良く接
続することができる。例えば、前記第２基材の線膨張係
数が、前記第１の線膨張係数よりも高い場合には、当該
接合前における前記第２端子群のピッチを、前記第１端
子群のピッチよりも狭くすることが考えられる。
【００１１】より具体的には、前記実装基材として、測
定条件を１００℃ないし２００℃とした場合の線膨張係
数が２.５×１０-5／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材
料によって形成された厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下
の部材を用いた場合には、前記第２端子群のピッチを、
前記第１端子群のピッチの０．９９６倍以上０．９９７
倍以下とすることが考えられる。また、前記実装基材と
して、測定条件を２０℃ないし１００℃とした場合の線
膨張係数が０．８×１０-5／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ
以下の材料によって形成された厚さ５μｍ以上７５μｍ
以下の部材を用いた場合には、前記第２端子群のピッチ
を、前記第１端子群のピッチの実質的に０．９９８倍と
することが考えられる。
【００１２】なお、前記基板としては、ガラスおよびシ
リコンからなる群のうちから選択された材料を含むもの
を用いることができ、前記実装基材としては、ポリイミ
ドおよびポリエステルからなる群のうちから選択された
材料を含むものを用いることができる。基板および実装
基材の材料として上記組合わせの材料を用いた場合、特
にガラスを含む基板とポリイミドを含む実装基材とを用
いた場合には、双方の熱変形の程度の差が大きい（つま
り、線膨張係数の差が大きい）ため、本発明による上記
効果は一層顕著に現れる。
【００１３】上記課題を解決するため、本発明に係る端
子の接続方法は、第１基材の面上に形成された第１端子
群と、第２基材の面上に形成された第２端子群とを相互
に接続する方法において、前記第２端子群を前記第１端
子群のピッチと異なるピッチで形成し、前記第１基材と
前記第２基材との接合の際に生じる当該第１基材または
第２基材の変形に伴って略同一のピッチとなった前記第
１端子群と前記第２端子群とを接続することを特徴とし
ている。
【００１４】この方法によれば、第１基材および第２基
材の変形（伸縮）を考慮して前記第２端子群のピッチお
よび第１端子群のピッチを異ならせてあるので、第１基
材と第２基材との接合に伴って第１基材および第２基材
が変形する場合であっても、前記第１端子群と第２端子
群とを精度良く接続することができる。すなわち、第１
基材または第２基材の変形に伴って第１端子群と第２端
子群のピッチが変化して両者の相対的な位置がずれると
いった事態を未然に防止することができる。
【００１５】なお、前記第１基材と第２基材との接合に
おいては、両基材の間に接着層を介在させるとともに当
該接着層を加熱した状態で、当該第１基材と当該第２基
材とを圧着することが望ましい。こうすれば、両基材を
確実に接合することができるとともに、第１端子群と第
２端子群とを一括して接続することが可能となり生産性
を向上させることができる。一方、かかる方法を採った
場合には、上記接着層の加熱に伴って第１基材または第
２基材が熱変形しやすいと考えられるが、本発明によれ
ば、かかる熱変形を考慮して第１端子群または第２端子
群のピッチが選定されているため、上記熱変形にもかか
わらず第１端子群と第２端子群とを精度良く接続するこ
とができる。例えば、前記第２基材の線膨張係数が、前
記第１の線膨張係数よりも高い場合には、当該接合前に
おける前記第２端子群のピッチを、前記第１端子群のピ
ッチよりも狭くすることが考えられる。
【００１６】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る実装基材の製造方法は、他の基材に形成された第１
端子群と接続されるべき第２端子群を備え、前記基材に
熱圧着される実装基材の製造方法であって、前記他の基
材と当該実装基材との熱圧着後に、前記基板における前
記第１端子群の配列方向の長さはａ倍に伸長し、前記実
装基材における前記第２端子群の配列方向の長さはｂ倍
に伸長する場合に、前記第２端子群のピッチが、前記第
１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍となるように、当該第
２端子群を形成することを特徴としている。
【００１７】この方法によれば、実装基材と、当該実装
基材の接合対象たる他の基材とを接合する工程において
両者が変形したとしても、両基材に形成された端子同士
を精度良く接続することができる。すなわち、例えば、
第１端子群のピッチＰ１は熱圧着後においてＰ１×ａな
るピッチに変化する一方、第２端子群のピッチＰ２＝Ｐ
１×（ａ／ｂ）は熱圧着後においてＰ２×ｂ、すなわち
Ｐ１×ａなるピッチに変化し、第１端子群のピッチと第
２端子群のピッチとは略同一となるから、基材の熱変形
にもかかわらず両端子群を精度良く接続することができ
るのである。なお、前記第２端子群のピッチを規定する
係数ａないしｂは、当該実装基材の線膨張係数および前
記熱圧着の条件に応じた値である。ここで、前記第２端
子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）
倍とは、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上
（（ａ／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００１８】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る電気光学装置は、電気光学物質を保持する基板を備
えた電気光学パネルと、前記基板に接合された実装基材
と、前記基板の面上に形成された第１端子群と、前記基
板の面上に相互に離間して形成された複数の第１アライ
メントマークと、前記実装基材の面上に形成されるとと
もに、前記第１端子群と略同一のピッチで当該第１端子
群と接続された第２端子群と、前記実装基材の面上に形
成され、前記第１アライメントマークの間隔よりも広い
間隔をあけて相互に離間する複数の第２アライメントマ
ークとを具備することを特徴としている。
【００１９】かかる電気光学装置によれば、基板と実装
基材とを接合する場合の当該基材または実装基材の変形
を考慮して上記第１端子群または第２端子群のピッチが
選定される一方、当該接合前における第１アライメント
マークの間隔と第２アライメントマークの間隔は位置合
わせが容易になるように、すなわち基板または実装基材
