CN117941472A - 具有载体箔的超薄铜箔及通过使用其制造嵌入式基材的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示具有载体箔的超薄铜箔、及通过使用其制造嵌入式基材的方法，具有载体箔的超薄铜箔包括：载体箔；非蚀刻离型层，其在该载体箔上；第一超薄铜箔层，其在该非蚀刻离型层上；蚀刻停止层，其在该第一超薄铜箔层上；及第二超薄铜箔层，其在该蚀刻停止层上。

Description

具有载体箔的超薄铜箔及通过使用其制造嵌入式基材的方法
技术领域
本发明是关于具有载体箔的超薄铜箔、及使用其制造的嵌入式基材，且具体而言，关于对嵌入式迹线基材(ETS)技术提供具有低粗糙度的极佳平滑超薄铜箔的具有载体箔的超薄铜箔。
背景技术
用于嵌入式基材的具有载体箔的熟知超薄铜箔一般具有结构，该结构具有形成在载体箔上的离型层及超薄铜箔。
图1是显示嵌入式基材的通过使用具有载体箔的熟知超薄铜箔的制造程序的图式。
参考图1，在嵌入式基材透过熟知嵌入式迹线基材(ETS，Embedded TraceSubstrate)技术使用具有载体箔的超薄铜箔的制造中，使用具有形成在基材10上的离型层20及超薄铜箔30的结构可能在金属图案40的形成期间由于表面粗糙度不足而产生不期望的凸块45。预制体(PPG，Prepreg)50经形成，且可进一步在其上形成不同的金属图案60。在形成金属图案40及预制体50之后移除基材10及离型层20的程序中，离型层20需足够地被蚀刻以消除缺陷组件(诸如团块45)，但精细蚀刻控制是不容易的，且金属图案40形成在预制体50内部，从而引起凹槽深度90的缺陷，这导致电路金属图案中的解连或短路。
韩国专利申请案第10-2009-0081909号(申请日：2009年9月1日)、韩国专利申请案第10-2020-7001958号(申请日：2018年10月18日)、及类似者可称为相关的先前技术。
发明内容
要解决的技术问题
因此，已衍生本发明以解决上述问题，且本发明的一个实施方案提供具有载体箔的超薄铜箔，其中通过使用包括介于两个超薄铜箔层之间的选择性可蚀刻Ni蚀刻停止层的具有载体箔的超薄铜箔，晶种超薄铜箔层可提供作为低粗糙度晶种超薄铜箔层，以在嵌入式基材的制造程序中抑制结块。
本发明的另一个实施方案提供用于制造嵌入式基材的方法，其中嵌入式基材的制造是止于移除Ni蚀刻停止层的释离程序，且精确地执行蚀刻停止层的蚀刻，从而引起金属图案表面与诸如预制体的绝缘层之间无凹槽深度，且提供具有低粗糙度的极佳平滑表面作为离型表面。
技术方案
根据本发明的态样，所提供的是一种具有载体箔的超薄铜箔，其包括：载体箔；非蚀刻离型层，其在该载体箔上；第一超薄铜箔层，其在该非蚀刻离型层上；蚀刻停止层，其在该第一超薄铜箔层上；及第二超薄铜箔层，其在该蚀刻停止层上。
该蚀刻停止层可具有1.5μm或更小、或0.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
该第二超薄铜箔层可具有1.5μm或更小、或0.6μm或更小的平均粗糙度Rz。
该蚀刻停止层可以是镍或镍合金层。
该第一超薄铜箔层可具有5μm或更小的厚度，该蚀刻停止层可具有1μm或更小的厚度，且该第二超薄铜箔层可具有5μm或更小的厚度。
该蚀刻停止层对于该第二超薄铜箔层的蚀刻剂可以是惰性的。
该非蚀刻离型层可含有无机金属或有机材料。
该非蚀刻离型层可由合金及至少一种金属组成，该合金含有具有可释离性的第一金属，该至少一种金属有助于促进该第一金属的电镀。该非蚀刻离型层可进一步包括抗扩散层或抗氧化层，其含有选自由下列所组成的群组的至少一种元素：镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、及磷(P)。
