JP2002537421A - ビニルシクロヘキサンベースポリマー - Google Patents

ビニルシクロヘキサンベースポリマー

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、アイソタクチック配置を優先的に有するビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）ベースポリマーおよびコポリマー並びに光学材料、成形品およびフィルムとしての該ポリマーおよびコポリマーの使用に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、アイソタクチック配置を優先的に有するビニルシクロヘキサン（Ｖ
ＣＨ）ベースポリマーおよびコポリマー、その製造方法および光学材料としての
その使用に関する。該物質は、押出または射出成形により加工することができ、
光学材料、プリズム、レンズおよびコンパクトディスクのための基材として特に
好適である。
【０００２】 （背景技術） 芳香族ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートまたはポリスチレンのよ
うな透明プラスチックは、光学材料のための基材として使用することができる。
エチレンおよびノルボルネン誘導体またはテトラシクロドデセン誘導体から形成
される付加コポリマー並びにノルボルネンまたはテトラシクロドデセンの開環メ
タセシスポリマー水素化生成物も、この目的のために好適である。
【０００３】 芳香族アルキレン炭化水素化合物のポリマーまたはそれらのコポリマーの水素
化生成物を含む光学材料は、GB 933,596(＝DE-AS 1 131 885)、EP-A 317 263、U
S 4,911,966 および US 5,178,926 に記載されている。しかし、それらの配置に
ついての言及は無い。
【０００４】 ポリスチレンの水素化は、１９２９年に Hermann Staudinger により初めて記
載された。より新しい特許文献は、ポリビニルシクロヘキサンまたは水素化ポリ
スチレンの基礎的な微細構造に関係する。最新の知識によれば、非晶質ビニルシ
クロヘキサンポリマーはアタクチック配置を有し、結晶質ＶＣＨ（ビニルシクロ
ヘキサン）ポリマーは、アイソタクチックまたはシンジオタクチック配置のいず
れかを有する（EP-A 0 322 731、EP-A 0 423 100、US-A 5,654,253、US-A 5,612
,422、WO 96/34896）。アイソタクチックＰＶＣＨ（ポリビニルシクロヘキサン
）は、チーグラー触媒存在下で製造され、高融点を有する（J. Polym. Sci., A2
, 5029(1964年)）。EP-A 0 322 731 は、シンジオタクチックポリスチレンの水
素化により製造される、シンジオタクチック配置を有するビニルシクロヘキサン
ポリマーは結晶質であり、ダイアドの量は少なくとも７５％であり、ペンタドの
量は少なくとも３０％であることを記載する。WO 94/21694 は、水素化芳香族ポ
リアルキレンポリマーおよび芳香族ポリアルケニルポリジエンブロックポリマー
の製造方法を記載する。シンジオタクチックポリスチレンは、一般的な程度での
み言及されている。
【０００５】 既知の材料特性を示すアイソタクチック、シンジオタクチックおよびアタクチ
ック水素化ポリスチレンを製造する方法は、WO 94/21694 および US-A 5,352,74
4 に記載されており、その中では特殊な触媒が使用される。特殊な触媒を使用す
るアタクチック水素化ポリスチレンを形成するアタクチックポリスチレンの水素
化方法は、US-A 5,564,253、US-A 5,612,422 および WO 96/34896 に記載されて
いる。
【０００６】 アタクチックポリマーは、通例のポリマーである。その定義によれば、アタク
チックポリマーは、配置可能な基本構成要素を、分子から分子への理想的ランダ
ム分布を伴って同量有する（IUPAC）。それらは、同数のアイソタクチックおよ
びシンジオタクチックダイアドにより特徴づけられる。それらは、単一のガラス
相を有し、結晶質要素を有さない非晶質物質として記載される。
【０００７】 （発明の開示） 本発明は、アイソタクチック配置を有するビニルシクロヘキサンベースポリマ
