JP2007219004A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】小型の構成であっても、光検知器、発光器などの光学部品を基板に容易に実装できると共に、光検知器と光分波器、または発光器と光合波器との光結合を簡単に実現できる情報通信用の光モジュールを提供する。
【解決手段】孔1aが形成されているフィルム基板1の領域には、受光部2aをフィルム基板1側に向けてフォトディテクタ2(光検知器)が、その電極をバンプ5を介して配線6に接続させて、フリップチップ実装されている。フォトディテクタ2を駆動するための駆動IC回路4が、フィルム基板1に実装されている。フォトディテクタ2とフィルム基板1との間には、孔1aも埋めるように、透光性樹脂9が充填されている。フィルム基板1の他方の面には、フォトディテクタ2に対向する態様で、光分波器3が接着剤8にて接着されている。
【選択図】図1
【解決手段】孔1aが形成されているフィルム基板1の領域には、受光部2aをフィルム基板1側に向けてフォトディテクタ2(光検知器)が、その電極をバンプ5を介して配線6に接続させて、フリップチップ実装されている。フォトディテクタ2を駆動するための駆動IC回路4が、フィルム基板1に実装されている。フォトディテクタ2とフィルム基板1との間には、孔1aも埋めるように、透光性樹脂9が充填されている。フィルム基板1の他方の面には、フォトディテクタ2に対向する態様で、光分波器3が接着剤8にて接着されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば波長が異なる複数の光を用いた通信である波長多重型の光信号伝送に使用する光モジュールに関し、特に、CWDM型の波長多重通信に好適な光モジュールに関する。
電気信号を光信号に変換し、光で信号を送受信するための光伝送方式は、基幹系通信または装置間信号伝送に利用されている。光信号の伝送方式には、単波長方式と波長多重方式とがある。単波長方式は、電気光変換デバイスであるレーザ等の光源を用いて信号情報を光信号化し、この光信号を光ファイバで伝送し、光電気変換デバイスである光検知器等の受光素子で受けて電気信号化して後続のLSI等の装置へ送る方式である。
一方、波長多重方式(WDM:Wavelength Division Multiplexing)は、基幹系通信または10ギガバイトイーサネット(登録商標)などに利用されており、異なる複数の波長の信号光を同一の光ファイバで伝送する方式であって、波長の間隔が狭いDWDM型(Dense WDM)と波長の間隔が広いCWDM型(CoarseWDM)とに分類される。CWDM型には、MMF伝送方式のものとSMF伝送方式のものとがあり、何れの伝送方式とも光合波器及び光分波器が必要である。
波長分波機能を有するデバイスとしては、導波路デバイス、グレーティングを有する導波路デバイス、薄膜フィルタをはじめとする光学フィルタデバイス等があり、光電気変換デバイスとしては、面受光型フォトダイオードデバイス、導波路型フォトダイオードデバイス等がある。
光学フィルタを用いた従来の波長多重光用受光デバイスとして、図9(a)の上面図及び図9(b)の側面図に示すような構成を有するデバイスが知られている。この従来例では、透光性の第1基板56の一方の面に、光ファイバ57からの光に対する波長選択性を有する光学フィルタ51を実装し、その他方の面にミラー54を形成してなる光分波器が、支持体55に切削加工された溝に搭載されている。また、第2基板53にフォトダイオード52を実装し、その実装する側面及び上面に電極58を形成してなる光検知器が、同様に、支持体55に切削加工された溝に搭載されている。
この従来例では、光学フィルタ51を実装した第1基板56、及びフォトダイオード52を実装した第2基板53を、支持体55に形成した溝に立てて実装しなければならず、それらの実装が容易ではないという問題点があった。
また、同じく光学フィルタを用いた従来の波長多重光用受光デバイスとして、図10(a)の側面図及び図10(b)の上面図に示すような構成を有するデバイスが特許文献1に開示されている。透光性の基板65の一方の面に、無反射コート層63を介して光学フィルタ61を形成し、他方の面にミラー64を形成して構成される光分波器が使用されている。各光学フィルタ61の上には、基板65に形成された配線に接続されたフォトダイオード62が搭載されている。
また、光モジュールの他の従来例として、図11に示すような光送信用IC及び光受信用ICとレンズとを一体化したモジュールが特許文献2に提案されている。マイカ基板71の一方の面に、発光ダイオード72を有する光送信用IC73とフォトダイオード74を有する光受信用IC75とを搭載し、その他方の面にレンズ76を搭載している。
特開2002−296458号公報
特開2001−44452号公報
しかしながら、特許文献1に示された例では、同一の透光性の基板に光学フィルタと配線とを形成しているが、配線を形成する際には一般的にフォトレジスト工程、めっき工程などを要する場合が多いため、同一の基板上に光学フィルタと配線とを形成することは容易ではないという問題がある。
