JP2002006221A - 投影光学系、露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射鏡の径を小さく抑えつつ、優れた結像性
能を有する投影光学系、及びこの投影光学系を備えた露
光装置及び露光方法を提供する。 【解決手段】 投影光学系ＰＬは、第１面Ｒ上の物体を
第２面ＩＭ上に結像する第１反射光学系１０は、凹面状
の反射面を持つ第１反射鏡Ｍ１と凹面状の反射面を持つ
第２反射鏡Ｍ２とからなっており、第２面ＩＭ上の像を
第３面Ｗ上に結像する第２反射光学系２０は、第２反射
光学系２０は、第３反射鏡Ｍ３と凹面状の反射面を持つ
第４反射鏡Ｍ４と凸面状の反射面を持つ第５反射鏡Ｍ５
と凹面状の反射面を持つ第６反射鏡Ｍ６とからなってい
る。そして、第４反射鏡Ｍ４の頂点が第１反射鏡Ｍ１の
頂点より第３面Ｗ側に配置され、第３反射鏡Ｍ３の頂点
と第４反射鏡Ｍ４の頂点との間に第６反射鏡Ｍ６の頂点
が配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板上にマ
スクのパターンの縮小像を形成する投影光学系、及びこ
の投影光学系を備えた露光装置及び露光方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体デバイスや液晶表示デ
バイスをリソグラフィ技術を用いて製造する際に、パタ
ーンが形成されたマスクに露光用照明光（露光光）を照
明し、このマスクのパターンの像を投影光学系を介して
フォトレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウエハや
ガラスプレート等の基板上に投影露光することが行われ
ているが、近年においては、パターンの微細化の要求が
ますます高まっているため、この投影露光を行う露光装
置は、より解像力の高いものが要求されている。

【０００３】この要求を満足するためには、光源から射
出される露光光の波長を短波長化し、且つ光学系の開口
数（ＮＡ）を大きくしなければならない。しかしなが
ら、露光光の波長が短くなると、光の吸収のために実用
に耐える光学ガラスは限られ、例えば、波長が１８０ｎ
ｍ以下となると、実用上使用できる硝材は蛍石だけとな
る。また、さらに短波長の紫外線やＸ線になると、使用
できる光学ガラスは存在しなくなる。このような場合、
屈折光学系だけか、または反射屈折光学系で縮小投影光
学系で構成することは、全く不可能となる。

【０００４】そのため、反射系のみで投影光学系を構成
する、いわゆる反射屈折縮小投影光学系が、例えば特開
平９−２１１３３２号公報や、特開平１０−９０６０２
号公報に提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】特開平９−２１１３３
２号公報に開示されている投影光学系は、凹凸凹の構成
の反射面からなる２組の縮小光学系により構成されてお
り、この２組の縮小光学系の間に中間像が形成されてい
る。この光学系の利点は、反射面枚数が６面となり、収
差補正の自由度が増えること、自然に反射面枚数が偶数
になるので折り返しのためだけの平面反射鏡が不用なこ
と、また、全体の光学系の縮小倍率をそれぞれの部分光
学系に分担できるので部分光学系の負担を軽減すること
が可能であることなどである。しかしながら、このよう
な構成においては、２つの部分光学系を、１対のミラー
対でつないでいるために、この接続部分のミラー対の径
が大きくならざるを得ないという問題がある。

【０００６】また、特開平１０−９０６０２号公報に開
示されている投影光学系は、凹面鏡、凸面鏡、凸面鏡、
凹面鏡の４枚のミラーを２組直列に配置したもので、全
部で８枚の反射鏡により構成されており、途中に中間像
が形成されるようになっている。しかしながら、このよ
うな構成においては、反射鏡の数が多いために、光量の
低下を招くとともに、製造公差の点から見ても不利であ
る。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、反射面を６面以下としながら、反射鏡の径を
小さく抑えつつ、優れた結像性能を有する投影光学系、
及びこの投影光学系を備えた露光装置及び露光方法を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図６に対応付けし
た以下の構成を採用している。本発明の投影光学系は、
第１面（Ｒ）上の物体を第２面（ＩＭ）上に結像する第
１反射光学系（１０）と、第２面（ＩＭ）上の像を第３
面（Ｗ）上に結像する第２反射光学系（２０）とを備
え、第３面（Ｗ）上に第１面（Ｒ）の物体の縮小像を形
成する投影光学系（ＰＬ）において、第１反射光学系
（１０）及び第２反射光学系（２０）は、第１面（Ｒ）
と第３面（Ｗ）との間に、この第２反射光学系（２０）
が第１反射光学系（１０）より第３面（Ｗ）側に配置さ
れるように所定の光軸（ＡＸ）に沿って直列に配置され
ており、第１反射光学系（１０）は、凹面状の反射面を
持つ第１反射鏡（Ｍ１）と凹面状の反射面を持つ第２反
射鏡（Ｍ２）とよりなる第１ミラー対からなり、第２反
射光学系（２０）は、所定形状の反射面を持つ第３反射
鏡（Ｍ３）と凹面状の反射面を持つ第４反射鏡（Ｍ４）
とよりなる第２ミラー対と、凸面状の反射面を持つ第５
反射鏡（Ｍ５）と凹面状の反射面を持つ第６反射鏡（Ｍ
６）とよりなる第３ミラー対とからなり、第４反射鏡
（Ｍ４）の頂点が第１反射鏡（Ｍ１）の頂点より第３面
（Ｗ）側に配置され、第３反射鏡（Ｍ３）の頂点と第４
反射鏡（Ｍ４）の頂点との間に第６反射鏡（Ｍ６）の頂
点が配置されており、第１面（Ｒ）からの光は、第１ミ
ラー対を経由した後に第２面（ＩＭ）上に中間像を形成
し、この中間像からの光は第３反射鏡（Ｍ３）及び第４
反射鏡（Ｍ４）の順で第２ミラー対を反射し、第２ミラ
ー対を反射した光は第５反射鏡（Ｍ５）及び第６反射鏡
（Ｍ６）の順で第３ミラー対を反射して第３面（Ｗ）へ
導かれることを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、所定形状の反射面を有す
る第３反射鏡（Ｍ３）と凹面状の反射面を有する第４反
射鏡（Ｍ４）との距離を短く設定可能となるので、第３
反射鏡（Ｍ３）から第４反射鏡（Ｍ４）への光束の広が
りを小さく抑えることができる。したがって、第４反射
鏡（Ｍ４）をはじめとする各反射鏡の径を小さく抑えつ
つ良好な結像性能を得ることができる。

【００１０】そして、第５反射鏡（Ｍ５）の頂点と第６
反射鏡（Ｍ６）の頂点との間に、第３反射鏡（Ｍ３）の
頂点を配置することにより、第５反射鏡（Ｍ５）と第３
面（Ｗ）との間の距離（ワーキングディスタンス）を大
きくとることが可能となる。すなわち、凸面状の反射面
を有する第５反射鏡（Ｍ５）は、第３面（Ｗ）に対して
は凹面状部分を向けて配置されることになるので、第５
反射鏡（Ｍ５）と第３面（Ｗ）との間の距離は長くな
り、大きなワーキングディスタンスを確保することがで
きる。このため、この第３面（Ｗ）に感光基板をロード
する場合などの作業性を向上することができる。

【００１１】第１、第３及び第５反射鏡（Ｍ１、Ｍ３及
びＭ５）は、各反射面が第１面（Ｒ）側に向くようにそ
れぞれ配置され、第２、第４及び第６反射鏡（Ｍ２、Ｍ
４及びＭ６）は、各反射面が第３面（Ｗ）側に向くよう
にそれぞれ配置されているので、第１面（Ｒ）からの光
は各反射鏡間で交互に反射を繰り返しながら第３面
（Ｗ）側に導かれる。そして、このような構成にするこ
とにより第１面（Ｒ）と第３面（Ｗ）との距離を短くす
ることが可能となるため、投影光学系（ＰＬ）全体のコ
ンパクト化を実現することができる。

【００１２】第１〜第６反射鏡（Ｍ１〜Ｍ６）を、所定
の光軸（ＡＸ）に対して同軸に配置することによって
も、投影光学系（ＰＬ）全体のコンパクト化を実現する
ことができるとともに、各反射鏡（Ｍ１〜Ｍ６）の鏡筒
組み込み・調整を容易にすることができる。

【００１３】第１ミラー対を構成する第１反射鏡（Ｍ
１）及び第２反射鏡（Ｍ２）のそれぞれの頂点の間に開
口絞り（ＡＳ）を備え、開口絞り（ＡＳ）は、この開口
絞り（ＡＳ）に入射する光束の全周を囲む形状とするこ
とができる。このように、第１反射鏡（Ｍ１）の頂点と
第２反射鏡（Ｍ２）の頂点との間に、通常の構成を有す
る開口絞り（ＡＳ）を設けることができる。そして、開
口絞り（ＡＳ）を配置することにより収差補正の自由度
は増加する。すなわち、６つの反射面（反射鏡）の他
に、この開口絞り（ＡＳ）の光軸方向の位置を調整する
ことによっても収差補正を行うことができる。

【００１４】このとき、開口絞り（ＡＳ）は、第３面
（Ｗ）側がテレセントリックとなるように設定されてい
ることが好ましく、この場合、良好な結像特性を得るこ
とができる。

【００１５】第１反射鏡（Ｍ１）の近軸領域での曲率を
ｐ１、第２反射鏡（Ｍ２）の近軸領域での曲率をｐ２、
第３反射鏡（Ｍ３）の近軸領域での曲率をｐ３、第４反
射鏡（Ｍ４）の近軸領域での曲率をｐ４、第５反射鏡
（Ｍ５）の近軸領域での曲率をｐ５、第６反射鏡（Ｍ
６）の近軸領域での曲率をｐ６とするとき、−０．００
５＜（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ５＋ｐ６）＜０．０
０５の条件を満足するように設定することにより、第３
面（Ｗ）上に形成される像（第１面の像）に関する像面
（結像面）の十分なコントロールを行うことが可能とな
る。

【００１６】また、第２面（ＩＭ）上に視野絞り（Ｆ
Ｓ）を備える構成とすることが可能となり、この場合、
第１面（Ｒ）上を照明する照明系中の視野絞りを不要と
する構成とすることが可能となる。

【００１７】第１及び第２反射光学系（１０及び２０）
は、それぞれ縮小倍率を有するので、全体の光学系の縮
小倍率を各反射光学系（１０、２０）にて分担できるた
め、各反射光学系の負担を軽くすることができる。

【００１８】本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）に露光
光（ＥＬ）を照明し、このマスク（Ｒ）に形成されたパ
ターンの像を投影光学系（ＰＬ）を介して感光基板
（Ｗ）上に投影する露光装置において、投影光学系は、
請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の投影光学系
（ＰＬ）によって構成されていることを特徴とする。

【００１９】また、本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）
に露光光（ＥＬ）を照明し、この露光光（ＥＬ）に基づ
いてマスク（Ｒ）に形成されたパターンの像を感光基板
（Ｗ）上に形成する露光方法において、請求項１〜請求
項９のいずれか一項に記載の投影光学系（ＰＬ）を用い
て前記パターンの像を感光基板（Ｗ）上に形成すること
を特徴とする。