ーまたはコポリマーに関する。それらの製造のために、オレフィン、アクリル酸
誘導体、マレイン酸誘導体、ビニルエーテルまたはビニルエステルを使用するこ
とができ、それらは、ダイアドの量が５０．１％超７４％未満、最も好ましくは
５１〜７０％であることを特徴とする。これらのビニルシクロヘキサンベースポ
リマーは非晶質ポリマーである。
【０００８】 本発明のポリマーは、高透明性、低複屈折および高い加熱寸法安定性により特
徴づけられ、それゆえに、光学式データ貯蔵媒体のための基材物質として使用す
ることができる。チーグラー・ナッタ触媒を使用して製造され、７５％超の割合
のアイソタクチックダイアドを有する既知のアイソタクチックＰＶＣＨは、その
結晶性の故に、光学用途のために不適である（J. Polymer Sci, A2, 5029(1964
年))。
【０００９】 本発明は、過剰のアイソタクチックダイアドを有する非晶質水素化ポリスチレ
ンであるポリスチレンの水素化生成物に関する。 本発明のビニルシクロヘキサンポリマーは、限定された立体構造を有する新規
な非晶質ポリマーであり、アイソタクチックダイアド配置が優先的に存在するこ
とにより特徴づけられ、記載の方法により製造することができる。
【００１０】 （発明を実施するための最良の形態） 好ましいビニルシクロヘキサンベースポリマーは、式（I）：
【化２】 〔式中、 Ｒ1およびＲ2は相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基、好ましくはＣ1 〜Ｃ4アルキル基を表し、 Ｒ3およびＲ4は相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基、好ましくはＣ1 〜Ｃ4アルキル基、特にメチルおよび／またはエチル基を表すか、またはＲ3お
よびＲ4は共同して、アルキレン基、好ましくはＣ3またはＣ4アルキレン基（環
上に縮合した脂環式５員環または６員環）を表し、 Ｒ5は、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル基を表
し、 特に、Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は相互に独立に、水素またはメチル基を表す。〕 で表される反復構成単位を有する。
【００１１】 立体規則的な頭尾結合のほかに、結合は、少ない割合の頭頭結合を有し得る。
アイソタクチックが優先的なビニルシクロヘキサンベース非晶質ポリマーは、例
えば、分枝中心から分枝していても良く、星形構造も有し得る。
【００１２】 次のものを、出発ポリマー（任意に置換されていて良いポリスチレン）の重合
中にコモノマーとして使用することができ、該ポリマーに結合させることができ
る：例えば、一般に２〜１０個のＣ原子を有するオレフィン（例えば、エチレン
、プロピレン、イソプレン、イソブチレンまたはブタジエン）、アクリル酸また
はメタクリル酸のＣ1〜Ｃ8、好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキルエステル、不飽和脂環
式炭化水素（例えば、シクロペンタジエン、シクロへキセン、シクロヘキサジエ
ン、任意に置換されていて良いノルボルネン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロ
シクロペンタジエン、任意に置換されていて良いテトラシクロドデセン）、アル
キル化された環を有するスチレン、α-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ビ
ニルエステル、ビニル酸、ビニルエーテル、ビニルアセテート、シアン化ビニル
（例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル）および無水マレイン酸並び
にこれらモノマーの混合物。（ポリマーに対して）一般に６０質量％まで、好ま
しくは５０質量％まで、最も好ましくは４０質量％までのコモノマーを含ませる
ことができる。３０質量％までのコモノマーを有するビニルシクロヘキサンポリ
マー I が、とりわけ好ましい。
【００１３】 本発明の非晶質ビニルシクロヘキサンポリマーは、二次元ＮＭＲ分光法により
測定して、５０．１〜７４％、好ましくは５１〜７０％のアイソタクチックダイ
