JP2001527096A - ビニルシクロヘキサン系ポリマー - Google Patents

ビニルシクロヘキサン系ポリマー

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、主としてシンジオタクチック配置を有するビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）系ポリマーおよびコポリマー、光学材料、成形体およびフィルムとしてその使用に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、主としてシンジオタクチックの配置を有するビニルシクロヘキサン
（ＶＣＨ）系ポリマーおよびコポリマー、その製造方法ならびに光学材料として
のその使用に関する。本発明の物質は、押出または射出成形によって成形品に加
工され、光データ記憶媒体、例えばコンパクトディスク、ビデオディスク、書き
換え型光ディスクのための基材として特に適している。
【０００２】 （背景技術） 透明プラスチック、例えば芳香族ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレー
トまたはポリスチレンは、光データ記憶媒体のための基材として使用されうる。
エチレンおよびノルボルネン誘導体またはテトラシクロドデセン誘導体を有する
付加コポリマーならびにノルボルネンまたはテトラシクロドデセンを有する開環
複分解ポリマーの水素化生成物も考えられる。
【０００３】 しかしながら、非常に高いデータ記憶密度（直径１２０ｍｍのディスクに関し
て５ギガバイトを超える、特に１０ギガバイトを超える）に対して、現状の基材
物質は、制限なしに使用できない。充分な機械的性質および低い溶融粘度に加え
て、この目的のためには、非常に低い複屈折および吸水性、高い熱撓み温度が同
時に要求される。
【０００４】 芳香族ポリカーボネートは、非常に良好な機械的性質を有するが、熱撓み温度
、複屈折および吸水性が高すぎる。 ポリスチレンの複屈折は高すぎ、その熱撓み温度は低すぎる。 ポリメチルメタクリレートの吸水性は高すぎ、その寸法安定性は低すぎる。 エチレンおよび非極性ノルボルネンまたはテトラシクロドデセンの付加コポリ
マーの複屈折は低く、実質的に吸水性を有さない。
【０００５】 しかしながら、これらの物質は、製造するのに非常にコストがかかる。非常に
苦労して、これらの物質が、光学的に純粋な質で製造されうる。ゲル含有物の存
在が、光学材料とのしての用途を減少させる。触媒および共触媒の分離にかなり
の技術が費やされる。
【０００６】 アルケニル芳香族炭化水素化合物を含んでなるポリマーまたはそれらのコポリ
マーの水素化生成物を含んでなる光学材料は、イギリス特許第９３３，５９６号
（＝ドイツ特許出願公告第１ １３１ ８８５号）、欧州特許出願公開第３１７
２６３号、米国特許第４，９１１，９６６号および米国特許第５，１７８，９
２６号に記載されている。配置については記載されていない。
【０００７】 Hermann Staudingerは、１９２９年にポリスチレンの水素化を提唱した最初の
人であった。最近の特許文献は、ポリビニルシクロヘキサンおよび／または水素
化ポリスチレンの基本的ミクロ構造に関係している。従来技術では、アモルファ
スビニルシクロヘキサンポリマーは、アタクチック配置を有し、結晶質ＶＣＨ（
ビニルシクロヘキサン）ポリマーは、アイソタクチックまたはシンジオタクチッ
ク配置のどちらかを有する（欧州特許出願公開第０ ３２２ ７３１号、欧州特
許出願公開第０ ４２３ １００号、米国特許第５，６５４，２５３号、米国特
許第５，６１２，４２２号、ＷＯ ９６／３４８９６）。アイソタクチックＰＶ
ＣＨ（ポリビニルシクロヘキサン）は、チーグラー触媒の存在下で、製造され、
高い融点を有する（J. Polym. Sci.,A2, 5029 (1964)）。欧州特許出願公開第０
３２２ ７３１号は、シンジオタクチックポリスチレンの水素化によるシンジ
オタクチック配置を有するビニルシクロヘキサンポリマーは、結晶質であり、ダ
イアドの量は、少なくとも７５％であり、ペンタドの量は少なくとも３０％であ
ることが記載されている。ＷＯ ９４／２１６９４は、水素化ポリ（アルケニル
−芳香族）ポリマーおよびポリ（アルケニル−芳香族）／ポリジエンブロックコ
ポリマーの製造方法が記載されている。シンジオタクチックポリスチレンは明確
には記載されていない。
【０００８】 これまでに既知の実質的な特性を有するアイソタクチック、シンジオタクチッ
クおよびアタクチック水素化ポリスチレンを導く方法が、ＷＯ ９４／２１６９
４、米国特許第５，３５２，７４４号に記載され、そこでは特殊な触媒が使用さ
れている。特殊な触媒を使用することにより、アタクチック水素化ポリスチレン
を製造するアタクチックポリスチレンの水素化方法が、米国特許第５，６５４，
２５３号、米国特許第５，６１２，４２２号、ＷＯ ９６／３４８９６に記載さ
れている。
【０００９】 アタクチックポリマーは、普通のポリマーである。定義によれば、アタクチッ
クポリマーは、分子から分子への理想ランダム分布を伴なって、可能な配置の基
本単位を等しい量で有する（ＩＵＰＡＣ）。アタクチックポリマーは、同じ数の
アイソタクチックダイアドとシンジオタクチックダイアドによって特徴づけられ
る。ガラス状態だけを有し、結晶質含有物を有さないアモルファス物質が記載さ
れている。
【００１０】 （発明の開示） 本発明は、オレフィン、アクリル酸誘導体、マレイン酸誘導体、ビニルエーテ
ルまたはビニルエステルが、製造段階でコモノマーとして使用され、シンジオタ
クチック配置を有するビニルシクロヘキサン系ポリマーまたはコポリマーであっ
て、ダイアドの量が、５０．１％〜７４％であることを特徴とするポリマーを提
供する。ビニルシクロヘキサン系ポリマーはアモルファスポリマーである。
【００１１】 本発明によるポリマーは、高い透明性、低い複屈折および高い熱撓み温度によ
って特徴づけられ、それゆえに、光データ記憶媒体のための基材材料として使用
されうる。既知のアイソタクチックＰＶＣＨは、その結晶質故に、光学用途には
適していない。
【００１２】 本発明は、過剰のラセミ体（シンジオタクチック）ダイアドを有するアモルフ
ァス水素化ポリスチレンを導くポリスチレンの水素化生成物を提供する。 本発明のビニルシクロヘキサンポリマーは、ラセミ体ダイアド配置の主とした
存在によって特徴づけられ、上記の方法によって効率よく製造される定義された
立体規則性を有する新規なアモルファスポリマーである。
【００１３】 ビニルシクロヘキサン系ポリマーは、好ましくは、式（Ｉ）：
【化２】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、水素原子またはＣ1−Ｃ6アルキル、
好ましくはＣ1−Ｃ4アルキルを示し、 Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、水素原子またはＣ1−Ｃ6アルキル、好ましく
はＣ1−Ｃ4アルキル、特にメチルおよび／またはエチルを示すか、あるいは、Ｒ 3 およびＲ4が、結合してアルキレン、好ましくはＣ3またはＣ4アルキレン（縮合
５または６員脂環式環）を示し、 Ｒ5は、水素原子またはＣ1−Ｃ6アルキル、好ましくはＣ1−Ｃ4アルキルを示す 。］ で示される繰り返し構造単位を有する。 Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、互いに独立して、特に水素またはメチルを示す。
【００１４】 立体規則性頭−尾結合の他に、結合は、少量の頭−頭結合を有してよい。主と
してシンジオタクチックのアモルファスビニルシクロヘキサン系ポリマーは、中
心を介して分岐してよく、例えば星型構造を有してよい。
【００１５】 以下のモノマーは、出発ポリマー（要すれば置換ポリスチレン）の重合におい
て好ましく使用され、コモノマーとしてポリマー中に組み込まれ得る：２〜１０
個の炭素原子を有するオレフィン（例えば、エチレン、プロピレン、イソプレン
、イソブチレン、ブタジエン）、アクリル酸および／またはメタクリル酸のＣ1 −Ｃ8（好ましくは、Ｃ1−Ｃ4）アルキルエステル、不飽和環脂式炭化水素（例 えば、シクロペンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、要すれば置
換されたノルボルネン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロシクロペンタジエン、
要すれば置換されたテトラシクロドデセン、核アルキル化スチレン、α−メチル
スチレン、ジビニルベンゼン、ビニルエステル、ビニル酸、ビニルエーテル、酢
酸ビニル、シアン化ビニル（例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル）
、無水マレイン酸、これらのモノマーの混合物。
【００１６】 本発明によるアモルファスビニルシクロヘキサンポリマーは、二次元ＮＭＲ分
光法によって決定されるシンジオタクチックダイアド含量５０．１〜７４％、好
ましくは５２〜７０％を有する。ポリマー主鎖のメチレン炭素原子の13Ｃ−1Ｈ 相関分光法を使用するミクロ構造解析方法が、一般に既知であり、例えばA.M.P.
RosおよびO. Sudmeijerによって記載されている（A.M.P. Ros, O. Sudmeijer,
Int. J. Polym. Anal. Charakt. (1997)4,39)。
【００１７】 結晶性アイソタクチックおよびシンジオタクチックポリビニルシクロヘキサン
のシグナルは、二次元ＮＭＲ分光法によって決定される。アイソタクチックポリ
ビニルシクロヘキサンのメチレン炭素原子（ポリマー主鎖中）は、２−Ｄ ＣＨ
相関スペクトルで、２つの離れたプロトンシグナルに分裂し、純粋なアイソタク
チックダイアド配置を示す。対照的に、炭素原子Ｃ１については、シンジオタク
チックポリビニルシクロヘキサンは、２−Ｄ ＣＨ相関スペクトルで１つのシグ
ナルだけを示す。本発明のシンジオタクチックに富むアモルファスポリビニルシ
クロヘキサンは、アイソタクチックダイアド配置に対してシンジオタクチックダ
イアドの積分強度過剰を有する。
【００１８】 これらの物質で決定される複屈折は、−０．３ＧＰａ-1のレオ−オプチカル定
数（rheo-optishen Konstante)ＣRを用いて測定され、その値より、ポリカーボ ネートの値（ＣR＝＋５．４ＧＰａ-1）は１０1以上高い。レオ−オプチカル定数
の測定方法は、欧州特許出願公開第０ ６２１ ２９７号に記載されている。こ
の目的のために要求される平面平行１５０〜１０００μｍ試料体は、溶融圧縮成
形またはフィルム流延によって製造されうる。ポリカーボネートと比べて、この
物質は、複屈折がないものとみなし得る。この物質は、従来の機械的性質に加え
て、高い熱撓み温度、低い吸水性を有し、非常に高い光データ記憶密度（１２０
ｍｍ直径のディスクで１０ギガバイトを超える）にとって理想的な物質である。
【００１９】 一般に、ビニルシクロヘキサン（コ）ポリマーは、光散乱で決定される絶対分
子量Ｍｗ１０００〜１０００００００、好ましくは６００００〜１００００００
、特に好ましくは７００００〜６０００００を有する。 一般に、本発明によるビニルシクロヘキサン系ホモポリマーは、１４０℃を超
える、好ましくは１４５℃を超えるＤＳＣで決定されるガラス転移温度を有する
。
【００２０】 コポリマーは、ランダムでも、ブロックコポリマーとしても存在してよい。 ポリマーは、直鎖状構造およびコユニットによる分岐点を有してよい（例えば
、グラフトコポリマー）。分岐中心は、例えば星型または分岐状ポリマーを有し
得る。本発明のポリマーは、一級、二級、三級、要すれば四級ポリマー構造の他
の幾何学形状を有し得る。螺旋、二重螺旋、ひだ状シートなどおよび／またはこ
れらの混合が挙げられる。 ブロックコポリマーは、ジブロック、トリブロック、マルチブロックおよび星
型ブロックコポリマーを包含する。
【００２１】 ＶＣＨ（コ）ポリマーは、対応のモノマーとスチレン誘導体を、ラジカル、ア
ニオン、カチオンまたは金属錯体開始剤および／もしくは触媒によって重合し、
次いで、不飽和芳香族結合を部分的または完全に水素化して製造される（例えば
、ＷＯ９４／２１６９４、欧州特許出願公開第３２２ ７３１号参照）。ＶＣＨ
（コ）ポリマーは、本発明のビニルシクロヘキサン単位のシンジオタクチック配
置が主として存在することによって特徴づけられる。
【００２２】 ＶＣＨ（コ）ポリマーは、さらに、例えば、芳香族ポリスチレンおよび／また
はそれらの誘導体を触媒の存在下で水素化することによって製造されてよく、そ
こでは、エーテル基に隣接する炭素原子にはα−水素原子を有さないエーテル、
該エーテルの混合物、または水素化反応に適している溶媒と少なくとも１種の該
エーテルの混合物が、溶媒として使用される。
【００２３】 反応は、全溶媒の０．１〜１００％、好ましくは１〜６０％、特に５〜５０％
のエーテル成分の体積濃度で一般に行われる。エーテル成分は、共触媒として示
され得る。
【００２４】 その方法は、一般に芳香族単位の実質的に完全な水素化を導く。水素化度は、
