JP2002026463A - ナイトライド系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ナイトライド系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2002026463A JP2002026463A JP2000209232A JP2000209232A JP2002026463A JP 2002026463 A JP2002026463 A JP 2002026463A JP 2000209232 A JP2000209232 A JP 2000209232A JP 2000209232 A JP2000209232 A JP 2000209232A JP 2002026463 A JP2002026463 A JP 2002026463A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及
びその製造方法に関し、p型クラッド層の抵抗率を低減
するとともに、素子抵抗を低減する。 【解決手段】 p型超格子層1と光能動層2との接触界
面を、p型超格子層1の積層面と非平行に、特に、垂直
にする。正孔はp型超格子層1を構成する2種類の半導
体層の界面に沿って移動して、光能動層2に注入される
ので素子抵抗を低減することができる。
びその製造方法に関し、p型クラッド層の抵抗率を低減
するとともに、素子抵抗を低減する。 【解決手段】 p型超格子層1と光能動層2との接触界
面を、p型超格子層1の積層面と非平行に、特に、垂直
にする。正孔はp型超格子層1を構成する2種類の半導
体層の界面に沿って移動して、光能動層2に注入される
ので素子抵抗を低減することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はナイトライド系III-
V族化合物半導体装置及びその製造方法に関するもので
あり、特に、短波長半導体レーザ等におけるp型層の抵
抗を低減するためのp型超格子構造に特徴があるナイト
ライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
V族化合物半導体装置及びその製造方法に関するもので
あり、特に、短波長半導体レーザ等におけるp型層の抵
抗を低減するためのp型超格子構造に特徴があるナイト
ライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、GaN系材料を用いた発光素子の
開発が盛んであり、これまでに青色、緑色の高輝度LE
D(発光ダイオード)が製品化されている。また、青紫
色レーザに関しても、本出願人を含めこれまでに多くの
研究機関において室温発振が達成され、製品化に向けて
精力的に研究が進められており、光磁気ディスクの読取
用光源・書込用光源、或いは、レーザプリンタ用の光源
として期待されている。
開発が盛んであり、これまでに青色、緑色の高輝度LE
D(発光ダイオード)が製品化されている。また、青紫
色レーザに関しても、本出願人を含めこれまでに多くの
研究機関において室温発振が達成され、製品化に向けて
精力的に研究が進められており、光磁気ディスクの読取
用光源・書込用光源、或いは、レーザプリンタ用の光源
として期待されている。
【0003】従来、この様なGaN系レーザにおいて
は、p型クラッド層としてMgをp型不純物として添加
したAlx Ga1-x N(x〜0.09)が用いられてい
るが、このp型Alx Ga1-x N層の抵抗率が1Ωcm
以上であるため、素子抵抗を増大させる原因になってい
た。
は、p型クラッド層としてMgをp型不純物として添加
したAlx Ga1-x N(x〜0.09)が用いられてい
るが、このp型Alx Ga1-x N層の抵抗率が1Ωcm
以上であるため、素子抵抗を増大させる原因になってい
た。
【0004】これは、p型Alx Ga1-x N層の価電子
帯のバンド端EV が、フェルミレベルEf から100m
eV以上離れた位置あるため、p型不純物が活性化しに
くく、正孔が発生しにくいためである。
帯のバンド端EV が、フェルミレベルEf から100m
eV以上離れた位置あるため、p型不純物が活性化しに
くく、正孔が発生しにくいためである。
【0005】そこで、この様なp型クラッド層の高抵抗
率の問題を解決するために、p型クラッド層をバンド・
ギャップエネルギー及び不純物濃度が互いに異なる2種
類のGaN系半導体からなるp型超格子構造で構成する
ことが提案(必要ならば、特開平11−177175号
公報参照)されているので、この従来の改良型短波長発
光素子を図5を参照して説明する。
率の問題を解決するために、p型クラッド層をバンド・
ギャップエネルギー及び不純物濃度が互いに異なる2種
類のGaN系半導体からなるp型超格子構造で構成する
ことが提案(必要ならば、特開平11−177175号
公報参照)されているので、この従来の改良型短波長発
光素子を図5を参照して説明する。
【0006】図5参照 図5は、従来の改良型短波長発光素子の概略的断面図で
あり、(0001)面、即ち、C面を主面とするGaN
基板41上に、有機金属気相成長法(MOVPE法)を
用いて、n型GaNバッファ層42、n型超格子クラッ
ド層43、n側GaN光ガイド層44、InGaNMQ
W活性層45、p側GaN光ガイド層46、p型超格子
クラッド層47、及び、p型GaNコンタクト層48を
順次堆積させる。なお、この場合のn型超格子クラッド
層43及びp型超格子クラッド層47は、AlGaN層
とGaN層とを交互に積層させて形成する。
あり、(0001)面、即ち、C面を主面とするGaN
基板41上に、有機金属気相成長法(MOVPE法)を
用いて、n型GaNバッファ層42、n型超格子クラッ
ド層43、n側GaN光ガイド層44、InGaNMQ
W活性層45、p側GaN光ガイド層46、p型超格子