の変形を考慮することなく設定することができるから、
位置合わせ作業を煩雑にすることなく、第１端子群と第
２端子群との接続を高精度に行なうことができる。
【００２０】なお、上記電気光学装置においては、前記
複数の第１アライメントマークのうちの一部と他の一部
とは、前記第１端子群を挟んで相互に対向する位置に形
成され、前記複数の第２アライメントマークのうちの一
部と他の一部とは、前記第２端子群を挟んで相互に対向
する位置に形成されていることが望ましい。このように
端子群を挟んで対向する位置にアライメントマークを形
成すれば、基板と実装基材との位置合わせを高精度に行
なうことができる。
【００２１】また、上記電気光学装置においては、前記
基板と前記実装基材とは、前記第１端子群と第２端子群
とを導通させるための導通粒子が分散された接着層を介
して接合されていることが望ましい。こうすれば、基板
と実装基材とを接着層によって確実に接合した状態で、
第１端子群と第２端子群とを確実に導通させることがで
きる一方、基板と実装基材との接合時における当該接着
層への加熱に伴って基板または実装基材が変形した場合
であっても、第１端子群と第２端子群とを精度良く接続
することができる。
【００２２】ここで、前記基板としては、ガラスおよび
シリコンからなる群のうちから選択された材料を含むも
のを用いることができ、前記実装基材としては、ポリイ
ミドおよびポリエステルからなる群のうちから選択され
た材料を含むものを用いることができる。基板および実
装基材の材料としてかかる組合わせを採用した場合、特
にガラスを含む基板とポリイミドを含む実装基材とを用
いた場合には、基板と実装基材との変形の程度の差が大
きいため、本発明による上記効果は特に顕著に現れる。
例えば、測定条件を１００℃ないし２００℃とした場合
の線膨張係数が２.５×１０-5／Ｋ以上２.６×１０-5／
Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５０μｍ以上１２
５μｍ以下の部材を上記実装基材として用いた場合に
は、前記第２アライメントマーク同士の間隔が、前記第
１アライメントマーク同士の間隔の１．００３倍以上
１．００４倍以下となることが望ましい。また、測定条
件を２０℃ないし１００℃とした場合の線膨張係数が
０．８×１０-5／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料
によって形成された厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材
を上記実装基材として用いた場合には、前記第２アライ
メントマーク同士の間隔が、前記第１アライメントマー
ク同士の間隔の実質的に１．００２倍となることが望ま
しい。
【００２３】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴
としている。上述したように、本発明に係る電気光学装
置によれば、基板と実装基材との接合時におけるこれら
の熱変形を補償して、第１端子群と第２端子群とを精度
良く接続することができるから、この電気光学装置を備
えた電子機器においては、接続不良といった不具合を回
避して高い信頼性を担保することができる。
【００２４】また、上記課題を解決するため、本発明に
おいては、電気光学パネルの基板に熱圧着される実装基
材において、前記基板に形成された第１端子群と接続さ
れるべき第２端子群を備え、前記基板と当該実装基材と
の熱圧着の後、前記基板における前記第１端子群の配列
方向の長さがａ倍に伸長する一方、当該実装基材におけ
る前記第２端子群の配列方向の長さがｂ倍に伸長する場
合に、前記熱圧着前における前記第２端子群のピッチ
が、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍に設定され
ていることを特徴としている。かかる実装基材によれ
ば、当該実装基材と基板との接合に伴って当該実装基材
が伸長した場合であっても、第２端子群と第１端子群と
を精度良く接続することができる。ここで、前記第２端
子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）
倍とは、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上
（（ａ／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００２５】すなわち、例えば、第１端子群のピッチＰ
１は熱圧着後においてＰ１×ａなるピッチに変化する一
方、第２端子群のピッチＰ２＝Ｐ１×（ａ／ｂ）は熱圧
着後においてＰ２×ｂ、すなわちＰ１×ａなるピッチに
変化し、第１端子群のピッチと第２端子群のピッチとは
略同一となるから、基材の熱変形にもかかわらず両端子
群を精度良く接続することができるのである。もっと
も、電気光学装置の基板として熱変形がほとんど生じな
い材料からなるもの（例えばガラス基板など）を用いた
場合には、上記係数ａを「１」としても、本発明の所期
の効果を得ることができる。ここで、前記第２端子群の
ピッチが、前記第１端子群のピッチの（１／ｂ）倍と
は、実質的に（（１／ｂ）−０．００１）以上（（１／
ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。かかる実施の形態は、本発
明の一態様を示すものであり、この発明を限定するもの
ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可
能である。
【００２７】＜Ａ：電気光学装置の構成＞まず、電気光
学物質として液晶を用いた液晶装置に本発明を適用した
形態を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置を
分解して示す斜視図、図２はこの液晶装置の部分断面図
である。これらの図に示されるように、この液晶装置１
は、液晶パネル２と、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive
Film：異方性導電膜）２０を介して当該液晶パネル２
に接合された実装構造体３とを有する。ＡＣＦ２０は、
一対の端子同士を異方性をもって電気的に一括接続する
ために用いられる高分子フィルムである。具体的には、
ＡＣＦ２０は、図２に示されるように、例えば熱可塑性
または熱硬化性を有する接着用樹脂２１に多数の導通粒
子２２が分散されたものである。なお、液晶パネル２に
は、実装構造体３のほかにも、バックライト等の照明装
置やその他の付帯機器が必要に応じて付設されるが、本
