JP2001522533A - シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチ - Google Patents
シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチInfo
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 183
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 20
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 20
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001354791 Baliga Species 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- -1 recon carbide Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
- H01L29/7392—Gated diode structures with PN junction gate, e.g. field controlled thyristors (FCTh), static induction thyristors (SITh)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチであって、 上面及び仮面を有する、第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板 と、 前記基板の前記上面上にある、第2導電型シリコン・カーバイドからなる第1 エピタキシャル層と、 前記シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層上に形成された、前 記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第2エピタキシャル層と、 前記第2エピタキシャル層内に形成され、前記第2エピタキシャル層内にゲー ト・グリッドを形成する、第3導電型シリコン・カーバイドからなる複数の領域 と、 前記第2エピタキシャル層上に形成された、前記第2導電型シリコン・カーバ イドからなる第3エピタキシャル層と、 前記第3エピタキシャル層上にあり、前記第2導電型シリコン・カーバイドか らなる第4エピタキシャル層であって、前記第1エピタキシャル層、前記第2エ ピタキシャル層及び前記第3エピタキシャル層内におけるよりもキャリア濃度が 高い第4エピタキシャル層と、 前記第4エピタキシャル層上にある第1オーミック・コンタクトと、 前記基板の前記下面上に形成された第2オーミック・コンタクトと、 前記ゲート・グリッドに接続されたオーミック・ゲート・コンタクトであって 、バイアスが印加されたときに、前記第1オーミック・コンタクトと前記第2オ ーミック・コンタクトとの間の電流をピンチオフするオーミック・ゲート・コン タクトと を備えることを特徴とする高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチ。 2.請求項1記載の高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチにおいて 、該スイッチは更に、 前記第3及び第4エピタキシャル層内に形成された複数のトレンチを備え、前 記第2エピタキシャル層内に形成された前記第3導電型シリコン・カーバイドの 前記複数の領域が、前記複数のトレンチの底部にあり、 前記オーミック・ゲート・コンタクトが、前記トレンチ内に形成された前記第 3導電型シリコン・カーバイド上に形成されたオーミック・ゲート・コンタクト から成る ことを特徴とする高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチ。 3.請求項1又は2記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、前 記第2エピタキシャル層は、キャリア濃度が前記第1エピタキシャル層よりも低 いことを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 4.請求項1〜3いずれかに項記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチに おいて、前記第3エピタキシャル層及び前記第1エピタキシャル層は、キャリア 濃度が実質的に同一であることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイ ッチ。 5.請求項1〜4いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにお いて、前記第3エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層は、キャリア濃 度が実質的に同一であることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッ チ。 6.請求項1〜5いずれかに記載の高電圧高電流フィールド制御型バイポーラ・ スイッチにおいて、前記デバイスが更に、第4導電型の第5エピタキシャル層を 備え、該第5エピタキシャル層が、前記基板の前記上面上に形成され、かつ前記 基板と前記第1エピタキシャル層との間に配置されており、前記第1エピタキシ ャル層が、前記第5エピタキシャル層上に形成されていることを特徴とするフィ ールド制御型バイポーラ・スイッチ。 7.請求項1〜6いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにお いて、前記第1導電型及び前記第3導電型がP型導電性であり、前記第2導電型 がN型導電性であり、前記第1オーミック・コンタクトがカソード・コンタクト であり、前記第2オーミック・コンタクトがアノード・コンタクトであることを 特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 8.請求項1〜6のいずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチに おいて、前記第1導電型及び前記第3導電型がN型導電性であり、前記第2導電 型がP型導電性であり、前記第1オーミック・コンタクトがアノード・コンタク トであり、前記第2オーミック・コンタクトがカソード・コンタクトであること を特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 9.請求項1〜6のいずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチに おいて、前記第1導電型がN型導電性であり、前記第2導電型がN導電性であり 、前記第3導電型がP型導電性であり、前記第4導電型がP型導電性であり、前 記第1オーミック・コンタクトがカソード・コンタクトであり、前記第2オーミ ック・コンタクトがアノード・コンタクトであることを特徴とするフィールド制 御型バイポーラ・スイッチ。 10.請求項1〜9いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチに おいて、前記基板、並びに前記第1、第2、第3及び第4エピタキシャル層が、 前記バイポーラ・スイッチの周辺を規定する側壁を有するメサを形成し、該メサ の前記側壁が、下方向に前記基板内部まで達していることを特徴とするフィール ド制御型バイポーラ・スイッチ。 11.請求項1〜10いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチ において、該スイッチは更に、 前記メサの底面において、前記基板内に形成された前記第1導電型シリコン・ カーバイドからなる領域と、 前記第2導電型シリコン・カーバイドの前記領域上に形成された前記第2オー ミック・コンタクトに電気的に接続されたオーミック・コンタクトと を備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 12.