JP2002026440A - 素子実装方法と光伝送装置 - Google Patents

素子実装方法と光伝送装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】積層ＩＣチップ間光インターコネクション装置
に適用可能な光伝送装置と、それを製造可能とする素子
実装方法を提供する。 【解決手段】例えば波長の異なる面発光レーザ素子から
なる発光素子２ａ、２ｂを、互いに大きさが異なる台形
状の微小構造体７ａ、７ｂ上に形成し、その発光素子２
ａ、２ｂの波長帯域の光を通過して受光するフィルタ付
き受光素子３ａ、３ｂを、更に互いに大きさが異なる台
形状の微小構造体８ａ、８ｂ上に形成し、各基板４ａ〜
４ｃには、各受発光素子を実装すべき部位に、それらの
素子が形成された微小構造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂと
同形態の凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂを形成し、それら
の微小構造体が混入されたスラリを当該基板の上面で流
動し、各微小構造体を重力で同形態の凹部内に嵌合し、
夫々に設けられた各受発光素子を実装する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、素子を基体（基
板）に実装する素子実装方法とそれによって各素子が実
装された光伝送装置に関し、例えばワンチップコンピュ
ータのように、積層したＩＣチップ間での光インターコ
ネクション装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの更なる高速化を図るた
め、ＣＰＵやＤＲＡＭ等のＩＣチップを積層し、チップ
間のデータのやりとりを光信号で行うワンチップコンピ
ュータが考えられている。このようなワンチップコンピ
ュータの光インターコネクション装置は、例えば或るＩ
Ｃチップの発光素子と、他のＩＣチップの受光素子とが
対向するようにして各ＩＣチップを積層すれば、一方の
発光素子の発光を他のＩＣチップで直接的に受光するこ
とができる。従って、この光にデータを乗せれば、ＩＣ
チップ間でデータの伝送を高速に行うことができる。ま
た、受光素子が設けられたＩＣチップを更に積層すれ
ば、一つの発光素子の信号を複数の受光素子で受光する
ことができる、つまり一つのＩＣチップのデータを同時
に複数の他のＩＣチップに伝送することができるため、
非常に高速な光バスを形成することもできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、チップ間で
並列データ伝送を行うためには、光信号経路は、夫々独
立している必要がある。しかし、ＩＣチップは非常に小
さいので、複数の光信号経路の光が漏れて、所謂クロス
トークが生じる可能性が高い。これを防止するため、積
層したＩＣチップ間に光導波路を形成することは非常に
困難で、非現実的である。従って、チップ間並列データ
伝送のためには、各光信号経路の信号形態、つまり光の
波長を変える方法が有効である。
【０００４】発光素子として挙げられる発光ダイオード
や後述する面発光レーザ、受光素子として挙げられるフ
ォトダイオード等は、何れも半導体基板上に形成される
が、同一基板内で光学特性を変え、しかも所定の部位に
のみ、それらを製造することは不可能である。そのた
め、受発光素子は、ＩＣチップに直接実装する必要が生
じる。
【０００５】前記ＩＣチップに実装する発光素子として
は、例えば出射口の口径が小さい垂直共振器型面発光レ
ーザ等が挙げられる。この面発光レーザならば、ＩＣチ
ップに実装する発光素子としても十分に小さいし、また
垂直方向に発光することから、ＩＣチップ基板上に実装
できれば、それだけで、積層された他のＩＣチップに対
して発光することができる。また、フォトダイオードな