発明とは直接の関係がないためその図示および説明を省
略する。
【００２８】液晶パネル２は、シール材４を介して貼り
合わされた一対の基板６ａおよび６ｂと、両基板の間隙
（いわゆるセルギャップ）に封止された液晶とを有す
る。基板６ａおよび６ｂは、例えばガラスや合成樹脂と
いった透光性を有する材料からなる板状部材である。具
体的には、ソーダ石灰ガラス、無アルカリガラスやホウ
ケイ酸ガラス、石英ガラス、シリコン基板などからなる
板状部材を、基板６ａまたは６ｂとして用いることがで
きる。一般に、液晶パネル用ガラスは、シリカ（ＳｉＯ
2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化バリューム（Ｂａ
Ｏ）、酸化ホウソ（Ｂ２Ｏ3）、酸化ストロンチューム
（ＳｒＯ）、酸化カルシューム（ＣａＯ）などを主成分
とするガラスが用いられている。基板６ａおよび６ｂの
外側（液晶とは反対側）の表面には、入射光を偏光させ
るための偏光板８ａおよび８ｂがそれぞれ貼り付けられ
る。
【００２９】基板６ａの内側（液晶側）表面には電極７
ａが形成されている。一方、基板６ｂの内側表面には電
極７ｂが形成されている。電極７ａあるいは電極７ｂ
は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ
酸化物）などの透明導電材料によって、ストライプ状ま
たは文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成され
る。なお、電極７ａおよび７ｂならびに端子９は、実際
には極めて狭いピッチで基板６ａおよび６ｂ上に多数形
成されるが、図１および以下に示される各図において
は、構造を分かり易く示すためにそれらの間隔を拡大し
て模式的に示し、さらにそれらのうちの数本を図示する
ことにして他の部分を省略してある。
【００３０】また、基板６ａは基板６ｂから張り出した
領域（以下、「張り出し部」と表記する）を有し、その
張り出し部には複数の端子９が形成されている。各端子
９は、基板６ａ上に電極７ａを形成する工程において当
該電極７ａと同時に形成される。したがって、端子９
は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料からなる。これら
の端子９には、当該基板６ａ上の電極７ａから張り出し
部に延在して形成されたものと、導電材（図示略）を介
して基板６ｂ上の電極７ｂに接続されるものとがある。
さらに、図１に示されるように、端子９の両側にはそれ
ぞれアライメントマーク１０が設けられている。アライ
メントマーク１０は電極７ａおよび端子９と同一工程に
おいて同時に形成される。このアライメントマーク１０
は、基板６ａと実装構造体３とを接合する際に、両者の
位置合わせのために用いられる。
【００３１】実装構造体３は、配線基板１１と、当該配
線基板１１上に実装された液晶駆動用ＩＣ１２およびチ
ップ部品１３とを有する。配線基板１１は、ベース基材
１１ａの面上に銅（Ｃｕ）などからなる配線パターン１
１ｂが形成されたものである。本実施形態におけるベー
ス基材１１ａは、可撓性を有するフィルム状の部材であ
り、例えばポリイミドやポリエステルなどから構成され
る。かかるベース基材１１ａの線膨張係数は、当該ベー
ス基材１１ａが接合される基板６ａの線膨張係数よりも
高い。なお、配線パターン１１ｂは、接着剤によってベ
ース基材１１ａの表面に固着されたものであってもよい
し、スパッタリング法やロールコート法などの成膜法を
用いてベース基材１１ａの表面に直接形成されたもので
あってもよい。また、配線基板１１は、エポキシ基板の
ように比較的硬質で厚みのあるベース基材の面上に銅な
どによって配線パターン１１ｂが形成されたものであっ
てもよい。
【００３２】図１および図２に示されるように、配線パ
ターン１１ｂは、実装構造体３の一方の縁端部近傍に位
置する出力用端子１１ｃから液晶駆動用ＩＣ１２に向か
って延在するものと、実装構造体３の他方の縁端部近傍
に位置する入力用端子１１ｄから液晶駆動用ＩＣ１２に
向かって延在するものとがある。このうち出力用端子１
１ｃは、当該実装構造体３がＡＣＦ２０を介して基板６
ａ上に接合された状態において、当該ＡＣＦ２０中の導
通粒子２２を介して基板６ａ上の端子９と電気的に接続
される。
【００３３】液晶駆動用ＩＣ１２は、図２に示されるよ
うに、上記ＡＣＦ２０と同様のＡＣＦ１２ｂによって配
線基板１１上に実装される。そして、いずれの配線パタ
ーン１１ｂも、液晶駆動用ＩＣ１２の近傍に至った端部
である接続端子１１ｅにおいて、液晶駆動用ＩＣ１２の
バンプ（突起電極）１２ａに接続されるようになってい
る。すなわち、図２に示されるように、液晶駆動用ＩＣ
１２がＡＣＦ１２ｂ中の接着用樹脂によって配線基板１
１上に固着されるとともに、液晶駆動用ＩＣ１２のバン
プ１２ａと、配線パターン１１ｂの接続端子１１ｅと
が、当該ＡＣＦ１２ｂ中の導通粒子を介して電気的に接
続されるのである。なお、上記配線基板１１のベース基
材１１ａとして可撓性基板を用い、その面上に実装部品
を実装すればＣＯＦ（Chip On Film）方式の実装構造体
が構成され、他方、配線基板１１のベース基材１１ａと
して硬質の基板を用いてその上に実装部品を実装すれば
ＣＯＢ（Chip On Board）方式の実装構造体が構成され
る。
【００３４】また、図１に示されるように、配線基板１
１の面上にあって出力用端子１１ｃの両側には、それぞ
れアライメントマーク１５が設けられている。アライメ
ントマーク１５は、配線パターン１１ｂと同一工程にお
いて同時に形成され、上述したアライメントマーク１０
とともに、基板６ａと実装構造体３とを接合する際の位
置合わせのために用いられる。
【００３５】次に、基板６ａ上の端子９のピッチと、配
線基板１１の出力用端子１１ｃのピッチとの関係、およ
び基板６ａ上のアライメントマーク１０同士の距離と、
配線基板１１上のアライメントマーク１５同士の距離と
の関係について説明する。ここで、本明細書における
「端子（群）のピッチ」とは、ひとつの端子における特
定の位置から、当該端子に隣接する他の端子における同
位置までの距離である。すなわち、図３に示すように、
ある端子Ｔ１（端子９または出力用端子１１ｃ）に着目
したとき、当該端子Ｔ１の幅ｗと、当該端子Ｔ１に一方
の側において隣接する端子Ｔ２までの間隔ｄとを合わせ
た距離が「端子（群）のピッチＰ」に相当する。なお、
本実施形態においては、各端子の幅ｗと当該端子に隣接
する端子までの間隔ｄとが概ね等しい場合を想定する。
【００３６】図４は、本実施形態における基板６ａと配
線基板１１とを図１における下側からみた場合の平面図