また、特許文献2に示された例では、波長多重光用受光デバイスを製造するためには、光学フィルタ等の光分波器を取り付ける必要がある。また、レンズからフォトダイオードの受光面までの距離が短いために、短焦点の曲率が大きいレンズを使用することが必要となり、光分波器を取り付ける上では、表面凹凸が大きい、焦点距離が短いため位置合せに高い精度を要するなどの実装上の問題がある。
一般的にレンズを使用する光分波器では、レンズの集光性能を低下させないために、レンズと光分波器との間に空間を維持しなければならず、光の界面反射等によりノイズが発生するという問題がある。但し、これは、光分波器の外部にレンズがある場合であり、光分波器の内部にレンズがある場合には、この限りではない。内部にレンズを有する光分波器は、例えば特開2002−169054号公報に開示されている。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、小型の構成であっても、光検知器、発光器などの光学部品を基板に容易に実装できると共に、光検知器と光分波器、または発光器と光合波器との光結合を簡単に実現できる光モジュールを提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、光路変換器を設けることにより、サイズの更なる小型化を図れる光モジュールを提供することにある。
本発明に係る光モジュールは、透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器が、その光出力面またはその光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする。
本発明の光モジュールにあっては、光が通過する部分が透光性である基板の一方の面に光検知器または発光器をフリップチップ実装し、基板の他方の面に、光検知器または発光器に対向させて光分波器または光合波器を設置している。よって、半導体部品の実装に広く使用されているフリップチップ手法を用いているため、光部品の実装が容易である。また、基板を挟んで光検知器または発光器に対向させて、光分波器または光合波器を設けているので、小型な構造となる。
本発明に係る光モジュールは、透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器に接続されている光路変換器が、その光出力面または光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする。
本発明の光モジュールにあっては、光が通過する部分が透光性である基板の一方の面に光検知器または発光器をフリップチップ実装し、基板の他方の面に、光分波器または光合波器に接続されている光路変換器を光検知器または発光器に対向させて設置している。よって、半導体部品の実装に広く使用されているフリップチップ手法を用いているため、光部品の実装が容易である。また、光路変換器にて、光路を基板に平行な方向にすることが可能となり、更なる小型化を図れる。
本発明に係る光モジュールは、前記透光性部分が、前記基板へ孔を加工することにより、または、前記基板へ孔を加工し、加工した孔へ透光性樹脂を充填することにより形成されていることを特徴とする。
本発明の光モジュールにあっては、基板に孔を開けたり、または、基板に孔を開けた後にその孔に透光性樹脂を充填することにより、光が通過する部分を形成する。よって、確実な光透過性が得られて、基板内における光減衰は殆どない。
本発明に係る光モジュールは、前記光検知器の受光面または前記発光器の出光面と前記基板との間に、透光性樹脂を充填させていることを特徴とする。
本発明の光モジュールにあっては、光検知器の受光面または発光器の出光面と基板との間に透光性樹脂を充填させる。よって、光路上の界面の屈折率差が小さくなり、反射光は低減する。
本発明に係る光モジュールは、前記基板の他方の面の前記光分波器または前記光合波器の設置領域以外の領域に板材を設けていることを特徴とする。
本発明の光モジュールにあっては、光分波器または光合波器を設けていない基板の領域に板材を設けている。よって、この板材により、剛性が向上する。
本発明の光モジュールでは、透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器をフリップチップ実装し、基板の他方の面に、光分波器または光合波器を、その光出力面またはその光入力面を基板側にして設置するようにしたので、フリップチップ手法を用いて光部品を容易に実装できると共に、光検知器または発光器と光分波器または光合波器とを一体化できて構造の小型化を図ることができる。