根据本发明的的一个实施方案，提供的是一种用于制造嵌入式基材的方法，该方法包括：作为其中非蚀刻离型层、第一超薄铜箔层、蚀刻停止层、及第二超薄铜箔层是依序层压在载体箔上的结构，来形成该结构的该第二超薄铜箔层上的第一金属图案；蚀刻该第二超薄铜箔层暴露于该等第一金属图案之间的部分；在该等第一金属图案上形成第一介电质层；自具有该第一介电质层形成于其上的该结构移除该非蚀刻离型层及该载体箔；蚀刻以移除通过移除该非蚀刻离型层及该载体箔而暴露的该第一超薄铜箔层；蚀刻以移除在移除该第一超薄铜箔层的后暴露的该蚀刻停止层。
在该第一超薄铜箔层的该移除中，可使用对于该第一超薄铜箔层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
在该蚀刻停止层的该移除中，可使用对于该蚀刻停止层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
有益效果
根据具有载体箔的超薄铜箔、及用于通过使用其制造嵌入式基材的方法，可提供具有载体箔的超薄铜箔包括介于两个超薄铜箔层之间的选择性可蚀刻Ni蚀刻停止层，且因此晶种超薄铜箔层可提供作为低粗糙度晶种超薄铜箔层，以在嵌入式基材的制造程序中抑制结块。因此，在嵌入式基材的制造中，由于就作为铜箔的需求特性(诸如剥离强度、耐热性剥离强度、耐化学性、及可蚀刻性)而言的总体优势，可提供非常适合作为微电路板的铜箔的具有载体箔的超薄铜箔。
此外，根据本发明的具有载体箔的超薄铜箔、及用于通过使用其制造嵌入式基材的方法，嵌入式基材的制造是止于移除Ni蚀刻停止层的释离程序，且精确地执行蚀刻停止层的蚀刻，从而引起金属图案表面与诸如预制体的绝缘层之间无凹槽深度，且提供具有低粗糙度的极佳平滑表面作为离型表面。因此，可消除电路金属图案中的缺陷的原因(诸如，解连或短路)，且因此电路的形成是极佳的。
附图说明
随附图式包括作为说明的部分以帮助理解本发明，提供本发明的实施例，且与该说明一起解释本揭露的技术精神。
图1是用于通过使用具有载体箔的熟知超薄铜箔制造嵌入式基材的方法的图式；
图2是根据本发明的实施例的具有载体箔的超薄铜箔的图式；
图3是根据本发明的实施例的用于通过使用具有载体箔的超薄铜箔1000来制造嵌入式基材的方法的程序流程图；
图4a至图4c分别是在根据本发明的实例制造的样本的制造程序中观测的电镀表面的SEM影像；
图5a至图5b分别是在根据本发明的比较例制造的样本的制造程序中观测的电镀表面的SEM影像。
具体实施方式
在本文中，将参考随附图式详细描述本发明。在各图式中，类似组件是由类似组件符号所表示。进一步，将省略已知功能及/或组件的实施方式。以下所揭示内容主要描述理解根据实施例的操作所需的部分，且将省略使得该描述的要旨隐晦不明的组件描述。进一步，可能将图式的一些组件放大、省略、或示意性地绘示。各组件的大小不完全反映真实大小，且因此本文中所揭示的内容不受限于图式中所绘示的组件的相对大小或间隔。
当描述本发明的例示性实施例时，若确定对于与本揭露有关的已知技术的实施方式可能不必要地使本揭露的要旨隐晦不明，则将因此省略其实施方式。在下文中所使用的用语是由考虑本揭露的例示性实施例中的功能所定义的用语，且其等含义可根据使用者及操作员、顾客、或类似者的意图而改变。因此，将基于本说明书通篇内容定义用语。在实施方式中使用的用语是用于描述本发明的例示性实施例，且并非用于限制本发明。除非上下文另外明确指示，否则本揭露呈单数的组件可包含一个或多个。应进一步理解，当在本文中使用「包含(comprise)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」、及/或「包括(including)时，表明所陈述的特征、项目、步骤、操作、组件、及/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、项目、步骤、操作、组件、组件、及/或群组的存在或添加。
用语第一、第二、及类似者可用以在本文中描述各种组件。除非另外陈述或上下文另外明确指示，否则此等组件不应受此等用语限制，因为此等用语仅用于区分组件彼此。
如本文所使用，用语「层压(lamination)」是指至少两个层的结合。例如，第一层及第二层的层压不仅包括第一层及第二层的直接接触，亦包括结合中介于第一层与第二层之间的额外第三层。