【００２０】本発明によれば、良好に収差補正され優れ
た結像性能を有する投影光学系を用いて露光処理が行わ
れるので、微細なパターンでも精度良く形成することが
できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の投影光学系、露光
装置及び露光方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明に係る投影光学系の横断面の光路図で
あり、図１では光束の幅は横断面のみを表している。

【００２２】図１において、投影光学系ＰＬは、第１面
Ｒ上の物体を第２面ＩＭ上に結像する第１反射光学系１
０と、第２面ＩＭ上の像を第３面Ｗ上に結像する第２反
射光学系２０とを備えており、第３面Ｗ上に第１面Ｒ上
の物体の縮小像を形成する反射縮小投影光学系となって
いる。

【００２３】第１反射光学系１０は、凹面状の反射面を
持つ第１反射鏡Ｍ１と凹面状の反射面を持つ第２反射鏡
Ｍ２とよりなる第１ミラー対からなっている。第２反射
光学系２０は、所定形状の反射面を持つ第３反射鏡Ｍ３
と凹面状の反射面を持つ第４反射鏡Ｍ４とよりなる第２
ミラー対と、凸面状の反射面を持つ第５反射鏡Ｍ５と凹
面状の反射面を持つ第６反射鏡Ｍ６とよりなる第３ミラ
ー対とからなっている。そして、第１反射光学系１０及
び第２反射光学系２０は、第１面Ｍ１と第３面Ｍ３との
間に、第２反射光学系２０が第１反射光学系１０より第
３面Ｗ側に配置されるように投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ
に沿って直列に配置されている。このとき、各反射鏡Ｍ
１〜Ｍ６は光軸ＡＸに対して同軸に配置されている。

【００２４】第４反射鏡Ｍ４の頂点は、第１反射鏡Ｍ１
の頂点より第３面Ｗ側に配置されており、第３反射鏡Ｍ
３の頂点と第４反射鏡Ｍ４の頂点との間に第６反射鏡Ｍ
６の頂点が配置されている。また、第５反射鏡の頂点と
第６反射鏡の頂点との間に第３反射鏡の頂点が配置され
ている。すなわち、各反射鏡は、第１面Ｒ側から第３面
Ｗ側にむかって、第２反射鏡Ｍ２、第１反射鏡Ｍ１、第
４反射鏡Ｍ４、第６反射鏡Ｍ６、第３反射鏡Ｍ３、第５
反射鏡Ｍ５の順で配置されている。

【００２５】なお、反射鏡の頂点とは、反射面とその反
射面の基準軸とが交差する点であり、反射面の基準軸と
は、その反射面の頂点とその反射面の近軸曲率中心とを
結ぶ軸を意味する。

【００２６】それぞれのミラー対のうち、第１反射鏡Ｍ
１、第３反射鏡Ｍ３、第５反射鏡Ｍ５は、それぞれの反
射面が第１面Ｒ側に向くように配置されており、第２反
射鏡Ｍ２、第４反射鏡Ｍ４、第６反射鏡Ｍ６は、それぞ
れの反射面が第３面Ｗ側に向くように配置されている。
このとき、第５反射鏡Ｍ５の凹面状部分と第３面Ｗとが
対向した構成となっている。

【００２７】そして、第１面Ｒからの光ＥＬは、第１反
射鏡Ｍ１及び第２反射鏡Ｍ２の順で第１ミラー対を反射
した後に第２面ＩＭ上に中間像を形成し、この中間像か
らの光は第３反射鏡Ｍ３及び第４反射鏡Ｍ４の順で第２
ミラー対を反射し、第２ミラー対を反射した光は第５反
射鏡Ｍ５及び第６反射鏡の順で第３ミラー対を反射して
第３面Ｗへ導かれる。このとき、第２面ＩＭ上には視野
絞りＦＳが設けられている。

【００２８】第１ミラー対の第１反射鏡Ｍ１と第２反射
鏡Ｍ２とのそれぞれの頂点の間には、開口絞りＡＳが設
けられている。この開口絞りＡＳは開口部の口径を可変
としており、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２との間の
光軸方向の任意の位置に設置可能であるが、第３面Ｗ側
がテレセントリックとなるように位置決めされることが
好ましい。

【００２９】以上説明したような各反射鏡の配置構成と
することにより、第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４との
距離を短く設定することができるので、第３反射鏡Ｍ３
から第４反射鏡Ｍ４への光束の広がりを小さく抑えるこ
とができる。したがって、第４反射鏡Ｍ４ををはじめと
する各反射鏡の径を小さく抑えつつ良好な結像性能を得
ることができる。

【００３０】本実施形態において、投影光学系ＰＬに用
いられた反射鏡は６枚と少ないので、この投影光学系Ｐ
Ｌを露光装置に適用した場合、露光光の光量の低下の恐
れは低減されるとともに、反射面の面形状誤差による結
像性能の劣化を招く恐れも低減される。例えば、露光光
として、波長５〜１５ｎｍの軟Ｘ線領域の光（以下、こ
の光を「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」と称す
る）や、この波長以下の硬Ｘ線領域の光を用いた場合、
この波長域における反射膜の反射率が低くても、反射面
の数が６面だけなので実用上問題無い程度の光量を確保
することができる。

【００３１】第５反射鏡Ｍ５の頂点と第６反射鏡Ｍ６の
頂点との間に第３反射鏡Ｍ３の頂点を配置し、第５反射
鏡Ｍ５の凹面状部分と第３面Ｗとが対向するようにした
ので、第５反射鏡Ｍ５と第３面Ｗとの間の距離（ワーキ
ングディスタンス）を大きくとることが可能となる。こ
のため、この第３面Ｗに感光基板をロードする場合など
の作業性を向上することができる。