請求項6記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、前記第 1、第2、第3、第4及び第5エピタキシャル層が、前記デバイスの周辺を規定 する側壁を有するメサを形成し、該メサの前記側壁が、下方向に延び、前記第1 、第2、第3及び第4エピタキシャル層を通過し、前記第5エピタキシャル層内 部に達することを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 13.請求項12記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、該ス イッチは更に、前記メサの前記側壁の底面において、前記第5エピタキシャル層 上に形成された前記第2オーミック・コンタクトに電気的に接続されたオーミッ ク・コンタクトを備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッ チ。 14.請求項1〜13いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチ において、該スイッチは更に、前記メサの前記側壁上に形成され、前記側壁を保 護する絶縁層を備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ 。 15.請求項1〜14いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチ において、前記シリコン・カーバイドが、4Hシリコン・カーバイドから成るこ とを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 16.請求項1〜15いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチ において、前記ゲート・グリッドが、複数の櫛形フィンガを備えることを特徴と するフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 17.請求項16記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、前記 オーミック・ゲート・コンタクトが、前記ゲート・グリッドの前記櫛形フィンガ 上に形成された複数の櫛形フィンガを備え、前記オーミック・ゲート・コンタク トの前記櫛形フィンガが、前記ゲート・グリッドの前記櫛形フィンガに実質的に 平行であることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 18.高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチにおいて、 上面及び下面を有する第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板と 、 前記基板の前記上面上にある、第2導電型シリコン・カーバイドからなる第1 エピタキシャル層と、 前記第1エピタキシャル層内に形成され、前記第1エピタキシャル層内にゲー ト・グリッドを形成する、第3導電型シリコン・カーバイドからなる複数の領域 と、 前記シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層上に形成された、前 記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第2エピタキシャル層と、 前記第2エピタキシャル層上にある、前記第2導電型シリコン・カーバイドか らなる第3エピタキシャル層であって、前記第1エピタキシャル層及び前記第2 エピタキシャル層内におけるよりもキャリア濃度が高い第3エピタキシャル層と 、 前記第3エピタキシャル層上にある第1オーミック・コンタクトと、 前記基板の前記下面上に形成された第2オーミック・コンタクトと、 前記ゲート・グリッドに接続されたオーミック・ゲート・コンタクトであって 、バイアスが印加されたときに、前記第1オーミック・コンタクトと前記第2オ ーミック・コンタクトとの間の電流をピンチオフするオーミック・ゲート・コン タクトと を備えることを特徴とするフィールド制御バイポーラ・スイッチ。 19.請求項18記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、前記 第2エピタキシャル層及び前記第1エピタキシャル層は、キャリア濃度が実質的 に同一であることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 20.請求項18又は19記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおい て、前記デバイスが更に、第4導電型の第4エピタキシャル層を備え、該第4エ ピタキシャル層が、前記基板の前記上面上に形成され、かつ前記基板と前記第1 エピタキシャル層との間に配置されており、前記第1エピタキシャル層が、前記 第4エピタキシャル層上に形成されていることを特徴とするフィールド制御型バ イポーラ・スイッチ。 21.請求項18〜20のいずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイ ッチにおいて、 該スイッチは更に、前記第2及び前記第3エピタキシャル層内に形成された複 数のトレンチを備え、前記第1エピタキシャル層内に形成された前記第3導電型 シリコン・カーバイドの前記複数の領域が、前記複数のトレンチの底部にあり、 前記オーミック・ゲート・コンタクトが、前記トレンチ内に形成された前記第 3導電型シリコン・カーバイド上に形成されたオーミック・ゲート・コンタクト から成り、バイアスが前記オーミック・ゲート・コンタクトに印加されたときに 、前記第1オーミック・コンタクトと前記第2オーミック・コンタクトとの間の 電流をピンチオフする ことを特徴とするフィールド制御バイポーラ・スイッチ。 22.請求項18〜21のいずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイ ッチにおいて、前記第1エピタキシャル層は、キャリア濃度が前記第2エピタキ シャル層よりも低いことを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 23.請求項18〜22いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記デバイスが更に、第4導電型の第4エピタキシャル層を備え、 該第4導電型の第4エピタキシャル層が、前記基板の前記上面上に形成され、前 記基板と前記第1エピタキシャル層との間に配置されており、前記第1エピタキ シャル層が、前記第3エピタキシャル層上に形成されていることを特徴とする高 電圧高電流フィールド制御型バイポーラ・スイッチ 24.請求項18〜23いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記第1導電型及び前記第3導電型がP型導電性であり、前記第2 導電型がN型導電性であり、前記第1オーミック・コンタクトがカソード・コン タクトであり、前記第2オーミック・コンタクトがアノード・コンタクトである ことを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 25.請求項18〜23いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記第1導電型及び前記第3導電型がN型導電性であり、前記第2 導電型がP型導電性であり、前記第1オーミック・コンタクトがアノード・コン タクトであり、前記第2オーミック・コンタクトがカソード・コンタクトである ことを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 26.