JP2001516140A - 多重試料導入質量分光測定法 - Google Patents
多重試料導入質量分光測定法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、多重エレクトロスプレープローブを広範囲の試料流量および溶液化学にわたり最適性能を有利に与えるよう配置することにある。この多重ＥＳプローブは噴霧補助と共に或いはそれなしに操作することができる。
【解決手段】 多重試料導入手段は、質量分析器にインターフェースされる大気圧イオン供給源に配置される。それぞれ異なる試料を多重エレクトロスプレー（ＥＳ）もしくは大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）プローブを介して個々にまたは同時に導入すると共にイオン化させることができる。多重ＥＳもしくはＡＰＣＩプローブインプットからスプレーされた個々の溶液より生ずる気相イオン混合物を質量分析する。このようにして、検量溶液を１つのＥＳもしくはＡＰＣＩプローブを介して導入すると共に、１種もしくはそれ以上の試料溶液を追加プローブからのスプレーとすることができる。検量溶液および試料溶液の同時噴霧は、既知分子量を有するイオンのピークおよび試料関連ピークを含む獲得質量スペクトルをもたらす。検量ピークはデータ分析に際し内部検量標準として使用することができる。内部検量ピークを含む質量スペクトルの獲得は、液相にて検量溶液と試料溶液とを混合する必要なしに種々異なる溶液を多重入口プローブから同時に噴霧して達成することができる。ＥＳプローブおよびＡＰＣＩプローブの配置は１つのＡＰＩ供給源チャンバ内に配置することができ、ＥＳもしくはＡＰＣＩプローブの任意の組合せを介する溶液流は分析操作に際しオン・オフ切換することができる。それぞれ試料溶液を別途のＥＳもしくはＡＰＣＩ入口プローブを介して大気圧イオン供給源に供給する多重分離システムの検出器として単一の質量分析器を作用させることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】関連出願
本出願は１９９７年９月１２日付け出願の米国特許出願第６０／０５８，６８
３号、１９９８年２月２７日付け出願の米国特許出願第６０／０７６，１１８号
および１９９８年５月２９日付け出願の米国特許出願第６０／０８７，２５６号
（これらの開示を参考のためここに引用する）を優先権として主張する。 【０００２】 本発明は、多重試料導入質量分光測定に関するものである。 【０００３】 【従来の技術】 質量分析器にインターフェースされるエレクトロスプレー（ＥＳ）、大気圧化
学イオン化（ＡＰＣＩ）および電磁結合プラズマ（ＩＣＰ）イオン供給源を含め
大気圧イオン化（ＡＰＩ）供給源は、典型的には単一の試料導入プローブにて操
作される。内部標準を必要とする質量分光測定用途において、得られる混合物が
１つのプローブを介しＡＰＩ供給源に供給される場合は追加成分を、主たる試料
溶液に添加することができる。同じプローブを介し導入される単一溶液における
化合物の混合物がイオン化されると共に質量分析される。未知試料と混合される
際に既知の試料は、この方法にて得られる質量スペクトルに出現する未知成分ピ
ークのための内部マススケール(mass scale)もしくは検量標準として作用しう る。しかしながら、未知試料溶液との既知化合物検量溶液の混合は望ましくない
分析結果を与えうる。既知および未知の各溶液成分は、溶液移動もしくはイオン
化過程に際し予想しえないよう互いに作用しうる。一方の成分が溶液にて他方の
成分と反応し、或いは１種もしくはそれ以上の成分がイオン化過程に際し他方の
成分のイオン化効率を抑制しうる。既知成分混合物を有する溶液は、微量成分レ
ベルにて一連の未知試料を操作しつつあるプローブにて化学汚染の供給源として
排除するのが困難である。既知溶液を混合物として試料導入プローブを介し間歇
的に供給することが望ましければ、場合により試料の導入はプローブを介する溶
液流量の制約、溶液の混合効率、死容積損失、および次の分析に先立つ既知溶液
を排除するためのプローブのフラッシュを受ける。本発明は、分析に先立ち同じ
プローブにて溶液を混合する必要なしに２種の異なる溶液の同時的質量分析を行
うことにより、ＡＰＩ供給源におけるイオン化に先立ち液体試料を混合する際に
遭遇する性能問題および試料導入問題を回避する。一面において本発明は、種々
異なる試料溶液を操作に際しＡＰＩ供給源中に同時に導入しうる、プローブ集成
体内における多重プローブまたは多重スプレイヤーもしくは噴霧器の配置および
同時的操作である。 【０００４】 本発明の１具体例において、多重試料導入手段は、質量分析器にインターフェ
ースされるエレクトロスプレー大気圧イオン供給源に配置される。少なくとも２
つの試料導入エレクトロスプレープローブをエレクトロスプレーイオン供給源に
て同時的に操作する。少なくとも１つのＥＳプローブには、同じＥＳ供給源チャ
ンバ内で操作する追加ＥＳプローブに供給される試料溶液とは異なる試料が供給
される。このようにして検量溶液を１つのＥＳプローブを介して導入することが
できる一方、未知試料を同じＥＳプローブ集成体内の他のＥＳプローブもしくは
第２チャンネルを介し導入することができる。両ＥＳプローブの同時的噴霧を介
し両溶液から発生したイオンは、減圧中へのオリフィスに流入する前に大気圧Ｅ
Ｓチャンバのバックグランドガスにて配合もしくは混合される。少なくとも２つ
のＥＳプローブから供給された各溶液から生ずるイオンの混合物は同時的に質量
対電荷（ｍ／ｚ）分析されて、質量分析器を検量もしくは微調整するための内部
標準を含む質量スペクトルをもたらす。得られた質量スペクトルに含まれる内部
検量標準は、既知試料と未知試料とを溶液にて混合することなく得られる。多重
ＥＳプローブを介する種々異なる試料の同時的導入はさらに、減圧中への導入に
先立ちＥＳ供給源チャンバにて大気圧で混合イオンおよび分子の各反応の検討を
可能にする。各ＥＳ試料導入プローブ集成体には噴霧ガスおよび液体層流を配置
することができる。内部検量溶液を層流に、或いはＥＳ供給源チャンバに配置さ
れた任意所定のＥＳプローブの主流に含ませることができる。ＥＳプローブの任
意の組合せに対する個々の試料溶液流もしくは噴霧ガス流を、プローブ再配置の
必要なしに分析操作に際しオン・オフ切換することができる。本発明の他面にお
いて、大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）供給源アセンブリには多重入口チャンネ
ルもしくはプローブを配置することができる。これら多重ＡＰＣＩ入口プローブ
は空気圧噴霧を含むことができ、各入口プローブに供給される溶液流およびガス
流は個々に或いは同時的にオン・オフ切換することができる。ＥＳ供給源および
ＡＰＣＩ供給源の両者において、多重プローブ試料溶液イオン化は電圧の切換、
噴霧ガス流の調節または試料溶液流の調節により、プローブ再配置の必要なしに
制御することができる。多重試料導入入口プローブの配置は、同じＡＰＣＩチャ
ンバにおけるエレクトロスプレーおよびＡＰＣＩイオン発生手段の両者の組合せ
を有するシステムまで拡張することもできる。各ＥＳもしくはＡＰＣＩ試料入口
プローブは空気圧もしくは超音波噴霧を含むことができる。 【０００５】 ２個以上の試料導入針もしくは噴霧器を備えるエレクトロスプレーイオン供給
源の配置は刊行物に記載されている。コスチアニネンおよびブルインス、「質量
分光測定に関する第４１回ＡＳＭＳ会議のプロシーディング」７４４ａ（１９９
３）は、エレクトロスプレーイオン供給源に装着された空気圧噴霧を伴う或いは
伴わない多重エレクトロスプレー入口先端部の集成体の配置および使用を記載し
ている。各ＥＳ先端には、単一溶液供給源により単一ポンプから供給された同じ
試料溶液が供給される。液体クロマトグラフポンプから供給される試料溶液は、
より高い液体流量でイオン信号強度を向上させる試みにて１個、２個もしくは４
個のＥＳもしくは空気圧噴霧補助のＥＳ噴霧器先端部の集成体もしくは列に流入
する。報告された配置においては、個々の噴霧器先端部への溶液流は独立してオ
ン・オフ切換することができず、または種々異なる溶液を多重ＥＳ噴霧器先端部
の集成体における個々の噴霧器先端部に選択的に導入することができない。 【０００６】 ラッチェルＲ．オゴルザレク・ルー、ハロルドＲ．ウルセスおよびリチャード
Ｄ．スミス、「質量分光測定に関する第３９回ＡＳＭＳ会議のプロシーディング
および関連トピックス」第２６６〜２６７頁（１９９１）、並びにジャーナル・
フィジカル・ケミストリー、第６４１２〜６４１５頁（１９９１）およびリチャ
ードＤ．スミス、ヨセフＡ．ルー、ラッチェルＲ．オゴルザレク・ルー、マーク
・ブスマンおよびハロルドＲ．ウドセス、質量分光測定レビュー、第１０巻、第
３５９〜４５１頁（１９９１）は、各イオンをＹ形状毛細管の２個の別々の入口
開孔部に供給する二重エレクトロスプレーイオン供給源を含む四極質量分析装置
にインターフェースされたエレクトロスプレーイオン供給源の配置を記載してい
る。一方のエレクトロスプレー供給源で形成された陽イオンはＹ形状毛細管の一
方の入口分枝中へ導入されると共に、第２エレクトロスプレーイオン供給源から
形成された陰イオンはＹ形状毛細管の第２入口分枝に導入される。毛細管の２つ
の入口オリフィスに掃引された陽イオンおよび陰イオンは、毛細管の２つの入口
分枝が２つのＥＳ大気圧供給源チャンバに位置する毛細管入口の下流で充分混合
する箇所にて混合し始める。二重エレクトロスプレーイオン化供給源または別途
のＥＳ供給源および気相コロナ放電供給源は、個々にイオンをＹ形状毛細管の２
つの入口オリフィス中へ供給する。報告された全実験につき、第１ＥＳ供給源は
第２ＥＳ供給源もしくは気相コロナ放電供給源とは反対極性のイオンを発生する
。別々のイオン供給源で発生した反対極性のイオンは大気圧イオン供給源では混
合せずに、スプリット分離毛細管に２つの別々の入口オリフィスにて流入すると
共に毛細管下流にて部分減圧中で混合する。 【０００７】 ボルドリーウールフィットおよびベイトマン、「質量分光測定に関する第４３
回ＡＳＭＳ会議のプロシーディングおよび関連トピックス」第９８頁（１９９５
）は、磁気セクター質量分析器にインターフェースされた第２マイクロチップ（
５０ｎｌ／ｍｉｎ流量）試料プローブが配置された検量ＥＳプローブを含むエレ
クトロスプレーイオン供給源を記載している。試料プローブは、注射針に直接取
り付けられたマイクロチップ含む。注射器はＸ−Ｙ−Ｚ位置決め段階で装着され
て、マイクロチップ噴霧器の位置を最適化させる。検量ＥＳプローブは、検量溶
液を５００ｎｌ／ｍｉｎにて噴霧すると共に試料が第１ＥＳ試料プローブに流過
しない位置まで移動させうるよう配置される。検量質量スペクトルを得た後、検
量ＥＳプローブを後退させると共に検量溶液流を遮断する。次いでマイクロチッ
プ試料ＥＳプローブを流過する試料流を付勢させると共に、別の質量スペクトル
をエレクトロスプレーされた発生イオンから得る。このようにして、第１試料の
質量スペクトルを得る前に外部検量質量スペクトルが得られる。次いで検量質量
スペクトルと試料質量スペクトルとを、試料関連ピークの質量整合につき計算す
る前にデータシステムにて加算する。報告されたＥＳ供給源配置につき、２つの
ＥＳプローブは同時的に操作されず、また検量イオンと試料イオンとの気相混合
物は大気圧にて形成させず、質量スペクトルは検量イオンと試料イオンとの混合
物から得られなかった。記載された装置では試料関連ピークおよび検量化合物関
連ピークを含む単一の質量スペクトルが得られなかった。記載されたいずれのＥ
Ｓプローブも空気圧噴霧補助エレクトロスプレーで操作するよう配置されなかっ
た。ＥＳ検量プローブ位置は、減圧中へのオリフィスの近くにおける効果的噴霧
を可能にするため検量スペクトルの獲得前に調整を必要とした。検量質量スペク
トルを得た後、ＥＳ検量プローブを後退させて、第１ＥＳプローブを介し供給さ
れた試料溶液からの質量スペクトル獲得に先立つ干渉を回避する。 【０００８】 説明する本発明の１具体例において多重試料はＡＰＩ供給源に同時的に導入さ
れ、ここで各イオンを全ての試料から発生させると共に大気圧イオン供給源チャ
ンバにて混合する。次いで気相イオン混合物の１部をオリフィスもしくは毛細管
を介し減圧中へ掃引し、ここでイオンを質量分析する。このようにして、検量化
合物を含有する溶液を試料溶液と同時にイオン化させることができ、その結果と
して溶液における検量成分と試料成分との混合なしに内部標準を含む質量スペク
トルを得ることができる。一層高い質量精度が、ｍ／ｚ整合を獲得質量スペクト
ルにて試料イオン関連ピークにつき計算する際に、内部標準で達成される。ＡＰ
Ｉ供給源に検量化合物を独立して導入する他、多重試料入口プローブを用いて多
重試料を個々にまたは同時的にＡＰＩ供給源に導入することもできる。たとえば
ＥＳおよびＡＰＣＩプローブのようなＡＰＩチャンバにおける多重プローブの装
着は、単一のＡＰＩ供給源アセンブリにて多重イオン化技術を個々に或いは同時
的に行うことを可能にする。多重エレクトロスプレープローブは、広範囲の試料
流量および溶液化学にわたり最適性能を総合的に与えるよう配置することができ
る。ＥＳプローブ位置は、中心線から１００°を充分越える角度位置まで減圧オ
リフィス中心線に直接載るよう配置することができる。種々異なる液体流量を、
同じＡＰＩ供給源における別々のＥＳもしくはＡＰＣＩプローブに供給すること
ができる。ＥＳ供給源チャンバに種々異なる位置にて装着されたＥＳおよび／ま
たはＡＰＣＩプローブは同時的に或いは対として或いは群として種々異なる流量
にて操作することができ、種々異なる試料溶液を導入することができる。多重Ｅ
Ｓプローブは噴霧補助と共に或いはそれなしに操作することができる。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】 本発明の課題は、多重エレクトロスプレープローブを広範囲の試料流量および
溶液化学にわたり最適性能を総合的に与えるよう配置することにある。この多重
ＥＳプローブは噴霧補助と共に或いはそれなしに操作することができる。 【００１０】 【課題を解決するための手段】 本発明の１具体例は、種々異なる試料供給システムに接続されて質量分析器に
インターフェースされた多重試料溶液入口を有するＡＰＩ供給源の配置である。
個々の試料入口プローブは、同じＡＰＩ供給源チャンバにて独立的に或いは同時
的に操作することができる。それぞれ個々のＡＰＩプローブを介し導入される溶
液の組成および流量は、他の試料導入ＥＳ、ＡＰＣＩもしくはＩＣＰプローブと
は独立して制御することができる。多重試料は、溶液噴霧およびイオン化に先立
ち溶液における別々の試料成分の混合なしに、多重ＡＰＩプローブを介しＡＰＩ
供給源に導入される。多重試料溶液からの各成分のイオン化は大気圧で或いはそ
の近くで気相にて生ずる。ＡＰＩ供給源は限定はしないがエレクトロスプレー、
ＡＰＣＩもしくはＩＣＰイオン化手段または各イオン化技術の組合せを包含する
。他面において本発明は、検量溶液を少なくとも１つのＡＰＩ供給源入口プロー
ブに導入すると共に興味ある試料を他のＡＰＩ供給源入口プローブに導入する技
術である。検量溶液と試料溶液との両者を別途の入口プローブを介して導入する
が、ＡＰＩ供給源にて同時に噴霧およびイオン化させて気相検量イオンと試料関
連イオンとの混合物をもたらす。得られるイオン混合物の１部を質量分析して質
量スペクトルを生ぜしめ、これはｍ／ｚ測定を向上させると共に定量精度でさえ
向上させる内部標準として作用しうる既知成分のイオンピークを含む。代案とし
て多重試料溶液を別々であるが同時に導入して、大気圧またはその近くでイオン
の混合物を生ぜしめることにより、気相イオンおよび分子の相互作用および反応
を検討することができる。多重入口プローブＡＰＩ供給源は、限定はしないが飛
行時間（ＴＯＦ）、４極、フーリエ変換（ＦＴＭＳ）、イオントラップ、磁気セ
クターもしくはハイブリッド質量分析器を包含する任意の種類のＭＳもしくはＭ
Ｓ／ＭＳn質量分析器にインターフェースすることができる。 【００１１】 本発明の１具体例においては、エレクトロスプレーイオン供給源に多重エレク
トロスプレープローブを配置する。各プローブには空気圧もしくは超音波噴霧補
助および／または第２液層を配置しても配置しなくてもよい。多重ＥＳプローブ
および各ＥＳプローブの各液層は種々異なる液体供給システムに接続することが
できる。このようにして種々異なる試料、試料の混合物および／または溶剤を各
種の組合せにて同時的に或いは個々に噴霧することができる。液体供給システム
は限定はしないが液体クロマトグラフポンプ、注射ポンプ、重力供給容器、加圧
容器および／または吸入供給容器を包含する。さらに試料はたとえば液体クロマ
トグラフィー（ＬＣ）または毛細管電気泳動（ＣＥ）、毛細管電気泳動クロマト
グラフィー（ＣＥＣ）および／または任意もしくは全てのＥＳプローブに接続さ
れた手動注入弁のような自動注入器、分離システムを用いて導入することができ
る。多重かつ独立した溶液導入は、多重試料をＥＳプローブ位置の変化なしにエ
レクトロスプレーイオン化により同時に分析することを可能にする。試料溶液を
１つのＥＳプローブを介して導入すると共に他の第２試料を他のＥＳプローブを
介してＥＳチャンバ中へ選択的および同時的に導入する選択肢を有する能力を使
用して、ＬＣもしくはＣＥ分離に際しオン経路でさえ内部もしくは外部検量標準
を有する質量スペクトルを発生させることができる。広範囲のｍ／ｚ値もしくは
試料種類を有する種々異なる試料混合物を、異なるＥＳプローブを介して導入す
ることができる。分析される未知試料に応じ、最適検量溶液を他のＥＳプローブ
から選択することができる。たとえば単一帯電化合物を分析する際に単一帯電Ｅ
Ｓイオンを発生する１種のｍ／ｚ範囲の検量溶液を選択することができ、同様に
エレクトロスプレーイオン化にて多重帯電イオンを形成する化合物を分析する際
に多重帯電ＥＳ発生検量イオンを生成させることもできる。任意の第２ＥＳプロ
ーブにつき溶液流を、任意のプローブ位置の変化もしくは調整、ＥＳ供給源電圧
の変化、第１試料溶液流の遮断または第１試料溶液プローブを介し導入される溶
液の汚染なしに、第１ＥＳ試料溶液プローブに対する溶液流とは独立して制御す
ることができる。多重プローブ群を他のプローブ群と同時的に或いは順次に同じ
ＡＰＩチャンバにて操作することができる。多重ＥＳプローブの配置および操作
は、多重試料供給源からのＡＰＩ ＭＳ検出を容易化させうる。特に多重試料プ
ローブは、多重液体クロマトグラフ分離システムのための検出器として単一質量
分析器の無配慮な自動化操作を容易化させると共に分析処理量を向上させる。 【００１２】 本発明の他の具体例においては、多重噴霧器を大気圧化学イオン化供給源に配
置する。ＥＳと同様に、多重試料溶液を気相中へ導入して溶液の混合なしにイオ
ン化させることができる。このＡＰＣＩ供給源の具体例においては多重噴霧器が
個々の試料含有溶液を気化器中へ噴霧し、ここで噴霧された液滴の混合物をコロ
ナ放電領域におけるイオン化に先立って蒸発させる。検量溶液は１つもしくはそ
れ以上の試料入口プローブを介し独立して同時に他の入口プローブを介する試料
溶液導入することができる。プローブ位置、印加電圧もしくは気化器温度の調整
は、多重入口プローブへの溶液流を制御する際には必要とされない。ＡＰＣＩ供
給源における機械的調整を殆どまたは全く必要としないこの独立試料流制御は、
手動もしくは自動操作でのシステムレベル分析融通性を増大させると共に試料処
理量を増加させる一方、多重溶液の交互汚染を最小化させる。多重ＡＰＣＩおよ
びＥＳプローブは、本発明の他の具体例にて１つのＡＰＩ供給源に配置すること
もできる。ＥＳおよびＡＰＣＩ供給源の組合せは、特に各種の試料での自動化操
作につき各種の分離システムにインターフェースされるＡＰＩ−ＭＳ機器の分析
能力範囲を拡大させる。 【００１３】 ＥＳ、ＡＰＣＩもしくはＩＣＰイオン化技術を含めＡＰＩ供給源を伴う多重プ
ローブの使用は、特にたとえば飛行時間のような迅速質量分析器を使用する際に
、試料の一層急速な導入を可能にする。急速な試料導入はＬＣ、ＣＥもしくはＣ
ＥＣ分離システムまたは自動注入器のサイクル時間により制限することができる
。さらに試料導入サイクル時間は、注入試料が注入弁からＥＳもしくはＡＰＣＩ
プローブ出口まで移動するのに要する時間によっても制限しうる。多重ＬＣ、Ｃ
ＥもしくはＣＥＣ、自動注入器、注入弁およびＡＰＩプローブは、試料導入のサ
イクル時間およびＡＰＩ ＭＳシステムの分析時間を短縮するよう配置すること
ができる。 【００１４】 【発明の実施の形態】 図１に示した本発明の１具体例は、多重エレクトロスプレー溶液入口プローブ
を含むエレクトロスプレーイオン供給源を備える。エレクトロスプレーイオン供
給源は、減圧チャンバ３１に配置された質量スペクトロメータにインターフェー
スされる。個々のエレクトロスプレープローブ集成体をエレクトロスプレーイオ
ン供給源大気圧チャンバ３０に配置することができ、ここで溶液を個々のプロー
ブ先端部から２５ｎＬ／ｍｉｎ〜１ｍｌ／ｍｉｎの範囲の流量で噴霧する。エレ
クトロスプレー先端部からの溶液の噴霧は噴霧補助を含んでも含まなくてもよい
。エレクトロスプレー供給源集成体１は、それぞれ二重ＥＳ先端部が配置された
２つのＥＳプローブセット２および５を備える。ＥＳ二重プローブ集成体２は、
空気圧噴霧補助が配置された２個のエレクトロスプレー先端部３および４を備え
る。各ＥＳ先端部３および４は、それぞれ独立して供給経路９および１０を介し
溶液が供給される。ＥＳスプレーヤ先端部３および４はＥＳ供給源１の中心線ま
たは軸線２４から外れて位置し、これは減圧中への毛細管２１オリフィス２３の
中心線により規定される。第２ＥＳ二重プローブ集成体５は２つの平行なＥＳ先
端部６および７を備え、これらには空気圧噴霧補助が配置される。溶液は、ＥＳ
操作に際しそれぞれ溶液供給経路１４および１５を介しＥＳ先端部６および７に
独立して供給される。ＥＳプローブ先端部６および７は、ＥＳ供給源１の中心線
２４近くに位置する。各ＥＳ二重プローブ集成体は、それぞれガス供給経路１１
、８、１２および１３を介し先端部３、４、６および７にガス流を集中して供給
するよう配置される。各ＥＳプローブ先端部へのガス流を個々に或いは総合的に
制御して、空気圧噴霧補助でのＥＳ操作を可能にし或いはたとえば酸素もしくは
六弗化硫黄（ＳＦ6）のようなガスをＥＳ先端部に供給し、陽もしくは陰エレク トロスプレーイオン発生に際しコロナ放電を抑制するよう制御することができる
。図示した具体例において、溶液はＥＳ先端部３、４、５および６から個々にま
たは同時に或いはエレクトロスプレー操作に際し個々のＥＳプローブ先端部から
の同時的噴霧の組合せによりエレクトロスプレーすることができる。ＥＳチャン
バ３０中へエレクトロスプレーされた溶液から発生したイオンの１部を毛細管２
１における孔部２３を介し減圧中に移送し、ここで質量スペクトロメータおよび
検出器により質量対電荷の分析を行う。 【００１５】 図１に示した具体例において、ＥＳ先端部３および４の軸線は二重先端ＥＳプ
ローブ集成体２内でほぼ平行となるよう位置する。ＥＳプローブ集成体２の位置
をｘ方向かつ回転的に調整することができ、ＥＳ先端部３および４をＹ方向に効
果的に移動させる。ＥＳプローブ先端部３および４の位置は、固定ネジ１６で調
整後の所定位置に固定することができる。ｘおよびｙのＥＳ先端部位置調整は、
ＥＳ供給源１の中心線２４に対するプローブ先端部３および４から発生したスプ
レーの位置および方向を設定する。一層詳細に以下説明するように位置調整は、
広範囲の液体流量および溶液化学にわたりＥＳプローブ先端部２および３から同
時的にエレクトロスプレーする際に減圧に供給されるイオン混合物の最適化を可
能にする。同様に、ＥＳ先端部６および７のｘ位置および回転位置またはｙ位置
は、ＥＳプローブ集成体５を移動させると共に固定ネジ１９により位置を所定位
置に固定して調整することができる。ＥＳ供給源軸線２４および毛細管オリフィ
ス２３に対するｘおよびｙのＥＳプローブ先端部位置調整は、個々に或いは同時
的にＥＳプローブ先端部６および７から試料溶液を噴霧する際に性能の最適化を
可能にする。図６に示したように、ＥＳプローブ集成体２および５は代案として
全ｘ−ｙ−ｚ先端部位置調整を含むよう配置することもできる。初期のＥＳ二重
プローブ集成体の装着位置および先端部位置調整の範囲に応じ、ＥＳプローブ先
端部軸線の配向は、ｘ−ｚＥＳ供給源平面に対し０°〜９０°以上の範囲の角度
にわたり延在するよう配置することができる。０°は毛細管２１の孔部２３中へ
指向するｚ軸線として規定される。ＥＳプローブ先端部軸線および従って発生さ
れるエレクトロスプレープルームの中心線は、ノーズピース２５の開口部２８近
傍におけるイオンの発生を最大化させて性能を最適化するよう配向させることが
できる。エレクトロスプレーもしくは空気圧噴霧促進エレクトロスプレー過程に
て発生した帯電液滴は蒸発してエレクトロスプレー室３０内でイオンを形成し、
これは端板ノーズピース開口部２８を流過する加熱向流乾燥ガス２７により支援
される。ＥＳチャンバ３０にて形成されたイオンの１部を毛細管孔部２３中へ指
向させ、ここで毛細管孔部２３を流過するガス流により減圧中に掃引する。さら
に帯電液滴の蒸発は、毛細管孔部２３を介し減圧中へ部分蒸発エレクトロスプレ
ー帯電液滴の移動の際にも生じうる。毛細管２１を加熱して、帯電液滴蒸発過程
を支援することもできる。本発明の詳細な説明については、図２および３に示し
た断面図を用いて以下説明する。 【００１６】 図２はエレクトロスプレーイオン供給源１の平面図であって、二重先端ＥＳプ
ローブ集成体５を示す。図３は、二重軸線外しプローブ集成体２および５が配置
された図１に示すＥＳ供給源１の側面図である。ＥＳ供給源１は、各電位を円筒
電極２０と端板電極２６と毛細管入口電極４０とに印加すると共に全ＥＳ電極先
端部を接地電位に維持することにより操作される。加熱向流乾燥ガス流４１を、
端板ヒータ４２を流過して端板ノーズピース２５開口部２８を介しＥＳ供給源チ
ャンバ３０中へ流入するよう指向させる。図１および２に示した減圧中へのオリ
フィスは、入口オリフィス４８を備えた誘電性毛細管チューブ２４である。減圧
中へ誘電性毛細管内側孔部２３を介し掃引されるイオンの電位については米国特
許第４，５４２，２９３号に記載されている。陽イオンを発生させるには、負キ
ロボルト電位を円筒電極２０と電極ノーズピース２５が取付けられた端板電極２
６と毛細管入口電極４０とに印加する。典型的には陽イオンを発生させるには−
４，０００、−３，５００および−３，０００ボルトを毛細管入口４０と端板２
６と円筒電極２０とにそれぞれエレクトロスプレー操作に際し印加すると共に、
ＥＳ先端部３、４、６および７を備えたＥＳプローブ集成体２および５を接地電
位に維持する。陰イオンを発生させるには、電極２０、２６および４０に印加す
る電位の極性を逆転させると共にＥＳプローブ先端部３、４、６および７を接地
電位に維持する。代案としてノズル、薄板オリフィスもしくは導電性金属毛細管
を減圧中へのオリフィスとして使用すれば、キロボルト電位をＥＳプローブ先端
部３、４、６および７に印加すると共に低い電位を円筒電極２０と端板電極２６
と減圧中へのオリフィスとに操作に際し印加することもできる。代案として加熱
毛細管、ノズルもしくは薄板オリフィスを、ＥＳもしくはＡＰＣＩイオン化に際
し向流乾燥ガスにて或いはそれなしに操作する減圧中へのオリフィスとして配置
することもできる。 【００１７】 図２を参照して、適する電位をＥＳ供給源チャンバ３０における部材６、７、
２０、２６および４０に印加すると、帯電液滴が無支援エレクトロスプレーまた
はＥＳ先端部６および７に供給される別々の溶液の空気圧噴霧補助を伴うエレク
トロスプレーから生成される。図２に示した具体例において、ＥＳ先端部６およ
び７の位置は、エレクトロスプレー操作に際し互いに相対固定される。代案とし
て、ＥＳプローブ集成体を先端部６および７の相対位置の調整を可能にするよう
配置することもできる。ＥＳ先端部６および７から流出する各溶液からエレクト
ロスプレーされた帯電液滴は、向流乾燥ガス流２７に抗する電場により駆動され
る。帯電液滴が蒸発する際、イオンが最初に先端部６および７を介し供給された
各溶液に存在する各成分から形成されて領域４３にて混合する。領域４３におけ
るイオン混合物の１部を毛細管孔部２３を介し減圧中に掃引し、減圧領域４６内
に位置する質量分析器および検出器４５に指向させ、ここで質量分析する。加熱
毛細管を向流乾燥ガスを伴う或いはそれなしに減圧中へのオリフィスとして配置
すれば、ＥＳ先端部６および７から噴霧された部分蒸発帯電液液の混合物が加熱
毛細管オリフィスに掃引される。帯電液滴の蒸発およびイオン混合物の生成は、
エレクトロスプレーされた帯電液滴が毛細管オリフィス中へ掃引される前に大気
圧チャンバ３０内で完全には蒸発されない場合、毛細管にて生じうる。加熱毛細
管における２種のエレクトロスプレー溶液から発生した帯電液滴の混合物より発
生した得られるイオンは毛細管および減圧にてイオン混合物を形成する。複数溶
液から形成されたイオンを混合すると共に減圧におけるイオントラップに貯蔵す
ることもできる。三次元イオントラップおよび二次元トラップ方式で操作される
多極イオンガイドは、１つのＡＰＩ供給源にて噴霧された複数溶液から同時的ま
たは順次にトラップされるイオンの混合物を保持しうる。次いでイオン混合物の
質量分析を質量分析器および検出器の集成体４５によって行う。 【００１８】 たとえば図１に示した多重ＥＳプローブＡＰＩ供給源の具体例は多極イオンガ
イド飛行時間質量分析器にインターフェースすることができ、ここで多極イオン
ガイドは米国特許第５，６８９，１１１号に記載されたように二次元トラップ方
式にて操作される。ＥＳプローブ７からの溶液を噴霧して形成するイオンは、最
初に二次元トラップ方式にて操作される多極イオンガイドによりトラップするこ
とができる。次いでＥＳプローブ７への溶液流を遮断すると共にＥＳプローブ６
を介する異なる溶液流を付勢してイオンを形成させることもでき、これらイオン
を二次元トラップとして操作する同じ多極イオンガイドでトラップする。このよ
うにして形成されたイオン混合物は、イオン−イオン相互作用またはイオン−分
子相互作用および／または添加された中性バックグランドガスとの反応を促進す
る時間にわたりトラップすることができる。次いで、得られたトラップイオン混
合物を多極イオンガイドトラップから放出させると共に、飛行時間質量分析器に