【００３２】第１反射鏡Ｍ１、第３反射鏡Ｍ３及び第５
反射鏡Ｍ５は、各反射面が第１面Ｒ側に向くようにそれ
ぞれ配置され、第２反射鏡Ｍ２、第４反射鏡Ｍ４及び第
６反射鏡Ｍ６は、各反射面が第３面Ｗ側に向くようにそ
れぞれ配置されているので、第１面Ｒからの光ＥＬは各
反射鏡間で交互に反射を繰り返しながら第３面Ｗ側に導
かれる。そして、このような構成にすることにより、光
路を折り返すための平面反射鏡が不用であるとともに、
第１面Ｒと第３面Ｗとの距離を短くすることが可能とな
るため、投影光学系ＰＬ全体のコンパクト化を実現する
ことができる。さらに、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６を、光軸Ａ
Ｘに対して同軸に配置することによっても、投影光学系
ＰＬ全体のコンパクト化を実現することができるととも
に、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の鏡筒組み込み・調整を容易に
することができる。

【００３３】本実施形態においては、第１ミラー対を構
成する第１反射鏡Ｍ１及び第２反射鏡Ｍ２のそれぞれの
頂点の間に開口絞りＡＳを配置することが可能となり、
この場合には、開口絞りＡＳの開口部形状を、開口絞り
ＡＳを通過する光束の全周を囲む形状とすることがで
き、通常の開口絞りの構成を採用することができる。こ
のとき、開口絞りＡＳの光軸方向の位置は、第３面Ｗが
テレセントリックとなるように位置決めさせることが好
ましく、この場合、良好な結像特性を得ることができ
る。

【００３４】そして、開口部の口径を可変とする開口絞
りＡＳを調整することによって収差補正を行うことがで
きるとともに、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面の形状を非
球面状とし、この形状を任意に設定することによっても
収差補正を行うことが可能となる。したがって、本実施
形態においては、収差補正は、各反射鏡の反射面の形状
の調整のほかに、開口絞りＡＳの光軸方向の位置の調整
によっても行うことができ、自由度の高い収差補正を行
うことができる。

【００３５】第１反射鏡Ｍ１の近軸領域での曲率をｐ
１、第２反射鏡Ｍ２の近軸領域での曲率をｐ２、第３反
射鏡Ｍ３の近軸領域での曲率をｐ３、第４反射鏡Ｍ４の
近軸領域での曲率をｐ４、第５反射鏡Ｍ５の近軸領域で
の曲率をｐ５、第６反射鏡Ｍ６の近軸領域での曲率をｐ
６とするとき、−０．００５＜（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ
４＋ｐ５＋ｐ６）＜０．００５ （１）の条件を満足す
るように設定することにより、第３面Ｗ上に形成される
像（第１面の像）に関する像面（結像面）の十分な制御
を行うことが可能となる。

【００３６】すなわち、条件式（１）の下限を逸脱する
と、第３面Ｗに形成される像面が凹状に湾曲し過ぎてし
まう。このため、第３面Ｗにて発生する像面湾曲の量は
投影光学系ＰＬにて補正できる範囲を大幅に超えてしま
い、像の劣化をもたらす。また、条件式（１）の上限を
逸脱すると、第３面Ｗに形成される像面が凸状に湾曲し
過ぎてしまう。このため、その第３面Ｗにて発生する像
面湾曲の量は投影光学系ＰＬにて補正できる範囲を大幅
に超えてしまい、像を劣化をもたらす。しかしながら、
各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６にて発生するペッツバール和を、条
件式（１）のように小さく抑えることにより、像面全体
を平坦にすることができ、良好な結像成能を得ることが
できる。

【００３７】また、本実施形態においては、第２面ＩＭ
上に視野絞りＦＳを備える構成とすることが可能とな
り、この場合、第１面Ｒ上を照明する照明系中の視野絞
りを不要とする構成とすることが可能となる。

【００３８】第１反射光学系１０及び第２反射光学系２
０は、それぞれ縮小倍率を有するので、全体の光学系の
縮小倍率を各反射光学系１０、２０にて分担できるた
め、各反射光学系の負担を軽くすることができる。

【００３９】次に、図２を参照しながら、本発明に係る
投影光学系ＰＬを備えた露光装置Ｅについて説明する。
図２は本発明に係る投影光学系ＰＬを備えた露光装置Ｅ
の構成図である。この露光装置Ｅは、反射型レチクル
（マスク）Ｒに露光用照明光（露光光）ＥＬを照射し、
レチクルＲに形成されたパターンの一部の像を投影光学
系ＰＬを介して感光基板Ｗ上に投影しつつ、レチクルＲ
と感光基板Ｗとを投影光学系ＰＬに対して１次元方向
（Ｙ方向）に相対走査することによって、レチクルＲの
パターンの全体を感光基板Ｗ上の複数のショット領域の
各々にステップ・アンド・スキャン方式で転写するもの
である。本実施形態では、露光光ＥＬとして波長５〜１
５ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の光（ＥＵＶ光）が用いられて
いる。なお、図２においては、投影光学系ＰＬの光軸方
向をＺ方向とし、このＺ方向と直交する方向であってレ
チクルＲ及び感光基板Ｗの走査方向をＹ方向とし、これ
らＹＺ方向と直交する紙面垂直方向をＸ方向とする。

【００４０】図２において、露光装置Ｅは、光源３０か
らの光束をレチクルステージＲＳに支持されるレチクル
Ｒに照明する照明光学系３と、露光光ＥＬで照明された
レチクルＲのパターンの像を感光基板Ｗ上に投影する投
影光学系ＰＬと、基板Ｗを支持する基板ステージＷＳと
を備えている。本実施形態における露光光であるＥＵＶ
光は、大気に対する透過率が低いため、ＥＵＶ光が通過
する光路は真空チャンバＶＣにより覆われて外気より遮
断されている。

