JP2002026223A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームを使用しアレー状にランド電
極を配した片面封止パッケージでは、リードの端面には
メッキ層が存在せず、樹脂封止型半導体装置製品をプリ
ント基板等の実装基板にハンダ等により接合した際、ハ
ンダフィレットが形成されないため、実装強度が弱くな
り、実装信頼性が劣る恐れがあった。 【解決手段】 封止樹脂８から露出したリード４のリー
ド端面部９はメッキ層１５を有し、具体的には端面部の
上部の一部を除いてメッキ層を有しているので、プリン
ト基板等の実装基板にハンダ等により接合した際、リー
ド４のリード端面部９にハンダフィレット１８が形成さ
れるため、実装強度を向上させ、実装信頼性を向上でき
るものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と称される外部端子となるリ
ード部が片面封止された小型／薄型の樹脂封止型半導体
装置と、その製造方法に関するものであり、特に生産効
率を向上させるとともに、リード部の実装信頼性を向上
させた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＬＧＡ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図３３は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図３３（ａ）は平面図、図３３（ｂ）は
図３３（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図、図３３（ｃ）は
図３３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図である。
【０００５】図３３に示すように、従来のリードフレー
ムは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１０１と、その
フレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状
のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部を
その先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続し
た吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、
その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により
電気的に接続するビーム状の複数のリード部１０４およ
びランドリード部１０５とより構成されている。そして
リード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂
部に埋設される部分としてインナーリード部１０４ａ
と、また封止樹脂部より露出する部分としてアウターリ
ード部１０４ｂとから構成されるものであり、インナー
リード部１０４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一
体で連続して設けられている。図３３（ａ）において、
破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型
半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を
示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子
を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成し
た後、リード部１０４（アウターリード部１０４ｂ）お
よびランドリード部１０５を金型で切断する部分を示し
ている。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図３３
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部によって支持されているが、その吊りリード部に設け
たディプレス部によってダイパッド部１０２がリード部
１０４の上面に対して上方に配置されるよう、アップセ
ットされているものである。
【０００７】同様にして図３３（ｃ）に示すように、ラ
ンドリード部１０５に対しても、ダイパッド部１０２が
上方に配置されるようにアップセットされている。
【０００８】なお、図示していないが、従来のリードフ
レームの表面には、主としてパラジウム（Ｐｄ）メッキ
または、ハンダメッキが施されているものである。パラ
ジウムメッキについては、下地材が銅（Ｃｕ）であり、
ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金
（Ａｕ）層の３層でメッキ層が形成されている。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。
【００１０】図３４は、図３３に示したリードフレーム
を用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図３４
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図３４（ｂ）は図３４（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図で
あり、図３４（ｃ）は図３４（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断
面図である。
【００１１】図３４に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０６が搭載され、そ
の半導体素子１０６とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａおよびランドリード部１０５のランド電極１
０５ａとが金属細線１０７により電気的に接続されてい
る。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０６、
インナーリード部１０４ａおよびランドリード部１０５
の外囲は封止樹脂１０８により封止されている。そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分とランドリード部１０５のランド電極１０５ａは
封止樹脂１０８の底面からスタンドオフを有して露出し
て、リード部外部端子１０４ｃおよびランド電極外部端
子１０５ｂを構成している。なお、封止樹脂１０８の側
面からはアウターリード部１０４ｂが露出しているが、
実質的に封止樹脂１０８の側面と同一面である。
【００１２】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
【００１３】まず図３５に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４およびランドリード部（図示せず）とを有したリード
フレームを用意する。
【００１４】そして図３６に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
６を搭載しボンディングする。
【００１５】次に図３７に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０６の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａおよびランド電極とを金属細線１０７により電気
的に接続する。
【００１６】次に図３８に示すように、半導体素子１０
６が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面およびランドリード部のランド電極の
底面に封止シート１０９を密着させる。この封止シート