て質量分析する。代案として、ＭＳ／ＭＳn実験を米国特許出願第０８／６９４ ，５４２号に記載されたようにトラップイオン集団にて行うこともできる。 【００１９】 ２種の異なる試料溶液を、ＥＳ供給源操作に際し独立して或いは同時的にＥＳ
プローブ先端部６および７から噴霧することができる。上記したように、２種の
溶液を空気圧噴霧補助を伴う或いはそれなしにＥＳプローブ先端部６および７か
ら同時的にエレクトロスプレーする場合、２つの別々のスプレーから生ずるイオ
ンは領域４３にて混合する。イオン混合物の１部を毛細管孔部２３を介し減圧中
に掃引し、次いで質量対電荷分析する。本発明のこの具体例を用い、ＥＳプロー
ブ先端部６からの試料溶液は、ＥＳプローブ先端部７から噴霧された試料溶液よ
り発生するイオンに対し最小の作用を有する。ＥＳプローブ先端部６および７を
介し独立溶液供給源から供給された試料溶液における化学成分は、噴霧に先立ち
溶液中で混合しない。帯電液滴および同極性のイオンが、ＥＳプローブ先端部６
および７からのエレクトロスプレーに際し発生する。帯電液滴および同極性のイ
オンは、帯電排斥に基づきＥＳチャンバ３０における蒸発に際し最小の化学相互
作用を有して、各溶液から発生した個々のイオン集団の最小歪みが減圧中への流
入に先立って生ずる。検量化合物と称する既知分子量の化合物を、ＥＳプローブ
先端部６から噴霧された溶液に添加すると共に試料溶液をＥＳプローブ先端部７
から噴霧することができる。検量溶液および試料溶液をそれぞれＥＳプローブ先
端部６および７から同時噴霧すれば、生ずるイオン混合物から得られる質量スペ
クトルは検量溶液に含まれる既知分子量化合物に対応する１組の内部検量ピーク
を含む。本発明のこの具体例を用い、検量化合物および試料化合物を溶液にて混
合することなく、内部標準ピークを含む質量スペクトルを得ることができる。既
知成分および試料成分のイオン混合が質量分析に先立ち気相にて生ずる。代案と
して、ＥＳプローブ先端部６および７を流過する溶液流を順次に付勢することが
できる。１つのＥＳプローブが検量溶液を含有すれば、ＥＳプローブ６および７
の順次の噴霧は時間的にその後の試料質量スペクトルの獲得に近い外部標準とし
て使用しうる質量スペクトルの獲得を可能にする。各プローブ位置は、ＭＳ獲得
と共にエレクトロスプレーに際し時間的に同時または別々に噴霧しながら固定さ
れ続ける。獲得された質量スペクトルに内部標準を含めば、スペクトル内に含ま
れる試料関連ピークの分子量指定の精度を増大させうる。質量スペクトルに内部
標準も定量精度を向上させるのに役立ちうる。 【００２０】 慣例として、内部標準を含む質量スペクトルを得るには、検量化合物をエレク
トロスプレーに先立ち試料含有溶液と混合する。典型的には外部検量質量スクペ
クトルを得る際、検量溶液を次の試料溶液が流過する同じＥＳプローブを介して
供給する。検量化合物は移送経路およびＥＳプローブ先端内孔部を汚染すると共
に、試料溶液から得られる質量スペクトルに望ましくないピークをもたらしうる
。得られる獲得質量スペクトルに内部標準を形成するため層流エレクトロスプレ
ープローブ配置を介し或いは直接的に溶液にて検量化合物を混合すれば、エレク
トロスプレーイオン化過程に際し試料イオンシグナルの抑制をもたらしうる。質
量検量化合物は試料供給経路を汚染すると共に内部標準、外部標準を必要とする
か或いは獲得質量スペクトルにて検量ピークを必要としない各用途間での切換に
際し排除するのがしばしば困難である。移送経路およびＥＳプローブ集成体から
検量化合物を除去すべく長いフラッシュ時間が必要されて分析時間を増大させる
。この汚染問題に基づき、検量溶液と試料溶液との液相における混合は、ＡＰＩ
供給源操作に際し検量化合物の迅速な使用および除去を可能にしない。本発明は
、内部標準を含む質量スペクトルを得るための検量溶液と試料溶液との混合にお
ける分析上の欠点を解消する。多重ＥＳプローブの同時的操作は、質量分析に先
立ち気相にて混合する独立噴霧溶液からイオンを発生させる。独立した各ＥＳプ
ローブスプレーは、その後の獲得質量スペクトルに出現する望ましくない残留化
合物汚染なしに迅速にオン・オフ切換することができる。エレクトロスプレー発
生イオンは、別々の噴霧器から生じた帯電液滴より発生する。任意の試料イオン
もしくは検量イオンの相互作用は気相にて生ずるようなプロセスのみに限定され
る。発生するイオンが同じ極性を有する場合、気相における相互作用を介する化
学的干渉が最小となる。相対的な溶液成分濃度および組成を変化させることによ
り、本発明は獲得質量スペクトルにおける検量成分ピークと試料成分ピークとの
間の強度およびｍ／ｚ位置の独立制御を可能にする。 【００２１】 ノーズピース開口部２８および毛細管入口オリフィスに対するイオン混合領域
４３の相対位置は毛細管孔部２３に突入する各スプレーからのイオンの比を変化
させる。所定の毛細管溶液濃度につき、試料ピーク強度と対比する検量ピーク強
度はｘ方向にプローブ集成体５を移動させると共に固定ノブ１９で固定して変化
させることができる。相対的液体流量およびプローブＥＳ先端部６および７を流
過する噴霧ガス流量に応じ、ＥＳプローブ集成体５の回転調整を用いて毛細管入
口オリフィス４８に対する相対的なイオン混合領域４３の位置を変化させて性能
を最適化することもできる。多くの分析用途につき検量成分関連ピークを獲得質
量スペクトルに加算してさえ試料イオンシグナルを最大化させることが望ましい
。固定された相対的ＥＳプローブ先端位置と共にＥＳプローブ集成体５の位置の
調整は、最小の試料シグナルロスを以て獲得スペクトルにおける検量ピークの導
入を可能にする。平行なＥＳ先端部配置は、発生するイオンの効率的混合を伴っ
て各先端部とは独立して広範囲の液体流量を噴霧することを可能にする。その結
果、広範囲の分析用途にわたり最適性能を、位置プローブ集成体５の再調整の必
要性なしに、平列噴霧器配置を用いて達成することができる。２個のＥＳ先端部
を介し２つの異なる液体流量で供給される溶液を同時的にエレクトロスプレーし
ながら獲得される質量スペクトルの例を図４に示す。 【００２２】 図１および３に示したような、ほぼ平行方向に噴霧するよう配向された２個の
ＥＳ先端部を配置したＥＳプローブ集成体２と同様に、エレクトロスプレープロ
ーブ集成体を図４ａ〜４ｃに示した質量スペクトルの獲得に際し使用した。エレ
クトロスプレーイオン供給源１を、図４ａ〜４ｃにて獲得されたデータにつき４
極質量スペクトロメータにインターフェースさせた。図４ａは、供給経路９を介
し連続注入された１：１メタノール：水の試料溶液にて１０ｎｇ／μＬグラミシ
ジンＳから得られた質量スペクトル６０を示す。グラミシジンＳ試料を含有する
溶液を、ＥＳ先端部３から空気圧噴霧補助により５０μＬ／ｍｉｎの液体流量に
てエレクトロスプレーした。グラミシジンＳの二重帯電ピーク６１が、縦軸６２
により示されるように３，１００の相対的豊富さを持ったスペクトルにおける主
たるピークである。ＥＳプローブ先端部３および４の軸線の配向は、ＥＳ供給源
中心線２４に交差する水平（ｚ−ｘ）面から上方向に約６０°の角度とした。図
４にて得られたデータにつきθ2＝６０°であり、ここでθ2はｚ軸に対するＥＳ
プローブ先端部軸線により形成される角度であって、ｚ軸の周囲に軸方向対称的
である。ＥＳ先端部３および４の軸線はほぼ平行に位置すると共に、各先端部は
噴霧に際しｚ−ｘ面から等距離に位置した。ＥＳ先端部３および４を、質量スペ
クトル６０、６４および６８の獲得に際し約８ｍｍの一定間隔で分離させた。Ｅ
Ｓ先端部３および４をｚ軸に沿って約１．５ｃｍかつｙ軸に沿って約１．０ｃｍ
に位置せしめ、これを図３にそれぞれ寸法Ｚおよびｒによって示す。ｘ軸に沿っ
たＥＳ先端部３および４の位置を調整して性能を最適化させ、その後に二重ＥＳ
先端部位置を図４ａ〜４ｃに示した一連の質量スペクトル獲得に際し位置固定し
た。検量化合物バリン（５０ｎｇ／μＬ）とトリチロシン（２５ｎｇ／μＬ）と
ヘキサチロシン（５０ｎｇ／μＬ）との７９％水、１９％イソプロパノールおよ
び２％プロピオン酸溶液における混合物を、５００μＬ／ｍｉｎの流量にてＥＳ
プローブ先端部４に供給した。検量溶液を、空気圧噴霧補助によりプローブ先端
部４からエレクトロスプレーした。ＥＳプローブ先端部４からの検量溶液のエレ
クトロスプレーに際し獲得された質量スペクトル６４を図４ｂに示す。それぞれ
１１８、５０８および９９８の質量対電荷の数値を持ったピーク６５、６６およ
び６７が、既知分子量の検量成分の単一帯電プロトン化分子イオンから形成され
た。存在する他のピークは、溶液中に存在する汚染化合物からのものであった。
主たるピーク６５（１１８ｍ／ｚ）は約４，３００である。図４ｃにおける質量
スペクトル６８は、それぞれＥＳ先端部３（５０μＬ／ｍｉｎ）および４（５０
０μＬ／ｍｉｎ）から試料溶液および検量溶液を同時噴霧して獲得された。約２
，６００の主たる試料もしくはグラミシジンＳピーク７１は、独立して噴霧した
際に獲得されたグラミシジンＳピーク６１と対比して、１５％未満だけ減少して
いる。検量ピーク高さは、単一かつ同時的な溶液噴霧にて獲得された質量スペク
トル６４および６８と比較して１５％未満変化した。 【００２３】 ＥＳ先端部４を流過する噴霧ガス流および検量溶液流を、図４ａに示した質量
スペクトル６０の獲得に際し遮断した。逆に、ＥＳ先端部３を流過する噴霧ガス
流および試料溶液流を、図４ｂに示した質量スペクトル６４の獲得に際し遮断し
た。ＥＳ先端部３および４への検量および試料の各溶液流と噴霧ガス流との両者
を、図４ｃに示した質量スペクトル６８の獲得に際し付勢させた。質量分析に先
立ち気相にて混合された２種の独立同時的なエレクトロスプレーから形成された
イオンは、内部標準を有する質量スペクトルの獲得を可能にした。４極質量分析
器を用いて、図４ａ〜４ｃに示したデータを得た。代案として、たとえば飛行時
間、三次元４極イオントラップ、磁気セクター、フーリエ変換質量スペクトロメ
ータおよびトリプルクワドラポールのような他の種類の質量分析器も使用するこ
とができる。質量スペクトル内の内部標準を用いて、特に高解像力で獲得される
必要スペクトルにつき試料ピークの質量対電荷の精度を向上させることができる
。図４ａ〜４ｃに示した質量スペクトルの順序は、質量スペクトル蓄積時間およ
び個々の液体流量をオン・オフさせうる速度によってのみ制限されるが１分間未
満にて得ることができる。本発明は、広範囲の液体流量にわたり同時的にエレク
トロスプレーされる多重溶液から発生した気相イオンの効率的混合を可能にする
。試料溶液とを、検量溶液と初期の最適化の後にプローブ先端位置を調整する必
要なしに、複数のＥＳプローブ先端部を介し導入することができる。本発明は、
無配慮運転にて多重溶液投入を許容しうる質量分析システムの有用性を増大させ
る。独立もしくは同時の噴霧につき配置された多重の入口プローブを含むエレク
トロスプレーイオン供給源はシステム損失時間を最小化させ、試料処理量を最大
化させ、さらに試料溶液を汚染することなく内部標準を含む質量スペクトルの選
択的獲得を可能にする。以下説明するように、多重入口プローブＡＰＩ供給源を
用いて大気圧でイオン−イオン気相相互作用を検討することもできる。 【００２４】 図４ａ〜４ｃに示した例においては、ＥＳ先端部３および４への溶液流をそれ
ぞれ噴霧ガス流と一緒にまたはそれなしに独立してオン・オフ切換しうる液体ポ
ンプにより供給経路９および１０を介して供給した。代案として、溶液４４を図
２に示した溶液貯槽４５からＥＳ先端部７に供給することもできる。溶液４５は
、ガス供給経路１３を介しＥＳ先端部７に供給された噴霧ガスから誘発されるベ
ンチュリ力によって供給経路１５を介しＥＳ先端部７に導入される。ＥＳプロー
ブ先端部７の下に位置する溶液貯槽４５により、ＥＳ先端部７への溶液流は噴霧
ガスが遮断された際に停止する。ＥＳ先端部７からのエレクトロスプレーに際し
噴霧補助を使用しなければ、ガス圧力ヘッドを貯槽４４における溶液４５に印加
して、ＥＳ先端部７に液体を初期に強制移動させることができる。未補助エレク
トロスプレーに際し加えられる電場からの靜電力もＥＳ先端部７を介する溶液流
を維持することができる。ＥＳ先端部７８への液体流は次いで、貯槽４５内の溶
液４５に対するガス圧力ヘッドを除去すると共にＥＳ先端部７における電場を減
少させて遮断することができる。未補助エレクトロスプレーは、適する相対的電
位を個々のＥＳ先端部に印加すると共に次いで電位を先端部から除去することに
よりオン・オフ切換することができる。たとえば２個の独立ＥＳプローブをＥＳ
供給源に配置すると共に６，０００ボルトをＥＳ操作に際し独立して各プローブ
に印加すれば、所定プローブからの噴霧をＥＳプローブに対するキロボルト電位
の印加により或いはプローブ電圧の低下によりオン・オフ切換してエレクトロス
プレーを停止させることができる。各ＥＳ先端部３、４、５および７は、広範囲
の液体流量および溶液化学を有する特定群の用途につき性能を最適化すべく個々
に配置することができる。ＥＳ先端部には単一、二重および三重のチューブ層を
配置して、特定の溶液およびガス供給経路に接続されたＥＳ先端部にて各種のガ
スおよび液体層を収容することができる。たとえばＥＳ低流量を可能にする交換
自在なマイクロチップのような単一層先端部をＥＳ供給源に装着する前に予備装
着することができ、溶液供給経路を必要としない。１秒範囲につき２５〜５００
ナノリットルの液体流量にてエレクトロスプレーしながら内部標準を持った質量
スペクトルを得ることが望ましければ、多重マイクロチップを配置して同時噴霧
することもできる。より高い液体流量につき、積層ＥＳ先端部配置が典型的に使
用される。 【００２５】 図１２は２層エレクトロスプレー先端部の図面である。２層ＥＳ先端部配置に
より、噴霧ガス７４を液体試料導入チューブ７２を包囲する第２層チューブ７０
の間の環状部７１を介て供給して、エレクトロスプレー操作に際し帯電液滴の形
成を促進させることができる。試料含有溶液は、孔部７５を介し内側チューブ７
２の出口端部７３に供給される。第２液層は、ＥＳプローブ先端部にて操作に際
し液体層状化が望ましければ環状部７１を介し供給されて、ガス流を置換するこ
とができる。代案としてＥＳプローブ先端部には、図１３に示したように３つの
同心層を配置することもできる。典型的には、３層ＥＳプローブにより試料溶液
を内側チューブ８０の孔部８８を介して導入し、第２溶液をチューブ８０と８１
との間の環状部８４を介して導入することができ、所要ならばガス流８５をチュ
ーブ８１と８２との間の環状部８３を介して供給することができる。孔部８８と
環状部８４とを介して供給された各溶液は、ＥＳ操作に際し領域８７内における
第１層チューブ出口８６にて混合する。環状部８４を介して供給された第２溶液
は既知検量化合物を含有することができ、これら化合物はＥＳ操作に際し領域８
７における孔部８８を介して供給された試料溶液と混合する。通常、検量化合物
は、孔部８８を介して溶液を供給する前に試料含有溶液と混合される。 【００２６】 １個のＥＳプローブ先端部またはＥＳプローブ先端部３、４、６および７の組
合せを図１２および１３に示したと同様に２層もしくは３層集成体として配置す
ることができる。分析用途に応じ、溶液導入チューブ７２もしくは８０を毛細管
電気泳動カラム、微小孔部充填毛細管カラムまたは誘電材料もしくは導電材料の
開口孔チューブとして構成することもできる。軸外し位置に配置され或いはＡＰ
Ｉ供給源中心線の近くに位置せしめた単一、２層および３層のＥＳプローブ先端
部は市販入手することができる。軸線外しプローブ位置は典型的にはエレクトロ
スプレーイオン供給源における一層高い液体流量用途につき使用される。本発明
は、噴霧補助を伴う或いはそれなしに２個もしくはそれ以上のプローブ先端部か
らの溶液の個々の或いは同時的な噴霧を行う可能性を以て、ＡＰＩ供給源におけ
る単一、２層もしくは３層先端部を多重ＥＳプローブに配置することを可能にす
る。多重プローブ先端部位置をＡＰＩ操作に際し固定して、プローブ位置調整の
必要なしに多重先端部からの順次もしくは同時噴霧を可能にすると共に、各種の
入口プローブからの溶液噴霧を迅速、効率的かつ無配慮に切換ることを可能にす
る。 【００２７】 図５は本発明の代案具体例を示す。エレクトロスプレー供給源１１４には、そ
れぞれ個々の液体供給経路１０１〜１０６を有する６個のＥＳ先端部９１〜９６
からなるＥＳプローブ集成体９０が配置される。位置調整器３７を用いて、任意
のＥＳ先端部をＥＳ供給源中心線１１５の近くに位置せしめうるようＥＳプロー
ブ集成体９０を移動させることができる。ガス経路９８は噴霧ガスをＥＳプロー
ブ先端部９１〜９６に供給する。代案としてＥＳプローブ集成体９０は、各ＥＳ
先端部９１〜９６に、それぞれ独立してオン・オフ切換しうる個々の噴霧ガス供
給部が配置されるよう構成することもできる。図５に示した具体例において、Ｅ
Ｓ先端部９５および９２には個々の検量溶液を供給しうる一方、別途の試料溶液
をＥＳ先端部９１、９３、９４および９６に供給する。この配置により、試料溶
液のエレクトロスプレーから得られる質量スペクトルは、検量溶液が供給された
最も近い隣接ＥＳ先端部を付勢することにより加えられた内部標準ピークを有す
ることができる。図５に示した具体例において、数種の試料溶液を複数試料を順
次に同じＥＳプローブ先端部を介しＥＳ供給源に供給する際に生じうる汚染を殆
どまたは全く伴わずに迅速に分析することができる。ＥＳプローブ先端部９５か
らの検量溶液噴霧と同時的にＥＳ先端部９６から噴霧される試料溶液よりＭＳデ
ータを得た後、ＥＳプローブ集成体９８はＥＳ先端部９４がＥＳ供給源中心線１
１５の近くに位置するよう調整器９７を用いて翻訳することができる。ＥＳ先端
部９５を用いて、ＥＳ先端部９４からの試料溶液のエレクトロスプレーと同時に
検量溶液を噴霧し、得られた試料溶液質量スペクトルに内部標準ピークを与える
ことができる。さらにＥＳプローブ集成体の翻訳を用いてＥＳ先端部９２をＥＳ
供給源中心線１１５近くに位置せしめ、先端部９１もしくは９３から試料溶液エ
レクトロスプレーに際し検量溶液を選択的に噴霧することができる。ＥＳプロー
ブ９０の直線的ＥＳ先端部配置は、自動的ｘおよびｙ位置翻訳器での二次元先端
部列に外挿することができる。さらに、流過ＥＳ先端部は予備装着マイクロチッ
プにより交換することもできる。代案として、ＥＳプローブ集成体９０の全ての
先端部を用いて試料溶液を噴霧しうる共に、単一の軸線外しＥＳプローブを用い
て外部標準検量質量スペクトルを得ることが望ましい場合または内部標準を獲得
試料溶液質量スペクトルに加算することが望ましい場合には検量溶液をエレクト
ロスプレーすることもできる。キロボルト電位をＥＳ供給源素子１１０、１１１
および１１２に印加して、接地電位で操作されるＥＳプローブ集成体９０による
エレクトロスプレーを開始させることができる。代案として、キロボルト電位は
、エレクトロスプレー操作に際しＥＳプローブ先端部９１〜９６に印加すること
もできる。ＥＳ供給源１１４には加熱向流乾燥ガスを供給して、１個、２個もし
くはそれ以上のＥＳ先端部から順次に或いは同時的に噴霧されたエレクトロスプ
レー発生帯電液滴の蒸発を促進することができる。 【００２８】 各ＥＳプローブ先端位置は互いに固定することができ、またＥＳ供給源毛細管
入口もしくは先端部位置を調整自在とすることもできる。図１に示したように、
ＥＳ先端部位置３および４は互いに固定されるが、ＥＳプローブ２装着ブロック
回転軸線を中心としてｘ方向に移動自在かつ回転自在にセットとする。本発明の
代案を図６に示し、ここではＥＳプローブ集成体１２０および１２２はそれぞれ
ＥＳ先端部１２１および１２３につきｘ、ｙおよびｚの全位置調整を含む。ＥＳ
プローブ集成体１２２をＥＳ供給源１３０中心線１３１に対し平行に位置せしめ
る。ＥＳ供給源中心線１３０に対するＥＳプローブ先端部１２３軸線１２４の角
度は０°に等しく、すなわちφ1＝０°である。試料含有溶液は、ＥＳプローブ 集成体１２２の液体供給チューブ１２９中へ或いは独立した液体供給システムを
有するＥＳプローブ集成体１２０の入口管１３２に導入することができる。この
ようにして、異なる試料または試料および／または溶剤の混合物を同時的または
個々に噴霧することができる。液体供給システムは限定はしないが自動注入器を
備えた或いは備えない液体ポンプ、たとえば液体クロマトグラフィーもしくは毛
細管電気泳動のような分離システム、注射ポンプ、圧力容器、重力供給容器また
は溶液貯槽を包含する。ＥＳ供給源操作に際し、各ＥＳプローブから発生させる
スプレーは液体供給システムを用いて液体流動を付勢することにより開始させる
ことができる。適する溶液貯槽の配置により、空気圧噴霧ガス流を用いてエレク
トロスプレーを開始させることもできる。噴霧補助を用いない場合、ＥＳ先端部
１２１もしくは１２３からのエレクトロスプレーはＥＳ供給源電極１４０、１４
１および１４２に印加される電圧と比べＥＳ先端部に加えられる電圧を増大させ
て付勢することができる。たとえば毛細管入口電極１４０、端板およびノーズピ
ース１４１並びに円筒電極１４２に印加される電圧を−５００．０および＋５０
０Ｖにそれぞれ設定すれば、ＥＳ先端部１２１からのエレクトロスプレーはＥＳ
先端部１２１に印加される電圧を＋５，０００Ｖまで増大させて開始することが
できる。ＥＳ先端部１２１からのエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２１に印
加される電位を０Ｖに設定して停止させることができる。ＥＳ先端部１２３から
のエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２３における電場が効果的に中性となる
よう、ＥＳ先端部１２３に印加される適する電圧（ほぼ０Ｖ）により留まり続け
る。ＥＳ先端部１２３からのエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２３に＋５，
０００Ｖを印加して付勢することができる。ガス供給経路１３６および１２８を
介してそれぞれＥＳ先端部１２１および１２３に供給される噴霧ガスは、キロボ
ルト電位をＥＳ先端部に印加してエレクトロスプレー帯電液滴形成プロセスを促
進する際に付勢することができる。個々のＥＳ先端部への噴霧ガス流は、適する
電圧をＥＳ先端部に印加してエレクトロスプレーを遮断する際に滅勢することが
できる。電圧および噴霧ガスの切換は、たとえ試料含有溶液を所定時間にわたり
先端部に流過させ続ける場合にもＥＳ先端部におけるエレクトロスプレーを迅速
にオン・オフ切換することを可能にする。代案として、溶液供給源として貯槽を
用いる図２に示したように、ＥＳプローブ先端部１２３もしくは１２１への液流
は噴霧ガス流をオン・オフ切換して制御することができる。噴霧ガス流を付勢す
ると、ＥＳプローブ先端部における（ベンチュリ）作用により溶液を貯槽からＥ
Ｓプローブ先端部まで引き上げて、ここで噴霧する。空気圧噴霧ガス流をＥＳプ
ローブに供給することによりエレクトロスプレーを維持する場合は、簡単かつ安
価な溶剤供給システムを用いることができる。 【００２９】 図６に示したＥＳプローブ集成体１２０の軸線１３７は、ＥＳ供給源の中心線
１３１から７０°（φ120＝７０°）の角度に位置する。ＥＳプローブ集成体１ ２０には試料溶液入口１３２と層流溶液入口１３８と噴霧ガス入口１３６とを有
する３層ＥＳプローブ先端部１２１を配置する。ＥＳプローブ先端部１２１の断
面図を図１３に示す。液体試料は第１層チューブ８０の孔部８８に移送経路１３
２を介して流入する。第２溶液を移送経路１３８を介しチューブ８０と８１との
間の環状部８４中に添加することができ、この溶液は領域８７における出口端部
８６にて試料溶液を包囲すると共にこれと混合するシース液を形成する。噴霧器
またはコロナ抑制ガスを、チューブ８１と８２との間の環状部へのガス供給もし
くは移送経路１３６を介しＥＳプローブ先端部１２１に導入することができる。
３層ＥＳプローブ先端部にて領域８７における溶液の液体層状化は、ＥＳ供給源
にＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣ分離システムをインターフェースすべく使用されて
いる。ＣＥ、ＣＥＣもしくは微小気孔ＬＣカラムにインターフェースする際は、
試料導入管８０を実際にはＣＥ、ＣＥＣもしくはＬＣカラム自身とすることがで
きる。第２層溶液流を用いて、検量化合物をＥＳプローブ先端部１２１のチュー
ブ８６から流出する試料溶液に添加することもできる。この種の混合溶液スプレ
ーから得られる質量スペクトルは内部標準を含有する。検量溶液は、移送経路１
３８を介し溶液を供給する液体供給システムをオン・オフ切換して開始もしくは
停止させることができる。このような検量溶液の導入は初期の試料溶液供給源の
汚染を回避するが、噴霧前に領域８７における溶液の混合を必要とする。得られ
る混合物における検量成分は存在する試料化合物のエレクトロスプレーイオン化
効率に影響を与えて、得られる質量スペクトルにピーク高さの歪みを生ぜしめる
。チューブ８０および８１の出口端部の相対的位置は、エレクトロスプレー過程
で生成した２種の溶液から層状化されたイオン集団の相対強度に影響を及ぼしう
る。層状液流を用いて異なる溶剤系を導入することにより、多重プローブ噴霧混
合物におけるイオン−中性相互作用を検討することもできる。広範囲の溶液組成
物を、所要に応じ分析用途にて図１３に示した３層プローブ先端集成体を用い液
層で組合せることができる。図１３に示した３層プローブの４層の代案例も可能
であり、噴霧器またはコロナ抑制ガスでの溶液層の分離により液体混合が生じな
いよう操作することもできる。たとえば４層プローブ先端部の具体例は、最内部
チューブを介し供給された液体溶液と、チューブ１と２との間の環状部を介し供
給された噴霧器ガスと、チューブ２と３との間の環状部を介し供給された第２液
体溶液と、チューブ３と４との間の環状部を介し供給された噴霧ガスとを有する
ことができる。代案として、ガスを最内部チューブを介し液体、ガスおよび液層
と共に供給することもできる。３種もしくはそれ以上の溶液を層状化させ、別々
の層を介し供給された溶液の幾分かをこれらが図１３に示した溶液混合と同様な
層状先端部から流出する際に液体状態にて混合することができる。層状液流は１
個もしくはそれ以上のエレクトロスプレープローブを介する追加溶液の導入を可
能にし、ＥＳと１個もしくはそれ以上の分離システム（たとえばＣＥ、ＣＥＣお
よびＬＣ）とをインターフェースする手段として作用しうる。 【００３０】 ＥＳプローブ先端部 １２３は図１２に示した２層プローブとして構成され、 貯槽１４４から供給される検量溶液１４５を含む。殆どまたは全く圧力ヘッドも
しくは重力供給を加えることなく、検量溶液１４５をＥＳプローブ先端部１２３
に加えられる噴霧用ガスのベンチュリ吸引作用により貯槽１４４から引出すこと
ができる。検量溶液１４４は、噴霧ガス流をガス供給チューブ１２８を介し施す
際にＥＳ先端部１２３から噴霧することができる。溶液供給チューブ１３９には
最初に、ヘッド圧を貯槽１４４に加えることにより或いは貯槽１４４からの重力
供給により或いは噴霧用ガスＥＳプローブ先端部１２３を付勢することにより溶
液で満たすことができる。溶液供給チューブ１２９およびＥＳ先端部１２３の内
側チューブが検量溶液で満たされた後、装着貯槽におけるヘッド圧を解除し、重
力供給を加えることなしに溶液供給チューブ１２９を介する液流をＥＳ先端部１
２３に対する噴霧用ガス流のオン・オフ切換により開始および停止させることが
できる。検量溶液はＥＳプローブ先端部１２３から個々に、或いはＥＳプローブ
先端部１２１からエレクトロスプレーされる試料溶液と同時に選択的に噴霧する
こともできる。代案として溶液は注射ポンプ、液体クロマトグラフシステムまた
は他の液体供給システムによりＥＳプローブ先端部１２３に供給することもでき
る。次いでＥＳプローブ先端部１２３への溶液流は、溶剤供給システム流をオン
・オフ切換してオン・オフすることができる。 【００３１】 図６に示したＥＳプローブ先端部１２１および１２３とＥＳ供給源軸線１３１
および毛細管入口１４８とのｘ−ｙ−ｚ位置および角度位置は、ＥＳ性能を最適
化すると共に単一のＥＳプローブから個々に或いは２つのＥＳプローブから同時
的に噴霧するよう調整することができる。ＥＳプローブ集成体軸線１３７を中心
とするＥＳ先端部１２１の回転位置は位置決めノブ１３３および１３４で調整さ
れる。ＥＳ先端部１２１の軸線に沿ったＥＳ先端部１２１の位置はノブ１３５を
回転させて調整される。同様に、ＥＳ先端部１２３の回転位置および軸方向位置
はそれぞれノブ１２５、１２６および１２７を位置決めして調整される。ＥＳプ
ローブ先端部の各位置は、所定の液体流量および溶液もしくは試料の種類につき
ＥＳ性能を最適化するよう調整を必要とする。個々の或いは同時的な噴霧につき
最適化された後、プローブ位置はＥＳ操作に際し固定し続けることができる。図
１および６に示した具体例につき、各ＥＳプローブ集成体の１部はＥＳ供給源チ
ャンバハウジングの外部に位置する。これは、ＥＳ供給源を操作しながらｘ−ｙ
−ｚ位置および角度位置の全調整を可能にして最適性能を達成する。図６に示し
たＥＳプローブ集成体１２０および１２２も相対的層状チューブ出口先端部位置
の調整を可能にする。たとえばナット１４９の調整は、図１３に示したように内
側チューブ８０の出口位置８６を第２および第３層チューブ出口位置に対するＥ
Ｓプローブ先端部１２１の軸線に沿って移動させる。図１２に示した最内部チュ
ーブ出口端部７３の相対的位置はナット１５０を用いて調整し、ＥＳ先端部１２
３における噴霧ガス性能を最適化することができる。これらＥＳ先端部調整は、
ＥＳ供給源を操作しながら層状液流および／またはガス噴霧チューブ先端位置の
最適化を可能にする。異なる液体流量を、両ＥＳプローブ先端部からの同時的エ
レクトロスプレーに際しＥＳプローブ先端部１２１および１２３を介し供給する
ことができる。ＥＳ用途につき用いられる溶液流量範囲は毎分２５ナノリットル
から毎分２ｍｌまでの範囲である。毎分２５〜１，０００ナノリットル範囲の液
体流量につき、単一層 流または交換自在なマイクロエレクトロスプレープロー ブ先端部を、２層ＥＳプローブ先端部１２３をＥＳ供給源１３０に置換すべく配
置することができる。未補助エレクトロスプレー操作を、ＥＳプローブ先端部か
ら個々に或いは空気圧補助ＥＳプローブと同時的に行うことができる。全先端部
位置調整を配置した２個もしくはそれ以上の空気圧噴霧補助ＥＳプローブは、１
個のＥＳチャンバ内で同時操作することができる。単一層、２層および３層の各
