JP2002517882A - 密閉マトリックス構造体を有するディスプレイ - Google Patents
密閉マトリックス構造体を有するディスプレイInfo
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 平面パネルディスプレイは、フェースプレートと、ポリイミド系マトリックス構造体と、不純物防止構造体とを含む。
Description
【０００１】
本発明は、平面パネルディスプレイの分野に関するものである。即ち、本発明
は、平面パネルディスプレイスクリーン構造体の「ブラックマトリックス」に関
するものである。本発明の一実施形態においては、平坦パネルディスプレイ用の
密閉された構成要素として記載されている。
は、平面パネルディスプレイスクリーン構造体の「ブラックマトリックス」に関
するものである。本発明の一実施形態においては、平坦パネルディスプレイ用の
密閉された構成要素として記載されている。
【０００２】
平面パネルディスプレイにおけるフェースプレート上のサブピクセル領域は、
典型的なものとして、マトリックス、即ち、「ブラックマトリックス」と一般に
称される不透明なメッシュ状構造体によって分離されている。サブピクセル領域
を分離することによって、ブラックマトリックスは、１つのサブピクセルに向け
られた電子が他のサブピクセルとオーバーラップすることを防止する。このよう
にすることにより、従来のブラックマトリックスは、平面パネルディスプレイに
おける色純度を維持するために役立っている。また、ブラックマトリックスは、
例えば、支持壁等の構造体が位置すべき基部としても作用する。更に、ブラック
マトリックスが三次元的である（即ち、これが光を放射する蛍光物質のレベルよ
りも上方に伸びている）場合には、ブラックマトリックスは、１つのサブピクセ
ルにおける蛍光物質から後方散乱した複数の電子の幾つかが、他の電子と衝突す
ることを防止し、かくして、色純度を改善する。
典型的なものとして、マトリックス、即ち、「ブラックマトリックス」と一般に
称される不透明なメッシュ状構造体によって分離されている。サブピクセル領域
を分離することによって、ブラックマトリックスは、１つのサブピクセルに向け
られた電子が他のサブピクセルとオーバーラップすることを防止する。このよう
にすることにより、従来のブラックマトリックスは、平面パネルディスプレイに
おける色純度を維持するために役立っている。また、ブラックマトリックスは、
例えば、支持壁等の構造体が位置すべき基部としても作用する。更に、ブラック
マトリックスが三次元的である（即ち、これが光を放射する蛍光物質のレベルよ
りも上方に伸びている）場合には、ブラックマトリックスは、１つのサブピクセ
ルにおける蛍光物質から後方散乱した複数の電子の幾つかが、他の電子と衝突す
ることを防止し、かくして、色純度を改善する。
【０００３】 マトリックスを形成するために、ポリイミド物質を使用してもよい。ポリイミ
ド物質は、窒素、水素、炭素及び酸素等の多くの成分を含有していることは公知
である。上述した成分がポリイミド物質中に含有されているが、これらは、平面
パネルディスプレイの真空環境にマイナスの影響を与えることはない。残念なが
ら、従来のポリイミド系マトリックス及びその成分は、ポリイミド物質中に常に
閉じ込められた状態で残留しているわけではない。即ち、ある条件下では、ポリ
イミド成分及びその化合物は、マトリックスを形成するポリイミド物質から放出
される。その結果、平面パネルディスプレイの真空環境が侵される。
ド物質は、窒素、水素、炭素及び酸素等の多くの成分を含有していることは公知
である。上述した成分がポリイミド物質中に含有されているが、これらは、平面
パネルディスプレイの真空環境にマイナスの影響を与えることはない。残念なが
ら、従来のポリイミド系マトリックス及びその成分は、ポリイミド物質中に常に
閉じ込められた状態で残留しているわけではない。即ち、ある条件下では、ポリ
イミド成分及びその化合物は、マトリックスを形成するポリイミド物質から放出
される。その結果、平面パネルディスプレイの真空環境が侵される。
【０００４】 ポリイミド（又は、他のブラックマトリックス物質）の成分による汚染は、様
々な形で生ずる。一例としては、従来のポリイミド系マトリックスを熱処理、即
ち、加熱することによって、ポリイミド系マトリックスの低分子量成分（フラグ
メント、モノマー又はモノマーのグループ）が、マトリックスの表面に移行する
。次いで、これらの低分子量成分は、マトリックスから出て、フェースプレート
上に移動する。エネルギーを有する電子が不純物で被覆されたフェースプレート
に衝突すると、不純物の重合が生ずる。このような重合の結果として、今度は、
フェースプレート上に暗い被膜が形成される。この暗い被膜はディスプレイの輝
度を低下させ、かくして、平面パネルディスプレイ全体の性能を低下させる。
々な形で生ずる。一例としては、従来のポリイミド系マトリックスを熱処理、即
ち、加熱することによって、ポリイミド系マトリックスの低分子量成分（フラグ
メント、モノマー又はモノマーのグループ）が、マトリックスの表面に移行する
。次いで、これらの低分子量成分は、マトリックスから出て、フェースプレート
上に移動する。エネルギーを有する電子が不純物で被覆されたフェースプレート
に衝突すると、不純物の重合が生ずる。このような重合の結果として、今度は、
フェースプレート上に暗い被膜が形成される。この暗い被膜はディスプレイの輝
度を低下させ、かくして、平面パネルディスプレイ全体の性能を低下させる。
【０００５】 熱によって生ずる汚染に加えて、従来のポリイミド系物質はまた、電子によっ
て誘発される不純物の脱離の問題を有している。即ち、操作中において、平面パ
ネルディスプレイのカソード部は、フェースプレート上のサブピクセル領域に向
けられた電子を放射する。しかしながら、これらの放射された電子の幾つかは、
実際問題として、マトリックスに衝突する。従来のポリイミド系マトリックスへ
のこのような電子の衝突によって、電子によって誘発される不純物の脱離（即ち
、ポリイミド系物質の成分、即ち、変質生成物の形成）が生ずる。ポリイミド系
マトリックスから生ずるこれらの放出された不純物は、次いで、平面パネルディ
スプレイの真空環境に有害な形で導かれる。真空環境に放出された不純物は、真
空の度合いを低下させ、スパッタリングを誘発し、そして、電界放射器の表面に
被膜を形成する虞がある。
て誘発される不純物の脱離の問題を有している。即ち、操作中において、平面パ
ネルディスプレイのカソード部は、フェースプレート上のサブピクセル領域に向
けられた電子を放射する。しかしながら、これらの放射された電子の幾つかは、
実際問題として、マトリックスに衝突する。従来のポリイミド系マトリックスへ
のこのような電子の衝突によって、電子によって誘発される不純物の脱離（即ち
、ポリイミド系物質の成分、即ち、変質生成物の形成）が生ずる。ポリイミド系
マトリックスから生ずるこれらの放出された不純物は、次いで、平面パネルディ
スプレイの真空環境に有害な形で導かれる。真空環境に放出された不純物は、真
空の度合いを低下させ、スパッタリングを誘発し、そして、電界放射器の表面に
被膜を形成する虞がある。
【０００６】 更に、従来のポリイミド系マトリックスは、Ｘ線によって誘発される不純物の
脱離の問題を有している。即ち、操作中において、例えば、電子が蛍光物質に衝
突することによって、Ｘ線（即ち、高エネルギー光子）が発生する。これらの発
生したＸ線のうちの幾つかは、実際問題として、マトリックスに衝突する。従来
のポリイミド系マトリックスにＸ線がこのように衝突することによって、Ｘ線に
よって誘発される不純物の脱離（即ち、ポリイミド系物質の成分、即ち、変質生
成物の形成）が生ずる。上述したように、ポリイミド系マトリックスから生ずる
これらの放出された不純物は、次いで、平面パネルディスプレイの真空環境に有
害な形で導かれる。電子によって誘発される不純物の場合と同様に、これらの成
分は、真空の度合いを低下させ、スパッタリングを誘発し、そして、電界放射器
の表面に被膜を形成する虞がある。
脱離の問題を有している。即ち、操作中において、例えば、電子が蛍光物質に衝
突することによって、Ｘ線（即ち、高エネルギー光子）が発生する。これらの発
生したＸ線のうちの幾つかは、実際問題として、マトリックスに衝突する。従来
のポリイミド系マトリックスにＸ線がこのように衝突することによって、Ｘ線に
よって誘発される不純物の脱離（即ち、ポリイミド系物質の成分、即ち、変質生
成物の形成）が生ずる。上述したように、ポリイミド系マトリックスから生ずる
これらの放出された不純物は、次いで、平面パネルディスプレイの真空環境に有
害な形で導かれる。電子によって誘発される不純物の場合と同様に、これらの成
分は、真空の度合いを低下させ、スパッタリングを誘発し、そして、電界放射器
の表面に被膜を形成する虞がある。
【０００７】 電界放電陰極線管のフェースプレートは、ディスプレイを照明するために用い
られる電流を導くための導電性アノードを必要とする。導電性ブラックマトリッ
クス構造体はまた、均一なポテンシャル面をもたらして、電気弧光発生の確度を
減少させる。残念ながら、従来のポリイミド系マトリックスは導電性を有してい
ない。従って、ブラックマトリックスの局部チャージが生じ、そして、カソード
と従来のマトリックス構造体との間に弧光発生が誘発する虞がある。
られる電流を導くための導電性アノードを必要とする。導電性ブラックマトリッ
クス構造体はまた、均一なポテンシャル面をもたらして、電気弧光発生の確度を
減少させる。残念ながら、従来のポリイミド系マトリックスは導電性を有してい
ない。従って、ブラックマトリックスの局部チャージが生じ、そして、カソード
と従来のマトリックス構造体との間に弧光発生が誘発する虞がある。
【０００８】
従って、温度変化を受けた場合に、有害なガス放出を生ぜしめることのないマ
トリックス構造体についての要求がある。上述した要求を満たし、そして、電子
又は光子によって誘発される不純物の望ましくない脱離の問題を生じないマトリ
ックス構造体についての要求がある。最終的には、上述した双方の要求を満たし
、そして、弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシャル面を提供すること
によって、フェースプレートにおける電気的な耐久性をも実現するマトリックス
構造体についての更なる要求がある。
トリックス構造体についての要求がある。上述した要求を満たし、そして、電子
又は光子によって誘発される不純物の望ましくない脱離の問題を生じないマトリ
ックス構造体についての要求がある。最終的には、上述した双方の要求を満たし
、そして、弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシャル面を提供すること
によって、フェースプレートにおける電気的な耐久性をも実現するマトリックス
構造体についての更なる要求がある。
【０００９】 本発明は、温度変化を受けた場合に、有害なガス放出を生ぜしめることのない
マトリックス構造体を提供する。本発明はまた、上述した要求を満たし、そして
、電子によって誘発される不純物の望ましくない脱離の問題を生じないマトリッ
クス構造体を提供する。最終的には、他の実施形態において、本発明は、上述し
た双方の要求を満たし、そして、弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシ
ャル面を提供することによって、フェースプレートにおける電気的な耐久性をも
実現するマトリックス構造体を提供する。また、本発明の導電性マトリックス構
造体は、様々なタイプの平面パネルディスプレイに適用可能であることが理解さ
れるであろう。本発明は、密閉マトリックス構造体によって上述したことを実現
するものである。
マトリックス構造体を提供する。本発明はまた、上述した要求を満たし、そして
、電子によって誘発される不純物の望ましくない脱離の問題を生じないマトリッ
クス構造体を提供する。最終的には、他の実施形態において、本発明は、上述し
た双方の要求を満たし、そして、弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシ
ャル面を提供することによって、フェースプレートにおける電気的な耐久性をも
実現するマトリックス構造体を提供する。また、本発明の導電性マトリックス構
造体は、様々なタイプの平面パネルディスプレイに適用可能であることが理解さ
れるであろう。本発明は、密閉マトリックス構造体によって上述したことを実現
するものである。
【００１０】
特に、一実施形態において、本発明は、平面パネルディスプレイのフェースプ
レートに接合されるのに適したマトリックス構造体からなっている。マトリック
ス構造体は、隣接するサブピクセル領域を分離するように、フェースプレート上
に配置されている。本発明の実施形態は、マトリックス構造体を覆う不純物防止
構造体を更に含む。本発明の実施形態の不純物防止構造体は、マトリックス構造
体中に最初から存在する不純物を閉じ込めるような物理的構造を有している。更
に、本発明の実施形態の不純物防止構造体は、電子がこれを通過することを阻止
する。従って、本発明の実施形態によれば、電子によって誘発される不純物の、
マトリックス構造体からの脱離が防止される。このようにすることにおいて、本
発明によれば、熱によって生ずる有害なガス放出、及び、電子によって誘発され
る不純物の、マトリックス構造体からの脱離が防止される。
レートに接合されるのに適したマトリックス構造体からなっている。マトリック
ス構造体は、隣接するサブピクセル領域を分離するように、フェースプレート上
に配置されている。本発明の実施形態は、マトリックス構造体を覆う不純物防止
構造体を更に含む。本発明の実施形態の不純物防止構造体は、マトリックス構造
体中に最初から存在する不純物を閉じ込めるような物理的構造を有している。更
に、本発明の実施形態の不純物防止構造体は、電子がこれを通過することを阻止
する。従って、本発明の実施形態によれば、電子によって誘発される不純物の、
マトリックス構造体からの脱離が防止される。このようにすることにおいて、本
発明によれば、熱によって生ずる有害なガス放出、及び、電子によって誘発され
る不純物の、マトリックス構造体からの脱離が防止される。
【００１１】 更に、他の実施形態においては、本発明は、上述した実施形態の特徴を含み、
そして、更に、不純物防止構造体を導電性被膜で覆うことを特定している。本発
明の実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっている。本願
においては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素からなる物
質をいう。更に、低原子番号物質は、高原子番号物質に比して、電子散乱を減少
させる。不純物防止構造体を導電性被膜で覆うことにより、本発明の実施形態は
、潜在的な弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシャル面を提供すること
により、フェースプレートにおける付加的な電気確度を実現する。
そして、更に、不純物防止構造体を導電性被膜で覆うことを特定している。本発
明の実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっている。本願
においては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素からなる物
質をいう。更に、低原子番号物質は、高原子番号物質に比して、電子散乱を減少
させる。不純物防止構造体を導電性被膜で覆うことにより、本発明の実施形態は
、潜在的な弧光発生の可能性を減少させる一定のポテンシャル面を提供すること
により、フェースプレートにおける付加的な電気確度を実現する。
【００１２】 本発明のこれらの目的及び他の目的は、図面に示された好ましい実施形態に関
する以下の記述を読んだ当業者であれば明らかである。
する以下の記述を読んだ当業者であれば明らかである。
【００１３】
その実施例が添付図面に図示されているところの本発明の好ましい実施形態を
以下に詳細に説明する。本発明を好ましい実施形態に関連付けて説明するが、こ
れらの実施形態は、本発明をこれらに限定するために意図されていないものであ
ることは明らかである。一方、本発明は、添付された請求項によって特定された
本発明の精神及び範囲内に含まれる代案、変更例及び均等物を含むことが意図さ
れている。更に、本発明の以下の詳細な説明においては、本発明を完全に理解さ
せるために、多くの特別な詳細事項が述べられている。しかしながら、本発明を
これらの特別な詳細事項を伴うことなく実施することができることは当業者には
明らかであろう。他の事項については、周知の方法、手段及び構成要素について
は、本発明の特徴を不必要に不明確にしないように、詳細には記載されていない
。
以下に詳細に説明する。本発明を好ましい実施形態に関連付けて説明するが、こ