請求項18〜23いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記第1導電型がN型導電性であり、前記第2導電型がN型導電性 であり、前記第3導電型がP型導電性であり、前記第4導電型がP型導電性であ り、前記第1オーミック・コンタクトがカソード・コンタクトであり、前記第2 オーミック・コンタクトがアノード・コンタクトであることを特徴とするフィー ルド制御型バイポーラ・スイッチ。 27.請求項18〜26のいずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイ ッチにおいて、前記基板、並びに前記第1、第2、及び第3エピタキシャル層が 、前記トランジスタの周辺を規定する側壁を有するメサを形成し、該メサの前記 側 壁が下方向に前記基板内部まで達していることを特徴とするフィールド制御型バ イポーラ・スイッチ。 28.請求項18〜27いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、該スイッチは更に、 前記メサの底面において、前記基板内に形成された前記第1導電型シリコン・ カーバイドからなる領域と、 前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる前記領域上に形成された前記第 2オーミック・コンタクトに電気的に接続されたオーミック・コンタクトとを備 えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 29.請求項18〜28いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記第1、第2、第3及び第4エピタキシャル層が、前記バイポー ラ・スイッチの周辺を規定する側壁を有するメサを形成し、該メサの前記側壁が 、下方向に延び、前記第1、第2及び第3エピタキシャル層を通過し、前記第4 エピタキシャル層内部に達していることを特徴とするフィールド制御型バイポー ラ・スイッチ。 30.請求項29記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、該ス イッチは更に、前記メサの前記側壁の底面において、前記第4エピタキシャル層 上に形成された前記第2オーミック・コンタクトに電気的に接続されたオーミッ ク・コンタクトを備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッ チ。 31.請求項29又は30記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおい て、該スイッチは更に、前記メサの前記側壁上に形成され、該側壁を保護する絶 縁層を備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 32.請求項18〜31いずれかに記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッ チにおいて、前記ゲート・グリッドが、複数の櫛形フィンガを備えることを特徴 とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。 33.請求項32記載のフィールド制御型バイポーラ・スイッチにおいて、 前記オーミック・ゲート・コンタクトが、前記ゲート・グリッドの前記櫛形フ ィンガ上に形成された複数の櫛形フィンガを備え、前記オーミック・ゲート・コ ンタクトの前記櫛形フィンガが、前記ゲート・グリッドの前記櫛形フィンガと実 質的に平行であり、 前記第1オーミック・コンタクトが、前記第3エピタキシャル層上に形成され 、前記オーミック・ゲート・コンタクトの櫛形フィンガ間に配置された複数の櫛 形フィンガを備えることを特徴とするフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/846,286 | 1997-04-30 | ||
US08/846,286 US6011279A (en) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Silicon carbide field controlled bipolar switch |
PCT/US1998/005487 WO1998049731A1 (en) | 1997-04-30 | 1998-03-20 | Silicon carbide field conrolled bipolar switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001522533A true JP2001522533A (ja) | 2001-11-13 |
JP4680330B2 JP4680330B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=25297449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54697298A Expired - Lifetime JP4680330B2 (ja) | 1997-04-30 | 1998-03-20 | シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6011279A (ja) |
EP (1) | EP0979531B1 (ja) |
JP (1) | JP4680330B2 (ja) |
KR (1) | KR100514398B1 (ja) |
CN (1) | CN1166001C (ja) |
AT (1) | ATE240588T1 (ja) |
AU (1) | AU6572898A (ja) |
CA (1) | CA2285067C (ja) |
DE (1) | DE69814619T2 (ja) |
WO (1) | WO1998049731A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011199306A (ja) * | 2011-06-03 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4959872B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2012-06-27 | クリー インコーポレイテッド | バイポーラトランジスタ |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999005728A1 (en) | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
DE19833214C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-08-12 | Siemens Ag | J-FET-Halbleiteranordnung |
US6803243B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-10-12 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
US6884644B1 (en) | 1998-09-16 | 2005-04-26 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6711191B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-03-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
US6909119B2 (en) * | 2001-03-15 | 2005-06-21 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
US6514779B1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-04 | Cree, Inc. | Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor |
US6734462B1 (en) | 2001-12-07 | 2004-05-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Silicon carbide power devices having increased voltage blocking capabilities |
CA2381128A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Quantiscript Inc. | Plasma polymerized electron beam resist |
US7173285B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-02-06 | Cree, Inc. | Lithographic methods to reduce stacking fault nucleation sites |
CN100533663C (zh) * | 2004-03-18 | 2009-08-26 | 克里公司 | 减少堆垛层错成核位置的光刻方法和具有减少的堆垛层错位置的结构 |
DE102004047313B3 (de) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | Halbleiteranordnung mit einem Tunnelkontakt und Verfahren zu deren Herstellung |
US20060267043A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Emerson David T | Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
CN104201211B (zh) * | 2014-08-27 | 2016-03-30 | 温州大学 | 制备SiC超快恢复二极管及工艺 |
SE541290C2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-06-11 | Ascatron Ab | A method for manufacturing a grid |
CN113097298A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4364072A (en) * | 1978-03-17 | 1982-12-14 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Static induction type semiconductor device with multiple doped layers for potential modification |
JPH07502379A (ja) * | 1991-12-23 | 1995-03-09 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 電子部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4171995A (en) * | 1975-10-20 | 1979-10-23 | Semiconductor Research Foundation | Epitaxial deposition process for producing an electrostatic induction type thyristor |
US4037245A (en) * | 1975-11-28 | 1977-07-19 | General Electric Company | Electric field controlled diode with a current controlling surface grid |
US4060821A (en) * | 1976-06-21 | 1977-11-29 | General Electric Co. | Field controlled thyristor with buried grid |
US4132996A (en) * | 1976-11-08 | 1979-01-02 | General Electric Company | Electric field-controlled semiconductor device |
JPS542077A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor switching element |
US4569118A (en) * | 1977-12-23 | 1986-02-11 | General Electric Company | Planar gate turn-off field controlled thyristors and planar junction gate field effect transistors, and method of making same |
US4937644A (en) * | 1979-11-16 | 1990-06-26 | General Electric Company | Asymmetrical field controlled thyristor |
US4466173A (en) * | 1981-11-23 | 1984-08-21 | General Electric Company | Methods for fabricating vertical channel buried grid field controlled devices including field effect transistors and field controlled thyristors utilizing etch and refill techniques |
US4587712A (en) * | 1981-11-23 | 1986-05-13 | General Electric Company | Method for making vertical channel field controlled device employing a recessed gate structure |
US4571815A (en) * | 1981-11-23 | 1986-02-25 | General Electric Company | Method of making vertical channel field controlled device employing a recessed gate structure |
US5087576A (en) * | 1987-10-26 | 1992-02-11 | North Carolina State University | Implantation and electrical activation of dopants into monocrystalline silicon carbide |
US4994883A (en) * | 1989-10-02 | 1991-02-19 | General Electric Company | Field controlled diode (FCD) having MOS trench gates |
US5202750A (en) * | 1990-04-09 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corp. | MOS-gated thyristor |
US5369291A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Sunpower Corporation | Voltage controlled thyristor |
US5554561A (en) * | 1993-04-30 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Epitaxial overgrowth method |