通常８０％以上、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９９％以上、とりわけ
９９．５〜１００％である。水素化度は、例えばＮＭＲまたはＵＶ分光法によっ
て決定されうる。
【００２５】 出発ポリマーは、一般に既知である（例えば、ＷＯ ９４／２１ ６９４）。 式（Ｉ）：
【化３】 ［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、互いに独立して、直鎖または分岐状である
Ｃ1−Ｃ8アルキル、または要すればＣ1−Ｃ4アルキルによって置換されたＣ5− Ｃ6シクロアルキルを示し、あるいはＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4の２つの基が、３ 〜８個、好ましくは５個または６個の炭素原子を有する環を形成する。］ で示されるエーテルが溶媒として好ましく使用される。
【００２６】 メチルｔ−ブチルエーテル、エチルｔ−ブチルエーテル、プロピルｔ−ブチル
エーテル、ブチルｔ−ブチルエーテル、メチル（２−メチル−２−ブチル）エー
テル（ｔ−アミルメチルエーテル）、２−エトキシ−２−メチルブタン（エチル
ｔ-アミルエーテル）が特に好ましい。
【００２７】 使用される触媒の量は、行われる工程に依存し、工程は、連続的、半連続的ま
たは不連続的であってよい。 触媒とポリマーの比は、例えば不連続工程において、一般に０．３〜０．００
１、好ましくは０．２〜０．００５、特に好ましくは０．１５〜０．０１である
。 溶媒およびポリマーの合計重量に対するポリマー濃度は、一般に８０〜１重量
％、好ましくは５０〜１０重量％、特に４０〜１５重量％である。
【００２８】 出発ポリマーは、一般に既知の方法（例えば、ＷＯ ９４／２１ ６９４、ＷＯ
９６／３４ ８９５、欧州特許出願公開第３２２ ７３１号）を使用して水素化 される。多くの既知の水素化触媒は、触媒として使用されうる。好ましい金属触
媒は、例えばＷＯ ９４／２１ ６９４またはＷＯ ９６／３４ ８９６に記載され
ている。水素化反応に既知の触媒はいずれも、触媒として使用されうる。適した
触媒は、大きな表面積（例えば、１００〜６００ｍ2／ｇ）および小さい平均孔 寸法（例えば、２０〜５００Å）を有するものである。小さな表面積（例えば、
１０ｍ2／ｇ以上）および大きな平均孔直径を有する触媒であって、孔体積の９ ８％が、６００Å以上の孔直径（例えば、約１０００〜４０００Å）を有するこ
とを特徴とする触媒も適している。（例えば、米国特許第５，６５４，２５３号
、米国特許第５，６１２，４２２号、特願平３−０７６ ７０６号参照）。ラネ
ーニッケル、または二酸化珪素上のニッケルまたは二酸化珪素／酸化アルミニウ
ム、担体としての炭素上のニッケルおよび／または貴金属触媒、例えばＰｔ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄが特に使用される。
【００２９】 反応は、一般に０〜５００℃、好ましくは２０〜２５０℃、特に６０〜２００
℃の温度で行われる。 水素化反応に通常に使用されうる溶媒が、例えばドイツ特許出願公告第１ １ ３１ ８８５号に記載されている（上記参照）。 反応は、一般に１ｂａｒ〜１０００ｂａｒ、好ましくは２０ｂａｒ〜３００ｂ
ａｒ、特に４０ｂａｒ〜２００ｂａｒの圧力下で行われる。
【００３０】 本発明によるビニルシクロヘキサン系ポリマーまたはコポリマーは、好ましく
は１２０ｍｍ直径のディスクにつき５ギガバイトを超える、特に１０ギガバイト
を超えるデータ記憶密度を有する光データ記憶媒体を製造するのに特に適してい
る。
【００３１】 以下に、光データ記憶媒体の例として記載する： − 光磁気ディスク（MO-ディスク） − ミニディスク（ＭＤ） − ＡＳＭＯ（ＭＯ−７）（“Advanced storage magnetooptic”) − ＤＶＲ（１２ギガバイトディスク） − ＭＡＭＭＯＳ（“Magnetic Amplifying magneto optical system”） − ＳＩＬおよびＭＳＲ（“Solid immersion lens”および“magnetic superre
