JP3491653B2 - 静電記録装置および静電記録方法 - Google Patents
静電記録装置および静電記録方法Info
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Description
機等の静電記録装置の静電記録方法に関するものであ
る。
および背景部領域の有無を組み合わせてなる潜像を形成
するとともに、正規現像領域を第1の現像剤で可視像化
し、反転現像領域を第2の現像剤で可視像化して感光体
上に2種類の可視像を形成し、この2種類の可視像を一
括して用紙などの記録材上に転写記録する静電記録方式
については、tri-level xerographyなどとも呼ばれ、例
えば米国特許第4,078,929号明細書により公知である。
置においては、背景部領域の電位を許容範囲内に確保し
ないと充分なコントラスト電位を得ることができなくな
り、結果として、画像濃度が低下したり、あるいは、本
来現像剤が付着すべきでない背景部領域に現像剤が付着
する(以下、かぶり現象と称す。)等、みにくい画質が
記録されてしまうという不具合をまねく。
生じず、正規現像領域および反転現像領域が良好に可視
像化され、2種類の可視像を鮮明に記録する静電記録方
法を提供することにある。
にL L 、L M 、L H (但し、L L <L M <L H )の露光強度の
組み合わせによる光パターンを照射することにより感光
体上に電位V H 、V M 、V L (但し、V H >V M >V L )の潜
像を形成し、電位V H の潜像領域を正規現像装置により
可視像化し、電位V L の潜像領域を反転現像装置により
可視像化して1プロセスで2種類の可視像を記録する静
電記録方法において、前記記録動作に先立ち、感光体を
2回転させるとともに、感光体の第1回転目には、 a)帯電した感光体を露光強度L M およびL H からなる第
1の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
V M およびV L の潜像を形成し、 b)反転現像装置位置におけるV M の値を電位検出手段
で測定して実測値V M1 を求め、 c)前記実測値V M1 を予め設定した基準値V MS とするよ
うに帯電電圧を制御するとともに、反転現像装置の現像
バイアス電圧V BR を基準値V MS よりも小さい値となるよ
うに制御し、感光体の第2回転目には、 d)前記c)工程で制御後の帯電電圧に基づき感光体を
帯電させ、 e)帯電した感光体を露光強度L M およびL L からなる第
2の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
V M およびV H の潜像を形成し、 f)正規現像装置位置におけるV M の値を電位検出手段
で測定して実測値V M2 を求め、 g)正規現像装置の現像バイアス電圧V BO を実測値V M2
よりも大きい値となるように制御する ことにより達成さ
れる。
び反転現像の両方の見地から背景部領域電位を設定する
ので、いずれの現像領域においても充分なコントラスト
電位が得られ、2種類の可視像を鮮明に記録することが
可能になる。
明する。図1は本発明の一実施例となる静電記録装置の
構成図であり、同図において1は導電性基体上にマイナ
ス帯電の有機感光体(OPC)を形成した感光ドラム、3
はコロナワイヤ電源4に接続されて感光ドラム1を均一
に帯電する帯電器、7は半導体レーザやLED等を光源
に用い感光ドラム1上に正規現像領域、反転現像領域お
よび背景部領域の有無を組み合わせてなる潜像を形成す
る露光装置、8は露光装置7によって形成された潜像の
内、正規現像領域にプラス帯電トナーを供給して正規現
像領域を可視像化する第1の現像装置、14は露光装置
7によって形成された潜像の内、反転現像領域にマイナ
ス帯電トナーを供給して反転現像領域を可視像化する第
2の現像装置、18は感光ドラム1上に形成された2種
類の可視像11、17のいずれか一方の帯電極性を反転
させて、可視像11、17の帯電極性を揃えるためのプ
レトランスファチャージャ、21は感光ドラム1上の可
視像を用紙20に転写する転写器、22は用紙20に転
写されたトナーを用紙20に定着する定着装置、23は
転写後の感光ドラム1を除電するイレーズ、24は感光
ドラム1上の残留トナーを除去するクリーナである。