GB9313843D0 (en) * | 1993-07-05 | 1993-08-18 | Philips Electronics Uk Ltd | A semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor |
US5539217A (en) * | 1993-08-09 | 1996-07-23 | Cree Research, Inc. | Silicon carbide thyristor |
EP0717880A1 (de) * | 1993-09-08 | 1996-06-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Strombegrenzer |
DE9411601U1 (de) * | 1993-09-08 | 1994-10-13 | Siemens Ag | Strombegrenzender Schalter |
US5612547A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-18 | Northrop Grumman Corporation | Silicon carbide static induction transistor |
US5387805A (en) * | 1994-01-05 | 1995-02-07 | Metzler; Richard A. | Field controlled thyristor |
US5449925A (en) * | 1994-05-04 | 1995-09-12 | North Carolina State University | Voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices |
US5471075A (en) * | 1994-05-26 | 1995-11-28 | North Carolina State University | Dual-channel emitter switched thyristor with trench gate |
WO1995034915A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-21 | Abb Research Ltd. | Semiconductor device in silicon carbide |
JP3277075B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2002-04-22 | 日本碍子株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
SE9601176D0 (sv) * | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Abb Research Ltd | A method for producing a semiconductor device having semiconductor layers of SiC by the use of an implanting step and a device produced thereby |
DE19644821C1 (de) * | 1996-10-29 | 1998-02-12 | Daimler Benz Ag | Steuerbare Halbleiterstruktur mit verbesserten Schalteigenschaften |
-
1997
- 1997-04-30 US US08/846,286 patent/US6011279A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-20 JP JP54697298A patent/JP4680330B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 CN CNB98804658XA patent/CN1166001C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-20 WO PCT/US1998/005487 patent/WO1998049731A1/en active IP Right Grant
- 1998-03-20 DE DE69814619T patent/DE69814619T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 CA CA002285067A patent/CA2285067C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-20 KR KR10-1999-7009649A patent/KR100514398B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-20 AT AT98911876T patent/ATE240588T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-03-20 EP EP98911876A patent/EP0979531B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 AU AU65728/98A patent/AU6572898A/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4364072A (en) * | 1978-03-17 | 1982-12-14 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Static induction type semiconductor device with multiple doped layers for potential modification |
JPH07502379A (ja) * | 1991-12-23 | 1995-03-09 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 電子部品およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4959872B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2012-06-27 | クリー インコーポレイテッド | バイポーラトランジスタ |
JP2011199306A (ja) * | 2011-06-03 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1166001C (zh) | 2004-09-08 |
ATE240588T1 (de) | 2003-05-15 |
KR100514398B1 (ko) | 2005-09-13 |
KR20010006559A (ko) | 2001-01-26 |
US6011279A (en) | 2000-01-04 |
DE69814619D1 (de) | 2003-06-18 |
JP4680330B2 (ja) | 2011-05-11 |
CA2285067A1 (en) | 1998-11-05 |
AU6572898A (en) | 1998-11-24 |
DE69814619T2 (de) | 2004-03-18 |
EP0979531A1 (en) | 2000-02-16 |
EP0979531B1 (en) | 2003-05-14 |
CA2285067C (en) | 2006-05-02 |
CN1254442A (zh) | 2000-05-24 |
WO1998049731A1 (en) | 1998-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090915 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |