CN117917194A - 用于允许简单微孔加工的具有载体箔的超薄铜箔、使用其的包铜层压体、及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

所揭示者为一种具有载体箔的超薄铜箔及其制造方法，其中具有载体箔的该超薄铜箔包括依序层压的载体箔、剥离层、及超薄铜箔，且该载体箔在其面向该剥离层的一面上包括表面处理层。

Description

用于允许简单微孔加工的具有载体箔的超薄铜箔、使用其的 包铜层压体、及其制造方法
技术领域
本发明是关于一种具有载体箔的超薄铜箔、及采用其的包铜层压体。
背景技术
在具有载体箔的超薄铜箔中，通过铜电镀将剥离层及超薄铜箔依序形成在载体箔的一个表面上，且由铜镀制形成的超薄铜箔的最外表面一般以粗糙表面状态完成。
使用具有载体箔的超薄铜箔的印刷电路板可如下制造。首先，将具有载体箔的超薄铜箔放置于由树脂或类似物形成的绝缘基材的表面上，使得超薄铜箔设置在该表面上，接着加热并压制，由此制造包铜层压体。接着，通过依序进行贯穿孔形成及贯穿孔镀制在该经制造层压体中形成镀制贯穿孔，且接着蚀刻存在于该层压体的表面上的铜箔，以形成具有所欲线宽及线节距的布线图案。最后，进行阻焊剂(solder resist)形成或其他处理。
近来，铜箔的粗糙化表面预先附接至黏着剂树脂(诸如环氧树脂)，且在半固化状态(B阶段)中透过使用该黏着剂树脂作为绝缘树脂，将该绝缘树脂层热压至绝缘基材，而具有树脂的铜箔经使用作为用于表面电路形成的铜箔，由此制造印刷电路板(具体地，增层电路板)。此增层电路板需要高度整合的各种电子组件，且对应地需要高密度的布线图案，且因此需要具有由精细的线宽或线节距的布线形成的布线图案(即，精细图案)的印刷电路板。例如，需要具有约20μm的线宽或线节距的高密度印刷电路板。对于形成该增层板中的通孔，由于高生产率或类似者，主要使用其使用CO2气体雷射的雷射成孔法(laser viamethod)。然而，在CO2气体雷射为用于熟知具有载体箔的超薄铜箔中的情况中，CO2气体雷射无法直接执行通孔加工，这是因为铜箔的表面反射在约10,600nm(其对应于CO2气体雷射的波长)的红外线区域内大部分的光，且因此使用通过其通过蚀刻预先移除铜箔的通孔形成部分的保形屏蔽方法，且接着在基材上执行通孔加工。然而，保形屏蔽方法采用复杂方式，其中通过不用抗蚀剂覆盖超薄铜箔的通孔待形成处的部分，并且用抗蚀刻剂覆盖其他部分来预先蚀刻超薄铜箔，且接着通过使用CO2气体雷射在基材(树脂部分)上执行通孔加工。因此，若可能对超薄铜箔及树脂部分两者使用CO2气体雷射执行通孔加工，则可简化通孔加工。
因此，已需要具有CO2气体雷射的低反射率的具有载体箔的超薄铜箔，且因此当对具有载体箔的超薄铜箔或包括其的包铜层压体执行贯穿孔或通孔加工时，允许针对超薄铜箔及树脂两者的通孔加工。
为了达成此，韩国专利公开案第2013-82320号揭示具有载体箔的超薄铜箔，其中剥离层为由金属合金层形成，该金属合金层含有特定含量的第一金属、促进第一金属的镀制的第二金属、及第三金属。然而，即使在通孔加工为通过使用CO2雷射而在此超薄铜箔上执行时，该铜箔的表面仍反射大部分的雷射光，而导致有效通孔加工的限制。
现有技术文件
专利文件
(1)韩国专利公开案第2013-82320号
(2)韩国专利公开案第2014-23744号
发明内容
要解决的技术问题
已制作本发明以解决上述问题，且本发明的实施方是提供一种具有载体箔的超薄铜箔及其制造方法，具有所述载体箔的所述超薄铜箔具有允许简单雷射孔加工的新颖结构。
本发明的另一个实施方案是提供一种具有载体箔的超薄铜箔，其具有针对CO2雷射的优良穿透加工性。
本发明的另一个实施方案是提供包铜层压体，其包括上述具有载体箔的超薄铜箔。
技术方案
根据本发明的一个实施方案，所提供者为一种具有载体箔的超薄铜箔，其中载体箔、剥离层、及超薄铜箔依序层压，其中所述载体箔在其面向所述剥离层的一面上包括表面处理层。
在本发明中，该表面处理层可具有表面结构，其中配置具有10μm或更小的平均直径的突出部。该表面处理层可具有表面结构，其中配置具有2μm或更小的平均直径的突出部。
