JP2001519964A - 導電性被覆を有する黒色マトリックス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 平坦パネルディスプレーデバイスの面板(１０４)上のサブピクセル(１０６)の縦列と横列を分離するために導電性被覆されたマトリックス構造を形成する方法。その１つの実施態様は、ホトレジスト物質（１０８）を、非導電性不透明マトリックス構造（１００）を形成された面板（１０４）の内側面（１０）上に、前記マトリックス構造によって相互に分離されたサブピクセル領域（１０６）の中に堆積させる。前記ホトレジスト物質を乾燥させ、また前記サブピクセル領域中において前記面板の外側面からの光（１１２）に露出する。前記光に露出されなかった前記ホトレジスト物質（１１０）を除去した後に、前記面板の内側面上にアルミニウムを蒸着させて、前記マトリックス構造と前記ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の露光層とをアルミニウムの導電性層によって被覆する。次に、前記サブピクセル領域中に堆積され露光されたホトレジスト物質に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積されたアルミニウムの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性アルミニウム層を前記マトリックス構造の上のみに残存させ、サブピクセル領域を被覆しないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】 導電性被覆を有する黒色マトリックス発明の分野 本発明は、平坦パネルディスプレーの分野に関するものである。さらに詳しく は、本発明は、平坦パネルディスプレースクリーン構造の黒色マトリックスに関 するものである。背景技術 平坦パネルディスプレーの面板のサブピクセル領域は、典型的には、一般に黒 色マトリックスと呼ばれる不透明メッシュ様構造によって分離されている。サブ ピクセル領域の分離により、黒色マトリックスは、１つのサブピクセルに指向さ れた電子が「逆散乱」させられて他のサブピクセルに衝突する事が防止される。 このようにして、通常の黒色マトリックスは平坦パネルディスプレーが鮮明な解 像度を保持するのを支援する。さらに黒色マトリックスは例えば支承壁体などの 構造を配置するためのベースとして役立つ。 先行技術の１つの黒色マトリックスにおいては、導電性物質の非常に薄い層( 例えばおよそ２〜３ミクロン)が、サブピクセル領域を包囲する面板の内側面に 対して被着される。一般的には、導電性黒色マトリックスは導電性黒鉛物質から 成る。導電性黒色マトリックスを有する事により、黒色マトリックスの頂面また は側面に衝突する電子によって誘発される過剰電荷を面板の内側面から排出させ る事ができる。さらに導電性黒色マトリックスを有する事により、平坦パネルデ ィスプレーの電界エミッターと面板との間に生じる電気アークがさらに容易に黒 色マトリックスに衝突する事ができる。このような電気アーク形成は特に高圧環 境 において重要である。サブピクセルと電界エミッターとの間ではなく、黒色マト リックスと電界エミッターとの間に電気アークを発生させる事により、蛍光体と これを覆うアルミニウム層との一体性が保持される。不幸にして先行技術の導電 性黒色マトリックスの高さが比較的低いので、なおも電界エミッターからサブピ クセル領域にアークが生じる。このようなアーク形成の結果、蛍光体とその上の アルミニウム層が損傷される。しかし前述のように、黒色マトリックスはまた１ つのサブピクセルから他のサブピクセルへの電子の逆散乱を防止するためのもの である。従って、各サブピクセルをそれぞれ隣接のサブピクセルから十分に遮断 する高さを有する黒色マトリックスを持つことが望ましい。しかし、導電性黒鉛 物質の物理的特性の故に、黒色マトリックスの高さは前記の２〜３ミクロンに限 定される。 他の先行技術による黒色マトリックスにおいては、黒色マトリックスの内側面 全体に非導電性ポリイミド物質のパタンが形成される。このような通常の黒色マ トリックスにおいては、黒色マトリックスはおよそ２０〜４０ミクロンの均一高 さを有する。従って、このような黒色マトリックスの高さは、各サブピクセルを それぞれ隣接のサブピクセルから分離するには好適である。その結果、このよう な黒色マトリックス構造は、隣接サブピクセル中への電子の望ましくない逆散乱 を効果的に防止する。不幸にして、先行技術のポリイミド黒色マトリックスは導 電性でない。