クラッド層47、及び、p型GaNコンタクト層48を
順次堆積させる。なお、この場合のn型超格子クラッド
層43及びp型超格子クラッド層47は、AlGaN層
とGaN層とを交互に積層させて形成する。
【0007】次いで、p型GaNコンタクト層48及び
p型超格子クラッド層47をメサエッチングしてストラ
イプ状メサを形成するとともに、p型GaNコンタクト
層48乃至n型超格子クラッド層43を少なくともn型
GaNバッファ層42が露出するまでメサエッチングを
行う。
p型超格子クラッド層47をメサエッチングしてストラ
イプ状メサを形成するとともに、p型GaNコンタクト
層48乃至n型超格子クラッド層43を少なくともn型
GaNバッファ層42が露出するまでメサエッチングを
行う。
【0008】次いで、露出したn型GaNバッファ層4
2に選択的にn側電極49を設けるとともに、p型Ga
Nコンタクト層48上にp側電極50を設けた後、全面
にSiO2 膜51を堆積させ、次いで、SiO2 膜51
にコンタクト用開口を形成したのち、n側電極49に接
するようにn側パッド電極52を設けるとともに、p側
電極50に接するようにn側パッド電極53を設けるこ
とによって、短波長発光素子の基本構成が完成する。
2に選択的にn側電極49を設けるとともに、p型Ga
Nコンタクト層48上にp側電極50を設けた後、全面
にSiO2 膜51を堆積させ、次いで、SiO2 膜51
にコンタクト用開口を形成したのち、n側電極49に接
するようにn側パッド電極52を設けるとともに、p側
電極50に接するようにn側パッド電極53を設けるこ
とによって、短波長発光素子の基本構成が完成する。
【0009】図6参照 図6は、図5に示した従来の改良型短波長発光素子の価
電子帯のバンドダイヤグラムであり、破線で示すよう
に、ピエゾ効果を考慮しない場合には、不純物濃度とバ
ンド・ギャップエネルギーの差に基づいた周期的凹凸状
のバンド構造となる。
電子帯のバンドダイヤグラムであり、破線で示すよう
に、ピエゾ効果を考慮しない場合には、不純物濃度とバ
ンド・ギャップエネルギーの差に基づいた周期的凹凸状
のバンド構造となる。
【0010】しかし、ピエゾ効果を考慮した場合には、
価電子帯のバンド端EV の構造がノコギリ波状になり、
図においてAで示すAlGaNとGaNとの界面近傍が
フェルミレベルEf より正孔に対してエネルギー的に低
くなるので不純物の活性化率が高まって正孔が活性化さ
れてAで示す界面近傍に集中し、抵抗率が低下するため
である。即ち、p型超格子クラッド層47をc軸方向に
成長させた場合、結晶歪みによってピエゾ効果で積層方
向に分極し、分極によって超格子構造の積層方向に電界
が印加されることになるのでバンドが傾斜する。
価電子帯のバンド端EV の構造がノコギリ波状になり、
図においてAで示すAlGaNとGaNとの界面近傍が
フェルミレベルEf より正孔に対してエネルギー的に低
くなるので不純物の活性化率が高まって正孔が活性化さ
れてAで示す界面近傍に集中し、抵抗率が低下するため
である。即ち、p型超格子クラッド層47をc軸方向に
成長させた場合、結晶歪みによってピエゾ効果で積層方
向に分極し、分極によって超格子構造の積層方向に電界
が印加されることになるのでバンドが傾斜する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
超格子構造を用いた場合、不純物の活性化率を高めてキ
ャリアを効率良く発生させることが可能であるが、電流
を流す方向が積層方向であるため、図6に示すBの領域
を正孔が通過する必要があり、このBの領域が正孔に対
するバリアになるため、p型超格子クラッド層の抵抗を
上げる原因となっている。
超格子構造を用いた場合、不純物の活性化率を高めてキ
ャリアを効率良く発生させることが可能であるが、電流
を流す方向が積層方向であるため、図6に示すBの領域
を正孔が通過する必要があり、このBの領域が正孔に対
するバリアになるため、p型超格子クラッド層の抵抗を
上げる原因となっている。
【0012】したがって、本発明はp型クラッド層の抵
抗率を低減するとともに、素子抵抗を低減することを目
的とする。
抗率を低減するとともに、素子抵抗を低減することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図1を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。図1参照上述の
目的を達成するために、本発明においては、ナイトライ
ド系III-V族化合物半導体装置のp型超格子層1と光能
動層2との接触界面を、p型超格子層1の積層面と非平
行に、特に、垂直にしたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図1を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。図1参照上述の
目的を達成するために、本発明においては、ナイトライ
ド系III-V族化合物半導体装置のp型超格子層1と光能
動層2との接触界面を、p型超格子層1の積層面と非平
行に、特に、垂直にしたことを特徴とする。
【0014】このように、p型超格子層1と光能動層2
との接触界面を、p型超格子層1の積層面と非平行にす
ることによって、正孔はp型超格子層1を構成する2種
類の半導体層の界面に沿って移動して光能動層2に注入
され、図6に示すBの領域を通過する必要がなくなるの
で、素子抵抗を低減することができる。特に、p型超格
子層1の積層面と垂直にした場合に、正孔が効率的に注
入されることになる。
との接触界面を、p型超格子層1の積層面と非平行にす
ることによって、正孔はp型超格子層1を構成する2種
類の半導体層の界面に沿って移動して光能動層2に注入
され、図6に示すBの領域を通過する必要がなくなるの
で、素子抵抗を低減することができる。特に、p型超格
子層1の積層面と垂直にした場合に、正孔が効率的に注
