JP2003500784A

JP2003500784A - 光学記憶媒体用基板

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Publication number: JP2003500784A
Application number: JP2000618975A
Authority: JP
Inventors: フォルカー・ヴェーゲ; フリードリッヒ−カール・ブルダー; ラルフ・デュヤルディン; チェン・ユン
Original assignee: Bayer AG; Teijin Ltd
Current assignee: Bayer AG; Teijin Ltd
Priority date: 1999-05-12
Filing date: 2000-05-02
Publication date: 2003-01-07
Also published as: EP1185981A1; BR0010493A; CA2373712A1; CN1363090A; DE19921943A1; ZA200108239B; KR20020002500A; WO2000070607A1; AU4560100A; HK1048389A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、ビニルシクロヘキサンホモポリマー、コポリマーおよびブロックポリマーをベースとする基板に関する。ここで、コモノマーは、オレフィン、アクリル酸誘導体、マレイン酸誘導体、ビニルエーテルおよびビニルエステル、またはそれらの混合物から成る群であって、少なくとも２種のコモノマーから選択される。本発明は、基板の慣性モーメントは、２８０〜５０ｇ・ｃｍ^２の範囲であり、密度は１〜０．８ｇ／ｃｍ^３である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】芳香族ポリカーボネート、ポリ(メチルメタクリレート)またはポリスチレンの
ようなプラスチックは、光学データメモリー用の基板として使用される。エチレ
ンとノルボルネン誘導体またはテトラシクロドデセン誘導体から形成される別の
コポリマーや、ノルボルネン-またはテトラシクロドデセンから形成される脱環
化複分解ポリマーの水素化生成物も適している。

【０００２】しかし、非常に高密度（直径１２０ｎｍのウェハーを基準として５ギガバイト
超、特に１０ギガバイト超）のデータ記憶では、制限無く使用できる普通の基板
材料がない。そのため、適度な機械特性と低い溶融粘度に加えて、非常に低い複
屈折率、非常に低い慣性モーメント、非常に低い水分吸着および高い加熱撓み温
度が同時に必要である。

【０００３】芳香族ポリカーボネートは、非常に良好な機械特性と加熱撓み温度を有するが
、複屈折率と水分吸着が高すぎる。

【０００４】ポリスチレンは、複屈折率が高すぎ、そして加熱撓み温度が低すぎる。

【０００５】ポリ(メチルメタクリレート)は、水分吸着が高すぎ、そして寸法安定性が低す
ぎる。

【０００６】エチレンと非極性ノルボルネン-またはテトラシクロドデセンから形成される
別のコポリマーは、低い複屈折率を有するが、ほとんど水分吸着しない。

【０００７】しかし、前記材料は製造コストが非常に高い。前記材料は、かろうじて光学的
な純度でのみ製造できる。同様に、ゲル成分の存在は、光学材料としてのその用
途を減らす。触媒と助触媒の除去は、かなりの技術費用を伴う。アシメトリー構
造の光学データ媒体（例えば、ＣＤ、ＭＯ、ＭＤ、ＡＳＭＯ、ＤＶＲ）の場合、
特に基板材料の水分吸着と、それと関係する膨潤が別の変形をもたらす（例えば
、チルト角の増加）。これは、読み出し信号（より大きなジターやより大きなク
ロストーク）に障害をもたらし、その結果、最大許容データ密度を許容できなか
ったり、あるいは高価な電子／光学補正モジュール（チルトサーボ）が必要とな
る（エフ・ブリューダー、アール・プラエットシュケ、エイチ・シュミット著、
日本応用物理学会誌第３７巻(1998年)2120頁）。

【０００８】特に情報層や保護層の界面での基板層の膨潤は、基板層から情報層を加速的に
分離する機械応力をもたらすことがある。

【０００９】本発明は、ビニル-シクロヘキサンのホモポリマーおよび／またはコポリマー
をベースとする基板に関する。ここで、コモノマーは、オレフィン、アクリル酸
誘導体、マレイン酸誘導体、ビニルエーテルおよびビニルエステルから成る群の
うち少なくとも１種、または少なくとも２種のコモノマーを含有するそれらの混
合物から選択される。ねじり振動から決定される基板の慣性モーメントは、一般
に２８０〜５０ｇ・ｃｍ^２、特に好ましくは２６０〜１００ｇ・ｃｍ^２、最も好
ましくは２５０〜１５０ｇ・ｃｍ^２であり、また密度は、１〜０．８ｇ・ｃｍ^３、好ましくは０．９８〜０．９０ｇ・ｃｍ^３である。