その結果、ポリイミド黒色マトリックスの上縁部が電界エミッター に対してサブピクセル領域よりもはるかに近いが、なおも電界エミッターからサ ブピクセル領域への望ましくない電気アーク形成が生じる。このようなアーク形 成を防止するため、導電性被覆（すなわち、酸化インジウム(ＩＴＯ：indiumtin oxide)）が非導電性ポリイミドマトリックスに対して被着される。しかしＩＴ Ｏ被覆非導電性黒色マトリックスは問題がなくはない。例えば、ＩＴＯの高原子 量の結果、望ましくない原子の逆散乱を生じる。さらにＩＴＯは望ましくない ほどに高い二次放射計数、δを有する。 さらに非導電性黒色マトリックスのＩＴＯによる被覆の結果、一般に面板上の サブピクセル中のＩＴＯの堆積を生じる。その結果、ＩＴＯ層がその後に堆積さ れる蛍光体層の下に配置される。ＩＴＯ物質の高い屈折指数の故に、蛍光体から 放射された光が面板から反射されて平坦パネルディスプレーの放射強さを低下さ せる事がありうる。 従って、隣接サブピクセルを効果的に分離する導電性被覆された黒色マトリッ クスが必要とされる。さらに、逆散乱率の増大を伴なわずまたＩＴＯ被覆黒色マ トリックス構造の望ましくない程度に高い二次放射を伴なわない導電性被覆黒色 マトリックス構造が必要とされる。さらに平坦パネルディスプレーのサブピクセ ル領域の中に高反射性層を形成する事のない導電性被覆されたブラックマトリッ クス構造が必要である。発明の概要 従って、本発明は隣接サブピクセルを効果的に分離する導電性被覆された黒色 マトリックスを提供する。さらに、本発明は逆散乱率の増大を伴なわずまたＩＴ Ｏ被覆黒色マトリックス構造の望ましくない程度に高い二次放射を伴なわない導 電性被覆黒色マトリックス構造を提供する。さらに本発明は平坦パネルディスプ レーのサブピクセル領域の中に高反射性層を形成する事なく、前記の目的を達成 するにある。 さらに詳しくは、１つの実施態様において、本発明は非導電性マトリックス構 造を形成された面板の内側面の上にホトレジスト物質を堆積させる。ホトレジス ト物質は、マトリックス構造によって分離されたサブピクセル領域の中に堆積さ れる。サブピクセル領域中のホトレジスト物質を乾燥させ露光する。露光されて いないホトレジスト物質を除去した後に、面板の内側面上にアルミニウム層を蒸 着させマトリックス構造およびサブピクセル領域中のホトレジスト物質の露光さ れた層をアルミニウム導電層によって被覆する。次に本発明はサブピクセル領域 中に堆積され露光されたホトレジスト物質に対してエッチング剤を加える。エッ チング剤はサブピクセル領域から露光されたホトレジスト物質とこれを覆うアル ミニウム導電性層とを除去するので、アルミニウム導電性層はマトリックス構造 の上のみに残存しサブピクセル領域をカバーしない。 従って本発明は、平坦パネルディスプレーデバイス中のサブピクセル領域を画 成する導電性被覆されたマトリックス構造を提供する。すなわち面板の内側面に 堆積された非導電性マトリックスがサブピクセル領域を分離する。非導電性マト リックス構造が導電性物質で被覆されるので、導電性被覆されたマトリックス構 造が形成される。さらに本発明においては、導電性物質層は非導電性マトリック ス構造のみを被覆するので、サブピクセル領域はその中に導電性物質層を堆積さ れない。 他の実施態様において、本発明は前記の実施態様の特徴を含むと共に、マトリ ックス構造を導電性被覆するためにアルミニウムの代わりにＤＡＧ物質が使用さ れる。 本発明のこれら及び他の目的及び利点は、以下の種々の図面に示された好まし い実施形態の詳細な説明を読むことにより、当該技術分野の通常の知識を有する 者にとって、明白になることに疑いはない。図面の簡単な説明 添付した図面は、本出願に組み込まれ、本出願の一部を構成する。この添付し た図面は、本発明の実施例を示しており、記述とともに本発明の原理を説明する 。 第１Ａ図乃至第１Ｇ図は本発明による導電性被覆されたマトリックス構造を形 成するために使用される各工程段階の側面断面図である。好ましい実施態様の説明 以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に説明するが、本発明はこれら の実施態様によって限定されるものではなく、本発明の主旨の範囲内において任 意に変更実施できる。さらに、下記の本発明の詳細な説明においては、本発明の 完全な理解のため特定の細部を記載したが、当業者には明かなように、本発明の このような特定の細部を使用しないで実施する事ができる。また本発明の説明を 不必要に分かりにくくしないように、公知の方法、手順、部品を回路については 詳細に説明しない。 第１Ａ図乃至第１Ｇ図について述べれば、本発明による導電性被覆されたマト リックスを形成するための各段階の側面断面図を示す。