である。なお、図４においては基板６ａと配線基板１１
とが接合される前の状態が示されている。基板６ａと配
線基板１１との接合工程においては、両者の間に介挿さ
れたＡＣＦ２０に熱を加えつつ、配線基板１１を基板６
ａ側に押圧する。この熱圧着時には配線基板１１も加熱
されるため、当該配線基板１１は熱膨張する。そして、
本実施形態においては、上記熱圧着前の出力用端子１１
ｃのピッチＰ２およびアライメントマーク１５同士の距
離Ｗ２が、かかる熱膨張の前後にわたる当該配線基板１
１の変形を考慮して選定されている。より具体的には、
図４に示されるように、基板６ａと配線基板１１とが接
合される前の状態において、配線基板１１上に形成され
た一対のアライメントマーク１５同士の間隔Ｗ２は、基
板６ａ上に形成された一対のアライメントマーク１０同
士の間隔Ｗ１と略同一となっている。
【００３７】他方、この状態において、配線基板１１の
出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、基板６ａ上の端子９
のピッチＰ１とは異なっている。すなわち、本実施形態
においては、配線基板１１の線膨張係数が基板６ａの線
膨張係数よりも大きいため、熱圧着による膨張の程度
は、基板６ａよりも配線基板１１の方が大きい。このた
め、配線基板１１が熱変形（膨張）した後の出力用端子
１１ｃのピッチＰ２’が熱圧着後における基板６ａの端
子９のピッチＰ１’と略同一となるように、熱圧着前の
配線基板１１上の出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、基
板６ａの端子９のピッチＰ１よりも狭いピッチに予め設
定されているのである。詳細は後述するが、端子のピッ
チおよびアライメントマークの間隔を上記のように選定
することにより、アライメント作業の容易性を確保しつ
つ、熱圧着後の端子の接続精度を高めることができる。
【００３８】＜Ｂ：液晶パネルと実装構造体との接合＞
次に、図２中のIII−III線の断面図に相当する図５およ
び図６を参照して、液晶パネル２と実装構造体３とを接
合する工程について説明する。ここで、液晶パネル２と
実装構造体３とを接続する工程は、液晶パネル２と実装
構造体３との位置合わせを行なった状態で両者を仮固定
する位置合わせ工程と、基板６ａと配線基板１１とを熱
圧着によって接合する接合工程とからなる。以下、これ
らの各工程の内容について説明する。なお、図５および
図６は、説明の便宜上、端子９および出力用端子１１ｃ
の本数が実際よりも少なく表現されている。
【００３９】＜Ｂ−１：位置合わせ工程＞位置合わせ工
程においては、まず、基板６ａまたは配線基板１１のい
ずれか一方のうち他方と接合されるべき部分に、粘着性
を有するＡＣＦ２０を貼り付ける。次いで、基板６ａの
アライメントマーク１０と配線基板１１のアライメント
マーク１５とが合致するように、液晶パネル２と実装構
造体３と位置合わせを行なう。具体的には、例えば、Ｃ
ＣＤカメラなどによって基板６ａ側からアライメントマ
ーク１０およびアライメントマーク１５を撮像しつつ、
当該アライメントマーク１０とアライメントマーク１５
とが完全に合致するように、当該液晶パネル２と実装構
造体３との相対的な位置を調整する。こうして位置合わ
せが完了した後、液晶パネル２と実装構造体３との位置
関係を維持したまま基板６ａと配線基板１１とを仮固定
する。すなわち、図５に示されるように、基板６ａと配
線基板１１の双方をＡＣＦ２０に接触させることによ
り、当該ＡＣＦ２０の粘着性を利用して両者を予備的に
固定するのである。なお、図５においては、アライメン
トマーク１０および１５の各々の中心位置が「Ｘ１」お
よび「Ｘ２」によって示されており、一対のアライメン
トマークの間の中点が「Ｘ０」によって示されている。
【００４０】ここで、図７（ａ）は、図５に示された状
態を、同図中の上側からみた平面図である。上述したよ
うに、基板６ａと配線基板１１との熱圧着前において
は、基板６ａ上の一対のアライメントマーク１０の間隔
Ｗ１と、配線基板１１上の一対のアライメントマーク１
５の間隔Ｗ２とは略同一である。したがって、図７
（ａ）に示されるように、基板６ａ上のアライメントマ
ーク１０と、配線基板１１上のアライメントマーク１５
とが合致するように基板６ａと配線基板１１とを重ね合
わせることにより、両者の相対的な位置を合わせる作業
を容易に行なうことができる。一方、上述したように、
熱圧着前においては、配線基板１１上の出力用端子１１
ｃのピッチＰ２は、基板上６ａ上の端子９のピッチＰ１
よりも狭くなっている。したがって、上記位置合わせ工
程の直後においては、図５および図７（ａ）に示される
ように、端子９と出力用端子１１ｃとは互いにずれた位
置にある。
【００４１】＜Ｂ−２：接合工程＞上記位置合わせ工程
の後、液晶パネル２と配線基板１１とを接合する接合工
程が実行される。すなわち、まず、図６（ａ）に示され
るように、配線基板１１における液晶パネル２とは反対
側の面に、その全面にわたって熱圧着ヘッド５０を接触
させる。熱圧着ヘッド５０は、加工対象に熱を加えつつ
押圧することができるものである。そして、かかる熱圧
着ヘッド５０によって当該配線基板１１を液晶パネル２
側に押圧する。このとき、熱圧着ヘッド５０に発生した
熱は、配線基板１１を介してＡＣＦ２０に与えられる。
この結果、図６（ａ）に示されるようにＡＣＦ２０の接
着用樹脂２１は溶解し、基板６ａと配線基板１１とは徐
々に接近する。なお、図６（ａ）および（ｂ）において
は、基板６ａ上のアライメントマーク１０の位置が「Ｘ
３」および「Ｘ５」によって示されるとともに、配線基
板１１上のアライメントマーク１５の位置が「Ｘ４」お
よび「Ｘ６」によって示されている。
【００４２】こうして配線基板１１への押圧を続け、当
該配線基板１１と基板６ａとが充分に近接したところで
熱圧着ヘッド５０による加熱を停止する。この結果、Ａ
ＣＦ２０の接着用樹脂２１は硬化し、図６（ｂ）に示さ
れるように、端子９と出力用端子１１ｃとが導通粒子２
２を介して電気的に接続された状態で、基板６ａと配線
基板１１とが接着用樹脂２１によって接合される。
【００４３】上記接合工程においては、熱圧着ヘッド５
０によるＡＣＦ２０の加熱に伴って配線基板１１が熱膨
張し、この結果、配線基板１１の出力用端子１１ｃのピ
ッチが広がる。ここで、上述したように、本実施形態に
おいては、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチ
Ｐ２が、当該配線基板１１の熱変形後において端子９の
ピッチＰ１’と略同一となるように、予め設定されてい