れらの実施形態は、本発明をこれらに限定するために意図されていないものであ
ることは明らかである。一方、本発明は、添付された請求項によって特定された
本発明の精神及び範囲内に含まれる代案、変更例及び均等物を含むことが意図さ
れている。更に、本発明の以下の詳細な説明においては、本発明を完全に理解さ
せるために、多くの特別な詳細事項が述べられている。しかしながら、本発明を
これらの特別な詳細事項を伴うことなく実施することができることは当業者には
明らかであろう。他の事項については、周知の方法、手段及び構成要素について
は、本発明の特徴を不必要に不明確にしないように、詳細には記載されていない
。
【００１４】 密閉マトリックスの形成に関して、この実施形態において使用される第１工程
を、図１Ａを参照して説明する。即ち、図１Ａは、平面パネルディスプレイ装置
のフェースプレート１００の斜視図を示しており、このフェースプレートは、こ
れに接合されたマトリックス構造体１０２を有している。図１Ａの実施形態にお
いては、マトリックス構造１０２は、マトリックス構造１０２の行及び列が、典
型的に１０４で示した隣接するサブピクセル領域を分離するように、フェースプ
レート１００上に配置されている。この実施形態においては、更に、マトリック
ス構造体１０２は、ポリイミド系物質から形成されている。この実施形態におい
ては、マトリックス構造体１０２はポリイミド系物質から形成されているが、本
発明は、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な他のマトリックス形成物質を用
いる場合にも適している。一例として、本発明は、ポリイミド以外の成分を含有
する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構造を用いる場合に非常に適して
いる。
を、図１Ａを参照して説明する。即ち、図１Ａは、平面パネルディスプレイ装置
のフェースプレート１００の斜視図を示しており、このフェースプレートは、こ
れに接合されたマトリックス構造体１０２を有している。図１Ａの実施形態にお
いては、マトリックス構造１０２は、マトリックス構造１０２の行及び列が、典
型的に１０４で示した隣接するサブピクセル領域を分離するように、フェースプ
レート１００上に配置されている。この実施形態においては、更に、マトリック
ス構造体１０２は、ポリイミド系物質から形成されている。この実施形態におい
ては、マトリックス構造体１０２はポリイミド系物質から形成されているが、本
発明は、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な他のマトリックス形成物質を用
いる場合にも適している。一例として、本発明は、ポリイミド以外の成分を含有
する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構造を用いる場合に非常に適して
いる。
【００１５】 更に図１Ａを参照するが、マトリックス構造体１０２は、「マルチレベル」マ
トリックス構造体である。即ち、マトリックス構造体１０２の行は、マトリック
ス構造体１０２の列とは異なる高さを有している。サブピクセル領域１０４をよ
り明確に示すために、このようなマルチレベルマトリックス構造体を図１Ａの実
施形態中に示す。しかしながら、本発明は、マルチレベルではないマトリックス
構造体を用いる場合に非常に適している。本発明のマトリックス構造体は、時々
、ブラックマトリックスと称されるが、用語「ブラック」は、マトリックス構造
体の不透明な特性について言及したものであることが理解されるであろう。即ち
、本発明はまた、黒以外の色彩を有する場合にも適するものである。更に、以下
の図面においては、フェースプレートの内面の一部のみが、発明を明確にするた
めに示されている。更に、以下の論述は、不純物防止構造体によって密閉された
ブラックマトリックスについて言及するものである。このような特定の記述が以
下に見られるが、本発明はまた、平面パネルディスプレイ装置の様々な他の物理
的構成要素を用いる場合にも適するものである。また、本発明の幾つかの実施形
態は、平面パネルディスプレイのピクセル及び／又はサブピクセル領域を形成す
るためのマトリックス構造体について言及しているが、本発明はまた、ピクセル
／サブピクセル形成構造体が「マトリックス」構造体ではないところの実施形態
についても適するものである。従って、本願においては、マトリックス構造体と
いう用語は、ピクセル及び／又はサブピクセル形成構造体をいうものであって、
構造体の特定の物理的形状をいうのもではない。
トリックス構造体である。即ち、マトリックス構造体１０２の行は、マトリック
ス構造体１０２の列とは異なる高さを有している。サブピクセル領域１０４をよ
り明確に示すために、このようなマルチレベルマトリックス構造体を図１Ａの実
施形態中に示す。しかしながら、本発明は、マルチレベルではないマトリックス
構造体を用いる場合に非常に適している。本発明のマトリックス構造体は、時々
、ブラックマトリックスと称されるが、用語「ブラック」は、マトリックス構造
体の不透明な特性について言及したものであることが理解されるであろう。即ち
、本発明はまた、黒以外の色彩を有する場合にも適するものである。更に、以下
の図面においては、フェースプレートの内面の一部のみが、発明を明確にするた
めに示されている。更に、以下の論述は、不純物防止構造体によって密閉された
ブラックマトリックスについて言及するものである。このような特定の記述が以
下に見られるが、本発明はまた、平面パネルディスプレイ装置の様々な他の物理
的構成要素を用いる場合にも適するものである。また、本発明の幾つかの実施形
態は、平面パネルディスプレイのピクセル及び／又はサブピクセル領域を形成す
るためのマトリックス構造体について言及しているが、本発明はまた、ピクセル
／サブピクセル形成構造体が「マトリックス」構造体ではないところの実施形態
についても適するものである。従って、本願においては、マトリックス構造体と
いう用語は、ピクセル及び／又はサブピクセル形成構造体をいうものであって、
構造体の特定の物理的形状をいうのもではない。
【００１６】 請求項に記載された本発明の一実施形態によって、不純物防止構造体によって
密閉されたサポート構造体１５０の斜視図を、図１Ｂを参照して示す。マトリッ
クス構造体の実施形態に関して、以下に詳細に説明するように、本発明の実施形
態においては、サポート構造体１５０は、不純物防止構造体によって密閉されて
いる。即ち、不純物防止構造体は、サポート構造体１５０中に最初から存在する
不純物がサポート構造体１５０内に閉じ込められるような物理的構造を有してい
る。従って、不純物防止構造体は、サポート構造体１５０中に最初から存在する
不純物がサポート構造体１５０の外部に移行することを阻止する。不純物をサポ
ート構造体１５０内に閉じ込めることに加えて、本発明の不純物防止構造体から
なる物質は、平面パネルディスプレイのカソード部から放出される電子による衝
突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。図１Ｂの実施形
態においては、サポート構造体１５０は壁であるが、本発明は、サポート構造体
が、例えば、ピン、ボール、コラム、又は、他の様々なサポート構造体から構成
された実施形態にも適している。
密閉されたサポート構造体１５０の斜視図を、図１Ｂを参照して示す。マトリッ
クス構造体の実施形態に関して、以下に詳細に説明するように、本発明の実施形
態においては、サポート構造体１５０は、不純物防止構造体によって密閉されて
いる。即ち、不純物防止構造体は、サポート構造体１５０中に最初から存在する
不純物がサポート構造体１５０内に閉じ込められるような物理的構造を有してい
る。従って、不純物防止構造体は、サポート構造体１５０中に最初から存在する
不純物がサポート構造体１５０の外部に移行することを阻止する。不純物をサポ
ート構造体１５０内に閉じ込めることに加えて、本発明の不純物防止構造体から
なる物質は、平面パネルディスプレイのカソード部から放出される電子による衝
突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。図１Ｂの実施形
態においては、サポート構造体１５０は壁であるが、本発明は、サポート構造体
が、例えば、ピン、ボール、コラム、又は、他の様々なサポート構造体から構成
された実施形態にも適している。
【００１７】 請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、不純物防止構造によって密
閉されるのに適したフォーカス構造体１６０の側部断面図を、図１Ｃを参照して
示す。マトリックス構造体の実施形態に関して、以下の詳細に説明するように、
本発明の実施形態においては、フォーカス構造体１６０は、不純物防止構造体に
よって密閉されている。即ち、不純物防止構造体は、フォーカス構造体１６０中
に最初から存在する不純物がフォーカス構造体１６０内に閉じ込められるような
物理的構造を有している。従って、不純物防止構造体は、フォーカス構造体１６
０中に最初から存在する不純物がフォーカス構造体１６０の外部に移行すること
を阻止する。不純物をフォーカス構造体１６０内に閉じ込めることに加えて、本
発明の不純物防止構造体からなる物質は、平面パネルディスプレイのカソード部
から放出される電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめる
ことなない。図１Ｃの実施形態においては、フォーカス構造体１６０はワッフル
状の構造体であるが、本発明は、フォーカス構造体が他の形状を有するところの
実施形態にも適している。
閉されるのに適したフォーカス構造体１６０の側部断面図を、図１Ｃを参照して
示す。マトリックス構造体の実施形態に関して、以下の詳細に説明するように、
本発明の実施形態においては、フォーカス構造体１６０は、不純物防止構造体に
よって密閉されている。即ち、不純物防止構造体は、フォーカス構造体１６０中
に最初から存在する不純物がフォーカス構造体１６０内に閉じ込められるような
物理的構造を有している。従って、不純物防止構造体は、フォーカス構造体１６
０中に最初から存在する不純物がフォーカス構造体１６０の外部に移行すること
を阻止する。不純物をフォーカス構造体１６０内に閉じ込めることに加えて、本
発明の不純物防止構造体からなる物質は、平面パネルディスプレイのカソード部
から放出される電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめる
ことなない。図１Ｃの実施形態においては、フォーカス構造体１６０はワッフル
状の構造体であるが、本発明は、フォーカス構造体が他の形状を有するところの
実施形態にも適している。
【００１８】 次に、図１ＡのＡ−Ａ線に沿った、フェースプレート１００及びマトリックス
構造体の側部断面図を、図２を参照して示す。この側部断面図においては、マト
リックス構造体１０２の一部のみが、明確化するために示されている。しかしな
がら、以下の工程は、マトリックス構造体１０２の広範な部分全体に亘って実施
されるものであり、図２に示したマトリックス構造体１０２のこれらの部分のみ
に限定されるものではないことが理解されるであろう。更に、本発明の製造に関
して用いられる以下の工程は、予備焼成工程を用いて、マトリックスからの不純
物の幾つかを最初からパージするというアプローチにも適している。焼成工程に
おいては、ポリイミド系マトリックスを平面パネルディスプレイの密閉された真
空環境下に置く前に、このポリイミド系マトリックスは加熱される。
構造体の側部断面図を、図２を参照して示す。この側部断面図においては、マト
リックス構造体１０２の一部のみが、明確化するために示されている。しかしな
がら、以下の工程は、マトリックス構造体１０２の広範な部分全体に亘って実施
されるものであり、図２に示したマトリックス構造体１０２のこれらの部分のみ
に限定されるものではないことが理解されるであろう。更に、本発明の製造に関
して用いられる以下の工程は、予備焼成工程を用いて、マトリックスからの不純
物の幾つかを最初からパージするというアプローチにも適している。焼成工程に
おいては、ポリイミド系マトリックスを平面パネルディスプレイの密閉された真
空環境下に置く前に、このポリイミド系マトリックスは加熱される。
【００１９】 再び、図２に示すように、本発明の一実施形態においては、不純物防止構造体
１０６は、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形
態においては、不純物防止構造体１０６は、実質的に非多孔質な物質の層からな
っている。即ち、マトリックス構造体１０２は、マトリックス構造体１０２中に
最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２内に閉じ込められるような
物理的構造を有している。従って、不純物防止構造体は、マトリックス構造体１
０２中に最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２の外部に移行する
ことを阻止する。不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込めることに加え
て、本発明の不純物防止構造体１０６からなる物質は、平面パネルディスプレイ
のカソード部から放出される電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出
を生ぜしめることなない。
１０６は、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形
態においては、不純物防止構造体１０６は、実質的に非多孔質な物質の層からな
っている。即ち、マトリックス構造体１０２は、マトリックス構造体１０２中に
最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２内に閉じ込められるような
物理的構造を有している。従って、不純物防止構造体は、マトリックス構造体１
０２中に最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２の外部に移行する
ことを阻止する。不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込めることに加え
て、本発明の不純物防止構造体１０６からなる物質は、平面パネルディスプレイ
のカソード部から放出される電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出
を生ぜしめることなない。
【００２０】 再び、図２を参照するが、矢印１０８は、マトリックス構造体１０２中に最初
から存在する不純物の経路を示している。このような不純物は、例えば、Ｎ2、
Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいることが理解される
であろう。矢印１０８で示されるように、不純物防止構造体１０６は、不純物が
マトリックス構造体１０２から放出されることを阻止する。
から存在する不純物の経路を示している。このような不純物は、例えば、Ｎ2、
Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいることが理解される
であろう。矢印１０８で示されるように、不純物防止構造体１０６は、不純物が
マトリックス構造体１０２から放出されることを阻止する。
【００２１】 更に、図２を参照するが、上述したように、この実施形態においては、不純物
防止構造体１０６は、実質的に非多孔質な物質からなっている。一実施形態にお
いては、不純物防止構造体１０６の実質的に非多孔質な物質は、シリコン酸化物
；金属フィルム、固体無機物等からなる群から選ばれる。本発明はまた、非多孔
質の防止構造体１０６のために、アルミニウム、ベリリウム及び化学蒸着された
シリコン酸化物等の材料を使用する場合にも適している。更に、本発明は、非多
孔質の防止構造体１０６の材料が、摂氏約５００度超の融点を有する固体である
ところの実施形態にも適している。一実施形態においては、実質的に非多孔質な
物質は、化学蒸着（ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング、又は、他の手段によって
、マトリックス構造体１０２上に約５００から５０００オングストロームの厚さ
で析出される。しかしながら、本発明は、不純物をマトリックス構造体１０２内
に閉じ込めるのに適した様々な他の実質的に非多孔質な物質を使用する場合にも
適していることが理解されるであろう。本発明はまた、不純物防止構造体１０６
の厚さを、上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。
防止構造体１０６は、実質的に非多孔質な物質からなっている。一実施形態にお
