JP2002016111A - Ｔａｂ用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたｔａｂ用キャリアテープ及びｔａｂ用テープキャリア - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたｔａｂ用キャリアテープ及びｔａｂ用テープキャリアInfo
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- JP2002016111A JP2002016111A JP2001125838A JP2001125838A JP2002016111A JP 2002016111 A JP2002016111 A JP 2002016111A JP 2001125838 A JP2001125838 A JP 2001125838A JP 2001125838 A JP2001125838 A JP 2001125838A JP 2002016111 A JP2002016111 A JP 2002016111A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅リードパターン作成後の工程増加や変更を
必要とせず、信頼性の高いＳｎホイスカ及びカーケンド
ールボイドの抑制効果を有するＴＡＢ用テープキャリア
に用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリア
テープ及びＴＡＢ用テープキャリアを提供する。 【解決手段】 銅箔の少なくとも光沢面側にニッケル、
コバルト及びモリブデンからなる合金層を有するＴＡＢ
用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いた
ＴＡＢ用キャリアテープ及びＴＡＢ用テープキャリア。
必要とせず、信頼性の高いＳｎホイスカ及びカーケンド
ールボイドの抑制効果を有するＴＡＢ用テープキャリア
に用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリア
テープ及びＴＡＢ用テープキャリアを提供する。 【解決手段】 銅箔の少なくとも光沢面側にニッケル、
コバルト及びモリブデンからなる合金層を有するＴＡＢ
用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いた
ＴＡＢ用キャリアテープ及びＴＡＢ用テープキャリア。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープキャ
リアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャ
リアテープ及びＴＡＢ用テープキャリアに関し、更に詳
しくは、優れたＳｎホイスカ抑制効果とカーケンドール
ボイド抑制効果を有するＴＡＢ用テープキャリアに用い
る銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ
及びＴＡＢ用テープキャリアに関する。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープキャ
リアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャ
リアテープ及びＴＡＢ用テープキャリアに関し、更に詳
しくは、優れたＳｎホイスカ抑制効果とカーケンドール
ボイド抑制効果を有するＴＡＢ用テープキャリアに用い
る銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ
及びＴＡＢ用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の実装技術の自動化及
び高速化を図ることを目的として、長尺の可撓性絶縁フ
ィルムに銅リードパターンを形成したテープキャリア
に、ワイヤレスボンディングによりＩＣやＬＳＩなどの
半導体素子を組み込んでいくＴＡＢ方式が広く採用され
ている。
び高速化を図ることを目的として、長尺の可撓性絶縁フ
ィルムに銅リードパターンを形成したテープキャリア
に、ワイヤレスボンディングによりＩＣやＬＳＩなどの
半導体素子を組み込んでいくＴＡＢ方式が広く採用され
ている。
【０００３】従来、優れた耐食性、はんだ付け性を持つ
ことから銅リードパターンにＡｕめっき皮膜の代用とし
てＳｎめっき皮膜が施されている。しかし、Ｓｎめっき
皮膜は時間経過と共にその表面からＳｎホイスカと呼ば
れるヒゲのような針状結晶が発生することが知られてお
り、このＳｎホイスカの成長は回路間の短絡原因とな
る。この防止のためＳｎめっき後に１００〜１５０℃−
１〜２ｈｒの加熱処理が必要とされてきた。だが、加熱
することで、Ｓｎめっき皮膜と銅箔のＣｕとの間で急激
な相互拡散が起き、Ｓｎ原子よりＣｕ原子の拡散速度が
速いことから、Ｓｎめっき皮膜と接している銅箔側にカ
ーケンドールボイドと呼ばれる空孔ができる。このた
め、Ｓｎめっき皮膜の密着性が低下し、はんだ付け時に
剥離する原因となる。
ことから銅リードパターンにＡｕめっき皮膜の代用とし
てＳｎめっき皮膜が施されている。しかし、Ｓｎめっき
皮膜は時間経過と共にその表面からＳｎホイスカと呼ば
れるヒゲのような針状結晶が発生することが知られてお
り、このＳｎホイスカの成長は回路間の短絡原因とな
る。この防止のためＳｎめっき後に１００〜１５０℃−
１〜２ｈｒの加熱処理が必要とされてきた。だが、加熱
することで、Ｓｎめっき皮膜と銅箔のＣｕとの間で急激
な相互拡散が起き、Ｓｎ原子よりＣｕ原子の拡散速度が
速いことから、Ｓｎめっき皮膜と接している銅箔側にカ
ーケンドールボイドと呼ばれる空孔ができる。このた
め、Ｓｎめっき皮膜の密着性が低下し、はんだ付け時に
剥離する原因となる。
【０００４】特に近年における銅リードパターンのファ
インピッチ化に伴い、Ｓｎホイスカ及びカーケンドール
ボイドの抑制は早急に解決しなくてはならない重要な課
題となっている。
インピッチ化に伴い、Ｓｎホイスカ及びカーケンドール
ボイドの抑制は早急に解決しなくてはならない重要な課
題となっている。
【０００５】従来から、Ｓｎホイスカ発生並びにカーケ
ンドールボイド発生を抑制する種々の対策は講じられて
いる。例えばＳｎホイスカ発生を抑制する手段として
は、スズめっき浴中にインジウムや鉛、ビスマス又はア
ンチモンの低融点金属塩を添加し、その析出皮膜中の低
融点金属の組成が０．１〜３．０重量％となるように濃
度調整したスズめっき浴を用いることが提案されてい
る。また、下地はんだめっきや下地ニッケル−銅二層め
っきのように、スズめっきの下地としてスズ以外の金属
をめっきする方法が提案されている。
ンドールボイド発生を抑制する種々の対策は講じられて
いる。例えばＳｎホイスカ発生を抑制する手段として
は、スズめっき浴中にインジウムや鉛、ビスマス又はア