ＥＳプローブの組合せを単一のＥＳチャンバ内に配置して同時操作することもで
きる。 【００３２】 図６に示したＥＳ供給源１３０には、独立した調整自在なＥＳ先端部位置にて
２個のＥＳプローブを配置する。ＥＳプローブ集成体１２２の軸線１２４は端板
ＥＳ供給源中心線１３１に沿って位置せしめると共にＥＳプローブ先端部１２３
をＥＳ供給源中心線１３１に沿って端板ノーズピース面１４９から距離Ｚ1だけ 離間させる。ＥＳプローブ集成体１２０の軸線１３７は、ＥＳ供給源中心線１３
１に対しφ120＝７０°の角度に位置せしめる。ＥＳプローブ集成体１２０の先 端部１２１は、端板ノーズピース面１４９から軸方向に距離Ｚ2およびラジアル 角度θ120＝０にてＥＳ供給源中心線１３１から半径方向に距離ｒ2に位置して示
される。角度θiは、ガスが毛細管またはプラスｚ軸線方向（図１に示す）を流 過する方向で見て、中心線１３１を中心とするラジアル角度として規定される。
中心線１３１より上方の１２時位置は、時計方向に３６０°まで増大する角度で
０°として規定される。Ｚ1＝２ｃｍ、Ｚ2＝１．５ｃｍおよびｒ2＝１．５ｃｍ と設定すれば一層高い液体流量をＥＳプローブ先端部１２１を介して導入するこ
とができ、検量化合物を含有する溶液については一層低い液体流量をＥＳプロー
ブ先端部１２３を介して導入することができる。両ＥＳプローブ先端部１２１お
よび１２３は、所定の先端部位置および角度につき空気圧噴霧補助にて操作する
ことができる。一層高い液体流量をＥＳプローブ先端部１２３から噴霧する場合
、ＥＳ供給源中心線１３１に対するプローブ先端部軸線角度θ122は調整ノブ１ ２５および／または１２６を回転させて増大させることができる。代案としてＥ
Ｓプローブ集成体１２２をＥＳ供給源中心線１３１から外して位置せしめうるが
、中心線１３１に対しほぼ平行な方向に噴霧することもできる。ＥＳ ＭＳ分析
またはＥＳ ＭＳ／ＭＳn分析を必要とする特殊な分析問題に応じ、多重のＥＳ プローブをＥＳ供給源に位置せしめて個々の或いは同時的な噴霧操作に関する性
能を最適化することができる。 【００３３】 図６に示したと同様に配置した二重プローブＥＳ供給源から得られる質量スペ
クトルを図７ａ〜７ｃに示す。図７ａは、二重プローブＥＳ供給源１３０におけ
るＥＳプローブ先端部１２３から１００μＬ／ｍｉｎの液体流量にて空気圧噴霧
補助でエレクトロスプレーされたロイシン・エンケファリンを含有する１：１メ
タノール：水の試料溶液の質量スペクトルを示す。ロイシン・エンケファリンの
プロトン化ｍ／ｚピーク１５３が、獲得質量スペクトル１５０における主たるピ
ークである。溶液は、図７ａに示した質量スペクトル１５０の獲得に際し軸線外
しプローブＥＳプローブ先端部１２１を流過しなかつた。図７ｂに示した質量ス
ペクトル１５１は空気圧噴霧補助にて二重プローブＥＳ供給源１３０に配置され
たＥＳプローブ先端部１２１から検量溶液をエレクトロスプレーしながら得られ
た。検量溶液は、５μＬ／ｍｉｎの流量にて試料貯槽から供給された２％プロピ
オン酸を含む水：イソプロパノールの８０：２０溶液における既知分子量化合物
トリチロシン（５０ｐモル／μＬ）およびヘキサチロシン（５０ｐモル／μＬ）
を含有した。検量溶液流は主として、ＥＳ先端部１２１における空気圧噴霧ガス
流のベンチュリ力により駆動された。トリチロシン１５４およびヘキサチロシン
１５５のプロトン化分子イオンが質量スペクトル１５１における主たるピークで
ある。溶液は、図７ｂに示した検量スペクトル１５１の獲得に際しＥＳプローブ
先端部１２３を流過しなかった。図７ｃは、検量溶液と試料溶液とをＥＳプロー
ブ先端部１２１および１２３からそれぞれ同時噴霧して得られた質量スペクトル
１５２を示す。検量溶液のエレクトロスプレーから生ずるプロトン化分子イオン
ピーク１５６および１５８を内部標準として用いることにより、試料ロイシン・
エンケファリンのピーク１５７または他の未知化合物の分子量における計算質量
の精度を向上させることができる。図４ａ〜４ｃに示したように、単一プローブ
噴霧と二重プローブ噴霧とを比較して殆どシグナルロスは観察されない。ＥＳプ
ローブ先端部１２１および１２３の各位置は、図７に示した質量スペクトル１５
０、１５１および１５２の獲得に際し変化させなかった。 【００３４】 多重のエレクトロスプレープローブ先端部位置の多くの組合せ数を大気圧イオ
ン供給源に配置しうることは当業者に明らかであり、ここで： エレクトロスプレー先端部角度（φ1、φ２、---φN）はθi＝０°〜１８０° の範囲とすることができ、 エレクトロスプレー先端部位置（ｒ1、θ1、ｚ1）、（ｒ2、θ2、ｚ2）---（ ｒN、θN、ｚN）は、時計方向で測定してｒiがＥＳチャンバ内にて任意の間隔に
等しくなる（θi＝０°〜３６０°）と共にｚiがＥＳチャンバ内にて任意の間隔
に等しくなるような数値を有することができ、 任意の２つのＥＳプローブ先端部ｉおよびｋにつき分離の相対的エレクトロス
プレー先端部ラジアル角度（θ1−θ2）---（θ1−θN）はθi−θk）＝０°〜 ３６０°の範囲とすることができる。 【００３５】 エレクトロスプレープローブ集成体には、２個もしくはそれ以上の平行先端部
または個々の先端部を配置することができる。ＥＳプローブ先端部各位置はＥＳ
チャンバ内で調整自在とし或いは固定することができる。図１および６は１個の
軸線外しＥＳプローブ集成体を配置したエレクトロスプレー供給源を示すが、種
々異なる角度θlを有する数個の軸線外しＥＳプローブ集成体をＥＳ供給源チャ ンバ内に配置し、これらはＥＳ供給源中心線近くに位置するＥＳプローブ集成体
を含むこともできる。さらに、個々のエレクトロスプレープローブ先端部には限
定はしないが次の種類のＥＳ先端部を配置することができる：単一層エレクトロ
スプレープローブ先端部、交換自在なマイクロエレクトロスプレー先端部、流過
マイクロエレクトロスプレー先端部、液層流を伴う或いは伴わない空気圧噴霧補
助エレクトロスプレー先端部、超音波噴霧補助エレクトロスプレー先端部または
加熱エレクトロスプレー先端部。任意のＥＳプローブ先端部種類の組合せをＥＳ
供給源に配置して、個々に或いは同時に操作することもできる。ＥＳプローブを
、ＥＳチャンバの壁部を貫通するよう或いはＥＳチャンバ内に完全に装着するよ
う配置することができる。 【００３６】 図８は、ＥＳプローブをＥＳ供給源１６０内に配置した本発明の代案具体例の
図面である。エレクトロスプレー供給源１６０は円筒電極１６２と誘電性毛細管
１６３と向流乾燥ガス１６７とガスヒータ１６８と端板電極１６５と装着端板ノ
ーズピース１６６とを備える。代案として非誘電性毛細管、加熱毛細管、平板オ
リフィスもしくはノズルを、減圧代替誘電性毛細管１６３中へのオリフィスとし
て配置することもできる。多重ＥＳ供給源プローブは、ＥＳ供給源軸線および減
圧中へのオリフィスの軸線に関し乾燥ガス流動方向の種々異なる配置、たとえば
「ｚスプレー」もしくは「ペッパーポット」エレクトロスプレー供給源ジオメト
リーで使用される配置にて構成することができる。ＥＳプローブ集成体１７０、
１７１および１７２は、図６にてＥＳプローブ集成体１２０および１２２につき
上記したように、それぞれＥＳプローブ先端部１７３、１７４および１７５のｘ
−ｙ−ｚ位置調整および角度位置調整にてＥＳ供給源チャンバ１６１内に装着さ
れる。図８に示した具体例において、ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および
１７５のｘ−ｙ−ｚ位置および角度位置は、エレクトロスプレー供給源性能の微
調整に際し調整することができる。各ＥＳプローブ先端位置を、液体流量および
溶液組成の広範囲の組合せにつき、単一または同時的な多重プローブ操作に際し
ＥＳ−ＭＳもしくはＥＳ−ＭＳ／ＭＳn性能を最適化すべく調整することができ る。ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および１７５の各位置をＥＳ−ＭＳ操作
の微調整に際し最適化した後には、もはやＥＳ供給源操作およびＭＳデータ獲得
に際し調整は必要とされない。ＥＳプローブ集成体１７０および１７２には、そ
れぞれ図１３に示したようにそれぞれ３層ＥＳプローブ先端部１７３および１７
５を配置する。ＥＳプローブ集成体１７１には、図１２に示したように２層ＥＳ
先端部１７４を配置する。溶液をＥＳプローブ集成体１７３および１７５から空
気圧噴霧補助および／または液層流を伴って或いは伴わずにエレクトロスプレー
することができる。ＥＳ先端部１７３、１７４および１７５の各位置は、それぞ
れＥＳ先端部１７３および１７５のφ173およびφ175の設定スプレー角度、並び
にラジアル角度θ173およびθ175にてＺ173、Ｒ173、Ｚ175、Ｒ175およびＺ174 である。図８に示した例として、ＥＳプローブ先端部１７３は＋６０°（φ173 ＝＋６０°）の角度に設定され、ＥＳプローブ先端部１７５はＥＳ供給源中心線
１７７に対し−６０°（φ175＝−６０°もしくは＋３００°）の角度に設定さ れる。図示した具体例におけるＥＳプローブ先端部１７３と１７５との間に含ま
れる角度（φ173−φ175）は１２０°であるが、この内角は０°から１８０°ま
で変化することができる。ＥＳプローブ先端部１７３と１７５との間の相対的ラ
ジアル分離角度（θ173〜θ175）は１８０°に等しい。ＥＳプローブ先端部１７
４は、その軸線をＥＳ供給源中心線１７７として位置せしめる。ＥＳプローブ先
端部１７３もしくは１７５とＥＳプローブ先端部１７４との間の相対角度は６０
°である。ＥＳ供給源チャンバ１６１内に同時的に装着される全ＥＳ先端部プロ
ーブの間の相対角度は、操作する分析用途に応じ０°近くから１８０°以上の範
囲で変化することができる。ラジアルプローブ分離は０〜３６０°の範囲とする
ことができる。多重ＥＳプローブを代案として図１に示したようにＥＳ供給源バ
ックプレート１７９に装着することができ、或いは図８に示したようにＥＳチャ
ンバ１６１の側壁部を介して装着することができ、それぞれ固定位置もしくは個
別の位置の調整器を備える。１個もしくはそれ以上のＥＳプローブを図１に示し
たバックプレートに装着することができ、或いはバックプレート１７８に装着さ
れたＥＳプローブ集成体に図８に示したようにＥＳチャンバ１６１の側壁部を貫
通する１個もしくはそれ以上のＥＳプローブ集成体を配置することもできる。 【００３７】 ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および／または１７５の少なくとも２つか
ら溶液を同時エレクトロスプレーして発生したイオンの１部を毛細管オリフィス
１６４を介し減圧中に掃引し、ここで質量分析する。適する液体供給システムに
より、ＥＳプローブ先端部１７３、１７４もしくは１７５への溶液流は、任意所
定のＥＳプローブ先端部に供給される層状液流もしくは噴霧器ガス流とは独立し
てオン・オフ切換することができる。たとえばＥＳプローブ先端部１７３からの
エレクトロスプレーは、経路１７９を介するＥＳプローブ集成体１７０への試料
液流が、経路１８０を介するＥＳプローブ集成体１７０への試料液流が残留し続
けるかどうかとは無関係に、遮断された場合は滅勢することができる。経路１８
０を介し供給されるＥＳプローブ集成体１７０への噴霧器ガス流は、経路１７８
を介する試料液流状態とは独立して残存しうる。噴霧器ガス流をＥＳプローブ１
７０を介する溶液流を滅勢した場合にも流し続ければ、ＥＳプローブからの噴霧
ガスとＥＳ供給源向流ガス流１８３とが合体するイオン混合領域１８２にて最適
な乾燥ガス流動的性を保持する。領域１８２中へのガス流バランスが最適化され
た後、この領域へのガス流は試料流を１個もしくはそれ以上のＥＳプローブを介
し個々にまたは同時的に導入する場合でさえ一定に留まりうる。多重噴霧ガス流
が残存し或いは多重ＥＳプローブ先端部を介し試料流の組合せを独立してオン・
オフする場合にも、最適ＥＳ−ＭＳ性能が達成される。代案として、ＥＳプロー
ブ先端部１７５に供給されるガスおよび液体流は、ＥＳプローブ先端部１７３に
供給されるガスおよび液体流が遮断される際に交互に切換ることもできる。ＥＳ
先端部１７２を介する液体およびガス流は、ＥＳプローブ先端部１７３または１
７５から試料溶液を噴霧しながらイオンを保持しうる。図８に示した具体例にお
いて、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５は、ＥＳプローブ先端部１７４の
位置に対し半径方向対称的な位置に位置する。ＥＳプローブ先端部１７３および
１７５を介するガス流は、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５への液体およ
びガス流が交互にオン・オフ切換される際に混合領域１８２にて対称的かつ均等
となるよう調整することができる。各プローブの相対位置も、種々異なる液体流
量がＥＳプローブ先端部１７３および１７５を介し供給される際に性能を最適化
するよう調整することができる。ＥＳプローブ先端部１７３および１７５を介す
る交互のエレクトロスプレーの場合、検量溶液をＥＳプローブ１７４を介し供給
して、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５から個々に或いは同時的に噴霧す
る際に獲得質量スペクトルに内部標準を与えることができる。加熱毛細管をＡＰ
Ｉ供給源に配置する場合は、加熱向流ガス流１８３が必要とされ或いは必要とさ
れない。加熱毛細管中へ掃引された部分蒸発帯電液滴は減圧への途中でさらに蒸
発する。多重溶液供給源から発生したイオンは部分減圧中または質量分析前の減
圧中で混合する。イオン混合物は、種々異なるエレクトロスプレープローブから
発生したイオンを三次元イオントラップまたは減圧下に二次元イオントラップと
して操作される多極イオンガイドにてトラップすることにより形成することもで
きる。三次元もしくは二次元イオンにおけるイオン混合物は、多重ＥＳプローブ
からの同時的もしくは個別的な順次のエレクトロスプレーから形成されたイオン
をトラップして形成することができる。 【００３８】 たとえばＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣのような個々の分離システムは、ＥＳチャ
ンバ内に配置された種々異なるＥＳプローブへの溶液供給システムとして作用し
うる。エレクトロスプレーイオン供給源に配置された多重ＥＳプローブは、共通
プローブを介し溶出試料を切換る必要なしに、多重分離システムの検出器として
単一ＥＳ質量スペクロメータシステムを作用させることができる。共通ＥＳプロ
ーブは最適配置しなくてもよく、或いはＥＳ供給源を配置した各分離システムに
つき適合性でなくてもよい。多重ＥＳプローブは、１つの試料注入から個々の分
離システムによる次の注入までの交互汚染を回避する。溶液における化合物の空
間的分離は一般に、特に飛行時間のような急速データ獲得を可能にする質量スペ
クトロメータを用いる際にＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣ ＭＳ分析の緩徐な工程で
ある。効率的な手動もしくは自動試料導入を組合わせた多重ＥＳプローブの使用
は、試料交互汚染に基づく性能ロスの危険なしに分析処理量を増大させる。多重
分離システムでのＭＳもしくはＭＳ／ＭＳnモードにおける操作につき配置した 質量スペクトロメータは、ハードウエアー部品を交換もしくは調整する必要なし
に、手動もしくは自動的に広範囲の化学分析操作のための検出器として作用しう
る。単一ＥＳ供給源にインターフェースされた多重分離システムの１例を図８に
示す。第１勾配液体クロマトグラフシステム１８４はＬＣ勾配ポンプ１８５と注
入弁１８６と手動もしくは自動注入器１８７と液体クロマトグラフカラム１８８
と切換弁１９１とＥＳプローブ集成体１７２への接続経路１８０とを備える。同
様に、第２勾配ＬＣシステム１９４はＬＣ勾配ポンプ１９５と注入弁１９６と手
動もしくは自動注入器１９７と液体クロマトグラフカラム１９８と切換弁１９９
とＥＳプローブ集成体１７０への接続経路１７９とを備える。シース液流は、移
送経路１９２を介しＥＳプローブ集成体１７０に供給すると共に接続経路２０１
を介しＥＳプローブ集成体１７０に供給することができる。噴霧用ガスは経路１
９３および１８１を介しそれぞれＥＳプローブ集成体１７２および１７０に供給
される。図示した配置においては、以下の順序を用いてＬＣ−ＭＳ分析（１個の
エレクトロスプレー質量スペクトロメータ検出器を用いる）により試料処理量を
２倍にすることができる。 【００３９】 各ＬＣ−ＭＳ操作に際し検量溶液をＥＳプローブ先端部１７４から、ＭＳデー
タを獲得しつつある際に、連続噴霧すると仮定する。ＬＣ―ＭＳ分析手順は、Ｌ
Ｃ勾配ポンプ１８５から供給される溶液がＥＳプローブ入口経路１８０に指向す
る試料溶液流なしに経路１８９を流過すべく指向されるよう弁１９１を切換えて
開始する。弁１９１をこの位置に切換えて、カラム１８８をＥＳ供給源１６０中
への汚染物の導入なしにＬＣ勾配操作の後にフラッシュさせ或いは再状態調整す
ることができる。ＥＳプローブ先端部１７５への空気圧式噴霧ガス流は、どのよ
うに混合領域１８２におけるガス流が最初にバランスしたかに応じ、付勢しても
しなくてもよい。 【００４０】 弁１９９は、ＬＣ勾配ポンプ１９５から供給された溶液がＥＳプローブ集成体
１７０への移送経路１７９に流入してＥＳプローブ先端部１７３にて流出するよ
う切換える。ＬＣカラム１９８は再状態調節もしくはフラッシュされており、Ｌ
Ｃポンプ１９５から供給されつつある溶液組成物はＬＣ勾配操作の開始に必要と
される溶液である。試料を手動もしくは自動注入器１９７から弁１９６中へ注入
すると共にＬＣ分離を注入弁１９６が負荷から操作に切換られて注入試料を注入
カラム１９８と連結した際に開始する。噴霧ガスおよび所要に応じ液体層流が試
料溶液の他にＥＳプローブ先端部１７３に供給される。カラム１９８を介してＬ
Ｃ勾配分離が進行する際、カラム１９８から溶出する各成分は弁１９９および経
路１７９を介して移動し、ここで先端部１７３からエレクトロスプレーされる。
エレクトロスプレーイオン化過程に際し試料溶液から発生したイオンの１部を次
いで質量分析する。ＬＣカラム１９８にて生ずる分析勾配ＬＣ操作の完了に際し
および完了前にカラム１８８をフラッシュさせ、再状態調節し、或いは再平衡化
させると共に溶液勾配を他のＬＣ勾配分離につきリセットする。カラム１９８を
介するＬＣ勾配操作が完了した際、弁１９９をＬＣカラム１９８からの溶出液が
経路２０２を流過するが経路１７９を流過しないよう切換える。代案として追加
溶剤流を経路２００を介し経路１７９中へこの切換位置における弁１９９により
供給して、ＥＳプローブ集成体１７２を介するＬＣ勾配操作の開始前に経路１７
９をフラッシュすることができる。弁１９９を切換えてカラム１９８を介し経路
２０２まで流過させるよう切換える際、弁１９１はカラム１８８から流出する流
れを経路１８０およびＥＳプローブ集成体１７２に接続するよう切換えられる。
ＥＳプローブ１７２への空気圧噴霧ガス流をカラム１９８を介する勾配ＬＣ操作
が生じている際に遮断すれば、このポイントに復帰する。経路１８１を介しＥＳ
プローブ集成体１７０に供給される噴霧ガスは、どのように領域１８２における
スプレーガスバランスが最適化されたかどうかに応じ、持続するか或いは滅勢さ
れる。試料は注入弁１８６中へ手動もしくは自動注入器１８７により注入され、
ＬＣ勾配分離は弁１８６が注入から操作に切換られた際にＬＣシステム１８４で
開始する。カラム１８８から溶出する試料含有溶液を経路１８０を介しＥＳプロ
ーブ先端部１７５に供給し、ＥＳチャンバ１６１中にエレクトロスプレーする。
エレクトロスプレー過程から生ずる試料イオンの１部をオリフィス１６４を介し
減圧中に引き込み、ここで質量分析する。ＬＣカラム１８８を介する勾配ＬＣ操
作が完了した際、弁１９１を再びＬＣカラム１８８からの溶液流が経路１８９を
流過するよう切換えると共に、上記サイクルを再び開始する。溶液流を経路１９
０を介しＥＳプローブ集成体１７２に供給して、ＬＣカラム１９８を介する次の
濃度勾配操作を開始する前に経路１８０をフラッシュすることができる。 【００４１】 上記分析手順の例は、試料処理量を増加させるため１つのＥＳ−ＭＳ検出器を
用いる２つのＬＣ分離システムの間の切換を含む。一方のＬＣカラムがＬＣ操作
後にフラッシュさせつつある際に、第２のＬＣ分離システムを用いて分析分離を
行う。ＬＣシステム１９４からの試料溶液をＥＳプローブ集成体１７０を介しＥ
Ｓ供給源１６０に供給すると共に、ＬＣ分離システム１８４からの試料溶液をＥ
Ｓプローブ集成体１７２を介しＥＳ供給源１６０に供給する。検量溶液は、いず
れかのＥＳ分離溶液のエレクトロスプレーと同時にＥＳプローブ集成体１７１を
介しＥＳ供給源１６０に供給して、イオン混合物を形成させることができる。生
じたイオン混合物から得られる質量スペクトルは内部標準ピークを有し、これを
質量検量および／または定量分析計算につき使用することができる。 【００４２】 図８に示した多重ＥＳプローブ具体例につき幾つかの改変も行うことができる
。１つの改変は、切換弁１９１および１９９を排除すると共にカラム１８８およ
び１９８からの溶液流をＥＳプローブ集成体１７０および１７２に直接移送する
ことである。これは、デッド容積を減少させると共に融合シリカ充填カラムをそ
れぞれＥＳ先端部１７３および１７５にて突出するＥＳプローブ集成体１７０お
よび１７２に配置された第１層試料供給管として組み込むことを可能にする。Ｌ
Ｃ分析操作に先立つカラムフラッシュ期間に際し、ＥＳプローブ集成体１７０に
ついてはＥＳプローブ先端部１７３の位置を流過カラム１９８から先端部１７３
より流出するスプレーがＥＳプローブ１７１および１７２を噴霧する際に混合領
域１８２から反れるよう移動させることができる。次いでプローブ先端部１７３
を、カラム１９８を介する分析分離が再開始された際に所定位置まで復帰移動さ
せる。次いでＥＳプローブ先端部１７５を、ＬＣカラム１８８のフラッシュに際
し先端部１７５からのスプレーが混合領域１８２に指向しないような位置まで移
動させる。この第２位置にて、カラム１８８を介するフラッシュに際し先端部１
８５からのスプレーはＬＣカラム１９８を流過する試料のＬＣ−ＭＳ分析に際し
獲得質量スペクトルへの化学ノイズに寄与しない。ＥＳプローブ集成体１７０お
よび１７２の位置は、プログラミングされた多重ＬＣカラム分析過程に際し、自
動調整手段で変化させることができる。 【００４３】 ＥＳプローブ集成体を介するＬＣ操作の間にＬＣカラムを再状態調節またはフ
ラッシュするが、ＥＳプローブ位置の移動を必要としない代案かつ一層簡単な方
法は、適するＥＳプローブ先端部を介する噴霧用ガスを遮断すると共にＬＣカラ
ム再状態調節に際しＥＳプローブ先端部に印加される電位を変化させることであ
る。電位は、ＬＣカラム再状態調節に際しＥＳプローブ先端部から未補助エレク
トロスプレーが生ずるのを防止する数値まで切換え、或いは変化させるべきであ
る。次いで、再状態調節されるＬＣカラムからＥＳプローブ先端部を介し流出す
る溶液を滴り落とすと共に、ＥＳ供給源チャンバドレインを流出させる。この方
法の１例として、ＥＳプローブ先端部１７５を介し噴霧補助でエレクトロスプレ
ーされると共にＬＣカラム１９８がＥＳプローブ先端部１７３を流過する溶液で
再状態調節されるＬＣ勾配試験を考慮する。この例において切換弁１９１および
１９９は省略されており、ＬＣカラム１９１および１９９は省略されており、Ｌ
Ｃカラム１９８および１８８はそれぞれＥＳプローブ先端部１７２および１７０
に直接接続され或いは組込まれる。ＥＳプローブ先端部１７３への噴霧ガス流は
ＬＣカラム再状態調節に際し遮断され、ＥＳプローブ先端部１７３から流出する
液体の未補助エレクトロスプレーから発生したイオンはＥＳプローブ集成体１７
２からの対向噴霧用ガス流により混合領域１８２に流入しないよう効果的に防止
することができる。ＥＳプローブ先端部１７３からの未補助エレクトロスプレー
は、ＥＳ供給源円筒レンズ１６２と端板１６５と毛細管入口電極２０４とに印加
された電位により総合的に形成された局部的電場電位に作用上等しくなる電位を
ＥＳプローブ先端部１７３に印加して防止することができる。ＥＳプローブ先端
部１７３にて突出するＬＣカラム１９８を流過する液体は、イオンを混合領域１
８２に分配することなく、ＥＳ供給源チャンバ１６１に滴り落ちる。同様に、噴
霧用ガス流を遮断すると共にＥＳプローブ先端部１７５に印加される電位を変化
させて、液体が再状態調節に際しＥＳプローブ先端部１７５を介しＬＣカラム１
８８から流出しつつある際の未補助エレクトロスプレーを防止するよう変化させ
ることができる。 【００４４】 追加分析装置の配置は、多重ＥＳプローブに溶液を供給する直列もしくは並列
配置された多重ＬＣ、ＣＥＣおよび／またはＣＥ分離システムの組合せにて可能
である。例として毛細管カラムもしくは微小気孔カラムをＬＣシステム１９４に
配置しうる一方、ＬＣシステム１８４には標準的な内径４．６ｍｍのＬＣカラム
を配置する。ＥＳプローブ集成体１７５にはＥＳプローブ集成体の１部として組
込まれた毛細管ＬＣカラムを配置してデッド容積を最小化させうる一方、ＥＳプ
ローブ集成体１７０はより大きい気孔かラム１９８から供給される一層高い液体
流量を吸収するよう配置される。プローブ先端部１７５および１７３の位置は、
各ＥＳプローブ先端部から噴霧する特定かつ異なる液体流量につき性能を最適化
するよう位置せしめうる。さらに、システムには注入弁１８６および１９６と手
動もしくは自動注入器１８７および１９７とを交互の順序で用いて迅速な流動注
入分析を行うこともできる。この交互の試料注入順序の操作方式は、現在入手し
うる自動注入器の比較的遅い注入速度サイクル時間を減少させて質量分析しうる
速度を増大させる。「オープンアクセス」システムにはＬＣ、ＣＥおよび／また
は流動注入分析を配置して、多重ＬＣ−ＭＳ、ＣＥ−ＭＳもしくは流動注入ＭＳ
分析をハードウェアー再配置が必要とされない単一のＥＳ−ＭＳ検出システムに
て行うことを可能にする。 【００４５】 それぞれ異なるまたは同様な配置を有する４つ以上のＥＳプローブ先端部をＥ
Ｓチャンバ１６０に装着することができる。各ＥＳプローブ集成体は、種々異な
る分離システムもしくは試料注入器を収容するよう配置することができる。１つ
のＥＳプローブ集成体をＬＣシステムにインターフェースさせ、他の集成体をＣ
ＥもしくはＣＥＣシステムにインターフェースさせ、また他の集成体を自動注入
器入口にインターフェースさせ、さらに１つを検量試料供給システムにインター
フェースさせることができる。多重ＥＳプローブ集成体の配置を用い、ＥＳ−Ｍ
ＳもしくはＥＳ−ＭＳ／ＭＳnシステムを広範囲の自動化試料分析技術につき配 置することができる。数種の極めて多様な試料分析技術を順次に或いは単一質量
分析器にて同時に自動化せずに容易に実施することができる。一般に質量分析器
は分離システムよりも検出器として高価であり、従って１つのＥＳ供給源におけ
る多重ＥＳプローブの配置は単一のＡＰＩ質量分析検出器に接続された多重分離
システムによりコスト上効果的な操作を可能にする。多重ＥＳプローブ集成体の
配置はさらに、１つの分析法から他の分析法まで簡単に切換るのを可能にするこ
とにより部品設定時間に基づく時間ロスの節約をも可能にする。 【００４６】 本発明の他の具体例は、多重試料溶液入口プローブまたは質量分析器にインタ
ーフェースされた噴霧器を大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）供給源に配置するこ
とである。各試料入口プローブは、ＡＰＣＩ操作に際し他の試料入口とは独立し
て溶液を別々に或いは同時に噴霧することができる。ＡＰＣＩ入口プローブもし
くは噴霧器は、５００ｎＬ／ｍｉｎ〜約２ｍＬ／ｍｉｎの範囲の溶液流量を吸収
するよう配置することができる。本発明は、ＡＰＣＩ供給源操作に際し溶液を共
通の気化器に独立噴霧する固定もしくは調節自在な位置を少なくとも２つのＡＰ
ＣＩ入口プローブに配置することに含む。溶液は、個々の液体供給システムによ
り供給される種々異なる液体経路を介する空気圧噴霧が配置された多重ＡＰＣＩ
入口プローブに供給される。種々異なる試料、試料の混合物および／または溶液
を多重ＡＰＣＩ入口プローブを介し同時に噴霧することができる。液体供給シス
テムは限定はしないが液体クロマトグラフポンプ、毛細管電気泳動分離システム
、注射器ポンプ、重力供給容器、加圧容器および／または吸引供給容器を包含す
る。自動注入器および／または手動注入弁を、試料もしくは検量溶液の導入につ
き１つもしくはそれ以上のＡＰＣＩ入口プローブ噴霧器に接続することができる
。１つのＥＳ供給源にて多重ＥＳプローブを操作すると同様に、１つのＡＰＣＩ
供給源に配置された多重ＡＰＣＩ噴霧器は種々異なる組成および異なる液体流量
にて多重試料を同時的または順次に導入することを可能にする。検量溶液は１つ
の入口プローブを介しＡＰＣＩ供給源に導入しうると共に、試料溶液を独立して
第２入口プローブを介し導入することができる。検量溶液流および試料溶液流の
両者は、溶液における化学成分の混合なしに同時的に噴霧することができる。得
られる噴霧された液滴混合物をＡＰＣＩ気化器に移送する。各イオンは、ＡＰＣ
Ｉ供給源のコロナ放電領域にて気化混合物から発生する。蒸気混合物から発生し
たイオンの１部を減圧中に掃引し、ここで質量分析する。イオン混合物の獲得質
量スペクトルは、各試料溶液および検量溶液に存在する化合物から発生したイオ
ンのピークを有する。検量ピークは、試料関連ピークのｍ／ｚアサインメントを
計算すべく使用される内部標準を形成する。別々の試料溶液および検量溶液から
の同時的噴霧は、溶液噴霧前に試料溶液および検量溶液を混合することなく、内
部標準ピークを有する質量スペクトルの獲得を可能にする。多重入口プローブ噴
霧は検量化合物による試料溶液経路の汚染を防止すると共に、検量溶液流の選択
的かつ迅速なオン・オフ切換を可能にする。ＡＰＣＩ供給源における多重溶液入
口プローブを使用して気相における化学成分の混合物を導入することにより、大
気圧気相相互作用および溶液にて事前混合することなく異なる試料と溶剤との反
応を検討することもできる。 【００４７】 本発明の１具体例はＡＰＣＩ供給源であって質量分析器にインターフェースさ
れ、図９に示したように２個の試料入口噴霧器集成体が配置される。ＡＰＣＩ供
給源２１０にはヒータもしくは気化器２１１とコロナ放電針２１２と第１ＡＰＣ
Ｉ入口プローブ集成体２１３と第２ＡＰＣＩ入口プローブ集成体２１４と円筒レ