入されることになる。
【0015】なお、この場合のp型超格子層1は、厚さ
が10〜200ÅのAlv Ga1-vN(0≦v≦1)と
厚さが10〜200ÅのAlw Ga1-w N(0≦w≦
1、v≠w)を交互に積層させて構成する。
が10〜200ÅのAlv Ga1-vN(0≦v≦1)と
厚さが10〜200ÅのAlw Ga1-w N(0≦w≦
1、v≠w)を交互に積層させて構成する。
【0016】また、本発明においては、上記接触界面を
(11−20)面としたことを特徴とする。なお、本明
細書においては、明細書作成の都合上、通常“2バー”
等で表示される結晶指数を“−2”等で表記する。
(11−20)面としたことを特徴とする。なお、本明
細書においては、明細書作成の都合上、通常“2バー”
等で表示される結晶指数を“−2”等で表記する。
【0017】このように、接触界面を(11−20)面
とすることによって、レーザ共振器を劈開、例えば、
(1−100)で劈開するによって形成することが可能
になる。
とすることによって、レーザ共振器を劈開、例えば、
(1−100)で劈開するによって形成することが可能
になる。
【0018】また、本発明においては、ナイトライド系
III-V族化合物半導体装置を製造する際に、基板上に、
Alx Ga1-x N(0≦x≦1)層、p型超格子層1、
及び、Aly Ga1-y N(0≦y≦1)層を順次堆積さ
せたのち、積層方向に沿った断面を露出させ、露出させ
た断面上に、光能動層2及びn型クラッド層6を順次堆
積させることを特徴とする。特に、光能動層2を、光ガ
イド層3,5、及び、光ガイド層3,5で挟まれた活性
層4によって構成する場合、光ガイド層3,5の成長温
度を1030℃〜1130℃の範囲としたことを特徴と
する。
III-V族化合物半導体装置を製造する際に、基板上に、
Alx Ga1-x N(0≦x≦1)層、p型超格子層1、
及び、Aly Ga1-y N(0≦y≦1)層を順次堆積さ
せたのち、積層方向に沿った断面を露出させ、露出させ
た断面上に、光能動層2及びn型クラッド層6を順次堆
積させることを特徴とする。特に、光能動層2を、光ガ
イド層3,5、及び、光ガイド層3,5で挟まれた活性
層4によって構成する場合、光ガイド層3,5の成長温
度を1030℃〜1130℃の範囲としたことを特徴と
する。
【0019】この様に、p型超格子層1を成膜したの
ち、積層方向に沿った断面を露出させることによって、
露出させた断面上に光能動層2及びn型クラッド層6を
堆積させることが可能になり、それによって、p型超格
子層1と光能動層2との接触界面を、p型超格子層1の
積層面と非平行にすることができる。なお、この場合の
断面を露出させる手段は、エッチングでも良いし、劈開
でも良く、エッチングを用いる場合には、Alx Ga
1-x N(0≦x≦1)層及びAly Ga1-y N(0≦y
≦1)層を高抵抗層にする必要がある。
ち、積層方向に沿った断面を露出させることによって、
露出させた断面上に光能動層2及びn型クラッド層6を
堆積させることが可能になり、それによって、p型超格
子層1と光能動層2との接触界面を、p型超格子層1の
積層面と非平行にすることができる。なお、この場合の
断面を露出させる手段は、エッチングでも良いし、劈開
でも良く、エッチングを用いる場合には、Alx Ga
1-x N(0≦x≦1)層及びAly Ga1-y N(0≦y
≦1)層を高抵抗層にする必要がある。
【0020】特に、光能動層2を、第1及び第2の光ガ
イド層3,5、及び、第1及び第2の光ガイド層3,5
で挟まれた活性層4によって構成する場合、第1及び第
2の光ガイド層3,5の成長温度を1030℃〜113
0℃の範囲とすることによって、c軸方向の成長厚をc
軸方向に垂直な方向の成長厚より薄くすることができる
ので、光閉じ込め効果を高めることができる。
イド層3,5、及び、第1及び第2の光ガイド層3,5
で挟まれた活性層4によって構成する場合、第1及び第
2の光ガイド層3,5の成長温度を1030℃〜113
0℃の範囲とすることによって、c軸方向の成長厚をc
軸方向に垂直な方向の成長厚より薄くすることができる
ので、光閉じ込め効果を高めることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】ここで、図2を参照して本発明の
第1の実施の形態の製造工程を説明する。 図2(a)参照 まず、改良レイリー法でバルク成長させた六方晶の6H
−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用い
たSiC基板11上に、MOVPE法を用いて、105
0℃おいてTMGa(トリメチルガリウム)、TMAl
(トリメチルアルミニウム)、NH3 (アンモニア)、
及び、キャリアガスとしての水素を流して、厚さが0.
5〜5μm、例えば、1.0μmでAl組成比が、0.
05〜1、例えば、0.1の高抵抗Al0.1 Ga0.9 N
層12、p型超格子クラッド層13、及び、厚さが0.
1〜1μm、例えば、0.5μmでAl組成比が、0.
05〜1、例えば、0.1の高抵抗Al0.1 Ga0.9 N
層14を順次堆積させる。
第1の実施の形態の製造工程を説明する。 図2(a)参照 まず、改良レイリー法でバルク成長させた六方晶の6H
−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用い
たSiC基板11上に、MOVPE法を用いて、105
0℃おいてTMGa(トリメチルガリウム)、TMAl
(トリメチルアルミニウム)、NH3 (アンモニア)、
及び、キャリアガスとしての水素を流して、厚さが0.
5〜5μm、例えば、1.0μmでAl組成比が、0.
05〜1、例えば、0.1の高抵抗Al0.1 Ga0.9 N
層12、p型超格子クラッド層13、及び、厚さが0.
1〜1μm、例えば、0.5μmでAl組成比が、0.