る。したがって、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示され
るように、上記接合工程において生じる配線基板１１の
熱膨張に伴って、基板６ａ上の端子９と略同一のピッチ
Ｐ２’となった出力用端子１１ｃが、当該端子９と接続
される。
【００４４】例えば、基板６ａと配線基板１１との熱圧
着の前後で、当該基板６ａにおける端子９の配列方向
（図６および図７における左右方向）の長さがａ倍に伸
長し、当該配線基板１１における出力用端子１１ｃの配
列方向の長さがｂ倍に伸長する場合を想定する。この
「ａ」および「ｂ」（以下、「伸長率」と表記する）の
値は、基板６ａおよび配線基板１１の線膨張係数、ベー
ス基材１１ａまたは出力用端子１１ｃの厚さ、もしくは
熱圧着時の温度、圧力または時間などに応じた値であ
る。そして、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッ
チＰ２は、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の（ａ
／ｂ）倍となるように、予め設定されている。ここで、
熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２が、熱
圧着前における端子９のピッチＰ１の（ａ／ｂ）倍と
は、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上（（ａ／
ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。この場
合、上記熱圧着前における端子９のピッチＰ１は、熱圧
着後においてピッチＰ１’＝Ｐ１×ａに変化する一方、
上記熱圧着前の出力用端子１１ｃのピッチＰ２＝Ｐ１×
（ａ／ｂ）は、熱圧着後においてピッチＰ２’＝Ｐ１×
ａとなる。すなわち、熱圧着後における端子９のピッチ
Ｐ１’と出力用端子１１ｃのピッチＰ２’とは同一とな
るのである。ただし、基板６ａとしてガラス基板などを
用いた場合、当該基板６ａは熱圧着の前後においてほと
んど伸長しないから、上記伸長率ａを「１」に設定して
もよい。ここで、熱圧着前における出力用端子１１ｃの
ピッチＰ２が、圧着前における端子９のピッチＰ１の
（１／ｂ）倍とは、実質的に（（１／ｂ）−０．００
１）以上（（１／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念
である。
【００４５】一方、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示さ
れるように、配線基板１１は熱圧着ヘッド５０によって
加熱された部位全体にわたって伸長するため、熱圧着後
において、配線基板１１上のアライメントマーク１５同
士の間隔Ｗ２’（＝Ｗ２×ｂ）は、基板６ａ上のアライ
メントマーク１０同士の間隔Ｗ１’（＝Ｗ１×ａ）より
も広くなる。すなわち、図５を例にとって説明したよう
に接合工程の直前においてはアライメントマーク１０と
アライメントマーク１５とが合致するのに対し、熱圧着
後においては、アライメントマーク１０の位置とアライ
メントマーク１５の位置とが互いにずれた位置となる。
もっとも、基板６ａと配線基板１１との接合後において
アライメントマーク１０とアライメントマーク１５とが
合致しない（ずれた）状態となっても、位置合わせ工程
において合致していれば何ら問題は生じない。
【００４６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、接合工程における配線基板１１の伸長を補償するよ
うに、予め出力用端子１１ｃのピッチを端子９のピッチ
よりも狭く設定しているため、熱圧着後における端子９
のピッチと出力用端子１１ｃのピッチとを略同一とする
ことができる。したがって、端子９と出力用端子１１ｃ
とを精度良く接続できる。一方、熱圧着前においては、
アライメントマーク１０の間隔とアライメントマーク１
５の間隔とが略同一となっているため、これらが合致す
るように液晶パネル２と実装構造体３との位置を調整す
ることによって、容易に両者の相対的な位置合わせを行
なうことができる。
【００４７】＜Ｃ：実施例＞次に、本発明の実施例につ
いて説明する。
【００４８】＜Ｃ−１：実施例１＞本実施例において
は、配線基板１１のベース基材１１ａとしてカプトン
（商品名。デュポン、東レデュポン株式会社製）を用い
た。この場合、ベース基材１１ａは、測定条件を１００
℃ないし２００℃としたときの線膨張係数が２.５１０-
5／Ｋないし２.６×１０-5／Ｋであり、厚さは５０μｍ
ないし１２５μｍである。かかるベース基材１１ａに出
力用端子１１ｃなどが形成された配線基板１１ａを実装
構造体３として、圧着温度１７０℃、圧着圧力３ＭＰ
ａ、圧着時間２０秒の条件の下、上記熱圧着工程を行な
った。この場合、配線基板１１は、出力用端子１１ｃの
配列方向（幅方向）に０．３ないし０．４％の割合で伸
長するという結果を得た。この結果を踏まえて、上記配
線基板１１の伸長を補償し得るように、熱圧着前の出力
用端子１１ｃのピッチを端子９のピッチよりも狭く設定
した。具体的には、出力用端子１１ｃのピッチを、端子
９のピッチの０．９９６倍ないし０．９９７倍のピッチ
に設定した。なお、アライメントマーク１５の間隔は、
アライメントマーク１０の間隔と略同一とした。かかる
ピッチ補正を行なった配線基板１１を、上述した熱圧着
条件の下で基板６ａに熱圧着したところ、端子９と出力
用端子１１ｃとを精度良く接続することができた。さら
に、当該熱圧着前においては、アライメントマーク１０
とアライメントマーク１５とを重ね合わせることによっ
て、液晶パネル２と実装構造体３との位置合わせ作業を
極めて容易に行なうことができた。
【００４９】＜Ｃ−２：実施例２＞本実施例において
は、配線基板１１のベース基材１１ａとしてユーピレッ
クス（商品名。宇部興産株式会社製）を用いた。この場
合、ベース基材１１ａは、測定条件を２０℃ないし１０
０℃としたときの線膨張係数が０．８×１０-5／Ｋない
し１．０×１０-5／Ｋであり、厚さは５μｍ以上７５μ
ｍである。かかるベース基材１１ａを用いた配線基板１
１を、圧着温度１７０℃、圧着圧力３ＭＰａ、圧着時間
２０秒という条件の下で基板６ａに圧着したところ、配
線基板１１は、出力用端子１１ｃの配列方向に０．２％
の割合で伸長するという結果を得た。この結果を踏まえ
て、上記配線基板１１の伸長を補償し得るように、熱圧
着前の出力用端子１１ｃのピッチを、端子９のピッチの
実質的に０．９９８倍に設定した。この場合にも、アラ
イメントマーク１５の間隔は、アライメントマーク１０