【００４１】図２における照明光学系３について説明す
る。光源３０は、赤外域〜可視域の波長のレーザ光を供
給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるＹＡ
Ｇレーザやエキシマレーザ等を用いることができる。こ
のレーザ光は第１集光光学系３１により集光されて位置
３２に集光する。ノズル３３は気体状の物体を位置３２
に向けて噴出し、この噴出された物体は位置３２におい
て高照度のレーザ光を受ける。このとき、噴出された物
体がレーザ光のエネルギで高温になり、プラズマ状態に
励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光
を放出する。

【００４２】この位置３２の周囲には、第２集光光学系
を構成する楕円鏡３４が配置されており、この楕円鏡３
４は、その第１焦点が位置３２とほぼ一致するように位
置決めされている。楕円鏡３４の内表面には、ＥＵＶ光
を反射するための多層膜が設けられており、ここで反射
されたＥＵＶ光は、楕円鏡３４の第２焦点で一度集光し
た後、第３集光光学系を構成するコリメート鏡としての
放物面鏡３５へ向かう。放物面鏡３５は、その焦点が楕
円鏡３４の第２焦点位置とほぼ一致するように位置決め
されており、その内表面には、ＥＵＶ光を反射するため
の多層膜が設けられている。

【００４３】放物面鏡３５から射出されるＥＵＶ光は、
ほぼコリメートされた状態でオプティカルインテグレー
タとしての反射型フライアイ光学系３６へ向かう。反射
型フライアイ光学系３６は、複数の反射面を集積した第
１の反射素子群３６ａと、第１の反射素子群３６ａの複
数の反射面と対応した複数の反射面を有する第２の反射
素子群３６ｂとで構成されている。これら第１及び第２
の反射素子群３６ａ、３６ｂを構成する複数の反射面上
にもＥＵＶ光を反射させるための多層膜が設けられてい
る。

【００４４】放物面鏡３５からのコリメートされたＥＵ
Ｖ光は、第１の反射素子群３６ａにより波面分割され、
各々の反射面からのＥＵＶ光が集光されて複数の光源像
が形成される。これら複数の光源像が形成される位置の
近傍のそれぞれには、第２の反射素子群３６ｂの複数の
反射面が位置決めされており、これら第２の反射素子群
３６ｂの複数の反射面は、実質的にフィールドミラーの
機能を果たす。このように、反射型フライアイ光学系３
６は、放物面鏡３５からの略平行光束に基づいて、２次
光源としての多数の光源像を形成する。尚、このような
反射型フライアイ光学系３６については、本願出願人に
よる特願平１０−４７４００号に提案されている。

【００４５】本実施形態では、２次光源の形状を制御す
るために、第２の反射素子群３６ｂ近傍には、第１開口
絞りとしてのσ絞りＡＳ１が設けられている。このσ絞
りＡＳ１は、例えば互いに形状が異なる複数の開口部を
ターレット状に設けたものからなる。そして、σ絞り制
御ユニットＡＳＣ１により、どの開口部を光路内に配置
するのかの制御が行われる。

【００４６】さて、反射型フライアイ光学系３６により
形成された２次光源からのＥＵＶ光は、この２次光源位
置の近傍が焦点位置となるように位置決めされたコンデ
ンサミラー３７へ向かい、このコンデンサミラー３７に
て反射集光された後に、光路折り曲げミラー３８を介し
て、レチクルＲに達する。これらコンデンサミラー３７
及び光路折り曲げミラー３８の表面には、ＥＵＶ光を反
射させる多層膜が設けられている。そして、コンデンサ
ミラー３７は、２次光源から発するＥＵＶ光を集光し
て、レチクルＲを均一照明する。

【００４７】なお、本実施形態では、レチクルＲへ向か
う照明光と、このレチクルＲにて反射されて投影光学系
ＰＬへ向かうＥＵＶ光との光路分離を空間的に行うため
に、照明光学系３は非テレセントリック系であり、かつ
投影光学系ＰＬもレチクル側非テレセントリックな光学
系としている。

【００４８】さて、レチクルＲ上には、ＥＵＶ光を反射
する多層膜からなる反射膜が設けられており、この反射
膜は、感光基板Ｗ上へ転写すべきパターンの形状に応じ
たパターンとなっている。このレチクルＲにて反射され
て、レチクルＲのパターン情報を含むＥＵＶ光は、投影
光学系ＰＬに入射する。

【００４９】投影光学系ＰＬは、図１において説明した
通り、反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の６枚構成となっており、第１
反射鏡Ｍ１とレチクルＲとの間の光路中（反射鏡Ｍ１と
反射鏡Ｍ２との頂点の間）には、第２の開口絞りとして
の可変開口絞りＡＳが配置されている。この可変開口絞
りＡＳは、その開口部の口径が可変となるように構成さ
れており、その口径は可変開口絞り制御ユニットＡＳＣ
２により制御される。

【００５０】また、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と
の間の光路中の中間像形成位置には視野絞りＦＳが配置
されている。なお、投影光学系ＰＬを構成する反射鏡Ｍ
１〜Ｍ６は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層膜を設け
たものからなる。

【００５１】レチクルＲにて反射されたＥＵＶ光は、投
影光学系ＰＬを通過して、感光基板Ｗ上の円弧形状の露
光領域内に、所定の縮小倍率β（例えば｜β｜＝１／
４，１／５、１／６）のもとでレチクルＲのパターンの
縮小像を形成する。なお、本実施形態においては、露光
領域の形状は、投影光学系ＰＬ内に設けられた視野絞り
ＦＳにより規定される。