ンズ２１５と端板２１６に取付けられたノーズピース２１６と向流ガスヒータ２
１８と毛細管２２０とが配置される。接続チューブ２２１を介しＡＰＣＩ入口プ
ローブ集成体２１３に導入される溶液を、ＡＰＣＩ入口プローブ先端部２２２か
ら空気圧噴霧により噴霧する。噴霧ガスはそれぞれガス供給チューブ２２７およ
び２２８を介しＡＰＣＩ噴霧器プローブ２１３および２１４に供給される。ＡＰ
ＣＩ入口プローブ集成体２１３は、ＡＰＣＩ供給源中心線２２３に対し平行（φ 213 ＝０°）にてキャビティ２２４中へ噴霧するよう配置される。噴霧された液 滴はキャビティ２２４を横切り、液滴分離ボール２２５の周囲を流動して気化器
２１１中へ流入する。噴霧液滴は気化器２１１で蒸発して蒸気を形成した後、コ
ロナ放電領域２２６に流入する。コロナ放電領域２２６はコロナ放電針先端部２
３４を包囲する。追加の補給ガス流を独立して領域２２４中へ或いはＡＰＣＩ入
口プローブ集成体２１３もしくは２１４を介し添加して、液滴および得られる蒸
気をＡＰＣＩ供給源集成体２１０中に輸送するのに役立つ。円筒レンズ２１５と
コロナ放電針２１２とノーズピース２１６を取付けた端板２１７と毛細管入口電
極２３１とに電位を印加することにより電場をＡＰＣＩ供給源２３０に形成させ
る。印加された電位と加熱向流ガス流２３２と気化器２１１を流過する全ガス流
とを、コロナ針先端部２３４の周囲かつ／または下流における領域２２６に安定
コロナ放電を確立するよう設定する。大気圧化学イオン化によりコロナ放電領域
２２６にて発生したイオンは、向流浴ガス２３２に抗して電場により毛細管オリ
フィス２３３の方向に移動する。発生したイオンの１部は毛細管オリフィス２３
５を介し減圧中に掃引され、ここで質量分析される。図示した具体例において、
キャビティ２２４には液滴分離ボール２２５を配置する。分離ボール２２５は噴
霧器入口プローブにより生成されたスプレーから大液滴を除去して、大液滴が気
化器２１１に流入するのを防止する。分離ボール２２５は、典型的には毎分２０
０〜２，０００μＬの範囲の高い液体流量が導入される際に装着される。分離ボ
ール２２５は、感度を向上させるべく低い溶液流量を噴霧する場合は除去するこ
とができる。第２のＡＰＣＩ入口プローブ集成体２１４は、図９に示したように
ＡＰＣＩ供給源中心線２２３に対し４５°の角度（φ214＝４５°）にてキャビ ティ２２４中へ噴霧するよう配置される。両ＡＰＣＩ入口プローブ２１３および
２１４にそれぞれ液体供給経路２２１および２３６を介し供給される溶液流を制
御して、ＡＰＣＩ入口プローブが溶液を同時に或いは別々にキャビティ２２４中
へ噴霧しうるようにする。ＡＰＣＩ入口プローブ２１３および２１４の噴霧器ス
プレー性能は、ネジ２３７および２３８を調整すると共にナット２３９および２
４０を固定して溶液供給チューブ出口位置を調整することにより最適化させるこ
とができる。 【００４８】 種々異なる液体流量および異なる溶液種類を、ＡＰＣＩ入口プローブ２１３お
よび２１４を介し同時的または別々に噴霧することができる。たとえば液体クロ
マトグラフ分離システムのアウトプットをＡＰＣＩ入口プローブ２１３を介し１
ｍｌ／ｍｉｎの流量にて噴霧しうる一方、同時に検量試料溶液をＡＰＣＩ入口プ
ローブ２１４から接続チューブ２３６を介し供給される１０μＬ／ｍｉｎの流量
にて噴霧する。噴霧液滴混合物は、気化器２１１を通過する際に蒸気混合物を形
成する。イオンの混合物は蒸気混合物から、これがコロナ放電領域２２６を通過
する際に形成される。発生イオン混合物の１部を毛細管オリフィス２３５を介し
中性ガス分子と一緒に減圧中へ掃引し、イオンを質量スペクトロメータにより質
量対電荷分析する。獲得質量スペクトルは検量試料からのイオンのピークを有し
、これを内部標準として使用することにより獲得質量スペクトルにおける未知試
料ピークの質量測定精度および定量を向上させることができる。代案として第２
ＡＰＣＩ入口プローブ２１４を用いて試料溶液を導入することができ、気化器２
１１もしくはコロナ放電領域２２６にて好適に相互作用する所望の溶剤もしくは
イオン混合物を発生させ、試料蒸気はＡＰＣＩ入口プローブ２１３から噴霧され
た溶液から生ずる。第２溶液を噴霧前の試料溶液と混合することは望ましくない
。多重ＡＰＣＩプローブからの異なる溶液の噴霧は、未知試料に関するＡＰＣＩ
シグナルを向上させ、或いは中性分子もしくはイオンの気相混合物の相互作用を
大気圧化学イオン化で検討することができる。気相における気化試料分子もしく
はイオンの混合を回避するため、ＡＰＣＩプローブ２１３および２１４は各溶液
を順次に噴霧することができる。たとえばＡＰＣＩ入口プローブ２１４に供給さ
れる検量溶液流を遮断しうる一方、質量スペクトルをＡＰＣＩ入口プローブ２１
３を介しＡＰＣＩ供給源に供給された試料溶液から獲得する。接続チューブ２３
６を介しＡＰＣＩプローブ２１４に供給された検量溶液を次いで付勢させて、外
部標準検量質量スペクトルを得る一方、試料溶液流を遮断する。検量質量スペク
トルは順次におよび／またはＡＰＣＩ供給源操作に際し適する溶液流をオン・オ
フ切換して未知試料につき得られた質量スペクトルと同時に得ることができる。
検量溶液を別のＡＰＣＩ入口プローブを介し導入すれば、ＡＰＣＩを必要とする
分析用途にて試料溶液入口経路およびプローブの汚染が回避される。既知および
未知の各試料の質量スペクトルをデータシステムにて加算することにより、擬似
内部標準を形成させることができる。代案として内部標準を含むおよび含まない
質量スペクトルを順次に獲得すれば、獲得試料質量スペクトル間の直接的比較に
より検量溶液が獲得使用イオン集団に生ぜしめうる望ましくない作用につき検査
することを可能にする。 【００４９】 図９に示した二重プローブＡＰＣＩ供給源のＡＰＣＩ−ＭＳ操作の１例を図１
０に示す。図１０に示した質量スペクトル２５０、２５２および２５５は、４極
質量分析器にインターフェースされた二重プローブＡＰＣＩ供給源により獲得さ
れた。試料溶液の質量スペクトル２５０は、０．１％の酢酸を含むメタノール：
水の１：１溶液における２ｐモル／μＬのロイシン・エンケファリンを１００μ
Ｌ／ｍｉｎの流量で注入しながら獲得した。ロイシン・エンケファリン溶液を注
射器ポンプから液体供給経路２２１を介しＡＰＣＩ操作に際しＡＰＣＩ入口プロ
ーブ噴霧器２２２に供給した。質量スペクトル２５０の獲得に際し、液流もしく
は噴霧器ガスはＡＰＣＩプローブ２１４に供給しなかった。質量スペクトル２５
０はロイシン・エンケファリンのプロトン化分子イオンピーク２５１を有する。
検量溶液の質量スペクトル２５２は、８０：２０の水：イソプロパノールの溶液
（２％のプロピオン酸）におけるトリチロシンおよびヘキサチロシンのそれぞれ
５０ｐモル／μＬの混合物から５μＬ／ｍｉｎの流量にて得られた。検量溶液は
、ＡＰＣＩ入口プローブ２１４に配置された空気圧噴霧器２４１のベンチュリ力
により供給経路２３６を介し吸引される溶液貯槽から供給した。質量スペクトル
２５２は、それぞれプロトン化トリチロシンおよびヘキサチロシンの検量ピーク
２５３および２５４を含む。ＡＰＣＩ入口プローブ２１３への試料液流を質量ス
ペクトル２５２の獲得に際し遮断した。図１０の質量スペクトル２５５は、試料
溶液と検量溶液とをそれぞれＡＰＣＩ入口プローブ２１３および２１４から同時
に噴霧しながら得られた。溶液組成および流量は個々の噴霧につき上記したと同
じにした。質量スペクトル２５５はそれぞれプロトン化トリチロシンおよびヘキ
サチロシンの内部標準ピーク２５６および２５８と、プロトン化ロイシン・エン
ケファリンの試料化合物ピーク２５７とを含む。内部標準として得られた検量ピ
ークを用いて、試料関連ピーク２５７の計算質量測定を向上させることができる
。 【００５０】 ＡＰＣＩ供給源におけるエレクトロスプレーイオン化は、イオン化に先立ち試
料および溶剤の分子蒸気を形成する。エレクトロスプレーとは異なりＡＰＣＩイ
オン化過程は気相分子−イオン電荷交換反応を必要とする。その結果、ＡＰＣＩ
供給源における気相での多重入口プローブ導入を介する試料の混合は、中性分子
およびイオン分子の気相で生ずる反応を検討する機会を向上させうると共に、溶
液化学作用を回避しうる。所望ならば試料を順次に多重ＡＰＣＩ入口プローブを
介し導入することにより、気相試料相互作用を回避することもできる。ＡＰＣＩ
入口プローブを介する液体試料流を遮断する際、噴霧器ガスを持続させ或いは遮
断することができる。ＡＰＣＩ入口プローブの先端部における噴霧ガスからのベ
ンチュリー作用を用いて、試料を貯槽からＡＰＣＩ入口プローブ先端部まで吸引
することができる。この技術は追加試料供給ポンプの必要性を回避する。多重Ａ
ＰＣＩプローブを図９に示した位置に固定することができ、或いは互いに調整自
在な噴霧器位置、すなわちキャビティ２２４もしくは気化器２１１を有すること
もできる。各ＡＰＣＩ入口プローブは着脱自在であり、単一のＡＰＣＩ供給源集
成体には１つもしくはそれ以上のＡＰＣＩ入口プローブを種々の位置に装着配置
することができる。３個以上のＡＰＣＩ入口プローブをＡＰＣＩ供給源２１０に
加えうることは当業者に明らかである。各ＡＰＣＩ入口プローブはＡＰＣＩ供給
源中心線に対し種々異なる角度で配置することができ、各ＡＰＣＩ入口プローブ
位置は固定し或いはＡＰＣＩ供給源の操作に際し調整自在とすることができる。
ＡＰＣＩ入口プローブ先端部は気化器２１１の軸方向および半径方向の上流にお
ける任意の位置に配置することができ、或いはコロナ放電領域２２６中へ直接噴
霧するよう配置することもできる。さらに多重気化器およびコロナ放電針をＡＰ
ＣＩ供給源２１０に配置することもできる。気化器中へ噴霧する多重ＡＰＣＩ噴
霧器の相対的ラジアル位置は任意所望の角度、ラジアル位置および気化器中心線
に対する相対的傾斜角度に設定することができる。各ＡＰＣＩ入口プローブの先
端部は、所定の溶液流量および分析用途につき噴霧器性能を最適化するよう位置
せしめることができる。 【００５１】 本発明の代案具体例を図１１に示し、これはＡＰＣＩ供給源軸線に対し平行な
方向に噴霧するよう配置した２つの入口プローブを有する二重入口プローブＡＰ
ＣＩ供給源を示す。ＡＰＣＩ供給源２６０のＡＰＣＩ供給源チャンバ２７１は、
図９に示したＡＰＣＩ供給源２１０のＡＰＣＩ供給源チャンバ２３０と同様に配
置される。ＡＰＣＩ供給源２６０には２つの空気圧噴霧ＡＰＣＩ入口プローブ２
６４および２６５を配置し、これらをそれぞれ液体供給経路２６６および２６７
に接続する。噴霧器ガス経路２６８および２６９は噴霧ガスをＡＰＣＩ入口プロ
ーブ２６４および２６５にそれぞれ別々に供給する。図示した具体例において、
ＡＰＣＩ入口プローブ２６４および２６５の両者は、各空気圧噴霧器スプレーヤ
軸線がＡＰＣＩ気化器２６１の軸線２７０に対しほぼ平行に位置するよう配置さ
れる。異なる溶液を個々に或いは同時に両入口プローブ２６４および２６５から
領域２６２中へ噴霧する。噴霧された液滴の１部は分離ボール２６３を迂回して
気化器２６１中へ流入する。噴霧液滴は気化器２６１にて蒸発し、イオンがコロ
ナ放電領域を通過する際に蒸気から形成される。発生イオンの１部は毛細管オリ
フィス２７３を介し減圧中に移動し、質量スペクトロメータおよびイオン検出器
により質量対電荷分析される。代案としてＡＰＣＩ供給源２６０には、気化器軸
線２７０に対し平行に位置せしめて平行な方向に領域２６２中へ噴霧する３つ以
上のＡＰＣＩ入口プローブを配置することができる。気化器軸線２７０の近くに
位置せしめて軸線に平行に噴霧する１群の平行なＡＰＣＩ入口プローブには、単
一または複数の軸線外し有角ＡＰＣＩ入口プローブを配置することができる。多
重ＡＰＣＩ入口プローブは別々に試料溶液および／または検量溶液を個々の各Ａ
ＰＣＩ入口プローブに供給する各種の液体貯槽、供給システムまたは分離システ
ムに接続することができる。代案として気化器２６１の軸線２７０は、毛細管２
７５の軸線２７４から所定角度にて配置することができる。気化器２６１の軸線
２７０および従って入口プローブ２６４および２６５の軸線は、毛細管２７５の
軸線２７４に対し０〜１２０°以上の角度に配置することができる。本発明の代
案具体例に示されるように、軸線外しＡＰＣＩ気化器および入口プローブの位置
決めは多重ＡＰＣＩ気化器、入口プローブおよびコロナ放電ＡＰＣＩ供給源の配
置を可能にする。 【００５２】 多重ＥＳプローブを有する図８に示したエレクトロスプレーイオン化供給源と
同様に、多重分離システムは試料溶液を多重入口プローブが配置されたＡＰＣＩ
供給源に供給するよう配置することができる。ＥＳ供給源につき説明したように
、多重試料分離もしくは入口システムにつき単一のＡＰＣＩ−ＭＳ検出器を用い
て、試料処理量を増加させることができる。ＡＰＣＩ供給源に配置された多重試
料入口プローブは、１つのＡＰＣＩ−ＭＳ装置により順次に或いは同時的に自動
で或いは手動で操作しうる分析手順の範囲を拡大することができる。１つのＡＰ
ＣＩ供給源における多重ＡＰＣＩ入口プローブの配置は、種々異なる分析用途に
つきＡＰＣＩ供給源を再配置および再−最適化するのに要する時間および複雑性
を最小化することもできる。 【００５３】 本発明の代案具体例は、少なくとも１つの大気圧化学イオン化プローブを有す
る少なくとも１つのエレクトロスプレープローブと、質量分析器にインターフェ
ースされた大気圧イオン供給源に配置される気化器との組合せである。或る種の
分析用途には、１つのＡＰＣＩ供給源にＥＳ能力とＡＰＣＩ能力との両者を組込
むことが望ましい。ＡＰＣＩ供給源を再配置する必要性なしにＥＳからＡＰＣＩ
イオン化に切換える迅速な方法はＥＳおよびＡＰＣＩイオン供給源によりＡＰＩ
−ＭＳもしくはＡＰＩ−ＭＳ／ＭＳn実験を行うための時間および複雑性を最小 化する。同じ試料をＡＰＣＩプローブおよびＥＳプローブの両者を介し順次に或
いは同時的に導入して、比較もしくは組合せ質量スペクトルを得ることができる
。同じ溶液につきＥＳおよびＡＰＣＩの両質量スペクトルを得ることにより、Ｅ
ＳもしくはＡＰＣＩイオン化のいずれかでの任意の溶液化学反応または抑制効果
を評価するのに有用な比較を与えることができる。ＥＳプローブおよびＡＰＣＩ
プローブの両者は、ＡＰＩ供給源の操作に際し固定位置または移動自在な位置を
有することができる。代案として種々異なる試料をＥＳプローブおよびＡＰＣＩ
プローブを介し個々に或いは同時に導入することができる。たとえば検量溶液を
ＥＳプローブを介して導入する一方、未知試料をＡＰＣＩプローブを介し同じＡ
ＰＩ供給源に導入することができる。ＥＳおよびＡＰＣＩプローブは、内部もし
くは外部標準を形成する質量スペクトルを得る際、このように同時的または順次
に操作することができる。ＡＰＩ供給源に一緒に配置されたＥＳプローブとＡＰ
ＣＩプローブとの組合せは、プローブ移動および設立時間を最小化させると共に
、ＡＰＣＩ ＭＳ装置でデータを得る際に手動もしくは自動手段で操作しうる分
析技術の範囲を拡大させる。たとえば分離システム、ポンプ、手動注入器もしく
は自動注入器および／または試料溶液貯槽など試料導入システムの幾つかの組合
せを多重組合せＥＳおよびＡＰＣＩプローブＡＰＩ供給源に接続することができ
る。この一体化手法は多重イオン化技術、多重分離システムおよび１つのＭＳ検
出器にて完全に自動分析を行って、試料処理量の増加および装置の再配置に基づ
くロス時間の殆ど不存在で最も有能かつコスト上効果的な分析手段を得ることを
可能にする。 【００５４】 図１４は、質量分析器にインターフェースされるＡＰＩ供給源に一緒に配置し
た個別的または同時的ＥＳおよびＡＰＣＩイオン化能力を含む本発明の１具体例
の図面である。ＡＰＣＩ入口プローブおよびイオン化集成体２８０と、エレクト
ロスプレープローブ集成体２８１とはＡＰＩ供給源集成体２８２に配置される。
ＡＰＣＩプローブおよびイオン化集成体２８０は二重入口プローブ２８３および
２８４とスプレー領域２８６と適宜の分離器ボール２８５と気化器２８７と針先
端部２８９を持ったコロナ放電針２８８とを備える。ＡＰＣＩ入口プローブ２８
４および２８５は、気化器２８７の中心線２９１に対し（φ283&284＝０°）の 角度にて噴霧するよう配置される。ＡＰＣＩ入口プローブ２８３および２８４に
は、それぞれ別々の溶液供給経路２９４および２９５と別々の噴霧器ガス経路２
９４および２９５とを配置する。エレクトロスプレープローブ集成体２８１は、
ガス供給経路２９７と試料溶液供給経路２９８と層状液流供給経路２９９とを持
った３層スプレー先端部２９６を備える。ＥＳプローブ先端部２９６は、ＡＰＩ
供給源２８２の中心線３００に対し（φ296＝７０°）の角度にて噴霧するよう 配置される。ＥＳプローブ先端部２９６の位置は、調整器ノブ３０１を用いて調
整自在である。代案として、ＥＳプローブ集成体２８１はＡＰＩ供給源中心線３
００に対し所定角度で噴霧するよう位置せしめた２個もしくはそれ以上のＥＳプ
ローブ先端部を配置することもできる。 【００５５】 ＡＰＩ供給源２８２には、さらに円筒レンズ１２０とノーズピース３０４を取
付けた端板３０３と毛細管３０５と向流乾燥ガス流３０６とガスヒータ６０７と
を配置する。ＥＳプローブ先端部２９６をノーズピース３０４から軸方向に距離
ＺESかつＡＰＩ供給源中心線３００から半径方向ｒESに位置せしめる。円筒レン
ズ３０２とノーズピース３０４を有する端板３０３と毛細管入口電極３０８とＥ
Ｓ先端部２９６とＡＰＣＩコロナ針２８８とに印加される電位は、ＥＳプローブ
およびＡＰＣＩプローブの両者を別々に或いは同時に操作するよう最適化させる
ことができる。向流乾燥ガス流３０９と、ＥＳプローブ先端部２９６および噴霧
器からの噴霧ガス流と、ＡＰＣＩ気化器２９１を介する補給および蒸気ガス流と
をバランスさせて、同時的ＥＳおよびＡＰＣＩ操作の性能を最適化させることが
できる。代案としてＥＳおよびＡＰＣＩプローブを固定位置にて順次に、各プロ
ーブにつき溶液および／または噴霧ガス流を順次にオン・オフ切換えして操作す
ることもできる。ＥＳイオン化での質量スペクトルは溶液流および付勢されたＥ
Ｓプローブ先端部２９６に印加された電圧にて得られる一方、ＡＰＣＩ入口プロ
ーブ２８３および／または２８４への溶液流およびコロナ放電針２８８に印加さ
れる電圧は遮断される。次いで液流およびＥＳプローブ先端部２９６に印加され
る電圧を遮断すると共に、ＡＰＣＩ入口プローブ２８３および／または２８４へ
の液流およびコロナ放電針２８８に印加される電圧をＡＰＣＩイオン化により質
量スペクトルを得る前に付勢することができる。 【００５６】 種々異なる溶液または同じ溶液を、質量スペクトルの獲得に際しＥＳおよびＡ
ＰＣＩプローブを介して供給することができる。ＡＰＩ供給源における各部材に
印加される電位をＥＳおよびＡＰＣＩ操作につき調整して、各溶液組成および液
体流量につき性能を最適化することができる。さらに各部材に印加される電圧ま
たはＡＰＩ供給源における各部材の位置を変化させると共に、次いでＥＳもしく
はＡＰＣＩ操作を最適化すべくリセットすることもできる。たとえばＡＰＣＩ集
成体２８０を作動させると共に試料をＥＳプローブ２８１を介し供給しなければ
、ＥＳプローブ先端部２９６に印加される電圧を、先端部２９６が電気的中性で
出現してコロナ放電領域２９０における電場の阻害を回避するよう設定すること
ができる。同様に、ＥＳプローブ２８１が作動すると共にＡＰＣＩ集成体２８０
への溶液流を遮断する場合は、電圧をコロナ放電針２８９に印加してエレクトロ
スプレー過程を阻害せず或いは実際にエレクトロスプレー性能を向上させるよう
にすることができる。たとえばコロナ放電針２８９に印加される電圧は、エレク
トロスプレー発生イオンを毛細管オリフィス３１０の方向へ移動させ或いは集中
させるのに役立ちうる。 【００５７】 代案としてＡＰＣＩコロナ放電針２８８の位置を一時的にＥＳプローブ操作に
際し移動させて、エレクトロスプレーイオン化過程に対する阻害を最小化させる
こともできる。次いでＡＰＣＩコロナ放電針２８８を、ＡＰＣＩプローブ集成体
２８０の操作に際し所定位置まで復帰移動させることができる。同時的なＥＳお
よびＡＰＣＩ操作は、反対極性の各イオンを発生するよう配置することができる
。ＡＰＣＩコロナ領域２９０にて発生したイオンは一方の極性を有することがで
き、コロナ針におけるＥＳ針の噴霧は反対極性のＥＳイオンを発生することがで
きる。陽ＡＰＣＩ発生イオンおよび陰ＥＳ発生イオンを得るためＡＰＩ供給源部
材に印加される電圧は毛細管入口電極３０８（−４，０００ボルト）、端板３０
３およびノーズピース３０４（−３，０００Ｖ）、円筒レンズ３０２（−２，０
００Ｖ）、コロナ放電針２８８（−２，０００Ｖ）およびＥＳプローブ先端部２
９６（−５，０００Ｖ）の電圧とすることができる。大気中で反応する一方の極
性を有する得られるイオン混合物の１部は毛細管オリフィス３１０を介し減圧中
に流入し、次いで質量分析される。上記したように試料入口供給システムの幾つ
かの組合せをＥＳとＡＰＣＩとのＡＰＩ組合せ供給源にインターフェースするこ
とができる。多重ＥＳおよび多重ＡＰＣＩ入口プローブをＡＰＩ供給源集成体に
含ませることができる。ＥＳおよびＡＰＣＩプローブ集成体は、ＡＰＩ供給源チ
ャンバ壁部を介しＡＰＩチャンバ内に或いはＡＰＩチャンバのバックプレートを
介し装着するよう配置することができる。 【００５８】 図１５Ａ〜１５Ｄは、４極質量スベクロメータにインターフェースされた図１
４に示すＡＰＩ供給源２８２と同様に配置された組合せＡＰＩ供給源から得られ
る質量スペクトルを示す。図１５Ａに示した質量スペクトル３２０は、試料また
はＡＰＣＩプローブ２８３から２００μＬ／ｍｉｎの流体溶液で噴霧された０．
０１５％蟻酸溶液を含む１：１ メタノール：水における８２ｐモル／μＬのレ
セルピンのＡＰＣＩイオン化で得られたものである。質量スペクトル３２０はレ
セルピンのプロトン化分子イオンのピーク３２１を含む。ＥＳプローブ先端部２
９６への溶液流はＡＰＣＩ−ＭＳ発生質量スペクトル３２０の獲得に際し遮断し
た。図１５Ｂに示した質量スペクトル３２２は、空気圧噴霧補助を伴ってＥＳ先
端部２９６から１０μＬ／ｍｉｎの流体溶液で噴霧した０．１％酢酸溶液を含む
１：１ メタノール：水における１０ｐモル／μＬのチトクロームＣのエレクト
ロスプレーイオン化で得られたものである。質量スペクトル３２２は主としてチ
トクロームＣのエレクトロスプレー多重帯電ピーク３２３を含む。ＡＰＣＩ入口
プローブ２８３への溶液流はＥＳ−ＭＳスペクトル３２２の獲得に際し遮断した
。図１５Ｃに示した質量スペクトル３２４は、空気圧噴霧補助によりＡＰＩ供給
源２８２にエレクトロスプレーされた同じチトクロームＣ溶液から得られたもの
である。エレクトロスプレー発生多重帯電チトクロームＣイオンのピーク３２５
を含む質量スペクトル３２４の獲得に際し、噴霧ガスは付勢された気化器２８７
ヒータによりＡＰＣＩ入口プローブ２８３に供給されたが、コロナ放電針２８８
には高電圧を印加せず、またＡＰＣＩ入口プローブ２８３にはレセルピン溶液を
流動させなかった。図１５Ｄに示した質量スペクトル３２６はコロナ放電針２８
８に印加した高電圧を用いる質量スペクトル３２４と同じ条件並びにＡＰＣＩ入
口プローブ２８３から噴霧された上記と同じレセルピン溶液により得られたもの
である。レセルピンのプロトン化分子イオンのピーク３２７および多重帯電プロ
トン化チトクロームＣイオンのピーク３２８の両者はＡＰＩ供給源集成体２８２
にて生ずる同時的ＥＳおよびＡＰＣＩイオン発生にて得られた質量スペクトル３
２６に出現する。質量スペクトル３２０、３２２、３２４および３２６は、ＡＰ
Ｉ供給源２８２ハードウェアーの位置調整なしに順次に得られたものである。組
合せ供給源２８２での個別的または同時的ＥＳおよびＡＰＣＩ操作方式の間の急
速な切換を図１４に示す。 【００５９】 多重ＥＳもしくはＡＰＣＩプローブを有するＡＰＩ供給源またはＥＳプローブ
とＡＰＣＩプローブとの組合せは、大気圧におけるイオン−イオン相互作用を検
討しうるよう配置することができる。上記に示した組合せ配置および多重入口プ
ローブＡＰＩ供給源配置の多くは、大気圧における気相イオン−イオン相互作用
の検討を可能にする方法および技術を用いて操作することができる。対向極性イ
オンの同時的発生を可能にするよう特異的に配置された多重入口プローブＡＰＩ
供給源の代案具体例につき以下説明する。大気圧にてイオン−イオン相互作用を
検討すべく配置された多重ＥＳプローブＡＰＩ供給源の１具体例を図１６に示す
。ＥＳプローブ集成体３４０には、ＡＰＩ供給源ノーズピース３４７から距離Ｚ 344 にて離間したＡＰＩ供給源３４２の軸線３４１（φ340＝０°）近くに位置す
るＥＳプローブ先端部３４４を配置する。溶液を、空気圧噴霧補助を伴ってＥＳ
プローブ先端部３４４からエレクトロスプレーする。発生したエレクトロスプレ
ーイオンの極性は、ＡＰＩ供給源３４２を含む静電気部材に設定された相対的電
位により決定される。検討する目的で、ＡＰＩ供給源電位および用いられるガス
流はＥＳプローブ先端部３４４からエレクトロスプレーされた溶液より陽イオン
を発生するよう設定されると仮定する。 【００６０】 第２ＥＳプローブ集成体３４５には、ＡＰＩ供給源ノーズピース３４７からＡ
ＰＩ供給源軸線３４１に沿った距離Ｚ346かつＡＰＩ供給源軸線３４１から半径 方向ｒ346に位置せしめたＥＳプローブ先端部３４６を装着する。ＥＳプローブ 先端部３４６の噴霧軸線の角度は、ＡＰＩ供給源中心線３４１に対し約１１０°
（φ346＝１１０°）に位置せしめる。ＥＳプローブ先端部３４６に印加する電 圧は、陰帯電液滴が空気圧噴霧補助を伴ってＥＳプローブ先端部３４６からエレ
クトロスプレーされた溶液より発生するよう設定される。ＥＳプローブ先端部３
４４および３４６からそれぞれエレクトロスプレーされた陽帯電および陰帯電し
た液滴から発生する陽イオンおよび陰イオンは、ＡＰＩ供給源３４２の領域３４
８にて混合すると共に相互作用する。大気圧におけるこの陽イオンおよび陰イオ
ンのイオン−イオン相互作用は、必ずしも全部でないが混合イオン集団の幾分か
の中性化をもたらす。得られる陽イオン集団の１部を、存在する電場により毛細
管入口３４９まで移動させる。毛細管オリフィス３４９に流入する陽イオンの１
部を毛細管孔部３５０を介し減圧中に掃引し、次いで質量スペクトロメータおよ
び検出器により質量対電荷の分析を行う。ＡＰＩ供給源３４２における電圧極性
の逆転はＥＳプローブ先端部３４４からエレクトロスプレーされた溶液より陰イ
オンを発生させると共に、ＥＳプローブ先端部３４６からエレクトロスプレーさ
れた溶液より陽イオンを発生させる。極性を逆転させると、発生陰イオンは毛細
管入口オリフィス３４９の方向へ移動し、毛細管孔部３５０を介し減圧中に掃引
され、次いで質量対電荷が分析される。 【００６１】 ＥＳプローブの幾つかの配置を、多重ＥＳプローブ集成体からエレクトロスプ
レーされる種々異なる溶液からの多重試料イオン−イオン相互作用を得るよう配
置することができる。３個以上のＥＳプローブを、０〜１８０°の範囲の角度φ 1 ――iおよび０〜３６０°の回転角度θ1――iに位置せしめたＡＰＩ供給源に配
置することができる。選択された中性ガス組成物を噴霧器または向流乾燥ガスに
添加して、イオン−イオン相互作用に関するイオン−中性反応を検討することが
できる。スミス等により報告された部分減圧下で行われる反対極性のイオン−イ
オン相互作用の検討とは異なり、上記本発明の具体例はＥＳイオンの発生を１つ
のＡＰＩ供給源チャンバにて可能にすると共に、イオン−イオン相互作用をより
高いイオンおよびガス密度にて大気圧で行うことを可能にする。 【００６２】 二重ＡＰＣＩ気化器とコロナ放電針とプローブ集成体とが配置されたＡＰＩ供
給源の１例を図１７に示す。１つのＡＰＣＩプローブ集成体３６６を、ＡＰＩ供
給源ノーズピース３７５から距離Ｚ366にて軸線外し（φ366＝９０°）で位置せ
しめる。ＡＰＣＩプローブ集成体３６６は空気圧噴霧器試料入口プローブ集成体
３６７と適宜の液滴分離器ボール３６８と気化器３６９とコロナ放電針３７０と
を備える。液体供給システム３７２から供給された試料溶液を入口プローブ集成
体３６７から噴霧する。噴霧液滴は分離器ボール３６８を迂回すると共に気化器
３６９に流入し、ここで液滴が蒸発して蒸気を形成する。気化器３６９から流出
する蒸気を、コロナ放電針３７０の先端部にてコロナ放電領域でイオン化させる
。第２ＡＰＣＩプローブ集成体３６０をも、ＡＰＩ供給源ノーズピース３７５か
ら距離Ｚ360に離間させて軸線外し（φ360＝９０°）で位置せしめる。図示した
配置において、寸法Ｚ360はＺ366より短い。ＡＰＣＩプローブ集成体３６０は噴
霧器試料入口プローブ集成体３６２と適宜の液滴分離器ボール３６３と気化器３
６４とコロナ放電針３６５とを備える。入口プローブ３６２は、液体供給システ
ム３７３から供給された試料溶液をＡＰＣＩプローブ集成体３６０中に供給する
。検討の目的で、印加されたＡＰＩ供給源部材の電位およびガス流は、噴霧され
ると共に気化されかつＡＰＣＩプローブ３６６によりイオン化された陽イオンと
、噴霧されると共に気化されかつＡＰＣＩプローブ３６０によりイオン化された
陰イオンとを発生するよう設定される。コロナ放電針３７０の先端部を包囲する
コロナ放電領域にて発生した陽イオンを毛細管３６１、端板３７５およびコロナ
放電針３６５の方向へ印加電位に基づいて引付ける。コロナ放電針３６５の先端
部を包囲するコロナ放電領域にて発生した陰イオンは、印加電位に基づきコロナ
放電針３７０の方向に引付けられる。陽イオンと陰イオンとが領域３７１におけ
る大気圧にて相互作用すると共に反応する。大気圧における陽イオンと陰イオン
との相互作用は陽イオンと陰イオンとの或る程度の中性化を生ぜしめるが、反応
後の或る程度の陽イオンは再イオン化され、次いでノーズピース３７５および毛
細管３６１の方向へ印加電位により引付けられる。陽イオンは毛細管の孔部を介
し減圧中に掃引され、ここで減圧領域３７４に位置する質量スペクトロメータに
より質量分析される。より多数の溶剤陽イオンをＡＰＣＩプローブ集成体３６６
を介し、ＡＰＣＩプローブ集成体３６０に供給される溶液流量と比較し、一層高
い流量にて導入することができる。混合領域３７１における溶剤陽イオンの一層
高い濃度は、陰イオンとの中性化反応後における陽イオンの再イオン化効率を増
大させる。ＡＰＩ供給源における電圧極性の逆転は、ＡＰＣＩプローブ集成体３
６６に供給された溶液から陰イオンを発生することを可能にすると共に、ＡＰＣ
Ｉプローブ集成体３６０に供給された溶液から陽イオンを発生することをも可能
にする。反応した陰イオン集団の１部を減圧中に掃引して質量対電荷を分析する
。 【００６３】 ＡＰＣＩプローブ位置の改変を行って、多重ＡＰＣＩプローブ集成体から噴霧