05〜1、例えば、0.1の高抵抗Al0.1 Ga0.9 N
層14を順次堆積させる。
【0022】この場合のp型超格子クラッド層13は、
ビスシクロペンタジエニルマグネシウムをp型不純物源
として用いて、Mg濃度が1×1018〜5×1019cm
-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが10〜200
Å、例えば、25Åのp型Al0.14Ga0.86N層と、M
g濃度が1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3×
1019cm-3で、厚さが10〜200Å、例えば、25
Åのp型GaN層を交互に積層させて、全体の厚さが
0.5〜2μm、例えば、2.0μmになるように積層
する。
ビスシクロペンタジエニルマグネシウムをp型不純物源
として用いて、Mg濃度が1×1018〜5×1019cm
-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが10〜200
Å、例えば、25Åのp型Al0.14Ga0.86N層と、M
g濃度が1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3×
1019cm-3で、厚さが10〜200Å、例えば、25
Åのp型GaN層を交互に積層させて、全体の厚さが
0.5〜2μm、例えば、2.0μmになるように積層
する。
【0023】図2(b)参照 次いで、通常のフォトエッチング工程によって、高抵抗
Al0.1 Ga0.9 N層14乃至高抵抗Al0.1 Ga0.9
N層12をストライプ状にエッチングして側端面が(1
1−20)面となるストライプ状メサ15を形成する。
Al0.1 Ga0.9 N層14乃至高抵抗Al0.1 Ga0.9
N層12をストライプ状にエッチングして側端面が(1
1−20)面となるストライプ状メサ15を形成する。
【0024】図2(c)参照 次いで、再びMOVPE法を用いて、1030〜113
0℃、例えば、1050℃にした状態でTMGa、NH
3 、及び、キャリアガスとしての水素を流して、厚さが
10〜300nm、例えば、100nmのp側GaN光
ガイド層(Separate Confinement
Heterostructure層)16を全面に堆
積させる。
0℃、例えば、1050℃にした状態でTMGa、NH
3 、及び、キャリアガスとしての水素を流して、厚さが
10〜300nm、例えば、100nmのp側GaN光
ガイド層(Separate Confinement
Heterostructure層)16を全面に堆
積させる。
【0025】引き続いて、TEGa(トリエチルガリウ
ム)、TMIn(トリメチルインジウム)、NH3 、及
び、キャリアガスとしてのN2 を用いて、成長温度を7
00〜900℃、例えば、780℃とした状態で、厚さ
10〜100Å、例えば、50ÅのアンドープIn0.03
Ga0.97Nバリア層で挟まれて分離された厚さ30〜1
00Å、例えば、40ÅのアンドープIn0.15Ga0.85
Nウエル層を2〜10層、例えば、3層成長させてIn
GaNMQW活性層17を形成する。
ム)、TMIn(トリメチルインジウム)、NH3 、及
び、キャリアガスとしてのN2 を用いて、成長温度を7
00〜900℃、例えば、780℃とした状態で、厚さ
10〜100Å、例えば、50ÅのアンドープIn0.03
Ga0.97Nバリア層で挟まれて分離された厚さ30〜1
00Å、例えば、40ÅのアンドープIn0.15Ga0.85
Nウエル層を2〜10層、例えば、3層成長させてIn
GaNMQW活性層17を形成する。
【0026】引き続いて、TMGa、NH3 、及び、キ
ャリアガスとしてのN2 を用いて、成長温度を1030
〜1130℃、例えば、1090℃とした状態で、厚さ
10〜300nm、例えば、100nmのn側GaN光
ガイド層18を成長させる。
ャリアガスとしてのN2 を用いて、成長温度を1030
〜1130℃、例えば、1090℃とした状態で、厚さ
10〜300nm、例えば、100nmのn側GaN光
ガイド層18を成長させる。
【0027】引き続いて、TMAl、TMGa、N
H3 、SiH4 、及び、キャリアガスとしてのN2 を用
いて、成長温度を800〜1200℃、例えば、109
0℃とした状態で、厚さ0.1〜2.0μm、例えば、
0.5μmで、不純物濃度が1.0×1017〜5.0×
1019cm-3、例えば、2.0×1018cm-3のn型A
l 0.07Ga0.93Nクラッド層19を成長させる。なお、
p側GaN光ガイド層16乃至n型Al0.07Ga0.93N
クラッド層19の厚さは、側端面に垂直な方向の厚さで
ある。
H3 、SiH4 、及び、キャリアガスとしてのN2 を用
いて、成長温度を800〜1200℃、例えば、109
0℃とした状態で、厚さ0.1〜2.0μm、例えば、
0.5μmで、不純物濃度が1.0×1017〜5.0×
1019cm-3、例えば、2.0×1018cm-3のn型A
l 0.07Ga0.93Nクラッド層19を成長させる。なお、
p側GaN光ガイド層16乃至n型Al0.07Ga0.93N
クラッド層19の厚さは、側端面に垂直な方向の厚さで
ある。
【0028】次いで、ストライプ状メサ15の一方の端
面側にのみn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19乃至
p側GaN光ガイド層16が残存するように選択的にエ
ッチングしたのち、n型Al0.07Ga0.93Nクラッド層
19の表面にTi、及び、Auを順次堆積させてTi/
Au構造のn側電極20を形成すると共に、ストライプ
状メサ15の他方の端面を覆うようにNi、Ti、及
び、Auを順次堆積させてNi/Ti/Au構造のp側
電極21形成する。次いで、(11−20)面に対して
直交する方向、例えば、(1−100)面で劈開するこ
とによって、短波長半導体レーザが完成する。
面側にのみn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19乃至
p側GaN光ガイド層16が残存するように選択的にエ
ッチングしたのち、n型Al0.07Ga0.93Nクラッド層
19の表面にTi、及び、Auを順次堆積させてTi/
Au構造のn側電極20を形成すると共に、ストライプ
状メサ15の他方の端面を覆うようにNi、Ti、及
び、Auを順次堆積させてNi/Ti/Au構造のp側
電極21形成する。次いで、(11−20)面に対して