【００５２】レチクルＲは少なくともＹ方向に沿って移
動可能なレチクルステージＲＳにより支持されており、
感光基板ＷはＸＹＺ方向に沿って移動可能な基板ステー
ジＷＳにより支持されている。これらのレチクルステー
ジＲＳ及び基板ステージＷＳの移動は、それぞれレチク
ルステージ制御ユニットＲＳＣ及び基板ステージ制御ユ
ニットにより制御される。露光動作の際には、照明光学
系３によりレチクルＲに対してＥＵＶ光を照射しつつ、
投影光学系ＰＬに対してレチクルＲ及び感光基板Ｗを、
投影光学系ＰＬの縮小倍率により定まる所定の速度比で
移動させる。これにより、感光基板Ｗ上の所定のショッ
ト領域内には、レチクルＲのパターンが走査露光され
る。

【００５３】なお、本実施形態において、σ絞りＡＳ
１、可変開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳは、ＥＵＶ光を十
分に遮光するために、Ａｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属から構
成されることが好ましい。また、以上述べた各反射鏡の
表面の反射面は、ＥＵＶ光を反射するために反射膜とし
ての多層膜が形成されている。この多層膜は、モリブデ
ン、ルテニウム、ロジウム、珪素、珪素酸化物のうちの
複数の物質を積層させて形成されている。

【００５４】《実施例》以下、本発明に係る投影光学系
の数値実施例について説明する。図１は第１実施例の投
影光学系ＰＬの横断面の光路図であり、図４は第２実施
例の投影光学系ＰＬの横断面の光路図である。なお、図
１及び図４において、横断面における光束の幅のみを示
している。

【００５５】ここで、図１に示す第１実施例に係る投影
光学系ＰＬは前述した通りである。一方、図４に示す第
２実施例に係る投影光学系ＰＬ２の各反射鏡の構成及び
配置は、第１実施例の投影光学系ＰＬと同じである。す
なわち、第１及び第２実施例の投影光学系ＰＬは、第１
面Ｒ上の物体の縮小像を第２面ＩＭ上に結像する第１反
射光学系１０と、第２面ＩＭ上の像を第３面Ｗ上に縮小
結像する第２反射光学系２０とを備えており、第３面Ｗ
上に第１面Ｒの物体の縮小像を形成するようになってい
る。第１反射光学系１０及び第２反射光学系２０は、第
１面Ｒと第３面Ｗとの間に、第２反射光学系２０が第１
反射光学系１０より第３面Ｗ側に配置されるように光軸
ＡＸに沿って直列に配置されており、第１反射光学系１
０は、凹面状の反射面を持つ第１反射鏡Ｍ１と凹面状の
反射面を持つ第２反射鏡Ｍ２とよりなる第１ミラー対か
らなり、第２反射光学系２０は、凹面状の反射面を持つ
第３反射鏡Ｍ３と凹面状の反射面を持つ第４反射鏡Ｍ４
とよりなる第２ミラー対と、凸面状の反射面を持つ第５
反射鏡Ｍ５と凹面状の反射面を持つ第６反射鏡Ｍ６とよ
りなる第３ミラー対とからなり、第４反射鏡Ｍ４の頂点
が第１反射鏡Ｍ１の頂点より第３面Ｗ側に配置され、第
３反射鏡Ｍ３の頂点と第４反射鏡Ｍ４の頂点との間に第
６反射鏡Ｍ６の頂点が配置され、第５反射鏡Ｍ５の頂点
と第６反射鏡Ｍ６の頂点との間に、第３反射鏡Ｍ３の頂
点が配置されている。

【００５６】また、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６は、共通の光軸
ＡＸ状に沿って互いに共軸となるように配置されてお
り、さらに、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３との間の
光路上でも中間像が形成される位置ＩＭには、視野絞り
ＦＳが配置されている。また、光軸ＡＸ上であって第１
反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２との間の光路中には開口絞
りＡＳが配置されている。

【００５７】そして、第１面Ｒからの光ＥＬは、第１ミ
ラー対を経由した後に第２面ＩＭ上に中間像（縮小像）
を形成し、この中間像からの光は第３反射鏡Ｍ３及び第
４反射鏡Ｍ４の順で第２ミラー対を反射し、第２ミラー
対を反射した光は第５反射鏡Ｍ５及び第６反射鏡Ｍ６の
順で第３ミラー対を反射して第３面Ｗへ導かれ、この第
３面Ｗ上にて縮小像が形成される。

【００５８】ところで、第１及び第２実施例における各
反射鏡は光軸ＡＸに関して回転対称な非球面形状を有し
ており、この非球面形状は次式で表される。

【００５９】

【数１】

【００６０】ここで、 Ｙ：中心接平面から非球面までの距離 ｃ：中心曲率（近軸領域での中心曲率） ｒ：光軸からの距離 ｋ：コニック係数 Ａ：４次の非球面係数 Ｂ：６次の非球面係数 Ｃ：８次の非球面係数 Ｄ：１０次の非球面係数 である。

【００６１】なお、第１実施例の投影光学系ＰＬは、Ｅ
ＵＶ光の波長（露光波長）が１３．４ｎｍ、縮小倍率｜
β｜が１／４倍、像側の開口数ＮＡが０．２５、最大物
体高は１２０ｍｍであり、露光領域は半径３０ｍｍで幅
０．８ｍｍの輪帯形状を有している。ここで、走査露光
を行うことにより、全体として２６×３３ｍｍのショッ
ト領域に対して露光を行うことができる。また、物体面
としての第１面Ｒと最終像面としての第３面Ｗとの間の
距離は１２５６．０ｍｍであり、複数の反射鏡Ｍ１〜Ｍ
６の有効径のうち、最大有効径は３５０ｍｍである。