された種々異なる溶液より多重試料のイオン−イオン相互作用を得ることもでき
る。３個以上のＡＰＣＩプローブを、０〜１８０°の範囲の角度φ1――iおよび
０〜３６０°の範囲の回転角度θ1――iに位置せしめたＡＰＩ供給源に配置する
ことができる。選択中性ガス組成物を噴霧器または向流乾燥ガスに添加して、イ
オン−イオン相互作用に関するイオン−中性反応を検討することができる。 【００６４】 大気圧におけるイオン−イオン相互作用の検討を容易化させるべく位置せしめ
た２個のＡＰＣＩプローブ集成体を配置したＡＰＩ供給源の具体例を図１８に示
す。ＡＰＣＩプローブ集成体３８０を角度φ380＝９０°およびθ380＝２７０°
にて位置せしめると共に、電位をグリッド３８１に対し印加してコロナ放電針３
９２の先端部を包囲するコロナ放電領域にて陰イオンを発生させる。第２のＡＰ
ＣＩプローブ集成体３８２を角度φ382＝９０°およびθ382＝９０°に位置せし
めると共に、電位をグリッド３８４に印加して陰イオンを発生させる。第３のＡ
ＰＣＩプローブ集成体３８５を角度φ＝０およびθ＝０に位置せしめると共に、
グリッド３９０に対し電位を印加して陽イオンを発生させる。ＡＰＣＩプローブ
集成体３８０、３８２および３８５から発生した陽イオンおよび陰イオンはそれ
ぞれグリッド３８１、３８４および３９０を通過して大気圧で相互作用する。２
個のグリッド３８１および３８４をＡＰＣＩプローブ集成体３８５と毛細管３８
６の入口との間に位置せしめる。反対極性のイオン間の相互作用は陽イオンと陰
イオンとの中和をもたらすが、ＡＰＣＩプローブ集成体３８５から供給された試
料および溶剤の陽イオンは反応生成物分子を再イオン化することができる。新た
に形成されたイオンは、印加電場によりノーズピース３８９および毛細管３８６
の方向に引付けられる。毛細管３８６の孔部を介し減圧中に掃引されたイオンを
質量スペクトロメータおよびイオン検出器により質量分析する。印加電圧極性を
切換えて反応陰イオン集団の質量分析を行うことができる。図１８に示した具体
例にて配置された１個もしくはそれ以上のＡＰＣＩプローブ集成体は、除去し或
いはエレクトロスプレープローブ集成体で置換することもできる。多重ＡＰＣＩ
プローブ集成体を配置したＡＰＩ供給源を用いて、広範囲のイオン−イオン相互
作用および反応を検討することができる。 【００６５】 図１、２、３，５、６，８、９，１１、１４、１６、１７および１８に示した
多重ＥＳおよびＡＰＣＩプローブの配置は、各入口プローブ先端部に接続された
個々の溶液供給システムを示す。代案として多重試料供給システムを、個々の入
口プローブ先端部に溶液を供給するよう切換えることもできる。多重試料入口経
路と多重噴霧器との組合せを単一のＡＰＩ供給源集成体に配置することもできる
。多重プローブ先端部位置の組合せは当業者により構成可能であり、本発明は上
記に特定した多重ＥＳおよびＡＰＣＩプローブの具体例に限定されない。 【００６６】 以上、特定具体例につき本発明を説明したが、この説明は単に例示に過ぎず、
本発明の思想および範囲を逸脱することなく種々の改変をなしうることが当業者
には了解されよう。 【図面の簡単な説明】 【図１】 多重独立エレクトロスプレープローブを装着配置したエレクトロ
スプレーイオン供給源の略図。 【図２】 ＥＳ供給源中心線の近くに位置するＥＳ二重プローブ集成体の断
面平面図を示す図１のエレクトロスプレーイオン供給源の略図。 【図３】 ＥＳ供給源中心線から軸線外しで配置された二重ＥＳプローブ集
成体および中心線の近くに位置するＥＳ二重プローブ集成体の断面側面図を示す
図１のエレクトロスプレーイオン供給源の略図。 【図４】 ａは、空気圧噴霧補助で操作する二重先端軸線外しＥＳプローブ
の一方の先端部からエレクトロスプレーされたグラミシジンＳの二重帯電ピーク
を有する試料溶液の質量スペクトル図、ｂは、二重先端軸線外しＥＳプローブの
第２ＥＳ先端部から空気圧噴霧補助にてエレクトロスプレーされた検量溶液の質
量スペクトル図、ｃは、二重先端軸線外しＥＳプローブから同時的に一方の先端
部よりエレクトロスプレーされた試料溶液および他方の先端部からエレクトロス
プレーされた検量溶液の質量スペクトル図。 【図５】 ＥＳ供給源チャンバ中心線に対する軸線近くに装着された空気圧
噴霧補助を有する６先端ＥＳプローブ列の略図。 【図６】 ＥＳ供給源に配置された独立ｘ−ｙ−ｚ先端位置調整を伴う２つ
のＥＳプローブ集成体の断面図。 【図７】 ａは、軸線外しＥＳプローブ集成体を介しＥＳチャンバ中へ空気
圧噴霧補助でエレクトロスプレーされたロイシン・エンケファリンを含有する試
料溶液の質量スペクトル図、ｂは、ＥＳ供給源中心線の近くに位置する第２ＥＳ
プローブから空気圧噴霧補助でエレクトロスプレーされたトリ−チロシンおよび
ヘキサ−チロシンを含有する検量溶液の質量スペクトル図、ｃは、軸線外しのＥ
ＳプローブおよびＥＳ供給源中心線の近くに位置する２ＥＳプローブからそれぞ
れＥＳチャンバ中へ同時にエレクトロスプレーされた試料溶液および検量溶液の
質量スペクトル図。 【図８】 ２つのＬＣ分離システムに接続された２つの軸線外しＥＳプロー
ブと共に３つの独立したエレクトロスプレープローブを配置したエレクトロスプ
レー供給源の略図。 【図９】 ＡＰＣＩ供給源中心線に対し軸線外しで角度をつけた１つのプロ
ーブとＡＰＣＩ供給源中心線に整列した１つのプローブとを配置した２つの独立
試料入口プローブを有する大気圧化学イオン化供給源の略図。 【図１０】 個々のＡＰＣＩ入口プローブから別々に噴霧された試料溶液お
よび検量溶液の質量スペクトル図、並びに図９に示したように配置された二重入
口プローブＡＰＣＩ供給源にて同時噴霧された試料溶液および検量溶液の質量ス
ペクトル図。 【図１１】 実質的に平行方向で噴霧するよう配向された２つのＡＰＣＩ試
料入口空気圧噴霧先端部を配置した大気圧化学イオン化供給源の略図。 【図１２】 ２層エレクトロスプレープローブ先端部の断面図。 【図１３】 ３層エレクトロスプレー先端部の断面図。 【図１４】 エレクトロスプレープローブ集成体と大気圧化学イオン化プロ
ーブ集成体とを配置した大気圧イオン供給源の略図。 【図１５】 図１４に示したように配置したエレクトロスプレープローブお
よびＡＰＣＩプローブに供給された異なる試料溶液より別々にかつ同時に得られ
た一連の質量スペクトル図。 【図１６】 反対極性のエレクトロスプレーイオンを発生するよう配置され
た２つのエレクトロスプレープローブを備えるエレクトロスプレーイオン供給源
の略図。 【図１７】 反対極性のイオンを発生させるよう配置された２つのＡＰＣＩ
プローブおよび気化器集成体を備えるＡＰＣＩ供給源の略図。 【図１８】 陽イオンと陰イオンとの混合物を同時に発生させるよう配置さ
れた３つのＡＰＣＩプローブおよび気化器集成体を備えるＡＰＣＩ供給源の略図
。 【符号の説明】 １ エレクトロスプレー供給源集成体 ２ ＥＳプローブ ３、４ ＥＳ先端部 ５ ＥＳプローブ ６、７ ＥＳ先端部 ８、９、１０、１１、１２、１３ 供給経路 １６ 固定ネジ ２０ 円筒電極 ２１ 毛細管
３号、１９９８年２月２７日付け出願の米国特許出願第６０／０７６，１１８号
および１９９８年５月２９日付け出願の米国特許出願第６０／０８７，２５６号
（これらの開示を参考のためここに引用する）を優先権として主張する。 【０００２】 本発明は、多重試料導入質量分光測定に関するものである。 【０００３】 【従来の技術】 質量分析器にインターフェースされるエレクトロスプレー（ＥＳ）、大気圧化
学イオン化（ＡＰＣＩ）および電磁結合プラズマ（ＩＣＰ）イオン供給源を含め
大気圧イオン化（ＡＰＩ）供給源は、典型的には単一の試料導入プローブにて操
作される。内部標準を必要とする質量分光測定用途において、得られる混合物が
１つのプローブを介しＡＰＩ供給源に供給される場合は追加成分を、主たる試料
溶液に添加することができる。同じプローブを介し導入される単一溶液における
化合物の混合物がイオン化されると共に質量分析される。未知試料と混合される
際に既知の試料は、この方法にて得られる質量スペクトルに出現する未知成分ピ
ークのための内部マススケール(mass scale)もしくは検量標準として作用しう る。しかしながら、未知試料溶液との既知化合物検量溶液の混合は望ましくない
分析結果を与えうる。既知および未知の各溶液成分は、溶液移動もしくはイオン
化過程に際し予想しえないよう互いに作用しうる。一方の成分が溶液にて他方の
成分と反応し、或いは１種もしくはそれ以上の成分がイオン化過程に際し他方の
成分のイオン化効率を抑制しうる。既知成分混合物を有する溶液は、微量成分レ
ベルにて一連の未知試料を操作しつつあるプローブにて化学汚染の供給源として
排除するのが困難である。既知溶液を混合物として試料導入プローブを介し間歇
的に供給することが望ましければ、場合により試料の導入はプローブを介する溶
液流量の制約、溶液の混合効率、死容積損失、および次の分析に先立つ既知溶液
を排除するためのプローブのフラッシュを受ける。本発明は、分析に先立ち同じ
プローブにて溶液を混合する必要なしに２種の異なる溶液の同時的質量分析を行
うことにより、ＡＰＩ供給源におけるイオン化に先立ち液体試料を混合する際に
遭遇する性能問題および試料導入問題を回避する。一面において本発明は、種々
異なる試料溶液を操作に際しＡＰＩ供給源中に同時に導入しうる、プローブ集成
体内における多重プローブまたは多重スプレイヤーもしくは噴霧器の配置および
同時的操作である。 【０００４】 本発明の１具体例において、多重試料導入手段は、質量分析器にインターフェ
ースされるエレクトロスプレー大気圧イオン供給源に配置される。少なくとも２
つの試料導入エレクトロスプレープローブをエレクトロスプレーイオン供給源に
て同時的に操作する。少なくとも１つのＥＳプローブには、同じＥＳ供給源チャ
ンバ内で操作する追加ＥＳプローブに供給される試料溶液とは異なる試料が供給
される。このようにして検量溶液を１つのＥＳプローブを介して導入することが
できる一方、未知試料を同じＥＳプローブ集成体内の他のＥＳプローブもしくは
第２チャンネルを介し導入することができる。両ＥＳプローブの同時的噴霧を介
し両溶液から発生したイオンは、減圧中へのオリフィスに流入する前に大気圧Ｅ
Ｓチャンバのバックグランドガスにて配合もしくは混合される。少なくとも２つ
のＥＳプローブから供給された各溶液から生ずるイオンの混合物は同時的に質量
対電荷（ｍ／ｚ）分析されて、質量分析器を検量もしくは微調整するための内部
標準を含む質量スペクトルをもたらす。得られた質量スペクトルに含まれる内部
検量標準は、既知試料と未知試料とを溶液にて混合することなく得られる。多重
ＥＳプローブを介する種々異なる試料の同時的導入はさらに、減圧中への導入に
先立ちＥＳ供給源チャンバにて大気圧で混合イオンおよび分子の各反応の検討を
可能にする。各ＥＳ試料導入プローブ集成体には噴霧ガスおよび液体層流を配置
することができる。内部検量溶液を層流に、或いはＥＳ供給源チャンバに配置さ
れた任意所定のＥＳプローブの主流に含ませることができる。ＥＳプローブの任
意の組合せに対する個々の試料溶液流もしくは噴霧ガス流を、プローブ再配置の
必要なしに分析操作に際しオン・オフ切換することができる。本発明の他面にお
いて、大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）供給源アセンブリには多重入口チャンネ
ルもしくはプローブを配置することができる。これら多重ＡＰＣＩ入口プローブ
は空気圧噴霧を含むことができ、各入口プローブに供給される溶液流およびガス
流は個々に或いは同時的にオン・オフ切換することができる。ＥＳ供給源および
ＡＰＣＩ供給源の両者において、多重プローブ試料溶液イオン化は電圧の切換、
噴霧ガス流の調節または試料溶液流の調節により、プローブ再配置の必要なしに
制御することができる。多重試料導入入口プローブの配置は、同じＡＰＣＩチャ
ンバにおけるエレクトロスプレーおよびＡＰＣＩイオン発生手段の両者の組合せ
を有するシステムまで拡張することもできる。各ＥＳもしくはＡＰＣＩ試料入口
プローブは空気圧もしくは超音波噴霧を含むことができる。 【０００５】 ２個以上の試料導入針もしくは噴霧器を備えるエレクトロスプレーイオン供給
源の配置は刊行物に記載されている。コスチアニネンおよびブルインス、「質量
分光測定に関する第４１回ＡＳＭＳ会議のプロシーディング」７４４ａ（１９９
３）は、エレクトロスプレーイオン供給源に装着された空気圧噴霧を伴う或いは
伴わない多重エレクトロスプレー入口先端部の集成体の配置および使用を記載し
ている。各ＥＳ先端には、単一溶液供給源により単一ポンプから供給された同じ
試料溶液が供給される。液体クロマトグラフポンプから供給される試料溶液は、
より高い液体流量でイオン信号強度を向上させる試みにて１個、２個もしくは４
個のＥＳもしくは空気圧噴霧補助のＥＳ噴霧器先端部の集成体もしくは列に流入
する。報告された配置においては、個々の噴霧器先端部への溶液流は独立してオ
ン・オフ切換することができず、または種々異なる溶液を多重ＥＳ噴霧器先端部
の集成体における個々の噴霧器先端部に選択的に導入することができない。 【０００６】 ラッチェルＲ．オゴルザレク・ルー、ハロルドＲ．ウルセスおよびリチャード
Ｄ．スミス、「質量分光測定に関する第３９回ＡＳＭＳ会議のプロシーディング
および関連トピックス」第２６６〜２６７頁（１９９１）、並びにジャーナル・
フィジカル・ケミストリー、第６４１２〜６４１５頁（１９９１）およびリチャ
ードＤ．スミス、ヨセフＡ．ルー、ラッチェルＲ．オゴルザレク・ルー、マーク
・ブスマンおよびハロルドＲ．ウドセス、質量分光測定レビュー、第１０巻、第
３５９〜４５１頁（１９９１）は、各イオンをＹ形状毛細管の２個の別々の入口
開孔部に供給する二重エレクトロスプレーイオン供給源を含む四極質量分析装置
にインターフェースされたエレクトロスプレーイオン供給源の配置を記載してい
る。一方のエレクトロスプレー供給源で形成された陽イオンはＹ形状毛細管の一
方の入口分枝中へ導入されると共に、第２エレクトロスプレーイオン供給源から
形成された陰イオンはＹ形状毛細管の第２入口分枝に導入される。毛細管の２つ
の入口オリフィスに掃引された陽イオンおよび陰イオンは、毛細管の２つの入口
分枝が２つのＥＳ大気圧供給源チャンバに位置する毛細管入口の下流で充分混合
する箇所にて混合し始める。二重エレクトロスプレーイオン化供給源または別途
のＥＳ供給源および気相コロナ放電供給源は、個々にイオンをＹ形状毛細管の２
つの入口オリフィス中へ供給する。報告された全実験につき、第１ＥＳ供給源は
第２ＥＳ供給源もしくは気相コロナ放電供給源とは反対極性のイオンを発生する
。別々のイオン供給源で発生した反対極性のイオンは大気圧イオン供給源では混
合せずに、スプリット分離毛細管に２つの別々の入口オリフィスにて流入すると
共に毛細管下流にて部分減圧中で混合する。 【０００７】 ボルドリーウールフィットおよびベイトマン、「質量分光測定に関する第４３
回ＡＳＭＳ会議のプロシーディングおよび関連トピックス」第９８頁（１９９５
）は、磁気セクター質量分析器にインターフェースされた第２マイクロチップ（
５０ｎｌ／ｍｉｎ流量）試料プローブが配置された検量ＥＳプローブを含むエレ
クトロスプレーイオン供給源を記載している。試料プローブは、注射針に直接取
り付けられたマイクロチップ含む。注射器はＸ−Ｙ−Ｚ位置決め段階で装着され
て、マイクロチップ噴霧器の位置を最適化させる。検量ＥＳプローブは、検量溶
液を５００ｎｌ／ｍｉｎにて噴霧すると共に試料が第１ＥＳ試料プローブに流過
しない位置まで移動させうるよう配置される。検量質量スペクトルを得た後、検
量ＥＳプローブを後退させると共に検量溶液流を遮断する。次いでマイクロチッ
プ試料ＥＳプローブを流過する試料流を付勢させると共に、別の質量スペクトル
をエレクトロスプレーされた発生イオンから得る。このようにして、第１試料の
質量スペクトルを得る前に外部検量質量スペクトルが得られる。次いで検量質量
スペクトルと試料質量スペクトルとを、試料関連ピークの質量整合につき計算す
る前にデータシステムにて加算する。報告されたＥＳ供給源配置につき、２つの
ＥＳプローブは同時的に操作されず、また検量イオンと試料イオンとの気相混合
物は大気圧にて形成させず、質量スペクトルは検量イオンと試料イオンとの混合
物から得られなかった。記載された装置では試料関連ピークおよび検量化合物関
連ピークを含む単一の質量スペクトルが得られなかった。記載されたいずれのＥ
Ｓプローブも空気圧噴霧補助エレクトロスプレーで操作するよう配置されなかっ
た。ＥＳ検量プローブ位置は、減圧中へのオリフィスの近くにおける効果的噴霧
を可能にするため検量スペクトルの獲得前に調整を必要とした。検量質量スペク
トルを得た後、ＥＳ検量プローブを後退させて、第１ＥＳプローブを介し供給さ
れた試料溶液からの質量スペクトル獲得に先立つ干渉を回避する。 【０００８】 説明する本発明の１具体例において多重試料はＡＰＩ供給源に同時的に導入さ
れ、ここで各イオンを全ての試料から発生させると共に大気圧イオン供給源チャ
ンバにて混合する。次いで気相イオン混合物の１部をオリフィスもしくは毛細管
を介し減圧中へ掃引し、ここでイオンを質量分析する。このようにして、検量化
合物を含有する溶液を試料溶液と同時にイオン化させることができ、その結果と
して溶液における検量成分と試料成分との混合なしに内部標準を含む質量スペク
トルを得ることができる。一層高い質量精度が、ｍ／ｚ整合を獲得質量スペクト
ルにて試料イオン関連ピークにつき計算する際に、内部標準で達成される。ＡＰ
Ｉ供給源に検量化合物を独立して導入する他、多重試料入口プローブを用いて多
重試料を個々にまたは同時的にＡＰＩ供給源に導入することもできる。たとえば
ＥＳおよびＡＰＣＩプローブのようなＡＰＩチャンバにおける多重プローブの装
着は、単一のＡＰＩ供給源アセンブリにて多重イオン化技術を個々に或いは同時
的に行うことを可能にする。多重エレクトロスプレープローブは、広範囲の試料
流量および溶液化学にわたり最適性能を総合的に与えるよう配置することができ
る。ＥＳプローブ位置は、中心線から１００°を充分越える角度位置まで減圧オ
リフィス中心線に直接載るよう配置することができる。種々異なる液体流量を、
同じＡＰＩ供給源における別々のＥＳもしくはＡＰＣＩプローブに供給すること
ができる。ＥＳ供給源チャンバに種々異なる位置にて装着されたＥＳおよび／ま
たはＡＰＣＩプローブは同時的に或いは対として或いは群として種々異なる流量
にて操作することができ、種々異なる試料溶液を導入することができる。多重Ｅ
Ｓプローブは噴霧補助と共に或いはそれなしに操作することができる。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】 本発明の課題は、多重エレクトロスプレープローブを広範囲の試料流量および
溶液化学にわたり最適性能を総合的に与えるよう配置することにある。この多重
ＥＳプローブは噴霧補助と共に或いはそれなしに操作することができる。 【００１０】 【課題を解決するための手段】 本発明の１具体例は、種々異なる試料供給システムに接続されて質量分析器に
インターフェースされた多重試料溶液入口を有するＡＰＩ供給源の配置である。
個々の試料入口プローブは、同じＡＰＩ供給源チャンバにて独立的に或いは同時
的に操作することができる。それぞれ個々のＡＰＩプローブを介し導入される溶
液の組成および流量は、他の試料導入ＥＳ、ＡＰＣＩもしくはＩＣＰプローブと
は独立して制御することができる。多重試料は、溶液噴霧およびイオン化に先立
ち溶液における別々の試料成分の混合なしに、多重ＡＰＩプローブを介しＡＰＩ
供給源に導入される。多重試料溶液からの各成分のイオン化は大気圧で或いはそ
の近くで気相にて生ずる。ＡＰＩ供給源は限定はしないがエレクトロスプレー、
ＡＰＣＩもしくはＩＣＰイオン化手段または各イオン化技術の組合せを包含する
。他面において本発明は、検量溶液を少なくとも１つのＡＰＩ供給源入口プロー
ブに導入すると共に興味ある試料を他のＡＰＩ供給源入口プローブに導入する技
術である。検量溶液と試料溶液との両者を別途の入口プローブを介して導入する
が、ＡＰＩ供給源にて同時に噴霧およびイオン化させて気相検量イオンと試料関
連イオンとの混合物をもたらす。得られるイオン混合物の１部を質量分析して質
量スペクトルを生ぜしめ、これはｍ／ｚ測定を向上させると共に定量精度でさえ
向上させる内部標準として作用しうる既知成分のイオンピークを含む。代案とし
て多重試料溶液を別々であるが同時に導入して、大気圧またはその近くでイオン
の混合物を生ぜしめることにより、気相イオンおよび分子の相互作用および反応
を検討することができる。多重入口プローブＡＰＩ供給源は、限定はしないが飛
行時間（ＴＯＦ）、４極、フーリエ変換（ＦＴＭＳ）、イオントラップ、磁気セ
クターもしくはハイブリッド質量分析器を包含する任意の種類のＭＳもしくはＭ
Ｓ／ＭＳn質量分析器にインターフェースすることができる。 【００１１】 本発明の１具体例においては、エレクトロスプレーイオン供給源に多重エレク
トロスプレープローブを配置する。各プローブには空気圧もしくは超音波噴霧補
助および／または第２液層を配置しても配置しなくてもよい。多重ＥＳプローブ
および各ＥＳプローブの各液層は種々異なる液体供給システムに接続することが
できる。このようにして種々異なる試料、試料の混合物および／または溶剤を各
種の組合せにて同時的に或いは個々に噴霧することができる。液体供給システム
は限定はしないが液体クロマトグラフポンプ、注射ポンプ、重力供給容器、加圧
容器および／または吸入供給容器を包含する。さらに試料はたとえば液体クロマ
トグラフィー（ＬＣ）または毛細管電気泳動（ＣＥ）、毛細管電気泳動クロマト
グラフィー（ＣＥＣ）および／または任意もしくは全てのＥＳプローブに接続さ
れた手動注入弁のような自動注入器、分離システムを用いて導入することができ
る。多重かつ独立した溶液導入は、多重試料をＥＳプローブ位置の変化なしにエ
レクトロスプレーイオン化により同時に分析することを可能にする。試料溶液を
１つのＥＳプローブを介して導入すると共に他の第２試料を他のＥＳプローブを
介してＥＳチャンバ中へ選択的および同時的に導入する選択肢を有する能力を使
用して、ＬＣもしくはＣＥ分離に際しオン経路でさえ内部もしくは外部検量標準
を有する質量スペクトルを発生させることができる。広範囲のｍ／ｚ値もしくは
試料種類を有する種々異なる試料混合物を、異なるＥＳプローブを介して導入す
ることができる。分析される未知試料に応じ、最適検量溶液を他のＥＳプローブ
から選択することができる。たとえば単一帯電化合物を分析する際に単一帯電Ｅ
Ｓイオンを発生する１種のｍ／ｚ範囲の検量溶液を選択することができ、同様に
エレクトロスプレーイオン化にて多重帯電イオンを形成する化合物を分析する際
に多重帯電ＥＳ発生検量イオンを生成させることもできる。任意の第２ＥＳプロ
ーブにつき溶液流を、任意のプローブ位置の変化もしくは調整、ＥＳ供給源電圧
の変化、第１試料溶液流の遮断または第１試料溶液プローブを介し導入される溶
液の汚染なしに、第１ＥＳ試料溶液プローブに対する溶液流とは独立して制御す
ることができる。多重プローブ群を他のプローブ群と同時的に或いは順次に同じ
ＡＰＩチャンバにて操作することができる。多重ＥＳプローブの配置および操作
は、多重試料供給源からのＡＰＩ ＭＳ検出を容易化させうる。特に多重試料プ
ローブは、多重液体クロマトグラフ分離システムのための検出器として単一質量
分析器の無配慮な自動化操作を容易化させると共に分析処理量を向上させる。 【００１２】 本発明の他の具体例においては、多重噴霧器を大気圧化学イオン化供給源に配
置する。ＥＳと同様に、多重試料溶液を気相中へ導入して溶液の混合なしにイオ
ン化させることができる。このＡＰＣＩ供給源の具体例においては多重噴霧器が
個々の試料含有溶液を気化器中へ噴霧し、ここで噴霧された液滴の混合物をコロ
ナ放電領域におけるイオン化に先立って蒸発させる。検量溶液は１つもしくはそ
れ以上の試料入口プローブを介し独立して同時に他の入口プローブを介する試料
溶液導入することができる。プローブ位置、印加電圧もしくは気化器温度の調整
は、多重入口プローブへの溶液流を制御する際には必要とされない。ＡＰＣＩ供
給源における機械的調整を殆どまたは全く必要としないこの独立試料流制御は、
手動もしくは自動操作でのシステムレベル分析融通性を増大させると共に試料処
理量を増加させる一方、多重溶液の交互汚染を最小化させる。多重ＡＰＣＩおよ
びＥＳプローブは、本発明の他の具体例にて１つのＡＰＩ供給源に配置すること
もできる。ＥＳおよびＡＰＣＩ供給源の組合せは、特に各種の試料での自動化操
作につき各種の分離システムにインターフェースされるＡＰＩ−ＭＳ機器の分析
能力範囲を拡大させる。 【００１３】 ＥＳ、ＡＰＣＩもしくはＩＣＰイオン化技術を含めＡＰＩ供給源を伴う多重プ
ローブの使用は、特にたとえば飛行時間のような迅速質量分析器を使用する際に
、試料の一層急速な導入を可能にする。急速な試料導入はＬＣ、ＣＥもしくはＣ
ＥＣ分離システムまたは自動注入器のサイクル時間により制限することができる
。さらに試料導入サイクル時間は、注入試料が注入弁からＥＳもしくはＡＰＣＩ
プローブ出口まで移動するのに要する時間によっても制限しうる。多重ＬＣ、Ｃ
ＥもしくはＣＥＣ、自動注入器、注入弁およびＡＰＩプローブは、試料導入のサ
イクル時間およびＡＰＩ ＭＳシステムの分析時間を短縮するよう配置すること
ができる。 【００１４】 【発明の実施の形態】 図１に示した本発明の１具体例は、多重エレクトロスプレー溶液入口プローブ
を含むエレクトロスプレーイオン供給源を備える。エレクトロスプレーイオン供
給源は、減圧チャンバ３１に配置された質量スペクトロメータにインターフェー
スされる。個々のエレクトロスプレープローブ集成体をエレクトロスプレーイオ
ン供給源大気圧チャンバ３０に配置することができ、ここで溶液を個々のプロー
ブ先端部から２５ｎＬ／ｍｉｎ〜１ｍｌ／ｍｉｎの範囲の流量で噴霧する。エレ
クトロスプレー先端部からの溶液の噴霧は噴霧補助を含んでも含まなくてもよい
。エレクトロスプレー供給源集成体１は、それぞれ二重ＥＳ先端部が配置された
２つのＥＳプローブセット２および５を備える。ＥＳ二重プローブ集成体２は、
空気圧噴霧補助が配置された２個のエレクトロスプレー先端部３および４を備え
る。各ＥＳ先端部３および４は、それぞれ独立して供給経路９および１０を介し
溶液が供給される。ＥＳスプレーヤ先端部３および４はＥＳ供給源１の中心線ま
たは軸線２４から外れて位置し、これは減圧中への毛細管２１オリフィス２３の
中心線により規定される。第２ＥＳ二重プローブ集成体５は２つの平行なＥＳ先
端部６および７を備え、これらには空気圧噴霧補助が配置される。溶液は、ＥＳ
操作に際しそれぞれ溶液供給経路１４および１５を介しＥＳ先端部６および７に
独立して供給される。ＥＳプローブ先端部６および７は、ＥＳ供給源１の中心線
２４近くに位置する。各ＥＳ二重プローブ集成体は、それぞれガス供給経路１１
、８、１２および１３を介し先端部３、４、６および７にガス流を集中して供給
するよう配置される。各ＥＳプローブ先端部へのガス流を個々に或いは総合的に
制御して、空気圧噴霧補助でのＥＳ操作を可能にし或いはたとえば酸素もしくは
六弗化硫黄（ＳＦ6）のようなガスをＥＳ先端部に供給し、陽もしくは陰エレク トロスプレーイオン発生に際しコロナ放電を抑制するよう制御することができる
。図示した具体例において、溶液はＥＳ先端部３、４、５および６から個々にま
たは同時に或いはエレクトロスプレー操作に際し個々のＥＳプローブ先端部から
の同時的噴霧の組合せによりエレクトロスプレーすることができる。ＥＳチャン
バ３０中へエレクトロスプレーされた溶液から発生したイオンの１部を毛細管２
１における孔部２３を介し減圧中に移送し、ここで質量スペクトロメータおよび
検出器により質量対電荷の分析を行う。 【００１５】 図１に示した具体例において、ＥＳ先端部３および４の軸線は二重先端ＥＳプ
ローブ集成体２内でほぼ平行となるよう位置する。ＥＳプローブ集成体２の位置
をｘ方向かつ回転的に調整することができ、ＥＳ先端部３および４をＹ方向に効
果的に移動させる。ＥＳプローブ先端部３および４の位置は、固定ネジ１６で調
整後の所定位置に固定することができる。ｘおよびｙのＥＳ先端部位置調整は、
ＥＳ供給源１の中心線２４に対するプローブ先端部３および４から発生したスプ
レーの位置および方向を設定する。一層詳細に以下説明するように位置調整は、
広範囲の液体流量および溶液化学にわたりＥＳプローブ先端部２および３から同
時的にエレクトロスプレーする際に減圧に供給されるイオン混合物の最適化を可
能にする。同様に、ＥＳ先端部６および７のｘ位置および回転位置またはｙ位置
は、ＥＳプローブ集成体５を移動させると共に固定ネジ１９により位置を所定位
置に固定して調整することができる。ＥＳ供給源軸線２４および毛細管オリフィ
ス２３に対するｘおよびｙのＥＳプローブ先端部位置調整は、個々に或いは同時
的にＥＳプローブ先端部６および７から試料溶液を噴霧する際に性能の最適化を
可能にする。図６に示したように、ＥＳプローブ集成体２および５は代案として
全ｘ−ｙ−ｚ先端部位置調整を含むよう配置することもできる。初期のＥＳ二重
プローブ集成体の装着位置および先端部位置調整の範囲に応じ、ＥＳプローブ先
端部軸線の配向は、ｘ−ｚＥＳ供給源平面に対し０°〜９０°以上の範囲の角度
にわたり延在するよう配置することができる。０°は毛細管２１の孔部２３中へ
指向するｚ軸線として規定される。ＥＳプローブ先端部軸線および従って発生さ
れるエレクトロスプレープルームの中心線は、ノーズピース２５の開口部２８近
傍におけるイオンの発生を最大化させて性能を最適化するよう配向させることが
できる。エレクトロスプレーもしくは空気圧噴霧促進エレクトロスプレー過程に
て発生した帯電液滴は蒸発してエレクトロスプレー室３０内でイオンを形成し、
これは端板ノーズピース開口部２８を流過する加熱向流乾燥ガス２７により支援
される。ＥＳチャンバ３０にて形成されたイオンの１部を毛細管孔部２３中へ指
向させ、ここで毛細管孔部２３を流過するガス流により減圧中に掃引する。さら
に帯電液滴の蒸発は、毛細管孔部２３を介し減圧中へ部分蒸発エレクトロスプレ
ー帯電液滴の移動の際にも生じうる。毛細管２１を加熱して、帯電液滴蒸発過程
を支援することもできる。本発明の詳細な説明については、図２および３に示し
た断面図を用いて以下説明する。 【００１６】 図２はエレクトロスプレーイオン供給源１の平面図であって、二重先端ＥＳプ