の間隔と略同一とした。かかるピッチ補正を行なった配
線基板１１を、上述した熱圧着条件の下で基板６ａに熱
圧着したところ、端子９と出力用端子１１ｃとを精度良
く接続でき、かつ液晶パネル２と実装構造体３との位置
合わせ作業を容易に行なうことができた。
【００５０】＜Ｄ：変形例＞以上この発明の一実施形態
について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示で
あり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱
しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例
としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００５１】＜Ｄ−１：変形例１＞上記実施形態におい
ては、液晶駆動用ＩＣが実装された配線基板１１を、液
晶パネル２の基板６ａに接合する場合を想定したが、液
晶駆動用ＩＣをＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて
基板６ａ上に実装するようにしてもよい。この場合、配
線基板１１は、ベース基材１１ａ上に、当該液晶駆動用
ＩＣの入力端子と外部回路基板とを接続するための配線
パターンが形成されたものとなる。このように、本発明
は、何らかの端子が形成された電気光学パネルの基材
と、当該端子に接続されるべき端子が形成された実装基
材（配線基板１１に相当する）とが接合される構成を採
る電気光学装置であれば、他の構成要素の態様の如何を
問わず本発明を適用可能である。例えば、上記実施形態
においては、液晶パネル２に１個の実装構造体３を接続
する構成の液晶装置を例示したが、液晶パネル２に複数
個の実装構造体３を接合する構成の液晶装置に対しても
本発明を適用可能である。
【００５２】さらに、本発明に係る製造方法を適用でき
るのは、電気光学パネルの基板と実装基材とを接合する
場合に限定されるものではない。すなわち、複数の第１
端子（第１端子群）が形成された第１基材と、前記第１
端子と接続されるべき複数の第２端子（第２端子群）が
形成された第２基材とを接合するすべての場合に、本発
明を適用することができる。
【００５３】＜Ｄ−２：変形例２＞上記実施形態におい
ては、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置に本発
明を適用した場合を例示したが、本発明を適用できる電
気光学装置はこれに限られるものではない。すなわち、
電気光学物質としてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）
素子を用いたＥＬ表示装置や、電気光学物質としてガス
を用いたプラズマディスプレイパネルなど、電気光学物
質の電気光学効果によって表示を行なう各種の装置に
も、本発明を適用可能である。このように、端子が形成
された基板と、当該端子に接続されるべき端子を備えた
実装基材とが接合される構成を採るものであれば、他の
構成要素の態様の如何を問わず本発明を適用可能であ
る。
【００５４】＜Ｄ−３：変形例３＞上記実施形態におい
ては、液晶パネル２の基板６ａとしてガラスを用いた
が、この基板６ａの材料としてプラスチックを用いるこ
ともできる。さらに、このプラスチックとしては、ポリ
カボネート、アクリル（アクリル酸エステル樹脂、メタ
クリル酸エステル樹脂など）、ＰＥＳ（ポリエーテルス
ルホン）、ＰＡｒ（ポリアリレート）、ＰｈＥ（フェノ
キシエーテル）などを用いることができる。
【００５５】なお、基板６ａとして線膨張係数が比較的
小さい（つまり、膨張しにくい）ガラスなどを含むもの
を用いる場合、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピ
ッチＰ２を、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の
（１／ｂ）倍のピッチとなるように近似的に設定しても
よいことは上述した通りである。しかしながら、基板６
ａとして線膨張係数が比較的大きい（つまり、膨張しや
すい）プラスチックを含むものを用いる場合には、上記
伸長率ａおよびｂの双方を考慮することが望ましい。す
なわち、伸長率ａを「１」に近似することなく、熱圧着
前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２を、熱圧着前
における端子９のピッチＰ１の（ａ／ｂ）倍のピッチに
設定することが望ましい。
【００５６】＜Ｅ：電子機器＞次に、本発明に係る電気
光学装置を用いた電子機器について説明する。図８は、
かかる電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視
図である。同図に示されるように、携帯電話機３０は、
アンテナ３１、スピーカ３２、電気光学装置１、キース
イッチ３３およびマイクロホン３４といった各種の構成
要素と、当該各構成要素を収容する外装ケース３６とを
有する。さらに、外装ケース３６の内部には、上記の各
構成要素の動作を制御するための制御回路を搭載した制
御回路基板３７が設けられる。電気光学装置１は、上記
実施形態に係る液晶装置などによって構成される。
【００５７】この構成の下、キースイッチ３３およびマ
イクロホン３４から入力された信号や、アンテナ３１に
よって受信された受信データなどが制御回路基板３７の
制御回路に与えられる。そして、この制御回路は、与え
られた各種データに基づいて、電気光学装置の表示面内
に数字や文字、絵柄などの画像を表示する。さらに制御
回路は、アンテナ３１を介してデータを送信する。
【００５８】なお、本発明に係る電気光学装置を適用可
能な電子機器としては、図８に例示された携帯電話機の
ほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ
直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装
置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワ
ークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタ
ルスチルカメラ、あるいは本発明に係る電気光学装置を
ライトバルブとして用いたプロジェクタなどが挙げられ
る。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板と実装基材との接合の際に当該基板または実装基材