在本发明中，该等突出部可具有8,000至10,000/mm2的面密度。
在本发明中，该等突出部可通过蚀刻所述载体箔的表面而形成。
在本发明中，其中可配置具有10μm或更小的平均直径的槽的表面结构形成在剥离后的所述超薄铜箔的S表面上。
在本发明中，其中配置具有2μm或更小的平均直径的槽的表面结构可形成在剥离后的所述超薄铜箔的S表面上。
该表面结构的该等槽可具有8,000至10,000/mm2的密度。
在本发明中，剥离后的所述超薄铜箔的该S表面含有镍(Ni)及磷(P)。
具有载体箔的所述超薄铜箔可在所述剥离层与所述超薄铜箔之间进一步包括雷射吸收层，该雷射吸收层含有铜(Cu)、且含有选自由镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铅(Pb)、及锡(Sn)所组成的群组的至少一种金属或其合金。
本发明的具有载体箔的所述超薄铜箔可进一步包括在所述载体箔与所述剥离层之间的抗扩散层。此外，本发明的具有载体箔的所述超薄铜箔可进一步包括在所述剥离层与所述超薄铜箔之间的耐热层。
根据本发明的另一个实施方案，所提供者为一种包铜层压体，其通过将上述具有载体箔的超薄铜箔层压在树脂基材上而形成。
根据本发明的另一个实施方案，所提供者为一种用于通过包括形成具有载体箔、剥离层、及超薄铜箔的层压结构来制造具有载体箔的超薄铜箔的方法，其中该层压结构的该形成包括：提供所述载体箔；蚀刻所述载体箔的一个表面，以形成表面处理层；及在该表面处理层上依序形成所述剥离层及所述超薄铜箔。
在本发明中，可使用选自由以下所组成的群组的至少一个有机剂来形成用于该蚀刻的蚀刻溶液：硫酸、过氧化氢、含氮有机化合物、及含硫有机化合物。在本发明中，1,2,3-苯并三唑(1,2,3-benzotriazole)、羧基苯并三唑(carboxybenzotriazole)、或类似者可用作含氮有机化合物，且巯基苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)、三聚硫氰酸(thiocyanuric acid)、或类似者可用作含硫有机化合物。
有益效果
根据本发明，可提供具有载体箔的超薄铜箔，其具有允许简单雷射孔加工的新颖结构。此外，本发明可提供具有载体箔的超薄铜箔，其具有针对CO2雷射的精确及优良穿透加工性，且可提供包括其的包铜层压体。
附图说明
图1a及图1b各示意性地显示根据本发明的实施例的具有载体膜的超薄铜膜的层压结构。
图2a及图2b是根据本发明的实施例通过拍摄载体箔的表面所获得的电子显微镜影像。
图3a及图3b是通过在自根据本发明的实施例制造的如样本的具有载体箔的超薄铜箔剥离载体箔后观测超薄铜箔的表面所获得的电子显微镜影像。
图4a及图4b是通过在雷射通孔加工之后拍摄根据本发明的实施例制造的如样本的具有载体箔的超薄铜箔所获得的电子显微镜影像。
具体实施方式
例示性实施例中所示的组态及本文所述的图式仅为本发明的最佳例示性实施例，且不表示本发明的所有技术发想，且因此应理解可制作可置换此等的各种等效例及变化例。在下文中，将参考随附图式更详细描述本发明的例示性实施例。
如本文所使用，用语「层压(lamination)」是指至少两个层的接合。例如，第一层及第二层的层压不仅包括第一层及第二层的直接接触，也包括接合中介于第一层与第二层之间的额外第三层。在本发明的层压结构中，第三层存在于第一层与第二层之间的含义包括第三层与第一层及第二层直接接触的情况，或者第三层不与第一层或第二层直接接触的情况。
图1a及图1b分别地各示意性地显示根据本发明的实施例的具有载体膜的超薄铜膜的层压结构。
参考图1a，具有载体膜的超薄铜膜具有层压结构，其中载体箔100、表面处理层110、抗扩散层120、剥离层130、耐热层140、及超薄铜箔150依序层压。
载体箔100作用为支撑材料(载体)，直到超薄铜箔接合至绝缘基材。铝箔、不锈钢箔、钛箔、铜箔、或铜合金箔可用作为载体箔。例如，可使用电解铜箔、电解铜合金箔、轧制铜箔、或轧制铜合金箔。优选地，载体箔可以是电解铜箔，且载体箔的上表面100B可以是光泽表面或无光泽表面的任一者。载体箔的下表面100A可具有粗糙化的处理层。