【００１０】本発明は、さらに、複屈折率によって非常に低い干渉を示す光学基板に関する
。本発明は、特に高度に焦点合わせができる光学物品の場合には（４５を超える
高い開口数）、直角となる角度とそれから２７°まで外れた角度での投射角の関
数としての基板への入射光の光路差が、一般には０〜６０ｎｍ、好ましくは０〜
５０ｎｍ、特に好ましくは０〜４０ｎｍであることを特徴とする。

【００１１】本発明の基板は、高い寸法安定性、高い透明度、低い複屈折率および高い加熱
撓み温度を特徴とし、そのため、光学データメモリー用の基板材料として著しく
適している。基板は、高い記憶密度を有する光学記憶媒体の製造に特に適してい
る。

【００１２】データ媒体の振動が、例えばポリカーボネートなどの現在用いられているデー
タ媒体に比べて低い。

【００１３】本発明の光学記憶媒体の予備的形成品の飽和水分吸着は、ＤＩＮ53 495に準拠
して測定した場合、一般には０．５％未満、好ましくは０．２％未満、特に好ま
しくは０．１％未満、特に０．０６％未満である。

【００１４】材料は、高い弾性率を有する。高い撓み強度は高い弾性率と関連しており、そ
れによって寸法安定性の良い基板ディスクが構成される。より薄い基板は、高い
開口数ＮＡと短いレーザ波長λを有する光学物品があまり重要にならないことか
ら、より高いデータ密度を可能にする（スポット直径〜λ／ＮＡ、ジー・ブーキ
ス、ジェイ・ブラート、エイ・ホイユサー、ジェイ・パスマン、ジー・ヴァン・
ロスマテン、ケイ・ションホイアー著、イムーク、プリンシプルズ・オブ・オプ
ティカル・ディスク・システムズ（アダム・ヒルガー・リミテッド、1995年））
。

【００１５】光学ディスクの高い回転速度では、情報層のわずかな拡張が放射方向に生じる
。これは、高いデータ密度の場合、情報の高い読み出しおよび書き込み信頼性に
おいて特に重要である。

【００１６】４００ｎｍ以長の波長における光学透過率は８９％以上である。そのため、本
発明の材料は、短波長および長波長の光に対して、特に３００〜８００ｎｍの波
長に好ましい光学材料である。

【００１７】光の入射角の関数として低い光路差を有する基板は、光電子光学的書き込みお
よび読み出し信号を高めるのに特に適しており、読み出しのみ可能なデータ媒体
用、書き込み可能なデータ媒体用、そして書き換え可能なデータ媒体用の理想的
な基板である。

【００１８】この材料は、高い加熱撓み温度Ｔｇを有しており、高い操作および作業温度を
可能にする。

【００１９】表面の前処理をするかあるいはしないで、他の材料を光学ディスク上に析出す
ることができる。必要に応じて、プラズマ加工や湿式化学処理が表面を改質する
のに特に適している。

【００２０】析出するのに好ましい材料は、金属、金属化合物および染料である。

【００２１】金属として特に適しているのは、アルミニウム、金、銀、銅、錫、亜鉛、ゲル
マニウム、アンチモン、テルル、テルビウム、セレン、鉄、コバルト、ガドリニ
ウム、およびこれらのアロイである。

【００２２】金属化合物として特に適しているのは、酸化錫、酸化ケイ素、窒化珪素化合物
、および硫化亜鉛である。

【００２３】染料として適しているのは、シアニン染料、フタロシアニン染料およびアゾ染
料である。

【００２４】前記材料は、スピンコーティングやスパッタ法によって適用できる。

【００２５】光学データメモリーとしては、以下のものが例として挙げられる。 −光磁気ディスク（ＭＯディスク） −ミニディスク（ＭＤ） −ＡＳＭＯ（ＭＯ−７）（「新型光磁気記憶(advanced storage magneto-optic)
」） −ＤＶＲ（１２ギガバイトディスク） −ＭＡＭＭＯＳ（「磁性増幅光磁気システム(magnetic amplifying magneto-opt
ical system)」） −ＳＩＬおよびＭＳＲ（「固体浸漬レンズ(solid immersion lens)」および「磁
気超解像度(magnetic superresolution)」） −ＣＤ−ＲＯＭ（読み取り専用メモリー） −ＣＤ、ＣＤ−Ｒ（記録可能）、ＣＤ−ＲＷ（書き換え可能）、ＣＤ−Ｉ（双方
向）、フォト−ＣＤ −スーパーオーディオＣＤ −ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ（記録可能）、ＤＶＤ−ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ
ー）；ＤＶＤ＝ディジタル・ヴァーサティル・ディスク −ＤＶＤ−ＲＷ（書き換え可能） −ＰＣ＋ＲＷ（相変化記録および書き換え可能） −ＭＭＶＦ（マルチメディア・ビデオ・ファイル・システム）

【００２６】式（Ｉ）の繰り返し構造単位を含むビニルシクロヘキサンをベースとするポリ
マーから形成される基板が好ましい。

【化２】（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立して、水素またはＣ_１-Ｃ_６アルキル、
好ましくはＣ_１-Ｃ_４アルキルを表し、Ｒ^３およびＲ^４は、互いに独立して、水
素またはＣ_１-Ｃ_６アルキル、好ましくはＣ_１-Ｃ_４アルキル、特にメチルおよび
／またはエチルを表すか、あるいはＲ^３およびＲ^４は、共同して、アルキレン、
好ましくはＣ_３またはＣ_４-アルキレン（融合した５員または６員の脂環式環）
を表し、そしてＲ^５は、水素またはＣ_１-Ｃ_６アルキル、好ましくはＣ_１-Ｃ_４ア
ルキルを表し、ここでＲ^１、Ｒ^２およびＲ^５は、互いに独立して、特に水素また
はメチルを表す。）

【００２７】立体規則性の頭−尾結合に加えて、結合は、少しの割合の頭−頭結合を表すこ
とがある。ビニルシクロヘキサンをベースとする非晶質の主にシンジオタクチッ
クのポリマーは、中心から分岐して、例えば星型構造を有することがある。

【００２８】出発ポリマー（任意に置換ポリスチレン）の重合では、以下のモノマーが、コ
モノマーとして好ましく使用されてポリマーに組み込まれる。例えば、エチレン
、プロピレン、イソプレン、イソブチレン、ブタジエンのような一般に炭素数２
〜１０のオレフィン、Ｃ_１-Ｃ_８アルキルエステル、好ましくはアクリル酸また
はメタクリル酸のＣ_１-Ｃ_４アルキルエステル、シクロペンタジエン、シクロヘ
キサン、シクロヘキサジエン、任意に置換されたノルボルネン、ジシクロペンタ
ジエン、ジヒドロシクロペンタジエン、任意に置換されたテトラシクロドデセン
のような不飽和脂環式炭化水素、環-アルキル化スチレン、αメチルスチレン、
ジビニルベンゼン、ビニルエステル、ビニル酸類、ビニルエーテル、酢酸ビニル
、アクリロニトリル、メタクリロニトリルのようなビニルシアニド、無水マレイ
ン酸、および前記モノマーの混合物。

【００２９】非晶質ビニルシクロヘキサンポリマーとしては、二次元ＮＭＲ分析で決定する
とシンジオタクチック二酸成分を５０．１〜７４％、好ましくは５２〜７０％の
範囲で有するものが使用される。ポリマー主鎖のメチレン炭素原子の^１３Ｃ-^１
Ｈ層間分析に基づく微細構造を解明する方法が一般に公知であり、例えば、エイ
・エム・ピー・ロスおよびオー・サドマイヤーの著書（エイ・エム・ピー・ロス
、オー・サドマイヤー著、インターナショナル・ジャーナル・オブ・ポリマー・ア
ナリティーク・カラクタリゼイション(1997年)４、39頁）に開示されている。

【００３０】流動光学定数Ｃ_Ｒに基づいて測定される基板で決定される複屈折率は、−０．
３ＧＰａ^−１と等しいかまたはそれ未満であり、この値は、ポリカーボネートの
値（Ｃ_Ｒ＝＋５．４ＧＰａ）よりも十倍以上小さい。流動光学定数を測定する方
法は、欧州特許出願公開第0621297号公報に開示されている。このために必要な
面平行１５０〜１０００μｍの試験片は、溶融加圧法またはフィルムキャスティ
ング法で製造される。ポリカーボネートと比較すると、本発明の材料は複屈折率
がないと考えられる。

【００３１】ビニルシクロへキサン(コ)ポリマーは、一般に、光散乱法で決定される絶対重
量平均分子量Ｍｗが１０００〜１０，０００，０００、好ましくは６０，０００
〜１，０００，０００、特に好ましくは７０，０００〜６００，０００である。

【００３２】特に好ましくは、ビニルシクロヘキサン(コ)ポリマーは、絶対分子量Ｍｗが７
０，０００〜４５０，０００ｇ／モル、特に１００，０００〜４５０，０００ｇ
／モルを有する。分子量分布は、好ましくは多分散度（ＰＤＩ＝Ｍｗ／Ｍｎ）が
１〜３であることを特徴とする。ここで、分子量が２０００までのオリゴマー成
分は、多分散度の計算には考慮に入れない。Ｍｗが３０００までのオリゴマー成
分は、ポリマーの重量に対して５％未満である。

【００３３】コポリマーは、ランダムコポリマーであっても、ブロックコポリマーであって
もよい。

【００３４】前記ポリマーは、直鎖構造を有していてよく、共同(co-)単位（例えば、グラ
フトコポリマー）に起因する分岐点を有していてもよい。分岐の中心は、例えば
星型または分岐ポリマーを含んで成る。本発明のポリマーは、１級、２級、３級
、任意に４級のポリマー構造のような上記以外の幾何学的な形態を有していても
よく、ヘリックス構造、２重構造、折畳みリーフ構造など、または前記構造の組
み合わせが挙げられる。

【００３５】スチレン−イソプレンコポリマーが特に好ましく、特にポリ(スチレン−ブロ
ック-コ-イソプレン)および星型ポリ(スチレン−ブロック-コ-イソプレン)が好
ましい。

【００３６】ブロックコポリマーは、２ブロックコポリマー、３ブロックコポリマー、多ブ
ロックコポリマーおよび星型ブロックコポリマーを包含する。

【００３７】ＶＣＨ(コ)ポリマーは、スチレンと対応モノマーとの誘導体の遊離基重合、ア
ニオン重合、カチオン重合、または金属錯体開始剤もしくは触媒を用いた重合の
後で、不飽和芳香族結合を完全にまたは部分的に水素化することによって生成さ
れる（例えば、国際特許出願公開第ＷＯ94/21694号公報および欧州特許出願公開
第322731号公報参照）。

【００３８】ＶＣＨ(コ)ポリマーは、更に、例えば芳香族ポリスチレンまたはその誘導体を
触媒の存在下で水素化することによっても生成できる。これに関連して、使用さ
れる溶媒としては、エーテル官能基と隣接する炭素原子上にα-水素原子を有し
ないエーテル、または前記エーテルの混合物、あるいは少なくとも１種の前記エ
ーテルと水素化反応に好適な溶媒との混合物が挙げられる。

【００３９】出発ポリマーは、一般に公知の方法で水素化される（例えば、国際特許出願公
開第ＷＯ94/21694号公報、同第ＷＯ96/34895号公報、欧州特許出願公開第322731
号公報）。多数の公知の水素化触媒が触媒として使用できる。好ましい金属触媒
は、例えば、国際特許出願公開第ＷＯ94/21694号公報または同第ＷＯ96/34896号
公報に記載されている。水素化反応の公知の触媒がいずれも触媒として使用でき
る。大きな表面積（例えば、１００〜６００ｍ^２／ｇ）と低い平均ポア直径（例
えば、２０〜５００Å）を有する触媒が適している。更に、小さな表面積（例え
ば、１０ｍ^２／ｇ以上）と、ポア体積の９８％が６００Å以上（例えば、約１０
００〜４０００Å）のポア直径のポアを含む大きな平均ポア直径の触媒も適して
いる（例えば、米国特許第5,654,253号公報、同第5,612,422号公報、特開平3-76
706号公報参照）。レーニーニッケル、シリカまたはシリカ／アルミナに担持さ
れたニッケル、担体としての炭素に担持されたニッケル、および／または貴金属
触媒、例えばＰｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄなどが特に使用される。