本発明の光モジュールでは、透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装し、基板の他方の面に、光分波器または光合波器に接続されている光路変換器を、その光出力面または光入力面を基板側にして設置するようにしたので、フリップチップ手法を用いて光部品を容易に実装できると共に、光検知器または発光器と光分波器または光合波器とを一体化できて構造の小型化を図ることができ、更に、光路変換器にて、光路を基板に平行な方向にすることができるため、更なる小型化、特に薄型化を図ることができる。
本発明の光モジュールでは、透光性部分を、基板への孔加工、または、基板への孔加工及び加工した孔への透光性樹脂の充填により形成するようにしたので、基板内を確実に光を透過させることでき、光減衰に伴う波長多重通信の不具合の発生を防止することができる。
本発明の光モジュールでは、光検知器の受光面または発光器の出光面と基板との間に透光性樹脂を充填するようにしたので、光路上の界面の屈折率差を小さくできて、反射光を低減でき、反射光に伴う波長多重通信の不具合の発生を防止することができる。
本発明の光モジュールでは、基板の他方の面の光分波器または光合波器の設置領域以外の領域に板材を設けるようにしたので、剛性を高めることができ、より薄い基板を使用することが可能となる。
本発明では、片面もしくは両面に配線が形成され、光の通過する部分が透光性であるフィルム基板を作製し、この配線のパッド部に光検知器としてのフォトディテクタをフェイスダウン実装し、フィルム基板を透過してフォトディテクタの受光部に光が照射される位置に光分波器の光出力部を合せて、光分波器を搭載、固定することにより、受信用の波長多重通信光モジュールを構成する。
また、本発明では、片面もしくは両面に配線が形成され、光の通過する部分が透光性であるフィルム基板を形成し、この配線のパッド部に発光器としてのVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)をフェイスダウン実装し、フィルム基板を透過するVCSELの出射光の位置に光合波器の光入力部を合せて、光合波器を搭載、固定することにより、送信用の波長多重通信光モジュールを構成する。
このような光モジュールにおいて、フォトディテクタの受光面とフィルム基板の間、または、VCSELの出光面とフィルム基板との間には、透明な樹脂を充填しておくことが望ましい。フィルム基板とフォトディテクタまたはVCSELとの接合を熱圧接方式にて行った場合には、フィルム基板とフォトディテクタまたはVCSELとの間は透光性の樹脂組成物で充填される。その他の方式の接合の場合にも、フィルム基板とフォトディテクタまたはVCSELとの間を透明樹脂で充填することが好ましい。透明樹脂(透光性樹脂)で充填した場合には光路上の界面の屈折率差が小さくなり、反射光の低減などに対して有効である。
光分波器または光合波器とフィルム基板の間には、光路の方向を変更させる光路変換器を挿入しても良い。この場合には、光ファイバの取り出し方向をフィルム基板と平行にすることができ、光モジュールを薄型の構造にすることが可能である。
フィルム基板は、光を効率良く利用するためには、薄いことが望ましく、膜厚は50μm以下であることが好ましい。また、フィルム基板の光の透過する部分は、透光性である必要がある。その目的のため、使用する波長の光に対して透光性であるフィルム基板を使用する。例えば、650〜850nmの波長を光を用いる場合には、透光性のフィルム基板として、ポリエチレンナフタレート,ポリブチレンナフタレート,ポリブチレンテレフタレート,ポリエチレンテレフタレート,ポリイミド,ポリアミド,ポリアミドイミドなどから、使用する波長光に対する選択的透光性がある材料を使用できる。ここでポリイミド,ポリアミドイミド等は、一般に不純物に起因する吸収があるため、透光性に優れた材料を選定することが好ましい。
使用する波長の光の帯域が広い場合、または、光の透過性が低いフィルム基板を使用する場合には、光が透過する部分を孔加工することが望ましい。光が透過する部分を孔加工する場合には、炭酸ガスレーザ,エキシマレーザ等で孔を形成することができる。また、この形成した孔から接着剤がこぼれないように、孔を透光性樹脂で充填しておくことが好ましい。
フィルム基板は薄膜であるため、光合波器または光分波器を接着した際に空きとなる領域には、剛性を高めるために、リジッドな板材を支持部材として接着することが望ましい。但し、光合波器または光分波器のフィルム基板への接着面がフィルム基板より大きくなる場合には、これを必要としない。
フォトディテクタは、表面入射型であって、表面側にカソード及びアノード接続用の電極が形成されているフォトディテクタを使用する。VCSELも同様に、表面出射型であって、表面側にカソード及びアノード接続用の電極が形成されているVCSELを使用する。
フリップチップ実装用の接続用バンプは、フォトディテクタ側またはVCSEL側に形成されていても良く、フィルム基板側に形成されていても良い。バンプとしては、金スタッド,金ピラー,はんだ,導電性樹脂組成物等を使用できる。金スタッド、導電性樹脂組成物の場合には、熱圧接接合,超音波接合等によって電気的に接合することができる。金ピラーの場合には、上記の接合方法に加えて、Sn膜等を用いた界面接合も可能である。はんだバンプの場合には、はんだを溶融接合する。