ンチモンの低融点金属塩を添加し、その析出皮膜中の低
融点金属の組成が０．１〜３．０重量％となるように濃
度調整したスズめっき浴を用いることが提案されてい
る。また、下地はんだめっきや下地ニッケル−銅二層め
っきのように、スズめっきの下地としてスズ以外の金属
をめっきする方法が提案されている。
【０００６】更に、カーケンドールボイド発生を抑制す
る手段としては、銅箔のはんだと接合される部分にＺｎ
層又はＺｎを１０重量％以上含む銅合金層を形成するこ
とでＣｕとＳｎの相互拡散を抑えることが提案されてい
る。
る手段としては、銅箔のはんだと接合される部分にＺｎ
層又はＺｎを１０重量％以上含む銅合金層を形成するこ
とでＣｕとＳｎの相互拡散を抑えることが提案されてい
る。
【０００７】しかしながら、これらの方法においては
Ｓｎめっき工程の前に新たな工程が加わり、コストアッ
プ及び生産性の低下が問題となる、銅箔そのものは改
善されていない、などの問題があった。
Ｓｎめっき工程の前に新たな工程が加わり、コストアッ
プ及び生産性の低下が問題となる、銅箔そのものは改
善されていない、などの問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、銅リ
ードパターン作成後の工程増加や変更を必要とせず、信
頼性の高いＳｎホイスカ及びカーケンドールボイドの抑
制効果を有するＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔並
びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ及びＴＡ
Ｂ用テープキャリアを提供することにある。
ードパターン作成後の工程増加や変更を必要とせず、信
頼性の高いＳｎホイスカ及びカーケンドールボイドの抑
制効果を有するＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔並
びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ及びＴＡ
Ｂ用テープキャリアを提供することにある。
【０００９】また、本発明は銅リードの形成に必要とさ
れる耐熱性、はんだ濡れ性などの特性を良好に保つこと
ができるＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔を提供す
ることにある。
れる耐熱性、はんだ濡れ性などの特性を良好に保つこと
ができるＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記する目
的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ＴＡＢ用テ
ープキャリアに用いる銅箔として銅箔の光沢面（Ｓ面）
にニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合金層
（ニッケル−コバルト−モリブデン層）を有する銅箔を
用いると、銅リード形成後のＳｎめっき皮膜におけるＳ
ｎホイスカの発生及びＣｕとＳｎの相互拡散によるカー
ケンドールボイドの発生が格段に抑制されることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ＴＡＢ用テ
ープキャリアに用いる銅箔として銅箔の光沢面（Ｓ面）
にニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合金層
（ニッケル−コバルト−モリブデン層）を有する銅箔を
用いると、銅リード形成後のＳｎめっき皮膜におけるＳ
ｎホイスカの発生及びＣｕとＳｎの相互拡散によるカー
ケンドールボイドの発生が格段に抑制されることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１１】本発明は、銅箔の少なくとも光沢面（Ｓ
面）側にニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合
金層（ニッケル−コバルト−モリブデン層）を有するＴ
ＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔を提供するものであ
る。
面）側にニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合
金層（ニッケル−コバルト−モリブデン層）を有するＴ
ＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔を提供するものであ
る。
【００１２】本発明はまた、可撓性の絶縁フィルムに、
上記の銅箔を、マット面（Ｍ面）を貼り付け面として貼
り付けてなるＴＡＢ用キャリアテープを提供するもので
ある。
上記の銅箔を、マット面（Ｍ面）を貼り付け面として貼
り付けてなるＴＡＢ用キャリアテープを提供するもので
ある。
【００１３】本発明はまた、上記のＴＡＢ用キャリアテ
ープの銅箔をエッチングして銅リードパターンを形成し
たＴＡＢ用テープキャリアを提供するものである。
ープの銅箔をエッチングして銅リードパターンを形成し
たＴＡＢ用テープキャリアを提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のＴＡＢ用テープキャリア
に用いる銅箔は、銅箔の少なくとも光沢面（Ｓ面）側に
ニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合金層（ニ
ッケル−コバルト−モリブデン層）を有することを特徴
とする。このニッケル−コバルト−モリブデン層を有す
る銅箔の該ニッケル−コバルト−モリブデン層について
説明すると、金属ニッケル、コバルト及びモリブデンを
主体とする合金薄膜であり、素地の銅箔表面に強固に密
着している。このニッケル−コバルト−モリブデン層の
表層部付近にはニッケルとコバルト及びモリブデンの酸
化物、水酸化物が混在していてもよい。このニッケル−
コバルト−モリブデン層を有する銅箔は、銅リードパタ
ーンを形成した後にＳｎめっきを行う際に問題となるＳ
ｎホイスカの発生及びカーケンドールボイドの発生が少
なく、これを原因とした短絡事故やはんだ剥離事故を防
止することができ、かつ銅リードの形成に必要とされる
エッチング性、耐熱性、はんだ濡れ性などの特性を良好
に保つことができる。
に用いる銅箔は、銅箔の少なくとも光沢面（Ｓ面）側に
ニッケル、コバルト及びモリブデンからなる合金層（ニ
ッケル−コバルト−モリブデン層）を有することを特徴
とする。このニッケル−コバルト−モリブデン層を有す
る銅箔の該ニッケル−コバルト−モリブデン層について
説明すると、金属ニッケル、コバルト及びモリブデンを
主体とする合金薄膜であり、素地の銅箔表面に強固に密
着している。このニッケル−コバルト−モリブデン層の
表層部付近にはニッケルとコバルト及びモリブデンの酸