直交する方向、例えば、(1−100)面で劈開するこ
とによって、短波長半導体レーザが完成する。
【0029】この本発明の第1の実施の形態の短波長半
導体レーザにおいては、p型超格子クラッド層13と、
p側GaN光ガイド層16/InGaN活性層17/n
側GaN光ガイド層18からなる光能動層との接触界面
が、p型超格子クラッド層13と垂直であるので、正孔
はp型超格子クラッド層13を構成するp型Al0.14G
a0.86N層とp型GaN層の界面に沿って移動し、移動
方向に正孔に対するバリアが存在しないので、素子抵抗
を低くすることができる。
導体レーザにおいては、p型超格子クラッド層13と、
p側GaN光ガイド層16/InGaN活性層17/n
側GaN光ガイド層18からなる光能動層との接触界面
が、p型超格子クラッド層13と垂直であるので、正孔
はp型超格子クラッド層13を構成するp型Al0.14G
a0.86N層とp型GaN層の界面に沿って移動し、移動
方向に正孔に対するバリアが存在しないので、素子抵抗
を低くすることができる。
【0030】また、本発明の第1の実施の形態において
は、p側GaN光ガイド層16及びn側GaN光ガイド
層18を、1030〜1130℃の成長温度で成膜して
いるので、1030℃未満の温度で成膜した場合より
も、c軸方向の成長、即ち、基板面に垂直な方向の成長
を抑制することができ、それによって、光閉じ込めを効
果的にすることができる。
は、p側GaN光ガイド層16及びn側GaN光ガイド
層18を、1030〜1130℃の成長温度で成膜して
いるので、1030℃未満の温度で成膜した場合より
も、c軸方向の成長、即ち、基板面に垂直な方向の成長
を抑制することができ、それによって、光閉じ込めを効
果的にすることができる。
【0031】次に、図3を参照して、本発明の第2の実
施の形態の製造工程を説明する。 図3(a)参照 まず、改良レイリー法によりバルク成長した六方晶の6
H−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用
いたSiC基板11上に、MOVPE法を用いて、10
50℃おいてTMGa、TMAl、ビスシクロペンタジ
エニルマグネシウム、NH3 、及び、キャリアガスとし
ての水素を流して、厚さが0.5〜5μm、例えば、
1.0μmで、不純物濃度が1×1018〜1×1019c
m-3、例えば、5×1018cm-3で、Al組成比が、
0.05〜1、例えば、0.1のp型Al0.1 Ga0.9
Nクラッド層22、p型超格子クラッド層13、及び、
厚さが0.1〜1μm、例えば、0.5μmで、不純物
濃度が1×1018〜1×1019cm-3、例えば、5×1
018cm-3で、Al組成比が、0.05〜1、例えば、
0.1のp型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層23を順次
堆積させる。
施の形態の製造工程を説明する。 図3(a)参照 まず、改良レイリー法によりバルク成長した六方晶の6
H−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用
いたSiC基板11上に、MOVPE法を用いて、10
50℃おいてTMGa、TMAl、ビスシクロペンタジ
エニルマグネシウム、NH3 、及び、キャリアガスとし
ての水素を流して、厚さが0.5〜5μm、例えば、
1.0μmで、不純物濃度が1×1018〜1×1019c
m-3、例えば、5×1018cm-3で、Al組成比が、
0.05〜1、例えば、0.1のp型Al0.1 Ga0.9
Nクラッド層22、p型超格子クラッド層13、及び、
厚さが0.1〜1μm、例えば、0.5μmで、不純物
濃度が1×1018〜1×1019cm-3、例えば、5×1
018cm-3で、Al組成比が、0.05〜1、例えば、
0.1のp型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層23を順次
堆積させる。
【0032】この場合の、p型超格子クラッド層13
は、上記の第1の実施の形態と同様であり、Mg濃度が
1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3×1019c
m-3で、厚さが10〜200Å、例えば、25Åのp型
Al0.14Ga0.86N層と、Mg濃度が1×1018〜5×
1019cm-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが1
0〜200Å、例えば、25Åのp型GaN層を交互に
積層させて、全体の厚さが0.5〜2μm、例えば、
1.0μmになるように積層する。次いで、図において
破線で示すように、(11−20)面で劈開してウェハ
をバー状に分割する。
は、上記の第1の実施の形態と同様であり、Mg濃度が
1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3×1019c
m-3で、厚さが10〜200Å、例えば、25Åのp型
Al0.14Ga0.86N層と、Mg濃度が1×1018〜5×
1019cm-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが1
0〜200Å、例えば、25Åのp型GaN層を交互に
積層させて、全体の厚さが0.5〜2μm、例えば、
1.0μmになるように積層する。次いで、図において
破線で示すように、(11−20)面で劈開してウェハ
をバー状に分割する。
【0033】図3(b)参照 次いで、(11−20)面が主面になるように、MOV
PE装置にセットしたのち、再びMOVPE法を用い
て、厚さが10〜300nm、例えば、100nmのp
側GaN光ガイド層16、InGaNMQW活性層1
7、厚さが10〜300nm、例えば、100nmのn
側GaN光ガイド層18、及び、厚さ0.1〜2.0μ
m、例えば、0.5μmで、不純物濃度が1.0×10
17〜5.0×1019cm-3、例えば、2.0×1018c
m-3のn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19を順次成
長させる。なお、この場合のp側GaN光ガイド層16
及びn側GaN光ガイド層18の成長温度は1030〜
1130℃である必要はない。
PE装置にセットしたのち、再びMOVPE法を用い
て、厚さが10〜300nm、例えば、100nmのp
側GaN光ガイド層16、InGaNMQW活性層1
7、厚さが10〜300nm、例えば、100nmのn