どの受光素子も、ＩＣチップに実装する受光素子として
十分に小さい。
【０００６】しかしながら、このような小さな発光素子
や受光素子をＩＣチップ等の基体に高集積に実装するの
は困難である。しかも、積層されたＩＣチップ間に光バ
スを形成するためには、各ＩＣチップの所定の位置に受
発光素子を正確に実装しなければならないが、これらの
素子を、前述のように高密度に、しかも正確に実装する
のは、より一層困難である。
【０００７】本発明は前記諸問題を解決すべく開発され
たものであり、例えば積層されたＩＣチップ間の光イン
ターコネクション装置にも適用可能な光素子の実装方法
及びそれによって実装された光伝送装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記諸問題を解決するた
め、本発明のうち請求項１に係る素子実装方法は、基体
の上面の所定の部位に形態の異なる凹部を形成すると共
に、上面に異なる機能の素子が設けられ且つ前記凹部の
形態と同形態で且つ互いに形態の異なる微小構造体を形
成し、この素子が設けられた微小構造体を流体に混入し
てスラリとし、このスラリを、前記基体の上面で流動
し、前記微小構造体を、対応する形態の凹部に嵌合する
ことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明のうち請求項２に係る素子実
装方法は、前記請求項１の素子実装方法において、前記
形態の異なる微小構造体のうち、微小構造体の形態が大
きな順に、夫々の微小構造体が混入したスラリを、前記
基体の上面で流動させることを特徴とするものである。
また、本発明のうち請求項３に係る光伝送装置は、前記
異なる機能の素子を、互いに波長の異なる発光素子と
し、これらの素子を、前記請求項１又は２に記載の素子
実装方法で、前記基体の所定の部位に実装したことを特
徴とするものである。
【００１０】また、本発明のうち請求項４に係る光伝送
装置は、前記異なる機能の素子を、互いに感受する波長
の異なる受光素子とし、これらの素子を、前記請求項１
又は２に記載の素子実装方法で、前記基体の所定の部位
に実装したことを特徴とするものである。また、本発明
のうち請求項５に係る光伝送装置は、前記請求項４の発
明において、前記受光素子は、所定の波長帯域の光が通
過するバンドパスフィルタを受光面に備えたフォトダイ
オードであることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明のうち請求項６に係る光伝送
装置は、前記請求項３に記載の光伝送装置の発光素子
と、前記請求項４又は５に記載の光伝送装置の受光素子
とが互いに対向するように、夫々の基体を積層したこと
を特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本実施形態の積層ＩＣチップ間の
光インターコネクション装置の概略構成図であり、ここ
では、ＣＰＵやＤＲＡＭ等のＩＣチップ（ＬＳＩ）１ａ
〜１ｃを三層積層している。この実施形態では、図示す
る最下層のＩＣチップ１ｃの発光素子２ａの光を中層及
び最上層のＩＣチップ１ｂ、１ａの受光素子３ａで受光
し、最上層のＩＣチップ１ａの発光素子２ｂの光を中層
及び最下層のＩＣチップ１ｂ、１ｃの受光素子３ｂで受
光するように構成されている。そのため、一方の発光素
子２ａは他方の発光素子２ｂと発光波長が異なり、また
一方の受光素子３ｂは他方の受光素子３ｂと感受する受
光波長帯域が異なる。なお、この実施形態では、各ＩＣ
チップ１ａ〜１ｃの基板（基体）４ａ〜４ｃ及び微小構
造体７ａ〜８ｂをＳｉで作製した。そのため、各発光素
子の光として１．０μｍ以上、好ましくは１．１μｍ以
上の波長を選んでいる。Ｓｉは１．０μｍの波長に対し
て約１００ｃｍ-1と吸収係数が大きく、相応の損失があ
る。一方、波長が１．１μｍ以上では、吸収係数は１０
ｃｍ -1以下と小さい。そこで、本実施形態では、各発光
