JP2002023435A - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JP2002023435A JP2000209716A JP2000209716A JP2002023435A JP 2002023435 A JP2002023435 A JP 2002023435A JP 2000209716 A JP2000209716 A JP 2000209716A JP 2000209716 A JP2000209716 A JP 2000209716A JP 2002023435 A JP2002023435 A JP 2002023435A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ムラが無く、カブリの発生や濃度変化が起き
にくい、良質な画像を高速に出力することができる高品
質の画像形成装置を提供する。 【解決手段】 露光手段は、入射光束幅に対して狭い面
で反射する回転多面鏡により露光するオーバーフィルド
スキャナ方式によるものであり、かつ、画像明部に露光
するバックエリア露光により静電潜像を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シート等の記録媒
体上に画像を形成する機能を備えた、例えば、複写機、
プリンタ、あるいは、ファクシミリ装置などの画像形成
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の画像形成装置として、多
くのデジタル画像形成装置は、画像暗黒部にレーザ露光
を行うIAE方式(イメージエリア露光、図12)を用
いている。IAE方式で露光する理由は、光量を大きく
することで線幅が太くでき、レーザ照射時間が短いため
レーザの寿命が長いからである。
【0003】また、レーザ走査光学系には入射光束幅に
対してポリゴンミラーの面が広いUFS(アンダーフィ
ルドスキャナ、図9,10)方式が、用いられている。
UFS方式はポリゴンミラーで反射するレーザ光束幅が
一定であるため、レーザ光量が長手方向で均一である利
点がある。
【0004】これらの理由から、従来の画像形成装置は
IAE方式のレーザ露光を、UFS方式のポリゴンミラ
ーを用いて行うことが多い。
【0005】しかし、画像形成装置の高速化に伴い、U
FSはポリゴンミラーが大きいため昇温や騒音が問題と
なってきた。
【0006】この対策としては、ポリゴンミラーの小さ
なOFS(オーバーフィルドスキャナ、図7,8)とい
うものがある。
【0007】OFSは、入射光束幅に対してポリゴンミ
ラーの面が狭く、UFSと比較して小型であるため、発
熱、騒音を低く押さえることができ、立ち上がりも早
く、スポット径を小さくできるため、高速化、高精細化
に優れている。
【0008】このような背景から、最近の高速デジタル
画像形成装置ではIAE方式を、OFSを用いて行って
いるものもある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術の場合には、下記のような問題が生じて
いた。
【0010】OFSは図7、図8に示すように光束の一
部を使用して感光体へ照射するため、レーザがポリゴン
ミラーに入射する角度により反射される光束幅が異な
り、結果としてレーザ光量が長手方向で不均一である。
【0011】具体的には、図4に示すようにUFS方式
では感光体上の長手方向端部におけるレーザ光量は中央
部と比較してほとんど低下がないのに対し、OFS方式
では、中央部に対し端部側で5から10%程度レーザ光
量が低下するという欠点がある。
【0012】この対策として、レーザの光量を感光体の
長手方向中央部照射時には下げ、端部照射時には上げる
ようにレーザ光量を制御する方法や、ポリゴンミラーに
より走査された光線が感光体に照射されるまでのレンズ
やミラーにコートを施して中央部の光量を落とすという
方法がある。
【0013】しかし、精度を必要とするレーザ光量制御
やレーザ照射精度を上げる方法や特殊な形状のレンズを
用いる方法にはコストがかかる。レンズやミラーにコー
トを施す方法ではコストがかかる上に光量のロスが大き
く、レーザ光量が不足する場合がある。
【0014】また、ポリゴンミラーを用いて走査された
レーザ光によって作られる静電画像のレーザ露光部に
は、ポリゴンの回転周期や感光体の駆動ギアの回転周期
などでドラム周方向にピッチ状に電位ムラができる(図
11)。
【0015】すなわち、該レーザ露光部を画像暗部とす
るIAE方式には画像暗部にピッチ状のムラや白線、黒
線がでるという欠点がある。
【0016】この対策としてはポリゴンミラーの面倒れ
等を減少し、感光体へのレーザ照射精度を上げる方法
や、感光体の周期ムラを防止するためフライホイールを
用いたり、駆動ギアの材質を変えたり、噛み合わせを変
えたりする方法や、現像コントラスト(VCONT)を高く
してトナーを多く乗せることでムラを目立たなくさせる
方法がある。
【0017】しかし、現像コントラストVCONTを高くす
る方法はトナーの乗り量が増すために濃度が高くなりす
ぎ、飛び散りやトナー飛散、トナー消費量が多くなる等
の問題が出てくる。
【0018】本発明は上記の従来技術の課題を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、ムラ
が無く、カブリの発生や濃度変化が起きにくい、良質な