いては、不純物防止構造体１０６の実質的に非多孔質な物質は、シリコン酸化物
；金属フィルム、固体無機物等からなる群から選ばれる。本発明はまた、非多孔
質の防止構造体１０６のために、アルミニウム、ベリリウム及び化学蒸着された
シリコン酸化物等の材料を使用する場合にも適している。更に、本発明は、非多
孔質の防止構造体１０６の材料が、摂氏約５００度超の融点を有する固体である
ところの実施形態にも適している。一実施形態においては、実質的に非多孔質な
物質は、化学蒸着（ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング、又は、他の手段によって
、マトリックス構造体１０２上に約５００から５０００オングストロームの厚さ
で析出される。しかしながら、本発明は、不純物をマトリックス構造体１０２内
に閉じ込めるのに適した様々な他の実質的に非多孔質な物質を使用する場合にも
適していることが理解されるであろう。本発明はまた、不純物防止構造体１０６
の厚さを、上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。
【００２２】 更に、図２を参照するが、本発明の一実施形態においては、不純物防止構造体
１０６は、フェースプレート１００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分
な厚さを有している。この一実施形態においては、不純物防止構造体１０６は、
ＣＶＤ、蒸着、スパッタリング、又は他の手段によって、マトリックス１０２を
覆うように約１０００から５０００オングストロームの厚さで析出されたシリコ
ン酸化物の層からなっている。その結果、この実施形態によれば、熱によって発
生した不純物が、マトリックス構造体内、又は、その表面上に閉じ込められ、そ
して、更に、電子によって誘発される脱離によって不純物が形成されることが防
止される。即ち、この実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電子の
衝突に関する主な悪条件が実質的に除去される。不純物防止構造体が電子の通過
を阻止するところのこの一実施形態においては、不純物防止構造体は、下位の構
成要素を悪影響を与えるようにシールすることはない。
１０６は、フェースプレート１００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分
な厚さを有している。この一実施形態においては、不純物防止構造体１０６は、
ＣＶＤ、蒸着、スパッタリング、又は他の手段によって、マトリックス１０２を
覆うように約１０００から５０００オングストロームの厚さで析出されたシリコ
ン酸化物の層からなっている。その結果、この実施形態によれば、熱によって発
生した不純物が、マトリックス構造体内、又は、その表面上に閉じ込められ、そ
して、更に、電子によって誘発される脱離によって不純物が形成されることが防
止される。即ち、この実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電子の
衝突に関する主な悪条件が実質的に除去される。不純物防止構造体が電子の通過
を阻止するところのこの一実施形態においては、不純物防止構造体は、下位の構
成要素を悪影響を与えるようにシールすることはない。
【００２３】 次に、図３を参照するが、この実施形態においては、複数層の不純物防止構造
体が、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質の複数の層１
０６及び１１０から構成されている。即ち、マトリックス構造体１０２は、マト
リックス構造体１０２中に最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２
内に閉じ込められるような物理的構造を有している。従って、複数層の不純物防
止構造体は、マトリックス構造体１０２中に最初から存在する不純物がマトリッ
クス構造体１０２の外部に移行することを阻止する。不純物をマトリックス構造
体１０２内に閉じ込めることに加えて、本発明の複数層の不純物防止構造体から
なる層１０６及び１１０は、平面パネルディスプレイのカソード部から放出され
る電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。
体が、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質の複数の層１
０６及び１１０から構成されている。即ち、マトリックス構造体１０２は、マト
リックス構造体１０２中に最初から存在する不純物がマトリックス構造体１０２
内に閉じ込められるような物理的構造を有している。従って、複数層の不純物防
止構造体は、マトリックス構造体１０２中に最初から存在する不純物がマトリッ
クス構造体１０２の外部に移行することを阻止する。不純物をマトリックス構造
体１０２内に閉じ込めることに加えて、本発明の複数層の不純物防止構造体から
なる層１０６及び１１０は、平面パネルディスプレイのカソード部から放出され
る電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。
【００２４】 上述した実施形態におけるように、矢印１０８は、マトリックス構造体１０２
中に最初から存在する不純物の経路を示している。このような不純物は、例えば
、Ｎ2、Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいることが理解
されるであろう。矢印１０８で示されるように、この複数層の不純物防止構造体
は、不純物がマトリックス構造体１０２から放出されることを阻止する。
中に最初から存在する不純物の経路を示している。このような不純物は、例えば
、Ｎ2、Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいることが理解
されるであろう。矢印１０８で示されるように、この複数層の不純物防止構造体
は、不純物がマトリックス構造体１０２から放出されることを阻止する。
【００２５】 更に、図３を参照するが、上述したように、この実施形態においては、複数層
の不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質の複数の層からなっている。一
実施形態においては、複数層の不純物防止構造体の実質的に非多孔質な物質の層
１０６及び１１０のうちの少なくとも１つは、シリコン酸化物；金属フィルム、
固体無機物等からなる群から選ばれる。本発明はまた、実質的に非多孔質の物質
の層１０６及び１１０のうちの少なくとも１つのために、アルミニウム、ベリリ
ウム及び化学蒸着されたシリコン酸化物等の材料を使用する場合にも適している
。更に、本発明は、非多孔質の物質の層１０６及び１１０のうちの少なくとも１
つが、摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形態にも適して
いる。一実施形態においては、層１０６及び１１０のうちの少なくとも１つは、
化学蒸着（ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング、又は、他の手段によって、マトリ
ックス構造体１０２上に析出される。この実施形態においては、複数層の不純物
防止構造体は、約５００から５０００オングストロームの合計厚さを有している
。しかしながら、本発明は、不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込める
のに適した様々な他の実質的に非多孔質な物質を使用する場合にも適しているこ
とが理解されるであろう。本発明はまた、複数層の不純物防止構造体の厚さを、
上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。更に、本発明は
、複数層の不純物防止構造体からなる実質的に非多孔質な物質の層の数を変化さ
せる場合にも非常に適している。
の不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質の複数の層からなっている。一
実施形態においては、複数層の不純物防止構造体の実質的に非多孔質な物質の層
１０６及び１１０のうちの少なくとも１つは、シリコン酸化物；金属フィルム、
固体無機物等からなる群から選ばれる。本発明はまた、実質的に非多孔質の物質
の層１０６及び１１０のうちの少なくとも１つのために、アルミニウム、ベリリ
ウム及び化学蒸着されたシリコン酸化物等の材料を使用する場合にも適している
。更に、本発明は、非多孔質の物質の層１０６及び１１０のうちの少なくとも１
つが、摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形態にも適して
いる。一実施形態においては、層１０６及び１１０のうちの少なくとも１つは、
化学蒸着（ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング、又は、他の手段によって、マトリ
ックス構造体１０２上に析出される。この実施形態においては、複数層の不純物
防止構造体は、約５００から５０００オングストロームの合計厚さを有している
。しかしながら、本発明は、不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込める
のに適した様々な他の実質的に非多孔質な物質を使用する場合にも適しているこ
とが理解されるであろう。本発明はまた、複数層の不純物防止構造体の厚さを、
上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。更に、本発明は
、複数層の不純物防止構造体からなる実質的に非多孔質な物質の層の数を変化さ
せる場合にも非常に適している。
【００２６】 この実施形態においては、複数層からなる不純物防止構造体は、フェースプレ
ート１００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分な厚さを有している。こ
の一実施形態においては、複数層の不純物防止構造体は、ＣＶＤによって約１０
００から５０００オングストロームの厚さでマトリックス１０２を覆うように析
出したシリコン酸化物の単一の層を有している。その結果、この実施形態によれ
ば、熱によって発生した不純物が、マトリックス構造体１０２内に閉じ込められ
、そして、更に、電子によって誘発される脱離によって不純物が形成されること
が防止される。即ち、この実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電
子の衝突に関する主な悪条件が実質的に除去される。
ート１００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分な厚さを有している。こ
の一実施形態においては、複数層の不純物防止構造体は、ＣＶＤによって約１０
００から５０００オングストロームの厚さでマトリックス１０２を覆うように析
出したシリコン酸化物の単一の層を有している。その結果、この実施形態によれ
ば、熱によって発生した不純物が、マトリックス構造体１０２内に閉じ込められ
、そして、更に、電子によって誘発される脱離によって不純物が形成されること
が防止される。即ち、この実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電
子の衝突に関する主な悪条件が実質的に除去される。
【００２７】 図４を参照するが、この実施形態においては、不純物防止構造体１１２は、マ
トリックス構造体１０２と、フェースプレート１００のサブピクセル１１４とを
覆うように配置されている。この実施形態においては、実質的に非多孔質な物質
は、マトリックス構造体１０２およびサブピクセル領域１１４上に、化学蒸着（
ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング又は他の手段によって、約５００から５０００
オングストロームの厚さで析出されるシリコン酸化物又はインジウム錫酸化物等
の透明な物質である。不純物防止構造体１１２は、サブピクセル領域１１４内に
延びているが、サブピクセル領域１１４中に存在するシリコン酸化物材料が、平
面パネルディスプレイの形成又は作用に悪影響を与えることはない。しかしなが
ら、不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込めるのに適しており、そして
、平面パネルディスプレイの形成又は作用に悪影響を与えることのない様々な他
の実質的に非多孔質な物質を用いる場合にも本発明は適していることが理解され
るであろう。本発明はまた、不純物防止構造体１１２の厚さを、上述した厚さの
範囲以外に増減変化させる場合にも適している。
トリックス構造体１０２と、フェースプレート１００のサブピクセル１１４とを
覆うように配置されている。この実施形態においては、実質的に非多孔質な物質
は、マトリックス構造体１０２およびサブピクセル領域１１４上に、化学蒸着（
ＣＶＤ）、蒸着、スパッタリング又は他の手段によって、約５００から５０００
オングストロームの厚さで析出されるシリコン酸化物又はインジウム錫酸化物等
の透明な物質である。不純物防止構造体１１２は、サブピクセル領域１１４内に
延びているが、サブピクセル領域１１４中に存在するシリコン酸化物材料が、平
面パネルディスプレイの形成又は作用に悪影響を与えることはない。しかしなが
ら、不純物をマトリックス構造体１０２内に閉じ込めるのに適しており、そして
、平面パネルディスプレイの形成又は作用に悪影響を与えることのない様々な他
の実質的に非多孔質な物質を用いる場合にも本発明は適していることが理解され
るであろう。本発明はまた、不純物防止構造体１１２の厚さを、上述した厚さの
範囲以外に増減変化させる場合にも適している。
【００２８】 図４の実施形態においては、不純物防止構造体１１２は、フェースプレート１
００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分な厚さを有している。従って、
上述した実施形態におけるように、この実施形態によれば、熱によって発生した
不純物が、マトリックス構造体１０２内に閉じ込められ、そして、更に、電子に
よって誘発される脱離によって不純物が形成されることが防止される。即ち、こ
の実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電子の衝突に関する主な悪
条件が実質的に除去される。
００に向けられた電子の通過を阻止するのに十分な厚さを有している。従って、
上述した実施形態におけるように、この実施形態によれば、熱によって発生した
不純物が、マトリックス構造体１０２内に閉じ込められ、そして、更に、電子に
よって誘発される脱離によって不純物が形成されることが防止される。即ち、こ
の実施形態によれば、マトリックス構造体１０２への電子の衝突に関する主な悪
条件が実質的に除去される。
【００２９】 導電性被膜１１６が不純物防止構造体１０６を覆うように配置されたところの
本発明の他の実施形態を、図５Ａを参照して示す。（この実施形態は、その上に
配置された導電性被膜１１６を有する図２の実施形態を示している。）この実施
形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっていることが好ましい
。本願においては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素から
なる物質をいう。更に、低原子番号物質は、高原子番号物質に比して、電子散乱
を減少させる。即ち、一実施形態においては、導電性被膜１１６は、例えば、ミ
シガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の製造に係るＣＢ８００
Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導電性被膜１１６は、黒
鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態においては、黒鉛系導電性物
質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜１１６の収縮を減少させて
いる。このようにすることにおいて、本発明によれば、導電性被膜１１６の最終
的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。このような析出方法を上述
したが、本発明は、不純物防止構造体１０６の上に様々な他の導電性被膜を析出
するための様々な他の方法を使用する場合にも適していることが理解されるであ
ろう。例えば、本発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成されたアルミニウム被
膜を使用する場合にも適している。
本発明の他の実施形態を、図５Ａを参照して示す。（この実施形態は、その上に
配置された導電性被膜１１６を有する図２の実施形態を示している。）この実施
形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっていることが好ましい
。本願においては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素から
なる物質をいう。更に、低原子番号物質は、高原子番号物質に比して、電子散乱
を減少させる。即ち、一実施形態においては、導電性被膜１１６は、例えば、ミ
シガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の製造に係るＣＢ８００
Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導電性被膜１１６は、黒
鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態においては、黒鉛系導電性物
質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜１１６の収縮を減少させて
いる。このようにすることにおいて、本発明によれば、導電性被膜１１６の最終
的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。このような析出方法を上述
したが、本発明は、不純物防止構造体１０６の上に様々な他の導電性被膜を析出
するための様々な他の方法を使用する場合にも適していることが理解されるであ
ろう。例えば、本発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成されたアルミニウム被
膜を使用する場合にも適している。
【００３０】 上述したように、マトリックス構造体１０２の頂面は、フェースプレート１０
０よりも磁界放射器に物理的に近接している。マトリックス構造体１０２の頂面
上に導電性被膜１１６を形成することによって、本発明は、一定のポテンシャル
面を提供する。一定のポテンシャル面を提供することによって、この実施形態は
、潜在的な弧光発生の可能性を減少させる。その結果、この実施形態は、蛍光物
質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ａの実施形態においては、未だ析出
されていない）との確度を維持することを確保するのに役立つ。更に、導電性密
閉層を厚くしたり、又は、更なる導電性物質を形成することによって、導電性密
閉層を、蛍光物質上のアルミニウム層よりも電気伝導性又は熱伝導性を高め、か
くして、密閉物質が、ポテンシャルアークの高電流を得ることによって、局部電
圧スパイクを確実に防止し、そして、発生する可能性がある如何なるアークに対
しても物理的に良好に耐えることが可能になる。更に、導電性被膜は、ブラック
マトリックス上において（図２に示すように）単層であってもよく、そして、図
示されたように二重層である必要はない。
０よりも磁界放射器に物理的に近接している。マトリックス構造体１０２の頂面
上に導電性被膜１１６を形成することによって、本発明は、一定のポテンシャル
面を提供する。一定のポテンシャル面を提供することによって、この実施形態は
、潜在的な弧光発生の可能性を減少させる。その結果、この実施形態は、蛍光物
質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ａの実施形態においては、未だ析出
されていない）との確度を維持することを確保するのに役立つ。更に、導電性密
閉層を厚くしたり、又は、更なる導電性物質を形成することによって、導電性密
閉層を、蛍光物質上のアルミニウム層よりも電気伝導性又は熱伝導性を高め、か
くして、密閉物質が、ポテンシャルアークの高電流を得ることによって、局部電
圧スパイクを確実に防止し、そして、発生する可能性がある如何なるアークに対
しても物理的に良好に耐えることが可能になる。更に、導電性被膜は、ブラック
マトリックス上において（図２に示すように）単層であってもよく、そして、図
示されたように二重層である必要はない。
【００３１】 導電性被膜１１６が複数層の不純物防止構造体の層１０６及び１１０を覆うよ
うに配置されたところの本発明の他の実施形態を、図５Ｂを参照して説明する。
（この実施形態は、その上に配置された導線性被膜１１６を有する図３の実施形
態を示している。）この実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質、
又は、主として低原子番号物質からなる材料からなることが好ましい。本願にお
いては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素からなる物質を
いう。このような定義をここに述べたが、本願は、導線性被膜が低原子番号物質
から構成されていないところの実施形態にも適している。即ち、一実施形態にお
いては、導電性被膜１１６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAc
heson Colloids社の製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施
形態においては、導電性被膜１１６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に
他の実施形態においては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布し
て、導電性被膜１１６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、
本発明によれば、導電性被膜１１６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御
が可能になる。このような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体
１０６の層１０６及び１１０上に様々な他の導電性被膜を析出するための様々な
他の方法を使用する場合にも適していることが理解されるであろう。例えば、本
発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成されたアルミニウム被膜を使用する場合
にも適している。
うに配置されたところの本発明の他の実施形態を、図５Ｂを参照して説明する。
（この実施形態は、その上に配置された導線性被膜１１６を有する図３の実施形
態を示している。）この実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質、
又は、主として低原子番号物質からなる材料からなることが好ましい。本願にお
いては、低原子番号物質とは、１８未満の原子番号を有する元素からなる物質を
いう。このような定義をここに述べたが、本願は、導線性被膜が低原子番号物質
から構成されていないところの実施形態にも適している。即ち、一実施形態にお
いては、導電性被膜１１６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAc
heson Colloids社の製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施
形態においては、導電性被膜１１６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に
他の実施形態においては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布し
て、導電性被膜１１６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、
本発明によれば、導電性被膜１１６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御
が可能になる。このような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体
１０６の層１０６及び１１０上に様々な他の導電性被膜を析出するための様々な
他の方法を使用する場合にも適していることが理解されるであろう。例えば、本
発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成されたアルミニウム被膜を使用する場合
にも適している。
【００３２】 先に詳細に述べた理由により、この実施形態によれば、一定のポテンシャル面
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｂ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｂ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
【００３３】 導電性被膜１１６が、不純物防止構造体１１２の上に配置されたところの本発
明の他の実施形態を、図５Ｃを参照して示す。（この実施形態は、その上に配置
された導線性被膜１１６を有する図４の実施形態を示している。）この実施形態
においては、導電性被膜は、低原子番号物質、又は、主として低原子番号物質か
らなる材料からなることが好ましい。即ち、一実施形態においては、導電性被膜
１１６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の
製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導
電性被膜１１６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態におい
ては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜１１
６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、本発明によれば、導
電性被膜１１６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。この
ような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体１１２上に様々な他
の導電性被膜を析出するための様々な他の方法を使用する場合にも適しているこ
とが理解されるであろう。例えば、本発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成さ
れたアルミニウム被膜を使用する場合にも適している。
明の他の実施形態を、図５Ｃを参照して示す。（この実施形態は、その上に配置
された導線性被膜１１６を有する図４の実施形態を示している。）この実施形態
においては、導電性被膜は、低原子番号物質、又は、主として低原子番号物質か
らなる材料からなることが好ましい。即ち、一実施形態においては、導電性被膜
１１６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の
製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導
電性被膜１１６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態におい
ては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜１１
６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、本発明によれば、導
電性被膜１１６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。この
ような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体１１２上に様々な他
の導電性被膜を析出するための様々な他の方法を使用する場合にも適しているこ
とが理解されるであろう。例えば、本発明は、例えば、傾斜蒸着によって形成さ
れたアルミニウム被膜を使用する場合にも適している。
【００３４】 先に詳細に述べた理由により、この実施形態によれば、一定のポテンシャル面
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｃ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｃ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
【００３５】 本発明の上述した実施形態は、これと関連した幾つかの本質的な利点を有して
いる。例えば、本発明によれば、公知のポリイミド系ブラックマトリックス構造
体に関連する有害な褐変及びガス放出が除去される。更に、不純物が放出される
ことをマトリックス構造体により阻止することによって、本発明によれば、放出
不純物によって電界放射器に被膜が形成されることが防止される。更に、ポリイ
ミドに衝突する電子の数及びエネルギーを減少させることにより、電子によって
誘発される不純物の脱離が減少する。その結果、本発明によれば、電界放射器の
寿命が延長される。更なる付加的な利益として、本発明の不純物防止構造体は、
次に行われる処理行程中の潜在的な損傷、及び、電気アークからマトリックス構
造体を保護する。
いる。例えば、本発明によれば、公知のポリイミド系ブラックマトリックス構造
体に関連する有害な褐変及びガス放出が除去される。更に、不純物が放出される
ことをマトリックス構造体により阻止することによって、本発明によれば、放出
不純物によって電界放射器に被膜が形成されることが防止される。更に、ポリイ
ミドに衝突する電子の数及びエネルギーを減少させることにより、電子によって
誘発される不純物の脱離が減少する。その結果、本発明によれば、電界放射器の
寿命が延長される。更なる付加的な利益として、本発明の不純物防止構造体は、
次に行われる処理行程中の潜在的な損傷、及び、電気アークからマトリックス構
造体を保護する。
【００３６】 図１ＡのＡ−Ａ線に沿ったフェースプレート１００及びマトリックス構造体１
０２の側部断面図を、図６Ａを参照して示す。上述したように、この実施形態に
おいては、マトリックス構造体１０２は、ポリイミド系物質から形成されている
。この実施形態においては、本発明は、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な
他のマトリックス形成物質を用いる場合にも適している。一例として、本発明は
、ポリイミド以外の成分を含有する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構
造を用いる場合に非常に適している。更に、本発明は、例えば、サポート構造体
及び／又はフォーカス構造体等の様々な他の物理的構成要素を用いる場合にも非
常に適している。
０２の側部断面図を、図６Ａを参照して示す。上述したように、この実施形態に
おいては、マトリックス構造体１０２は、ポリイミド系物質から形成されている
。この実施形態においては、本発明は、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な
他のマトリックス形成物質を用いる場合にも適している。一例として、本発明は
、ポリイミド以外の成分を含有する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構
造を用いる場合に非常に適している。更に、本発明は、例えば、サポート構造体
及び／又はフォーカス構造体等の様々な他の物理的構成要素を用いる場合にも非
常に適している。
【００３７】 図６Ａを参照するが、本発明のこの実施形態においては、不純物防止構造体６
０２は、マトリックス構造体１０２と、フェースプレート１００のサブピクセル
１１４とを覆うように配置されている。不純物防止構造体６０２は、サブピクセ
ル又はピクセル領域１１４内に延びているが、サブピクセル又はピクセル領域１
１４中に存在する不透明な多孔質又は非多孔質物質が、平面パネルディスプレイ
の形成又は作用に悪影響を与えることはない。しかしながら、本発明は、不純物
防止構造体６０２の多孔質物質がサブピクセル領域１１４内にまで延びていない
ところの実施形態の場合にも非常に適していることが理解されるであろう。この
実施形態においては、不純物防止構造体１０６は、多孔質物質の単一の層からな
っている。この実施形態においては、不純物防止構造体６０２からなる多孔質物
質は、平面パネルディスプレイ内に発生した電子及びＸ線が、マトリックス構造
体１０２に衝突することを防止する。更に、本発明の不純物防止構造体６０２か
らなる物質は、平面パネルディスプレイ中に発生した電子又はＸ線による衝突を