１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂が回り込まな
いように保護し、リード部１０４の底面およびランドリ
ード部の底面を露出させるための部材である。
【００１７】次に図３９に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４およびラ
ンドリード部を封止シート１０９に対して押圧した状態
でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフ
レームの外囲としてダイパッド部１０２、半導体素子１
０６、リード部１０４、ランドリード部の上面領域と金
属細線１０７の接続領域を封止する。
【００１８】図４０には外囲を封止樹脂１０８で封止し
た状態を示している。
【００１９】次に図４１に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面およびランドリード部の底面に
密着させていた封止シート１０９をピールオフ等により
除去する。
【００２０】次に図４２に示すように、リード部１０４
の切断箇所１１０に対して、金型による切断刃１１１で
リードカットを行う。
【００２１】そして図４３に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０６が搭載さ
れ、その半導体素子１０６とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａおよびランドリード部とが金属細線１
０７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂１０８に
より封止され、そしてそのリード部１０４（インナーリ
ード部１０４ａ）の底面部分およびランド電極の底面は
封止樹脂１０８の底面からスタンドオフを有して露出し
て、リード部外部端子１０４ｃおよびランド電極外部端
子を構成するとともに、封止樹脂１０８の側面からはア
ウターリード部１０４ｂが露出し、実質的に封止樹脂１
０８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を
得る。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、樹脂封止後、リード部の切断
箇所を金型で切断してフレームより分離させ、樹脂封止
型半導体装置を得ているが、リード部をフレーム枠から
切断することにより、リード部の切断した端面にはリー
ド部に本来形成しているメッキ層が存在しないことにな
り、樹脂封止型半導体装置製品をプリント基板等の実装
基板にハンダ等の接合剤により接合した際、リード部の
封止樹脂部から露出した側面部分にハンダが形成されな
いため、実装強度が弱くなり、実装信頼性が劣る恐れが
あった。
【００２３】図面を参照して説明すると、図４３に示し
た円内の拡大図として、図４４に樹脂封止型半導体装置
製品のリード部１０４を示しているが、リードカットさ
れたリード部１０４の封止樹脂１０８から露出したリー
ド端面部１１２には、他のリード部１０４の外囲表面に
形成されているメッキ層１１３が形成されていない。し
たがって、図４５の断面図に示すように、リード部１０
４の切断したリード端面部１１２には、リード部１０４
に本来形成しているメッキ層１１３が存在しないことに
より、樹脂封止型半導体装置製品をプリント基板等の実
装基板１１４にハンダ等の接合剤１１５により接合した
際、リード部１０４のリード端面部１１２にハンダ（接
合剤１１５）が形成されないため、実装強度が弱くなっ
てしまう。
【００２４】本発明は前記した従来の課題を解決し、小
型の片面封止型半導体パッケージの基板実装の強度向上
および実装信頼性の維持を実現できる樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法を提供するものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッ
ド部上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッド部に
その先端部が対向して配置され、外囲にメッキ層を有し
た複数のリード部と、前記リード部の先端部領域にその
先端部が配置され、その先端部の底面が露出して外囲に
メッキ層を有したランド電極を構成するランドリード部
と、前記半導体素子の電極と前記ランドリード部、前記
リード部とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部、
半導体素子、ランドリード部の底面を除く領域、前記リ
ード部の底面および一側面を除く領域を封止した封止樹
脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記リー
ド部の封止樹脂から露出した一側面の端面はメッキ層を
有している樹脂封止型半導体装置である。
【００２６】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、リード部の封止樹脂から露出した一側面のリ
ード端面部はメッキ層を有しているものであり、樹脂封
止型半導体装置製品をプリント基板等の実装基板にハン
ダ等の接合剤により接合した際、リード部のリード端面
部にハンダフィレットが形成されるため、実装強度を向
上させ、実装信頼性を向上できるものである。
【００２７】また、封止樹脂から露出したリード部の端
面は、前記端面の上部の一部を除いてメッキ層を有して
いる樹脂封止型半導体装置である。
【００２８】このようにリード端面にメッキ層を形成す
ることで、樹脂封止型半導体装置を基板に実装した時
に、メッキ層と基板配線部との間に接合剤によるフィレ
ット形状を形成することが可能となり、樹脂封止型半導
体装置の外部端子と基板配線部との接合強度が向上す
る。
【００２９】また、ランドリード部は、ランド電極を除
く部分が薄肉加工されている樹脂封止型半導体装置であ
る。
【００３０】このようなランドリード部の構成とするこ
とにより、ランド電極のスタンドオフを確保することが
でき、基板配線部との確実な電気的接続を実現すること
ができる。
【００３１】また、ランドリード部およびリード部の先
端部領域のメッキ層は、ビスマスメッキを有し、前記ラ
ンドリード部および前記リード部の先端部領域の金属細
線が接続する領域は、前記メッキ層の上面に銀メッキを
有している樹脂封止型半導体装置である。
【００３２】このような接合部における材料を用いるこ
とで、半導体装置の外部端子と基板配線部との接合強度
をより向上させることができる。
【００３３】また、ダイパッド部と、前記ダイパッド部
に先端が対向して配置し、末端がフレーム枠と接続した
複数のリード部と、前記リード部の先端部領域にその先
端部が配置され、その先端部の底面が露出したランド電
極を構成する複数のランドリード部とを１ユニットとし
て、そのユニットを複数有したリードフレームを用意
し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子
を搭載し、前記リードフレームの各リード部および各ラ
ンドリード部と前記半導体素子とを電気的に接続した
後、外囲を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後のリー
ドフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇
所に対して、リードフレームの底面側から回転ブレード
によりリードプリカットを行い、一部リード部を残して
前記切断箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレ
ームのリードカットして形成した前記凹部の表面にメッ
キ層を形成する工程と、前記メッキ層が形成された切断
箇所の凹部に相当するリードフレームの上面側から回転
ブレードにより、前記切断箇所の残余リード部を切断し
てフルリードカットを行い、リードフレームから樹脂封