特に第１Ａ図について述 べれば、本発明の第１形成段階の側面断面図を示す。この図に図示のように、非 導電性性黒色マトリックス１００が面板１０４の内側面１０２の上に配置される 。非導電性性黒色マトリックス１００は面板１０４の内側面１０２上に代表的に １０６で示されるようなサブピクセル領域の別々の横列と縦列とを分離するよう に構成される。本発明は非導電性性黒色マトリックス１００を引用するが、用語 「黒色」とはマトリックスの不透明特性を指すものと理解されたい。従って本発 明は黒色以外のカラーを使用するのにも適している。本発明においては、非導電 性黒色マトリックス構造１００（下記において非導電性マトリックス構造と呼ぶ ）は業界公知の技術を使用して例えばポリイミドから形成される。さらにこの実 施態様においては、非導電性マトリックス構造１００はおよそ２０〜４０ミクロ ンの高さを有する。この実施態様においては特定の材料およびサイズが記載され ているが、本発明は種々の他のサイズを有する非導電性マトリックス構造１００ を形成するために種々の他の材料を使用するのにも適している。 第１Ｂ図に図示のように、本発明によれば、面板１０４の内側面１０２と非導 電性マトリックス構造１００との上にホトレジスト物質１０８が堆積させられて いる。この図に図示のように、ホトレジスト物質１０８が非導電性マトリックス 構造１００の上端面上に堆積されて、ホトレジスト材料部分１１０を形成してい る。さらにホトレジスト材料はサブピクセル領域１０６の中にも堆積する。この 実施態様において、ホトレジスト物質１０８はポリビニルアルコール（ＰＶＡ） と、例えば二クロムアンモニウムなどの二クロム酸金属との混合物から成る。 第１Ｃ図について述べれば、ホトレジスト物質１０８は次に乾燥される。この ようにしてホトレジスト材料１０８の乾燥層が面板１０４の内側面１０２上のサ ブピクセル領域１０６および非導電性マトリックス構造１００の上に形成される 。次に乾燥されたホトレジスト物質層１０８が露光される。代表的には面板１０ ４の外部からの光に露出されて、露出されたホトレジスト材料層１０８が硬化し 、面板１０４の内側面に固着する。この実施例において、光１１２は面板１０４ の外側面に配置された光源（図示されていない）から放射される紫外線(ＵＶ)か ら成る。本発明においては、ホトレジスト材料１０８を面板１０４の外側面から 光１１２に露出するので、非導電性マトリックス構造１００がホトレジスト材料 部分の一部１１０を光１１２から遮蔽する。その結果、ホトレジスト材料部分１ １０が露光に対して防護され、従ってサブピクセル領域１０６に配置されたホト レジスト材料１０８のみが硬化される。 第１Ｄ図について述べれば、本発明によれば第１Ｃ図の光１１２によって露光 されなかったホトレジスト材料１０８の部分が除去される。すなわち、サブピク セル領域１０６以外の区域にあるホトレジスト材料１０８が除去される。すなわ ち第１Ｂ図および第１Ｃ図におけるホトレジスト材料部分１１０が除去される。 この実施態様においては、非導電性マトリックス構造１００と面板１０４の内側 面とを水で洗滌する事によって非露光ホトレジスト材料１０８が除去される。こ の実施態様においては非露光ホトレジスト材料を除去するために水が使用される が、本発明はその他種々の方法を使用するのに適している。 第１Ｅ図について述べれば、非露光ホトレジスト材料の除去後に、面板１０４ の内側面１０２上に導電性材料層１１４が蒸着される。非導電性マトリックス構 造１００とサブピクセル領域１０６の中に存在する露光されたホトレジスト物質 層１０８とが導電性材料層１１４によって被覆されるようにこの導電性材料が蒸 着される。この実施態様において、導電性物質はアルミニウムから成る。しかし 本発明は面板１０４の内側面１０２上にミシガン、ポートヒューロンのアチソン ・コロイドによって製造されるＣＢ８００Ａ ＤＡＧなどの他の導電性物質を使 用するにも適している。第１Ｅ図に図示のように、今や非導電性マトリックス構 造１００は導電性物質層１１４によって被覆されている。 第１Ｆ図に図示のように、本発明においては面板１０４の内側面１０２に対し てエッチング剤が加えられる。このエッチング剤は選択的に露光されたホトレジ スト物質１０８を腐食する。前述のように露出されたホトレジスト物質１０８は ほとんどサブピクセル領域１０６の中にのみ存在する。エッチング剤は露光され たホトレジスト剤１０８を除去し、従ってこのホトレジスト剤１０８の上に配置 された導電性物質１１４を除去する。すなわち、第１Ｅ図に図示のように、面板 １０４の内側面１０２から露光されたホトレジスト材料１０８が除去され、この ホトレジスト材料１０８上に堆積した導電性層１１４も除去される。