图2是绘示根据本发明的实施例的具有载体箔的超薄铜箔1000的图式。
参考图2，根据本发明的实施例的具有载体箔的超薄铜箔1000包括载体箔100、在载体箔100上的非蚀刻离型层250、在非蚀刻离型层250上的第一超薄铜箔层500、在第一超薄铜箔层500上的蚀刻停止层600、及在蚀刻停止层600上的作为晶种层的第二超薄铜箔层700。
在本发明中，载体箔100的厚度可以是数十μm，且例如10至100μm。载体箔100的哑光(matte)侧(M侧)或亮面(shiny)侧(S侧)的粗糙度可以是第二超薄铜箔层700的粗糙度的4.0倍或更小，且优选地，0.5至4.0倍。第一超薄铜箔层500、蚀刻停止层600、及第二超薄铜箔层700的厚度优选地各别为0.1至3μm、0.1至3μm、及0.1至5μm。在本发明中，结块层800可进一步形成在载体箔100的底部表面上。
在本发明中，非蚀刻离型层250单独地可以是离型层300，或可在离型层300上方或下方进一步包括至少额外层，例如可进一步包括图2中所示的抗扩散层200及抗氧化层400。
在本发明中，离型层300是用于在自超薄铜箔释离载体箔时用于改良可释离性的层，且离型层300经引入以干净且容易地释离载体箔。在本揭露中，离型层可含有具有可释离性的金属或金属合金。可释离金属可包括钼(molybdenum)或钨(tungsten)。
在本发明中，当离型层300含有无机金属时，离型层可由合金及至少一种金属组成，该合金含有具有可释离性的第一金属(例如，Mo、W等)，该至少一种金属(例如，Fe、Co、Ni等)有助于促进第一金属的电镀。
例如，离型层300可通过电镀Mo-Ni-Fe合金形成，其中电镀量优选地为50至10000μg/dm2。
当离型层300含有无机材料时，离型层可使用选自下列者的一种或多种有机剂形成，以具有可释离性：含氮有机化合物、含硫有机化合物、及羧酸。1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑(carboxybenzotriazole)、或类似者可用作含氮有机化合物，且氢硫苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)、三聚硫氰酸、或类似者可用作含硫有机化合物。此外，油酸、次亚麻油酸、或类似者可用作羧酸。
非蚀刻离型层250可进一步包括至少一层的抗扩散层200或在离型层300上方及下方的抗氧化层400。
在本发明中，抗扩散层200及抗氧化层400可通过电镀形成。抗扩散层200及抗氧化层400，在具有载体箔的超薄铜箔在高温下经压制至绝缘基材的高温程序中，抑制铜扩散至离型层中。铜扩散至离型层中可在载体箔与超薄铜箔之间产生金属结合，且在其等之间的强结合可使载体箔的释离困难，但抗扩散层200及抗氧化层400可抑制此反应。抗扩散层200及抗氧化层400可以是单一金属层，或可以是具有二或更多金属的合金层。例如，镍电镀、钴电镀、铁电镀、铝电镀、或类似者可用作用于形成单一金属层的电镀，且镍-钴电镀、镍-铁电镀、镍-铬电镀、镍-钼电镀、镍-钨电镀、镍-铜电镀、镍-磷电镀、钴-铁电镀、钴-铬电镀、钴-钼电镀、钴-钨电镀、钴-铜电镀、钴-磷电镀、或类似者可用作用于形成二元合金层的电镀。在本发明中，抗扩散层200及抗氧化层400可例如为Ni-P电镀。
在本发明中，超薄铜箔具有三层层压结构，其中第一超薄铜箔层500、蚀刻停止层600、及第二超薄铜箔层700依序层压。在本发明中，包括第一超薄铜箔层500、蚀刻停止层600、及第二超薄铜箔层700的超薄铜箔的厚度可以是2至14μm。优选地，超薄铜箔的厚度可以是10μm或更小、8μm或更小、或6μm或更小。
在本发明中，第一超薄铜箔层500可具有1至5μm的厚度。优选地，第一超薄铜箔层500可具有1.5至2μm的厚度。