アド含有量を有する。ポリマー主鎖のメチレン炭素原子の13Ｃ-1Ｈ相関分光法を
用いて微細構造を解析する方法は、一般に既知であり、A.M.P Ros および O. Su
dmeijer により記載されている（A.M.P Ros、O. Sudmeijer、Int. J. Polym. An
al. Charakt. (1997年)、4, 39）。
【００１４】 二次元ＮＭＲ分光法により、結晶質アイソタクチックおよびシンジオタクチッ
クポリビニルシクロヘキサンのシグナルが測定される。アイソタクチックポリビ
ニルシクロヘキサンの（ポリマー主鎖中の）メチレン炭素原子は、２Ｄ-ＣＨ相
関スペクトルにおいて、２つの別のプロトンシグナルに分離し、純粋アイソタク
チックダイアド配置を示す。対照的に、アイソタクチックポリビニルシクロヘキ
サンは、２Ｄ-ＣＨ相関スペクトルにおいて、Ｃ１炭素原子の単一のシグナルを
示す。アイソタクチックリッチな非晶質ポリビニルシクロヘキサンは、シンジオ
タクチックダイアド配置に比べて過剰のアイソタクチックダイアドの積分シグナ
ル強度を示す。 最後に言及した物質は、高度の加熱寸法安定性および低吸水性を示すと同時に
、満足いく機械的特性を有し、それゆえ、光学用途のための理想的な物質である
。
【００１５】 ビニルシクロヘキサン(コ)ポリマーは、一般に１０００を超える、好ましくは
１５００〜４００,０００、最も好ましくは１５００〜３８０,０００の絶対重量
平均分子量Ｍｗ（光散乱により測定）を有する。 特に好ましい低分子量のビニルシクロヘキサン(コ)ポリマーは、１５００〜２
０,０００の絶対(重量平均)分子量を有するものである。
【００１６】 本発明のビニルシクロヘキサンベースホモポリマーは、一般に９０℃を超える
、好ましくは９５℃を超えるガラス転移点（ＤＳＣにより測定）を有する。 コポリマーは、ランダムコポリマーまたはブロックコポリマーのいずれかとし
て存在し得る。
【００１７】 ポリマーは、直鎖構造または共構成単位による分枝配置（例えば、グラフトコ
ポリマー）を有し得る。分枝中心は、例えば、星形または分枝ポリマーを構成す
る。本発明のポリマーは、他の幾何形態（第１級、第２級、第３級または所望に
より第４級ポリマー構造）を有することができ、その例は、らせん、二重らせん
、折りたたみラメラ等またはこれらを混合した構造を含む。 ブロックコポリマーは、ジブロック、トリブロック、マルチブロックおよび星
形ブロックコポリマーを含む。
【００１８】 ＶＣＨ(コ)ポリマーは、ラジカル、アニオン若しくはカチオン機構、金属錯体
開始剤または触媒によるスチレン誘導体と対応するモノマーとの重合、次いで不
飽和芳香族結合の完全または部分水素化により製造される（例えば、WO 94/0272
0 および EP-A 322 731 参照）。本発明のＶＣＨ(コ)ポリマーは、ビニルシクロ
ヘキサン構成単位のアイソタクチック配置が優先的に存在することにより特徴づ
けられる。
【００１９】 一般に、本発明の方法は、芳香族構成単位の実質的に完全な水素化を生ずる。
水素化度は、一般に８０％以上、好ましくは９０％以上、最も好ましくは９９％
以上１００％までである。水素化度は、例えば、ＮＭＲ分光法またはＵＶ分光法
により測定することができる。 使用する出発ポリマーは、一般に知られている（例えば、WO 94/21694）。
【００２０】 使用する触媒の量は、例えば、WO 96/34896 に記載されている。 触媒の使用量は、行う方法に依存する。本発明の方法は、連続的、半連続的ま
たはバッチ式に行うことができる。
【００２１】 連続系では、反応時間はかなり短い。反応時間は、反応容器の大きさに影響さ
れる。連続手順では、固定化触媒を使用する細流系または液体プール系を使用す
ることもでき、また、例えばリサイクルできる懸濁触媒を含む系を使用すること
もできる。固定化触媒は、例えば、タブレットの形態または押出品として存在し
得る。
【００２２】 溶媒とポリマーとの合計質量に対するポリマー濃度は、一般に８０〜１質量％
、好ましくは５０〜１０質量％、特に４０〜１５質量％の範囲にわたる。
【００２３】 出発ポリマーの水素化は、一般に知られている方法で行われる（例えば、WO 9
4/21694、WO 96/34895、EP-A-322 731）。触媒として使用することができる既知