画像を高速に出力することができる高品質の画像形成装
置を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にあっては、像担持体上に静電潜像を形成する
露光手段と、前記露光手段により像担持体上に形成され
た静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画
像を転写材に転写する画像形成手段と、を備えた画像形
成装置において、前記露光手段は、入射光束幅に対して
狭い面で反射する回転多面鏡により露光するオーバーフ
ィルドスキャナ方式によるものであり、かつ、画像明部
に露光するバックエリア露光により静電潜像を形成する
ことを特徴とする。
【0020】前記像担持体の表面電位を検出する電位検
出手段と、前記現像手段に現像バイアスを印加する現像
バイアス電源と、前記電位検出手段による検出結果に応
じて前記現像バイアス電源により印加される現像バイア
スのDC成分値を制御する画像形成条件演算手段と、を
備えることも好適である。
【0021】前記画像形成条件演算手段は、前記現像バ
イアスのDC成分値を、前記電位検出手段により検出さ
れた前記像担持体の表面電位のうち前記露光手段により
露光された露光部の電位に所定値を加えた値として算出
することも好適である。
【0022】前記電位検出手段は、前記像担持体の画像
域長手方向端部以外の領域の電位を検出するように配設
され、前記画像形成条件演算手段は、前記露光手段によ
り照射される光量の特性に基づいて、前記電位検出手段
により検出された前記像担持体の表面電位から該像担持
体の画像域長手方向端部電位を予測して、予測した該端
部電位に所定値を加えた値として前記現像バイアスのD
C成分値を算出することも好適である。
【0023】前記画像形成条件演算手段は、検出または
予測された前記像担持体の画像域長手方向端部電位の絶
対値が所定の電位より大きいと判断した場合に、該端部
電位が前記所定の電位となるように前記露光手段が照射
する前記像担持体表面への光量を制御することも好適で
ある。
【0024】前記像担持体は、アモルファスシリコン
(a−Si)感光体であることも好適である。
【0025】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、この発明
の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただ
し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、
材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される
装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきもので
あり、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣
旨のものではない。
【0026】(実施の形態1)図1は、実施の形態1に
係る画像形成装置の要部の概略断面図である。本実施の
形態の特徴的な構成として、露光手段は、OFS方式の
ポリゴンミラーを用い、かつ、非レーザ露光部を画像暗
部とし、画像明部(白部)にレーザ露光を行うBAE
(バックエリア露光)方式(図2)を用いている。
【0027】以下に、画像形成手段による画像形成動作
について概略説明する。
【0028】一次帯電装置2で一様に500V(非露光
部電位VD)に帯電したa−Si感光体1に対し、デジ
タル信号発生装置11及びレーザ12により画像情報に
応じて変調を加えたレーザ光をポリゴンミラー13でO
FS方式で感光体1表面に投影して、BAE方式を用い
てデジタル静電潜像を形成する。
【0029】そして、前記デジタル静電潜像を現像装置
6で正規現像し、前記トナー像を転写装置7によって転
写材10に転写し、分離装置8で分離した後、不図示の
定着装置で該トナーを転写材10に定着し、画像として
出力する。尚、転写材10に転写されなかったトナーは
クリーナ9によって除去される。
【0030】ここで、OFSを用いると中央部に比べ端
部ではレーザ露光量が落ちるため、デジタル静電潜像が
形成された感光体1表面のレーザ露光部電位VLを、中
央部で70V、端部で100Vとする。
【0031】電位検出手段としての電位検出センサ4が
感光体1表面の画像域長手方向中央部に設けられた場合
には、電位検出センサ4はレーザ露光部電位VLを読み
取り、画像形成条件演算手段としての画像形成条件演算
装置14は、カブリが発生しない所定の値としてカブリ
コントラストVBACK150Vをレーザ露光部電位VL
加えるが、端部でのカブリコントラストVBACKは120
Vになってしまい、1.5%であったカブリが3.0%
になってしまう(図3)。
【0032】そこで、画像形成条件演算装置14は、図
4に示すようなレーザ光量の分布に基づいて、端部の電
位を予測している。すなわち、電位検出センサ4が読み
取ったレーザ露光部電位VL70Vに基づいて、端部の
電位を100Vと予測する。そして、端部にカブリが発
生しない所定の値としてカブリコントラストVBACK15
0Vを加え、現像バイアスDC成分VDCを250Vと決
定している。
【0033】また、電位検出センサ4を感光体1表面の
画像域長手方向端部に設けた場合には、画像形成条件演
算装置14は、電位検出センサ4で読み取った端部のレ