ローブ集成体５を示す。図３は、二重軸線外しプローブ集成体２および５が配置
された図１に示すＥＳ供給源１の側面図である。ＥＳ供給源１は、各電位を円筒
電極２０と端板電極２６と毛細管入口電極４０とに印加すると共に全ＥＳ電極先
端部を接地電位に維持することにより操作される。加熱向流乾燥ガス流４１を、
端板ヒータ４２を流過して端板ノーズピース２５開口部２８を介しＥＳ供給源チ
ャンバ３０中へ流入するよう指向させる。図１および２に示した減圧中へのオリ
フィスは、入口オリフィス４８を備えた誘電性毛細管チューブ２４である。減圧
中へ誘電性毛細管内側孔部２３を介し掃引されるイオンの電位については米国特
許第４，５４２，２９３号に記載されている。陽イオンを発生させるには、負キ
ロボルト電位を円筒電極２０と電極ノーズピース２５が取付けられた端板電極２
６と毛細管入口電極４０とに印加する。典型的には陽イオンを発生させるには−
４，０００、−３，５００および−３，０００ボルトを毛細管入口４０と端板２
６と円筒電極２０とにそれぞれエレクトロスプレー操作に際し印加すると共に、
ＥＳ先端部３、４、６および７を備えたＥＳプローブ集成体２および５を接地電
位に維持する。陰イオンを発生させるには、電極２０、２６および４０に印加す
る電位の極性を逆転させると共にＥＳプローブ先端部３、４、６および７を接地
電位に維持する。代案としてノズル、薄板オリフィスもしくは導電性金属毛細管
を減圧中へのオリフィスとして使用すれば、キロボルト電位をＥＳプローブ先端
部３、４、６および７に印加すると共に低い電位を円筒電極２０と端板電極２６
と減圧中へのオリフィスとに操作に際し印加することもできる。代案として加熱
毛細管、ノズルもしくは薄板オリフィスを、ＥＳもしくはＡＰＣＩイオン化に際
し向流乾燥ガスにて或いはそれなしに操作する減圧中へのオリフィスとして配置
することもできる。 【００１７】 図２を参照して、適する電位をＥＳ供給源チャンバ３０における部材６、７、
２０、２６および４０に印加すると、帯電液滴が無支援エレクトロスプレーまた
はＥＳ先端部６および７に供給される別々の溶液の空気圧噴霧補助を伴うエレク
トロスプレーから生成される。図２に示した具体例において、ＥＳ先端部６およ
び７の位置は、エレクトロスプレー操作に際し互いに相対固定される。代案とし
て、ＥＳプローブ集成体を先端部６および７の相対位置の調整を可能にするよう
配置することもできる。ＥＳ先端部６および７から流出する各溶液からエレクト
ロスプレーされた帯電液滴は、向流乾燥ガス流２７に抗する電場により駆動され
る。帯電液滴が蒸発する際、イオンが最初に先端部６および７を介し供給された
各溶液に存在する各成分から形成されて領域４３にて混合する。領域４３におけ
るイオン混合物の１部を毛細管孔部２３を介し減圧中に掃引し、減圧領域４６内
に位置する質量分析器および検出器４５に指向させ、ここで質量分析する。加熱
毛細管を向流乾燥ガスを伴う或いはそれなしに減圧中へのオリフィスとして配置
すれば、ＥＳ先端部６および７から噴霧された部分蒸発帯電液液の混合物が加熱
毛細管オリフィスに掃引される。帯電液滴の蒸発およびイオン混合物の生成は、
エレクトロスプレーされた帯電液滴が毛細管オリフィス中へ掃引される前に大気
圧チャンバ３０内で完全には蒸発されない場合、毛細管にて生じうる。加熱毛細
管における２種のエレクトロスプレー溶液から発生した帯電液滴の混合物より発
生した得られるイオンは毛細管および減圧にてイオン混合物を形成する。複数溶
液から形成されたイオンを混合すると共に減圧におけるイオントラップに貯蔵す
ることもできる。三次元イオントラップおよび二次元トラップ方式で操作される
多極イオンガイドは、１つのＡＰＩ供給源にて噴霧された複数溶液から同時的ま
たは順次にトラップされるイオンの混合物を保持しうる。次いでイオン混合物の
質量分析を質量分析器および検出器の集成体４５によって行う。 【００１８】 たとえば図１に示した多重ＥＳプローブＡＰＩ供給源の具体例は多極イオンガ
イド飛行時間質量分析器にインターフェースすることができ、ここで多極イオン
ガイドは米国特許第５，６８９，１１１号に記載されたように二次元トラップ方
式にて操作される。ＥＳプローブ７からの溶液を噴霧して形成するイオンは、最
初に二次元トラップ方式にて操作される多極イオンガイドによりトラップするこ
とができる。次いでＥＳプローブ７への溶液流を遮断すると共にＥＳプローブ６
を介する異なる溶液流を付勢してイオンを形成させることもでき、これらイオン
を二次元トラップとして操作する同じ多極イオンガイドでトラップする。このよ
うにして形成されたイオン混合物は、イオン−イオン相互作用またはイオン−分
子相互作用および／または添加された中性バックグランドガスとの反応を促進す
る時間にわたりトラップすることができる。次いで、得られたトラップイオン混
合物を多極イオンガイドトラップから放出させると共に、飛行時間質量分析器に
て質量分析する。代案として、ＭＳ／ＭＳn実験を米国特許出願第０８／６９４ ，５４２号に記載されたようにトラップイオン集団にて行うこともできる。 【００１９】 ２種の異なる試料溶液を、ＥＳ供給源操作に際し独立して或いは同時的にＥＳ
プローブ先端部６および７から噴霧することができる。上記したように、２種の
溶液を空気圧噴霧補助を伴う或いはそれなしにＥＳプローブ先端部６および７か
ら同時的にエレクトロスプレーする場合、２つの別々のスプレーから生ずるイオ
ンは領域４３にて混合する。イオン混合物の１部を毛細管孔部２３を介し減圧中
に掃引し、次いで質量対電荷分析する。本発明のこの具体例を用い、ＥＳプロー
ブ先端部６からの試料溶液は、ＥＳプローブ先端部７から噴霧された試料溶液よ
り発生するイオンに対し最小の作用を有する。ＥＳプローブ先端部６および７を
介し独立溶液供給源から供給された試料溶液における化学成分は、噴霧に先立ち
溶液中で混合しない。帯電液滴および同極性のイオンが、ＥＳプローブ先端部６
および７からのエレクトロスプレーに際し発生する。帯電液滴および同極性のイ
オンは、帯電排斥に基づきＥＳチャンバ３０における蒸発に際し最小の化学相互
作用を有して、各溶液から発生した個々のイオン集団の最小歪みが減圧中への流
入に先立って生ずる。検量化合物と称する既知分子量の化合物を、ＥＳプローブ
先端部６から噴霧された溶液に添加すると共に試料溶液をＥＳプローブ先端部７
から噴霧することができる。検量溶液および試料溶液をそれぞれＥＳプローブ先
端部６および７から同時噴霧すれば、生ずるイオン混合物から得られる質量スペ
クトルは検量溶液に含まれる既知分子量化合物に対応する１組の内部検量ピーク
を含む。本発明のこの具体例を用い、検量化合物および試料化合物を溶液にて混
合することなく、内部標準ピークを含む質量スペクトルを得ることができる。既
知成分および試料成分のイオン混合が質量分析に先立ち気相にて生ずる。代案と
して、ＥＳプローブ先端部６および７を流過する溶液流を順次に付勢することが
できる。１つのＥＳプローブが検量溶液を含有すれば、ＥＳプローブ６および７
の順次の噴霧は時間的にその後の試料質量スペクトルの獲得に近い外部標準とし
て使用しうる質量スペクトルの獲得を可能にする。各プローブ位置は、ＭＳ獲得
と共にエレクトロスプレーに際し時間的に同時または別々に噴霧しながら固定さ
れ続ける。獲得された質量スペクトルに内部標準を含めば、スペクトル内に含ま
れる試料関連ピークの分子量指定の精度を増大させうる。質量スペクトルに内部
標準も定量精度を向上させるのに役立ちうる。 【００２０】 慣例として、内部標準を含む質量スペクトルを得るには、検量化合物をエレク
トロスプレーに先立ち試料含有溶液と混合する。典型的には外部検量質量スクペ
クトルを得る際、検量溶液を次の試料溶液が流過する同じＥＳプローブを介して
供給する。検量化合物は移送経路およびＥＳプローブ先端内孔部を汚染すると共
に、試料溶液から得られる質量スペクトルに望ましくないピークをもたらしうる
。得られる獲得質量スペクトルに内部標準を形成するため層流エレクトロスプレ
ープローブ配置を介し或いは直接的に溶液にて検量化合物を混合すれば、エレク
トロスプレーイオン化過程に際し試料イオンシグナルの抑制をもたらしうる。質
量検量化合物は試料供給経路を汚染すると共に内部標準、外部標準を必要とする
か或いは獲得質量スペクトルにて検量ピークを必要としない各用途間での切換に
際し排除するのがしばしば困難である。移送経路およびＥＳプローブ集成体から
検量化合物を除去すべく長いフラッシュ時間が必要されて分析時間を増大させる
。この汚染問題に基づき、検量溶液と試料溶液との液相における混合は、ＡＰＩ
供給源操作に際し検量化合物の迅速な使用および除去を可能にしない。本発明は
、内部標準を含む質量スペクトルを得るための検量溶液と試料溶液との混合にお
ける分析上の欠点を解消する。多重ＥＳプローブの同時的操作は、質量分析に先
立ち気相にて混合する独立噴霧溶液からイオンを発生させる。独立した各ＥＳプ
ローブスプレーは、その後の獲得質量スペクトルに出現する望ましくない残留化
合物汚染なしに迅速にオン・オフ切換することができる。エレクトロスプレー発
生イオンは、別々の噴霧器から生じた帯電液滴より発生する。任意の試料イオン
もしくは検量イオンの相互作用は気相にて生ずるようなプロセスのみに限定され
る。発生するイオンが同じ極性を有する場合、気相における相互作用を介する化
学的干渉が最小となる。相対的な溶液成分濃度および組成を変化させることによ
り、本発明は獲得質量スペクトルにおける検量成分ピークと試料成分ピークとの
間の強度およびｍ／ｚ位置の独立制御を可能にする。 【００２１】 ノーズピース開口部２８および毛細管入口オリフィスに対するイオン混合領域
４３の相対位置は毛細管孔部２３に突入する各スプレーからのイオンの比を変化
させる。所定の毛細管溶液濃度につき、試料ピーク強度と対比する検量ピーク強
度はｘ方向にプローブ集成体５を移動させると共に固定ノブ１９で固定して変化
させることができる。相対的液体流量およびプローブＥＳ先端部６および７を流
過する噴霧ガス流量に応じ、ＥＳプローブ集成体５の回転調整を用いて毛細管入
口オリフィス４８に対する相対的なイオン混合領域４３の位置を変化させて性能
を最適化することもできる。多くの分析用途につき検量成分関連ピークを獲得質
量スペクトルに加算してさえ試料イオンシグナルを最大化させることが望ましい
。固定された相対的ＥＳプローブ先端位置と共にＥＳプローブ集成体５の位置の
調整は、最小の試料シグナルロスを以て獲得スペクトルにおける検量ピークの導
入を可能にする。平行なＥＳ先端部配置は、発生するイオンの効率的混合を伴っ
て各先端部とは独立して広範囲の液体流量を噴霧することを可能にする。その結
果、広範囲の分析用途にわたり最適性能を、位置プローブ集成体５の再調整の必
要性なしに、平列噴霧器配置を用いて達成することができる。２個のＥＳ先端部
を介し２つの異なる液体流量で供給される溶液を同時的にエレクトロスプレーし
ながら獲得される質量スペクトルの例を図４に示す。 【００２２】 図１および３に示したような、ほぼ平行方向に噴霧するよう配向された２個の
ＥＳ先端部を配置したＥＳプローブ集成体２と同様に、エレクトロスプレープロ
ーブ集成体を図４ａ〜４ｃに示した質量スペクトルの獲得に際し使用した。エレ
クトロスプレーイオン供給源１を、図４ａ〜４ｃにて獲得されたデータにつき４
極質量スペクトロメータにインターフェースさせた。図４ａは、供給経路９を介
し連続注入された１：１メタノール：水の試料溶液にて１０ｎｇ／μＬグラミシ
ジンＳから得られた質量スペクトル６０を示す。グラミシジンＳ試料を含有する
溶液を、ＥＳ先端部３から空気圧噴霧補助により５０μＬ／ｍｉｎの液体流量に
てエレクトロスプレーした。グラミシジンＳの二重帯電ピーク６１が、縦軸６２
により示されるように３，１００の相対的豊富さを持ったスペクトルにおける主
たるピークである。ＥＳプローブ先端部３および４の軸線の配向は、ＥＳ供給源
中心線２４に交差する水平（ｚ−ｘ）面から上方向に約６０°の角度とした。図
４にて得られたデータにつきθ2＝６０°であり、ここでθ2はｚ軸に対するＥＳ
プローブ先端部軸線により形成される角度であって、ｚ軸の周囲に軸方向対称的
である。ＥＳ先端部３および４の軸線はほぼ平行に位置すると共に、各先端部は
噴霧に際しｚ−ｘ面から等距離に位置した。ＥＳ先端部３および４を、質量スペ
クトル６０、６４および６８の獲得に際し約８ｍｍの一定間隔で分離させた。Ｅ
Ｓ先端部３および４をｚ軸に沿って約１．５ｃｍかつｙ軸に沿って約１．０ｃｍ
に位置せしめ、これを図３にそれぞれ寸法Ｚおよびｒによって示す。ｘ軸に沿っ
たＥＳ先端部３および４の位置を調整して性能を最適化させ、その後に二重ＥＳ
先端部位置を図４ａ〜４ｃに示した一連の質量スペクトル獲得に際し位置固定し
た。検量化合物バリン（５０ｎｇ／μＬ）とトリチロシン（２５ｎｇ／μＬ）と
ヘキサチロシン（５０ｎｇ／μＬ）との７９％水、１９％イソプロパノールおよ
び２％プロピオン酸溶液における混合物を、５００μＬ／ｍｉｎの流量にてＥＳ
プローブ先端部４に供給した。検量溶液を、空気圧噴霧補助によりプローブ先端
部４からエレクトロスプレーした。ＥＳプローブ先端部４からの検量溶液のエレ
クトロスプレーに際し獲得された質量スペクトル６４を図４ｂに示す。それぞれ
１１８、５０８および９９８の質量対電荷の数値を持ったピーク６５、６６およ
び６７が、既知分子量の検量成分の単一帯電プロトン化分子イオンから形成され
た。存在する他のピークは、溶液中に存在する汚染化合物からのものであった。
主たるピーク６５（１１８ｍ／ｚ）は約４，３００である。図４ｃにおける質量
スペクトル６８は、それぞれＥＳ先端部３（５０μＬ／ｍｉｎ）および４（５０
０μＬ／ｍｉｎ）から試料溶液および検量溶液を同時噴霧して獲得された。約２
，６００の主たる試料もしくはグラミシジンＳピーク７１は、独立して噴霧した
際に獲得されたグラミシジンＳピーク６１と対比して、１５％未満だけ減少して
いる。検量ピーク高さは、単一かつ同時的な溶液噴霧にて獲得された質量スペク
トル６４および６８と比較して１５％未満変化した。 【００２３】 ＥＳ先端部４を流過する噴霧ガス流および検量溶液流を、図４ａに示した質量
スペクトル６０の獲得に際し遮断した。逆に、ＥＳ先端部３を流過する噴霧ガス
流および試料溶液流を、図４ｂに示した質量スペクトル６４の獲得に際し遮断し
た。ＥＳ先端部３および４への検量および試料の各溶液流と噴霧ガス流との両者
を、図４ｃに示した質量スペクトル６８の獲得に際し付勢させた。質量分析に先
立ち気相にて混合された２種の独立同時的なエレクトロスプレーから形成された
イオンは、内部標準を有する質量スペクトルの獲得を可能にした。４極質量分析
器を用いて、図４ａ〜４ｃに示したデータを得た。代案として、たとえば飛行時
間、三次元４極イオントラップ、磁気セクター、フーリエ変換質量スペクトロメ
ータおよびトリプルクワドラポールのような他の種類の質量分析器も使用するこ
とができる。質量スペクトル内の内部標準を用いて、特に高解像力で獲得される
必要スペクトルにつき試料ピークの質量対電荷の精度を向上させることができる
。図４ａ〜４ｃに示した質量スペクトルの順序は、質量スペクトル蓄積時間およ
び個々の液体流量をオン・オフさせうる速度によってのみ制限されるが１分間未
満にて得ることができる。本発明は、広範囲の液体流量にわたり同時的にエレク
トロスプレーされる多重溶液から発生した気相イオンの効率的混合を可能にする
。試料溶液とを、検量溶液と初期の最適化の後にプローブ先端位置を調整する必
要なしに、複数のＥＳプローブ先端部を介し導入することができる。本発明は、
無配慮運転にて多重溶液投入を許容しうる質量分析システムの有用性を増大させ
る。独立もしくは同時の噴霧につき配置された多重の入口プローブを含むエレク
トロスプレーイオン供給源はシステム損失時間を最小化させ、試料処理量を最大
化させ、さらに試料溶液を汚染することなく内部標準を含む質量スペクトルの選
択的獲得を可能にする。以下説明するように、多重入口プローブＡＰＩ供給源を
用いて大気圧でイオン−イオン気相相互作用を検討することもできる。 【００２４】 図４ａ〜４ｃに示した例においては、ＥＳ先端部３および４への溶液流をそれ
ぞれ噴霧ガス流と一緒にまたはそれなしに独立してオン・オフ切換しうる液体ポ
ンプにより供給経路９および１０を介して供給した。代案として、溶液４４を図
２に示した溶液貯槽４５からＥＳ先端部７に供給することもできる。溶液４５は
、ガス供給経路１３を介しＥＳ先端部７に供給された噴霧ガスから誘発されるベ
ンチュリ力によって供給経路１５を介しＥＳ先端部７に導入される。ＥＳプロー
ブ先端部７の下に位置する溶液貯槽４５により、ＥＳ先端部７への溶液流は噴霧
ガスが遮断された際に停止する。ＥＳ先端部７からのエレクトロスプレーに際し
噴霧補助を使用しなければ、ガス圧力ヘッドを貯槽４４における溶液４５に印加
して、ＥＳ先端部７に液体を初期に強制移動させることができる。未補助エレク
トロスプレーに際し加えられる電場からの靜電力もＥＳ先端部７を介する溶液流
を維持することができる。ＥＳ先端部７８への液体流は次いで、貯槽４５内の溶
液４５に対するガス圧力ヘッドを除去すると共にＥＳ先端部７における電場を減
少させて遮断することができる。未補助エレクトロスプレーは、適する相対的電
位を個々のＥＳ先端部に印加すると共に次いで電位を先端部から除去することに
よりオン・オフ切換することができる。たとえば２個の独立ＥＳプローブをＥＳ
供給源に配置すると共に６，０００ボルトをＥＳ操作に際し独立して各プローブ
に印加すれば、所定プローブからの噴霧をＥＳプローブに対するキロボルト電位
の印加により或いはプローブ電圧の低下によりオン・オフ切換してエレクトロス
プレーを停止させることができる。各ＥＳ先端部３、４、５および７は、広範囲
の液体流量および溶液化学を有する特定群の用途につき性能を最適化すべく個々
に配置することができる。ＥＳ先端部には単一、二重および三重のチューブ層を
配置して、特定の溶液およびガス供給経路に接続されたＥＳ先端部にて各種のガ
スおよび液体層を収容することができる。たとえばＥＳ低流量を可能にする交換
自在なマイクロチップのような単一層先端部をＥＳ供給源に装着する前に予備装
着することができ、溶液供給経路を必要としない。１秒範囲につき２５〜５００
ナノリットルの液体流量にてエレクトロスプレーしながら内部標準を持った質量
スペクトルを得ることが望ましければ、多重マイクロチップを配置して同時噴霧
することもできる。より高い液体流量につき、積層ＥＳ先端部配置が典型的に使
用される。 【００２５】 図１２は２層エレクトロスプレー先端部の図面である。２層ＥＳ先端部配置に
より、噴霧ガス７４を液体試料導入チューブ７２を包囲する第２層チューブ７０
の間の環状部７１を介て供給して、エレクトロスプレー操作に際し帯電液滴の形
成を促進させることができる。試料含有溶液は、孔部７５を介し内側チューブ７
２の出口端部７３に供給される。第２液層は、ＥＳプローブ先端部にて操作に際
し液体層状化が望ましければ環状部７１を介し供給されて、ガス流を置換するこ
とができる。代案としてＥＳプローブ先端部には、図１３に示したように３つの
同心層を配置することもできる。典型的には、３層ＥＳプローブにより試料溶液
を内側チューブ８０の孔部８８を介して導入し、第２溶液をチューブ８０と８１
との間の環状部８４を介して導入することができ、所要ならばガス流８５をチュ
ーブ８１と８２との間の環状部８３を介して供給することができる。孔部８８と
環状部８４とを介して供給された各溶液は、ＥＳ操作に際し領域８７内における
第１層チューブ出口８６にて混合する。環状部８４を介して供給された第２溶液
は既知検量化合物を含有することができ、これら化合物はＥＳ操作に際し領域８
７における孔部８８を介して供給された試料溶液と混合する。通常、検量化合物
は、孔部８８を介して溶液を供給する前に試料含有溶液と混合される。 【００２６】 １個のＥＳプローブ先端部またはＥＳプローブ先端部３、４、６および７の組
合せを図１２および１３に示したと同様に２層もしくは３層集成体として配置す
ることができる。分析用途に応じ、溶液導入チューブ７２もしくは８０を毛細管
電気泳動カラム、微小孔部充填毛細管カラムまたは誘電材料もしくは導電材料の
開口孔チューブとして構成することもできる。軸外し位置に配置され或いはＡＰ
Ｉ供給源中心線の近くに位置せしめた単一、２層および３層のＥＳプローブ先端
部は市販入手することができる。軸線外しプローブ位置は典型的にはエレクトロ
スプレーイオン供給源における一層高い液体流量用途につき使用される。本発明
は、噴霧補助を伴う或いはそれなしに２個もしくはそれ以上のプローブ先端部か
らの溶液の個々の或いは同時的な噴霧を行う可能性を以て、ＡＰＩ供給源におけ
る単一、２層もしくは３層先端部を多重ＥＳプローブに配置することを可能にす
る。多重プローブ先端部位置をＡＰＩ操作に際し固定して、プローブ位置調整の
必要なしに多重先端部からの順次もしくは同時噴霧を可能にすると共に、各種の
入口プローブからの溶液噴霧を迅速、効率的かつ無配慮に切換ることを可能にす
る。 【００２７】 図５は本発明の代案具体例を示す。エレクトロスプレー供給源１１４には、そ
れぞれ個々の液体供給経路１０１〜１０６を有する６個のＥＳ先端部９１〜９６
からなるＥＳプローブ集成体９０が配置される。位置調整器３７を用いて、任意
のＥＳ先端部をＥＳ供給源中心線１１５の近くに位置せしめうるようＥＳプロー
ブ集成体９０を移動させることができる。ガス経路９８は噴霧ガスをＥＳプロー
ブ先端部９１〜９６に供給する。代案としてＥＳプローブ集成体９０は、各ＥＳ
先端部９１〜９６に、それぞれ独立してオン・オフ切換しうる個々の噴霧ガス供
給部が配置されるよう構成することもできる。図５に示した具体例において、Ｅ
Ｓ先端部９５および９２には個々の検量溶液を供給しうる一方、別途の試料溶液
をＥＳ先端部９１、９３、９４および９６に供給する。この配置により、試料溶
液のエレクトロスプレーから得られる質量スペクトルは、検量溶液が供給された
最も近い隣接ＥＳ先端部を付勢することにより加えられた内部標準ピークを有す
ることができる。図５に示した具体例において、数種の試料溶液を複数試料を順
次に同じＥＳプローブ先端部を介しＥＳ供給源に供給する際に生じうる汚染を殆
どまたは全く伴わずに迅速に分析することができる。ＥＳプローブ先端部９５か
らの検量溶液噴霧と同時的にＥＳ先端部９６から噴霧される試料溶液よりＭＳデ
ータを得た後、ＥＳプローブ集成体９８はＥＳ先端部９４がＥＳ供給源中心線１
１５の近くに位置するよう調整器９７を用いて翻訳することができる。ＥＳ先端
部９５を用いて、ＥＳ先端部９４からの試料溶液のエレクトロスプレーと同時に
検量溶液を噴霧し、得られた試料溶液質量スペクトルに内部標準ピークを与える
ことができる。さらにＥＳプローブ集成体の翻訳を用いてＥＳ先端部９２をＥＳ
供給源中心線１１５近くに位置せしめ、先端部９１もしくは９３から試料溶液エ
レクトロスプレーに際し検量溶液を選択的に噴霧することができる。ＥＳプロー
ブ９０の直線的ＥＳ先端部配置は、自動的ｘおよびｙ位置翻訳器での二次元先端
部列に外挿することができる。さらに、流過ＥＳ先端部は予備装着マイクロチッ
プにより交換することもできる。代案として、ＥＳプローブ集成体９０の全ての
先端部を用いて試料溶液を噴霧しうる共に、単一の軸線外しＥＳプローブを用い
て外部標準検量質量スペクトルを得ることが望ましい場合または内部標準を獲得
試料溶液質量スペクトルに加算することが望ましい場合には検量溶液をエレクト
ロスプレーすることもできる。キロボルト電位をＥＳ供給源素子１１０、１１１
および１１２に印加して、接地電位で操作されるＥＳプローブ集成体９０による
エレクトロスプレーを開始させることができる。代案として、キロボルト電位は
、エレクトロスプレー操作に際しＥＳプローブ先端部９１〜９６に印加すること
もできる。ＥＳ供給源１１４には加熱向流乾燥ガスを供給して、１個、２個もし
くはそれ以上のＥＳ先端部から順次に或いは同時的に噴霧されたエレクトロスプ
レー発生帯電液滴の蒸発を促進することができる。 【００２８】 各ＥＳプローブ先端位置は互いに固定することができ、またＥＳ供給源毛細管
入口もしくは先端部位置を調整自在とすることもできる。図１に示したように、
ＥＳ先端部位置３および４は互いに固定されるが、ＥＳプローブ２装着ブロック
回転軸線を中心としてｘ方向に移動自在かつ回転自在にセットとする。本発明の
代案を図６に示し、ここではＥＳプローブ集成体１２０および１２２はそれぞれ
ＥＳ先端部１２１および１２３につきｘ、ｙおよびｚの全位置調整を含む。ＥＳ
プローブ集成体１２２をＥＳ供給源１３０中心線１３１に対し平行に位置せしめ
る。ＥＳ供給源中心線１３０に対するＥＳプローブ先端部１２３軸線１２４の角
度は０°に等しく、すなわちφ1＝０°である。試料含有溶液は、ＥＳプローブ 集成体１２２の液体供給チューブ１２９中へ或いは独立した液体供給システムを
有するＥＳプローブ集成体１２０の入口管１３２に導入することができる。この
ようにして、異なる試料または試料および／または溶剤の混合物を同時的または
個々に噴霧することができる。液体供給システムは限定はしないが自動注入器を
備えた或いは備えない液体ポンプ、たとえば液体クロマトグラフィーもしくは毛
細管電気泳動のような分離システム、注射ポンプ、圧力容器、重力供給容器また
は溶液貯槽を包含する。ＥＳ供給源操作に際し、各ＥＳプローブから発生させる
スプレーは液体供給システムを用いて液体流動を付勢することにより開始させる
ことができる。適する溶液貯槽の配置により、空気圧噴霧ガス流を用いてエレク
トロスプレーを開始させることもできる。噴霧補助を用いない場合、ＥＳ先端部
１２１もしくは１２３からのエレクトロスプレーはＥＳ供給源電極１４０、１４
１および１４２に印加される電圧と比べＥＳ先端部に加えられる電圧を増大させ
て付勢することができる。たとえば毛細管入口電極１４０、端板およびノーズピ
ース１４１並びに円筒電極１４２に印加される電圧を−５００．０および＋５０
０Ｖにそれぞれ設定すれば、ＥＳ先端部１２１からのエレクトロスプレーはＥＳ
先端部１２１に印加される電圧を＋５，０００Ｖまで増大させて開始することが
できる。ＥＳ先端部１２１からのエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２１に印
加される電位を０Ｖに設定して停止させることができる。ＥＳ先端部１２３から
のエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２３における電場が効果的に中性となる
よう、ＥＳ先端部１２３に印加される適する電圧（ほぼ０Ｖ）により留まり続け
る。ＥＳ先端部１２３からのエレクトロスプレーは、ＥＳ先端部１２３に＋５，
０００Ｖを印加して付勢することができる。ガス供給経路１３６および１２８を
介してそれぞれＥＳ先端部１２１および１２３に供給される噴霧ガスは、キロボ
ルト電位をＥＳ先端部に印加してエレクトロスプレー帯電液滴形成プロセスを促
進する際に付勢することができる。個々のＥＳ先端部への噴霧ガス流は、適する
電圧をＥＳ先端部に印加してエレクトロスプレーを遮断する際に滅勢することが
できる。電圧および噴霧ガスの切換は、たとえ試料含有溶液を所定時間にわたり
先端部に流過させ続ける場合にもＥＳ先端部におけるエレクトロスプレーを迅速
にオン・オフ切換することを可能にする。代案として、溶液供給源として貯槽を
用いる図２に示したように、ＥＳプローブ先端部１２３もしくは１２１への液流
は噴霧ガス流をオン・オフ切換して制御することができる。噴霧ガス流を付勢す
ると、ＥＳプローブ先端部における（ベンチュリ）作用により溶液を貯槽からＥ
Ｓプローブ先端部まで引き上げて、ここで噴霧する。空気圧噴霧ガス流をＥＳプ
ローブに供給することによりエレクトロスプレーを維持する場合は、簡単かつ安
価な溶剤供給システムを用いることができる。 【００２９】 図６に示したＥＳプローブ集成体１２０の軸線１３７は、ＥＳ供給源の中心線
１３１から７０°（φ120＝７０°）の角度に位置する。ＥＳプローブ集成体１ ２０には試料溶液入口１３２と層流溶液入口１３８と噴霧ガス入口１３６とを有
する３層ＥＳプローブ先端部１２１を配置する。ＥＳプローブ先端部１２１の断
面図を図１３に示す。液体試料は第１層チューブ８０の孔部８８に移送経路１３
２を介して流入する。第２溶液を移送経路１３８を介しチューブ８０と８１との
間の環状部８４中に添加することができ、この溶液は領域８７における出口端部
８６にて試料溶液を包囲すると共にこれと混合するシース液を形成する。噴霧器
またはコロナ抑制ガスを、チューブ８１と８２との間の環状部へのガス供給もし
くは移送経路１３６を介しＥＳプローブ先端部１２１に導入することができる。
３層ＥＳプローブ先端部にて領域８７における溶液の液体層状化は、ＥＳ供給源
にＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣ分離システムをインターフェースすべく使用されて
いる。ＣＥ、ＣＥＣもしくは微小気孔ＬＣカラムにインターフェースする際は、
試料導入管８０を実際にはＣＥ、ＣＥＣもしくはＬＣカラム自身とすることがで
きる。第２層溶液流を用いて、検量化合物をＥＳプローブ先端部１２１のチュー
ブ８６から流出する試料溶液に添加することもできる。この種の混合溶液スプレ
ーから得られる質量スペクトルは内部標準を含有する。検量溶液は、移送経路１
３８を介し溶液を供給する液体供給システムをオン・オフ切換して開始もしくは
停止させることができる。このような検量溶液の導入は初期の試料溶液供給源の
汚染を回避するが、噴霧前に領域８７における溶液の混合を必要とする。得られ
る混合物における検量成分は存在する試料化合物のエレクトロスプレーイオン化
効率に影響を与えて、得られる質量スペクトルにピーク高さの歪みを生ぜしめる
。チューブ８０および８１の出口端部の相対的位置は、エレクトロスプレー過程
で生成した２種の溶液から層状化されたイオン集団の相対強度に影響を及ぼしう
る。層状液流を用いて異なる溶剤系を導入することにより、多重プローブ噴霧混
合物におけるイオン−中性相互作用を検討することもできる。広範囲の溶液組成
物を、所要に応じ分析用途にて図１３に示した３層プローブ先端集成体を用い液
層で組合せることができる。図１３に示した３層プローブの４層の代案例も可能
であり、噴霧器またはコロナ抑制ガスでの溶液層の分離により液体混合が生じな
いよう操作することもできる。たとえば４層プローブ先端部の具体例は、最内部
チューブを介し供給された液体溶液と、チューブ１と２との間の環状部を介し供
給された噴霧器ガスと、チューブ２と３との間の環状部を介し供給された第２液