化物、水酸化物が混在していてもよい。このニッケル−
コバルト−モリブデン層を有する銅箔は、銅リードパタ
ーンを形成した後にＳｎめっきを行う際に問題となるＳ
ｎホイスカの発生及びカーケンドールボイドの発生が少
なく、これを原因とした短絡事故やはんだ剥離事故を防
止することができ、かつ銅リードの形成に必要とされる
エッチング性、耐熱性、はんだ濡れ性などの特性を良好
に保つことができる。
【００１５】このニッケル−コバルト−モリブデン層を
構成するニッケル、コバルト及びモリブデンの金属量と
して換算した被着量とその比率について説明すると、ニ
ッケル、コバルト及びモリブデンの各被着量は共に３０
〜１，０００μｇ／ｄｍ2の範囲にあることが好まし
い。それぞれ３０μｇ／ｄｍ2未満の場合は、膜厚が薄
いこともあってＳｎホイスカ及びカーケンドールボイド
抑制効果を十分に発揮できないこともあり、一方、１，
０００μｇ／ｄｍ2を超える場合は、Ｓｎホイスカ及び
カーケンドールボイド抑制効果は十分に発揮できるが、
それぞれの比率にもよるが銅リードパターン形成時のエ
ッチング性に影響を与えることがある。特に好ましいそ
れぞれの被着量は５０〜５００μｇ／ｄｍ2である。
構成するニッケル、コバルト及びモリブデンの金属量と
して換算した被着量とその比率について説明すると、ニ
ッケル、コバルト及びモリブデンの各被着量は共に３０
〜１，０００μｇ／ｄｍ2の範囲にあることが好まし
い。それぞれ３０μｇ／ｄｍ2未満の場合は、膜厚が薄
いこともあってＳｎホイスカ及びカーケンドールボイド
抑制効果を十分に発揮できないこともあり、一方、１，
０００μｇ／ｄｍ2を超える場合は、Ｓｎホイスカ及び
カーケンドールボイド抑制効果は十分に発揮できるが、
それぞれの比率にもよるが銅リードパターン形成時のエ
ッチング性に影響を与えることがある。特に好ましいそ
れぞれの被着量は５０〜５００μｇ／ｄｍ2である。
【００１６】本発明において、銅箔としては、光沢面
（Ｓ面）とマット面（Ｍ面）を有する電解銅箔が用いら
れる。銅箔の厚みについては特に制限はなく、ＴＡＢ用
テープキャリアに通常用いられる厚さの銅箔が用いら
れ、好ましい厚さは３〜７０μｍである。更に好ましく
は５〜１８μｍである。
（Ｓ面）とマット面（Ｍ面）を有する電解銅箔が用いら
れる。銅箔の厚みについては特に制限はなく、ＴＡＢ用
テープキャリアに通常用いられる厚さの銅箔が用いら
れ、好ましい厚さは３〜７０μｍである。更に好ましく
は５〜１８μｍである。
【００１７】また、銅箔のＳ面側の表面粗さはＲａで
０．１〜０．５μｍであることが好ましく、Ｍ面側の表
面粗さはＲａで０．２〜０．７μｍであることが好まし
い。本発明においてはＭ面側の表面粗さが通常の銅箔よ
り小さい銅箔を用いることが好ましく、微細な銅リード
パターンの形成が可能となる。より好ましいＭ面側の表
面粗さはＲａで０．２〜０．４μｍである。また、本発
明においては、ＴＡＢ用テープキャリアのハンドリング
性の点から抗張力の大きい銅箔を用いることが好まし
く、抗張力が４００〜７００Ｎ／ｍｍ2の銅箔が好まし
く用いられる。またＭ面を粗面化処理して粗面化処理層
を設けた銅箔を用いることが望ましい。Ｍ面に粗面化処
理層を設けることにより、銅箔を、マット面（Ｍ面）を
貼り付け面としてポリイミドフィルム、ポリエステルフ
ィルム等の可撓性絶縁フィルムに積層して接着したとき
に、銅箔と可撓性絶縁フィルムとの間の剥離強度を高め
ることができる。粗面化処理は例えば、銅イオン及びニ
ッケルイオンを含有するめっき浴を用いて陰極電解処理
により微細粒状粗面を形成して実施することができる。
０．１〜０．５μｍであることが好ましく、Ｍ面側の表
面粗さはＲａで０．２〜０．７μｍであることが好まし
い。本発明においてはＭ面側の表面粗さが通常の銅箔よ
り小さい銅箔を用いることが好ましく、微細な銅リード
パターンの形成が可能となる。より好ましいＭ面側の表
面粗さはＲａで０．２〜０．４μｍである。また、本発
明においては、ＴＡＢ用テープキャリアのハンドリング
性の点から抗張力の大きい銅箔を用いることが好まし
く、抗張力が４００〜７００Ｎ／ｍｍ2の銅箔が好まし
く用いられる。またＭ面を粗面化処理して粗面化処理層
を設けた銅箔を用いることが望ましい。Ｍ面に粗面化処
理層を設けることにより、銅箔を、マット面（Ｍ面）を
貼り付け面としてポリイミドフィルム、ポリエステルフ
ィルム等の可撓性絶縁フィルムに積層して接着したとき
に、銅箔と可撓性絶縁フィルムとの間の剥離強度を高め
ることができる。粗面化処理は例えば、銅イオン及びニ
ッケルイオンを含有するめっき浴を用いて陰極電解処理
により微細粒状粗面を形成して実施することができる。
【００１８】銅箔上にニッケル−コバルト−モリブデン
層を形成して本発明の銅箔を製造する手段としては、公
知の電気めっき法、化学めっき法、真空蒸着法、スパッ
タリング法などを用いることができる。これらの中で
は、電気めっき法によって陰極電解処理により実施する
ことが量産性、経済性の点で実用上望ましい。電気めっ
き法は、ニッケルイオン、コバルトイオン及びモリブデ
ン酸イオンを含むめっき浴を用いて、該めっき浴中で銅
箔を陰極電解処理し、該銅箔のＳ面にニッケル−コバル
ト−モリブデン層を形成する。
層を形成して本発明の銅箔を製造する手段としては、公
知の電気めっき法、化学めっき法、真空蒸着法、スパッ
タリング法などを用いることができる。これらの中で
は、電気めっき法によって陰極電解処理により実施する
ことが量産性、経済性の点で実用上望ましい。電気めっ
き法は、ニッケルイオン、コバルトイオン及びモリブデ
ン酸イオンを含むめっき浴を用いて、該めっき浴中で銅
箔を陰極電解処理し、該銅箔のＳ面にニッケル−コバル
ト−モリブデン層を形成する。
【００１９】次に、ニッケル−コバルト−モリブデン層
を形成する陰極電解処理に用いられるめっき浴について
述べると、めっき浴中に含まれる金属イオンはニッケル
イオンとコバルトイオン及びモリブデン酸イオンであ
る。ニッケルイオン供給源として例示すると、ＮｉＳＯ
4、ＮｉＣｌ2、ＮｉＣＯ3又はこれらの水化物などが好
適である。コバルトイオン供給源としては、ＣｏＳ
Ｏ4、ＣｏＣｌ2、又はこれらの水化物などが好適であ
る。モリブデン酸イオン供給源としては、Ｎａ2Ｍｏ
Ｏ4、（ＮＨ4）6Ｍｏ7Ｏ24、Ｋ2ＭｏＯ4又はこれらの水
化物などが好適である。
を形成する陰極電解処理に用いられるめっき浴について
述べると、めっき浴中に含まれる金属イオンはニッケル
イオンとコバルトイオン及びモリブデン酸イオンであ
る。ニッケルイオン供給源として例示すると、ＮｉＳＯ
4、ＮｉＣｌ2、ＮｉＣＯ3又はこれらの水化物などが好
適である。コバルトイオン供給源としては、ＣｏＳ
Ｏ4、ＣｏＣｌ2、又はこれらの水化物などが好適であ
る。モリブデン酸イオン供給源としては、Ｎａ2Ｍｏ
Ｏ4、（ＮＨ4）6Ｍｏ7Ｏ24、Ｋ2ＭｏＯ4又はこれらの水
化物などが好適である。
【００２０】ニッケルイオン供給源、コバルトイオン供