止型半導体装置を分離する工程とよりなる樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
【００３４】このような樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、樹脂封止後のリードフレームの各ユニッ
トの境界部分のリード部の切断箇所に対して、リードフ
レームの底面側から回転ブレードによりリードプリカッ
トを行い、一部リード部を残して切断箇所に凹部を形成
し、その形成した凹部の表面にメッキ層を形成した後
に、メッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当するリ
ードフレームの上面側から回転ブレードにより、切断箇
所の残余リード部を切断してフルリードカットを行い、
リードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する工
程を有するため、得られた樹脂封止型半導体装置製品を
プリント基板等の実装基板にハンダ等の接合剤により接
合した際、リード部のリード端面部にハンダフィレット
が形成され、実装強度を向上させ、実装信頼性を向上で
きるものである。さらに、基板実装時、リード端面部に
形状良好なハンダフィレットが形成されることにより、
実装後の接合部の外観検査時の認識精度を向上させ、認
識不良を防止することができるものである。
【００３５】また、フレーム枠と、前記フレーム枠内に
半導体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接
続した吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置
した半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形
成された複数のリード部と、前記リード部の先端部領域
にその先端部が配置され、その先端部の底面が露出して
外囲にメッキ層を有して、前記半導体素子と電気的に接
続するランド電極を構成するランドリード部とを１ユニ
ットとし、複数ユニット有したリードフレームを用意す
る工程と、前記ダイパッド部上に接着剤により半導体素
子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載された
半導体素子の表面の電極と前記リード部とを金属細線に
より接続する工程と、前記半導体素子が搭載された状態
のリードフレームの少なくともリード部の底面およびラ
ンドリード部のランド電極の底面とに封止シートを密着
させる工程と、前記リードフレームを金型内に載置し、
金型によりリード部およびランド電極とを封止シートに
対して押圧した状態で封止樹脂を注入し、リードフレー
ムの外囲としてダイパッド部、半導体素子、リード部の
上面領域、ランド電極部の底面を除く領域と金属細線の
接続領域を個別ユニットごとに封止する工程と、前記リ
ードフレームのリード部の底面およびランド電極の底面
に密着させていた封止シートを除去する工程と、前記リ
ードフレームのリード部の切断箇所に対して、リードフ
レーム底面側から回転ブレードによりリードプリカット
を行い、一部リード部を残して前記切断箇所に凹部を形
成する工程と、前記リードフレームのリードカットして
形成した前記凹部の表面にメッキ層を形成する工程と、
前記メッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当するリ
ードフレームの上面側から回転ブレードにより、前記切
断箇所の残余リード部を切断してフルリードカットを行
い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離す
る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００３６】このように、半導体装置の製造工程におい
て封止シートの着脱工程を設定することによって、リー
ド部の底面およびランド電極の底面に封止樹脂が進入す
ることがないので、リード部およびランド電極のスタン
ドオフ高さを確保することができ、基板配線部との接合
安定性が向上する。
【００３７】また、フレーム枠と、前記フレーム枠内に
半導体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接
続した吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置
した半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形
成された複数のリード部と、前記リード部の先端部領域
にその先端部が配置され、その先端部の底面が露出して
外囲にメッキ層を有して、前記半導体素子と電気的に接
続するランドリード部とを１ユニットとし、複数ユニッ
ト有したリードフレームを用意する工程と、前記ダイパ
ッド部上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、
前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電
極と前記リード部および前記ランドリード部とを金属細
線により接続する工程と、前記半導体素子が搭載された
状態のリードフレームの少なくともリード部の底面およ
びランドリード部のランド電極に封止シートを密着させ
る工程と、前記リードフレームを金型内に載置し、金型
によりリード部およびランド電極を封止シートに対して
押圧した状態で封止樹脂を注入し、前記リードフレーム
の外囲として各ユニットのダイパッド部、半導体素子、
リード部の上面領域、ランド電極の底面を除く領域およ
び金属細線の接続領域を各ユニット包括で全面封止する
工程と、前記リードフレームのリード部の底面およびラ
ンド電極の底面に密着させていた封止シートを除去する
工程と、前記リードフレームのリード部の切断箇所に対
して、リードフレーム底面側から回転ブレードにより、
プリリードカットを行い、一部リード部を残して前記切
断箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレームの
リードカットして形成した前記凹部の表面にメッキ層を
形成する工程と、前記メッキ層が形成された切断箇所の
凹部に相当するリードフレームの上面側から回転ブレー
ドにより、前記リードフレームの上面に全面形成した封
止樹脂とともに前記切断箇所の残余リード部を切断して
フルリードカットを行い、リードフレームから樹脂封止
型半導体装置を分離する工程とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。
【００３８】このように、半導体装置の製造工程におい
て封止シートの着脱工程を設定し、さらに、リードフレ
ームの全面にわたって封止樹脂を形成した後にフルリー
ドカットを行うことによって、リード部の底面およびラ
ンド電極の底面に封止樹脂が進入することがないので、
リード部およびランド電極のスタンドオフ高さを確保す
ることができ、また、樹脂封止後の生産性を向上させる
ことが可能となる。
【００３９】またフルカットで用いる回転ブレードの幅
は、プリカットで用いる回転ブレードの幅よりも小さい
樹脂封止型半導体装置である。
【００４０】このような各回転ブレードの切削部の幅の
選択により、フルカット時の回転ブレードとランドリー
ドおよびリードとのせん断力が低下し、せん断作用によ
るランドリードおよびリードのバリの発生を抑制するこ
とができ、さらにフルカットで用いる回転ブレードの側
面が凹部の側面に接触することがないので、リード部端
面のメッキ層を除去してしまう危険性もない。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しなが
ら説明する。
【００４２】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