の水素化触媒が、多数存在する。好ましい金属触媒は、例えば、WO 94/21694 ま
たは WO 96/34896 に列挙されている。水素化反応のための既知のあらゆる触媒
を、触媒として使用することができる。大きな比表面積（例えば、１００〜６０
０ｍ2／ｇ）および小さな平均細孔直径（例えば、２０〜５００Å）を有する触
媒が好適である。他の好適な触媒は、小さな比表面積（例えば、１０ｍ2／ｇ以
上）および大きな平均細孔直径を有し、その細孔容積の９８％が、６００Åより
大きい細孔直径（例えば、約１０００〜４０００Å）を有する細孔であることを
特徴とする触媒を含む（例えば、US-A 5,654,253、US-A 5,612,422、JP-A 03076
706 参照）。特に、ラネーニッケル、シリカまたはシリカ／アルミナ担持ニッケ
ル、炭素担持ニッケル並びに／またはシリカ、シリカ／アルミナおよびアルミナ
担持貴金属触媒、特にＰｔ、Ｒｕ、ＲｈまたはＰｄが使用される。
【００２４】 水素化反応は、一般に０〜５００℃の間、好ましくは２０〜２５０℃の間、特
に６０〜２００℃の間の温度で行われる。 水素化反応のための一般的な溶媒は、例えば、DE-AS 1 131 885（上記参照）
に記載されている。 水素化反応は、一般に１〜１０００ｂａｒ、好ましくは２０〜３００ｂａｒ、
特に４０〜２００ｂａｒの圧力で行われる。
【００２５】 ビニルシクロヘキサンをベースとする本発明のポリマーまたはコポリマーは、
光学材料、例えば、レンズ、プリズムおよび光ディスクの製造のために際立って
好適である。
【００２６】 光学式データ貯蔵媒体の例は、次のものを含む： ・光磁気ディスク（ＭＯディスク） ・ミニディスク（ＭＤ） ・ＡＳＭＯ（ＭＯ-７）（"Advanced storage magnetooptic(高度貯蔵光磁気製
品)"） ・ＤＶＲ（１２Ｇバイトディスク） ・ＭＡＭＭＯＳ（"Magnetic Amplifying magneto optical system(磁気増幅光
磁気システム)"） ・ＳＩＬおよびＭＳＲ（"Solid immersion lens(固体界浸レンズ)" および "m
agnetic superresolution(磁気式高解像度製品)"） ・ＣＤ-ＲＯＭ（読出し専用記録媒体） ・ＣＤ、ＣＤ-Ｒ（記録可能）、ＣＤ-ＲＷ（書き換え可能）、ＣＤ-Ｉ（対話
式）およびフォトＣＤ ・スーパーオーディオＣＤ ・ＤＶＤ（＝ディジタル多目的ディスク）、ＤＶＤ-Ｒ（記録可能）、ＤＶＤ-
ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー） ・ＤＶＤ-ＲＷ（書き換え可能） ・ＰＣ＋ＲＷ（フェーズ変化式および書き換え可能） ・ＭＭＶＦ（マルチメディアビデオファイルシステム）。
【００２７】 さらに、際立った光学特性の故に本発明のポリマーは、光学材料の製造、例え
ば、レンズ、プリズム、鏡、カラーフィルターなどのために特に好適であり、ホ
ログラフイメージ（例えば、キャッシュカード、クレジットカード、許可証、三
次元ホログラフイメージ）のための媒体としても好適である。本物質を、三次元
構造（例えば、集束コヒーレント放射（レーザー）による三次元構造）を記すた
めの透明媒体として使用することができ、特に、物体の立体像のための三次元デ
ータ貯蔵媒体として使用することができる。
【００２８】 本物質を通常、ガラスの代わりにまたはガラスと組み合せて１４５℃までの使
用温度で、使用することができる。該透明物質の屋外での使用は、屋根材、窓ガ
ラス、シートを含み、また、例えば、二重リブ付パネルの形態で温室の窓ガラス
のために使用される。他の適用は、機械的に傷つきやすい系（例えば、光電分野
、特に太陽電池または太陽熱収集器）を保護し、同時に高透明性を示すカバーを
含む。本発明のプラスチックを他の物質で被覆することができ、特に耐引掻き性
を向上させるためのナノ粒子または金属若しくは他のポリマーを用いて被覆する
ことができる。
【００２９】 家庭用途の例は、低透水性を示す透明な包装材料、押出または射出成形により
製造される家庭用品（例えば、コップおよび容器）、家庭用器具およびランプの
透明カバーを含む。
【００３０】 本発明のプラスチックを、建築および工学分野における断熱材（家および器具
用断熱材、例えば冷蔵庫用）のための耐熱性硬質フォームとして使用することが