ーザ露光部電位VL100Vに、端部にカブリが発生し
ない所定の値としてカブリコントラストVBACK150V
を加え、現像バイアスDC成分VDCを250Vと決定す
る。
【0034】さらに、中央部に設けられた電位検出セン
サ4で読み取り予測した端部のレーザ露光部電位VL
または、端部に設けられた電位検出センサ4で読み取っ
た端部のレーザ露光部電位VLが、所定の電位より高く
なった場合には、画像形成条件演算装置14は、端部の
レーザ露光部電位VLが所定の電位になるようにレーザ
12の光量を上げるよう制御する。ここで、所定の電位
とは、図5に示すように、現像コントラストVCONT+カ
ブリコントラストVBACKであり、画像形成装置の特性に
より決まるものである。(現像コントラストVCONT
非露光部電位VD ― 現像バイアスDC成分VDC
ある)。また、画像形成条件演算装置14は、設定され
ている現像バイアスDC成分VDCと端部のレーザ露光部
電位VLのとの差が小さくなった場合にレーザ12の光
量を上げるよう制御してもよい。
【0035】現像バイアス電源としての現像バイアス制
御装置15は、画像形成条件演算装置14により算出さ
れた現像バイアスDC成分VDCを250Vとして現像装
置6に印加することにより現像を行うので、ポリゴンミ
ラーの走査ムラによらずにカブリの発生を防ぐことがで
き、画像明部にも走査ムラが発生することはない。
【0036】さらに、OFS方式を用いているので、高
精細な画像を毎分50枚と高速に出力することができ
る。
【0037】また、これまではa−Si感光体を用いた
場合について説明したが、a−Si感光体以外の感光体
においても、OFS方式でBAE方式を用いることによ
り、高精細な画像を高速に出力し、カブリの発生、走査
ムラ発生の防止をコストを抑えて実現することができ
る。
【0038】そして、耐久が進み、感光体1の帯電特
性、感光特性が変化して、非露光部電位VDが490
V、レーザ露光部電位VLが110Vになったとする。
このとき、カブリの発生を防ぐためにカブリコントラス
トVBACKを耐久前と同じ値150Vを用いるので、現像
バイアスDC成分VDCは260Vである。
【0039】耐久前の現像コントラストVCONTが250
V(=500−250)であったのに対し、耐久後の現
像コントラストVCONTは230V(=490−260)
である。
【0040】ここで、一般的に多く使われているOPC
(有機感光体)について説明する。OPC感光体は安価
であるというメリットがあるが、耐久が進むに連れて帯
電特性や感光特性が劣化する事が多く、非露光部電位
(VD)や露光部電位(VL)に変化が起こる。
【0041】図6に一例として、OPC感光体にBAE
方式を用いた場合における耐久に伴う帯電特性と感光特
性の劣化現象を示す。実線が帯電特性の劣化(画像暗部
である非露光部電位VDの低下)、破線が感光特性の劣
化(画像明部であるレーザ露光部電位VLの上昇)を示
す。また、画像明部へのトナーの付着(カブリ)を防止
するために現像バイアスDC成分は画像明部の電位より
絶対値を50V大きくしてあり、これを一点鎖線で示
す。初期には500Vあった現像コントラストV CONT
10万枚耐久後には350Vまで低下することが図より
わかる。
【0042】このように、OPC感光体は、耐久による
電位の変化が非露光部電位VD、レーザ露光部電位VL
々で100V程あるが、a−Si感光体においてはV
CONTの変化がほとんど無い。
【0043】すなわち、a−Si感光体を用いることに
より、耐久による画像濃度への影響をほとんどなくすこ
とができ、初期状態に近い良質な画像を得ることができ
る。
【0044】(実施の形態2)実施の形態2では、中央
部に通紙するために電位検出センサ4が端部より中央部
寄りに配置された場合について説明する。なお、実施の
形態1と同様の構成部分については同一の符号を付し
て、その説明は省略する。
【0045】静電潜像が形成された感光体1表面のレー
ザ露光部電位VLを感光体1の画像域長手方向端部以
外、中央部以外に配置された電位検出センサ4で読み取
る。この際、端部に比べてレーザ光量が多く当たってい
るため読み取り値は85Vである。
【0046】画像形成条件演算装置14は、図4に示す
ようなレーザ光量の分布に基づいて、このセンサ位置と
端部とのレーザ露光部電位VLの値の差を考慮し、端部
の電位を100Vと予測する。そして、端部にカブリが
発生しない所定の値としてカブリコントラストVBACK
50Vを加え、現像バイアスDC成分VDCを250Vと
決定している。
【0047】電位検出センサ4による電位検出を長手方
向の中央部以外、端部以外で行うことにより、通紙を中
央で行うことができるので、様々なサイズのシートに対
応することができる。
【0048】この際、中央部に配置された電位検出セン
サ4の値から現像バイアスDC成分を決定する場合に比
べて、端部で決定した場合との誤差を小さくすることが
できる。
【0049】これにより、カブリの発生を防ぎ、高速に
良質な画像を出力することができる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光手段は、入射光束幅に対して狭い面で反射する回転
多面鏡により露光するオーバーフィルドスキャナ方式に
よるものであり、かつ、画像明部に露光するバックエリ
ア露光により静電潜像を形成するので、高精細な画像を
高速に出力し、カブリの発生、走査ムラ発生の防止をコ