受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。このような不純物は
、例えば、Ｎ2、Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいるこ
とが理解されるであろう。
０２は、マトリックス構造体１０２と、フェースプレート１００のサブピクセル
１１４とを覆うように配置されている。不純物防止構造体６０２は、サブピクセ
ル又はピクセル領域１１４内に延びているが、サブピクセル又はピクセル領域１
１４中に存在する不透明な多孔質又は非多孔質物質が、平面パネルディスプレイ
の形成又は作用に悪影響を与えることはない。しかしながら、本発明は、不純物
防止構造体６０２の多孔質物質がサブピクセル領域１１４内にまで延びていない
ところの実施形態の場合にも非常に適していることが理解されるであろう。この
実施形態においては、不純物防止構造体１０６は、多孔質物質の単一の層からな
っている。この実施形態においては、不純物防止構造体６０２からなる多孔質物
質は、平面パネルディスプレイ内に発生した電子及びＸ線が、マトリックス構造
体１０２に衝突することを防止する。更に、本発明の不純物防止構造体６０２か
らなる物質は、平面パネルディスプレイ中に発生した電子又はＸ線による衝突を
受けたときに、不純物のガス放出を生ぜしめることなない。このような不純物は
、例えば、Ｎ2、Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2Ｏ等の種を含んでいるこ
とが理解されるであろう。
【００３８】 更に、図６Ａを参照するが、上述したように、この実施形態においては、不純
物防止構造体６０２は、多孔質物質からなっている。一実施形態においては、不
純物防止構造体６０２の多孔質物質は、コロイドシリカ；シリコン酸化物；及び
、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる。しかしながら、本発
明は、例えば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、ダイヤモンド等の様々な他
の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理解されるであろう。
更に、本発明は、多孔質な不純物防止構造体６０２の材料が摂氏約５００度超の
融点を有する固体であるところの実施形態の場合にも非常に適している。
物防止構造体６０２は、多孔質物質からなっている。一実施形態においては、不
純物防止構造体６０２の多孔質物質は、コロイドシリカ；シリコン酸化物；及び
、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる。しかしながら、本発
明は、例えば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、ダイヤモンド等の様々な他
の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理解されるであろう。
更に、本発明は、多孔質な不純物防止構造体６０２の材料が摂氏約５００度超の
融点を有する固体であるところの実施形態の場合にも非常に適している。
【００３９】 図６Ａを再び参照するが、一実施形態においては、多孔質物質は、大気圧物理
蒸着（ＡＰＰＶＤ）によって、約３００から１０，０００オングストロームの厚
さで、マトリックス構造体１０２上に析出されたシリコン酸化物である。しかし
ながら、本発明は、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線の
通過を阻止するのに適した様々な他の多孔質物質を使用する場合に非常に適して
いることが理解されるであろう。本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、ス
パッタリング、ｅ−ビーム蒸着、スプレー法、浸漬被覆法等によって形成された
ところの実施形態の場合にも適している。本発明はまた、不純物防止構造体６０
２の厚さを、上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。即
ち、６ｋｅＶでは、電子の非常に多くは、６０００オングストロームの厚さを超
えて、シリコン酸化物中に侵入することはない。１０ｋｅＶでは、電子の非常に
多くは、１０，０００オングストロームの厚さを超えて、シリコン酸化物中に侵
入することはない。従って、この実施形態においては、不純物防止構造体６０２
からなる多孔質物質の深さは、マトリックス構造体１０２が、平面パネルディス
プレイ中に発生した電子及び／又はＸ線によって衝突されないように調節される
。
蒸着（ＡＰＰＶＤ）によって、約３００から１０，０００オングストロームの厚
さで、マトリックス構造体１０２上に析出されたシリコン酸化物である。しかし
ながら、本発明は、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線の
通過を阻止するのに適した様々な他の多孔質物質を使用する場合に非常に適して
いることが理解されるであろう。本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、ス
パッタリング、ｅ−ビーム蒸着、スプレー法、浸漬被覆法等によって形成された
ところの実施形態の場合にも適している。本発明はまた、不純物防止構造体６０
２の厚さを、上述した厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。即
ち、６ｋｅＶでは、電子の非常に多くは、６０００オングストロームの厚さを超
えて、シリコン酸化物中に侵入することはない。１０ｋｅＶでは、電子の非常に
多くは、１０，０００オングストロームの厚さを超えて、シリコン酸化物中に侵
入することはない。従って、この実施形態においては、不純物防止構造体６０２
からなる多孔質物質の深さは、マトリックス構造体１０２が、平面パネルディス
プレイ中に発生した電子及び／又はＸ線によって衝突されないように調節される
。
【００４０】 次に、図６Ｂを参照するが、この実施形態においては、複数層の不純物防止構
造体は、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態
においては、複数層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層６０２及び６
０４からなっている。図６Ａの実施形態におけるように、この実施形態は、平面
パネルディスプレイ中に発生した電子及びＸ線が、マトリックス構造体１０２に
衝突することを防止する。更に、本発明の不純物防止構造体からなる物質は、平
面パネルディスプレイ内に発生した電子又はＸ線による衝突を受けたときに、不
純物のガス放出を生ぜしめることなない。
造体は、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態
においては、複数層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層６０２及び６
０４からなっている。図６Ａの実施形態におけるように、この実施形態は、平面
パネルディスプレイ中に発生した電子及びＸ線が、マトリックス構造体１０２に
衝突することを防止する。更に、本発明の不純物防止構造体からなる物質は、平
面パネルディスプレイ内に発生した電子又はＸ線による衝突を受けたときに、不
純物のガス放出を生ぜしめることなない。
【００４１】 更に、図６Ｂを参照するが、上述したように、この実施形態においては、複数
層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層からなっている。一実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体の多孔質物質の複数の層６０２及び６０４
のうちの少なくとも１つは、コロイドシリカ；シリコン酸化物；及び、化学蒸着
されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる。しかしながら、本発明は、例え
ば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、グラファイト、アルミニウム、ダイヤ
モンド等の様々な他の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理
解されるであろう。更に、本発明は、多孔質な物質の層６０２及び６０４のうち
の少なくとも１つが摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形
態の場合にも非常に適している。
層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層からなっている。一実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体の多孔質物質の複数の層６０２及び６０４
のうちの少なくとも１つは、コロイドシリカ；シリコン酸化物；及び、化学蒸着
されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる。しかしながら、本発明は、例え
ば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、グラファイト、アルミニウム、ダイヤ
モンド等の様々な他の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理
解されるであろう。更に、本発明は、多孔質な物質の層６０２及び６０４のうち
の少なくとも１つが摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形
態の場合にも非常に適している。
【００４２】 図６Ｂを再び参照するが、一実施形態においては、層６０２及び６０４のうち
の少なくとも１つの多孔質物質は、大気圧物理蒸着（ＡＰＰＶＤ）によって、約
３００から１０，０００オングストロームの厚さで、マトリックス構造体１０２
上に析出されたシリコン酸化物である。しかしながら、本発明は、平面パネルデ
ィスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線の通過を阻止するのに適した様々な
他の多孔質物質を使用する場合に非常に適していることが理解されるであろう。
本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、スパッタリング、ｅ−ビーム蒸着、
スプレー法、浸漬被覆法等によって形成されたところの実施形態の場合にも適し
ている。本発明はまた、不純物防止構造体の厚さを、上述した厚さの範囲以外に
増減変化させる場合にも適している。この実施形態においては、不純物防止構造
体からなる多孔質物質の層６０２及び６０４の合計深さは、マトリックス構造体
１０２が、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線によって衝
突されないように調節される。
の少なくとも１つの多孔質物質は、大気圧物理蒸着（ＡＰＰＶＤ）によって、約
３００から１０，０００オングストロームの厚さで、マトリックス構造体１０２
上に析出されたシリコン酸化物である。しかしながら、本発明は、平面パネルデ
ィスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線の通過を阻止するのに適した様々な
他の多孔質物質を使用する場合に非常に適していることが理解されるであろう。
本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、スパッタリング、ｅ−ビーム蒸着、
スプレー法、浸漬被覆法等によって形成されたところの実施形態の場合にも適し
ている。本発明はまた、不純物防止構造体の厚さを、上述した厚さの範囲以外に
増減変化させる場合にも適している。この実施形態においては、不純物防止構造
体からなる多孔質物質の層６０２及び６０４の合計深さは、マトリックス構造体
１０２が、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線によって衝
突されないように調節される。
【００４３】 導電性被膜６０６が不純物防止構造体上に配置されたところの本発明の他の実
施形態を、図６Ｃを参照して示す。この実施形態は、その上に配置された導電性
被膜６０６を有する図６Ｂの実施形態を示している。しかしながら、本発明は、
導電性被膜６０６が、例えば、図６Ａの実施形態上に配置されているところの実
施形態の場合に非常に適している。この実施形態においては、導電性被膜は、低
原子番号物質からなっていることが好ましい。即ち、一実施形態においては、導
電性被膜６０６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Coll
oids社の製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態におい
ては、導電性被膜６０６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形
態においては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性
被膜６０６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、本発明によ
れば、導電性被膜６０６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能にな
る。このような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体の上に様々
な他の導電性被膜（例えば、アルミニウム）を析出するための様々な他の方法を
使用する場合にも適していることが理解されるであろう。更に、この実施形態に
おいては、導電性被膜６０６は、１０００から５０００オングストロームの深さ
で析出されている。
施形態を、図６Ｃを参照して示す。この実施形態は、その上に配置された導電性
被膜６０６を有する図６Ｂの実施形態を示している。しかしながら、本発明は、
導電性被膜６０６が、例えば、図６Ａの実施形態上に配置されているところの実
施形態の場合に非常に適している。この実施形態においては、導電性被膜は、低
原子番号物質からなっていることが好ましい。即ち、一実施形態においては、導
電性被膜６０６は、例えば、ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Coll
oids社の製造に係るＣＢ８００Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態におい
ては、導電性被膜６０６は、黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形
態においては、黒鉛系導電性物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性
被膜６０６の収縮を減少させている。このようにすることにおいて、本発明によ
れば、導電性被膜６０６の最終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能にな
る。このような析出方法を上述したが、本発明は、不純物防止構造体の上に様々
な他の導電性被膜（例えば、アルミニウム）を析出するための様々な他の方法を
使用する場合にも適していることが理解されるであろう。更に、この実施形態に
おいては、導電性被膜６０６は、１０００から５０００オングストロームの深さ
で析出されている。
【００４４】 先に詳細に述べた理由により、この実施形態によれば、一定のポテンシャル面
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｂ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
が提供され、そして、如何なる電気的なアークが発生する可能性が減少する。そ
の結果、この実施形態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図５Ｂ
の実施形態においては、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保
するのに役立つ。
【００４５】 次に、図７Ａを参照するが、この実施形態においては、複数層の不純物防止構
造体が、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態
においては、複数層の不純物防止構造体は、複数の層７０２及び７０４からなっ
ている。この実施形態においては、層７０２は多孔質物質からなっているのに対