に変形が生じた場合であっても、当該基板上の端子と実
装基材の端子とを精度良く接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態に係る液晶装置を分解して
示す斜視図である。
【図２】 同液晶装置における液晶パネルと実装構造体
との接合部近傍の構成を示す断面図である。
【図３】 端子（群）のピッチについて説明するための
図である。
【図４】 同液晶装置における端子およびアライメント
マークの位置関係を説明するための図である。
【図５】 同液晶装置の製造工程のうち位置合わせ工程
における構成を示す断面図である。
【図６】 （ａ）は、同液晶装置の製造工程のうち接合
工程の途中の構成を示す断面図であり、（ｂ）は当該接
合工程の後の構成を示す断面図である。
【図７】 （ａ）は、上記位置合わせ工程の直後におけ
る液晶装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記接
合工程の直後における液晶装置の構成を示す平面図であ
る。
【図８】 本発明に係る電気光学装置を適用した電子機
器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置） ６ａ 基板（第１基材） ９ 端子（第１端子群） １０ アライメントマーク １１ａ ベース基材（実装基材） １１ｃ 出力用端子（第２端子群） １５ アライメントマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｒ 1/03 ６７０ 1/03 ６７０Ｚ 1/11 1/11 Ｄ 1/14 1/14 Ｃ 3/36 3/36 Ａ 3/40 3/40 Ｃ

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気光学物質を保持する基板を備えた電
    気光学パネルと、当該基板に接合された実装基材とを具
    備する電気光学装置の製造方法であって、 前記基板の面上に形成された第１端子群と、前記第１端
    子群のピッチとは異なるピッチで前記実装基材の面上に
    形成された第２端子群とを、前記基板と前記実装基材と
    の接合に伴って相互に接続する接続工程を有し、 前記接続工程においては、前記接合の際に生じる前記基
    板または前記実装基材の変形に伴って略同一のピッチと
    なった前記第１端子群と前記第２端子群とを接続するこ
    とを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記接続工程に先立ち、前記基板の面上
    に相互に離間して形成された複数の第１アライメントマ
    ークと、前記実装基材の面上に前記第１アライメントマ
    ークの間隔と略同一の間隔で相互に離間して形成された
    複数の第２アライメントマークとが合致するように、前
    記基板と前記実装基材とを位置合わせする位置合わせ工
    程を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学
    装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記接続工程においては、前記基板と前
    記実装基材との間に接着層を介在させるとともに当該接
    着層を加熱した状態で、当該基板と当該実装基材とを圧
    着することを特徴とする請求項１または２に記載の電気
    光学装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記実装基材の線膨張係数は、前記基板
    の線膨張係数よりも高く、 当該接続工程前における前記第２端子群のピッチは、前
    記第１端子群のピッチよりも狭いことを特徴とする請求
    項３に記載の電気光学装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記実装基材は、測定条件を１００℃な
    いし２００℃とした場合の線膨張係数が２.５×１０-5
    ／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成さ
    れた厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下の部材であり、 前記第２端子群のピッチは、前記第１端子群のピッチの
    ０．９９６倍以上０．９９７倍以下であることを特徴と
    する請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記実装基材は、測定条件を２０℃ない
    し１００℃とした場合の線膨張係数が０．８×１０-5／
    Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成され
    た厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材であり、 前記第２端子群のピッチは、前記第１端子群のピッチの
    実質的に０．９９８倍であることを特徴とする請求項４
    に記載の電気光学装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記基板は、ガラスおよびシリコンから
    なる群のうちから選択された材料を含み、前記実装基材
    は、ポリイミドおよびポリエステルからなる群のうちか
    ら選択された材料を含むことを特徴とする請求項１また
    は２に記載の電気光学装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記基板はガラスを含み、前記実装基材
    はポリイミドを含むことを特徴とする請求項１または２
    に記載の電気光学装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 第１基材の面上に形成された第１端子群
    と、第２基材の面上に形成された第２端子群とを相互に
    接続する方法において、 前記第２端子群を前記第１端子群のピッチと異なるピッ
    チで形成し、 前記第１基材と前記第２基材との接合の際に生じる当該
    第１基材または第２基材の変形に伴って略同一のピッチ
    となった前記第１端子群と前記第２端子群とを接続する
    ことを特徴とする端子の接続方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１基材と第２基材との接合にお
    いては、両基材の間に接着層を介在させるとともに当該