側GaN光ガイド層18、及び、厚さ0.1〜2.0μ
m、例えば、0.5μmで、不純物濃度が1.0×10
17〜5.0×1019cm-3、例えば、2.0×1018c
m-3のn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19を順次成
長させる。なお、この場合のp側GaN光ガイド層16
及びn側GaN光ガイド層18の成長温度は1030〜
1130℃である必要はない。
【0034】図3(c)参照 次いで、ストライプ方向が(1−100)面と垂直な方
向になるようにn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19
乃至p側GaN光ガイド層16をエッチングしてストラ
イプ状メサを形成したのち、全面にSiO2 膜24を堆
積し、次いで、コンタクト用開口を形成したのち、n型
Al0.07Ga0.93Nクラッド層19の表面にTi、及
び、Auを順次堆積させてTi/Au構造のn側電極2
0を形成すると共に、p型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド
層22/p型超格子クラッド層13/p型Al0.1 Ga
0.9 Nクラッド層23の露出端面にNi、Ti、及び、
Auを順次堆積させてNi/Ti/Au構造のp側電極
21形成する。次いで、(11−20)面に対して直交
する方向、例えば、(1−100)面で劈開することに
よって、短波長半導体レーザが完成する。
向になるようにn型Al0.07Ga0.93Nクラッド層19
乃至p側GaN光ガイド層16をエッチングしてストラ
イプ状メサを形成したのち、全面にSiO2 膜24を堆
積し、次いで、コンタクト用開口を形成したのち、n型
Al0.07Ga0.93Nクラッド層19の表面にTi、及
び、Auを順次堆積させてTi/Au構造のn側電極2
0を形成すると共に、p型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド
層22/p型超格子クラッド層13/p型Al0.1 Ga
0.9 Nクラッド層23の露出端面にNi、Ti、及び、
Auを順次堆積させてNi/Ti/Au構造のp側電極
21形成する。次いで、(11−20)面に対して直交
する方向、例えば、(1−100)面で劈開することに
よって、短波長半導体レーザが完成する。
【0035】この本発明の第2の実施の形態の短波長半
導体レーザにおいては、活性層を成長させる際の成長基
板を、p型超格子クラッド層13を成長させた基板を
(11−20)面で劈開して形成しているので、p側G
aN光ガイド層16/InGaN活性層17/n側Ga
N光ガイド層18からなる光能動層との接触界面が、p
型超格子クラッド層13と垂直になり、正孔はp型超格
子クラッド層13を構成するp型Al0.14Ga0.86N層
とp型GaN層の界面に沿って移動し、移動する正孔に
対するバリアが存在しないので、素子抵抗を低くするこ
とができる。
導体レーザにおいては、活性層を成長させる際の成長基
板を、p型超格子クラッド層13を成長させた基板を
(11−20)面で劈開して形成しているので、p側G
aN光ガイド層16/InGaN活性層17/n側Ga
N光ガイド層18からなる光能動層との接触界面が、p
型超格子クラッド層13と垂直になり、正孔はp型超格
子クラッド層13を構成するp型Al0.14Ga0.86N層
とp型GaN層の界面に沿って移動し、移動する正孔に
対するバリアが存在しないので、素子抵抗を低くするこ
とができる。
【0036】なお、この本発明の第2の実施の形態と同
様に、AlAs/GaAs超格子クラッド層の積層界面
が、活性層と垂直になるように設けたAlGaAs系半
導体レーザが提案されているが(必要ならば、特開平2
−240993号公報参照)、AlAs/GaAs超格
子クラッド層は熱伝導率を改善するためであり、本発明
とは全く異なるものである。
様に、AlAs/GaAs超格子クラッド層の積層界面
が、活性層と垂直になるように設けたAlGaAs系半
導体レーザが提案されているが(必要ならば、特開平2
−240993号公報参照)、AlAs/GaAs超格
子クラッド層は熱伝導率を改善するためであり、本発明
とは全く異なるものである。
【0037】次に、図4を参照して、本発明の第3の実
施の形態の製造工程を説明する。 図4(a)参照 まず、改良レイリー法によりバルク成長した六方晶の6
H−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用
いたn型SiC基板31上に、MOVPE法を用いて、
厚さが0.5〜5μm、例えば、1.2μmで、不純物
濃度が1.0×1017〜5.0×1019cm-3、例え
ば、2.0×1018cm-3で、Al組成比が、0.05
〜1、例えば、0.1のn型Al0.1 Ga0.9 Nクラッ
ド層32、厚さが50〜200nm、例えば、100n
mで、不純物濃度が1.0×1017〜5.0×1019c
m-3、例えば、2.0×1018cm-3のn型GaN光ガ
イド層33、InGaNMQW活性層34、厚さが50
〜200nm、例えば、100nm、不純物濃度が1.
0×1017〜5.0×1019cm-3、例えば、2.0×
1018cm-3のn型GaN光ガイド層35、及び、厚さ
が0.5〜2μm、例えば、0.5μmで、不純物濃度
が1.0×1017〜5.0×1019cm-3、例えば、
2.0×1018cm-3で、Al組成比が、0.05〜
1、例えば、0.1のn型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド
層36を順次堆積させる。なお、この場合のInGaN
MQW活性層34の構成は、上記の第1の実施の形態と
同様にする。
施の形態の製造工程を説明する。 図4(a)参照 まず、改良レイリー法によりバルク成長した六方晶の6
H−SiCから(0001)面で切り出したウェハを用
いたn型SiC基板31上に、MOVPE法を用いて、
厚さが0.5〜5μm、例えば、1.2μmで、不純物
濃度が1.0×1017〜5.0×1019cm-3、例え
ば、2.0×1018cm-3で、Al組成比が、0.05
〜1、例えば、0.1のn型Al0.1 Ga0.9 Nクラッ
ド層32、厚さが50〜200nm、例えば、100n
mで、不純物濃度が1.0×1017〜5.0×1019c
m-3、例えば、2.0×1018cm-3のn型GaN光ガ
イド層33、InGaNMQW活性層34、厚さが50
〜200nm、例えば、100nm、不純物濃度が1.