置14近傍には、背景部電位検出手段を構成する表面電
位センサ12a、12bが設けられている。本実施例に
おいては、感光ドラムの回転速度および現像装置との位
置関係などを考慮し、表面電位センサ12aを露光後
0.5秒の位置に、表面電位センサ12bを露光後1秒
の位置に設けている。表面電位センサ12a、12bの
出力は、増幅回路、A/D変換器および演算回路などか
ら構成された表面電位測定回路13a、13bに入力さ
れ、表面電位測定回路13a、13bの演算データは制
御部25に入力される。制御部25は、前記演算データ
に基づき帯電器のグリッド2に接続されたグリッド電源
5、露光信号源6、現像バイアス電源9、現像バイアス
電源15、感光ドラム駆動部19を制御する。なお、図
において、26は静電記録装置のエンジン部と制御部2
5を接続するためのインターフェース、27はCPU、
28および29はCPU27で演算したデータを格納す
るメモリであり、例えばメモリ28はRAMで、メモリ
29はROMで構成されている。
合は、帯電器3で均一に帯電された感光ドラム1を露光
装置7で露光して、感光ドラム1上に正規現像領域、反
転現像領域および背景部領域の有無を組み合わせてなる
潜像を形成し、正規現像領域を現像装置8で可視像化
し、反転現像領域を現像装置14で可視像化して感光ド
ラム1上に2種類の可視像11、17を形成し、感光ド
ラム1上に形成された可視像11、17のいずれか一方
の帯電極性をプレトランスファチャージャ18で反転さ
せて、感光ドラム1上に帯電極性が揃えられた2種類の
可視像11、17を形成する。次に、可視像11、17
は転写位置で転写器21の吸引電荷作用により用紙20
に転写された後、例えば加熱ロールと加圧ロールからな
る定着装置22によって挟持搬送されながら用紙20に
定着される。一方、転写位置通過後の感光ドラム1上に
残留した微少の現像剤は、イレーズ23、クリーナ24
を通過することによって感光ドラム1から除去される。
本発明者は、背景部領域電位を形成するビームの露光強
度が一定であっても、潜像形成後の感光体の暗減衰や、
正規現像と反転現像との電荷分布の違いによる電荷リー
ク状態の差などによって現像位置における背景部領域電
位にはばらつきが生じてしまうことを実験により確認し
た。このように背景部領域電位にばらつきが生じる理由
として、この種の静電記録方式の場合、画像記録におい
て形成される潜像パターンとしては、図2に示すように
反転現像領域−背景部領域−正規現像領域−背景部領域
−反転現像領域からなる潜像パターン(図2(a))と、
反転現像領域−正規現像領域−反転現像領域−正規現像
領域−反転現像領域からなる潜像パターン(図2(b))
と、正規現像領域−背景部領域−正規現像領域−背景部
領域−正規現像領域からなる潜像パターン(図2(c))
と、反転現像領域−背景部領域−反転現像領域−背景部
領域−反転現像領域からなる潜像パターン(図2(d))
の4つのパターンがあり、図2(c)のように背景部領域
(VMc)の隣に正規現像領域(VHc)が存在する場合には、
背景部領域が減衰しても高電位側(正規現像領域)から
リークした電荷が減衰した背景部領域に補給されるよう
な現象を生じさせるので背景部領域電位の減衰はあまり
進行しないが、図2(d)のように背景部領域(VMd)の隣
に反転現像領域(VLd)が存在する場合には、背景部領域
から低電位側(反転現像領域)へ一方的に電荷がリーク
するだけなので前者のような補給現象が生じないために
背景部領域電位の減衰が著しくなり、減衰の仕方に差が
生じるのではないかと予想される。また、図2(a)の場
合にも、背景部領域(VMa)の隣に反転現像領域(VLa)が
存在するけれども、VLaと反対側には正規現像領域(VH
a)が隣接しているために上述した補給現象が生じるの
で、図2(d)ほどは背景部領域電位の減衰が大きく進行
しない。なお、図2の下段に示した各パターンは、可視
像化した後のパターンを模式的に表わしたものであり、
実際は、黒で塗りつぶした部分に例えば黒トナーが付着
し、ハッチングを施した部分に赤トナーが付着し、白い
部分にはトナーが付着しない状態で表現される。
した各潜像パターンを形成した場合の背景部領域電位V
Ma、VMcおよびVMdの時間変化の様子を示した説明図で
あり、感光体を露光してから0.2秒後におけるVMcの
値を100%として相対表示している。図3からわかる