solution”） − ＣＤ−ＲＯＭ（リードオンリーメモリー） − ＣＤ、ＣＤ−Ｒ（recordable）、ＣＤ−ＲＷ（rewritable）、ＣＤ−Ｉ（in
teractive）、Ｐｈｏｔｏ−ＣＤ − Super Audio CD − ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ（recordable）、ＤＶＤ−ＲＡＭ（ランダムアクセスメ
モリー）、ＤＶＤ＝digital versatile disc(デジタル・バーサタイル・ディス ク) − ＤＶＤ−ＲＷ（rewritable） − ＰＣ＋ＲＷ（Phase change and rewritable） − ＭＭＶＦ（multimedia video file system）
【００３２】 優れた光学特性故に、本発明によるポリマーは、光学材料、例えばレンズ、プ
リズム、鏡、カラーフィルターなどの製造に特に適している。また、ホログラム
表示（例えば、小切手、クレジットカード、身分証明書、三次元ホログラムイメ
ージ）のための媒体としても適している。本発明の物質は、例えば焦点干渉性放
射（LASER)を有する三次元構造をインプットするための透過媒体として、特に三
次元データ記憶媒体としてまたは対象物の三次元表示のために使用されうる。
【００３３】 本発明の物質は、使用温度１４５℃までで、ガラスの代わりに、または一緒に
通常通り使用されうる。透明物質の外的用途は、例えば二重壁シートの形態での
、屋根、窓ガラス、フィルム、温室のガラス窓である。さらなる用途は、同時に
、高い透明性の故に、機械的感受性システム、例えば光起電分野、特に太陽電池
、太陽熱収集器を保護することも包含する。本発明によるプラスチックは、他の
物質（特に、引掻耐性を向上させるナノ粒子）、金属および他のポリマーによっ
て被覆されうる。
【００３４】 家庭用途の例は、低い透水性を有する透明包装材料、押出または射出成形によ
って製造される日用物品、例えばポットおよび容器である。家庭用電気器具およ
び透明ランプの笠もある。 耐熱性硬質発泡体として、プラスチックは、建築および生産分野（家屋および
電気器具、例えば冷蔵庫）において絶縁のために使用され、例えばポリスチレン
およびポリウレタン発泡体と置き換えてよい。高い長時間使用温度が有利である
。
【００３５】 低い密度（ｄ＜１）およびそのことに由来する重量の軽減から、本発明の物質
は、自動車、航空機および宇宙航空産業において、計器板、計器システムおよび
光源の透明カバー、積載されたガラスおよび絶縁材料の用途に適している。
【００３６】 この物質は、電流の絶縁体であり、それゆえに、コンデンサー（例えば、誘電
体）、電子回路および装置ハウジングの製造に適している。電気産業におけるさ
らなる用途は、適した放射源からの光と関連して、低い水吸収性、高い熱撓み温
度と高い光学透明性の組み合わせに基づく。それゆえに、この物質は、発光ダイ
オード、レーザーダイオード、有機、無機およびポリマーエレクトロルミネセン
ス物質のマトリックス、光電信号（オプトエレクトリカルシグナル）受信装置、
ガラス繊維の代替によるデータ送信システム（例えば、ポリマー光ファイバ）、
例えば液晶基材の電子ディスプレイ（スクリーン、ディスプレイ、映写装置）の
ための透明材料の製造に適している。
【００３７】 本発明の物質は、滅菌および非滅菌分析容器、例えばペトリ皿、ミクロフィル
タープレート、顕微鏡スライド、ホース、呼吸チューブ、コンタクトレンズ、眼
鏡レンズおよび注入溶液または薬剤溶液の容器のための透明押出または射出成形
品、血液に接触する用途のための、特に、注射器、カニューレ、カテーテル、短
期および長期移植体（例えば、人工レンズ）、血液用可撓性チューブ、血液解毒
用膜、透析器、酸素供給器、透明膏薬、貯蔵血液容器および外科用縫合材料を製
造するための押出および射出成形品について、医療産業における適用に適してい
る。
【００３８】 （実施例）実施例１ オートクレーブを不活性ガス（アルゴン）でフラッシした。ポリマー溶液およ
び触媒を添加した（表１）。密閉後、保護ガスを数回、次いで水素を適用した。
開放後、特定の水素圧力に設定し、攪拌しながら、対応の反応温度に加熱した。
水素吸収の開始後、水素圧力を一定に保った。 反応が終了した後、ポリマー溶液を濾過した。生成物をメタノール中で沈殿さ
せ、１２０℃で乾燥した。単離した生成物は、表２に示される物理特性を有して
いた。
【００３９】比較例Ａ シンジオタクチックポリビニルシクロヘキサン 還流冷却器を備えた充分に加熱した２５０ｍＬの３つ口フラスコ（アルゴン含
有）に、無水トルエン５０ｍＬ、メチルアルミノキサン（トルエン中の１０％溶
液）２０ｍＬ、シクロペンタジエニル三塩化チタン１６．５ｍｇ（０．０７５mm
ole)およびスチレン１０．４ｇ（０．１mole)を順次に添加した。反応混合物を ５０℃に加熱し、この温度に２時間保った。反応を、酸性メタノールを添加して
終了させた。ポリマーを数回２００ｍＬメタノールで洗浄し、８０℃で乾燥した
。 硫酸バリウム上のパラジウム１２．５ｇを水素によって還元し、不活性ガスに
よって不活性化した。１Ｌの圧力反応器を不活性ガスでフラッシした。シクロヘ
キサン中に溶解したシンジオタクチックポリスチレン２．５ｇおよび触媒をオー
トクレーブに添加した（表１）。水素圧を５０ｂａｒに設定し、バッチを２００
℃に加熱した。２４時間後、反応を終了し、放圧し、ポリマー溶液を濾過した。
濾液をメタノール中で沈殿させ、１２０℃の減圧下で乾燥した。単離された物質
は、表２に示される物理特性を有していた。
【００４０】比較例Ｂ アイソタクチックポリビニルシクロヘキサン 還流冷却器を備え、不活性ガスで充填され、充分に加熱された１Ｌの３つ口フ
ラスコに、無水トルエン１００ｍＬ、ビニルシクロヘキサン１２．５ｇ（０．１
１mole)およびトリエチルアルミニウム５mmoleを室温で添加した。 トルエン１２．５ｍＬ中のトリエチルアルミニウム（１Ｍ）１ｍＬおよび塩化
チタン（ＩＶ）（１Ｍ）２ｍＬを、８０℃で３０分間攪拌し、モノマー溶液に添
加した。 反応混合物を６０℃に加熱し、この温度で５０分間攪拌し、次いで８５℃で９
０分間保持した。重合を、エタノールを添加することによって終了した。生成物
をメタノール中で還流し、濾取し、メタノールおよびアセトンで洗浄した。ポリ
マーを６０℃の減圧下で乾燥した。生成物は、表２に示される物理特性を有して
いた。
【００４１】比較例Ｃ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを含有するポリカーボネート ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン系ポリカーボネート（Makr
olon CD 2005, Bayer AG)の１５０μｍの厚さのフィルムを、溶融圧縮成形によ って製造した。１４２℃のガラス転移温度および＋５．４ＧＰａ-1のレオ−オプ
チカル定数がこのフィルムで測定された（表２参照）。
【００４２】
【表１】 １）1Ｈ−ＮＭＲ分光法によって決定。 ２）ポリスチレン、タイプ１５８ｋ無色明澄、Ｍｗ＝２８００００ｇ／ｍｏｌｅ
、ＢＡＳＦ ＡＧ製、ドイツ Ludwigshafen。 ３）Ｎｉ／ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3、６４〜６７％ニッケル、Aldrich製。 ４）５％硫酸バリウム上のパラジウム、Aldrich製。
【００４３】
【表２】 １）ＤＳＣによって検出されず。 ２）試料が結晶質であるのでレオ−オプチカル定数ＣRが、測定できず。 ３）二次元核磁気共鳴分光法（２Ｄ−ＮＭＲ）によって決定。
【００４４】 本発明によるアモルファスポリビニルシクロヘキサン（実施例１）は、シンジ