して、層７０４は、実質的に非多孔質な物質の層からなっている。図６Ａの実施
形態におけるように、この実施形態は、平面パネルディスプレイ中に発生した電
子及びＸ線が、マトリックス構造体１０２に衝突することを防止する。更に、こ
の実施形態によれば、熱によって生じた不純物はマトリックス構造体１０２内に
閉じ込められる。更に、本発明の不純物防止構造体からなる物質は、平面パネル
ディスプレイ内に発生した電子又はＸ線による衝突を受けたときに、不純物のガ
ス放出を生ぜしめることなない。
造体が、マトリックス構造体１０２を覆うように配置されている。この実施形態
においては、複数層の不純物防止構造体は、複数の層７０２及び７０４からなっ
ている。この実施形態においては、層７０２は多孔質物質からなっているのに対
して、層７０４は、実質的に非多孔質な物質の層からなっている。図６Ａの実施
形態におけるように、この実施形態は、平面パネルディスプレイ中に発生した電
子及びＸ線が、マトリックス構造体１０２に衝突することを防止する。更に、こ
の実施形態によれば、熱によって生じた不純物はマトリックス構造体１０２内に
閉じ込められる。更に、本発明の不純物防止構造体からなる物質は、平面パネル
ディスプレイ内に発生した電子又はＸ線による衝突を受けたときに、不純物のガ
ス放出を生ぜしめることなない。
【００４６】 更に、図７Ａを参照するが、上述したように、この実施形態においては、複数
層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層からなっている。一実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体の多孔質物質７０２は、コロイドシリカ；
シリコン酸化物；及び、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる
。しかしながら、本発明は、例えば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、ダイ
ヤモンド等の様々な他の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが
理解されるであろう。更に、本発明は、物質の層７０２及び７０４のうちの少な
くとも１つが摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形態の場
合にも非常に適している。
層の不純物防止構造体は、多孔質物質の複数の層からなっている。一実施形態に
おいては、複数層の不純物防止構造体の多孔質物質７０２は、コロイドシリカ；
シリコン酸化物；及び、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ばれる
。しかしながら、本発明は、例えば、シリコン、酸化物、窒化物、炭化物、ダイ
ヤモンド等の様々な他の多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが
理解されるであろう。更に、本発明は、物質の層７０２及び７０４のうちの少な
くとも１つが摂氏約５００度超の融点を有する固体であるところの実施形態の場
合にも非常に適している。
【００４７】 再び、図７Ａを参照するが、一実施形態においては、物質の複数の層は、下記
の通り特定される。層７０２は、約１０００から１０，０００オングストローム
の深さで析出されたインジウム錫酸化物の層からなっている。層７０４は、マト
リックス構造体１０２の上に、約３００から１０，０００オングストロームの厚
さで析出されたシリコン酸化物からなっている。しかしながら、本発明は、様々
な他の多孔質又は非多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理解
されるであろう。本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、スパッタリング、
ｅ−ビーム蒸着、スプレー法、浸漬被覆法等によって形成されたところの実施形
態の場合にも適している。本発明はまた、不純物防止構造体の厚さを、上述した
厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。この実施形態においては
、不純物防止構造体からなる物質の層７０２及び７０４の合計深さは、マトリッ
クス構造体１０２が、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線
によって衝突されないように調節される。
の通り特定される。層７０２は、約１０００から１０，０００オングストローム
の深さで析出されたインジウム錫酸化物の層からなっている。層７０４は、マト
リックス構造体１０２の上に、約３００から１０，０００オングストロームの厚
さで析出されたシリコン酸化物からなっている。しかしながら、本発明は、様々
な他の多孔質又は非多孔質物質を使用する場合にも非常に適していることが理解
されるであろう。本発明はまた、多孔質物質の層が、例えば、スパッタリング、
ｅ−ビーム蒸着、スプレー法、浸漬被覆法等によって形成されたところの実施形
態の場合にも適している。本発明はまた、不純物防止構造体の厚さを、上述した
厚さの範囲以外に増減変化させる場合にも適している。この実施形態においては
、不純物防止構造体からなる物質の層７０２及び７０４の合計深さは、マトリッ
クス構造体１０２が、平面パネルディスプレイ中に発生した電子及び／又はＸ線
によって衝突されないように調節される。
【００４８】 導電性被膜７０６が不純物防止構造体上に配置されたところの本発明の他の実
施形態を、図７Ｂを参照して示す。この実施形態は、その上に配置された導電性
被膜７０６を有する図７Ａの実施形態を示している。即ち、この実施形態におい
ては、層７０２は、約１０００から１０，０００オングストロームの深さで析出
されたインジウム錫酸化物の層からなっている。層７０４は、マトリックス構造
体１０２の上に、約３００から１０，０００オングストロームの厚さで析出され
たシリコン酸化物からなっている。この実施形態における層７０６は、約３００
から２０００オングストロームの深さで析出されたアルミニウムの層からなって
いる。この実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっている
ことが好ましい。即ち、一実施形態においては、導電性被膜６０６は、例えば、
ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の製造に係るＣＢ８０
０Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導電性被膜６０６は、
黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態においては、黒鉛系導電性
物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜６０６の収縮を減少させ
ている。このようにすることにおいて、本発明によれば、導電性被膜６０６の最
終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。このような析出方法を上
述したが、本発明は、不純物防止構造体の上に様々な他の導電性被膜（例えば、
アルミニウム）を析出するための様々な他の方法を使用する場合にも適している
ことが理解されるであろう。
施形態を、図７Ｂを参照して示す。この実施形態は、その上に配置された導電性
被膜７０６を有する図７Ａの実施形態を示している。即ち、この実施形態におい
ては、層７０２は、約１０００から１０，０００オングストロームの深さで析出
されたインジウム錫酸化物の層からなっている。層７０４は、マトリックス構造
体１０２の上に、約３００から１０，０００オングストロームの厚さで析出され
たシリコン酸化物からなっている。この実施形態における層７０６は、約３００
から２０００オングストロームの深さで析出されたアルミニウムの層からなって
いる。この実施形態においては、導電性被膜は、低原子番号物質からなっている
ことが好ましい。即ち、一実施形態においては、導電性被膜６０６は、例えば、
ミシガン州、ポートヒューロン所在のAcheson Colloids社の製造に係るＣＢ８０
０Ａ ＤＡＧからなっている。他の実施形態においては、導電性被膜６０６は、
黒鉛系導電性物質からなっている。更に他の実施形態においては、黒鉛系導電性
物質の層を半乾式スプレーとして塗布して、導電性被膜６０６の収縮を減少させ
ている。このようにすることにおいて、本発明によれば、導電性被膜６０６の最
終的な深さ全体に亘った改善された制御が可能になる。このような析出方法を上
述したが、本発明は、不純物防止構造体の上に様々な他の導電性被膜（例えば、
アルミニウム）を析出するための様々な他の方法を使用する場合にも適している
ことが理解されるであろう。
【００４９】 更に、図７Ｂを参照するが、この実施形態においては、不純物防止構造体は、
物質の２つの個別の層７０２及び７０４からなっている。しかしながら、他の実
施形態においては、不純物防止構造体は、含浸された非多孔質物質（例えば、イ
ンジウム錫酸化物の層７０２）を有する多孔質物質の層（例えば、シリコン酸化
物の層７０４）からなっている。即ち、本発明は、実質的に多孔質な物質の層が
、そこに含浸された実質的に非多孔質な物質を有するところの実施形態の場合に
も非常に適している。この実施形態においては、実質的に多孔質な物質の層が、
以上に詳細に説明したように析出されている。更に、実質的に非多孔質な物質は
、例えば、スパッタリング、物理蒸着等によって、実質的に非多孔質な物質の層
中に含浸される。更に、この実施形態は、以上に詳細に説明したように、その上
に配置された導電性被膜を有する場合にも非常に適している。
物質の２つの個別の層７０２及び７０４からなっている。しかしながら、他の実
施形態においては、不純物防止構造体は、含浸された非多孔質物質（例えば、イ
ンジウム錫酸化物の層７０２）を有する多孔質物質の層（例えば、シリコン酸化
物の層７０４）からなっている。即ち、本発明は、実質的に多孔質な物質の層が
、そこに含浸された実質的に非多孔質な物質を有するところの実施形態の場合に
も非常に適している。この実施形態においては、実質的に多孔質な物質の層が、
以上に詳細に説明したように析出されている。更に、実質的に非多孔質な物質は
、例えば、スパッタリング、物理蒸着等によって、実質的に非多孔質な物質の層
中に含浸される。更に、この実施形態は、以上に詳細に説明したように、その上
に配置された導電性被膜を有する場合にも非常に適している。
【００５０】 図１ＡのＡ−Ａ線に沿ったフェースプレート１００及びマトリックス構造体１
０２の側部断面図を、図８を参照して示す。上述したように、この実施形態にお
いては、マトリックス構造体１０２はポリイミド系物質から形成されている。本
発明はまた、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な他のマトリックス形成物質
を用いる場合にも適している。一例として、本発明は、ポリイミド以外の成分を
含有する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構造を用いる場合に非常に適
している。更に、本発明は、例えば、サポート構造体及び／又はフォーカス構造
体等の様々な他の物理的構成要素を用いる場合にも非常に適している。この実施
形態においては、不純物防止構造体８０２は、マトリックス構造体１０２上に、
そして、サブピクセル領域１１４内に亘って配置されている。不純物防止構造体
８０２は更に、（染料粒子８０４として典型的にしめされた）染料を含んでいる
。この実施形態においては、不純物防止構造体８０２は、色素物質でドープされ
たシリコン酸化物からなっている。このようにすることによって、この実施形態
によれば、周囲の反射光を減少させることにより、表示コントラストを増加させ
るカラーフィルタが提供される。また、この実施形態は、上記サブピクセル領域
１１４上に存在する、不純物防止構造体のこれらの部分のみに染料を配置させる
場合にも非常に適している。また、この実施形態は、不純物防止構造体８０２全
体に染料を配置させる場合にも非常に適している。
０２の側部断面図を、図８を参照して示す。上述したように、この実施形態にお
いては、マトリックス構造体１０２はポリイミド系物質から形成されている。本
発明はまた、有害な汚染を生ぜしめる虞のある様々な他のマトリックス形成物質
を用いる場合にも適している。一例として、本発明は、ポリイミド以外の成分を
含有する感光ポリイミド製剤からなるマトリックス構造を用いる場合に非常に適
している。更に、本発明は、例えば、サポート構造体及び／又はフォーカス構造
体等の様々な他の物理的構成要素を用いる場合にも非常に適している。この実施
形態においては、不純物防止構造体８０２は、マトリックス構造体１０２上に、
そして、サブピクセル領域１１４内に亘って配置されている。不純物防止構造体
８０２は更に、（染料粒子８０４として典型的にしめされた）染料を含んでいる
。この実施形態においては、不純物防止構造体８０２は、色素物質でドープされ
たシリコン酸化物からなっている。このようにすることによって、この実施形態
によれば、周囲の反射光を減少させることにより、表示コントラストを増加させ
るカラーフィルタが提供される。また、この実施形態は、上記サブピクセル領域
１１４上に存在する、不純物防止構造体のこれらの部分のみに染料を配置させる
場合にも非常に適している。また、この実施形態は、不純物防止構造体８０２全
体に染料を配置させる場合にも非常に適している。
【００５１】 以上に詳細に述べた理由により、この実施形態によれば、一定のポテンシャル
面が提供され、そして、弧光発生の可能性が減少される。その結果、この実施形
態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図７Ｂの実施形態において
は、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保するのに役立つ。
面が提供され、そして、弧光発生の可能性が減少される。その結果、この実施形
態は、蛍光物質とその上に位置するアルミニウム層（図７Ｂの実施形態において
は、未だ析出されていない）との確度を維持することを確保するのに役立つ。
【００５２】 従って、一実施形態においては、本発明は、温度変化を受けた場合に、有害な
ガス放出を生ぜしめることのないマトリックス構造体を提供する。本発明はまた
、マトリックス構造体が、上述した要求を満たし、そして、不純物の望ましくな
い脱離を減少させるところの実施形態を提供する。最終的に、他の実施形態にお
いては、本発明は、上述した双方の要求を満たし、そして、弧光発生の可能性を
減少させる一定のポテンシャル面を提供することによって、フェースプレートに
おける電気的な耐久性をも実現するマトリックス構造体を提供する。また、本発
明の導電性マトリックス構造体は、様々なタイプの平面パネルディスプレイに適
用可能であることが理解されるであろう。
ガス放出を生ぜしめることのないマトリックス構造体を提供する。本発明はまた
、マトリックス構造体が、上述した要求を満たし、そして、不純物の望ましくな
い脱離を減少させるところの実施形態を提供する。最終的に、他の実施形態にお
いては、本発明は、上述した双方の要求を満たし、そして、弧光発生の可能性を
減少させる一定のポテンシャル面を提供することによって、フェースプレートに
おける電気的な耐久性をも実現するマトリックス構造体を提供する。また、本発
明の導電性マトリックス構造体は、様々なタイプの平面パネルディスプレイに適
用可能であることが理解されるであろう。
【００５３】 本発明の特定の実施形態を、図示及び説明のために以上に述べた。これらの説
明は、これですべてであることを意図するものではなく、本発明はここに開示さ
れた正確な形態に限定されることを意味するものでもなく、そして、上述した教
示に鑑みて、自明な数多くの修正及び変形が可能である。本発明の原理及びその
実際の適用方法を最良な状態で説明し、かくして、本発明及び様々な実施形態を
、熟考された特定の用途に適する様々な変更をもって当業者が利用できるように
、これらの実施形態を選択し、そして、説明した。本発明の範囲は、ここに添付
した請求項及びその均等物によって特定されるべきであることを意図するもので
ある。
明は、これですべてであることを意図するものではなく、本発明はここに開示さ
れた正確な形態に限定されることを意味するものでもなく、そして、上述した教
示に鑑みて、自明な数多くの修正及び変形が可能である。本発明の原理及びその
実際の適用方法を最良な状態で説明し、かくして、本発明及び様々な実施形態を
、熟考された特定の用途に適する様々な変更をもって当業者が利用できるように
、これらの実施形態を選択し、そして、説明した。本発明の範囲は、ここに添付