給源及びモリブデン酸イオン供給源の少なくともそれぞ
れ１種を水に溶解してめっき浴がつくられる。めっき浴
中の金属イオンの含有量を設定するにあたっては、前記
めっき金属被着量と電流密度、通電時間などを勘案して
決められるが、各金属イオン含有量は、通常それぞれ
０．１〜５０ｇ／ｌの範囲から選択することができる。
好ましくは、それぞれ５．０〜４０ｇ／ｌである。例え
ば、ニッケルイオン供給源にＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ、コバ
ルトイオン供給源にＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、モリブデン酸
イオン供給源にＮａ2ＭｏＯ4・２Ｈ2Ｏを用いた場合、
それぞれ２．０〜４０ｇ／ｌの範囲で用いることが特に
好ましい。
給源及びモリブデン酸イオン供給源の少なくともそれぞ
れ１種を水に溶解してめっき浴がつくられる。めっき浴
中の金属イオンの含有量を設定するにあたっては、前記
めっき金属被着量と電流密度、通電時間などを勘案して
決められるが、各金属イオン含有量は、通常それぞれ
０．１〜５０ｇ／ｌの範囲から選択することができる。
好ましくは、それぞれ５．０〜４０ｇ／ｌである。例え
ば、ニッケルイオン供給源にＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ、コバ
ルトイオン供給源にＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、モリブデン酸
イオン供給源にＮａ2ＭｏＯ4・２Ｈ2Ｏを用いた場合、
それぞれ２．０〜４０ｇ／ｌの範囲で用いることが特に
好ましい。
【００２１】また、めっき浴のｐＨは酸性からアルカリ
性の広範囲な領域に調整して用いることも可能である
が、通常は酸性として用いることが好ましい。好ましく
は４．０〜６．０である。更に、このめっき浴中の金属
イオンの沈殿を防止する目的に、スルファミン酸等の錯
化剤を添加してもよい。また、このめっき浴に通電性を
付与する目的で、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウムの
ような塩類を添加してもよい。めっき浴の液温について
は通常常温でよい。
性の広範囲な領域に調整して用いることも可能である
が、通常は酸性として用いることが好ましい。好ましく
は４．０〜６．０である。更に、このめっき浴中の金属
イオンの沈殿を防止する目的に、スルファミン酸等の錯
化剤を添加してもよい。また、このめっき浴に通電性を
付与する目的で、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウムの
ような塩類を添加してもよい。めっき浴の液温について
は通常常温でよい。
【００２２】このめっき浴に銅箔を浸漬し、銅箔のＳ面
に不溶性陽極を対向配置させ通電することにより、銅箔
のＳ面上にニッケル−コバルト−モリブデン層を形成す
る。電流密度及び通電時間については前記金属イオン
量、めっき金属被着量とその比率など他の条件に関係す
るため一概には規定できないが、通常、電流密度０．１
〜１０Ａ／ｄｍ2、好ましくは０．２〜２．０Ａ／ｄ
ｍ2、通電時間１〜６０秒、好ましくは１〜３０秒の範
囲から適宜選択することが望ましい。
に不溶性陽極を対向配置させ通電することにより、銅箔
のＳ面上にニッケル−コバルト−モリブデン層を形成す
る。電流密度及び通電時間については前記金属イオン
量、めっき金属被着量とその比率など他の条件に関係す
るため一概には規定できないが、通常、電流密度０．１
〜１０Ａ／ｄｍ2、好ましくは０．２〜２．０Ａ／ｄ
ｍ2、通電時間１〜６０秒、好ましくは１〜３０秒の範
囲から適宜選択することが望ましい。
【００２３】また、必要に応じ、Ｍ面に同様の陰極電解
処理を施すことによりニッケル−コバルト−モリブデン
層を形成し、本発明のＴＡＢ用テープキャリアに用いる
銅箔が製造される。
処理を施すことによりニッケル−コバルト−モリブデン
層を形成し、本発明のＴＡＢ用テープキャリアに用いる
銅箔が製造される。
【００２４】また、必要に応じ、上記のようにしてニッ
ケル−コバルト−モリブデン層を形成した銅箔のＭ面側
又は両面にクロメート処理層を設けることができ、防錆
性や耐化学薬品性を高めることができる。また、ニッケ
ル−コバルト−モリブデン層を形成した銅箔、あるい
は、更にクロメート処理層を設けた銅箔のＭ面側又は両
面にシランカップリング剤処理層を設けることができ、
接着強度特性を向上させることができる。
ケル−コバルト−モリブデン層を形成した銅箔のＭ面側
又は両面にクロメート処理層を設けることができ、防錆
性や耐化学薬品性を高めることができる。また、ニッケ
ル−コバルト−モリブデン層を形成した銅箔、あるい
は、更にクロメート処理層を設けた銅箔のＭ面側又は両
面にシランカップリング剤処理層を設けることができ、
接着強度特性を向上させることができる。
【００２５】本発明の銅箔を製造するにあたっては、例
えば、所定の厚みと幅を有するコイル状に巻き取られた
銅箔を、必要に応じて設けられる脱脂槽、酸洗槽、水洗
槽、粗面化処理槽、水洗槽に次いで、ニッケル−コバル
ト−モリブデン層を形成するめっき槽、水洗槽、必要に
応じて設けられるクロメート処理層、必要に応じて設け
られるシランカップリング剤処理層及び乾燥装置等を連
結した構造からなる銅箔処理装置内を定速走行させ、連
続的に巻き取って製造することが好ましい。
えば、所定の厚みと幅を有するコイル状に巻き取られた
銅箔を、必要に応じて設けられる脱脂槽、酸洗槽、水洗
槽、粗面化処理槽、水洗槽に次いで、ニッケル−コバル
ト−モリブデン層を形成するめっき槽、水洗槽、必要に
応じて設けられるクロメート処理層、必要に応じて設け
られるシランカップリング剤処理層及び乾燥装置等を連
結した構造からなる銅箔処理装置内を定速走行させ、連
続的に巻き取って製造することが好ましい。
【００２６】このようにして得られる本発明のＴＡＢ用
テープキャリアに用いる銅箔を、可撓性の絶縁フィルム
に、銅箔のＭ面を貼り付け面として貼り合わせることに
より、本発明のＴＡＢ用キャリアテープとする。絶縁フ
ィルムの厚みとしては、通常、４０〜１２５μｍが好ま
しい。銅箔を絶縁フィルムに貼り付ける方法としては、
例えば、接着剤を用いることができ、また、接着剤付き
の絶縁フィルムを用いて貼り付けてもよい。本発明のＴ
ＡＢ用テープキャリアは、本発明のＴＡＢ用キャリアテ
ープの銅箔をエッチングして銅リードパターンを形成す
ることにより得られる。例えば、本発明のＴＡＢ用キャ
リアテープに所定のパターン形状のフォトレジスト層を
形成し、このフォトレジスト層をマスクとしてエッチン
グを行って銅リードパターンを形成する。
テープキャリアに用いる銅箔を、可撓性の絶縁フィルム
に、銅箔のＭ面を貼り付け面として貼り合わせることに