体溶液と、チューブ３と４との間の環状部を介し供給された噴霧ガスとを有する
ことができる。代案として、ガスを最内部チューブを介し液体、ガスおよび液層
と共に供給することもできる。３種もしくはそれ以上の溶液を層状化させ、別々
の層を介し供給された溶液の幾分かをこれらが図１３に示した溶液混合と同様な
層状先端部から流出する際に液体状態にて混合することができる。層状液流は１
個もしくはそれ以上のエレクトロスプレープローブを介する追加溶液の導入を可
能にし、ＥＳと１個もしくはそれ以上の分離システム（たとえばＣＥ、ＣＥＣお
よびＬＣ）とをインターフェースする手段として作用しうる。 【００３０】 ＥＳプローブ先端部 １２３は図１２に示した２層プローブとして構成され、 貯槽１４４から供給される検量溶液１４５を含む。殆どまたは全く圧力ヘッドも
しくは重力供給を加えることなく、検量溶液１４５をＥＳプローブ先端部１２３
に加えられる噴霧用ガスのベンチュリ吸引作用により貯槽１４４から引出すこと
ができる。検量溶液１４４は、噴霧ガス流をガス供給チューブ１２８を介し施す
際にＥＳ先端部１２３から噴霧することができる。溶液供給チューブ１３９には
最初に、ヘッド圧を貯槽１４４に加えることにより或いは貯槽１４４からの重力
供給により或いは噴霧用ガスＥＳプローブ先端部１２３を付勢することにより溶
液で満たすことができる。溶液供給チューブ１２９およびＥＳ先端部１２３の内
側チューブが検量溶液で満たされた後、装着貯槽におけるヘッド圧を解除し、重
力供給を加えることなしに溶液供給チューブ１２９を介する液流をＥＳ先端部１
２３に対する噴霧用ガス流のオン・オフ切換により開始および停止させることが
できる。検量溶液はＥＳプローブ先端部１２３から個々に、或いはＥＳプローブ
先端部１２１からエレクトロスプレーされる試料溶液と同時に選択的に噴霧する
こともできる。代案として溶液は注射ポンプ、液体クロマトグラフシステムまた
は他の液体供給システムによりＥＳプローブ先端部１２３に供給することもでき
る。次いでＥＳプローブ先端部１２３への溶液流は、溶剤供給システム流をオン
・オフ切換してオン・オフすることができる。 【００３１】 図６に示したＥＳプローブ先端部１２１および１２３とＥＳ供給源軸線１３１
および毛細管入口１４８とのｘ−ｙ−ｚ位置および角度位置は、ＥＳ性能を最適
化すると共に単一のＥＳプローブから個々に或いは２つのＥＳプローブから同時
的に噴霧するよう調整することができる。ＥＳプローブ集成体軸線１３７を中心
とするＥＳ先端部１２１の回転位置は位置決めノブ１３３および１３４で調整さ
れる。ＥＳ先端部１２１の軸線に沿ったＥＳ先端部１２１の位置はノブ１３５を
回転させて調整される。同様に、ＥＳ先端部１２３の回転位置および軸方向位置
はそれぞれノブ１２５、１２６および１２７を位置決めして調整される。ＥＳプ
ローブ先端部の各位置は、所定の液体流量および溶液もしくは試料の種類につき
ＥＳ性能を最適化するよう調整を必要とする。個々の或いは同時的な噴霧につき
最適化された後、プローブ位置はＥＳ操作に際し固定し続けることができる。図
１および６に示した具体例につき、各ＥＳプローブ集成体の１部はＥＳ供給源チ
ャンバハウジングの外部に位置する。これは、ＥＳ供給源を操作しながらｘ−ｙ
−ｚ位置および角度位置の全調整を可能にして最適性能を達成する。図６に示し
たＥＳプローブ集成体１２０および１２２も相対的層状チューブ出口先端部位置
の調整を可能にする。たとえばナット１４９の調整は、図１３に示したように内
側チューブ８０の出口位置８６を第２および第３層チューブ出口位置に対するＥ
Ｓプローブ先端部１２１の軸線に沿って移動させる。図１２に示した最内部チュ
ーブ出口端部７３の相対的位置はナット１５０を用いて調整し、ＥＳ先端部１２
３における噴霧ガス性能を最適化することができる。これらＥＳ先端部調整は、
ＥＳ供給源を操作しながら層状液流および／またはガス噴霧チューブ先端位置の
最適化を可能にする。異なる液体流量を、両ＥＳプローブ先端部からの同時的エ
レクトロスプレーに際しＥＳプローブ先端部１２１および１２３を介し供給する
ことができる。ＥＳ用途につき用いられる溶液流量範囲は毎分２５ナノリットル
から毎分２ｍｌまでの範囲である。毎分２５〜１，０００ナノリットル範囲の液
体流量につき、単一層 流または交換自在なマイクロエレクトロスプレープロー ブ先端部を、２層ＥＳプローブ先端部１２３をＥＳ供給源１３０に置換すべく配
置することができる。未補助エレクトロスプレー操作を、ＥＳプローブ先端部か
ら個々に或いは空気圧補助ＥＳプローブと同時的に行うことができる。全先端部
位置調整を配置した２個もしくはそれ以上の空気圧噴霧補助ＥＳプローブは、１
個のＥＳチャンバ内で同時操作することができる。単一層、２層および３層の各
ＥＳプローブの組合せを単一のＥＳチャンバ内に配置して同時操作することもで
きる。 【００３２】 図６に示したＥＳ供給源１３０には、独立した調整自在なＥＳ先端部位置にて
２個のＥＳプローブを配置する。ＥＳプローブ集成体１２２の軸線１２４は端板
ＥＳ供給源中心線１３１に沿って位置せしめると共にＥＳプローブ先端部１２３
をＥＳ供給源中心線１３１に沿って端板ノーズピース面１４９から距離Ｚ1だけ 離間させる。ＥＳプローブ集成体１２０の軸線１３７は、ＥＳ供給源中心線１３
１に対しφ120＝７０°の角度に位置せしめる。ＥＳプローブ集成体１２０の先 端部１２１は、端板ノーズピース面１４９から軸方向に距離Ｚ2およびラジアル 角度θ120＝０にてＥＳ供給源中心線１３１から半径方向に距離ｒ2に位置して示
される。角度θiは、ガスが毛細管またはプラスｚ軸線方向（図１に示す）を流 過する方向で見て、中心線１３１を中心とするラジアル角度として規定される。
中心線１３１より上方の１２時位置は、時計方向に３６０°まで増大する角度で
０°として規定される。Ｚ1＝２ｃｍ、Ｚ2＝１．５ｃｍおよびｒ2＝１．５ｃｍ と設定すれば一層高い液体流量をＥＳプローブ先端部１２１を介して導入するこ
とができ、検量化合物を含有する溶液については一層低い液体流量をＥＳプロー
ブ先端部１２３を介して導入することができる。両ＥＳプローブ先端部１２１お
よび１２３は、所定の先端部位置および角度につき空気圧噴霧補助にて操作する
ことができる。一層高い液体流量をＥＳプローブ先端部１２３から噴霧する場合
、ＥＳ供給源中心線１３１に対するプローブ先端部軸線角度θ122は調整ノブ１ ２５および／または１２６を回転させて増大させることができる。代案としてＥ
Ｓプローブ集成体１２２をＥＳ供給源中心線１３１から外して位置せしめうるが
、中心線１３１に対しほぼ平行な方向に噴霧することもできる。ＥＳ ＭＳ分析
またはＥＳ ＭＳ／ＭＳn分析を必要とする特殊な分析問題に応じ、多重のＥＳ プローブをＥＳ供給源に位置せしめて個々の或いは同時的な噴霧操作に関する性
能を最適化することができる。 【００３３】 図６に示したと同様に配置した二重プローブＥＳ供給源から得られる質量スペ
クトルを図７ａ〜７ｃに示す。図７ａは、二重プローブＥＳ供給源１３０におけ
るＥＳプローブ先端部１２３から１００μＬ／ｍｉｎの液体流量にて空気圧噴霧
補助でエレクトロスプレーされたロイシン・エンケファリンを含有する１：１メ
タノール：水の試料溶液の質量スペクトルを示す。ロイシン・エンケファリンの
プロトン化ｍ／ｚピーク１５３が、獲得質量スペクトル１５０における主たるピ
ークである。溶液は、図７ａに示した質量スペクトル１５０の獲得に際し軸線外
しプローブＥＳプローブ先端部１２１を流過しなかつた。図７ｂに示した質量ス
ペクトル１５１は空気圧噴霧補助にて二重プローブＥＳ供給源１３０に配置され
たＥＳプローブ先端部１２１から検量溶液をエレクトロスプレーしながら得られ
た。検量溶液は、５μＬ／ｍｉｎの流量にて試料貯槽から供給された２％プロピ
オン酸を含む水：イソプロパノールの８０：２０溶液における既知分子量化合物
トリチロシン（５０ｐモル／μＬ）およびヘキサチロシン（５０ｐモル／μＬ）
を含有した。検量溶液流は主として、ＥＳ先端部１２１における空気圧噴霧ガス
流のベンチュリ力により駆動された。トリチロシン１５４およびヘキサチロシン
１５５のプロトン化分子イオンが質量スペクトル１５１における主たるピークで
ある。溶液は、図７ｂに示した検量スペクトル１５１の獲得に際しＥＳプローブ
先端部１２３を流過しなかった。図７ｃは、検量溶液と試料溶液とをＥＳプロー
ブ先端部１２１および１２３からそれぞれ同時噴霧して得られた質量スペクトル
１５２を示す。検量溶液のエレクトロスプレーから生ずるプロトン化分子イオン
ピーク１５６および１５８を内部標準として用いることにより、試料ロイシン・
エンケファリンのピーク１５７または他の未知化合物の分子量における計算質量
の精度を向上させることができる。図４ａ〜４ｃに示したように、単一プローブ
噴霧と二重プローブ噴霧とを比較して殆どシグナルロスは観察されない。ＥＳプ
ローブ先端部１２１および１２３の各位置は、図７に示した質量スペクトル１５
０、１５１および１５２の獲得に際し変化させなかった。 【００３４】 多重のエレクトロスプレープローブ先端部位置の多くの組合せ数を大気圧イオ
ン供給源に配置しうることは当業者に明らかであり、ここで： エレクトロスプレー先端部角度（φ1、φ２、---φN）はθi＝０°〜１８０° の範囲とすることができ、 エレクトロスプレー先端部位置（ｒ1、θ1、ｚ1）、（ｒ2、θ2、ｚ2）---（ ｒN、θN、ｚN）は、時計方向で測定してｒiがＥＳチャンバ内にて任意の間隔に
等しくなる（θi＝０°〜３６０°）と共にｚiがＥＳチャンバ内にて任意の間隔
に等しくなるような数値を有することができ、 任意の２つのＥＳプローブ先端部ｉおよびｋにつき分離の相対的エレクトロス
プレー先端部ラジアル角度（θ1−θ2）---（θ1−θN）はθi−θk）＝０°〜 ３６０°の範囲とすることができる。 【００３５】 エレクトロスプレープローブ集成体には、２個もしくはそれ以上の平行先端部
または個々の先端部を配置することができる。ＥＳプローブ先端部各位置はＥＳ
チャンバ内で調整自在とし或いは固定することができる。図１および６は１個の
軸線外しＥＳプローブ集成体を配置したエレクトロスプレー供給源を示すが、種
々異なる角度θlを有する数個の軸線外しＥＳプローブ集成体をＥＳ供給源チャ ンバ内に配置し、これらはＥＳ供給源中心線近くに位置するＥＳプローブ集成体
を含むこともできる。さらに、個々のエレクトロスプレープローブ先端部には限
定はしないが次の種類のＥＳ先端部を配置することができる：単一層エレクトロ
スプレープローブ先端部、交換自在なマイクロエレクトロスプレー先端部、流過
マイクロエレクトロスプレー先端部、液層流を伴う或いは伴わない空気圧噴霧補
助エレクトロスプレー先端部、超音波噴霧補助エレクトロスプレー先端部または
加熱エレクトロスプレー先端部。任意のＥＳプローブ先端部種類の組合せをＥＳ
供給源に配置して、個々に或いは同時に操作することもできる。ＥＳプローブを
、ＥＳチャンバの壁部を貫通するよう或いはＥＳチャンバ内に完全に装着するよ
う配置することができる。 【００３６】 図８は、ＥＳプローブをＥＳ供給源１６０内に配置した本発明の代案具体例の
図面である。エレクトロスプレー供給源１６０は円筒電極１６２と誘電性毛細管
１６３と向流乾燥ガス１６７とガスヒータ１６８と端板電極１６５と装着端板ノ
ーズピース１６６とを備える。代案として非誘電性毛細管、加熱毛細管、平板オ
リフィスもしくはノズルを、減圧代替誘電性毛細管１６３中へのオリフィスとし
て配置することもできる。多重ＥＳ供給源プローブは、ＥＳ供給源軸線および減
圧中へのオリフィスの軸線に関し乾燥ガス流動方向の種々異なる配置、たとえば
「ｚスプレー」もしくは「ペッパーポット」エレクトロスプレー供給源ジオメト
リーで使用される配置にて構成することができる。ＥＳプローブ集成体１７０、
１７１および１７２は、図６にてＥＳプローブ集成体１２０および１２２につき
上記したように、それぞれＥＳプローブ先端部１７３、１７４および１７５のｘ
−ｙ−ｚ位置調整および角度位置調整にてＥＳ供給源チャンバ１６１内に装着さ
れる。図８に示した具体例において、ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および
１７５のｘ−ｙ−ｚ位置および角度位置は、エレクトロスプレー供給源性能の微
調整に際し調整することができる。各ＥＳプローブ先端位置を、液体流量および
溶液組成の広範囲の組合せにつき、単一または同時的な多重プローブ操作に際し
ＥＳ−ＭＳもしくはＥＳ−ＭＳ／ＭＳn性能を最適化すべく調整することができ る。ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および１７５の各位置をＥＳ−ＭＳ操作
の微調整に際し最適化した後には、もはやＥＳ供給源操作およびＭＳデータ獲得
に際し調整は必要とされない。ＥＳプローブ集成体１７０および１７２には、そ
れぞれ図１３に示したようにそれぞれ３層ＥＳプローブ先端部１７３および１７
５を配置する。ＥＳプローブ集成体１７１には、図１２に示したように２層ＥＳ
先端部１７４を配置する。溶液をＥＳプローブ集成体１７３および１７５から空
気圧噴霧補助および／または液層流を伴って或いは伴わずにエレクトロスプレー
することができる。ＥＳ先端部１７３、１７４および１７５の各位置は、それぞ
れＥＳ先端部１７３および１７５のφ173およびφ175の設定スプレー角度、並び
にラジアル角度θ173およびθ175にてＺ173、Ｒ173、Ｚ175、Ｒ175およびＺ174 である。図８に示した例として、ＥＳプローブ先端部１７３は＋６０°（φ173 ＝＋６０°）の角度に設定され、ＥＳプローブ先端部１７５はＥＳ供給源中心線
１７７に対し−６０°（φ175＝−６０°もしくは＋３００°）の角度に設定さ れる。図示した具体例におけるＥＳプローブ先端部１７３と１７５との間に含ま
れる角度（φ173−φ175）は１２０°であるが、この内角は０°から１８０°ま
で変化することができる。ＥＳプローブ先端部１７３と１７５との間の相対的ラ
ジアル分離角度（θ173〜θ175）は１８０°に等しい。ＥＳプローブ先端部１７
４は、その軸線をＥＳ供給源中心線１７７として位置せしめる。ＥＳプローブ先
端部１７３もしくは１７５とＥＳプローブ先端部１７４との間の相対角度は６０
°である。ＥＳ供給源チャンバ１６１内に同時的に装着される全ＥＳ先端部プロ
ーブの間の相対角度は、操作する分析用途に応じ０°近くから１８０°以上の範
囲で変化することができる。ラジアルプローブ分離は０〜３６０°の範囲とする
ことができる。多重ＥＳプローブを代案として図１に示したようにＥＳ供給源バ
ックプレート１７９に装着することができ、或いは図８に示したようにＥＳチャ
ンバ１６１の側壁部を介して装着することができ、それぞれ固定位置もしくは個
別の位置の調整器を備える。１個もしくはそれ以上のＥＳプローブを図１に示し
たバックプレートに装着することができ、或いはバックプレート１７８に装着さ
れたＥＳプローブ集成体に図８に示したようにＥＳチャンバ１６１の側壁部を貫
通する１個もしくはそれ以上のＥＳプローブ集成体を配置することもできる。 【００３７】 ＥＳプローブ先端部１７３、１７４および／または１７５の少なくとも２つか
ら溶液を同時エレクトロスプレーして発生したイオンの１部を毛細管オリフィス
１６４を介し減圧中に掃引し、ここで質量分析する。適する液体供給システムに
より、ＥＳプローブ先端部１７３、１７４もしくは１７５への溶液流は、任意所
定のＥＳプローブ先端部に供給される層状液流もしくは噴霧器ガス流とは独立し
てオン・オフ切換することができる。たとえばＥＳプローブ先端部１７３からの
エレクトロスプレーは、経路１７９を介するＥＳプローブ集成体１７０への試料
液流が、経路１８０を介するＥＳプローブ集成体１７０への試料液流が残留し続
けるかどうかとは無関係に、遮断された場合は滅勢することができる。経路１８
０を介し供給されるＥＳプローブ集成体１７０への噴霧器ガス流は、経路１７８
を介する試料液流状態とは独立して残存しうる。噴霧器ガス流をＥＳプローブ１
７０を介する溶液流を滅勢した場合にも流し続ければ、ＥＳプローブからの噴霧
ガスとＥＳ供給源向流ガス流１８３とが合体するイオン混合領域１８２にて最適
な乾燥ガス流動的性を保持する。領域１８２中へのガス流バランスが最適化され
た後、この領域へのガス流は試料流を１個もしくはそれ以上のＥＳプローブを介
し個々にまたは同時的に導入する場合でさえ一定に留まりうる。多重噴霧ガス流
が残存し或いは多重ＥＳプローブ先端部を介し試料流の組合せを独立してオン・
オフする場合にも、最適ＥＳ−ＭＳ性能が達成される。代案として、ＥＳプロー
ブ先端部１７５に供給されるガスおよび液体流は、ＥＳプローブ先端部１７３に
供給されるガスおよび液体流が遮断される際に交互に切換ることもできる。ＥＳ
先端部１７２を介する液体およびガス流は、ＥＳプローブ先端部１７３または１
７５から試料溶液を噴霧しながらイオンを保持しうる。図８に示した具体例にお
いて、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５は、ＥＳプローブ先端部１７４の
位置に対し半径方向対称的な位置に位置する。ＥＳプローブ先端部１７３および
１７５を介するガス流は、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５への液体およ
びガス流が交互にオン・オフ切換される際に混合領域１８２にて対称的かつ均等
となるよう調整することができる。各プローブの相対位置も、種々異なる液体流
量がＥＳプローブ先端部１７３および１７５を介し供給される際に性能を最適化
するよう調整することができる。ＥＳプローブ先端部１７３および１７５を介す
る交互のエレクトロスプレーの場合、検量溶液をＥＳプローブ１７４を介し供給
して、ＥＳプローブ先端部１７３および１７５から個々に或いは同時的に噴霧す
る際に獲得質量スペクトルに内部標準を与えることができる。加熱毛細管をＡＰ
Ｉ供給源に配置する場合は、加熱向流ガス流１８３が必要とされ或いは必要とさ
れない。加熱毛細管中へ掃引された部分蒸発帯電液滴は減圧への途中でさらに蒸
発する。多重溶液供給源から発生したイオンは部分減圧中または質量分析前の減
圧中で混合する。イオン混合物は、種々異なるエレクトロスプレープローブから
発生したイオンを三次元イオントラップまたは減圧下に二次元イオントラップと
して操作される多極イオンガイドにてトラップすることにより形成することもで
きる。三次元もしくは二次元イオンにおけるイオン混合物は、多重ＥＳプローブ
からの同時的もしくは個別的な順次のエレクトロスプレーから形成されたイオン
をトラップして形成することができる。 【００３８】 たとえばＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣのような個々の分離システムは、ＥＳチャ
ンバ内に配置された種々異なるＥＳプローブへの溶液供給システムとして作用し
うる。エレクトロスプレーイオン供給源に配置された多重ＥＳプローブは、共通
プローブを介し溶出試料を切換る必要なしに、多重分離システムの検出器として
単一ＥＳ質量スペクロメータシステムを作用させることができる。共通ＥＳプロ
ーブは最適配置しなくてもよく、或いはＥＳ供給源を配置した各分離システムに
つき適合性でなくてもよい。多重ＥＳプローブは、１つの試料注入から個々の分
離システムによる次の注入までの交互汚染を回避する。溶液における化合物の空
間的分離は一般に、特に飛行時間のような急速データ獲得を可能にする質量スペ
クトロメータを用いる際にＬＣ、ＣＥもしくはＣＥＣ ＭＳ分析の緩徐な工程で
ある。効率的な手動もしくは自動試料導入を組合わせた多重ＥＳプローブの使用
は、試料交互汚染に基づく性能ロスの危険なしに分析処理量を増大させる。多重
分離システムでのＭＳもしくはＭＳ／ＭＳnモードにおける操作につき配置した 質量スペクトロメータは、ハードウエアー部品を交換もしくは調整する必要なし
に、手動もしくは自動的に広範囲の化学分析操作のための検出器として作用しう
る。単一ＥＳ供給源にインターフェースされた多重分離システムの１例を図８に
示す。第１勾配液体クロマトグラフシステム１８４はＬＣ勾配ポンプ１８５と注
入弁１８６と手動もしくは自動注入器１８７と液体クロマトグラフカラム１８８
と切換弁１９１とＥＳプローブ集成体１７２への接続経路１８０とを備える。同
様に、第２勾配ＬＣシステム１９４はＬＣ勾配ポンプ１９５と注入弁１９６と手
動もしくは自動注入器１９７と液体クロマトグラフカラム１９８と切換弁１９９
とＥＳプローブ集成体１７０への接続経路１７９とを備える。シース液流は、移
送経路１９２を介しＥＳプローブ集成体１７０に供給すると共に接続経路２０１
を介しＥＳプローブ集成体１７０に供給することができる。噴霧用ガスは経路１
９３および１８１を介しそれぞれＥＳプローブ集成体１７２および１７０に供給
される。図示した配置においては、以下の順序を用いてＬＣ−ＭＳ分析（１個の
エレクトロスプレー質量スペクトロメータ検出器を用いる）により試料処理量を
２倍にすることができる。 【００３９】 各ＬＣ−ＭＳ操作に際し検量溶液をＥＳプローブ先端部１７４から、ＭＳデー
タを獲得しつつある際に、連続噴霧すると仮定する。ＬＣ―ＭＳ分析手順は、Ｌ
Ｃ勾配ポンプ１８５から供給される溶液がＥＳプローブ入口経路１８０に指向す
る試料溶液流なしに経路１８９を流過すべく指向されるよう弁１９１を切換えて
開始する。弁１９１をこの位置に切換えて、カラム１８８をＥＳ供給源１６０中
への汚染物の導入なしにＬＣ勾配操作の後にフラッシュさせ或いは再状態調整す
ることができる。ＥＳプローブ先端部１７５への空気圧式噴霧ガス流は、どのよ
うに混合領域１８２におけるガス流が最初にバランスしたかに応じ、付勢しても
しなくてもよい。 【００４０】 弁１９９は、ＬＣ勾配ポンプ１９５から供給された溶液がＥＳプローブ集成体
１７０への移送経路１７９に流入してＥＳプローブ先端部１７３にて流出するよ
う切換える。ＬＣカラム１９８は再状態調節もしくはフラッシュされており、Ｌ
Ｃポンプ１９５から供給されつつある溶液組成物はＬＣ勾配操作の開始に必要と
される溶液である。試料を手動もしくは自動注入器１９７から弁１９６中へ注入
すると共にＬＣ分離を注入弁１９６が負荷から操作に切換られて注入試料を注入
カラム１９８と連結した際に開始する。噴霧ガスおよび所要に応じ液体層流が試
料溶液の他にＥＳプローブ先端部１７３に供給される。カラム１９８を介してＬ
Ｃ勾配分離が進行する際、カラム１９８から溶出する各成分は弁１９９および経
路１７９を介して移動し、ここで先端部１７３からエレクトロスプレーされる。
エレクトロスプレーイオン化過程に際し試料溶液から発生したイオンの１部を次
いで質量分析する。ＬＣカラム１９８にて生ずる分析勾配ＬＣ操作の完了に際し
および完了前にカラム１８８をフラッシュさせ、再状態調節し、或いは再平衡化
させると共に溶液勾配を他のＬＣ勾配分離につきリセットする。カラム１９８を
介するＬＣ勾配操作が完了した際、弁１９９をＬＣカラム１９８からの溶出液が
経路２０２を流過するが経路１７９を流過しないよう切換える。代案として追加
溶剤流を経路２００を介し経路１７９中へこの切換位置における弁１９９により
供給して、ＥＳプローブ集成体１７２を介するＬＣ勾配操作の開始前に経路１７
９をフラッシュすることができる。弁１９９を切換えてカラム１９８を介し経路
２０２まで流過させるよう切換える際、弁１９１はカラム１８８から流出する流
れを経路１８０およびＥＳプローブ集成体１７２に接続するよう切換えられる。
ＥＳプローブ１７２への空気圧噴霧ガス流をカラム１９８を介する勾配ＬＣ操作
が生じている際に遮断すれば、このポイントに復帰する。経路１８１を介しＥＳ
プローブ集成体１７０に供給される噴霧ガスは、どのように領域１８２における
スプレーガスバランスが最適化されたかどうかに応じ、持続するか或いは滅勢さ
れる。試料は注入弁１８６中へ手動もしくは自動注入器１８７により注入され、
ＬＣ勾配分離は弁１８６が注入から操作に切換られた際にＬＣシステム１８４で
開始する。カラム１８８から溶出する試料含有溶液を経路１８０を介しＥＳプロ
ーブ先端部１７５に供給し、ＥＳチャンバ１６１中にエレクトロスプレーする。
エレクトロスプレー過程から生ずる試料イオンの１部をオリフィス１６４を介し
減圧中に引き込み、ここで質量分析する。ＬＣカラム１８８を介する勾配ＬＣ操
作が完了した際、弁１９１を再びＬＣカラム１８８からの溶液流が経路１８９を
流過するよう切換えると共に、上記サイクルを再び開始する。溶液流を経路１９
０を介しＥＳプローブ集成体１７２に供給して、ＬＣカラム１９８を介する次の
濃度勾配操作を開始する前に経路１８０をフラッシュすることができる。 【００４１】 上記分析手順の例は、試料処理量を増加させるため１つのＥＳ−ＭＳ検出器を
用いる２つのＬＣ分離システムの間の切換を含む。一方のＬＣカラムがＬＣ操作
後にフラッシュさせつつある際に、第２のＬＣ分離システムを用いて分析分離を
行う。ＬＣシステム１９４からの試料溶液をＥＳプローブ集成体１７０を介しＥ
Ｓ供給源１６０に供給すると共に、ＬＣ分離システム１８４からの試料溶液をＥ
Ｓプローブ集成体１７２を介しＥＳ供給源１６０に供給する。検量溶液は、いず
れかのＥＳ分離溶液のエレクトロスプレーと同時にＥＳプローブ集成体１７１を
介しＥＳ供給源１６０に供給して、イオン混合物を形成させることができる。生
じたイオン混合物から得られる質量スペクトルは内部標準ピークを有し、これを
質量検量および／または定量分析計算につき使用することができる。 【００４２】 図８に示した多重ＥＳプローブ具体例につき幾つかの改変も行うことができる
。１つの改変は、切換弁１９１および１９９を排除すると共にカラム１８８およ
び１９８からの溶液流をＥＳプローブ集成体１７０および１７２に直接移送する
ことである。これは、デッド容積を減少させると共に融合シリカ充填カラムをそ
れぞれＥＳ先端部１７３および１７５にて突出するＥＳプローブ集成体１７０お
よび１７２に配置された第１層試料供給管として組み込むことを可能にする。Ｌ
Ｃ分析操作に先立つカラムフラッシュ期間に際し、ＥＳプローブ集成体１７０に
ついてはＥＳプローブ先端部１７３の位置を流過カラム１９８から先端部１７３
より流出するスプレーがＥＳプローブ１７１および１７２を噴霧する際に混合領
域１８２から反れるよう移動させることができる。次いでプローブ先端部１７３
を、カラム１９８を介する分析分離が再開始された際に所定位置まで復帰移動さ
せる。次いでＥＳプローブ先端部１７５を、ＬＣカラム１８８のフラッシュに際
し先端部１７５からのスプレーが混合領域１８２に指向しないような位置まで移
動させる。この第２位置にて、カラム１８８を介するフラッシュに際し先端部１
８５からのスプレーはＬＣカラム１９８を流過する試料のＬＣ−ＭＳ分析に際し
獲得質量スペクトルへの化学ノイズに寄与しない。ＥＳプローブ集成体１７０お
よび１７２の位置は、プログラミングされた多重ＬＣカラム分析過程に際し、自
動調整手段で変化させることができる。 【００４３】 ＥＳプローブ集成体を介するＬＣ操作の間にＬＣカラムを再状態調節またはフ
ラッシュするが、ＥＳプローブ位置の移動を必要としない代案かつ一層簡単な方
法は、適するＥＳプローブ先端部を介する噴霧用ガスを遮断すると共にＬＣカラ
ム再状態調節に際しＥＳプローブ先端部に印加される電位を変化させることであ
る。電位は、ＬＣカラム再状態調節に際しＥＳプローブ先端部から未補助エレク
トロスプレーが生ずるのを防止する数値まで切換え、或いは変化させるべきであ
る。次いで、再状態調節されるＬＣカラムからＥＳプローブ先端部を介し流出す
る溶液を滴り落とすと共に、ＥＳ供給源チャンバドレインを流出させる。この方
法の１例として、ＥＳプローブ先端部１７５を介し噴霧補助でエレクトロスプレ
ーされると共にＬＣカラム１９８がＥＳプローブ先端部１７３を流過する溶液で
再状態調節されるＬＣ勾配試験を考慮する。この例において切換弁１９１および
１９９は省略されており、ＬＣカラム１９１および１９９は省略されており、Ｌ
Ｃカラム１９８および１８８はそれぞれＥＳプローブ先端部１７２および１７０
に直接接続され或いは組込まれる。ＥＳプローブ先端部１７３への噴霧ガス流は
ＬＣカラム再状態調節に際し遮断され、ＥＳプローブ先端部１７３から流出する
液体の未補助エレクトロスプレーから発生したイオンはＥＳプローブ集成体１７
２からの対向噴霧用ガス流により混合領域１８２に流入しないよう効果的に防止
することができる。ＥＳプローブ先端部１７３からの未補助エレクトロスプレー
は、ＥＳ供給源円筒レンズ１６２と端板１６５と毛細管入口電極２０４とに印加
された電位により総合的に形成された局部的電場電位に作用上等しくなる電位を
ＥＳプローブ先端部１７３に印加して防止することができる。ＥＳプローブ先端
部１７３にて突出するＬＣカラム１９８を流過する液体は、イオンを混合領域１
８２に分配することなく、ＥＳ供給源チャンバ１６１に滴り落ちる。同様に、噴
霧用ガス流を遮断すると共にＥＳプローブ先端部１７５に印加される電位を変化
させて、液体が再状態調節に際しＥＳプローブ先端部１７５を介しＬＣカラム１
８８から流出しつつある際の未補助エレクトロスプレーを防止するよう変化させ
ることができる。 【００４４】 追加分析装置の配置は、多重ＥＳプローブに溶液を供給する直列もしくは並列
配置された多重ＬＣ、ＣＥＣおよび／またはＣＥ分離システムの組合せにて可能
である。例として毛細管カラムもしくは微小気孔カラムをＬＣシステム１９４に
配置しうる一方、ＬＣシステム１８４には標準的な内径４．６ｍｍのＬＣカラム
を配置する。ＥＳプローブ集成体１７５にはＥＳプローブ集成体の１部として組
込まれた毛細管ＬＣカラムを配置してデッド容積を最小化させうる一方、ＥＳプ
ローブ集成体１７０はより大きい気孔かラム１９８から供給される一層高い液体
流量を吸収するよう配置される。プローブ先端部１７５および１７３の位置は、
各ＥＳプローブ先端部から噴霧する特定かつ異なる液体流量につき性能を最適化
するよう位置せしめうる。さらに、システムには注入弁１８６および１９６と手
動もしくは自動注入器１８７および１９７とを交互の順序で用いて迅速な流動注
入分析を行うこともできる。この交互の試料注入順序の操作方式は、現在入手し
うる自動注入器の比較的遅い注入速度サイクル時間を減少させて質量分析しうる
速度を増大させる。「オープンアクセス」システムにはＬＣ、ＣＥおよび／また
は流動注入分析を配置して、多重ＬＣ−ＭＳ、ＣＥ−ＭＳもしくは流動注入ＭＳ
分析をハードウェアー再配置が必要とされない単一のＥＳ−ＭＳ検出システムに