ように、背景部領域電位の減衰が最も大きいのは、反転
現像領域VLdで挟まれた背景部領域電位VMdであり、次
がVMa、そして減衰が最も小さいのは正規現像領域VHc
で挟まれた場合のVMcである。特に、記録枚数の増加に
よる感光体劣化が生じると、感光体が帯電しにくくな
り、初期に比べて値そのものが小さくなるだけでなく、
電位の暗減衰の差が顕著になる。また、高湿環境下では
表面抵抗および体積抵抗が低下するので、その差がさら
に大きくなることがわかった。このように、潜像パター
ン、感光体の劣化状態、環境状態によって背景部領域電
位は大きく変化するのである。従って、このような現象
を考慮して電位制御を行わなければ、潜像パターンによ
って背景部領域でのかぶり現象が発生し、画質劣化の問
題を解決できない。
が反転現像されたフリンジ(Fringefield developmen
t)を示す。これは、画像部(正規現像)とは異なった
色で周辺部が現像(反転現像)される現象であり、電位
勾配が大きくなるエッジ部における電界集中によるもの
である。背景部領域電位が低下するとFringe field(縁
端電界)が強くなるため、フリンジ電位VEの落ち込み
も顕著になりフリンジ領域の濃度も高くなる。従って、
背景部領域電位の確保はフリンジ発生防止にも有効であ
る。さらに、第2の現像装置の現像バイアス電圧VBRを
VEよりも小さく設定する必要がある。通常、VMaとVE
の差は100V未満であるため、△V1(=VMS−VB
R)を100VにしておけばVMa>VMSの関係から、VM
a−VBR>100Vとなりフリンジ現象を防止できる。
の静電記録装置では、印刷動作に先立ち電位制御を行な
い、充分なコントラスト電位が得られるようにした。以
下、電位制御時の動作の詳細を説明する。
電させ、露光信号源6で図4(a)に示す第1の基準光パ
ターンを発生し、露光装置7で第1の基準光パターンに
基づく露光を行ない、感光ドラム1上に図2(d)に示す
ような反転現像領域VLdと背景部領域VMdからなる潜像
を形成する。なお、図4(a)においてレーザ光の露光強
度LHおよびLMは所定値になるようにフィードバック制
御されている。次に、反転現像用の現像装置14近傍に
設けた表面電位センサ12bによって背景部領域電位V
Mdと反転現像領域VLdが測定されるとともに、背景部領
域電位VMdの実測値VM1は表面電位測定回路13bを経
て制御部25に送られ、予め設定された基準値VMSと比
較され、VM1=VMSになるようにグリッド電源5が制御
される。本実施例では、背景部領域電位VM1=330
V、反転現像領域VLd=60Vの実測値を得た。また、
基準値VMSは450Vに設定した。なお、グリッド電源
5の制御にあたっては、制御部25に設けたメモリ29
に背景部領域電位VM1、基準値VMS、グリッド電圧VG
の関係を予めデータベースとして記憶させておき、この
データベースに基づきVMSとVM1の差に応じてグリッド
電圧VGを補正するようにしてもよいし、グリッド電圧
VGを順次増加させながら行なうようにしてもよい。こ
の測定結果に基づき本実施例ではグリッド電圧VGを約
920Vに修正した。次に、反転現像用の現像装置14
の現像バイアスVBRが設定される。現像バイアスVBR
は、基準値VMSに対し100V程度小さい値に設定され
る。この状態において反転現像領域VLdは100Vであ
り、コントラスト電位(=VBR−VLd)は250Vであ
る。以上の工程によって反転現像条件が校正された後、
潜像はイレーズ23により除電され、消去される。
は、感光ドラム1を修正後のグリッド電圧、即ち約92
0Vに帯電させ、露光信号源6で図4(b)に示す第2の
基準光パターンを発生し、露光装置7で第2の基準光パ
ターンに基づく露光を行ない、感光ドラム1上に図2
(c)に示すような正規現像領域VHcと背景部領域VMcか
らなる潜像を形成する。次に、正規現像用の現像装置8
近傍に設けられた表面電位センサ12aによって正規現
像領域VHcと背景部領域電位VMcが測定されるととも
に、実測値VM2は表面電位測定回路13bを経て制御部
25に送られる。本実施例では、正規現像領域VHc=8
50V、背景部領域電位VM2=490Vの実測値を得
た。帯電制御前の背景部領域電位は390Vであり、第
1の現像装置8の現像バイアス電圧VBOは480Vであ
ったが、帯電制御後は背景部領域電位VM2が490Vに
上昇したため制御部25では第1の現像装置8の現像バ
イアス電圧VBOの値を590Vに補正した。なお、コン
トラスト電位(=VHc−VBO)は260Vとなった。以
上のように感光ドラム1を2回転させる間に電位制御を
行うことにより、正規現像および反転現像のための充分
なコントラスト電位が確保され、2種類の可視像の鮮明
な記録が可能になる。
の表面電位センサ(12a、12b)を使用したが、単一
の表面電位センサでも同様の効果が得られる。以下、単
一の表面電位センサで実現する場合について説明する。
まず、感光ドラム1の第1回転目においては、上記実施
例と同様の手順で反転現像領域に基づく補正が行なわれ
る。次に、感光ドラム1の第2回転目においては、グリ
ッド2の電圧VGを930Vに設定して感光ドラム1を
帯電し、露光信号源6により図4(b)に示す第2の基準
光パターンを発生して露光装置7で感光ドラム1を照射
し、感光ドラム1上に正規現像領域と背景部領域からな
る潜像を形成する。ここで、背景部領域電位VMcが表面
電位センサ12bの位置に到達するタイミングで制御部
25により感光ドラム駆動部19に緊停信号を送り、感
光ドラム1の回転を停止させる。表面電位センサ12b
では図5に示すような背景部領域電位VMcの暗減衰の時
間変化が測定され、表面電位測定回路13bから制御部
25にデータが送られる。図5において、TSは感光ド
ラムが停止して背景部領域電位VMcの暗減衰の測定を開
始する時間、TKは背景部領域電位VMcの暗減衰の測定
を終了する時間を示す。発明者の実験データによれば、
T=TSのときVMc=VMcS、T=TKのときVMc=VMcK
としたとき、TKが4秒以内ならばVMcが近似的に次式
で与えられることを確認した。 VMc=VMcS・e{-α(T-TS)} ・・・ ここで、α=loge(VMcS/VMcK)/(TK−TS) ・・・ 背景部領域電位を測定したところ、TS=1.5秒のとき
VMcS=440V、TK=2秒のときVMcK=420Vで
あり、、式より、 VMc=440・e{-0.09(T-1.5)} ・・・ となる。式より、TS=0.5秒として第1の現像装置
の位置でのVMcを求めると約480Vであった。そこ
で、第1の現像装置の現像バイアスVBOが580V(=
480+100)になるようにグリッド電源5を制御し
た。
いて電位制御を行なう場合に比べて第1の現像装置の位
置での背景部領域電位VMcが約10V小さくなっただけ
であり実用上問題ないことが確認された。また、本実施
例によれば、感光ドラム1の停止操作と演算処理が必要
になるが、1個の表面電位センサで足りるので電位セン
サ間の補正等が不要になるという利点がある。
る。本実施例では実施例2と同様、単一の電位センサを
用い、且つ簡易的な方法を示す。反転現像領域の背景部
領域電位の確保については、実施例2と同じ工程で行な
われる。正規現像領域の背景部領域電位は次のように確
保される。図6において、帯電制御前のVM1の値は33
0V、制御時の設定電圧VMSは450Vであり、その差
ΔVM1(=120V)はグリッド電圧を800Vから9
20Vに増加することによって感光体の帯電電流を増加
した結果である。一方、帯電制御前のVM2の値は380
V、制御時の設定電圧VM2は490Vでありその差ΔV
M2は110Vである。従って、ΔVM1とΔVM2の値はほ
ぼ等しいとし、近似的に帯電制御後の現像バイアスVBO
を帯電制御前の現像バイアスVBOとΔVM1の和とした。
この結果、帯電制御後の現像バイアスVBOは600V
(=480+120)となった。この方法はΔVM2とΔ
VM1の差が小さい、即ち、感光体の劣化があまり進んで
いない場合に有効である。この場合、1工程で電位制御
ができるのでデータ待ち時間等の比較的短い期間でも実
施できるという効果がある。
度とのバランスから装置内温度が安定するまで長くて数
十分の時間を要する。この期間、感光体感度の温度変化
に伴い背景部領域電位も変動する。この場合の電位制御
としては短時間で行えるものでなくてはならない。そこ
で、装置立ち上げ時は実施例1の方法を、立ち上げ後の
温度変化に対しては本実施例の方法を用いると効率的で
よい。
よれば、正規現像領域および反転現像領域を良好に可視
像化し、2種類の可視像を鮮明に記録することができ
る。
る。
明図である。
る。
グリッド電源、7・・・露光部、8・・・第1現像装置、12
a、12b・・・表面電位センサ、14・・・第2現像装置、
18・・・転写前帯電器、21・・・転写器、22・・・定着
機、23・・・レーズランプ、24・・・クリーナ
Claims (3)
- 【請求項1】感光体上にLL、LM、LH(但し、LL<L
M<LH)の露光強度の組み合わせによる光パターンを照
射することにより感光体上に電位VH、VM、VL(但
し、VH>VM>VL)の潜像を形成し、電位VHの潜像領
域を正規現像装置により可視像化し、電位VLの潜像領
域を反転現像装置により可視像化して1プロセスで2種
類の可視像を記録する静電記録方法において、 前記記録動作に先立ち、感光体を2回転させるととも
に、 感光体の第1回転目には、 a)帯電した感光体を露光強度LMおよびLHからなる第
1の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
VMおよびVLの潜像を形成し、 b)反転現像装置位置におけるVMの値を電位検出手段
で測定して実測値VM1を求め、 c)前記実測値VM1を予め設定した基準値VMSとするよ
うに帯電電圧を制御するとともに、反転現像装置の現像
バイアス電圧VBRを基準値VMSよりも小さい値となるよ
うに制御し、 感光体の第2回転目には、 d)前記c)工程で制御後の帯電電圧に基づき感光体を
帯電させ、 e)帯電した感光体を露光強度LMおよびLLからなる第
2の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
VMおよびVHの潜像を形成し、 f)正規現像装置位置におけるVMの値を電位検出手段
で測定して実測値VM2を求め、g)正規現像装置の現像
バイアス電圧VBOを実測値VM2よりも大きい値となるよ
うに制御することを特徴とする静電記録方法。 - 【請求項2】感光体上にLL、LM、LH(但し、LL<L
M<LH)の露光強度の組み合わせによる光パターンを照
射することにより感光体上に電位VH、VM、VL(但
し、VH>VM>VL)の潜像を形成し、電位VHの潜像領
域を正規現像装置により可視像化し、電位VLの潜像領
域を反転現像装置により可視像化して1プロセスで2種
類の可視像を記録する静電記録方法において、 正規現像装置および反転現像装置間に単一の電位検出手
段を有し、 前記記録動作に先立ち、感光体を2回転させるととも
に、 感光体の第1回転目には、 a)帯電した感光体を露光強度LMおよびLHからなる第
1の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
VMおよびVLの潜像を形成し、 b)反転現像装置位置におけるVMの値を電位検出手段
で測定して実測値VM1を求め、 c)前記実測値VM1を予め設定した基準値VMSとするよ
うに帯電電圧を制御するとともに、反転現像装置の現像
バイアス電圧VBRを基準値VMSよりも小さい値となるよ
うに制御し、 感光体の第2回転目には、 d)前記c)工程で制御後の帯電電圧に基づき感光体を
帯電させ、 e)帯電した感光体を露光強度LMおよびLLからなる第
2の基準光パターンに基づき照射して、感光体上に電位
VMおよびVHの潜像を形成し、 f)前記電位検出手段位置に前記e)工程で形成された
電位VMの潜像が到達したとき感光体の回転を停止さ
せ、 g)VMの時間変化を測定し、これに基づいて正規現像
装置位置でのVMの値を測定して実測値VM2を求め、 h)正規現像装置の現像バイアス電圧VBOを実測値VM2
よりも大きい値となるように制御することを特徴とする
静電記録方法。 - 【請求項3】第1の現像装置の現像バイアス電圧をVB
O、帯電電圧制御前における現像バイアス電圧をVBOPと
したとき、VBO=VBOP+(VMS−VM1)となるように現
像バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項1記
載の静電記録方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25250595A JP3491653B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 静電記録装置および静電記録方法 |
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