その結果、 ホトレジスト材料層１０８とその上の導電性材料層１１４が共に面板１０４の内 側面１０２から除去される。このようにしてサブピクセル領域１０６の中には堆 積物質は存在せず、非導電性マトリックス構造１００を被覆した導電性物質１１ ４のみが残存する。この実施態様においてエッチング剤は過酸化水素から成る。 しかし本発明は、その他のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）および二クロム酸金 属選択的エッチング剤を使用する事ができ、例えば過酸化水素／水酸化アンモニ ウム溶液を使用するにも適している。 第１Ｇ図について述べれば、第１Ｆ図のエッチング段階の後に、導電性被覆さ れたマトリックス構造１１６が得られる。さらに詳しくは非導電性マトリックス 構造１００が今や導電性材料層１１４によって被覆されている。さらにサブピク セル領域１０６は何らかの型の物質によって有害に被覆されてはいない。その結 果、次にサブピクセル１０６の中に堆積された蛍光体から放射される光は面板か ら反射される事はない。従って本発明は通常の平坦パネルディスプレーに対して 放射強さの増大を達成する。さらに非導電性マトリックス構造１００をＩＴＯ以 外の物質によって被覆する事により、本発明の導電性被覆されたマトリックス構 造１１６は通常のＩＴＯ被覆黒色マトリックス構造に伴なう逆散乱率の増大と望 ましくない程度に高い二次放射率とを伴なわない。さらに他の利点として、本発 明の導電性被覆されたマトリックス構造１１６の実質的な高さは隣接サブピクセ ルを効果的に分離し望ましくない逆散乱を防止する。本発明の導電性被覆された マトリックス構造１１６の実質的な高さは電界エミッターから面板へのアーキン グを防止する。このアーキングの防止によって、本発明は導電性被覆されたマト リックス構造の使用される平坦パネルディスプレーの高圧耐久性を増大する。さ らに本発明の導電性被覆されたマトリックス構造１１６の導電性は、平坦パネル ディスプレーの面板から過剰電荷を容易に除去させる。 このようにして本発明は、隣接サブピクセルを効果的に分離する導電性被覆さ れた黒色マトリックス構造を提供する。また本発明は、ＩＴＯ被覆黒色マトリッ クス構造に伴なう逆散乱率の増大と望ましくない程度に高い二次放射率とを伴な わない導電性被覆された黒色マトリックス構造を提供する。本発明は平坦パネル ディスプレーのサブピクセル領域中の高反射層を形成する事なく前記のような効 果を達成する事ができる。 前述した本発明の特定の実施例の記述は、図示して説明する目的で存在する。 これらは、網羅的な意図ではなく、発明を開示した形式に限定する意図ではない 。明らかな多くの改良と変形が上述した教示により可能である。当該技術分野の 知 識を有する者が最善に利用し実際に適用し、種々の変形を加えた様々な形態で特 定の意図した使用に適合できるように、これらの実施例は、本発明の原理を最良 に説明するために選択し、記述されている。発明の範囲は、ここに添付したクレ ームとその均等の範囲により定義されると意図される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年２月１日（１９９９．２．１） 【補正内容】 請求の範囲 １． 平坦パネルディスプレーデバイスの面板上のサブピクセルの縦列と横列 を分離するために導電性被覆されたマトリックス構造を形成する方法において、 前記方法は、 ａ）非導電性マトリックス構造を形成された面板の内側面上にホトレジスト物 質を堆積させ、前記ホトレジスト物質を前記非導電性マトリックス構造によって 相互に分離されたサブピクセル領域の中に堆積させる段階と、 ｂ）前記ホトレジスト物質を乾燥させて、前記ホトレジスト物質の乾燥された 層を前記面板の前記内側面上の前記サブピクセル領域の中に形成させる段階と、 ｃ）前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの光に露出して、前記ホト レジスト物質の露出された層を硬化させ前記面板の前記内側面上に固着させる段 階と、 ｄ）前記光に露出されなかった前記ホトレジスト物質を除去する段階と、 ｅ）前記面板の内側面上にアルミニウムを蒸着させて、前記非導電性マトリッ クス構造と前記ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の前記露光層と をアルミニウムの導電性層によって被覆する段階と、 ｆ）前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質 に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積 されたアルミニウムの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導 電性アルミニウム層を前記非導電性マトリックス構造の上のみに残存させる段階 とを含む方法。 ２． 請求項１の段階（ｆ）において前記エッチング剤が過酸化水素である事 を特徴とする請求項１に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ３． 請求項１の段階（ｆ）において、前記エッチング剤が過酸化水素及び水 酸化アンモニウム溶液である事を特徴とする請求項１に記載の導電性被覆マトリ ックス構造の製造法。 ４． 前記段階（ｅ）および（ｆ）の代わりに、 ｅ）前記面板の内側面上にＤＡＧを蒸着させて、前記マトリックス構造と前記 ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の前記露光層とをＤＡＧの導電 性層によって被覆する段階と、 ｆ）前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質 に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積 されたＤＡＧの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性Ｄ ＡＧ層を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階とを含む事を特徴とす る請求項１に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ５． 前記段階（ａ）において、前記ホトレジスト物質がポリビニルアルコー ル（ＰＶＡ）と二クロム酸金属を含む事を特徴とする請求項１または４に記載の 導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ６． 前記段階（ａ）において前記ホトレジスト物質がポリビニルアルコール （ＰＶＡ）と二クロム酸アンモニウムを含む事を特徴とする請求項５に記載の導 電性被覆マトリックス構造の製造法。 ７． 前記段階（ａ）は、およそ２０乃至４０ミクロンの高さを有する非導電 性マトリックス構造の上にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二クロム酸金属を 含むホトレジスト物質を堆積させる段階を含む事を特徴とする請求項１または４ に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ８． 前記段階（ｃ）は、前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの紫 外線に露出させる段階を含む事を特徴とする請求項１または４のいずれかに記載 の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ９． 前記段階（ｃ）は、前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの前 記光に対して露出し、前記非導電性マトリックス構造がその上に堆積された前記 ホトレジスト物質を前記光から遮蔽して前記非導電性マトリックス構造上に堆積 されたホトレジスト物質の露光を防止する段階を含む事を特徴とする請求項１ま たは４のいずれかに記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 １０． 前記段階（ｄ）は、前記光に露出されなかったホトレジスト物質を前 記面板の前記内側面から水で洗浄する事によって除去する段階を含む事を特徴と する請求項４に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 １１． 前記段階（ｆ）において、前記エッチング剤は過酸化水素である事を 特徴とする請求項４に記載の導電性マトリックス構造の製造法。 １２． 前記段階（ｆ）において、前記エッチング剤は過酸化水素及び水酸化 アンモニウム溶液である事を特徴とする請求項４に記載の導電性マトリックス構 造の製造法。 １３． 平坦パネルディスプレーの面板の内側面上に堆積され、面板上のサブ ピクセル領域を分離する非導電性マトリックスと、 前記非導電性マトリックスを被覆するように堆積されて、導電性被覆されたマ トリックス構造を形成する導電性物質層とを含み、前記導電性物質層は前記非導 電性マトリックスのみを被覆するので前記サブピクセル領域はその中に前記導電 性被覆層を有しない事を特徴とする平坦パネルディスプレーデバイス中にサブピ クセル領域を画成する導電性被覆されたマトリックス構造。 １４． 前記の非導電性マトリックスはおよそ２０乃至４０ミクロンの高さを 有する事を特徴とする請求項１３に記載の導電性被覆されたマトリックス構造。 １５． 前記導電性物質層がアルミニウムを含む事を特徴とする請求項１３ま たは１４のいずれかに記載の導電性被覆されたマトリックス構造。 １６． 前記導電性物質層がＤＡＧを含む事を特徴とする請求項１３または１ ４のいずれかに記載の導電性被覆されたマトリックス構造。 １７． 前記ＤＡＧは導電性コロイド物質である事を特徴とする請求項４，１ １，１２および１６のいずれかに記載の導電性被覆されたマトリックス構造。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ 【要約の続き】 前記マトリックス構造の上のみに残存させ、サブピクセ ル領域を被覆しないようにする。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 平坦パネルディスプレーデバイスの面板上のサブピクセルの縦列と横列 を分離するために導電性被覆されたマトリックス構造を形成する方法において、 前記方法は、 ａ）非導電性マトリックス構造を形成された面板の内側面上にホトレジスト物 質を堆積させ、前記ホトレジスト物質を前記マトリックス構造によって相互に分 離されたサブピクセル領域の中に堆積させる段階と、 ｂ）前記ホトレジスト物質を乾燥させて、前記ホトレジスト物質の乾燥された 層を前記面板の前記内側面上の前記サブピクセル領域の中に形成させる段階と、 ｃ）前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの光に露出して、前記ホト レジスト物質の露出された層を硬化させ前記面板の前記内側面上に固着させる段 階と、 ｄ）前記光に露出されなかった前記ホトレジスト物質を除去する段階と、 ｅ）前記面板の内側面上にアルミニウムを蒸着させて、前記マトリックス構造 と前記ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の前記露光層とをアルミ ニウムの導電性層によって被覆する段階と、 ｆ）前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質 に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積 されたアルミニウムの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導 電性アルミニウム層を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階とを含む 方法。 ２． 請求項１の段階（ｆ）が、 前記サブピクセル領域中に配置された前記露光されたホトレジスト物質に対し て過酸化水素を加えて、前記の露光されたホトレジスト物質とその上に堆積した 前記のアルミニウム導電性層を前記サブピクセル領域から除去して前記アルミニ ウム導電性層を前記マトリックス構造上にのみ残存させる段階を含む事を特徴と する請求項１に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ３． 請求項１の段階（ｆ）が、 前記サブピクセル領域中に配置された前記露光されたホトレジスト物質に対し て過酸化水素／水酸化アンモニウム溶液を加えて、前記の露光されたホトレジス ト物質とその上に堆積した前記のアルミニウム導電性層を前記サブピクセル領域 から除去して前記アルミニウム導電性層を前記マトリックス構造上にのみ残存さ せる段階を含む事を特徴とする請求項１に記載の導電性被覆マトリックス構造の 製造法。 ４． 前記段階（ｅ）および（ｆ）の代わりに、 ｅ）前記面板の内側面上にＤＡＧを蒸着させて、前記マトリックス構造と前記 ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の前記露光層とをＤＡＧの導電 性層によって被覆する段階と、 ｆ）前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質 に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積 されたＤＡＧの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性Ｄ ＡＧ層を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階とを含む事を特徴とす る請求項１に記載の導電性被覆マトリックス構造の製造法。 ５． 前記段階（ａ）が 非導電性マトリックス構造を形成された面板の内側面上にポリビニルアルコー ル（ＰＶＡ）と二クロム酸金属を含むホトレジスト物質を堆積させ、前記ホトレ ジスト物質を前記面板の内側面上に、前記マトリックス構造によって相互に分離 されたサブピクセル領域に堆積させる段階を含む請求項１または４に記載の導電 性被覆マトリックス構造の製造法。 ６． 前記段階（ａ）が 非導電性マトリックス構造を形成された面板の内側面上にポリビニルアルコー ル（ＰＶＡ）と二クロム酸アンモニウムを含むホトレジスト物質を堆積させ、前 記ホトレジスト物質を前記面板の内側面上に、前記マトリックス構造によって相 互に分離されたサブピクセル領域状に堆積させる段階を含む請求項５に記載の導 電性被覆マトリックス構造の製造法。 ７． 前記段階（ａ）は、 およそ２０乃至４０ミクロンの高さを有する非導電性マトリックス構造の上に ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二クロム酸金属を含むホトレジスト物質を堆 積させる段階を含む事を特徴とする請求項１または４に記載の導電性被覆マトリ ックス構造の製造法。 ８． 前記段階（ｃ）は、 前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの紫外線に露出させる段階を含 む事を特徴とする請求項１または４のいずれかに記載の導電性被覆マトリックス 構造の製造法。 ９． 前記段階（ｃ）は、 前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの前記光に対して露出し、前記 マトリックス構造がその上に堆積された前記ホトレジスト物質を前記光から遮蔽 して前記マトリックス構造上に堆積されたホトレジスト物質の露光を防止する段 階を含む事を特徴とする請求項１または４のいずれかに記載の導電性被覆マトリ ックス構造の製造法。 １０． 前記段階（ｄ）は、 前記光に露出されなかったホトレジスト物質を前記面板の前記内側面から水で 洗浄する事によって除去する段階を含む事を特徴とする請求項４に記載の導電性 被覆マトリックス構造の製造法。 １１． 前記段階（ｆ）は、 前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質に対 して過酸化水素を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積された ＤＡＧの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性ＤＡＧ層 を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階を含む事を特徴とする請求項 ４に記載の導電性マトリックス構造の製造法。 １２． 前記段階（ｆ）は、 前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質に対 して過酸化水素／水酸化アンモニウム溶液を加えて前記露光されたホトレジスト 物質とその上に堆積されたＤＡＧの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除 去し、前記導電性ＤＡＧ層を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階を 含む事を特徴とする請求項４に記載の導電性マトリックス構造の製造法。 １３． 平坦パネルディスプレーの面板の内側面上に堆積され、面板上のサブ ピクセル領域を分離する非導電性マトリックスと、 前記非導電性マトリックスを被覆するように堆積されて、導電性被覆されたマ トリックス構造を形成する導電性物質層とを含み、前記導電性物質層は前記非導 電性マトリックスのみを被覆するので前記サブピクセル領域はその中に前記導電 性被覆層を有しない事を特徴とする平坦パネルディスプレーデバイス中にサブピ クセル領域を画成する導電性被覆されたマトリックス構造。 １４． 前記の非導電性マトリックスはおよそ２０乃至４０ミクロンの高さを 有する事を特徴とする請求項１３に記載の導電性被覆されたマトリックス構造。 １５． 前記導電性物質層がアルミニウムを含む事を特徴とする請求項１３ま たは１４のいずれかに記載の導電性被覆されたマトリックス構造。 １６． 前記導電性物質層がＤＡＧを含む事を特徴とする請求項１３または１ ４のいずれかに記載の導電性被覆されたマトリックス構造。