【００４０】反応は、一般に０〜５００℃、好ましくは２０〜２５０℃、特に６０〜２００
℃で行われる。

【００４１】水素化反応のための標準溶媒として使用される溶媒は、例えばドイツ特許出願
公開第1131885号公報に開示されている（上記参照）。

【００４２】前記反応は、一般には１バール〜１０００バール（すなわち、１×１０^５〜１
×１０^８Ｐａ）、好ましくは２０〜３００バール（すなわち、２×１０^６〜３×
１０^７Ｐａ）、特に４０〜２００バール（すなわち、４×１０^６〜２×１０^７Ｐ
ａ）の圧力において行われる。

【００４３】本発明の基板は、ビニルシクロヘキサンをベースとするホモポリマーおよび／
またはコポリマー、そして場合により通常使用される添加物（例えば、加工助剤
や安定化剤）を更に含有する熱可塑成形組成物から、前記組成物を２８０℃を超
える温度で加工することによって製造される。

【００４４】実施例実施例１４０リットルのオートクレーブに不活性ガス（窒素）を流す。ポリマー溶液と
触媒を添加する（表１）。シールした後、混合物を数回保護ガスに暴露し、次い
で水素に暴露する。空気を抜いた後、水素圧をそれぞれ確立して、適した反応温
度まで撹拌しながら加熱を行う。水素吸着が開始した後、反応圧を一定に保持す
る。ここで、反応時間は、混合物の加熱開始から、水素吸着が飽和値に向かうま
での時間をいう。

【００４５】反応が完了した後、ポリマー溶液をろ過する。ポリマー溶液をイルガノックス
ＸＰ420ＦＦ（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製、スイス、バーゼル）４０
００ｐｐｍで安定化させる。２４０℃で溶媒を蒸発させて、生成物を更に顆粒に
加工する。

【００４６】顆粒から、例えばショルダー・ロッドや光学ディスク、そして別の試験片を、
物理特性の決定のために射出成形によって製造する（表２）。

【００４７】

【表１】１）^１Ｈ−ＮＭＲ分析による決定２）ポリスチレン、タイプ158ｋ、ガラス−透明、Ｍｗ＝280,000ｇ／モル、ビー
エイエスエフ・アクチエンゲゼルシャフト製、ルートヴィッヒシャーフェン、ド
イツ３）Ｎｉ−ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３、Ｎｉ−5136Ｐ、エンゲルハード製、デ・ミー
ルン、オランダ

【００４８】実施例２ポリ(スチレン−ブロック-コ-イソプレン)の調製合成は、標準的な不活性ガス手順によって行う。無水シクロヘキサン138ｋｇ
を250リットル反応容器に導入する。無水スチレン6.3ｋｇを室温で反応容器に添
加する。温度を55℃に上げて、n-ブチルリチウム（n-ヘキサン中、23％）102ｍ
Ｌ（0.255モル）を反応容器に導入する。反応混合物を70℃に加熱して、30分間
撹拌する。

【００４９】無水イソプレン1.4ｋｇと無水スチレン6.3ｋｇを同時に反応容器に入れる。混
合物を70℃で２時間保持する。反応溶液を室温まで冷却し、2-プロパノール10ｇ
のシクロヘキサン500ｇ溶液を添加する。ポリマー溶液を、40〜45℃において真
空下で16.6重量％まで濃厚化する。

【００５０】実施例３水素化ポリ(スチレン−ブロック-コ-イソプレン)の調製ポリマー溶液（実施例２）22ｋｇを窒素下で40リットルオートクレーブに移す
。Ｎｉ−5136Ｐ（エンゲルハード製）421.5ｇを添加した後、オートクレーブを
数回窒素と水素にさらす。反応溶液を100バールで170℃まで加熱する。加熱状態
の後、圧力が一定となりかつ撹拌を２時間続けるまで、オートクレーブ加圧シス
テムを用いて150バールで反応を続ける。

【００５１】触媒をポリマー溶液から濾別する。ポリマー溶液をイルガノックスＸＰ420Ｆ
Ｆ（チバ・ガイギー製、スイス、バーゼル）4000ｐｐｍで安定化し、240℃で溶
媒を蒸発させて、更に顆粒として加工する。

【００５２】表２ビニルシクロヘキサンをベースとするポリマー１および３（実施例ＢおよびＣ）
と比較した、ポリカーボネートの実施例に基づく光学ディスク用の普通の基板材
料の物理特性