光分波器として、複数種の波長光の光出力面が同一平面にあって、かつ略平坦な光分波器を使用する。また、光合波器も同様に、複数種の波長光の光入力面が同一平面にあって、かつ略平坦な光合波器を使用する。
フォトディテクタを一方の面にフェイスダウン実装したフィルム基板の他方の面に、光分波器を、光分波器の光出力部の位置とフォトディテクタの受光部の位置とを合せて固定することにより、受信用の波長多重通信光モジュールを作製できる。同様に、VCSELを一方の面にフェイスダウン実装したフィルム基板の他方の面に、光合波器を、光合波器の光入力部の位置とVCSELの発光部の位置とを合せて固定することにより、送信用の波長多重通信光モジュールを作製できる。光分波器または光合波器を固定する方法は、接着剤を用いた接着が可能である。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、以下の実施の形態は本発明の一例を述べたものであり、本発明が以下の実施の形態に限定されないことは勿論である。
(第1実施の形態)
図1は、第1実施の形態に係る光モジュール(受信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図1において、1は例えば配線形成用のポリイミドからなるフィルム基板(厚さ:25μm)であり、フィルム基板1には4箇所の孔1aが幅方向に並設して(図1では1箇所のみ図示)形成されている。フィルム基板1の一方の面(上面)には、銅箔をパターン化してなる配線6が形成されている。
図1は、第1実施の形態に係る光モジュール(受信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図1において、1は例えば配線形成用のポリイミドからなるフィルム基板(厚さ:25μm)であり、フィルム基板1には4箇所の孔1aが幅方向に並設して(図1では1箇所のみ図示)形成されている。フィルム基板1の一方の面(上面)には、銅箔をパターン化してなる配線6が形成されている。
孔1aが形成されているフィルム基板1の領域には、受光部2aをフィルム基板1側に向けて光検知器としてのフォトディテクタ2が設けられており、フォトディテクタ2の電極(図示せず)が例えば金製のバンプ5を介して配線6に接続されている。このような構成により、フォトディテクタ2がフィルム基板1にフリップチップ実装されている。また、フォトディテクタ2を駆動するための駆動IC回路4が、例えば金製のバンプ5を介して配線6に接続されてフィルム基板1に実装されている。フォトディテクタ2とフィルム基板1との間には、孔1aも埋めるように、例えばエポキシ樹脂からなる透光性樹脂9が充填されている。
フィルム基板1の他方の面(下面)には、フォトディテクタ2に対向する態様で、光分波器3が接着剤8にて接着されている。光分波器3の下方には、上下方向に延在する光ファイバ10が接続されている。また、光分波器3が接着されている領域を除いたフィルム基板1の他方の面には、リジッドな板材7が接着されている。なお、フィルム基板1の他方の面には、必要に応じてGND用の配線(図示せず)が形成されている。
図2は光分波器3の構成を示しており、図2(a)はその側面図、図2(b)はその断面図である。この光分波器3は、光ファイバ10の伝送光から4種類の波長光を分波する例である。光分波器3は、支持基板3aと、支持基板3aの上面に設けられてそれぞれ特定の波長帯域の光のみを通して他の波長帯域の光は反射する4個の波長選択フィルタ3bと、波長選択フィルタ3bに対応して設けられた4個のレンズ3cと、支持基板3aの下面に設けられた3個のミラー3dと、光ファイバ10に光学的に結合されたレンズ3eとを有している。
光ファイバ10を介して光分波器3内に導入された780〜840nm帯の光を、波長選択フィルタ3bによって20nm間隔の4種の光に分波して、4種の波長光(λ1,λ2,λ3,λ4)をレンズ3cから出射する。この光分波器3の光出力面は同一平面にあってその光出力面は略平坦であり、各波長光の光出射部の間隔は500μmである。なお、波長選択フィルタ3bの選択波長をシフトすることにより、1.3μm帯または1.5μm帯の光から複数種の波長光を分波するように構成することも可能である。
(第2実施の形態)
図3は、第2実施の形態に係る光モジュール(送信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図3において、図1と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
図3は、第2実施の形態に係る光モジュール(送信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図3において、図1と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