【００４３】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す平面図であり、図１（ａ）は平面図であり、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＥ−Ｅ１箇所の断面図であり，
図１（ｃ）は図１（ａ）のＦ−Ｆ１箇所の断面図であ
る。
【００４４】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１と、その
フレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダ
イパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で
支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３
と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素
子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビー
ム状のリード部４および先端部がランド電極５ａである
ランドリード部５とより構成されている。そしてリード
部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設さ
れる部分のインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部
より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するも
のであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４
ｂとは、一体で連続して設けられている。図１におい
て、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封
止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領
域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体
素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構
成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）を切断
する切断部を示している。
【００４５】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、ダイパッド部
２は吊りリード部によって支持されているが、その吊り
リード部に設けたディプレス部によってダイパッド部２
がリード部４（インナーリード部４ａ）およびランドリ
ード部５の上面に対して上方に配置されるよう、アップ
セットされているものである。
【００４６】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。また図示していな
いが、本実施形態のリードフレームの表面には、パラジ
ウム（Ｐｄ）メッキ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メ
ッキ層、パラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッ
キ層の３層でメッキ層を構成したり、または、錫−銀
（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハン
ダメッキが施されているものである。またメッキ層は、
リード部４（インナーリード部４ａ）およびランドリー
ド部５のランド電極５ａの上面のみ、すなわち金属細線
で接続する箇所に銀（Ａｇ）メッキを形成してもよい。
このメッキ層により、特にリード部４およびランド電極
５ａが外部端子を構成した際は、実装基板との接合のハ
ンダ等の接合剤の吸い上げ、接続を良好にするものであ
る。
【００４７】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＧ−Ｇ
１箇所の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＨ−
Ｈ１箇所の断面図である。
【００４８】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａおよびランド
電極５ａとが金属細線７により電気的に接続されてい
る。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナー
リード部４ａの外囲は封止樹脂８により封止されてい
る。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の
底面部分およびランド電極５ａの底面部分は封止樹脂８
の底面からスタンドオフを有して露出して、リード部外
部端子４ｃおよびランド電極外部端子５ｂを構成してい
る。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４
ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面と同一
面である。すなわち、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６と、
そのダイパッド部２に先端部が対向して配置され、外囲
にメッキ層を有した複数のリード部４およびランドリー
ド部５と、半導体素子６の電極とリード部４およびラン
ドリード部５とを電気的に接続した金属細線７と、ダイ
パッド部２、半導体素子６、リード部４の底面および一
側面を除く領域およびランド電極５ｂの底面を除く領域
の外囲を封止した封止樹脂８とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、リード部４の封止樹脂８から露出した
リード端面部９はメッキ層を有している樹脂封止型半導
体装置である。
【００４９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置製品を
プリント基板等の実装基板にハンダ等の接合剤により接
合した際、リード部４のリード端面部９にハンダフィレ
ットが形成されるため、実装強度を向上させ、実装信頼
性を向上できるものである。
【００５０】具体的には、リード部４の封止樹脂８から
露出した一側面のリード端面部９は、その上部の一部を
除いてメッキ層を有しているものであり、この上部の一
部には、製法上、メッキ層が形成されない領域である
が、リード部４のリード端面部９の下部にはメッキ層が
形成されているため、基板実装時のハンダ接合上は問題
ない。
【００５１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００５２】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４およびラン
ドリード部とを各ユニットとして有したリードフレーム
を用意する。
【００５３】そして図４に示すように、リードフレーム
の各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接着
剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディングす
る。
【００５４】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａおよびランド
リード部とを金属細線７により電気的に接続する。
【００５５】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面およびランド電極の底面に封止シート１０を密着
させる。この封止シート１０はリード部４の底面に封止
樹脂が回り込まないように保護し、リード部４の底面お
よびランド電極の底面をスタンドオフを有して露出させ
るための機能部材である。
【００５６】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４の端部（切断部