【００６２】また、第２実施例の投影光学系ＰＬは、Ｅ
ＵＶ光の波長（露光波長）が１３．４ｎｍ、縮小倍率｜
β｜が１／４倍、像側の開口数ＮＡが０．２５、最大物
体高は１２０ｍｍであり、露光領域は半径３０ｍｍで幅
０．８ｍｍの輪体形状を有している。ここで、走査露光
を行うことにより、全体として２６×３３ｍｍのショッ
ト領域に対して露光を行うことができる。また、物体面
としての第１面Ｒと最終像面としての第３面Ｗとの間の
距離は１２８６．０ｍｍであり、複数の反射鏡Ｍ１〜Ｍ
６の有効径のうち、最大有効径は３５６ｍｍである。

【００６３】以下の表１〜表４に、第１及び第２実施例
の投影光学系ＰＬの諸元の値を示す。表１及び表３にお
いて、左端には各反射面の面番号が示されている。ま
た、ＲＤＹは各光学面の曲率半径を示しており、ＴＨＩ
は各反射面間の面間隔を示している。そして、ＲＤＹの
列には各反射面の近軸曲率半径が示されており、ＴＨＩ
の列には各面間隔が示されている。また、表１及び表３
中において、Ｄ０は第１面Ｒ（レチクル面）から最も第
１面Ｒ側の光学面（この場合、第１反射鏡Ｍ１）までの
距離、ＷＤは最も第３面Ｗ側の光学面（この場合、第６
反射鏡Ｍ６）から第３面（最終像面）Ｗまでの距離、β
は第１面Ｒ側から投影光学系へ光が入射するときの投影
光学系の横倍率、ＮＡは第３面Ｗ側の開口数をそれぞれ
表している。なお、表１及び表３において、近軸曲率半
径ＲＤＹの符号は第１面Ｒ側に向けて凸となる場合を正
とし、面間隔ＴＨＩは反射面の前後で符号が反転するも
のとする。

【００６４】また、表２及び表４に、第１及び第２実施
例の各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の非球面データを示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【表２】

【００６７】

【表３】

【００６８】

【表４】

【００６９】表５に、第１及び第２実施例における各反
射鏡Ｍ１〜Ｍ６のペッツバール値ｐ１〜ｐ６を示す。

【００７０】

【表５】

【００７１】図３及び図５に、第１及び第２実施例の投
影光学系ＰＬの第１面Ｒ上でのコマ収差図を示す。この
コマ収差図は、波長１３．４ｎｍの光を用いて第３面Ｗ
側から光線追跡することにより得られている。ここで、
図３（ａ）は物体高Ｙ＝１２１．６ｍｍにおけるメリジ
オナル方向のコマ収差図、図３（ｂ）は物体高Ｙ＝１２
０．０ｍｍにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図
３（ｃ）は物体高Ｙ＝１１８．４ｍｍにおけるメリジオ
ナル方向のコマ収差図、図３（ｄ）は物体高Ｙ＝１２
１．６ｍｍにおけるサジタル方向のコマ収差図、図３
（ｅ）は物体高Ｙ＝１２０．０ｍｍにおけるサジタル方
向のコマ収差図、図３（ｆ）は物体高Ｙ＝１１８．４ｍ
ｍにおけるサジタル方向のコマ収差図である。同様に、
図５（ａ）は物体高Ｙ＝１２１．６ｍｍにおけるメリジ
オナル方向のコマ収差図、図５（ｂ）は物体高Ｙ＝１２
０．０ｍｍにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図
５（ｃ）は物体高Ｙ＝１１８．４ｍｍにおけるメリジオ
ナル方向のコマ収差図、図５（ｄ）は物体高Ｙ＝１２
１．６ｍｍにおけるサジタル方向のコマ収差図、図５
（ｅ）は物体高Ｙ＝１２０．０ｍｍにおけるサジタル方
向のコマ収差図、図５（ｆ）は物体高Ｙ＝１１８．４ｍ
ｍにおけるサジタル方向のコマ収差図である。

【００７２】図３及び図５から明らかなように、第１及
び第２実施例の投影光学系は、ＥＵＶ光の１３．４ｎｍ
の単波長において、球面収差、コマ収差ともほぼ無収差
に近い状態まで良好に補正されている。

【００７３】なお、上記第１及び第２実施例では、各反
射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面を光軸ＡＸに関して回転対称な
高次非球面形状としているため、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６に
て発生する高次収差を補正して良好な結像性能を達成し
ている。ここで、各反射鏡の反射面の面形状誤差や投影
光学系の製造時における組み立て誤差等に起因する回転
非対称な収差成分を補正するために、回転対称非球面を
回転非対称な非球面としてもよい。

【００７４】本実施形態の露光装置として、マスクと基
板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板
を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート
型の露光装置にも適用することができる。

【００７５】露光装置の用途としては半導体製造用の露
光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプ
レートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光
装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも
広く適当できる。

【００７６】基板ステージやレチクルステージにリニア
モータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮
上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた
磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージ
は、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイド
を設けないガイドレスタイプでもよい。

【００７７】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。

【００７８】レチクルステージの移動により発生する反
力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されている
ように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃
がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光
装置においても適用可能である。

【００７９】レチクルステージの移動により発生する反
力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されている
ように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃
がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光
装置においても適用可能である。

【００８０】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。

【００８１】半導体デバイスは、図６に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設
計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するス
テップ２０２、シリコン材料からウエハを製造するステ
ップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりレチク
ルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ２
０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボ
ンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査
ステップ２０６等を経て製造される。