孔1aが形成されているフィルム基板1の領域には、発光部12aをフィルム基板1側に向けて発光器としてのVCSEL12が設けられており、VCSEL12の電極(図示せず)がバンプ5を介して配線6に接続されている。このような構成により、VCSEL12がフィルム基板1にフリップチップ実装されている。また、VCSEL12を駆動するための駆動IC回路14が、バンプ5を介して配線6に接続されてフィルム基板1に実装されている。VCSEL12とフィルム基板1との間には、孔1aも埋めるように、透光性樹脂9が充填されている。
フィルム基板1の他方の面には、VCSEL12に対向する態様で、光合波器13が接着剤8にて接着されている。光合波器13の下方には、上下方向に延在する光ファイバ10が接続されている。また、光合波器13が接着されている領域を除いたフィルム基板1の他方の面には、リジッドな板材7が接着されている。なお、フィルム基板1の他方の面には、必要に応じてGND用の配線(図示せず)が形成されている。
図4は光合波器13の構成を示しており、図4(a)はその側面図、図4(b)はその断面図である。この光合波器13は、VCSEL12から出射された4種類の波長光を合波して光ファイバ10へ伝送する例である。光合波器13は、図2に示した光分波器3と光の進む方向が逆になっているだけであって、その構成は図2の光分波器3の構成と基本的に同じであり、同一部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
VCSEL12から出射されて波長選択フィルタ3bで選択的に透過された780〜840nm帯における20nm間隔の4種類の波長光(λ1,λ2,λ3,λ4)を合波して、その合波光を光ファイバ10へ伝送する。この光合波器13の光入力面は同一平面にあってその光入力面は略平坦であり、各波長光の光入射部の間隔は500μmである。なお、波長選択フィルタ3bの選択波長をシフトすることにより、1.3μm帯または1.5μm帯における複数種の波長光を合波するように構成することも可能である。
次に、このような構成の第1実施の形態(または第2実施の形態)の光モジュールの製造方法について説明する。図5は、その製造工程を示す図である。
銅箔21付きの厚さ25μmの配線形成用のポリイミド製のフィルム基板1をフレーム22上に載置する(図5(a))。このフィルム基板1に、500μm間隔で径90μmの4個の孔1aを炭酸ガスレーザで形成した後、エポキシ等の透明樹脂でその孔1aを埋め戻し、この孔1aがフィルム基板1の光透過部(透光性部分)となるようにして、フィルム基板1の一方の面の銅箔21をパターン化して、表面配線型のフォトディテクタ2(または表面配線型のVCSEL12)をフリップチップ実装するための配線6、フォトディテクタ2駆動用のIC回路4(またはVCSEL12駆動用のIC回路14)を実装するための配線6を形成する(図5(b))。なお、必要に応じて、フィルム基板1の他方の面には、GND等の配線を形成する。
フォトディテクタ2(またはVCSEL12)実装用の配線6を形成した面(一方の面)と反対の面(他方の面)の光分波器3(または光合波器13)が接着される部分を除いた領域にリジッドな板材7を接着する(図5(c))。次いで、フォトディテクタ2(またはVCSEL12)、及び、フォトディテクタ2駆動用のIC回路4(またはVCSEL12駆動用のIC回路14)をフリップチップボンダで配線6に実装する(図5(d))。接合は、超音波接合、はんだ、または金スタッドを用いた熱圧接等の方法で良い。
光分波器3(または光合波器13)を実装する面を上面にしてフィルム基板1をボンダにセットし、フィルム基板1の光入射部(またはフィルム基板1の光出射部)と光分波器3の光出射部(または光合波器13の光入射部)との位置を合せて、光分波器3(または光合波器13)を実装し、接着剤8で固定する(図5(e))。最後に、フォトディテクタ2(またはVCSEL12)とフィルム基板1との間に、アンダーフィル剤として例えばエポキシからなる透光性樹脂9を充填、硬化することにより、受信用の波長多重通信光モジュール(または送信用の波長多重通信光モジュール)を作製する(図5(f))。
なお、上述した製造工程は一例であって、これに限定されるものではない。例えば、上記例では、アンダーフィル剤の充填、硬化処理を最後に行っているが、この処理は、フォトディテクタ2(またはVCSEL12)を実装した後に行うようにしても良い。
(第3実施の形態)
図6は、第3実施の形態に係る光モジュール(受信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図6において、図1と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
図6は、第3実施の形態に係る光モジュール(受信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図6において、図1と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