付近）を封止シート１０に対して押圧した状態でエポキ
シ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの
外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４
の上面領域、ランド電極の底面を除くランドリード部と
金属細線７の接続領域を各ユニットごとに個別に封止す
る。図８には外囲を封止樹脂８で封止した状態を示して
いる。
【００５７】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面およびランド電極の底面に密着させて
いた封止シート１０をピールオフ等により除去する。こ
の状態では、封止樹脂８の底面からリード部４およびラ
ンド電極が５０［μｍ］程度、突出（スタンドオフ）し
て露出しているものである。
【００５８】そしてリードフレームに対する樹脂封止後
の状態は、図１０に示すように各ユニットごとに樹脂封
止されているものである。
【００５９】次に図１１、図１２に示すように、樹脂封
止後のリードフレームのリード部４の切断箇所１１に対
して、リードフレーム底面側から回転ブレード１２で第
１のリードカットとしてプリリードカットを行い、切断
箇所１１に凹部を形成する。
【００６０】このプリリードカットは、リード部４の厚
みの８０［％］〜９０［％］をカットするものであり、
リードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、リード
部４の厚みが２００［μｍ］である場合は、２０［μ
ｍ］〜４０［μｍ］の厚みを残してプリカットすること
になる。そしてカットされなかった残余リード部によ
り、リードフレームの各ユニットごとの凹部に対して電
解メッキ処理、無電解メッキ処理が可能となる。
【００６１】次に図１３に示すように、リードフレーム
のリード部４に対してプリリードカットして形成した凹
部１３の表面にメッキ層を形成する。ここではリード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成するものであり、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、
具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム
（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ
層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−
ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキ層を形成する
ものである。そしてメッキ層の形成は、電解メッキによ
る方法の他、無電解メッキでもよい。さらに、リード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成する以外、リード部４の表面のメッキ層と異質
の材料によりメッキ層を形成してもよい。
【００６２】また、リード部４（インナーリード部４
ａ）の底面部分およびランド電極の底面部分を封止樹脂
の底面から確実にスタンドオフを有して露出させるた
め、このメッキ工程において、凹部１３の表面に加え
て、リード部４の底面に対して、さらにメッキ層を形成
し、そのメッキ層の厚みによって、リード部４およびラ
ンド電極の厚みを増加させてスタンドオフを形成しても
よい。この場合、リード部４およびランドリード部の材
質が銅（Ｃｕ）である場合は、ニッケル（Ｎｉ）を２０
［μｍ］程度の厚みで形成することが可能であり、さら
にハンダメッキしてスタンドオフをさらに高くとること
ができる。
【００６３】次に図１４に示すように、メッキ層が形成
されたリード部４の切断箇所の凹部１３に対して、その
裏面側、つまりリードフレームとしての表面側から回転
ブレード１４により、第２のリードカットとしてフルカ
ットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置
を分離する。この工程では残余しているリード部４の厚
みが薄厚であるため、抵抗なくブレード切断できる。ま
たこのフルカットでは、すでに切断して形成している凹
部１３の表面に回転ブレード１４が接触し、形成したメ
ッキ層が剥がれないよう、残余リード部のみを切断する
ようにする。
【００６４】なお、プリリードカットとフルリードカッ
トとで用いる回転ブレードの幅、形状は適宜変更し、通
常は、フルリードカットで用いる回転ブレード１４の幅
はプリリードカットで用いる回転ブレード１２の幅より
小さく設定すると好適である。
【００６５】そして図１５に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分およびランド電極の底面部分は封
止樹脂８の底面から５０［μｍ］以上のスタンドオフを
有して露出して、リード部外部端子４ｃおよびランド電
極外部端子を構成するとともに、封止樹脂８の側面から
はアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８
の側面と同一面を構成し、露出したリード部４のリード
端面部９がメッキ層を有した樹脂封止型半導体装置を得
るものである。
【００６６】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレードで切削し、その切
断過程において、フルカット前にメッキ処理し、その後
にフルカットすることにより、切断されたリード部４の
リード端面部９にはメッキ層を設けることができる。
【００６７】図１５に示した円内の拡大図として、図１
６に樹脂封止型半導体装置製品のリード部４を示してい
るが、リードカットされたリード部４の封止樹脂８から
露出したリード端面部９には、他のリード部４の外囲表
面に形成されているメッキ層１５が形成されている。し
たがって、図１７の断面図に示すように、リード部４の
切断したリード端面部９には、リード部４に予め形成し
ているメッキ層１５が存在することにより、樹脂封止型
半導体装置製品をプリント基板等の実装基板１６にハン
ダ等の接合剤１７により接合した際、リード部４のリー
ド端面部９部分にハンダフィレット１８（接合剤１７）
が形成されるため、実装強度を向上させ、実装信頼性を
向上できるものである。さらに、このハンダフィレット
１８が形成されることにより、実装後の接合部の外観検
査時の認識不良を防止することができる。なお、リード
端面部９の上部は前記した製造過程により、メッキ層１
５は形成されないが、リード部４のリード端面部９の大
多数、８０［％］以上にはメッキ層１５が形成されてい
るため、基板実装時のハンダ接合上は問題ない。
【００６８】次に本発明の別の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
【００６９】まず図１８に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４およびラン
ドリード部とを各ユニットとして有したリードフレーム
を用意する。なお、ここで用意するリードフレームは、
図１に示したようなリードフレームと同様の構成を有す
るものである。
【００７０】そして図１９に示すように、リードフレー
ムの各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接
着剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディング
する。
【００７１】次に図２０に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００７２】次に図２１に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面およびランド電極の底面に封止シート１０を密
着させる。この封止シート１０はリード部４の底面およ
びランド電極の底面に封止樹脂が回り込まないように保