でき、例えば、ポリスチレンおよびポリウレタンフォームを代替することができ
る。１つの利点は、本物質は、高温で連続使用できることである。
【００３１】 低密度（ｄ＜１）およびそれによる質量の軽減の故に、本物質は、自動車、航
空機および宇宙旅行産業における用途のため、例えば、計器パネル、計器系およ
び光源用透明カバーのため、自動車用窓ガラスのため、および断熱材として特に
好適である。
【００３２】 本物質は電流に対する絶縁材であるので、コンデンサー（例えば、誘電体）、
電子回路および装置のハウジングの製造のために好適である。特に、高度の光学
的透明性、高度の加熱寸法安定性および低吸水性を併せ持つので、適当な発光源
からの光に関連する電子産業における他の用途が存在する。それゆえ本物質は、
発光ダイオード、レーザーダイオード、有機、無機およびポリマーエレクトロル
ミネッセンス物質のためのマトリックス、光電子式信号記録装置、データ送信系
におけるガラス繊維の代替（例えば、ポリマー導波管）および、例えば液晶物質
を含む電子ディスプレイ媒体（スクリーン、ディスプレイ、映写機）用透明物質
の製造のために好適である。
【００３３】 本物質は、医療技術における用途（例えば、殺菌および非殺菌分析用容器、ぺ
トリ皿、微小濾過板、対象物の支持体、フレキシブルチューブ、呼吸用チューブ
、コンタクトレンズ、眼鏡および、例えば点滴または医薬溶液用容器のための押
出または射出透明成形品）のため、並びに、血液と接触して使用される押出およ
び射出成形品、特に、注射器、カニューレ、カテーテル、短期および長期インプ
ラント（例えば、人工レンズ）、血液用チューブ、血液の洗浄膜、透析装置、酸
素供給器、傷用透明カバー、血液用容器および縫合用物質の製造のために好適で
ある。
【００３４】 実施例 実施例１ オートクレーブを不活性ガス（アルゴン）を用いてフラッシュした。ポリマー
溶液および触媒を添加した（表１）。オートクレーブを密閉した後、保護ガスを
用いて、次いで水素を用いて繰り返し加圧した。圧力を開放した後、各水素圧を
かけ、バッチを攪拌しながら対応する反応温度に加熱した。水素消費の開始後、
反応圧力を一定に保持した。 反応完了後、ポリマー溶液を濾過した。生成物をメタノール中で沈殿させ、１
２０℃で乾燥した。単離生成物は、表２に掲げる物性を有した。
【００３５】 比較例Ａ シンジオタクチックポリビニルシクロヘキサン アルゴン下で維持した還流冷却器付きバックアウト２５０ｍｌ３つ口フラスコ
に、無水トルエン５０ｍｌ、メチルアルミノキサン（１０％トルエン溶液）２０
ｍｌ、チタンシクロペンタジエニルトリクロリド１６．５ｍｇ（０．０７５ｍｍ
ｏｌ）およびスチレン１０．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を、この順で添加した。反応
混合物を５０℃に加熱し、この温度で２時間保持した。反応を、酸性メタノール
を添加することにより停止させた。ポリマーを、メタノール２００ｍｌを用いて
繰り返し洗浄し、８０℃で乾燥した。
【００３６】 硫酸バリウム担持パラジウム１２．５ｇを水素で還元し、保護ガスにより不活
性にした。１Ｌ耐圧反応器を不活性ガスを用いてフラッシュした。シクロヘキサ
ンに溶解させたシンジオタクチックポリスチレン２．５ｇを触媒と一緒にオート
クレーブに導入した（表１）。水素圧を５０ｂａｒに調節し、バッチを２００℃
に加熱した。２４時間後、反応を停止させ、オートクレーブの圧力を下げ、ポリ
マー溶液を濾過した。濾液をメタノール中で沈殿させ、生成物を減圧下１２０℃
で乾燥した。単離生成物は、表２に掲げる物性を有した。
【００３７】 比較例Ｂ アイソタクチックポリビニルシクロヘキサン 無水トルエン１００ｍｌ、ビニルシクロヘキサン１２．５ｇ（０．１１ｍｏｌ
）およびトリエチルアルミニウム５ｍｍｏｌを、室温で、還流冷却器付きバック
アウト１Ｌ３つ口フラスコに導入した。 トルエン１２．５ｍｌ中、トリエチルアルミニウム（１Ｍ）１ｍｌおよび塩化
チタン(IV)（１Ｍ）２ｍｌを８０℃で３０分間攪拌し、モノマー溶液に添加した
。
【００３８】 反応混合物を６０℃に加熱し、この温度で５０分間攪拌し、次いで８５℃で９
０分間保持した。重合を、メタノールを添加することにより停止させた。生成物