ストを抑えて実現することができる。
【0051】また、電位検出手段による検出結果に応じ
て前記現像バイアス電源により印加される現像バイアス
のDC成分値を制御する画像形成条件演算手段を備えた
ので、カブリの発生、走査ムラを防ぐことができる。
【0052】さらに、a−Si感光体を用いることによ
り、耐久による画像濃度への影響をほとんどなくすこと
ができ、初期状態に近い良質な画像を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る画像形成装置の概略断面図。
【図2】BAE方式の露光部と画像部の相関図。
【図3】カブリラチチュードを示す図。
【図4】感光体表面に到達するレーザ光量の図(感光体
長手方向)。
【図5】BAE方式におけるVLムラの影響の図(感光
体周方向)。
【図6】OPC感光体の耐久に伴う帯電特性及び感光特
性の劣化の過程を示す図。
【図7】OFSへの入射光束幅と反射されるビーム光束
とミラー面幅の関係を示す図。
【図8】ポリゴンミラーが図7より回転した際のOFS
への入射光束幅と反射されるビーム光束との関係を示す
図。
【図9】UFSへの入射光束幅と反射されるビーム光束
とミラー面幅の関係を示す図。
【図10】ポリゴンミラーが図9より回転した際のUF
Sへの入射光束幅と反射されるビーム光束との関係を示
す図。
【図11】IAE方式におけるVLムラの影響の図(感
光体周方向)。
【図12】IAE方式の露光部と画像部の相関図。
【符号の説明】
1 感光体 2 一次帯電装置 3 デジタル露光手段 4 電位検出センサ 5 現像スリーブ 6 現像装置 7 転写装置 8 分離装置 9 クリーナ 10 転写材 11 デジタル信号発生装置 12 レーザ 13 ポリゴンミラー 14 画像形成条件演算装置 15 現像バイアス制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 淳 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2C362 AA38 AA54 AA59 AA63 AA66 AA70 CB59 CB80 DA08 DA17 DA23 2H027 DA02 DE07 DE10 EA02 EA05 EC06 EC07 EC09 EC11 ED06 ED09 2H045 AA01 CB24 5C072 AA03 BA15 HA02 HA13 5C074 AA09 AA12 BB03 BB26 CC22 CC26 DD08 EE20 GG02 GG04 GG12 HH02

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】像担持体上に静電潜像を形成する露光手段
    と、 前記露光手段により像担持体上に形成された静電潜像を
    現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に
    転写する画像形成手段と、 を備えた画像形成装置において、 前記露光手段は、 入射光束幅に対して狭い面で反射する回転多面鏡により
    露光するオーバーフィルドスキャナ方式によるものであ
    り、かつ、 画像明部に露光するバックエリア露光により静電潜像を
    形成することを特徴とする画像形成装置。
  2. 【請求項2】前記像担持体の表面電位を検出する電位検
    出手段と、 前記現像手段に現像バイアスを印加する現像バイアス電
    源と、 前記電位検出手段による検出結果に応じて前記現像バイ
    アス電源により印加される現像バイアスのDC成分値を
    制御する画像形成条件演算手段と、 を備えることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装
    置。
  3. 【請求項3】前記画像形成条件演算手段は、前記現像バ
    イアスのDC成分値を、前記電位検出手段により検出さ
    れた前記像担持体の表面電位のうち前記露光手段により
    露光された露光部の電位に所定値を加えた値として算出
    することを特徴とする請求項2記載の画像形成装置。
  4. 【請求項4】前記電位検出手段は、前記像担持体の画像
    域長手方向端部以外の領域の電位を検出するように配設
    され、 前記画像形成条件演算手段は、前記露光手段により照射
    される光量の特性に基づいて、前記電位検出手段により
    検出された前記像担持体の表面電位から該像担持体の画
    像域長手方向端部電位を予測して、予測した該端部電位
    に所定値を加えた値として前記現像バイアスのDC成分
    値を算出することを特徴とする請求項2または3に記載
    の画像形成装置。
  5. 【請求項5】前記画像形成条件演算手段は、検出または
    予測された前記像担持体の画像域長手方向端部電位の絶
    対値が所定の電位より大きいと判断した場合に、該端部
    電位が前記所定の電位となるように前記露光手段が照射
    する前記像担持体表面への光量を制御することを特徴と
    する請求項2,3または4に記載の画像形成装置。
  6. 【請求項6】前記像担持体は、アモルファスシリコン
    (a−Si)感光体であることを特徴とする請求項1乃
    至5のいずれか1項に記載の画像形成装置。
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