この第3実施の形態は、第1実施の形態において、フォトディテクタ2と光分波器3との間に、光路の方向を変換するための光路変換器31を追加挿入した例である。フィルム基板1の一方の面(上面)側の構成は、第1実施の形態での構成と同一である。
フィルム基板1の他方の面には、フォトディテクタ2に対向する態様で、光路変換器31が接着剤8にて接着されている。また、その光出力部を光路変換器31の光入力部に接合させ、その側面をリジッドな板材7に接着剤8にて接着させた態様で、光分波器3が設けられている。光分波器3の光入力部には、左右方向(フィルム基板1の面に平行な方向)に延在する光ファイバ10が接続されている。なお、光分波器3の構成は第1実施の形態での構成(図2参照)と同じである。
光路変換器31は、図7に示すような光路変換導波路32とミラー33とによって構成されている。光路変換導波路32は、ガラス基板に成膜したクラッド材をエッチングして成形したL字パターンにコア材を充填することにより作製した4層のL字型光導波路34を有している。光路変換器31は、500μm間隔で4光路を有しており、直角に光路を変換する。分波器3から左右方向に出射された光は、この光路変換導波路32(L字型光導波路34)内を通過する際にミラー33によって光路が上下方向に変わり、フォトディテクタ2の受光部2aに入射される。
(第4実施の形態)
図8は、第4実施の形態に係る光モジュール(送信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図8において、図3と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
図8は、第4実施の形態に係る光モジュール(送信用の波長多重通信光モジュール)の構成を示す図である。図8において、図3と同一または同様な部分には同一番号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
この第4実施の形態は、第2実施の形態において、VCSEL12と光合波器13との間に、光路の方向を変換するための光路変換器31を追加挿入した例である。フィルム基板1の一方の面(上面)側の構成は、第2実施の形態での構成と同一である。
フィルム基板1の他方の面には、VCSEL12に対向する態様で、光路変換器31が接着剤8にて接着されている。また、その光入力部を光路変換器31の光出力部に接合させ、その側面をリジッドな板材7に接着剤8にて接着させた態様で、光合波器13が設けられている。光合波器13の光出力部には、左右方向(フィルム基板1の面に平行な方向)に延在する光ファイバ10が接続されている。なお、光合波器13の構成は第2実施の形態での構成(図4参照)と同じである。
光路変換器31の構成は、内部での光の進行方向が逆となるだけであって、第3実施の形態での構成(図7参照)と同じである。VCSEL12から上下方向に出射された光は、この光路変換導波路32(L字型光導波路34)内を通過する際にミラー33によって光路が左右方向に変わり、光合波器13に入射される。
このような構成の第3実施の形態、第4実施の形態にあっては、光ファイバ10の延在方向をフィルム基板1と平行な方向にすることが可能となり、第1実施の形態、第2実施の形態と比較して、光モジュールを薄型の構造にすることができる。
上述した実施の形態では、めっき工程、エッチング工程などに強い配線形成用のポリイミドをフィルム基板1に使用しているので、透光性部分を形成するために、孔1aを開ける必要があるが、全域にわたって透光性を有する材料をフィルム基板1に使用する場合には、孔加工の必要がないことは勿論である。また、フィルム基板1として用いられる樹脂材料は、使用する波長帯によって異なる。上述したような780〜840nm帯の光を使用する場合には、ポリイミドが最適であり、1.3μm帯または1.5μm帯の光を使用する場合には、フッ素化ポリイミドを使用できる。
本発明では、半導体部品の実装で実績があるフリップチップボンダを用いて光部品を実装することができるため、高精度の光結合をパッシッブアライメントで簡便に実現することができる。また、光分波器または光合波器などの光部品と電気回路を要する部品とを一体化したコンパクトな構造の光モジュールを提供できる。
以上の本発明の実施の形態または実施例に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1) 透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器が、その光出力面またはその光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする光モジュール。
(付記1) 透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器が、その光出力面またはその光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする光モジュール。