    接着層を加熱した状態で、当該第１基材と当該第２基材
    とを圧着することを特徴とする請求項９に記載の端子の
    接続方法。
  11. 【請求項１１】 前記第２基材の線膨張係数は、前記第
    １の線膨張係数よりも高く、 当該接合前における前記第２端子群のピッチは、前記第
    １端子群のピッチよりも狭いことを特徴とする請求項１
    ０に記載の端子の接続方法。
  12. 【請求項１２】 他の基材に形成された第１端子群と接
    続されるべき第２端子群を備え、前記基材に熱圧着され
    る実装基材の製造方法であって、 前記他の基材と当該実装基材との熱圧着後に、前記基板
    における前記第１端子群の配列方向の長さはａ倍に伸長
    し、前記実装基材における前記第２端子群の配列方向の
    長さはｂ倍に伸長する場合に、前記第２端子群のピッチ
    が前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍となるよう
    に、当該第２端子群を形成することを特徴とする実装基
    材の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２端子群のピッチを規定する係
    数ａないしｂは、当該実装基材の線膨張係数および前記
    熱圧着の条件に応じた値であることを特徴とする請求項
    １２に記載の実装基材の製造方法。
  14. 【請求項１４】 電気光学物質を保持する基板を備えた
    電気光学パネルと、前記基板に接合された実装基材と、 前記基板の面上に形成された第１端子群と、 前記基板の面上に相互に離間して形成された複数の第１
    アライメントマークと、 前記実装基材の面上に形成されるとともに、前記第１端
    子群と略同一のピッチで当該第１端子群と接続された第
    ２端子群と、 前記実装基材の面上に形成され、前記第１アライメント
    マークの間隔よりも広い間隔をあけて相互に離間する複
    数の第２アライメントマークとを具備することを特徴と
    する電気光学装置。
  15. 【請求項１５】 前記複数の第１アライメントマークの
    うちの一部と他の一部とは、前記第１端子群を挟んで相
    互に対向する位置に形成され、 前記複数の第２アライメントマークのうちの一部と他の
    一部とは、前記第２端子群を挟んで相互に対向する位置
    に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の
    電気光学装置。
  16. 【請求項１６】 前記基板と前記実装基材とは、前記第
    １端子群と第２端子群とを導通させるための導通粒子が
    分散された接着層を介して接合されていることを特徴と
    する請求項１４または１５に記載の電気光学装置。
  17. 【請求項１７】 前記実装基材は、可撓性を有するフィ
    ルム状の部材であることを特徴とする請求項１４または
    １５に記載の電気光学装置。
  18. 【請求項１８】 前記基板は、ガラスおよびシリコンか
    らなる群のうちから選択された材料を含み、前記実装基
    材は、ポリイミドおよびポリエステルからなる群のうち
    から選択された材料を含むことを特徴とする請求項１４
    または１５に記載の電気光学装置。
  19. 【請求項１９】 前記基板はガラスを含み、前記実装基
    材はポリイミドを含むことを特徴とする請求項１４また
    は１５に記載の電気光学装置。
  20. 【請求項２０】 前記実装基材は、測定条件を１００℃
    ないし２００℃とした場合の線膨張係数が２.５×１０
    -5／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成
    された厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下の部材であり、 前記第２アライメントマーク同士の間隔は、前記第１ア
    ライメントマーク同士の間隔の１．００３倍以上１．０
    ０４倍以下であることを特徴とする請求項１４または１
    ５に記載の電気光学装置。
  21. 【請求項２１】 前記実部基材は、測定条件を２０℃な
    いし１００℃とした場合の線膨張係数が０．８×１０-5
    ／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成さ
    れた厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材であり、 前記第２アライメントマーク同士の間隔は、前記第１ア
    ライメントマーク同士の間隔の実質的に１．００２倍で
    あることを特徴とする請求項１４または１５に記載の電
    気光学装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１４または１５に記載の電気光
    学装置を備えることを特徴とする電子機器。
  23. 【請求項２３】 電気光学パネルの基板に接合される実
    装基材であって、 前記基板に形成された前記第１端子群のピッチとは異な
    るピッチで形成され、当該第１端子群と接続されるべき
    第２端子群を具備することを特徴とする実装基材。
  24. 【請求項２４】 電気光学パネルの基板に熱圧着される
    実装基材において、 前記基板に形成された第１端子群と接続されるべき第２
    端子群を備え、 前記基板と当該実装基材との熱圧着の後、前記基板にお
    ける前記第１端子群の配列方向の長さがａ倍に伸長する
    一方、当該実装基材における前記第２端子群の配列方向
    の長さがｂ倍に伸長する場合に、 前記熱圧着前における前記第２端子群のピッチが、前記
    第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍に設定されているこ
    とを特徴とする実装基材。
  25. 【請求項２５】 電気光学パネルの基板に熱圧着される
    実装基材において、 前記基板に形成された第１端子群と接続されるべき第２
    端子群を備え、 前記基板と当該実装基材との熱圧着の後、当該実装基材
    における前記第２端子群の配列方向の長さがｂ倍に伸長
    する場合に、 前記熱圧着前における前記第２端子群のピッチが、前記
    第１端子群のピッチの（１／ｂ）倍に設定されているこ
    とを特徴とする実装基材。
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