【００８２】

【発明の効果】本発明の投影光学系によれば、各反射鏡
での光束の広がりを小さく抑えることができるので、各
反射鏡の径を小さく抑えつつ良好な結像性能を得ること
ができる。また、用いられる反射鏡は６枚と少ないの
で、この投影光学系を露光装置に適用した場合、露光光
の光量の低下の恐れは低減されるとともに、反射面の面
形状誤差による結像性能の劣化を招く恐れも低減され
る。さらに、収差補正は、各反射鏡の反射面の形状の調
整のほかに、開口絞りの光軸方向の位置の調整によって
も行うことができ、自由度の高い収差補正を行うことが
できる。

【００８３】本発明の露光装置及び露光方法によれば、
良好に収差補正され優れた結像性能を有する投影光学系
を用いて露光処理が行われるので、微細なパターンでも
精度良く形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の投影光学系の第１実施例を説明するた
めの横断面の光路図である。

【図２】本発明の投影光学系を備えた露光装置を説明す
るための構成図である。

【図３】第１実施例のコマ収差図である。

【図４】本発明の投影光学系の第２実施例を説明するた
めの横断面の光路図である。

【図５】第２実施例のコマ収差図である。

【図６】半導体デバイスの製造工程の一例を説明するた
めのフローチャート図である。

【符号の説明】 １０ 第１反射光学系 ２０ 第２反射光学系 ＡＳ 開口絞り ＡＸ 光軸 ＦＳ 視野絞り ＩＭ 第２面 Ｍ１ 第１反射鏡 Ｍ２ 第２反射鏡 Ｍ３ 第３反射鏡 Ｍ４ 第４反射鏡 Ｍ５ 第５反射鏡 Ｍ６ 第６反射鏡 ＰＬ 投影光学系 Ｒ 第１面（マスク、レチクル） Ｗ 第３面（感光基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１面上の物体を第２面上に結像する第
   １反射光学系と、 前記第２面上の像を第３面上に結像する第２反射光学系
   とを備え、 前記第３面上に前記第１面の物体の縮小像を形成する投
   影光学系において、 前記第１反射光学系及び前記第２反射光学系は、前記第
   １面と前記第３面との間に、該第２反射光学系が前記第
   １反射光学系より前記第３面側に配置されるように所定
   の光軸に沿って直列に配置されており、 前記第１反射光学系は、凹面状の反射面を持つ第１反射
   鏡と凹面状の反射面を持つ第２反射鏡とよりなる第１ミ
   ラー対からなり、 前記第２反射光学系は、所定形状の反射面を持つ第３反
   射鏡と凹面状の反射面を持つ第４反射鏡とよりなる第２
   ミラー対と、凸面状の反射面を持つ第５反射鏡と凹面状
   の反射面を持つ第６反射鏡とよりなる第３ミラー対とか
   らなり、 前記第４反射鏡の頂点が前記第１反射鏡の頂点より前記
   第３面側に配置され、 前記第３反射鏡の頂点と前記第４反射鏡の頂点との間に
   前記第６反射鏡の頂点が配置されており、 前記第１面からの光は、前記第１ミラー対を経由した後
   に前記第２面上に中間像を形成し、該中間像からの光は
   前記第３反射鏡及び前記第４反射鏡の順で前記第２ミラ
   ー対を反射し、前記第２ミラー対を反射した光は前記第
   ５反射鏡及び前記第６反射鏡の順で前記第３ミラー対を
   反射して前記第３面へ導かれることを特徴とする投影光
   学系。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の投影光学系において、 前記第５反射鏡の頂点と前記第６反射鏡の頂点との間
   に、前記第３反射鏡の頂点が配置されていることを特徴
   とする投影光学系。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の投影光学系にお
   いて、 前記第１、第３及び第５反射鏡は、各反射面が前記第１
   面側に向くようにそれぞれ配置され、 前記第２、第４及び第６反射鏡は、各反射面が前記第３
   面側に向くようにそれぞれ配置されていることを特徴と
   する投影光学系。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載の投
   影光学系において、 前記第１〜第６反射鏡は、前記所定の光軸に対して同軸
   に配置されていることを特徴とする投影光学系。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の投
   影光学系において、 前記第１ミラー対を構成する前記第１反射鏡及び第２反
   射鏡のそれぞれの頂点の間に開口絞りを備え、 前記開口絞りは、該開口絞りに入射する光束の全周を囲
   む形状であることを特徴とする投影光学系。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の投影光学系において、 前記開口絞りは、前記第３面側がテレセントリックとな
   るように設定されていることを特徴とする投影光学系。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一項に記載の投
   影光学系において、 前記第１反射鏡の近軸領域での曲率をｐ１、前記第２反
   射鏡の近軸領域での曲率をｐ２、前記第３反射鏡の近軸
   領域での曲率をｐ３、前記第４反射鏡の近軸領域での曲
   率をｐ４、前記第５反射鏡の近軸領域での曲率をｐ５、
   前記第６反射鏡の近軸領域での曲率をｐ６とするとき、 −０．００５＜（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ５＋ｐ
   ６）＜０．００５ の条件を満足することを特徴とする投影光学系。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか一項に記載の投
   影光学系において、 前記第２面上に視野絞りを備えることを特徴とする投影
   光学系。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか一項に記載の投
   影光学系において、 前記第１及び第２反射光学系は、それぞれ縮小倍率を有
   することを特徴とする投影光学系。
10. 【請求項１０】 マスクに露光光を照明し、該マスクに
    形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板
    上に投影する露光装置において、 前記投影光学系は、請求項１〜請求項９のいずれか一項
    に記載の投影光学系によって構成されていることを特徴
    とする露光装置。
11. 【請求項１１】 マスクに露光光を照明し、該露光光に
    基づいて前記マスクに形成されたパターンの像を感光基
    板上に形成する露光方法において、 請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の投影光学系
    を用いて前記パターンの像を前記感光基板上に形成する
    ことを特徴とする露光方法。