より、本発明のＴＡＢ用キャリアテープとする。絶縁フ
ィルムの厚みとしては、通常、４０〜１２５μｍが好ま
しい。銅箔を絶縁フィルムに貼り付ける方法としては、
例えば、接着剤を用いることができ、また、接着剤付き
の絶縁フィルムを用いて貼り付けてもよい。本発明のＴ
ＡＢ用テープキャリアは、本発明のＴＡＢ用キャリアテ
ープの銅箔をエッチングして銅リードパターンを形成す
ることにより得られる。例えば、本発明のＴＡＢ用キャ
リアテープに所定のパターン形状のフォトレジスト層を
形成し、このフォトレジスト層をマスクとしてエッチン
グを行って銅リードパターンを形成する。
【００２７】本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、半導
体装置をボンディングする際に銅リードの表面にＳｎめ
っきを行っても、Ｓｎホイスカ及びカーケンドールボイ
ドの発生を抑制することができる。
体装置をボンディングする際に銅リードの表面にＳｎめ
っきを行っても、Ｓｎホイスカ及びカーケンドールボイ
ドの発生を抑制することができる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００２９】実施例１ ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ３０ｇ／ｌと、ＣｏＳＯ4・７Ｈ2
Ｏ ８ｇ／ｌと、Ｎａ 2ＭｏＯ4・２Ｈ2Ｏ ３ｇ／ｌ
と、クエン酸三ナトリウム２水化物 ３０ｇ／ｌを水に
溶解して、ｐＨ５．０、液温３０℃に調整しためっき浴
をつくった。このめっき浴を用い、予めＭ面側を粗面化
処理した厚み１８μｍの電解銅箔（Ｍ面表面粗さＲａ＝
０．５５μｍ、Ｓ面表面粗さＲａ＝０．２μｍ、抗張力
＝５８０Ｎ／ｍｍ2）を浸漬し、銅箔のＳ面側を１．０
Ａ／ｄｍ2、通電時間３秒で陰極電解処理し、ニッケル
−コバルト−モリブデン層を形成した。陰極電解処理
後、直ちに銅箔をめっき浴中から取り出して水洗した
後、温度１００℃に保持した乾燥器中で乾燥した。この
ニッケル−コバルト−モリブデン層のめっき金属被着量
をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量した
ところ、ニッケル金属量は１００μｇ／ｄｍ2、コバル
ト金属量は３００μｇ／ｄｍ2、モリブデン金属量は１
００μｇ／ｄｍ2であった。
Ｏ ８ｇ／ｌと、Ｎａ 2ＭｏＯ4・２Ｈ2Ｏ ３ｇ／ｌ
と、クエン酸三ナトリウム２水化物 ３０ｇ／ｌを水に
溶解して、ｐＨ５．０、液温３０℃に調整しためっき浴
をつくった。このめっき浴を用い、予めＭ面側を粗面化
処理した厚み１８μｍの電解銅箔（Ｍ面表面粗さＲａ＝
０．５５μｍ、Ｓ面表面粗さＲａ＝０．２μｍ、抗張力
＝５８０Ｎ／ｍｍ2）を浸漬し、銅箔のＳ面側を１．０
Ａ／ｄｍ2、通電時間３秒で陰極電解処理し、ニッケル
−コバルト−モリブデン層を形成した。陰極電解処理
後、直ちに銅箔をめっき浴中から取り出して水洗した
後、温度１００℃に保持した乾燥器中で乾燥した。この
ニッケル−コバルト−モリブデン層のめっき金属被着量
をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量した
ところ、ニッケル金属量は１００μｇ／ｄｍ2、コバル
ト金属量は３００μｇ／ｄｍ2、モリブデン金属量は１
００μｇ／ｄｍ2であった。
【００３０】次に、下記の特性試験を行うために、得ら
れたニッケル−コバルト−モリブデン層付銅箔を、接着
剤付ポリイミド基材（厚み７５μｍのポリイミドフィル
ム、接着剤：エポキシ系接着剤）に、粗面化処理した面
を基材面に接して張り付け、接着剤硬化のために１６０
℃、６時間の条件下で加熱後、縦１００ｍｍ、横７０ｍ
ｍの試験片を必要数作製した。下記特性試験の結果を一
括して表１及び表２に示した。
れたニッケル−コバルト−モリブデン層付銅箔を、接着
剤付ポリイミド基材（厚み７５μｍのポリイミドフィル
ム、接着剤：エポキシ系接着剤）に、粗面化処理した面
を基材面に接して張り付け、接着剤硬化のために１６０
℃、６時間の条件下で加熱後、縦１００ｍｍ、横７０ｍ
ｍの試験片を必要数作製した。下記特性試験の結果を一
括して表１及び表２に示した。
【００３１】（１）Ｓｎホイスカ試験 試験片でライン幅３０μｍ、ラインスペース３０μｍ、
長さ１ｍｍのライン２５０本のテスト回路をエッチング
により作製し、１０％硫酸で１０秒間酸洗した後、浴温
７０℃の無電解Ｓｎめっき浴で約１μｍの厚みのめっき
を行い、続いて湯温８０℃の温水で湯洗し乾燥させた。
この試験片を温度１００℃に保持した乾燥器中で２時間
加熱した後、常温で約１ケ月放置し、ライン２５０本す
べてを金属顕微鏡（倍率５００倍）で、Ｓｎホイスカの
発生状況を観察し、○：５μｍ以上のＳｎホイスカの発
生数が５本未満、△：５〜３０本、×：３１本以上、と
して評価した。
長さ１ｍｍのライン２５０本のテスト回路をエッチング
により作製し、１０％硫酸で１０秒間酸洗した後、浴温
７０℃の無電解Ｓｎめっき浴で約１μｍの厚みのめっき
を行い、続いて湯温８０℃の温水で湯洗し乾燥させた。
この試験片を温度１００℃に保持した乾燥器中で２時間
加熱した後、常温で約１ケ月放置し、ライン２５０本す
べてを金属顕微鏡（倍率５００倍）で、Ｓｎホイスカの
発生状況を観察し、○：５μｍ以上のＳｎホイスカの発
生数が５本未満、△：５〜３０本、×：３１本以上、と
して評価した。
【００３２】（２）カーケンドールボイド試験 試験片でライン幅５０μｍ、ラインスペース５０μｍ、
長さ１ｍｍのライン１５本のテスト回路をエッチングに
より作製し、１０％硫酸で１０秒間酸洗した後、浴温７
０℃の無電解Ｓｎめっき浴で約１μｍの厚みのＳｎめっ
きを行い、続いて湯温８０℃の温水で湯洗し乾燥させ
た。このＳｎメッキした試験片を温度１２５℃に保持し
た乾燥器中で２時間加熱し取出し、常温に戻した。次い
で、ひとつの条件としては温度１６０℃に保持した乾燥
機中で２時間加熱し、もうひとつの条件としては温度１
７０℃に保持した乾燥器中で２時間加熱した。この後、
試験片を埋め込み樹脂に埋め込み、断面が観察できるよ
うに研磨し、ライン幅５０μｍのライン１５本のＳｎ層
とＣｕ層の境を電子顕微鏡（倍率１００００倍）で、カ
ーケンドールボイドの発生状況を観察し、○：発生がみ
られないもの、△：ラインの一部分に０．１μｍ未満の
カーケンドールボイド発生がみられるもの、×：０．１
μｍ以上のカーケンドールボイド発生がみられるもの、
として評価した。
長さ１ｍｍのライン１５本のテスト回路をエッチングに
より作製し、１０％硫酸で１０秒間酸洗した後、浴温７
０℃の無電解Ｓｎめっき浴で約１μｍの厚みのＳｎめっ
きを行い、続いて湯温８０℃の温水で湯洗し乾燥させ
た。このＳｎメッキした試験片を温度１２５℃に保持し
た乾燥器中で２時間加熱し取出し、常温に戻した。次い
で、ひとつの条件としては温度１６０℃に保持した乾燥
機中で２時間加熱し、もうひとつの条件としては温度１