護し、リード部４の底面およびランド電極の底面を露出
させるための機能部材である。なお、この工程前に予め
リードフレームの底面部分に封止シート１０を付設して
おいてもよい。
【００７３】次に図２２に示すように、リードフレーム
をトランスファーモールド用の封止金型内に載置し、金
型によりリード部４の端部（切断部付近）を封止シート
１０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封
止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域およびラ
ンドリード部の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユ
ニットを包括するように全体封止する。図２３には外囲
を封止樹脂８で封止した状態を示している。図２３に示
すように、本実施形態では、リードフレームの各ユニッ
トごとに樹脂封止するものではなく、いわばリードフレ
ームの上面領域を全体封止するものである。
【００７４】次に図２４に示すように、リードフレーム
のリード部４の底面に密着させていた封止シート１０を
ピールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂
の底面からリード部４およびランド電極が５０［μｍ］
程度、突出（スタンドオフ）して露出しているものであ
る。
【００７５】そしてリードフレームに対する樹脂封止後
の状態は、図２５に示すように各ユニットを包括するよ
うにリードフレーム上面領域全体を樹脂封止しているも
のである。
【００７６】次に図２６、図２７に示すように、樹脂封
止後のリードフレームのリード部４の切断箇所１１に対
して、リードフレーム底面側から回転ブレード１２で第
１のリードカットとしてプリリードカットを行い、切断
箇所１１に凹部を形成する。
【００７７】このプリリードカットは、リード部４の厚
みの８０［％］〜９０［％］をカットするものであり、
リードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、リード
部４の厚みが２００［μｍ］である場合は、２０［μ
ｍ］〜４０［μｍ］の厚みを残してプリカットすること
になる。そしてカットされなかった残余リード部によ
り、リードフレームの各ユニットの境界部分ごとの凹部
に対して電解メッキ処理が可能となる。
【００７８】なお、本実施形態のプリリードカットで
は、リード部４の一部を残しているが、リード部４に対
して、フルカットしてもよい。この場合、リード部４は
フルカットするが、上部の封止樹脂の部分は、互いに接
続しておき、個別に分離しないように保持し、その状態
で後工程のメッキ処理を行うことにより、リード部４の
カットした端面全体にメッキ層を形成することができる
ので、さらに実装強度向上のためのリード構造を得るこ
とができる。
【００７９】次に図２８に示すように、リードフレーム
のリード部４に対してプリリードカットして形成した凹
部１３の表面にメッキ層を形成する。ここではリード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成するものであり、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、
具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム
（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ
層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−
ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキ層を形成する
ものである。そしてメッキ層の形成は、電解メッキによ
る方法の他、無電解メッキでもよい。さらに、リード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成する以外、リード部４の表面のメッキ層と異質
の材料によりメッキ層を形成してもよい。
【００８０】また、リード部４（インナーリード部４
ａ）の底面部分のランド電極の底面部分を封止樹脂の底
面から確実にスタンドオフを有して露出させるため、こ
のメッキ工程において、凹部１３の表面に加えて、リー
ド部４の底面およびランド電極の底面に対して、さらに
メッキ層を形成し、そのメッキ層の厚みによって、リー
ド部４として厚みを増加させてスタンドオフを形成して
もよい。この場合、リード部４の材質が銅（Ｃｕ）であ
る場合は、ニッケル（Ｎｉ）を２０［μｍ］程度の厚み
で形成することが可能であり、さらにハンダメッキして
スタンドオフをさらに高くとることができる。
【００８１】次に図２９に示すように、メッキ層が形成
されたリード部４の切断箇所の凹部１３に対して、その
裏面側、つまりリードフレームとしての表面側から回転
ブレード１４により、第２のリードカットとしてフルカ
ットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置
を分離する。この工程では封止樹脂８とともに残余して
いるリード部を切断するものである。またこのフルカッ
トでは、すでに切断して形成している凹部１３の表面に
回転ブレード１４が接触し、形成したメッキ層が剥がれ
ないよう、残余リード部のみを切断するようにする。
【００８２】なお、プリリードカットとフルリードカッ
トとで用いる回転ブレードの幅、形状は適宜変更し、通
常は、フルリードカットで用いる回転ブレード１４の幅
はプリリードカットで用いる回転ブレード１２の幅より
小さく設定すると好適である。
【００８３】そして図３０に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａおよ
びランドリード部とが金属細線７により電気的に接続さ
れ、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリー
ド部４（インナーリード部４ａ）の底面部分およびラン
ド電極の底面部分は封止樹脂８の底面から５０［μｍ］
以上のスタンドオフを有して露出して、外部端子４ｃを
構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一
面を構成し、露出したリード部４のリード端面部９がメ
ッキ層を有した樹脂封止型半導体装置を得るものであ
る。本実施形態では実質的にアウターリード部４ｂとリ
ード端面部９とは同一構成となり、封止樹脂８の側面と
リード端面部９（アウターリード部４ｂ）とが同一面に
配置されるものである。
【００８４】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレードで切削し、その切
断過程において、フルカット前にメッキ処理し、その後
にフルカットすることにより、切断されたリード部４の
リード端面部９（アウターリード部４ｂの端面）にはメ
ッキ層を設けることができる。
【００８５】図３０に示した円内の拡大図として、図３
１に樹脂封止型半導体装置製品のリード部４を示してい
るが、リードカットされたリード部４の封止樹脂８から
露出したリード端面部９には、他のリード部４の外囲表
面に形成されているメッキ層１５が形成されている。そ
してリード部４の封止樹脂４から露出したリード端面部
９は、その上部の一部を除いてメッキ層１５を有してい
るものであり、リード端面部９の上部は前記した製造過
程により、メッキ層１５は形成されないが、リード部４
のリード端面部９の大多数、８０［％］以上にはメッキ
層１５が形成されているため、基板実装時のハンダ接合
上は問題ない。したがって、図３２の断面図に示すよう
に、リード部４の切断したリード端面部９には、リード
部４に予め形成しているメッキ層１５が存在することに
より、樹脂封止型半導体装置製品をプリント基板等の実
装基板１６にハンダ等の接合剤１７により接合した際、
リード部４のリード端面部９にハンダフィレット１８