(付記2) 透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器に接続されている光路変換器が、その光出力面または光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする光モジュール。
(付記3) 前記透光性部分は、前記基板へ孔を加工することにより、または、前記基板へ孔を加工し、加工した孔へ透光性樹脂を充填することにより形成されていることを特徴とする付記1または2記載の光モジュール。
(付記4) 前記光検知器の受光面または前記発光器の出光面と前記基板との間に、透光性樹脂を充填させていることを特徴とする付記1乃至3の何れかに記載の光モジュール。
(付記5) 前記基板の他方の面の前記光分波器または前記光合波器の設置領域以外の領域に板材を設けていることを特徴とする付記1記載の光モジュール。
(付記6) 前記基板の他方の面の前記光路変換器の設置領域以外の領域に板材を設けていることを特徴とする付記2記載の光モジュール。
(付記7) 波長が異なる複数の光を用いており、前記光分波器の複数の波長光の光出力面、または、前記光合波器の複数の波長光の光入力面が、同一平面にあることを特徴とする付記1記載の光モジュール。
(付記8) 波長が異なる複数の光を用いており、前記光路変換器の複数の波長光の光出力面または光入力面が平坦であることを特徴とする付記2記載の光モジュール。
(付記9) 前記基板の一方の面に、前記光検知器または前記発光器を実装するための配線を形成してあることを特徴とする付記1乃至8の何れかに記載の光モジュール。
(付記10) 前記基板の厚さが50μm以下であることを特徴とする付記1乃至9の何れかに記載の光モジュール。
1 フィルム基板
1a 孔
2 フォトディテクタ(光検知器)
2a 受光部
3 光分波器
4 駆動IC回路
5 バンプ
6 配線
7 板材
8 接着剤
9 透光性樹脂
10 光ファイバ
12 VCSEL(発光器)
12a 発光部
13 光合波器
14 駆動IC回路
31 光路変換器
1a 孔
2 フォトディテクタ(光検知器)
2a 受光部
3 光分波器
4 駆動IC回路
5 バンプ
6 配線
7 板材
8 接着剤
9 透光性樹脂
10 光ファイバ
12 VCSEL(発光器)
12a 発光部
13 光合波器
14 駆動IC回路
31 光路変換器
Claims (5)
- 透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器が、その光出力面またはその光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする光モジュール。
- 透光性部分を有する基板の一方の面に、光検知器または発光器がフリップチップ実装されており、前記基板の他方の面に、光分波器または光合波器に接続されている光路変換器が、その光出力面または光入力面を前記透光性部分を挟んで前記光検知器または前記発光器に対向して設置されていることを特徴とする光モジュール。
- 前記透光性部分は、前記基板へ孔を加工することにより、または、前記基板へ孔を加工し、加工した孔へ透光性樹脂を充填することにより形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の光モジュール。
- 前記光検知器の受光面または前記発光器の出光面と前記基板との間に、透光性樹脂を充填させていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の光モジュール。
- 前記基板の他方の面の前記光分波器または前記光合波器の設置領域以外の領域に板材を設けていることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
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JP2012098411A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | 光モジュール |
JP2017097072A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 日本電信電話株式会社 | 光分波器、光受信モジュールおよびその製造方法 |
KR20190018926A (ko) * | 2017-08-16 | 2019-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
-
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- 2006-02-14 JP JP2006036873A patent/JP2007219004A/ja not_active Withdrawn
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