７０℃に保持した乾燥器中で２時間加熱した。この後、
試験片を埋め込み樹脂に埋め込み、断面が観察できるよ
うに研磨し、ライン幅５０μｍのライン１５本のＳｎ層
とＣｕ層の境を電子顕微鏡（倍率１００００倍）で、カ
ーケンドールボイドの発生状況を観察し、○：発生がみ
られないもの、△：ラインの一部分に０．１μｍ未満の
カーケンドールボイド発生がみられるもの、×：０．１
μｍ以上のカーケンドールボイド発生がみられるもの、
として評価した。
【００３３】（３）耐熱性試験 試験片の積層直後の銅箔面の変色度合と、２００℃で１
時間、２４０℃で１０分間加熱処理した時の銅箔面の変
色度合を目視で比較観察し、○：変色なし、△：少し変
色、×：著しく変色、として評価した。
時間、２４０℃で１０分間加熱処理した時の銅箔面の変
色度合を目視で比較観察し、○：変色なし、△：少し変
色、×：著しく変色、として評価した。
【００３４】（４）はんだ濡れ性試験 試験片を、前処理として化学研磨により１μｍ研磨した
後、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０．２．４．１２に準拠して評
価を行った。
後、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０．２．４．１２に準拠して評
価を行った。
【００３５】実施例２〜４ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示すめっき浴組
成と電解条件によりニッケル−コバルト−モリブデン層
を形成した後、実施例１と同様の水洗、乾燥を施した。
得られた銅箔を試験片とし、実施例１と同様に金属含有
量測定及び特性試験を実施し、その結果を表１及び表２
に示した。
成と電解条件によりニッケル−コバルト−モリブデン層
を形成した後、実施例１と同様の水洗、乾燥を施した。
得られた銅箔を試験片とし、実施例１と同様に金属含有
量測定及び特性試験を実施し、その結果を表１及び表２
に示した。
【００３６】比較例１ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
【００３７】比較例２ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、コバルト層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、コバルト層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
【００３８】比較例３ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル−コバルト層を形成した後、実施
例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験
片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験
を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル−コバルト層を形成した後、実施
例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験
片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験
を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
【００３９】比較例４ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、コバルト−モリブデン層を形成した後、実
施例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試
験片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試
験を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、コバルト−モリブデン層を形成した後、実
施例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試
験片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試
験を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
【００４０】比較例５ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル−モリブデン層を形成した後、実
施例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試
験片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試
験を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、ニッケル−モリブデン層を形成した後、実
施例１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試
験片とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試
験を実施し、その結果を表１及び表２に示した。
【００４１】比較例６ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、錫層を形成した後、実施例１と同様の水
洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実施例
１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、その
結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、錫層を形成した後、実施例１と同様の水
洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実施例
１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、その
結果を表１及び表２に示した。
【００４２】比較例７ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、錫−亜鉛層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、錫−亜鉛層を形成した後、実施例１と同様
の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片とし、実