在本发明中，蚀刻停止层600可具有低平均粗糙度。例如，蚀刻停止层600可具有1μm或更小、0.8μm或更小、0.6μm或更小、或0.5μm或更小的平均粗糙度(Rz)。蚀刻停止层的此低平均粗糙度(Rz)可降低形成于其上的超薄铜箔的粗糙度，且抑制结块结构形成在超薄铜箔的表面上。为此，可施加随后所述的具有高光泽度的Ni或Ni合金的电镀程序。
在本发明中，蚀刻停止层600可由金属或金属合金(例如，镍(Ni)或镍合金层)形成，其对于第一超薄铜箔层500及第二超薄铜箔层700的蚀刻剂是惰性的。因此，在第一超薄铜箔层500或第二超薄铜箔层700的蚀刻程序中，第一超薄铜箔层500及第二超薄铜箔层700相较于蚀刻停止层600具有高蚀刻选择性。相反地，在蚀刻停止层600的蚀刻程序中，蚀刻停止层600相较于第一超薄铜箔层500及第二超薄铜箔层700具有高蚀刻选择性。
在本发明中，蚀刻停止层600可具有0.4至2μm的厚度。优选地，蚀刻停止层600可具有1μm或更小、0.8μm或更小、或0.6μm或更小的厚度。
在本发明中，第二超薄铜箔层700可具有1至5μm的厚度。优选地，第二超薄铜箔层700可具有1至3μm的厚度。
如上文所述，本发明提供包括Ni/Ni合金蚀刻停止层600的具有载体箔的超薄铜箔1000，该Ni/Ni合金蚀刻停止层在潮湿或干燥蚀刻程序中、介于两个超薄铜箔层500及700之间，相较于铜或铜合金具有高蚀刻选择性。在本发明中，第二超薄铜箔层700可具有1.5μm或更小、1.3μm或更小、1.1μm或更小、0.9μm或更小、0.7μm或更小、0.6μm或更小的平均粗糙度(Rz)。
因此，可在嵌入式基材的制造中将蚀刻停止层600精细地蚀刻，使得其不需要介于金属图案表面与绝缘层(诸如预制体)之间的凹槽深度，且可提供具有低粗糙度的极佳平滑表面。在本发明中，具有低粗糙度的第二超薄铜箔层700可在嵌入式基材的制造中抑制凸块(参见图1)。因此，可在电路的形成中消除电路金属图案中的缺陷的原因(诸如，解连或短路)。
在本发明中，第二超薄铜箔层700可经进一步的表面处理。例如，可执行表面处理(诸如耐热性及耐化学性处理、铬酸盐处理、及硅烷偶合处理的任一类型或组合)，且可根据后续程序适当地选择待执行的表面处理的类型。
耐热性及耐化学性处理可例如通过将薄膜形成在金属箔上执行，其为通过将镍、锡、锌、铬、钼、钴、及类似者的任一者或合金溅镀、电镀、或无电镀。电镀就成本而言是优选的。
至于铬酸盐处理，可使用含有六价至三价铬离子的水溶液。铬酸盐处理可通过简单的浸入处理执行，但可优选地通过阴极处理执行。铬酸盐处理优选地在下列条件下执行：0.1至70g/L的重铬酸钠，pH 1至13，15至60℃的浴温度，0.1至5A/dm2的电流密度，0.1至100秒的电解时间。此外，铬酸盐处理优选地在抗腐蚀处理执行，且因此可进一步改良防潮性及耐热性。
用于硅烷偶合处理的硅烷偶合剂的实例是环氧基官能性硅烷，诸如3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷及2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、胺基官能性硅烷、烯烃官能性硅烷、丙烯酸官能性硅烷、甲基丙烯酸酯官能性硅烷、巯基官能性硅烷、及类似者，其中此等可单独使用，或者可混合及使用其复数个。此硅烷偶合剂溶解于溶剂(诸如水)中至浓度0.1至15g/L，并在室温至70℃的温度下施用至金属箔，或者通过电沉积吸附于其上。在硅烷偶合处理的后，通过加热、紫外线辐射、或类似者形成稳定的结合。对于加热，硅烷偶合剂可在100至200℃的温度下干燥达2至60秒。
图3是绘示根据本发明的实施例的用于通过使用具有载体箔的超薄铜箔来制造嵌入式基材的嵌入式迹线基材(ETS)方法的程序流程图。
参考图3，首先制备用于制造嵌入式基材的具有载体箔的超薄铜箔1000，并将其引入至电镀机中(S110)。在附接于基材10上时引入具有载体箔的超薄铜箔1000。例如，具有黏着剂性质的基材可用作基材。如图所示，具有载体箔的超薄铜箔1000可附接至基材10的两个表面。具有载体箔的超薄铜箔1000具有结构，其中非蚀刻离型层250、第一超薄铜箔层500、蚀刻停止层600、及第二超薄铜箔层700依序层压在载体箔100上，如图2所示。
当具有载体箔的超薄铜箔与基材10一起引入至电镀机中时，第一金属图案810通过电镀形成在第二超薄铜箔层700上(S120)。尽管未描述，但第一金属图案810可通过各种方法形成。例如，预定电镀光阻图案形成在第二超薄铜箔层700上，且电镀层形成在开口部分中，接着移除该电镀光阻图案，从而通过电镀层形成第一金属图案810。
接着，将第二超薄铜箔层700图案蚀刻(S130)。此步骤可通过各种方法执行。例如，此步骤可通过回蚀(etch-back)程序执行，亦即，透过第一金属图案810作为蚀刻屏蔽来干蚀刻或湿蚀刻第二超薄铜箔层700。因此，第二超薄铜箔层700位于第一金属图案810下方的一部分被留下，且第二超薄铜箔层700的暴露部分被移除。在本发明中，第二超薄铜箔层700的图案化程序具有优点，因为可移除如相对于图1所描述的超薄铜箔上的非意欲凸块。
接着，将绝缘或介电质预制体层820层压在因此形成的该结构上(S140)。诸如环氧树脂、聚酰亚胺、酚、或双马来酰亚胺三树脂(Bismaleimide Triazine Resin，BT)的材料可用于预制体(PPG)。接着，可进一步将第二金属图案830形成在预制体层820上以制造多层结构化基材。尽管未图标，但在第一金属图案810与第二金属图案830之间可包括透过通孔电性连接的部分。对于多层结构化基材，除了第二金属图案830的外，亦可进一步在第二金属图案830上形成另一预制体层(未图示)。亦即，可在预制体层820上重复地形成包括金属图案及预制体层的结构两次或更多次。结构的最后一层可以是介电质层，且亦可在最后的介电质层上形成另一金属图案。
当如上文所述形成包括预制体层820的层压结构时，将基材10移除。此移除可通过使用非蚀刻离型层250施加实体释离来执行。在此分离程序期间，基材10及载体箔100可与非蚀刻离型层250的移除一起移除，且包括金属图案及预制体的超薄铜膜结构被分离(S150)。
接着，通过蚀刻(例如湿蚀刻)移除暴露的第一超薄铜箔层500(S160)。可用相较于蚀刻停止层600对第一超薄铜箔500具有高蚀刻选择性的蚀刻剂，来移除第一超薄铜箔层500。例如，作为蚀刻剂，可使用用作快速蚀刻剂的可商购的CPE-800或其稀释液。
可通过湿蚀刻，用较于第二超薄铜箔层700对暴露的蚀刻停止层600具有高蚀刻选择性的蚀刻剂，来移除暴露的蚀刻停止层600(S170)。因此，该蚀刻停止于第二超薄铜箔层700的图案的表面上，且第二超薄箔700的图案的表面及预制体表面定位在相同平面上。例如，硫酸溶液、或硫酸及硝酸的混合溶液可用作蚀刻剂。
如是，在本发明中，包括Ni/Ni合金蚀刻停止层600(其在两个超薄铜箔层500与700之间可相对于超薄铜箔层选择性蚀刻)的具有载体箔的超薄铜箔1000，经施用至嵌入式迹线基材(ETS)方法。
因此，在嵌入式基材的制造中，可通过使用蚀刻停止层600精细地蚀刻第一超薄铜箔层500及第二超薄铜箔层700，且因此在最终金属图案中不需要凹槽深度。另外，具有低粗糙度的第二超薄铜箔层700可在嵌入式基材的制造中抑制结块(参见图1)，且可在第二超薄铜箔层700的图案步骤(S130)中针对金属图案移除形成在第二超薄铜箔层700的表面上的非所欲团块。
<实例1>
通过以下方法制造具有载体箔的超薄铜箔。
A.载体箔
使用具有1.2μm的表面粗糙度及18μm的厚度的电解铜箔。
B.抗扩散层
通过以下电镀浴将抗扩散层形成在载体箔上。
-Ni浓度：10至20g/L，P浓度：5至15g/L
-pH 4.0，温度：30℃，电流密度：1.5A/dm2，电镀时间：2秒
-抗扩散层200的电镀量为301μg/dm2的金属(Ni)的电镀量
C.离型层
通过Mo-Ni-Fe电镀浴形成离型层。
-Mo浓度：10至30g/L，Ni浓度：3至10g/L，Fe浓度：1至5g/L，柠檬酸钠：100至200g/L
-pH 10.2(添加氨水30ml/L)，温度：30℃，电流密度：10A/dm2，电镀时间：7秒