0×1017〜5.0×1019cm-3、例えば、2.0×
1018cm-3のn型GaN光ガイド層35、及び、厚さ
が0.5〜2μm、例えば、0.5μmで、不純物濃度
が1.0×1017〜5.0×1019cm-3、例えば、
2.0×1018cm-3で、Al組成比が、0.05〜
1、例えば、0.1のn型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド
層36を順次堆積させる。なお、この場合のInGaN
MQW活性層34の構成は、上記の第1の実施の形態と
同様にする。
【0038】図4(b)参照 次いで、n型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層36乃至n
型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層32を幅1〜3μm、
例えば、2.0μmのSiO2 マスク(図示せず)をマ
スクとしてメサエッチングを行うことによって、側面が
(11−20)面になり、且つ、ストライプ方向が(1
−100)面に垂直なストライプ状メサを形成する。
型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層32を幅1〜3μm、
例えば、2.0μmのSiO2 マスク(図示せず)をマ
スクとしてメサエッチングを行うことによって、側面が
(11−20)面になり、且つ、ストライプ方向が(1
−100)面に垂直なストライプ状メサを形成する。
【0039】次いで、再び、SiO2 マスクをそのまま
選択成長マスクとしてMOVPE法による選択成長を行
うことによって、Mg濃度が1×1018〜5×1019c
m-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが10〜20
0Å、例えば、25Åのp型Al0.14Ga0.86N層と、
Mg濃度が1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3
×1019cm-3で、厚さが10〜200Å、例えば、2
5Åのp型GaN層を交互に積層させて、ストライプ状
メサの側面をp型超格子層37で埋め込んで平坦にす
る。なお、この場合、ストライプ状メサの側面に沿って
略平行な薄い層が成長する場合もあるが、正孔がトンネ
ルできる膜厚であれば問題はない。
選択成長マスクとしてMOVPE法による選択成長を行
うことによって、Mg濃度が1×1018〜5×1019c
m-3、例えば、3×1019cm-3で、厚さが10〜20
0Å、例えば、25Åのp型Al0.14Ga0.86N層と、
Mg濃度が1×1018〜5×1019cm-3、例えば、3
×1019cm-3で、厚さが10〜200Å、例えば、2
5Åのp型GaN層を交互に積層させて、ストライプ状
メサの側面をp型超格子層37で埋め込んで平坦にす
る。なお、この場合、ストライプ状メサの側面に沿って
略平行な薄い層が成長する場合もあるが、正孔がトンネ
ルできる膜厚であれば問題はない。
【0040】図4(c)参照 次いで、SiO2 マスクを除去したのち、指向性に優れ
たスパッタリング法を用いて全面にSiO2 膜38を堆
積させ、ストライプ状メサの頂部を覆うようにSiO2
膜38からなる被覆パターンを形成する。なお、この場
合、p型超格子層37の露出側面にSiO2 膜38はほ
とんど堆積せず、仮に堆積しても薄いので、ストライプ
状メサの頂部を覆うSiO2 膜38からなる被覆パター
ンを形成する前或いは後に全面エッチングを行うことに
よって除去することができる。
たスパッタリング法を用いて全面にSiO2 膜38を堆
積させ、ストライプ状メサの頂部を覆うようにSiO2
膜38からなる被覆パターンを形成する。なお、この場
合、p型超格子層37の露出側面にSiO2 膜38はほ
とんど堆積せず、仮に堆積しても薄いので、ストライプ
状メサの頂部を覆うSiO2 膜38からなる被覆パター
ンを形成する前或いは後に全面エッチングを行うことに
よって除去することができる。
【0041】次いで、n型SiC基板31の裏面にN
i、Ti、及び、Auを順次堆積させてNi/Ti/A
u構造のn側電極39を形成すると共に、p型超格子層
37の露出表面にNi、Ti、及び、Auを順次堆積さ
せてNi/Ti/Au構造のp側電極40形成する。次
いで、(11−20)面に対して直交する方向、例え
ば、(1−100)面で劈開することによって、短波長
半導体レーザが完成する。
i、Ti、及び、Auを順次堆積させてNi/Ti/A
u構造のn側電極39を形成すると共に、p型超格子層
37の露出表面にNi、Ti、及び、Auを順次堆積さ
せてNi/Ti/Au構造のp側電極40形成する。次
いで、(11−20)面に対して直交する方向、例え
ば、(1−100)面で劈開することによって、短波長
半導体レーザが完成する。
【0042】この本発明の第3の実施の形態の短波長半
導体レーザにおいては、従来のBH(埋込ヘテロ接合)
構造半導体レーザと同様の製造工程を採用しているの
で、上記の第1の実施の形態のように成長温度に考慮を
払う必要はなく、また、上記の第2の実施の形態のよう
に特殊な成長基板を用いる必要がないので、製造工程が
複雑化することがない。
導体レーザにおいては、従来のBH(埋込ヘテロ接合)
構造半導体レーザと同様の製造工程を採用しているの
で、上記の第1の実施の形態のように成長温度に考慮を
払う必要はなく、また、上記の第2の実施の形態のよう
に特殊な成長基板を用いる必要がないので、製造工程が
複雑化することがない。
【0043】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記の
各実施の形態においては、基板として、SiC基板を用
いているが、SiC基板に限られるものではなく、(0
001)面を主面とするGaN基板或いは(0001)
面を主面とするサファイア基板を用いても良いものであ
る。なお、上記の第3の実施の形態において、サファイ
ア基板を用いる場合には、図5に示した従来例と同様
に、n型クラッド層の露出表面にn側電極を設ける必要
がある。
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記の
各実施の形態においては、基板として、SiC基板を用
いているが、SiC基板に限られるものではなく、(0
001)面を主面とするGaN基板或いは(0001)
面を主面とするサファイア基板を用いても良いものであ
る。なお、上記の第3の実施の形態において、サファイ
ア基板を用いる場合には、図5に示した従来例と同様
に、n型クラッド層の露出表面にn側電極を設ける必要
がある。
【0044】また、上記の各実施の形態においては、p
型超格子層をp型Al0.14Ga0.86N/p型GaNによ
って構成しているが、この様な組成比に限られるもので
はなく、p型Alx Ga1-x N(0≦x≦1)/p型A
ly Ga1-y N(0≦y≦1、x≠y)によって構成し
ても良いものであり、且つ、p型Alx Ga1-x Nとp
型Aly Ga1-y Nのp型不純物濃度は同じである必要
はない。
型超格子層をp型Al0.14Ga0.86N/p型GaNによ
って構成しているが、この様な組成比に限られるもので
はなく、p型Alx Ga1-x N(0≦x≦1)/p型A
ly Ga1-y N(0≦y≦1、x≠y)によって構成し
ても良いものであり、且つ、p型Alx Ga1-x Nとp
型Aly Ga1-y Nのp型不純物濃度は同じである必要
はない。
【0045】また、上記の第2の実施の形態において
は、(11−20)面でウェハを劈開しているが、分割
手段は劈開に限られるものではなく、(11−20)面
でダイシングしても良いものであり、ダイシング後に研
磨を行って、研磨面に成長させるようにすれば良い。
は、(11−20)面でウェハを劈開しているが、分割
手段は劈開に限られるものではなく、(11−20)面
でダイシングしても良いものであり、ダイシング後に研
磨を行って、研磨面に成長させるようにすれば良い。
【0046】また、上記の第3の実施の形態において
は、p型超格子層をストライプ状メサの頂部とほぼ等し
い高さになるように成長させて表面を平坦化させている
が、必ずしも同じ高さにする必要はない。
は、p型超格子層をストライプ状メサの頂部とほぼ等し
い高さになるように成長させて表面を平坦化させている
が、必ずしも同じ高さにする必要はない。
【0047】また、上記の各実施の形態の説明において
は、半導体レーザを構成するダブルヘテロ接合(DH)
構造を、n型クラッド層/n側光ガイド層/MQW活性
層/p側光ガイド層/p型クラッド層で構成している
が、この様な構成に限られるものではなく、公知の他の
ナイトライド系半導体レーザにおけるDH構造を用いて
も良いものであり、例えば、MQW活性層とp側光ガイ
ド層との間にp型エレクトロンブロック層を設けても良
いものである。
は、半導体レーザを構成するダブルヘテロ接合(DH)
構造を、n型クラッド層/n側光ガイド層/MQW活性
層/p側光ガイド層/p型クラッド層で構成している
が、この様な構成に限られるものではなく、公知の他の
ナイトライド系半導体レーザにおけるDH構造を用いて
も良いものであり、例えば、MQW活性層とp側光ガイ
ド層との間にp型エレクトロンブロック層を設けても良
いものである。
【0048】さらに、本発明は、半導体レーザに限られ
るものではなく、青色発光ダイオード等の短波長発光ダ
イオードにも適用されるものであり、用途は限定される
ものではない。
るものではなく、青色発光ダイオード等の短波長発光ダ
イオードにも適用されるものであり、用途は限定される
ものではない。
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、p型クラッド層をc軸
方向に堆積させたp型超格子層で構成してp型不純物の
活性化率を高めるとともに、p型超格子層と活性層を含
む光能動層との接触界面を、p型超格子層の積層面と非
平行に、特に、垂直にしているので、正孔が電位障壁を
通過することなく光能動層に注入されるので、素子抵抗
が増大することがなく、ひいては、短波長半導体レーザ
等のナイトライド系III-V族化合物半導体装置の低消費
電力化が可能になり、光情報記録装置等の光源としてそ
の高密度化に寄与するところが大きい。
方向に堆積させたp型超格子層で構成してp型不純物の
活性化率を高めるとともに、p型超格子層と活性層を含
む光能動層との接触界面を、p型超格子層の積層面と非
平行に、特に、垂直にしているので、正孔が電位障壁を
通過することなく光能動層に注入されるので、素子抵抗
が増大することがなく、ひいては、短波長半導体レーザ
等のナイトライド系III-V族化合物半導体装置の低消費
電力化が可能になり、光情報記録装置等の光源としてそ
の高密度化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成の説明図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図3】本発明の第2の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図4】本発明の第3の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図5】従来の改良型短波長発光素子の概略的断面図で
ある。
ある。
【図6】従来の改良型短波長発光素子の価電子帯側のバ
ンドダイヤグラムである。
ンドダイヤグラムである。
1 p型超格子層 2 光能動層 3 第1の光ガイド層 4 活性層 5 第2の光ガイド層 6 n型クラッド層 11 SiC基板 12 高抵抗Al0.1 Ga0.9 N層 13 p型超格子クラッド層 14 高抵抗Al0.1 Ga0.9 N層 15 ストライプ状メサ 16 p側GaN光ガイド層 17 InGaNMQW活性層 18 n側GaN光ガイド層 19 n型Al0.07Ga0.93Nクラッド層 20 n側電極 21 p側電極 22 p型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層 23 p型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層 24 SiO2 膜 31 n型SiC基板 32 n型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層 33 n型GaN光ガイド層 34 InGaNMQW活性層 35 n型GaN光ガイド層 36 n型Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層 37 p型超格子層 38 SiO2 膜 39 n側電極 40 p側電極 41 GaN基板 42 n型GaNバッファ層 43 n型超格子クラッド層 44 n側GaN光ガイド層 45 InGaNMQW活性層 46 p側GaN光ガイド層 47 p型超格子クラッド層 48 p型GaNコンタクト層 49 n側電極 50 p側電極 51 SiO2 膜 52 n側パッド電極 53 p側パッド電極
Claims (5)
- 【請求項1】 p型超格子層と光能動層との接触界面
を、前記p型超格子層の積層面と非平行にしたことを特
徴とするナイトライド系III-V族化合物半導体装置。 - 【請求項2】 上記接触界面を、p型超格子層の積層
面と垂直にしたことを特徴とする請求項1記載のナイト
ライド系III-V族化合物半導体装置。 - 【請求項3】 上記接触界面を(11−20)面とした
ことを特徴とする請求項1または2に記載のナイトライ
ド系III-V族化合物半導体装置。 - 【請求項4】 基板上に、Alx Ga1-x N(0≦x≦
1)層、p型超格子層、及び、Aly Ga1-y N(0≦
y≦1)層を順次堆積させたのち、積層方向に沿った断
面を露出させ、前記露出させた断面上に、光能動層及び
n型クラッド層を順次堆積させることを特徴とするナイ
トライド系III-V族化合物半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 上記光能動層を、第1及び第2の光ガイ
ド層、及び、前記第1及び第2の光ガイド層で挟まれた
活性層によって構成するとともに、前記第1及び第2の
光ガイド層の成長温度を1030℃〜1130℃の範囲
としたことを特徴とする請求項4記載のナイトライド系
III-V族化合物半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000209232A JP2002026463A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | ナイトライド系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 |
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JP2000209232A JP2002026463A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | ナイトライド系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2002026463A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164623A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02240993A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2000
- 2000-07-11 JP JP2000209232A patent/JP2002026463A/ja active Pending
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JPH02240993A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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JP2002164623A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
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