载体箔可具有1mm或更小的厚度。例如，载体箔的厚度可以是7至70μm。例如，载体箔的厚度可以是12至18μm。载体箔在具有小于7μm的厚度时可能难以作用为载体，且所述载体箔在具有大于1mm的厚度时在作用为载体上可能不具有问题，但在连续镀制以用于形成剥离层、超薄铜箔、及类似者期间，所述载体箔的张力在连续镀制在线需要增强，且需要大规模设施。
在本发明中，表面处理层110添加在载体箔100与抗扩散层120之间，或者添加在载体箔100与抗扩散层120之间的边界处。在本发明中，表面处理层110可具有结构，其中配置具有10μm或更小、5μm或更小、2μm或更小、或1μm或更小的平均直径的微突出部。在本发明中，微突出部的平均直径优选地为0.5μm或更大。
在本发明中，微突出部的面密度优选地为8,000至10,000/mm2。
如此，本发明中的表面处理层具有等于或小于CO2雷射的波长(例如，10,600nm)的微突出部，且如稍后所描述，微槽(其等在剥离后形成，且对应于该等微突出部)可通过散射雷射光促进雷射光的吸收。
尽管表面处理层100，表面处理层100可视为低粗糙度平滑表面，且依序形成于其上的超薄箔150也可具有低粗糙度表面。本发明中的表面处理层100可优选地具有0.5至1.5μm的表面粗糙度。
优选地，可通过蚀刻载体箔100的表面来形成表面处理层110。例如，可通过用含有硫酸、过氧化氢、氢氧化钠、及至少一种苯并三唑(BTA)的蚀刻溶液的处理来形成表面处理层110。
抗扩散层120及耐热层140可含有选自由以下所组成的群组的至少一种元素：镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、及磷(P)。例如，抗扩散层及耐热层可各自是单一金属层、二或更多个合金层、或至少一个金属氧化物层。
用于形成单一金属层的镀制的实例可包括镍镀、钴镀、铁镀、铝镀、及类似者。用于形成二元合金层的镀制的实例可包括镍-钴镀、镍-铁镀、镍-铬镀、镍-钼镀、镍-钨镀、镍-铜镀、镍-磷镀、钴-铁镀、钴-铬镀、钴-钼镀、钴-钨镀、钴-铜镀、钴-磷镀、及类似者。用于形成三元合金层的镀制的实例可包括镍-钴-铁镀、镍-钴-铬镀、镍-钴-钼镀、镍-钴-钨镀、镍-钴-铜镀、镍-钴-磷镀、镍-铁-铬镀、镍-铁-钼镀、镍-铁-钨镀、镍-铁-铜镀、镍-铁-磷镀、镍-铬-钼镀、镍-铬-钨镀、镍-铬-铜镀、镍-铬-磷镀、镍-钼-钨镀、镍-钼-铜镀、镍-钼-磷镀、镍-钨-铜镀、镍-钨-磷镀、镍-铜-磷镀、钴-铁-铬镀、钴-铁-钼镀、钴-铁-钨镀、钴-铁-铜镀、钴-铁-磷镀、钴-铬-钼镀、钴-铬-钨镀、钴-铬-铜镀、钴-铬-磷镀、钴-钼-磷镀、钴-钨-铜镀、钴-钨-磷镀、钴-铜-磷镀、及类似者。
优选地，抗扩散层120及耐热层140可含有镍(Ni)及磷(P)。
当在高温下具有载体箔的超薄铜箔与绝缘基材压制在一起时，抗扩散层120抑制铜扩散至剥离层中。铜扩散至剥离层中可在载体箔与超薄铜箔之间形成金属键结，且在其等之间的强结合强度可使载体箔的剥离困难，且抗扩散层120可抑制此反应。
在具有载体箔的铜箔中，剥离层130是用于在自超薄铜箔剥离载体箔时用于改善剥离性质的层，且引入剥离层以干净且容易地剥离载体箔。剥离层与载体箔整体移除。
在本发明中，剥离层130可含有具有剥离性质的金属或金属合金。可剥离金属可包括钼或钨。剥离层130可含有镀制催化剂。例如，剥离层130可含有选自由铁(Fe)、钴(Co)、及镍(Ni)所组成的群组的至少一种金属。
此外，剥离层可具有剥离性质的有机剥离层。例如，剥离层可含有选自由基于BTA材料所组成的群组的至少一种有机材料。
超薄铜箔150可具有12μm或更小的厚度。优选地，所述超薄铜箔可具有1.5至5μm的厚度。
在本发明中，所述超薄铜箔优选地具有0.5至1.5μm的表面粗糙度(Rz)。
超薄铜箔可根据用途而具有粗糙化表面及非粗糙化表面。粗糙化表面可透过结核处理形成，且非粗糙化表面可通过在铜箔形成期间添加光泽剂(glossing agent)及抑制剂来形成。
在本发明中，超薄铜箔的表面可此外经受表面处理。例如，可用耐热性及耐化学性处理、铬酸盐处理、及硅烷偶合处理的任一者、或其组合处理该表面，且可根据后续程序适当地选择待执行的表面处理的类型。
耐热性及耐化学性处理可例如通过将薄膜形成在金属箔上执行，其透过将镍、锡、锌、铬、钼、钴、及类似者的任一者或其合金溅镀、电镀、或无电式电镀。考虑到成本，电镀是优选的。
针对铬酸盐处理，可使用含有六价或三价铬离子的水溶液。铬酸盐处理可通过简单的浸入处理执行，但优选为阴极处理。例如，阴极处理优选在以下条件下执行：0.1至70g/L的重铬酸钠，pH 1至13，15至60℃的槽温度，0.1至5A/dm2的电流密度，0.1至100秒的电解时间。此外，铬酸盐处理优选对防锈处理执行，由此可进一步改善防潮性及耐热性。
作为用于硅烷偶合处理的硅烷偶合剂，可使用选自由以下所组成的群组的至少一种材料或混合物：环氧基官能性硅烷(诸如3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、及2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷)、胺基官能性硅烷、烯烃官能性硅烷、丙烯酸官能性硅烷、甲基丙烯酸官能性硅烷、巯基官能性硅烷、及类似者。例如，该硅烷偶合剂以0.1至15g/L的浓度溶解于溶剂(诸如水)中，并在室温至70℃的温度下施加至金属箔，或者通过电沉积吸附于该金属箔上。在硅烷偶合处理之后，可通过加热、紫外线辐照、或类似者形成稳定的接合。该加热可在100至200℃的温度下执行达2至60秒。
以下，将参考图1b描述本发明的另一实施例。
图1b所示的具有载体箔的超薄铜箔进一步包括在剥离层130与耐热层140之间的雷射吸收层160，不像图1a所示的具有载体箔的超薄铜箔。
雷射吸收层160包含具有低光泽及深色的镀制层。例如，雷射吸收层160可含有铜(Cu)、及选自由镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铅(Pb)、及锡(Sn)所组成的群组的至少一种金属或其合金(且例如一种、两种、或三种金属、或其合金)。
在本发明中，雷射吸收层160的厚度优选为0.01至1μm。更优选地，雷射吸收层160的厚度为0.05至0.5μm。吸收层在具有0.05μm的厚度时对颜色变化具有极少影响，且该吸收层在具有1μm或更大的厚度时具有过暗的颜色，这可引起雷射加工中的穿透缺陷。
图1b所示的具有载体箔的超薄铜箔可通过添加雷射吸收层160展现较高的雷射吸收速率。
以下，将参考实例详细描述本发明。然而，此等实例以例示方式显示，且不应解释为以任何方式限制本发明。
<实例1>
层压结构以以下顺序形成。
A.载体箔
具有在其光泽表面上的1.2μm的表面粗糙度(Rz)及18μm的厚度的电解铜箔通过浸入在于100g/L硫酸中达5秒而经受渍制(pickle)处理，且接着用纯水洗涤。
B.表面处理层
通过用以下预处理溶液的预处理来活化载体箔的表面。
a.硫酸：200至300g/L、过氧化氢：50至150g/L、选自含氮有机化合物及含硫有机化合物的至少一种有机剂
b.温度：40℃
c.pH：0.01至0.5
d浸渍时间：5秒
C.抗扩散层
在以下条件下，通过在电镀槽中的镍-磷(Ni-P)镀制来形成抗扩散层。
a.镍(Ni)浓度：10至20g/L，磷(P)浓度：5至15g/L
b.pH 4.0，温度：30℃，电流密度：1.5A/dm2，镀制时间：2秒
所形成的抗扩散层的镀制量为301μg/dm2的镍(Ni)镀制量。
D.剥离层
在以下条件下，通过在电镀槽中的钼-镍-铁(Mo-Ni-Fe)镀制来形成剥离层。
a.钼(Mo)浓度：10至30g/L，镍(Ni)浓度：3至10g/L，铁(Fe)浓度：1至7g/L，柠檬酸钠：100至200g/L，及pH 10.2(添加30ml/L氨水)。
b.温度：30℃，电流密度：10A/dm2，镀制时间：7秒
所形成的剥离层的镀制量为1.01mg/dm2，且剥离层的组成物为62.31wt％的钼(Mo)、30.8wt％的镍(Ni)、及6.89wt％的铁(Fe)。
E.耐热层
在以下条件下，通过在电镀槽中的Ni-P镀制来形成耐热层。
a.Ni浓度：10至20g/L，P浓度：5至15g/L，pH 4.0