施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実施し、
その結果を表１及び表２に示した。
【００４３】比較例８ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、インジウム−亜鉛層を形成した後、実施例
１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片
とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を
実施し、その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、インジウム−亜鉛層を形成した後、実施例
１と同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片
とし、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を
実施し、その結果を表１及び表２に示した。
【００４４】比較例９ 実施例１と同様の銅箔を用いて、表１に示す組成濃度の
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、クロム−亜鉛層を形成した後、実施例１と
同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片と
し、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実
施し、その結果を表１及び表２に示した。
めっき浴及び電解条件を用いたほかは実施例１と同様の
操作を行い、クロム−亜鉛層を形成した後、実施例１と
同様の水洗、乾燥を施した。得られた銅箔を試験片と
し、実施例１と同様に金属含有量測定及び特性試験を実
施し、その結果を表１及び表２に示した。
【００４５】実施例１〜４は本発明のニッケル−コバル
ト−モリブデン層を形成した銅箔であるが、金属量を好
適な範囲に保つことにより、Ｓｎホイスカの発生を抑制
し、カーケンドールボイドの発生を抑制することがで
き、さらに、耐熱性、はんだ濡れ性についても良好な結
果を示している。一方、比較例１はニッケル層を形成し
た銅箔であるが、Ｓｎホイスカの発生は抑制している
が、カーケンドールボイドの発生を抑制することはでき
ていない。比較例２はコバルト層を形成した銅箔である
が、Ｓｎホイスカの発生及びカーケンドールボイドの発
生を抑制することはできていない。比較例３はニッケル
−コバルト層を形成した銅箔であるが、Ｓｎホイスカの
発生及びカーケンドールボイドの発生を抑制する傾向に
はあるが、完全に抑制するまでに至っていない。比較例
４はコバルト−モリブデン層を形成した銅箔であるが、
カーケンドールボイドの発生は抑制しているが、Ｓｎホ
イスカの発生を抑制することはできていない。比較例５
はニッケル−モリブデン層を形成した銅箔であるが、Ｓ
ｎホイスカの発生は抑制しているが、カーケンドールボ
イドの発生を抑制することはできていない。比較例６は
錫層を形成した銅箔であるが、カーケンドールボイドの
発生を抑制することはできていない。比較例７は錫−亜
鉛層を形成した銅箔であり、比較例８はインジウム−亜
鉛層を形成した銅箔であるが、いずれも、Ｓｎホイスカ
の発生及びカーケンドールボイドの発生を抑制すること
はできていない。比較例９はクロム−亜鉛層を形成した
銅箔であるが、Ｓｎホイスカの発生を抑制することがで
きず、カーケンドールボイドの発生の抑制も不充分であ
る。
ト−モリブデン層を形成した銅箔であるが、金属量を好
適な範囲に保つことにより、Ｓｎホイスカの発生を抑制
し、カーケンドールボイドの発生を抑制することがで
き、さらに、耐熱性、はんだ濡れ性についても良好な結
果を示している。一方、比較例１はニッケル層を形成し
た銅箔であるが、Ｓｎホイスカの発生は抑制している
が、カーケンドールボイドの発生を抑制することはでき
ていない。比較例２はコバルト層を形成した銅箔である
が、Ｓｎホイスカの発生及びカーケンドールボイドの発
生を抑制することはできていない。比較例３はニッケル
−コバルト層を形成した銅箔であるが、Ｓｎホイスカの
発生及びカーケンドールボイドの発生を抑制する傾向に
はあるが、完全に抑制するまでに至っていない。比較例
４はコバルト−モリブデン層を形成した銅箔であるが、
カーケンドールボイドの発生は抑制しているが、Ｓｎホ
イスカの発生を抑制することはできていない。比較例５
はニッケル−モリブデン層を形成した銅箔であるが、Ｓ
ｎホイスカの発生は抑制しているが、カーケンドールボ
イドの発生を抑制することはできていない。比較例６は
錫層を形成した銅箔であるが、カーケンドールボイドの
発生を抑制することはできていない。比較例７は錫−亜
鉛層を形成した銅箔であり、比較例８はインジウム−亜
鉛層を形成した銅箔であるが、いずれも、Ｓｎホイスカ
の発生及びカーケンドールボイドの発生を抑制すること
はできていない。比較例９はクロム−亜鉛層を形成した
銅箔であるが、Ｓｎホイスカの発生を抑制することがで
きず、カーケンドールボイドの発生の抑制も不充分であ
る。
【００４６】したがって、上記、本発明のニッケル−コ
バルト−モリブデン層を形成する銅箔は、各特性試験の
結果において優れていることが判明した。このことは、
ニッケルとコバルト及びモリブデンの相乗作用から、ニ
ッケル単独の層、コバルト単独の層を形成した場合及び
ニッケル、コバルト、モリブデンそれぞれの二成分系の
層を形成した場合とは全く異なった性質が発現し、特
に、Ｓｎホイスカ発生とカーケンドールボイド発生の双
方の抑制効果に有益をもたらせているものと考えられ
る。
バルト−モリブデン層を形成する銅箔は、各特性試験の
結果において優れていることが判明した。このことは、
ニッケルとコバルト及びモリブデンの相乗作用から、ニ
ッケル単独の層、コバルト単独の層を形成した場合及び
ニッケル、コバルト、モリブデンそれぞれの二成分系の
層を形成した場合とは全く異なった性質が発現し、特
に、Ｓｎホイスカ発生とカーケンドールボイド発生の双
方の抑制効果に有益をもたらせているものと考えられ
る。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【発明の効果】本発明のＴＡＢ用テープキャリアに用い
る銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ
及びＴＡＢ用テープキャリアは極めて優れたＳｎホイス
カ及びカーケンドールボイド発生の双方の抑制効果を持
つとともに、本発明のＴＡＢ用テープキャリアに用いる
銅箔は耐熱性、はんだ濡れ性など銅リード形成に不可欠
とされる特性も良好である。更に、Ｓｎホイスカ及びカ
ーケンドールボイド発生の双方の抑制効果を銅箔に持た
せているため、後の銅リード作製工程の変更、増加を必
要としないため、この工業的価値は極めて大である。
る銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ
及びＴＡＢ用テープキャリアは極めて優れたＳｎホイス
カ及びカーケンドールボイド発生の双方の抑制効果を持
つとともに、本発明のＴＡＢ用テープキャリアに用いる
銅箔は耐熱性、はんだ濡れ性など銅リード形成に不可欠
とされる特性も良好である。更に、Ｓｎホイスカ及びカ
ーケンドールボイド発生の双方の抑制効果を銅箔に持た
せているため、後の銅リード作製工程の変更、増加を必
要としないため、この工業的価値は極めて大である。
Claims (7)
- 【請求項１】 銅箔の少なくとも光沢面側にニッケル、
コバルト及びモリブデンからなる合金層を有するＴＡＢ
用テープキャリアに用いる銅箔。 - 【請求項２】 銅箔の光沢面側とマット面側にニッケ
ル、コバルト及びモリブデンからなる合金層を有する請
求項１記載のＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔。 - 【請求項３】 銅箔の光沢面側にニッケル、コバルト及
びモリブデンからなる合金層を有し、マット面側にニッ
ケル、コバルト及びモリブデンからなる合金層、該合金
層上にクロメート処理層を有するＴＡＢ用テープキャリ
アに用いる銅箔。 - 【請求項４】 銅箔の光沢面側にニッケル、コバルト及
びモリブデンからなる合金層を有し、マット面側に粗面
化処理層、該粗面化処理層上にニッケル、コバルト及び
モリブデンからなる合金層、該合金層上にクロメート処
理層を有するＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔。 - 【請求項５】 請求項１〜４何れか記載のＴＡＢ用テー
プキャリアに用いる銅箔の片面又は両面にシランカップ
リング剤処理層を有するＴＡＢ用テープキャリアに用い
る銅箔。 - 【請求項６】 可撓性の絶縁フィルムに、請求項１〜５
何れか記載のＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔を、
マット面を貼り付け面として貼り付けてなるＴＡＢ用キ
ャリアテープ。 - 【請求項７】 請求項６記載のＴＡＢ用キャリアテープ
の銅箔をエッチングして銅リードパターンを形成したＴ
ＡＢ用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001125838A JP3833493B2 (ja) | 2000-04-25 | 2001-04-24 | Ｔａｂ用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたｔａｂ用キャリアテープ及びｔａｂ用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000124636 | 2000-04-25 | ||
| JP2000-124636 | 2000-04-25 | ||
| JP2001125838A JP3833493B2 (ja) | 2000-04-25 | 2001-04-24 | Ｔａｂ用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたｔａｂ用キャリアテープ及びｔａｂ用テープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016111A true JP2002016111A (ja) | 2002-01-18 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100870221B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-11-24 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 |
| JP2009081396A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法 |
| JP2010006071A (ja) * | 2009-08-21 | 2010-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面処理銅箔、キャリア付き極薄銅箔、フレキシブル銅張積層板及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板 |
| JP2021500725A (ja) * | 2017-10-26 | 2021-01-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | リードタブ及びこれを備えるパウチ型バッテリー |
-
2001
- 2001-04-24 JP JP2001125838A patent/JP3833493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100870221B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-11-24 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 |
| JP2009081396A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法 |
| JP2010006071A (ja) * | 2009-08-21 | 2010-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面処理銅箔、キャリア付き極薄銅箔、フレキシブル銅張積層板及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板 |
| JP2021500725A (ja) * | 2017-10-26 | 2021-01-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | リードタブ及びこれを備えるパウチ型バッテリー |
| JP7221953B2 (ja) | 2017-10-26 | 2023-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | リードタブ及びこれを備えるパウチ型バッテリー |
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|---|---|
| JP3833493B2 (ja) | 2006-10-11 |
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|
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