オタクチックダイアドが主として存在することによって特徴づけられる。ポリカ
ーボネートと比較して、この物質は、同程度の高い撓み温度（ガラス転移温度）
を有しながら、値に関してかなり低いレオ−オプチカル定数ＣRを有していた。 この物質は、それゆえに高い光データ記憶密度に特に適している。結晶性および
低い透明性故に、上記のシンジオタクチックおよびアイソタクチック物質は光学
用途に適していない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ラルフ・デュヤルディン ドイツ連邦共和国デー−47877ヴィリッヒ、 ブリュッケンシュトラーセ16番 (72)発明者 ユン・チェン ドイツ連邦共和国デー−47800クレーフェ ルト、ボーデルシュヴィングシュトラーセ 12番 (72)発明者 ヨハン・レヒナー ドイツ連邦共和国デー−47906ケムペン、 フリードリッヒ−クラマー−シュトラーセ ２番 (72)発明者 フリードリッヒ−カール・ブルダー ドイツ連邦共和国デー−47800クレーフェ ルト、ボーデルシュヴィングシュトラーセ 20番 Ｆターム(参考） 4J100 AA02Q AA03Q AA07Q AA20P AB02Q AB16Q AG04Q AJ02Q AK32Q AL02Q AM02Q AR05Q AR09Q AR11Q AR17Q AR18Q AS02Q AS03Q CA01 CA04 FA19

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 製造に使用されうるコモノマーが、オレフィン、アクリル酸
    またはメタクリル酸のアルキルエステル、シクロペンタジエン、シクロヘキセン
    、シクロヘキサジエン、要すれば置換されたノルボルネン、ジシクロペンタジエ
    ン、ジヒドロシクロペンタジエン、要すれば置換されたテトラシクロドデセン、
    核アルキル化スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ビニルエステ
    ル、ビニル酸、ビニルエーテル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、メタクリロニ
    トリル、無水マレイン酸の群の少なくとも１つモノマーから選択されるシンジオ
    タクチック配置を有するビニルシクロヘキサン系のポリマーまたはコポリマーで
    あって、ダイアドの量が、５０．１％〜７４％であることを特徴とするポリマー
    。
  2. 【請求項２】 ダイアドの量が、５２〜７０％である請求項１に記載のポリ
    マー。
  3. 【請求項３】 ビニルシクロヘキサン系ポリマーが、式（Ｉ）： 【化１】 ［式中、Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、水素原子またはＣ1−Ｃ6アルキルを
    示すか、あるいは、Ｒ3およびＲ4が、結合してアルキレンを示し、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、互いに独立して、水素原子またはＣ1−Ｃ6アルキルを示 す。］ で示される繰り返し構造単位を有する請求項１に記載のポリマー。
  4. 【請求項４】 光データ記憶媒体、成形体およびフィルムを製造するための
    請求項１〜３のいずれかに記載のポリマーまたはコポリマーの使用。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載のビニルシクロヘキサン系ポリマーまたはコ
    ポリマーから得られる光データ記憶媒体。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載のビニルシクロヘキサン系ポリマーまたはコ
    ポリマーから得られる成形体およびフィルム。
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