b.温度：30℃，电流密度：1.5A/dm2，镀制时间：2秒
所形成的耐热层的镀制量为301μg/dm2的镍(Ni)镀制量。
F.超薄铜箔
在以下条件下，在电镀槽中形成具有2μm的厚度的铜箔。
a.CuSO4-5H2O：300g/L，H2SO4：150g/L，
b.温度：35℃，电流密度：20A/dm2，镀制时间：30秒
G.额外处理
在超薄铜箔层的表面上此外执行耐热性及耐化学性处理、铬酸盐处理、及硅烷偶合处理。
<实例2>
通过如实例1中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了在剥离层与耐热层之间添加雷射吸收层。在以下条件下，在电镀槽中形成雷射吸收层。
a.铜浓度：1至5g/L，镍浓度：1至5g/L，钴浓度：1至10g/L，硫酸铵：10至50g/L，柠檬酸钠：30至70g/L，
b.pH 4.5，温度：30℃，电流密度：20A/dm2，镀制时间：4秒
<实例3>
通过如实例2中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了有机剥离层形成为剥离层。在以下条件下，在电镀槽中形成有机剥离层。
a.羧基苯并三唑浓度：1至5g/L，铜浓度：5至15g/L，H2SO4浓度：150g/L
b.温度：40℃，浸渍时间：30秒
<比较例1>
通过如实例1中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了省略表面处理层。
<比较例2>
通过如实例2中的相同方法制造具有载体箔的超薄铜箔，除了省略表面处理层。
<测试实例>
如样本的具有载体箔的超薄铜箔(在实例1至3及比较例1及2中制造)针对表面粗糙度(Rz)测量。将所制造样本经受剥离，并在剥离后针对光泽及颜色测量表面(S表面)。表面粗糙度、光泽、及颜色的测量条件如下。
a.表面粗糙度
测量设备：SURFCOM 1400D(TSK,TOKYO SEIMITSU)
测量标准：根据IPC-TM-650标准测量
b.光泽
测量设备：Gloss Metal VG 7000,NIPPON DENSHOKU
测量标准：Gs(60°)，JIS Z 871-1997
c.颜色
测量设备：CM-2500d,KONIKA MINOLTA
测量标准：SCE，L*测量
在实例1至3及比较例1及2中制造的具有载体箔的超薄铜箔的实例针对雷射加工性评定。雷射加工条件如下。
d.雷射加工性评估
至于超薄铜箔(如样本)，在以下之后获得：所制造的具有载体箔的超薄铜箔经受剥离，通过使用在7W及5W的雷射输出下的用于30-μm孔大小加工的雷射束的二氧化碳气体雷射通孔加工器透过一次加工在铜箔中形成通孔，且测量通孔大小。使用Hitachi的雷射钻孔机LC-4K系列作为雷射加工设备。
下表1概述表面粗糙度、光泽、颜色、及雷射加工性的评估结果。
表1
如可在表1所示，相较于不具有表面处理层的比较例1，在具有形成在载体箔的表面上的表面处理层的实例1中，剥离后的超薄箔的S表面光泽为较低的且通过CO2雷射的孔大小增加。
相较于实例1，在具有表面处理层及雷射吸收层两者的实例2及3中，光泽度及颜色更显而易见，且雷射孔大小增加。
图2a及图2b是通过在实例1的制造期间形成表面处理层之前及之后各别观测载体箔的表面所获得的电子显微镜影像。
可自该等影像看出在表面上通过表面处理而发展出突出部结构。
图3a及图3b是通过在自比较例1及实例2的样本剥离后各别观测超薄铜箔的S表面所获得的电子显微镜影像。
可自该等影像确认，不具有表面处理层的比较例1显示与载体箔的表面相同的情况，但实例2显示其中配置具有2μm或更小的平均直径的复数个凹入槽的雕刻结构。可看出，此结构实质上对应于图2b中的表面压纹结构。
图4a显示通过在雷射加工实例2及比较例1中制造的样本之后拍摄贯穿孔所获得的电子显微镜影像。如图所示，相较于比较例的样本，在实例的样本中以相同雷射输出形成具有较大开口直径的孔。此等结果指示，在相较于熟知技术的较短时间下，具有本发明的层压结构的具有载体箔的超薄铜箔显示具有较大直径的通孔或贯穿孔。