（接合剤１７）が形成されるため、実装強度を向上さ
せ、実装信頼性を向上できるものである。さらに、この
ハンダフィレット１８が形成されることにより、実装後
の接合部の外観検査時の認識不良を防止することができ
る。
【００８６】以上、本実施形態に示した通り、樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、少なくとも、ダイパッド部
と、そのダイパッド部に先端が対向して配置し、末端が
フレーム枠と接続した複数のリード部およびランドリー
ド部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有した
リードフレームを用意し、そのリードフレームの各ダイ
パッド部に半導体素子を搭載し、各リード部および各ラ
ンドリード部と搭載した半導体素子とを電気的に接続し
た後、外囲を樹脂封止する工程と、樹脂封止後のリード
フレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所
に対して、リードフレームの底面側から回転ブレードに
よりリードプリカットを行い、一部リード部を残して切
断箇所に凹部を形成する工程と、リードフレームのリー
ドカットして形成した凹部の表面にメッキ層を形成する
工程と、メッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当す
るリードフレームの上面側から回転ブレードにより、切
断箇所の残余リード部を切断してフルリードカットを行
い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離す
る工程とよりなるものであり、得られた樹脂封止型半導
体装置製品をプリント基板等の実装基板にハンダ等の接
合剤により接合した際、リード部のリード端面部部分に
ハンダフィレットが形成されるため、実装強度を向上さ
せ、実装信頼性を向上できるものである。この実装強度
の確保は、基板実装においては重要なファクターであ
り、その実現のための構成は、特に本実施形態のような
片面封止型のパッケージにおいては必要不可欠な構成で
ある。
【００８７】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法において、樹脂封止型半導体装置は、
リード部の封止樹脂から露出した一側面のリード端面部
はメッキ層を有しているものであり、樹脂封止型半導体
装置製品をプリント基板等の実装基板にハンダ等の接合
剤により接合した際、リード部のリード部端面にハンダ
フィレットが形成されるため、実装強度を向上させ、実
装信頼性を向上できるものである。
【００８８】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境
界部分のリード部の切断箇所に対して、リードフレーム
の底面側から回転ブレードによりリードプリカットを行
い、一部リード部を残して切断箇所に凹部を形成し、そ
の形成した凹部の表面にメッキ層を形成した後に、メッ
キ層が形成された切断箇所の凹部に相当するリードフレ
ームの上面側から回転ブレードにより、切断箇所の残余
リード部を切断してフルリードカットを行い、リードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程を有す
るため、得られた樹脂封止型半導体装置製品をプリント
基板等の実装基板にハンダ等の接合剤により接合した
際、リード部のリード端面部にハンダフィレットが形成
され、実装強度を向上させ、実装信頼性を向上できるも
のである。
【００８９】さらに、基板実装時、リード端面部に形状
良好なハンダフィレットが形成されることにより、実装
後の接合部の外観検査時の認識精度を向上させ、認識不
良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の実装状態を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図３２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の実装状態を示す断面図
【図３３】従来のリードフレームを示す図
【図３４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図４５】従来の樹脂封止型半導体装置の実装状態を示
す断面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ４ａ インナーリード部 ４ｂ アウターリード部 ４ｃ リード部外部端子 ５ ランドリード部 ５ａ ランド電極 ５ｂ ランド電極外部端子 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ リード端面部 １０ 封止シート １１ 切断箇所 １２ 回転ブレード １３ 凹部 １４ 回転ブレード １５ メッキ層 １６ 実装基板 １７ 接合剤 １８ ハンダフィレット １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０４ａ インナーリード部 １０４ｂ アウターリード部 １０４ｃ リード部外部端子 １０５ ランドリード部 １０５ａ ランド電極 １０５ｂ ランド電極外部端子 １０６ 半導体素子 １０７ 金属細線 １０８ 封止樹脂 １０９ 封止シート １１０ 切断箇所 １１１ 切断刃 １１２ リード端面部 １１３ メッキ層 １１４ 実装基板 １１５ 接合剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 DB04 DB15 FA04 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DD12 5F067 AA01 AA10 AA13 AB03 AB04 BA03 BC01 BC12 BC15 BD05 BD10 DA16 DB02 DC12 DC16 DC19 DF16

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイパッド部上に搭載された半導体素子
    と、前記ダイパッド部にその先端部が対向して配置さ
    れ、外囲にメッキ層を有した複数のリード部と、前記リ
    ード部の先端部領域にその先端部が配置され、その先端
    部の底面が露出して外囲にメッキ層を有したランド電極
    を構成するランドリード部と、前記半導体素子の電極と
    前記ランドリード部、前記リード部とを接続した金属細
    線と、前記ダイパッド部、半導体素子、ランドリード部
    の底面を除く領域、前記リード部の底面および一側面を
    除く領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
    体装置であって、前記リード部の封止樹脂から露出した
    一側面の端面はメッキ層を有していることを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 封止樹脂から露出したリード部の端面
    は、前記端面の上部の一部を除いてメッキ層を有してい
    ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 ランドリード部は、ランド電極を除く部
    分が薄肉加工されていることを特徴とする請求項１に記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 ランドリード部およびリード部の先端部
    領域のメッキ層は、ビスマスメッキを有し、前記ランド
    リード部および前記リード部の先端部領域の金属細線が
    接続する領域は、前記メッキ層の上面に銀メッキを有し
    ていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
    導体装置。
  5. 【請求項５】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先