【表２】ビスフェノールＡポリカーボネート、バイエル・アクチエンゲゼルシャフト製、
マクロロンＣＤ2005 ＣＤ予備成形品は、ネットステイル・カンパニー製ディスクジェット600型射
出成形機で製造した。ＣＤ予備成形品：内径15ｍｍ、外径120ｍｍ、基板厚1.2ｍｍ^１）ＤＩＮ53 479方法Ａに準拠して決定した。^２）ＤＩＮ53 495に準拠して決定した。^３）ＤＩＮ53 455に準拠して決定した。^４）光路差は、偏光レンズを用いて測定した。^５）光学透過率は、測光用球体を備えたパーキン・エルマー製ラムダ900分光光
度計を用いて測定した。^６）示差走査熱量計（ＤＳＣ）で決定した。

【００５３】ビスフェノールＡ系ポリカーボネート（バイエル・アクチエンゲゼルシャフト
製、マクロロンＣＤ2005、ドイツ、レーフェルクーゼン）から製造されたＣＤ予
備成形品（ＣＤ基板）を比較例Ａとして使用し、実施例１および３のポリビニル
シクロヘキサンをベースとするポリマーから製造したＣＤ予備成形品を実施例Ｂ
およびＣとして使用する。ＣＤ予備成形品は、ネットステイル・カンパニー製デ
ィスクジェット600型射出成形機で製造される。比較例Ａの普通の基板材料（表
２）に比べて、実施例ＢおよびＣのＣＤ予備成形品は、高密度光学記憶媒体とし
ての用途が示されている。これには、低い慣性モーメント、低い水分吸着、高い
寸法安定性（高い弾性率）、低い密度、光の入射角の関数としての低い光路差、
短波長および長波長域での高い光学透過率、および低い複屈折率の重要な組み合
わせと同時に、高い加熱撓み温度が付随する。実施例Ｃは、光の入射角の関数と
しての非常に低い光路差に加えて、更に最適化される流動光学定数Ｃ_Ｒを示し、
そしてポリカーボネートレベルのガラス転移温度を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者フリードリッヒ−カール・ブルダードイツ連邦共和国デー−47802クレーフェルト、エン・デ・ジープ34番 (72)発明者ラルフ・デュヤルディンドイツ連邦共和国デー−47877ヴィリッヒ、ブリュッケンシュトラーセ16番 (72)発明者チェン・ユンドイツ連邦共和国デー−47800クレーフェルト、ボーデルシュヴィングシュトラーセ 12番Ｆターム(参考） 4J026 HA06 HB16 HD05 HD16 HE01 HE05 4J100 AA00Q AA20P AE02Q AG02Q AK00Q AL00Q CA04 DA61 DA62 DA63 JA32 JA36 5D029 KA13 KC07 KC09 KC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ビニルシクロヘキサンのホモポリマー、コポリマーおよび／
またはブロックポリマーをベースとする基板であって、コモノマーが、オレフィ
ン、アクリル酸誘導体、マレイン酸誘導体、ビニルエーテルおよびビニルエステ
ル、または少なくとも２種のコモノマーを含むそれらの混合物から成る群より選
択され、基板の慣性モーメントが２８０〜５０ｇ・ｃｍ^２であり、および密度が
１〜０．８ｇ／ｃｍ^３である基板。
【請求項２】慣性モーメントが２６０〜１００ｇ・ｃｍ^２である請求項１
記載の基板。
【請求項３】密度が０．９８〜０．９０ｇ／ｃｍ^３である請求項１または
２記載の基板。
【請求項４】式（Ｉ）の繰り返し構造単位を含有するビニルシクロヘキサ
ン(コ)ポリマーまたはビニルシクロヘキサン(コ)ポリマーの混合物をベースとす
る請求項１〜３のいずれかに記載の基板。【化１】（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立して、水素またはＣ_１-Ｃ_６アルキルを
表し、Ｒ^３およびＲ^４は、互いに独立して、水素またはＣ_１-Ｃ_６アルキルを表
すか、あるいはＲ^３およびＲ^４は、共同してアルキレンを表し、そしてＲ^５は、
水素またはＣ_１-Ｃ_６アルキルを表す。）
【請求項５】スチレン−イソプレンブロックポリマーおよび／またはコポ
リマーをベースとする基板。
【請求項６】基板への入射光の光路差が、直角となる角度およびそれから
２７°外れた角度における入射角の関数として０〜６０ｎｍである請求項１〜５
のいずれかに記載の基板。