した請求項及びその均等物によって特定されるべきであることを意図するもので
ある。
【図面の簡単な説明】 この明細書に組み入れられ、そして、その一部を構成する添付図面は、本発明
の実施形態を示しており、明細書の記述と共に、本発明の原理を説明する作用を
有する。
の実施形態を示しており、明細書の記述と共に、本発明の原理を説明する作用を
有する。
【図１Ａ】 平面ディスプレイ装置におけるフェースプレートの斜視図であり、この装置は
、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って配置されたマトリックス構造
体を有している。
、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って配置されたマトリックス構造
体を有している。
【図１Ｂ】 平面パネルディスプレイ装置におけるサポート構造体の斜視図であり、この装
置において、サポート構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従っ
て密閉されている。
置において、サポート構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従っ
て密閉されている。
【図１Ｃ】 平面パネルディスプレイ装置におけるフォーカス構造体の斜視図であり、この
装置において、フォーカス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に
従って密閉されている。
装置において、フォーカス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に
従って密閉されている。
【図２】 図１Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体のＡ−Ａ線に沿った側部断
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された不純物防止構造体
を有している。
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された不純物防止構造体
を有している。
【図３】 図１Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体のＡ−Ａ線に沿った側部断
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された複数層からなる不
純物防止構造体を有している。
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された複数層からなる不
純物防止構造体を有している。
【図４】 請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、マトリックス構造体及びサ
ブピクセル領域を覆うように配置された不純物防止構造体の側部断面図である。
ブピクセル領域を覆うように配置された不純物防止構造体の側部断面図である。
【図５Ａ】 フェースプレートと、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、配置
された導電性被膜を有する、図２のマトリックス構造体との側部断面図である。
された導電性被膜を有する、図２のマトリックス構造体との側部断面図である。
【図５Ｂ】 フェースプレートと、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、配置
された導電性被膜を有する、図３のマトリックス構造体との側部断面図である。
された導電性被膜を有する、図３のマトリックス構造体との側部断面図である。
【図５Ｃ】 フェースプレートと、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、配置
された導電性被膜を有する、図４のマトリックス構造体との側部断面図である。
された導電性被膜を有する、図４のマトリックス構造体との側部断面図である。
【図６Ａ】 図１Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体のＡ−Ａ線に沿った側部断
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された多孔質物質からな
る不純物防止構造体を有している。
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された多孔質物質からな
る不純物防止構造体を有している。
【図６Ｂ】 図１Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体のＡ−Ａ線に沿った側部断
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された多孔質物質の複数
の層からなる不純物防止構造体を有している。
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、マトリックス構造体の上に配置された多孔質物質の複数
の層からなる不純物防止構造体を有している。
【図６Ｃ】 図６Ｂのフェースプレート及びマトリックス構造体の側部断面図であり、この
マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の実施形態に従って、マトリ
ックス構造体の上に配置された導電性被膜を有している。
マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の実施形態に従って、マトリ
ックス構造体の上に配置された導電性被膜を有している。
【図７Ａ】 図１Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体のＡ−Ａ線に沿った側部断
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、多孔質物質の単一の層と、その上に配置された非多孔質
物質の単一の層とからなる不純物防止構造体を有している。
面図であり、ここにおいて、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明
の一実施形態に従って、多孔質物質の単一の層と、その上に配置された非多孔質
物質の単一の層とからなる不純物防止構造体を有している。
【図７Ｂ】 図７Ａのフェースプレート及びマトリックス構造体の側部断面図であり、ここ
において、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従
って、マトリックス構造体上に配置された導電性被膜を有している。
において、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従
って、マトリックス構造体上に配置された導電性被膜を有している。
【図８】 フェースプレート及びマトリックス構造体の側部断面図であり、ここにおいて
、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、マ
トリックス構造体の上に配置された、素を含有する不純物防止構造体を有してい
る。 この明細書において言及した図面は、特に、注意書きが施されている場合を除
き、尺度を明確にするために作成されたものではないことを理解すべきである。
、マトリックス構造体は、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、マ
トリックス構造体の上に配置された、素を含有する不純物防止構造体を有してい
る。 この明細書において言及した図面は、特に、注意書きが施されている場合を除
き、尺度を明確にするために作成されたものではないことを理解すべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マッキー，ボブ，エル． アメリカ合衆国，95124 カリフォルニア 州，サン ホウゼイ，アンドリューズ ア ヴェニュー 1859 (72)発明者 ポーター，ジョーン，ディー． アメリカ合衆国，94709 カリフォルニア 州，バークレイ，スプリュース ストリー ト 1742 (72)発明者 フェイレン，テオドウル，エス． アメリカ合衆国，95120 カリフォルニア 州，サン ホウゼイ，コート デ ラ レ ーナ 6131 Ｆターム(参考） 5C036 EF01 EF08 EG02
Claims (45)
- 【請求項１】 ａ）平面パネルディスプレイのフェースプレートに接合され
るのに適したマトリックス構造体である物理的構成要素と；そして、 ｂ）前記マトリックス構造体を覆うように配置された不純物防止構造体と からなることを特徴とする密閉マトリックス構造体又は装置。 - 【請求項２】 前記不純物防止構造体は、前記マトリックス構造体中に最初
から存在する不純物を閉じ込めるような物理的構造を有しており、前記マトリッ
クス構造体は、平面パネルディスプレイ装置のフェースプレート上にサブピクセ
ルの行及び列を形成していることを特徴とする請求項１に記載の構造体。 - 【請求項３】 前記不純物防止構造体は、密閉マトリックス構造体に電子が
衝突したときに、下位マトリックス構造体が変質しないような十分な厚さを有し
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項４】 前記不純物防止構造体は、前記マトリックス構造体中に最初
から存在する不純物を閉じ込めるような物理的構造を有しており、前記マトリッ
クス構造体は更に、 ｃ）前記不純物防止構造体を覆うように配置された導電性被膜を有しており、
前記マトリックス構造体は、熱によって生ずるガス放出、及び、電子によって誘
発される不純物の脱離による汚染を防止することを特徴とする請求項１に記載の
マトリックス。 - 【請求項５】 前記不純物防止構造体は、前記平面パネルディスプレイのカ
ソード部から放出される電子の通過を阻止するのに十分な厚さを有していること
を特徴とする請求項１、２又は４に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項６】 前記不純物防止構造体は、前記平面パネルディスプレイのカ
ソード部から放出される電子による衝突を受けたときに、不純物のガス放出を生
ぜしめないことを特徴とする請求項１、２又は４に記載の密閉マトリックス構造
体。 - 【請求項７】 ａ）平面パネルディスプレイのフェースプレートに接合され
るのに適したマトリックス構造体を、前記マトリックス構造体中に最初から存在
する不純物を閉じ込める不純物防止構造体で覆う工程からなることを特徴とする
、平面パネルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ずる
ガス放出、及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための方法。 - 【請求項８】 前記工程ａ）は、平面パネルディスプレイのフェースプレー
トに接合されるのに適したポリイミド系マトリックス構造体を、前記不純物防止
構造体で覆うことからなることを特徴とする、平面パネルディスプレイ装置のマ
トリックス構造体からの、熱によって生ずるガス放出、及び、電子によって誘発
される不純物の脱離を防止するための請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記工程ａ）は、前記マトリックス構造体を、実質的に非多
孔質な物質の単一の層で覆うことからなることを特徴とする、平面パネルディス
プレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ずるガス放出、及び、電
子によって誘発される不純物の脱離を防止するための請求項７に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記実質的に非多孔質な物質は、シリコン酸化物；金属フ
ィルム；及び、固体無機物からなる群から選ばれることを特徴とする、平面パネ
ルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ずるガス放出、
及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための請求項９に記載の
方法。 - 【請求項１１】 前記工程ａ）は、前記マトリックス構造体を、実質的に非
多孔質な物質の複数の層で覆うことからなることを特徴とする、平面パネルディ
スプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ずるガス放出、及び、
電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための請求項７に記載の方法。 - 【請求項１２】 実質的に非多孔質な物質の前記複数の層の少なくとも１つ
は、シリコン酸化物；金属フィルム；固体無機物；アルミニウム；ベリリウム；
化学蒸着されたシリコン酸化物；及び、摂氏約５００度超の融点を有する固体か
らなる群から選ばれることを特徴とする、平面パネルディスプレイ装置のマトリ
ックス構造体からの、熱によって生ずるガス放出、及び、電子によって誘発され
る不純物の脱離を防止するための請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記工程ａ）は、前記マトリックス構造体を、前記平面パ
ネルディスプレイのカソード部から放出される電子の通過を阻止するのに十分な
厚さを有する実質的に非多孔質な物質の単一の層で覆うことからなることを特徴
とする、平面パネルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって
生ずるガス放出、及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための
請求項７に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記工程ａ）は、前記マトリックス構造体を、前記平面パ
ネルディスプレイのカソード部から放出される電子による衝突を受けたときに、
不純物のガス放出を生ぜしめない不純物防止構造体で覆うことからなることを特
徴とする、平面パネルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によっ
て生ずるガス放出、及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するため
の請求項７に記載の方法。 - 【請求項１５】 ｂ）前記不純物防止構造体全体に導電性塗料を塗布する工
程を更に含むことを特徴とする、平面パネルディスプレイ装置のマトリックス構
造体からの、熱によって生ずるガス放出、及び、電子によって誘発される不純物
の脱離を防止するための請求項７に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記工程ｂ）は、前記不純物防止構造体全体に、低原子番
号物質から構成された導電性塗料を塗布することからなることを特徴とする、平
面パネルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ずるガス
放出、及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための請求項１５
に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記工程ａ）は、更に、前記平面パネルディスプレイ装置
のサブピクセル領域を、前記不純物防止構造体で覆うことを含むことを特徴とす
る、平面パネルディスプレイ装置のマトリックス構造体からの、熱によって生ず
るガス放出、及び、電子によって誘発される不純物の脱離を防止するための請求
項７に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記構造体は、電子及びＸ線によって誘発される不純物の
脱離による汚染を防止するためのものであり、前記不純物防止構造体は、前記マ
トリックス構造体が、電子及びＸ線の衝撃から実質的に遮蔽されるような物理的
構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項１９】 前記構造体は、熱によって生ずるガス放出、並びに、電子
及びＸ線によって誘発される不純物の脱離による汚染を防止するためのものであ
り、前記不純物防止構造体は更に、 実質的に非多孔質な物質の単一の層と；そして、 多孔質な物質の単一の層と からなっていることを特徴とする請求項１に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２０】 前記マトリックス構造体は、ポリイミド以外の成分を含有