虽然已透过某些实施例来描述本发明，但应了解，对于所属技术领域中具有通常知识者而言，在不脱离本发明的范围的情况下所述实施例的各种排列及修改是可能的。因此，本发明的范围不应由所述实施例限定，但应由随附申请专利范围及其等效例限定。
工业实用性
本发明可以适用于具有载体箔的铜箔以及使用该铜箔的包铜层压体。

Claims (15)

1.一种具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，载体箔、剥离层、及超薄铜箔依序层压，
其中，所述载体箔在其面向所述剥离层的一面上包含表面处理层。
2.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述表面处理层具有表面结构，其中，配置具有10μm或更小的平均直径的突出部。
3.根据权利要求2所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述表面处理层具有表面结构，其中，配置具有2μm或更小的平均直径的突出部。
4.根据权利要求2或3所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述等突出部具有8,000至10,000/mm2的面密度。
5.根据权利要求2或3所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述等突出部通过蚀刻所述载体箔的表面而形成。
6.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述超薄铜箔中配置具有10μm或更小的平均直径的槽的表面结构形成在剥离后的所述超薄铜箔的S表面上。
7.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述超薄铜箔中配置具有2μm或更小的平均直径的槽的表面结构形成在剥离后的所述超薄铜箔的S表面上。
8.根据权利要求6或7所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述等槽具有8,000至10,000/mm2的面密度。
9.根据权利要求6或7所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，剥离后的所述超薄铜箔的所述S表面含有镍(Ni)及磷(P)。
10.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述超薄铜箔在所述剥离层与所述超薄铜箔之间进一步包含雷射吸收层，所述雷射吸收层含有铜(Cu)、且含有选自由镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铅(Pb)、及锡(Sn)所组成的群组的至少一种金属或其合金。
11.根据权利要求1至3、6至7及10中任一项所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述超薄铜箔进一步包含在所述载体箔与所述剥离层之间的抗扩散层。
12.根据权利要求1至3、6至7及10中任一项所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述超薄铜箔进一步包含在所述剥离层与所述超薄铜箔之间的耐热层。
13.一种包铜层压体，其特征在于，所述包铜层压体通过将权利要求1至3、6至7及10中任一项所述的具有载体箔的超薄铜箔层压在树脂基材上而形成。
14.一种用于通过包含形成载体箔、剥离层、及超薄铜箔的层压结构来制造具有载体箔的超薄铜箔的方法，
其特征在于，所述层压结构的所述形成包含：
提供所述载体箔；
蚀刻所述载体箔的一个表面，以形成表面处理层；及
在所述表面处理层上依序形成所述剥离层及所述超薄铜箔。
15.根据权利要求14所述的制造具有载体箔的超薄铜箔的方法，其特征在于，用于所述蚀刻的蚀刻溶液含有选自由以下所组成的群组的至少一种有机剂：硫酸、过氧化氢、含氮有机化合物、及含硫有机化合物。
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