をメタノール中で還流し、濾過し、次いでメタノールおよびアセトンで洗浄した
。ポリマーを減圧下６０℃で乾燥した。生成物は、表２に掲げる物性を有した。
【００３９】 比較例Ｃ ２,２-ビス(４-ヒドロキシフェニル)プロパンからのポリカーボネート ２,２-ビス(４-ヒドロキシフェニル)プロパンをベースとするポリカーボネー
ト（Makrolon CD 2005、Bayer AG）のフィルム（厚み１５０μｍ）を溶融プレス
法で製造した。このフィルムにおいて、１４２℃のガラス転移点および＋５．４
ＧＰａ-１のレオオプティカル定数が測定された（表２参照）。
【００４０】
【表１】 異なる立体規則性を有するポリスチレンの水素化
【００４１】
【表２】 異なるビニルシクロヘキサンホモポリマーの熱および光学特性
【００４２】 本発明の非晶質ポリビニルシクロヘキサン（実施例１）は、アイソタクチック
ダイアドが優先的に存在することにより特徴づけられる。ポリカーボネートと比
べてみると、本物質は、高度の透明性および高度の加熱寸法安定性（ガラス転移
点）も示す。結晶性および低透明性により、以前に記載されているシンジオタク
チックおよびアイソタクチック物質は、光学用途には不適当である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 チェン・ユン ドイツ連邦共和国デー−47800クレーフェ ルト、ボーデルシュヴィングシュトラーセ 12番 (72)発明者 フリードリッヒ−カール・ブルダー ドイツ連邦共和国デー−47802クレーフェ ルト、エン・デ・ジープ34番 (72)発明者 ラルフ・デュヤルディン ドイツ連邦共和国デー−47877ヴィリッヒ、 ブリュッケンシュトラーセ16番 Ｆターム(参考） 4F071 AA21 AA80 AF30 AF31 AF54 AH14 BC01 BC03 5D029 KA13

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 製造に使用することができるコモノマーが、オレフィン、ア
    クリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステル、シクロペンタジエン、シクロ
    ヘキサン、シクロヘキサジエン、任意に置換されていて良いノルボルネン、ジシ
    クロペンタジエン、ジヒドロシクロペンタジエン、任意に置換されていて良いテ
    トラシクロドデセン、アルキル化された環を有するスチレン、α-メチルスチレ
    ン、ジビニルベンゼン、ビニルエステル、ビニル酸、ビニルエーテル、ビニルア
    セテート、アクリロニトリル、メタクリロニトリルおよび無水マレイン酸を含む
    群の少なくとも１つのモノマーから選ばれ、ダイアドの量が５０％を超え、７４
    ％未満であることを特徴とするアイソタクチック配置を有するビニルシクロヘキ
    サンベースポリマーまたはコポリマー。
  2. 【請求項２】 ダイアドの量が５１％〜７０％である請求項１に記載のポリ
    マー。
  3. 【請求項３】 ビニルシクロヘキサンベースポリマーが、次式： 【化１】 〔式中、 Ｒ3およびＲ4は相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基を表すか、また
    はＲ3およびＲ4は共同して、アルキレン基を表し、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基を表す。
    〕 で表される反復構成単位を有する請求項１に記載のポリマー。
  4. 【請求項４】 光学式データ貯蔵媒体、成形品およびシートの製造のための
    請求項１〜３のいずれかに記載のポリマーまたはコポリマーの使用。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載のビニルシクロヘキサンベースポリマーまた
    はコポリマーから得られる光学式データ貯蔵媒体。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載のビニルシクロヘキサンベースポリマーまた
    はコポリマーから得られる成形品およびシート。
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