する感光ポリイミド製剤からなっていることを特徴とする請求項４、１８又は１
９に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２１】 前記不純物防止構造体は、前記平面パネルディスプレイ中
に発生した電子及びＸ線が通過することを実質的に阻止するのに十分な厚さを有
していることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の密閉マトリックス構造体
。 - 【請求項２２】 前記不純物防止構造体は、前記平面パネルディスプレイ中
に発生した電子及びＸ線による衝撃を受けたときに、不純物のガス放出を生ぜし
めないことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２３】 前記不純物防止構造体は更に、 前記マトリックス構造体の上に配置されたインジウム錫酸化物の単一の層と； インジウム錫酸化物の前記単一の層の上に配置されたシリコン酸化物の単一の
層と；そして、 シリコン酸化物の前記単一の層の上に配置されたアルミニウムの層と から構成されることを特徴とする請求項１９に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２４】 インジウム錫酸化物の前記単一の層は、約１０００から１
０，０００オングストロームの厚さを有していることを特徴とする請求項２３に
記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２５】 シリコン酸化物の前記単一の層は、約３０００から１０，
０００オングストロームの厚さを有していることを特徴とする請求項２３に記載
の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項２６】 アルミニウムの前記単一の層は、約３００から４０００オ
ングストロームの厚さを有していることを特徴とする請求項２３に記載の密閉マ
トリックス構造体。 - 【請求項２７】 ａ）フェースプレートと； ｂ）前記フェースプレートに接合されたバックプレートと； ｃ）前記フェースプレート及び前記バックプレート間に配置された物理的構成
要素と；そして、 ｄ）前記物理的構成要素を覆うように配置された不純物防止構造体であって、
前記物理的構成要素からの、熱によるガス放出及び電子による不純物の脱離を防
止する不純物防止構造体と からなることを特徴とする電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項２８】 前記物理的構成要素は、ブラックマトリックス構造体であ
ることを特徴とする請求項２７に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項２９】 前記物理的構成要素は、サポート構造体であることを特徴
とする請求項２７に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項３０】 前記物理的構成要素は、フォーカス構造体であることを特
徴とする請求項２７に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項３１】 前記物理的構成要素は、ポリイミドから構成されているこ
とを特徴とする請求項１、２、４、１８、１９又は２７に記載の装置。 - 【請求項３２】 前記不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質の少な
くとも１つの層から構成されていることを特徴とする請求項１、２、４又は２７
に記載の構造体又は装置。 - 【請求項３３】 前記実質的に非多孔質な物質は、金属フィルム；固体無機
物；アルミニウム；ベリリウム；及び、摂氏約５００度超の融点を有する固体か
らなる群から選ばれることを特徴とする請求項１９又は３２の密閉マトリックス
構造体。 - 【請求項３４】 前記実質的に非多孔質な物質は、シリコン酸化物；金属フ
ィルム；及び、固体無機物からなる群からなる群から選ばれることを特徴とする
請求項３２に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項３５】 前記不純物防止構造体は、実質的に多孔質な物質の少なく
とも１つの層から構成されることを特徴とする請求項１８又は２７に記載の構造
体又は装置。 - 【請求項３６】 前記不純物防止構造体は、多孔質な物質の複数の層から構
成されており、多孔質な物質の前記複数の層の少なくとも１つは、コロイドシリ
カ；シリコン酸化物；及び、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ば
れることを特徴とする請求項３５に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項３７】 前記実質的に非多孔質な物質は、コロイドシリカ；シリコ
ン酸化物；及び、化学蒸着されたシリコン酸化物からなる群から選ばれることを
特徴とする請求項１９又は３５に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項３８】 前記不純物防止構造体は、 実質的に多孔質な物質の単一の層と；そして、 実質的に多孔質な物質の前記単一の層に接合された実質的に非多孔質な物質の
単一の層と から構成されることを特徴とする請求項２７に記載の電界放射ディスプレイ装置
。 - 【請求項３９】 前記不純物防止構造体は、他の物質で含浸された実質的に
多孔質な物質の単一の層から構成されていることを特徴とする請求項２７に記載
の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項４０】 前記不純物防止構造体は、実質的に非多孔質な物質で含浸
された実質的に多孔質な物質の単一の層から構成されていることを特徴とする請
求項２７に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項４１】 ｅ）前記不純物防止構造体を覆うように配置された導電性
被膜を更に含むことを特徴とする請求項１９、２７、３５又は４０に記載の電界
放射ディスプレイ装置。 - 【請求項４２】 前記導電性被膜は、低原子番号物質からなっていることを
特徴とする請求項４又は４１に記載の密閉マトリックス構造体。 - 【請求項４３】 前記不純物防止構造体は、前記電界放射ディスプレイ装置
のサブピクセル領域内に配置されていることを特徴とする請求項１、２、４、１
８、１９、２７又は４１に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項４４】 前記不純物防止構造体は、周囲の反射光の減少によって表
示コントラストが改善されるような色素物質を含んでいることを特徴とする請求
項４３に記載の電界放射ディスプレイ装置。 - 【請求項４５】 前記不純物防止構造体は、前記色素材料でドープされたシ
リコン酸化物からなっていることを特徴とする請求項４４に記載の電界放射ディ
スプレイ装置。
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| TW574448B (en) * | 2002-09-24 | 2004-02-01 | Au Optronics Corp | Method for fabricating a polysilicon layer |
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| EP1803146A2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-07-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier having reduced height |
| CN2788876Y (zh) * | 2005-05-10 | 2006-06-21 | 张逸夫 | 模拟花开动作的仿真玩具花 |
| WO2007061604A2 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for a substrate carrier having an inflatable seal |
| US20070141280A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier having an interior lining |
| US20080018218A1 (en) * | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Wei-Sheng Hsu | Straddling and supporting structure for a field emission display device and a manufacturing method thereof |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996016429A2 (en) * | 1994-11-21 | 1996-05-30 | Candescent Technologies Corporation | Field emission device with internal structure for aligning phosphor pixels with corresponding field emitters |
| JPH08508846A (ja) * | 1993-02-01 | 1996-09-17 | シリコン・ビデオ・コーポレイション | 内部支持構造体及び／若しくは隆起したブラックマトリクスを有するフラットパネル装置 |
| JPH09134686A (ja) * | 1995-11-11 | 1997-05-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像表示装置 |
| WO1997022961A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Philips Electronics N.V. | Plasma addressed liquid crystal display with organic-walled plasma channels |
| JPH09512381A (ja) * | 1994-01-31 | 1997-12-09 | シリコン・ビデオ・コーポレイション | 集束用突条を備えた電界放出構造 |
| JP2001519964A (ja) * | 1997-03-31 | 2001-10-23 | キャンデサント、テクノロジーズ、コーポレーション | 導電性被覆を有する黒色マトリックス |
Family Cites Families (12)
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|---|---|---|---|---|
| US5614781A (en) * | 1992-04-10 | 1997-03-25 | Candescent Technologies Corporation | Structure and operation of high voltage supports |
| US4923421A (en) * | 1988-07-06 | 1990-05-08 | Innovative Display Development Partners | Method for providing polyimide spacers in a field emission panel display |
| US5063327A (en) * | 1988-07-06 | 1991-11-05 | Coloray Display Corporation | Field emission cathode based flat panel display having polyimide spacers |
| NL9100122A (nl) * | 1991-01-25 | 1992-08-17 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| FR2678424A1 (fr) | 1991-06-27 | 1992-12-31 | Thomson Tubes Electroniques | Elements electriquement isolants pour panneaux a plasma et procede pour la realisation de tels elements. |
| DE69229823T2 (de) * | 1991-06-28 | 2000-03-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Schwarzmatrixleiterplatte und deren herstellungsverfahren, und flüssigkristallanzeigetafel und deren herstellungsverfahren |
| US5650690A (en) * | 1994-11-21 | 1997-07-22 | Candescent Technologies, Inc. | Backplate of field emission device with self aligned focus structure and spacer wall locators |
| GB9502435D0 (en) * | 1995-02-08 | 1995-03-29 | Smiths Industries Plc | Displays |
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP3171785B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2001-06-04 | 富士通株式会社 | 薄型表示装置、及びそれに用いる電界放出陰極の製造方法 |
| AU742548B2 (en) * | 1996-12-26 | 2002-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | A spacer and an image-forming apparatus, and a manufacturing method thereof |
| US6051937A (en) * | 1998-05-29 | 2000-04-18 | Candescent Technologies Corporation | Voltage ratio regulator circuit for a spacer electrode of a flat panel display screen |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08508846A (ja) * | 1993-02-01 | 1996-09-17 | シリコン・ビデオ・コーポレイション | 内部支持構造体及び／若しくは隆起したブラックマトリクスを有するフラットパネル装置 |
| JPH09512381A (ja) * | 1994-01-31 | 1997-12-09 | シリコン・ビデオ・コーポレイション | 集束用突条を備えた電界放出構造 |
| WO1996016429A2 (en) * | 1994-11-21 | 1996-05-30 | Candescent Technologies Corporation | Field emission device with internal structure for aligning phosphor pixels with corresponding field emitters |
| JPH09134686A (ja) * | 1995-11-11 | 1997-05-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像表示装置 |
| WO1997022961A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Philips Electronics N.V. | Plasma addressed liquid crystal display with organic-walled plasma channels |
| JP2001519964A (ja) * | 1997-03-31 | 2001-10-23 | キャンデサント、テクノロジーズ、コーポレーション | 導電性被覆を有する黒色マトリックス |
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