素子の光の波長を１．０μｍ以上、好ましくは１．１μ
ｍ以上とした。この波長の光ならば、Ｓｉを容易に透過
することができるため、対向する受発光素子間の光信号
の伝達が良好にできる。勿論、後述する接着層２１も、
この波長帯域の光に対して透明である。
【００１３】前記各ＩＣチップ１ａ〜１ｃの各基板４ａ
〜４ｃのうち、前記各発光素子２ａ、２ｂ及び受光素子
３ａ、３ｂを実装すべき部位には、例えば図２に示すよ
うな凹部５ｂ（５ａ）、６ａ（６ｂ）が形成されてい
る。図２は、このうち最上層のＩＣチップ１ａに形成さ
れている凹部５ｂ、６ａを代表して示しているが、各凹
部５ｂ、６ａは、上方形面より下方形面が小さく、且つ
側面が台形状の凹部である。これらの凹部５ｂ、６ａ
は、Ｓｉを異方性エッチングすることによって、特に側
面の傾きなど、極めて精度よく、形成することができ
る。なお、図２からも明らかなように、少なくとも同じ
基板４ａ上の発光素子用凹部５ｂと受光素子用凹部６ａ
とは、大きさ等の形態が異なる。また、本実施形態で
は、図１に示すように、その他の凹部、例えば中層のＩ
Ｃチップ１ｂの基板４ｂの受光素子用凹部６ａ、６ｂ同
士も、最下層のＩＣチップ１ｃの基板４ｃの受光素子用
凹部６ｂと発光素子用凹部５ａとも大きさ等の形態が異
なっている。つまり、例えば６ａや６ｂのように、同じ
符号を付している凹部同士は大きさ等の形態が同じであ
るが、符号の異なる凹部同士は、互いに大きさ等の形態
が異なる。換言すれば、同じ機能の素子が必要な部位の
凹部は形態が同じであるが、異なる機能の素子用の凹部
は形態が異なるのである。
【００１４】図２には、前記発光素子２ｂ（２ａ）が上
面に設けられた微小構造体７ｂ（７ａ）と、受光素子３
ａ（３ｂ）が上面に設けられた微小構造体８ａ（８ｂ）
も示している。微小構造体７ｂ（７ａ）、８ａ（８ｂ）
はＳｉで構成される。各微小構造体７ｂ（７ａ）、８ａ
（８ｂ）の形態は、何れも前記凹部５ｂ（５ａ）、６ａ
（６ｂ）と同様に、上方形面より下方形面が小さく、側
面が台形なブロック状である。但し、ここに示す前記他
方の発光素子２ｂを実装する部位の発光素子用凹部５ｂ
と当該他方の発光素子２ｂが設けられている微小構造体
７ｂとは同形態であり、前記一方の受光素子３ａを実装
する部位の受光素子用凹部６ａと当該一方の受光素子３
ａが設けられている微小構造体８ａとは同形態である。
同様に、前記一方の発光素子２ａを実装する部位の発光
素子用凹部５ａと当該一方の発光素子２ａが設けられて
いる微小構造体７ａとは同形態であり、前記他方の受光
素子３ｂを実装する部位の受光素子用凹部６ｂと当該他
方の受光素子３ｂが設けられている微小構造体８ｂとは
同形態である。即ち、夫々、機能の異なる素子が上面に
設けられている微小構造体同士は互いに大きさ等の形態
が異なるが、当該素子が実装されるべき部位の凹部とは
同形態である。
【００１５】前記二種類の発光素子２ａ、２ｂは、互い
に発光波長の異なる面発光レーザによって構成される。
また、前記二種類の受光素子３ａ、３ｂは、互いに感受
する受光波長帯域の異なるフィルタ付きフォトダイオー
ドで構成される。まず、面発光レーザからなる発光素子
２ａ（２ｂ）が上面に設けられている微小構造体７ａ
（７ｂ）の製造方法について説明する。ここでは、図３
ａに示すように、面発光レーザ素子となるエピタキシャ
ル層１１を、ｐコンタクト層１３を挟んで、Ｓｉ基板１
２に貼付ける。エピタキシャル層１１の反対の面には、
予めｎコンタクト層１４が設けられている。また、エピ
タキシャル層１１をＳｉ基板１２に貼付る技術として
は、周知のＩｎＰ−Ｓｉ直接接合や、金属膜介装接合、
半田接合、接着剤接合などが用いられる。
【００１６】次に、図３ｂに示すように、前記エピタキ
シャル層１１にドライエッチングを施して、面発光レー
ザの発光部となる柱状部１５を形成する。次に、図３ｃ
に示すように、残っているエピタキシャル層１１にドラ
イエッチングを施してコンタクトホール１６を形成し、
共通電極として、前記ｐコンタクト層１３を露出する。
次に、図３ｄに示すように、前記柱状部１５の周囲に、
ポリイミドを埋め込んで、絶縁層１７を形成する。次
に、図３ｅに示すように、前記ｎコンタクト層１４の上
面にリング状上部電極１８を形成し、前記コンタクトホ
ール１６内のｐコンタクト層１３の上面に下部電極１９
を形成する。そして、最後に、図３ｆに示すように、前
記Ｓｉ基板１２に異方性エッチングを施して、前述した
微小構造体７ａ（７ｂ）を形成する。
【００１７】また、前記受光素子３ａ、３ｂには、通常
のフォトダイオード９の上下面に、通過する光の波長帯
域が異なる多層膜コーティング１０ａ、１０ｂを施した
ものを用いる。即ち、例えばＳｉ基板と、多層膜コーテ
ィング１０ａ、１０ｂが施されたフォトダイオード９を
接合し、当該多層膜コーティング１０ａ、１０ｂとフォ
トダイオード９をエッチング法などにより、所定の形状
に成形した後、Ｓｉ基板に異方性エッチングを施して、
前記微小構造体８ａ、８ｂを形成する。つまり、これら
の多層膜コーティング１０ａ、１０ｂが通過する光の波
長を規制するバンドパスフィルタをなし、全体で、特定
の波長帯域の光だけを感受する受光素子３ａ、３ｂが構
成される。ここでは、前記一方の受光素子３ａの多層膜
コーティング１０ａは、前記一方の発光素子２ａの面発
光レーザが発光する波長の光を透過するが、前記他方の
発光素子２ｂの面発光レーザが発光する波長の光を遮断
する特性を備えるように構成されている。それに対し
て、前記他方の受光素子３ｂの多層膜コーティング１０
ｂは、前記他方の発光素子２ｂの面発光レーザが発光す
る波長の光を透過するが、前記一方の発光素子２ａの面
発光レーザが発光する波長の光を遮断する特性を備える
ように構成されている。
【００１８】そして、例えばUnited States Patent 590
4545に記載されるように、前記発光素子２ｂ（２ａ）が
設けられた微小構造体７ｂ（７ａ）や、受光素子３ａ
（３ｂ）が設けられた微小構造体８ａ（８ｂ）を、所定
の流体に混入してスラリを作り、このスラリを前記各基
板４ａ（４ｂ、４ｃ）の上面で流動する。すると、微小
構造体７ｂ（７ａ）、８ａ（８ｂ）は、図２に示すよう
に、同じ形態の凹部５ｂ（５ａ）、６ａ（６ｂ）に重力
によって嵌合する。つまり、例えば前記最上層のＩＣチ
ップ１ａの基板４ａにおいて、前記他方の発光素子２ｂ
を実装すべき部位の発光素子用凹部５ｂには、当該他方
の発光素子２ｂが上面に設けられた微小構造体７ｂが嵌
合し、前記一方の受光素子３ａを実装すべき部位の受光
素子用凹部６ａには、当該一方の受光素子３ａが上面に
設けられた微小構造体８ａが嵌合する。従って、例えば
図４に示すように、前記最上層のＩＣチップ１ａの基板
４ａに、前記四つの異なる凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂ
を形成し、前記二つの異なる発光素子２ａ、２ｂが設け
られた微小構造体７ａ、７ｂ及び二つの異なる受光素子
３ａ、３ｂが設けられた微小構造体８ａ、８ｂを流体に
混入してスラリを作り、それを前記基板４ａの上面で流
動すれば、該当する凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂに、夫
々同形態の微小構造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂが嵌合
し、所望の部位に所望の素子を実装することができる。
【００１９】但し、このように大きさの異なる微小構造
体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂを用いて各受発光素子を実装
する際には、形態の大きい微小構造体（ここでは微小構
造体８ｂ）から形態の小さい微小構造体（ここでは微小
構造体８ａ）といったように、形態の大きい順、つまり
微小構造体８ｂ、８ａ、７ｂ、７ａの順で、夫々の微小
構造体並びに各受発光素子が混入したスラリを基板４ａ
（４ｂ、４ｃ）の上面で流動し、各受発光素子を実装す
るのが望ましい。これにより、例えば形態の小さい微小
構造体７ｂが形態の大きい凹部６ａに誤って嵌合するの
を防止することができる。つまり、形態の大きい凹部６
ａには、既に形態の大きい微小構造体８ａが嵌合して、
当該凹部６ａは閉塞されているからである。
【００２０】このようにして各基板４ａ〜４ｃに各受発
光素子２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂが実装されたら、被膜処
理やコンタクトホール形成、配線等の必要な処理を施
し、それら基板４ａ〜４ｃからなるＩＣチップ１ａ〜１
ｃを所定の状態に積層する。本実施形態では、ＩＣチッ
プ１ａ〜１ｃの積層に際し、透明な接着剤２１を用い
た。これにより、前記発光素子２ａ、２ｂの光は、各基
板４ａ〜４ｃ及び接着剤２１層を通過して、各受光素子
３ａ、３ｂに到達する。そして、各受光素子３ａ、３ｂ
は、夫々、感受対象となる発光素子２ａ、２ｂの光だけ
を受光する。従って、各光信号経路から光が漏れても、
異なる光信号経路の受光素子が、その光を誤って受光す
る、つまりクロストークの恐れがなく、完全に独立した
光バスを形成することができる。
【００２１】このように、本実施形態の素子実装方法で
は、機能の異なる素子を、極めて高密度に且つ正確に実
装することができる。しかも、前記Ｓｉ異方性エッチン
グで形成される凹部５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂ及び微小構
造体７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂは、極めて形状精度が高い
ので、非常に小さな微小構造体も、確実に同形態の凹部
に嵌合し、従って極めて高い精度で、所望の部位に所望
の素子を実装することができる。
【００２２】次に、本発明の素子実装方法及び光伝送装
置を波長多重型光インターコネクション装置に適用した
実施形態を示す。波長多重型光インターコネクション装
置は、例えば図５のように構成される。この例は、例え
ば特開平１１−２８９３１７号公報に記載されるものと
同等であり、波長の異なる複数の発光素子２が実装され
ている発光素子アレイ１１１と、光導波路となる光ファ
イバ１１０と、前記発光素子２の夫々の波長の光を抽出
するフィルタ素子２２が実装されているフィルタアレイ
１１２と、このフィルタアレイ１１２で抽出された各波
長の光を受光する受光素子３が実装されている受光素子
アレイ１１３とで構成される。なお、図では、理解を容
易にするために、各構成要素を分離しているが、実質的
に各構成要素は、光学的に直接接合されている。
【００２３】このような波長多重型光インターコネクシ
ョン装置では、前記発光素子アレイ１１１の各発光素子
２から波長の異なる複数の光を発光し、その夫々の光を
媒体として光ファイバ１１０内を伝送し、当該光ファイ
バ１１０から出射する光の中から、該当する波長の光を
抽出して、それを受光素子アレイ１１３の各受光素子３
で受光することにより、当該光に乗せられたデータを伝
送することができる。
【００２４】しかしながら、この場合も、異なる機能、
つまり受発光する光の波長特性が異なる発光素子２や受
光素子３を用いることから、夫々の素子は、夫々のアレ
イ上に実装しなければならない。しかも、大径のプラス
チック光ファイバを用いても、光を伝送するコアの径は
小さいので、このコア径の内部に、前記発光素子２や受
光素子３を高密度且つ正確に実装するのは非常に困難で
ある。
【００２５】そこで、本実施形態では、前記積層ＩＣチ
ップ間光インターコネクション装置に用いた発光素子付
きの微小構造体及び受光素子付きの微小構造体を用い
て、これらの各受発光素子を実装する。但し、前記受光
素子は、所定の波長の光だけを受光するフィルタ機能が
付加されているので、実質的に前記フィルタアレイ１１
２は不要である。
【００２６】そこで、図６ａに示すように、前記発光素
子アレイ１１１の基板に、互いに異なる形態の凹部５ｃ
〜５ｆを形成し、夫々の凹部の形態と同形態で且つ上面
に発光素子２ｃ〜２ｆが設けられた前記微小構造体７ｃ
〜７ｆを流体に混入してスラリを作り、このスラリを、
当該基板の上面で流動して、同じ形態の凹部５ｃ〜５ｆ
に微小構造体７ｃ〜７ｆを嵌合し、当該発光素子アレイ
１１１の基板に発光素子２ｃ〜２ｆを実装する。また、
図６ｂに示すように、前記受光素子アレイ１１３の基板
に、互いに異なる形態の凹部６ｃ〜６ｆを形成し、夫々
の凹部の形態と同形態で且つ上面に受光素子３ｃ〜３ｆ
が設けられた前記微小構造体８ｃ〜８ｆを流体に混入し
てスラリを作り、このスラリを、当該基板の上面で流動
して、同じ形態の凹部６ｃ〜６ｆに微小構造体８ｃ〜８
ｆを嵌合し、当該受光素子アレイ１１３の基板に受光素
子３ｃ〜３ｆを実装する。
【００２７】このように、前述と同様、機能の異なる素
子を、極めて高密度に且つ正確に実装することができ
る。しかも、前記Ｓｉ異方性エッチングで形成される凹
部及び微小構造体は、極めて形状精度が高いので、非常
に小さな微小構造体も、確実に同形態の凹部に嵌合し、
従って極めて高い精度で、所望の部位に所望の素子を実
装することができる。
【００２８】なお、前記各実施形態では、微小構造体
を、全て上下面が正方形で、側面が台形のものとした
が、微小構造体の形態は、これに限定されるものではな
く、例えば上下面が長方形であったり、平行四辺形或い
は菱形のようなものであってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る素子実装方法によれば、基体の上面の所定の
部位に形態の異なる凹部を形成すると共に、上面に異な
る機能の素子が設けられ且つ前記凹部の形態と同形態で
且つ互いに形態の異なる微小構造体を形成し、この素子
が設けられた微小構造体を流体に混入してスラリとし、
このスラリを、前記基体の上面で流動し、前記微小構造
体を、対応する形態の凹部に嵌合することとしたため、
凹部の形態と微小構造体とが同形態であれば、異なる機
能の素子を極めて高密度に実装することができ、しかも
凹部の形態と部位が正確であれば、素子を基体に対して
極めて正確に実装することができる。
【００３０】また、本発明のうち請求項２に係る素子実
装方法によれば、前記形態の異なる微小構造体のうち、
微小構造体の形態が大きな順に、夫々の微小構造体が混
入したスラリを、基体の上面で流動させることとしたた
め、形態の小さな微小構造体が、それより大きな形態の
凹部に嵌合する可能性が小さくなり、その分だけ、素子
を正確に実装することができる。
【００３１】また、本発明のうち請求項３に係る光伝送
装置によれば、互いに波長の異なる発光素子を、前記請
求項１又は２に記載の素子実装方法で、前記基体の所定
の部位に実装することとしたため、積層ＩＣチップ間の
光インターコネクション装置にも適用可能な発光素子実
装済みＩＣチップを製造することができる。また、本発
明のうち請求項４に係る光伝送装置によれば、互いに感
受する波長の異なる受光素子を、前記請求項１又は２に
記載の素子実装方法で、前記基体の所定の部位に実装す
ることとしたため、積層ＩＣチップ間の光インターコネ
クション装置にも適用可能な受光素子実装済みＩＣチッ
プを製造することができる。
【００３２】また、本発明のうち請求項５に係る光伝送
装置によれば、所定の波長帯域の光が通過するバンドパ
スフィルタを受光面に備えたフォトダイオードで受光素
子を構成することにより、積層ＩＣチップ間の光インタ
ーコネクション装置で並列データ伝送を行うのに必要
な、独立した光信号経路を形成することができるフィル
タ機能付きの受光素子を容易に製造することができる。
【００３３】また、本発明のうち請求項６に係る光伝送