-离型层300的电镀量为1.01mg/dm2，离型层的组成为Mo 62.31wt％、Ni30.8wt％、及Fe 6.89wt％
D.抗氧化层
通过以下电镀浴形成Ni电镀。
-Ni浓度：10至20g/L，P浓度：5至15g/L
-pH 4.0，温度：30℃，电流密度：0.5A/dm2，电镀时间：2秒
-抗扩散层的电镀量为30μg/dm2的金属(Ni)的电镀量
E.第一超薄铜箔层
通过以下电镀浴形成超薄铜箔层。电镀厚度为2μm。
-CuSO4-5H2O:300g/L,H2SO4:150g/L
-温度：35℃，电流密度：20A/dm2，电镀时间：30秒
F.蚀刻停止层600
通过以下Ni电镀浴形成蚀刻停止层。厚度为0.5μm。
-硫酸镍：300至500g/L，硼酸：20至40g/L，糖精：1-5g/L，烯丙基磺酸钠：1至5g/L
-温度：60℃，电流密度：20A/dm2，电镀时间：9秒
G.第二超薄铜箔层
通过以下电镀浴形成超薄铜箔层。电镀厚度为2μm。
-CuSO4-5H2O:300g/L,H2SO4:150g/L
-温度：35℃，电流密度：20A/dm2，电镀时间：30秒
H.表面处理
在第二超薄铜箔层上进一步执行耐热性及耐化学性处理、铬酸盐处理、及硅烷偶合处理。
在具有载体箔的超薄铜箔样本的制造程序中，形成各层且并接着测量表面粗糙度，并且计数最终电镀的表面上的团块。结果显示于表1中。
因此制造的具有载体箔样本的超薄铜箔的第二超薄铜箔层是用稀释至1/10的PE-800蚀刻剂来选择性蚀刻，且接着用550至650ml/l下的特殊硫酸溶液来选择性蚀刻暴露的蚀刻停止层。作为蚀刻结果，显示了介于蚀刻停止层与超薄铜箔层之间的极佳选择性。
<实例2>
通过如实例1中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了使用有机离型层作为离型层。
通过以下电镀浴形成离型层。
-羧基苯并三唑浓度：1至5g/L，铜浓度：5至15g/L，H2SO4浓度：150g/L
-温度：40℃，浸渍时间：30秒
在具有载体箔的超薄铜箔样本的制造程序中，形成各层且并接着测量表面粗糙度，并且计数最终电镀的表面上的团块。结果显示于表1中。
<比较例1>
通过如实例1中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了用于形成蚀刻停止层的电镀浴的条件如下。蚀刻停止层的厚度为0.5μm。
-胺基磺酸镍60％：300至500g/L，硼酸：20至40g/L
-温度：50℃，电流密度：20A/dm2，电镀时间：9秒
在具有载体箔的超薄铜箔样本的制造程序中，形成各层且并接着测量表面粗糙度，并且计数最终电镀的表面上的团块。结果显示于表1中。
<比较例2>
将单一超薄铜箔层形成在抗氧化层上，而不形成蚀刻停止层。超薄铜箔层的厚度为2μm。各电镀的条件与实例1相同。
下表1显示在实例1与2、及比较例1与2中制造的具有载体箔的超薄铜箔的测量性质的结果。
在具有载体箔的超薄铜箔样本的制造程序中，形成各层且并接着测量表面粗糙度，并且计数最终电镀的表面上的团块。结果显示于表1中。
表1
图4a至图4c是分别在实例1中形成的第一超薄铜箔层、蚀刻停止层、及第二超薄铜箔层的后的电镀表面的SEM影像。
参照图式，第一超薄铜箔层(图4a)的粗糙表面条件通过形成蚀刻停止层改变成平滑表面条件(图4b)，从而导致第二超薄铜箔层的平滑表面条件(图4c)。
图5a及图5b是分别在比较例1中形成蚀刻停止层及第二超薄铜箔层的后的电镀表面的SEM影像。
参考图式，蚀刻停止层的粗糙表面(图5a)导致第二超薄铜箔层的粗糙表面(图5b)。
已揭示本发明中的指定目标、及受限的例示性实施例、及诸如具体组件的图式用于更广泛地理解本发明，但本发明不限于该等例示性实施例，且通过所属技术领域中具有通常知识者在不背离本发明的必要特征的情况下各种修改例及变化例是可能的。因此，本发明的精神是由随附申请专利范围而非在其等之前的描述所界定，且落在申请专利范围的界限内的所有变化例及修改例、及此界限的等效例因此意欲由本发明的精神的范围所涵盖。

Claims (14)

1.一种具有载体箔的超薄铜箔，其包含：
载体箔；
非蚀刻离型层，其在所述载体箔上；
第一超薄铜箔层，其在所述非蚀刻离型层上；
蚀刻停止层，其在所述第一超薄铜箔层上；以及
第二超薄铜箔层，其在所述蚀刻停止层上。
2.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有1.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
3.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有0.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
4.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有1.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
5.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有0.6μm或更小的平均粗糙度Rz。
6.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层是镍层或镍合金层。
7.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第一超薄铜箔层具有5μm或更小的厚度，
所述蚀刻停止层具有1μm或更小的厚度，且
所述第二超薄铜箔层具有5μm或更小的厚度。
8.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层对于所述第二超薄铜箔层的蚀刻剂是惰性的。
9.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层含有无机金属或有机材料。
10.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层由合金及至少一种金属组成，所述合金含有具有可释离性的第一金属，所述至少一种金属有助于促进所述第一金属的电镀。
11.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层进一步包含抗扩散层或抗氧化层，所述抗扩散层或所述抗氧化层含有选自由下列所组成的群组的至少一种元素：镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、及磷(P)。
12.一种用于制造嵌入式基材的方法，所述方法包含：
作为其中非蚀刻离型层、第一超薄铜箔层、蚀刻停止层、及第二超薄铜箔层依序层压在载体箔上的结构，来形成所述结构的所述第二超薄铜箔层上的第一金属图案；
蚀刻所述第二超薄铜箔层暴露于所述等第一金属图案之间的部分；
在所述等第一金属图案上形成第一介电质层；
自具有所述第一介电质层形成于其上的所述结构移除所述非蚀刻离型层及所述载体箔；
蚀刻以移除通过移除所述非蚀刻离型层及所述载体箔而暴露的所述第一超薄铜箔层；以及
蚀刻以移除在移除所述第一超薄铜箔层的后暴露的所述蚀刻停止层。
13.根据权利要求12所述的用于制造嵌入式基材的方法，其特征在于，在所述第一超薄铜箔层的所述移除中，使用对于所述第一超薄铜箔层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
14.根据权利要求12所述的用于制造嵌入式基材的方法，其特征在于，在所述蚀刻停止层的所述移除中，使用对于所述蚀刻停止层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
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