    端が対向して配置し、末端がフレーム枠と接続した複数
    のリード部と、前記リード部の先端部領域にその先端部
    が配置され、その先端部の底面が露出したランド電極を
    構成する複数のランドリード部とを１ユニットとして、
    そのユニットを複数有したリードフレームを用意し、前
    記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載
    し、前記リードフレームの各リード部および各ランドリ
    ード部と前記半導体素子とを電気的に接続した後、外囲
    を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後のリードフレー
    ムの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対し
    て、リードフレームの底面側から回転ブレードによりリ
    ードプリカットを行い、一部リード部を残して前記切断
    箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレームのリ
    ードカットして形成した前記凹部の表面にメッキ層を形
    成する工程と、前記メッキ層が形成された切断箇所の凹
    部に相当するリードフレームの上面側から回転ブレード
    により、前記切断箇所の残余リード部を切断してフルリ
    ードカットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導
    体装置を分離する工程とよりなることを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導
    体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部
    をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続し
    た吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置した
    半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成さ
    れた複数のリード部と、前記リード部の先端部領域にそ
    の先端部が配置され、その先端部の底面が露出して外囲
    にメッキ層を有して、前記半導体素子と電気的に接続す
    るランドリード部とを１ユニットとし、複数ユニット有
    したリードフレームを用意する工程と、前記ダイパッド
    部上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、前記
    ダイパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電極と
    前記リード部および前記ランドリード部とを金属細線に
    より接続する工程と、前記半導体素子が搭載された状態
    のリードフレームの少なくともリード部の底面およびラ
    ンドリード部のランド電極の底面とに封止シートを密着
    させる工程と、前記リードフレームを金型内に載置し、
    金型によりリード部およびランド電極とを封止シートに
    対して押圧した状態で封止樹脂を注入し、リードフレー
    ムの外囲としてダイパッド部、半導体素子、リード部の
    上面領域、ランド電極部の底面を除く領域および金属細
    線の接続領域を個別ユニットごとに封止する工程と、前
    記リードフレームのリード部の底面およびランド電極の
    底面に密着させていた封止シートを除去する工程と、前
    記リードフレームのリード部の切断箇所に対して、リー
    ドフレーム底面側から回転ブレードによりリードプリカ
    ットを行い、一部リード部を残して前記切断箇所に凹部
    を形成する工程と、前記リードフレームのリードカット
    して形成した前記凹部の表面にメッキ層を形成する工程
    と、前記メッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当す
    るリードフレームの上面側から回転ブレードにより、前
    記切断箇所の残余リード部を切断してフルリードカット
    を行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を分
    離する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導
    体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部
    をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続し
    た吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置した
    半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成さ
    れた複数のリード部と、前記リード部の先端部領域にそ
    の先端部が配置され、その先端部の底面が露出して外囲
    にメッキ層を有して、前記半導体素子と電気的に接続す
    るランドリード部とを１ユニットとし、複数ユニット有
    したリードフレームを用意する工程と、前記ダイパッド
    部上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、前記
    ダイパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電極と
    前記リード部および前記ランドリード部とを金属細線に
    より接続する工程と、前記半導体素子が搭載された状態
    のリードフレームの少なくともリード部の底面およびラ
    ンドリード部のランド電極の底面に封止シートを密着さ
    せる工程と、前記リードフレームを金型内に載置し、金
    型によりリード部およびランド電極を封止シートに対し
    て押圧した状態で封止樹脂を注入し、前記リードフレー
    ムの外囲として各ユニットのダイパッド部、半導体素
    子、リード部の上面領域、ランド電極部の底面を除く領
    域および金属細線の接続領域を各ユニット包括で全面封
    止する工程と、前記リードフレームのリード部の底面お
    よびランド電極の底面に密着させていた封止シートを除
    去する工程と、前記リードフレームのリード部の切断箇
    所に対して、リードフレーム底面側から回転ブレードに
    より、プリリードカットを行い、一部リード部を残して
    前記切断箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレ
    ームのリードカットして形成した前記凹部の表面にメッ
    キ層を形成する工程と、前記メッキ層が形成された切断
    箇所の凹部に相当するリードフレームの上面側から回転
    ブレードにより、前記リードフレームの上面に全面形成
    した封止樹脂とともに前記切断箇所の残余リード部を切
    断してフルリードカットを行い、リードフレームから樹
    脂封止型半導体装置を分離する工程とよりなることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 フルカットで用いる回転ブレードの幅
    は、プリカットで用いる回転ブレードの幅よりも小さい
    ことを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれかに記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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