装置によれば、前記請求項３に記載の光伝送装置の発光
素子と、前記請求項４又は５に記載の光伝送装置の受光
素子とが互いに対向するように、夫々の基体を積層する
構成としたため、積層ＩＣチップ間の光インターコネク
ション装置を容易に構築することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す積層ＩＣチップ間光イ
ンターコネクション装置の概略構成図である。
【図２】素子を各基板の凹部に嵌合する説明図である。
【図３】発光素子が上面に設けられている微小構造体の
製造方法の説明図である。
【図４】形態の異なる微小構造体により機能の異なる素
子を基板に実装した説明図である。
【図５】本発明の実施形態を示す波長多重型光インター
コネクション装置の概略構成図である。
【図６】形態の異なる微小構造体により機能の異なる素
子を基板に実装した説明図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃはＩＣチップ ２（２ａ、２ｂ）は発光素子 ３（３ａ、３ｂ）は受光素子 ４ａ、４ｂ、４ｃは基板 ５（５ａ、５ｂ）は凹部 ６（６ａ、６ｂ）は凹部 ７（７ａ、７ｂ）は微小構造体 ８（８ａ、８ｂ）は微小構造体 ９はフォトダイオード １０（１０ａ、１０ｂ）は多層膜コーティング（バンド
パスフィルタ） １０は光ファイバ １１は発光素子アレイ １２はフィルタ素子アレイ １３は受光素子アレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 淳史 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AB16 AB28 BA01 DA24 DA35 EA04 FA13 5F088 AA01 BB01 JA01 JA05 JA13 JA14 KA01 KA10 5F089 AA01 AB03 AC02 AC07 AC11 AC17 EA01 FA06 FA10 GA07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体の上面の所定の部位に形態の異なる
    凹部を形成すると共に、上面に異なる機能の素子が設け
    られ且つ前記凹部の形態と同形態で且つ互いに形態の異
    なる微小構造体を形成し、この素子が設けられた微小構
    造体を流体に混入してスラリとし、このスラリを、前記
    基体の上面で流動し、前記微小構造体を、対応する形態
    の凹部に嵌合することを特徴とする素子実装方法。
  2. 【請求項２】 前記形態の異なる微小構造体のうち、微
    小構造体の形態が大きな順に、夫々の微小構造体が混入
    したスラリを、前記基体の上面で流動させることを特徴
    とする請求項１に記載の素子実装方法。
  3. 【請求項３】 前記異なる機能の素子を、互いに波長の
    異なる発光素子とし、これらの素子を、前記請求項１又
    は２に記載の素子実装方法で、前記基体の所定の部位に
    実装したことを特徴とする光伝送装置。
  4. 【請求項４】 前記異なる機能の素子を、互いに感受す
    る波長の異なる受光素子とし、これらの素子を、前記請
    求項１又は２に記載の素子実装方法で、前記基体の所定
    の部位に実装したことを特徴とする光伝送装置。
  5. 【請求項５】 前記受光素子は、所定の波長帯域の光が
    通過するバンドパスフィルタを受光面に備えたフォトダ
    イオードであることを特徴とする請求項４に記載の光伝
    送装置。
  6. 【請求項６】 前記請求項３に記載の光伝送装置の発光
    素子と、前記請求項４又は５に記載の光伝送装置の受光
    素子とが互いに対向するように、夫々の基体を積層した
    ことを特徴とする光伝送装置。
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