て行うことを可能にする。 【００４５】 それぞれ異なるまたは同様な配置を有する４つ以上のＥＳプローブ先端部をＥ
Ｓチャンバ１６０に装着することができる。各ＥＳプローブ集成体は、種々異な
る分離システムもしくは試料注入器を収容するよう配置することができる。１つ
のＥＳプローブ集成体をＬＣシステムにインターフェースさせ、他の集成体をＣ
ＥもしくはＣＥＣシステムにインターフェースさせ、また他の集成体を自動注入
器入口にインターフェースさせ、さらに１つを検量試料供給システムにインター
フェースさせることができる。多重ＥＳプローブ集成体の配置を用い、ＥＳ−Ｍ
ＳもしくはＥＳ−ＭＳ／ＭＳnシステムを広範囲の自動化試料分析技術につき配 置することができる。数種の極めて多様な試料分析技術を順次に或いは単一質量
分析器にて同時に自動化せずに容易に実施することができる。一般に質量分析器
は分離システムよりも検出器として高価であり、従って１つのＥＳ供給源におけ
る多重ＥＳプローブの配置は単一のＡＰＩ質量分析検出器に接続された多重分離
システムによりコスト上効果的な操作を可能にする。多重ＥＳプローブ集成体の
配置はさらに、１つの分析法から他の分析法まで簡単に切換るのを可能にするこ
とにより部品設定時間に基づく時間ロスの節約をも可能にする。 【００４６】 本発明の他の具体例は、多重試料溶液入口プローブまたは質量分析器にインタ
ーフェースされた噴霧器を大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）供給源に配置するこ
とである。各試料入口プローブは、ＡＰＣＩ操作に際し他の試料入口とは独立し
て溶液を別々に或いは同時に噴霧することができる。ＡＰＣＩ入口プローブもし
くは噴霧器は、５００ｎＬ／ｍｉｎ〜約２ｍＬ／ｍｉｎの範囲の溶液流量を吸収
するよう配置することができる。本発明は、ＡＰＣＩ供給源操作に際し溶液を共
通の気化器に独立噴霧する固定もしくは調節自在な位置を少なくとも２つのＡＰ
ＣＩ入口プローブに配置することに含む。溶液は、個々の液体供給システムによ
り供給される種々異なる液体経路を介する空気圧噴霧が配置された多重ＡＰＣＩ
入口プローブに供給される。種々異なる試料、試料の混合物および／または溶液
を多重ＡＰＣＩ入口プローブを介し同時に噴霧することができる。液体供給シス
テムは限定はしないが液体クロマトグラフポンプ、毛細管電気泳動分離システム
、注射器ポンプ、重力供給容器、加圧容器および／または吸引供給容器を包含す
る。自動注入器および／または手動注入弁を、試料もしくは検量溶液の導入につ
き１つもしくはそれ以上のＡＰＣＩ入口プローブ噴霧器に接続することができる
。１つのＥＳ供給源にて多重ＥＳプローブを操作すると同様に、１つのＡＰＣＩ
供給源に配置された多重ＡＰＣＩ噴霧器は種々異なる組成および異なる液体流量
にて多重試料を同時的または順次に導入することを可能にする。検量溶液は１つ
の入口プローブを介しＡＰＣＩ供給源に導入しうると共に、試料溶液を独立して
第２入口プローブを介し導入することができる。検量溶液流および試料溶液流の
両者は、溶液における化学成分の混合なしに同時的に噴霧することができる。得
られる噴霧された液滴混合物をＡＰＣＩ気化器に移送する。各イオンは、ＡＰＣ
Ｉ供給源のコロナ放電領域にて気化混合物から発生する。蒸気混合物から発生し
たイオンの１部を減圧中に掃引し、ここで質量分析する。イオン混合物の獲得質
量スペクトルは、各試料溶液および検量溶液に存在する化合物から発生したイオ
ンのピークを有する。検量ピークは、試料関連ピークのｍ／ｚアサインメントを
計算すべく使用される内部標準を形成する。別々の試料溶液および検量溶液から
の同時的噴霧は、溶液噴霧前に試料溶液および検量溶液を混合することなく、内
部標準ピークを有する質量スペクトルの獲得を可能にする。多重入口プローブ噴
霧は検量化合物による試料溶液経路の汚染を防止すると共に、検量溶液流の選択
的かつ迅速なオン・オフ切換を可能にする。ＡＰＣＩ供給源における多重溶液入
口プローブを使用して気相における化学成分の混合物を導入することにより、大
気圧気相相互作用および溶液にて事前混合することなく異なる試料と溶剤との反
応を検討することもできる。 【００４７】 本発明の１具体例はＡＰＣＩ供給源であって質量分析器にインターフェースさ
れ、図９に示したように２個の試料入口噴霧器集成体が配置される。ＡＰＣＩ供
給源２１０にはヒータもしくは気化器２１１とコロナ放電針２１２と第１ＡＰＣ
Ｉ入口プローブ集成体２１３と第２ＡＰＣＩ入口プローブ集成体２１４と円筒レ
ンズ２１５と端板２１６に取付けられたノーズピース２１６と向流ガスヒータ２
１８と毛細管２２０とが配置される。接続チューブ２２１を介しＡＰＣＩ入口プ
ローブ集成体２１３に導入される溶液を、ＡＰＣＩ入口プローブ先端部２２２か
ら空気圧噴霧により噴霧する。噴霧ガスはそれぞれガス供給チューブ２２７およ
び２２８を介しＡＰＣＩ噴霧器プローブ２１３および２１４に供給される。ＡＰ
ＣＩ入口プローブ集成体２１３は、ＡＰＣＩ供給源中心線２２３に対し平行（φ 213 ＝０°）にてキャビティ２２４中へ噴霧するよう配置される。噴霧された液 滴はキャビティ２２４を横切り、液滴分離ボール２２５の周囲を流動して気化器
２１１中へ流入する。噴霧液滴は気化器２１１で蒸発して蒸気を形成した後、コ
ロナ放電領域２２６に流入する。コロナ放電領域２２６はコロナ放電針先端部２
３４を包囲する。追加の補給ガス流を独立して領域２２４中へ或いはＡＰＣＩ入
口プローブ集成体２１３もしくは２１４を介し添加して、液滴および得られる蒸
気をＡＰＣＩ供給源集成体２１０中に輸送するのに役立つ。円筒レンズ２１５と
コロナ放電針２１２とノーズピース２１６を取付けた端板２１７と毛細管入口電
極２３１とに電位を印加することにより電場をＡＰＣＩ供給源２３０に形成させ
る。印加された電位と加熱向流ガス流２３２と気化器２１１を流過する全ガス流
とを、コロナ針先端部２３４の周囲かつ／または下流における領域２２６に安定
コロナ放電を確立するよう設定する。大気圧化学イオン化によりコロナ放電領域
２２６にて発生したイオンは、向流浴ガス２３２に抗して電場により毛細管オリ
フィス２３３の方向に移動する。発生したイオンの１部は毛細管オリフィス２３
５を介し減圧中に掃引され、ここで質量分析される。図示した具体例において、
キャビティ２２４には液滴分離ボール２２５を配置する。分離ボール２２５は噴
霧器入口プローブにより生成されたスプレーから大液滴を除去して、大液滴が気
化器２１１に流入するのを防止する。分離ボール２２５は、典型的には毎分２０
０〜２，０００μＬの範囲の高い液体流量が導入される際に装着される。分離ボ
ール２２５は、感度を向上させるべく低い溶液流量を噴霧する場合は除去するこ
とができる。第２のＡＰＣＩ入口プローブ集成体２１４は、図９に示したように
ＡＰＣＩ供給源中心線２２３に対し４５°の角度（φ214＝４５°）にてキャビ ティ２２４中へ噴霧するよう配置される。両ＡＰＣＩ入口プローブ２１３および
２１４にそれぞれ液体供給経路２２１および２３６を介し供給される溶液流を制
御して、ＡＰＣＩ入口プローブが溶液を同時に或いは別々にキャビティ２２４中
へ噴霧しうるようにする。ＡＰＣＩ入口プローブ２１３および２１４の噴霧器ス
プレー性能は、ネジ２３７および２３８を調整すると共にナット２３９および２
４０を固定して溶液供給チューブ出口位置を調整することにより最適化させるこ
とができる。 【００４８】 種々異なる液体流量および異なる溶液種類を、ＡＰＣＩ入口プローブ２１３お
よび２１４を介し同時的または別々に噴霧することができる。たとえば液体クロ
マトグラフ分離システムのアウトプットをＡＰＣＩ入口プローブ２１３を介し１
ｍｌ／ｍｉｎの流量にて噴霧しうる一方、同時に検量試料溶液をＡＰＣＩ入口プ
ローブ２１４から接続チューブ２３６を介し供給される１０μＬ／ｍｉｎの流量
にて噴霧する。噴霧液滴混合物は、気化器２１１を通過する際に蒸気混合物を形
成する。イオンの混合物は蒸気混合物から、これがコロナ放電領域２２６を通過
する際に形成される。発生イオン混合物の１部を毛細管オリフィス２３５を介し
中性ガス分子と一緒に減圧中へ掃引し、イオンを質量スペクトロメータにより質
量対電荷分析する。獲得質量スペクトルは検量試料からのイオンのピークを有し
、これを内部標準として使用することにより獲得質量スペクトルにおける未知試
料ピークの質量測定精度および定量を向上させることができる。代案として第２
ＡＰＣＩ入口プローブ２１４を用いて試料溶液を導入することができ、気化器２
１１もしくはコロナ放電領域２２６にて好適に相互作用する所望の溶剤もしくは
イオン混合物を発生させ、試料蒸気はＡＰＣＩ入口プローブ２１３から噴霧され
た溶液から生ずる。第２溶液を噴霧前の試料溶液と混合することは望ましくない
。多重ＡＰＣＩプローブからの異なる溶液の噴霧は、未知試料に関するＡＰＣＩ
シグナルを向上させ、或いは中性分子もしくはイオンの気相混合物の相互作用を
大気圧化学イオン化で検討することができる。気相における気化試料分子もしく
はイオンの混合を回避するため、ＡＰＣＩプローブ２１３および２１４は各溶液
を順次に噴霧することができる。たとえばＡＰＣＩ入口プローブ２１４に供給さ
れる検量溶液流を遮断しうる一方、質量スペクトルをＡＰＣＩ入口プローブ２１
３を介しＡＰＣＩ供給源に供給された試料溶液から獲得する。接続チューブ２３
６を介しＡＰＣＩプローブ２１４に供給された検量溶液を次いで付勢させて、外
部標準検量質量スペクトルを得る一方、試料溶液流を遮断する。検量質量スペク
トルは順次におよび／またはＡＰＣＩ供給源操作に際し適する溶液流をオン・オ
フ切換して未知試料につき得られた質量スペクトルと同時に得ることができる。
検量溶液を別のＡＰＣＩ入口プローブを介し導入すれば、ＡＰＣＩを必要とする
分析用途にて試料溶液入口経路およびプローブの汚染が回避される。既知および
未知の各試料の質量スペクトルをデータシステムにて加算することにより、擬似
内部標準を形成させることができる。代案として内部標準を含むおよび含まない
質量スペクトルを順次に獲得すれば、獲得試料質量スペクトル間の直接的比較に
より検量溶液が獲得使用イオン集団に生ぜしめうる望ましくない作用につき検査
することを可能にする。 【００４９】 図９に示した二重プローブＡＰＣＩ供給源のＡＰＣＩ−ＭＳ操作の１例を図１
０に示す。図１０に示した質量スペクトル２５０、２５２および２５５は、４極
質量分析器にインターフェースされた二重プローブＡＰＣＩ供給源により獲得さ
れた。試料溶液の質量スペクトル２５０は、０．１％の酢酸を含むメタノール：
水の１：１溶液における２ｐモル／μＬのロイシン・エンケファリンを１００μ
Ｌ／ｍｉｎの流量で注入しながら獲得した。ロイシン・エンケファリン溶液を注
射器ポンプから液体供給経路２２１を介しＡＰＣＩ操作に際しＡＰＣＩ入口プロ
ーブ噴霧器２２２に供給した。質量スペクトル２５０の獲得に際し、液流もしく
は噴霧器ガスはＡＰＣＩプローブ２１４に供給しなかった。質量スペクトル２５
０はロイシン・エンケファリンのプロトン化分子イオンピーク２５１を有する。
検量溶液の質量スペクトル２５２は、８０：２０の水：イソプロパノールの溶液
（２％のプロピオン酸）におけるトリチロシンおよびヘキサチロシンのそれぞれ
５０ｐモル／μＬの混合物から５μＬ／ｍｉｎの流量にて得られた。検量溶液は
、ＡＰＣＩ入口プローブ２１４に配置された空気圧噴霧器２４１のベンチュリ力
により供給経路２３６を介し吸引される溶液貯槽から供給した。質量スペクトル
２５２は、それぞれプロトン化トリチロシンおよびヘキサチロシンの検量ピーク
２５３および２５４を含む。ＡＰＣＩ入口プローブ２１３への試料液流を質量ス
ペクトル２５２の獲得に際し遮断した。図１０の質量スペクトル２５５は、試料
溶液と検量溶液とをそれぞれＡＰＣＩ入口プローブ２１３および２１４から同時
に噴霧しながら得られた。溶液組成および流量は個々の噴霧につき上記したと同
じにした。質量スペクトル２５５はそれぞれプロトン化トリチロシンおよびヘキ
サチロシンの内部標準ピーク２５６および２５８と、プロトン化ロイシン・エン
ケファリンの試料化合物ピーク２５７とを含む。内部標準として得られた検量ピ
ークを用いて、試料関連ピーク２５７の計算質量測定を向上させることができる
。 【００５０】 ＡＰＣＩ供給源におけるエレクトロスプレーイオン化は、イオン化に先立ち試
料および溶剤の分子蒸気を形成する。エレクトロスプレーとは異なりＡＰＣＩイ
オン化過程は気相分子−イオン電荷交換反応を必要とする。その結果、ＡＰＣＩ
供給源における気相での多重入口プローブ導入を介する試料の混合は、中性分子
およびイオン分子の気相で生ずる反応を検討する機会を向上させうると共に、溶
液化学作用を回避しうる。所望ならば試料を順次に多重ＡＰＣＩ入口プローブを
介し導入することにより、気相試料相互作用を回避することもできる。ＡＰＣＩ
入口プローブを介する液体試料流を遮断する際、噴霧器ガスを持続させ或いは遮
断することができる。ＡＰＣＩ入口プローブの先端部における噴霧ガスからのベ
ンチュリー作用を用いて、試料を貯槽からＡＰＣＩ入口プローブ先端部まで吸引
することができる。この技術は追加試料供給ポンプの必要性を回避する。多重Ａ
ＰＣＩプローブを図９に示した位置に固定することができ、或いは互いに調整自
在な噴霧器位置、すなわちキャビティ２２４もしくは気化器２１１を有すること
もできる。各ＡＰＣＩ入口プローブは着脱自在であり、単一のＡＰＣＩ供給源集
成体には１つもしくはそれ以上のＡＰＣＩ入口プローブを種々の位置に装着配置
することができる。３個以上のＡＰＣＩ入口プローブをＡＰＣＩ供給源２１０に
加えうることは当業者に明らかである。各ＡＰＣＩ入口プローブはＡＰＣＩ供給
源中心線に対し種々異なる角度で配置することができ、各ＡＰＣＩ入口プローブ
位置は固定し或いはＡＰＣＩ供給源の操作に際し調整自在とすることができる。
ＡＰＣＩ入口プローブ先端部は気化器２１１の軸方向および半径方向の上流にお
ける任意の位置に配置することができ、或いはコロナ放電領域２２６中へ直接噴
霧するよう配置することもできる。さらに多重気化器およびコロナ放電針をＡＰ
ＣＩ供給源２１０に配置することもできる。気化器中へ噴霧する多重ＡＰＣＩ噴
霧器の相対的ラジアル位置は任意所望の角度、ラジアル位置および気化器中心線
に対する相対的傾斜角度に設定することができる。各ＡＰＣＩ入口プローブの先
端部は、所定の溶液流量および分析用途につき噴霧器性能を最適化するよう位置
せしめることができる。 【００５１】 本発明の代案具体例を図１１に示し、これはＡＰＣＩ供給源軸線に対し平行な
方向に噴霧するよう配置した２つの入口プローブを有する二重入口プローブＡＰ
ＣＩ供給源を示す。ＡＰＣＩ供給源２６０のＡＰＣＩ供給源チャンバ２７１は、
図９に示したＡＰＣＩ供給源２１０のＡＰＣＩ供給源チャンバ２３０と同様に配
置される。ＡＰＣＩ供給源２６０には２つの空気圧噴霧ＡＰＣＩ入口プローブ２
６４および２６５を配置し、これらをそれぞれ液体供給経路２６６および２６７
に接続する。噴霧器ガス経路２６８および２６９は噴霧ガスをＡＰＣＩ入口プロ
ーブ２６４および２６５にそれぞれ別々に供給する。図示した具体例において、
ＡＰＣＩ入口プローブ２６４および２６５の両者は、各空気圧噴霧器スプレーヤ
軸線がＡＰＣＩ気化器２６１の軸線２７０に対しほぼ平行に位置するよう配置さ
れる。異なる溶液を個々に或いは同時に両入口プローブ２６４および２６５から
領域２６２中へ噴霧する。噴霧された液滴の１部は分離ボール２６３を迂回して
気化器２６１中へ流入する。噴霧液滴は気化器２６１にて蒸発し、イオンがコロ
ナ放電領域を通過する際に蒸気から形成される。発生イオンの１部は毛細管オリ
フィス２７３を介し減圧中に移動し、質量スペクトロメータおよびイオン検出器
により質量対電荷分析される。代案としてＡＰＣＩ供給源２６０には、気化器軸
線２７０に対し平行に位置せしめて平行な方向に領域２６２中へ噴霧する３つ以
上のＡＰＣＩ入口プローブを配置することができる。気化器軸線２７０の近くに
位置せしめて軸線に平行に噴霧する１群の平行なＡＰＣＩ入口プローブには、単
一または複数の軸線外し有角ＡＰＣＩ入口プローブを配置することができる。多
重ＡＰＣＩ入口プローブは別々に試料溶液および／または検量溶液を個々の各Ａ
ＰＣＩ入口プローブに供給する各種の液体貯槽、供給システムまたは分離システ
ムに接続することができる。代案として気化器２６１の軸線２７０は、毛細管２
７５の軸線２７４から所定角度にて配置することができる。気化器２６１の軸線
２７０および従って入口プローブ２６４および２６５の軸線は、毛細管２７５の
軸線２７４に対し０〜１２０°以上の角度に配置することができる。本発明の代
案具体例に示されるように、軸線外しＡＰＣＩ気化器および入口プローブの位置
決めは多重ＡＰＣＩ気化器、入口プローブおよびコロナ放電ＡＰＣＩ供給源の配
置を可能にする。 【００５２】 多重ＥＳプローブを有する図８に示したエレクトロスプレーイオン化供給源と
同様に、多重分離システムは試料溶液を多重入口プローブが配置されたＡＰＣＩ
供給源に供給するよう配置することができる。ＥＳ供給源につき説明したように
、多重試料分離もしくは入口システムにつき単一のＡＰＣＩ−ＭＳ検出器を用い
て、試料処理量を増加させることができる。ＡＰＣＩ供給源に配置された多重試
料入口プローブは、１つのＡＰＣＩ−ＭＳ装置により順次に或いは同時的に自動
で或いは手動で操作しうる分析手順の範囲を拡大することができる。１つのＡＰ
ＣＩ供給源における多重ＡＰＣＩ入口プローブの配置は、種々異なる分析用途に
つきＡＰＣＩ供給源を再配置および再−最適化するのに要する時間および複雑性
を最小化することもできる。 【００５３】 本発明の代案具体例は、少なくとも１つの大気圧化学イオン化プローブを有す
る少なくとも１つのエレクトロスプレープローブと、質量分析器にインターフェ
ースされた大気圧イオン供給源に配置される気化器との組合せである。或る種の
分析用途には、１つのＡＰＣＩ供給源にＥＳ能力とＡＰＣＩ能力との両者を組込
むことが望ましい。ＡＰＣＩ供給源を再配置する必要性なしにＥＳからＡＰＣＩ
イオン化に切換える迅速な方法はＥＳおよびＡＰＣＩイオン供給源によりＡＰＩ
−ＭＳもしくはＡＰＩ−ＭＳ／ＭＳn実験を行うための時間および複雑性を最小 化する。同じ試料をＡＰＣＩプローブおよびＥＳプローブの両者を介し順次に或
いは同時的に導入して、比較もしくは組合せ質量スペクトルを得ることができる
。同じ溶液につきＥＳおよびＡＰＣＩの両質量スペクトルを得ることにより、Ｅ
ＳもしくはＡＰＣＩイオン化のいずれかでの任意の溶液化学反応または抑制効果
を評価するのに有用な比較を与えることができる。ＥＳプローブおよびＡＰＣＩ
プローブの両者は、ＡＰＩ供給源の操作に際し固定位置または移動自在な位置を
有することができる。代案として種々異なる試料をＥＳプローブおよびＡＰＣＩ
プローブを介し個々に或いは同時に導入することができる。たとえば検量溶液を
ＥＳプローブを介して導入する一方、未知試料をＡＰＣＩプローブを介し同じＡ
ＰＩ供給源に導入することができる。ＥＳおよびＡＰＣＩプローブは、内部もし
くは外部標準を形成する質量スペクトルを得る際、このように同時的または順次
に操作することができる。ＡＰＩ供給源に一緒に配置されたＥＳプローブとＡＰ
ＣＩプローブとの組合せは、プローブ移動および設立時間を最小化させると共に
、ＡＰＣＩ ＭＳ装置でデータを得る際に手動もしくは自動手段で操作しうる分
析技術の範囲を拡大させる。たとえば分離システム、ポンプ、手動注入器もしく
は自動注入器および／または試料溶液貯槽など試料導入システムの幾つかの組合
せを多重組合せＥＳおよびＡＰＣＩプローブＡＰＩ供給源に接続することができ
る。この一体化手法は多重イオン化技術、多重分離システムおよび１つのＭＳ検
出器にて完全に自動分析を行って、試料処理量の増加および装置の再配置に基づ
くロス時間の殆ど不存在で最も有能かつコスト上効果的な分析手段を得ることを
可能にする。 【００５４】 図１４は、質量分析器にインターフェースされるＡＰＩ供給源に一緒に配置し
た個別的または同時的ＥＳおよびＡＰＣＩイオン化能力を含む本発明の１具体例
の図面である。ＡＰＣＩ入口プローブおよびイオン化集成体２８０と、エレクト
ロスプレープローブ集成体２８１とはＡＰＩ供給源集成体２８２に配置される。
ＡＰＣＩプローブおよびイオン化集成体２８０は二重入口プローブ２８３および
２８４とスプレー領域２８６と適宜の分離器ボール２８５と気化器２８７と針先
端部２８９を持ったコロナ放電針２８８とを備える。ＡＰＣＩ入口プローブ２８
４および２８５は、気化器２８７の中心線２９１に対し（φ283&284＝０°）の 角度にて噴霧するよう配置される。ＡＰＣＩ入口プローブ２８３および２８４に
は、それぞれ別々の溶液供給経路２９４および２９５と別々の噴霧器ガス経路２
９４および２９５とを配置する。エレクトロスプレープローブ集成体２８１は、
ガス供給経路２９７と試料溶液供給経路２９８と層状液流供給経路２９９とを持
った３層スプレー先端部２９６を備える。ＥＳプローブ先端部２９６は、ＡＰＩ
供給源２８２の中心線３００に対し（φ296＝７０°）の角度にて噴霧するよう 配置される。ＥＳプローブ先端部２９６の位置は、調整器ノブ３０１を用いて調
整自在である。代案として、ＥＳプローブ集成体２８１はＡＰＩ供給源中心線３
００に対し所定角度で噴霧するよう位置せしめた２個もしくはそれ以上のＥＳプ
ローブ先端部を配置することもできる。 【００５５】 ＡＰＩ供給源２８２には、さらに円筒レンズ１２０とノーズピース３０４を取
付けた端板３０３と毛細管３０５と向流乾燥ガス流３０６とガスヒータ６０７と
を配置する。ＥＳプローブ先端部２９６をノーズピース３０４から軸方向に距離
ＺESかつＡＰＩ供給源中心線３００から半径方向ｒESに位置せしめる。円筒レン
ズ３０２とノーズピース３０４を有する端板３０３と毛細管入口電極３０８とＥ
Ｓ先端部２９６とＡＰＣＩコロナ針２８８とに印加される電位は、ＥＳプローブ
およびＡＰＣＩプローブの両者を別々に或いは同時に操作するよう最適化させる
ことができる。向流乾燥ガス流３０９と、ＥＳプローブ先端部２９６および噴霧
器からの噴霧ガス流と、ＡＰＣＩ気化器２９１を介する補給および蒸気ガス流と
をバランスさせて、同時的ＥＳおよびＡＰＣＩ操作の性能を最適化させることが
できる。代案としてＥＳおよびＡＰＣＩプローブを固定位置にて順次に、各プロ
ーブにつき溶液および／または噴霧ガス流を順次にオン・オフ切換えして操作す
ることもできる。ＥＳイオン化での質量スペクトルは溶液流および付勢されたＥ
Ｓプローブ先端部２９６に印加された電圧にて得られる一方、ＡＰＣＩ入口プロ
ーブ２８３および／または２８４への溶液流およびコロナ放電針２８８に印加さ
れる電圧は遮断される。次いで液流およびＥＳプローブ先端部２９６に印加され
る電圧を遮断すると共に、ＡＰＣＩ入口プローブ２８３および／または２８４へ
の液流およびコロナ放電針２８８に印加される電圧をＡＰＣＩイオン化により質
量スペクトルを得る前に付勢することができる。 【００５６】 種々異なる溶液または同じ溶液を、質量スペクトルの獲得に際しＥＳおよびＡ
ＰＣＩプローブを介して供給することができる。ＡＰＩ供給源における各部材に
印加される電位をＥＳおよびＡＰＣＩ操作につき調整して、各溶液組成および液
体流量につき性能を最適化することができる。さらに各部材に印加される電圧ま
たはＡＰＩ供給源における各部材の位置を変化させると共に、次いでＥＳもしく
はＡＰＣＩ操作を最適化すべくリセットすることもできる。たとえばＡＰＣＩ集
成体２８０を作動させると共に試料をＥＳプローブ２８１を介し供給しなければ
、ＥＳプローブ先端部２９６に印加される電圧を、先端部２９６が電気的中性で
出現してコロナ放電領域２９０における電場の阻害を回避するよう設定すること
ができる。同様に、ＥＳプローブ２８１が作動すると共にＡＰＣＩ集成体２８０
への溶液流を遮断する場合は、電圧をコロナ放電針２８９に印加してエレクトロ
スプレー過程を阻害せず或いは実際にエレクトロスプレー性能を向上させるよう
にすることができる。たとえばコロナ放電針２８９に印加される電圧は、エレク
トロスプレー発生イオンを毛細管オリフィス３１０の方向へ移動させ或いは集中
させるのに役立ちうる。 【００５７】 代案としてＡＰＣＩコロナ放電針２８８の位置を一時的にＥＳプローブ操作に
際し移動させて、エレクトロスプレーイオン化過程に対する阻害を最小化させる
こともできる。次いでＡＰＣＩコロナ放電針２８８を、ＡＰＣＩプローブ集成体
２８０の操作に際し所定位置まで復帰移動させることができる。同時的なＥＳお
よびＡＰＣＩ操作は、反対極性の各イオンを発生するよう配置することができる
。ＡＰＣＩコロナ領域２９０にて発生したイオンは一方の極性を有することがで
き、コロナ針におけるＥＳ針の噴霧は反対極性のＥＳイオンを発生することがで
きる。陽ＡＰＣＩ発生イオンおよび陰ＥＳ発生イオンを得るためＡＰＩ供給源部
材に印加される電圧は毛細管入口電極３０８（−４，０００ボルト）、端板３０
３およびノーズピース３０４（−３，０００Ｖ）、円筒レンズ３０２（−２，０
００Ｖ）、コロナ放電針２８８（−２，０００Ｖ）およびＥＳプローブ先端部２
９６（−５，０００Ｖ）の電圧とすることができる。大気中で反応する一方の極
性を有する得られるイオン混合物の１部は毛細管オリフィス３１０を介し減圧中
に流入し、次いで質量分析される。上記したように試料入口供給システムの幾つ
かの組合せをＥＳとＡＰＣＩとのＡＰＩ組合せ供給源にインターフェースするこ
とができる。多重ＥＳおよび多重ＡＰＣＩ入口プローブをＡＰＩ供給源集成体に
含ませることができる。ＥＳおよびＡＰＣＩプローブ集成体は、ＡＰＩ供給源チ
ャンバ壁部を介しＡＰＩチャンバ内に或いはＡＰＩチャンバのバックプレートを
介し装着するよう配置することができる。 【００５８】 図１５Ａ〜１５Ｄは、４極質量スベクロメータにインターフェースされた図１
４に示すＡＰＩ供給源２８２と同様に配置された組合せＡＰＩ供給源から得られ
る質量スペクトルを示す。図１５Ａに示した質量スペクトル３２０は、試料また
はＡＰＣＩプローブ２８３から２００μＬ／ｍｉｎの流体溶液で噴霧された０．
０１５％蟻酸溶液を含む１：１ メタノール：水における８２ｐモル／μＬのレ
セルピンのＡＰＣＩイオン化で得られたものである。質量スペクトル３２０はレ
セルピンのプロトン化分子イオンのピーク３２１を含む。ＥＳプローブ先端部２
９６への溶液流はＡＰＣＩ−ＭＳ発生質量スペクトル３２０の獲得に際し遮断し
た。図１５Ｂに示した質量スペクトル３２２は、空気圧噴霧補助を伴ってＥＳ先
端部２９６から１０μＬ／ｍｉｎの流体溶液で噴霧した０．１％酢酸溶液を含む
１：１ メタノール：水における１０ｐモル／μＬのチトクロームＣのエレクト
ロスプレーイオン化で得られたものである。質量スペクトル３２２は主としてチ
トクロームＣのエレクトロスプレー多重帯電ピーク３２３を含む。ＡＰＣＩ入口
プローブ２８３への溶液流はＥＳ−ＭＳスペクトル３２２の獲得に際し遮断した
。図１５Ｃに示した質量スペクトル３２４は、空気圧噴霧補助によりＡＰＩ供給
源２８２にエレクトロスプレーされた同じチトクロームＣ溶液から得られたもの
である。エレクトロスプレー発生多重帯電チトクロームＣイオンのピーク３２５
を含む質量スペクトル３２４の獲得に際し、噴霧ガスは付勢された気化器２８７
ヒータによりＡＰＣＩ入口プローブ２８３に供給されたが、コロナ放電針２８８
には高電圧を印加せず、またＡＰＣＩ入口プローブ２８３にはレセルピン溶液を
流動させなかった。図１５Ｄに示した質量スペクトル３２６はコロナ放電針２８
８に印加した高電圧を用いる質量スペクトル３２４と同じ条件並びにＡＰＣＩ入
口プローブ２８３から噴霧された上記と同じレセルピン溶液により得られたもの
である。レセルピンのプロトン化分子イオンのピーク３２７および多重帯電プロ
トン化チトクロームＣイオンのピーク３２８の両者はＡＰＩ供給源集成体２８２
にて生ずる同時的ＥＳおよびＡＰＣＩイオン発生にて得られた質量スペクトル３
２６に出現する。質量スペクトル３２０、３２２、３２４および３２６は、ＡＰ
Ｉ供給源２８２ハードウェアーの位置調整なしに順次に得られたものである。組
合せ供給源２８２での個別的または同時的ＥＳおよびＡＰＣＩ操作方式の間の急
速な切換を図１４に示す。 【００５９】 多重ＥＳもしくはＡＰＣＩプローブを有するＡＰＩ供給源またはＥＳプローブ
とＡＰＣＩプローブとの組合せは、大気圧におけるイオン−イオン相互作用を検
討しうるよう配置することができる。上記に示した組合せ配置および多重入口プ
ローブＡＰＩ供給源配置の多くは、大気圧における気相イオン−イオン相互作用
の検討を可能にする方法および技術を用いて操作することができる。対向極性イ
オンの同時的発生を可能にするよう特異的に配置された多重入口プローブＡＰＩ
供給源の代案具体例につき以下説明する。大気圧にてイオン−イオン相互作用を
検討すべく配置された多重ＥＳプローブＡＰＩ供給源の１具体例を図１６に示す
。ＥＳプローブ集成体３４０には、ＡＰＩ供給源ノーズピース３４７から距離Ｚ 344 にて離間したＡＰＩ供給源３４２の軸線３４１（φ340＝０°）近くに位置す
るＥＳプローブ先端部３４４を配置する。溶液を、空気圧噴霧補助を伴ってＥＳ
プローブ先端部３４４からエレクトロスプレーする。発生したエレクトロスプレ
ーイオンの極性は、ＡＰＩ供給源３４２を含む静電気部材に設定された相対的電
位により決定される。検討する目的で、ＡＰＩ供給源電位および用いられるガス
流はＥＳプローブ先端部３４４からエレクトロスプレーされた溶液より陽イオン
を発生するよう設定されると仮定する。 【００６０】 第２ＥＳプローブ集成体３４５には、ＡＰＩ供給源ノーズピース３４７からＡ
ＰＩ供給源軸線３４１に沿った距離Ｚ346かつＡＰＩ供給源軸線３４１から半径 方向ｒ346に位置せしめたＥＳプローブ先端部３４６を装着する。ＥＳプローブ 先端部３４６の噴霧軸線の角度は、ＡＰＩ供給源中心線３４１に対し約１１０°
（φ346＝１１０°）に位置せしめる。ＥＳプローブ先端部３４６に印加する電 圧は、陰帯電液滴が空気圧噴霧補助を伴ってＥＳプローブ先端部３４６からエレ
クトロスプレーされた溶液より発生するよう設定される。ＥＳプローブ先端部３
４４および３４６からそれぞれエレクトロスプレーされた陽帯電および陰帯電し
た液滴から発生する陽イオンおよび陰イオンは、ＡＰＩ供給源３４２の領域３４
８にて混合すると共に相互作用する。大気圧におけるこの陽イオンおよび陰イオ
ンのイオン−イオン相互作用は、必ずしも全部でないが混合イオン集団の幾分か
の中性化をもたらす。得られる陽イオン集団の１部を、存在する電場により毛細
管入口３４９まで移動させる。毛細管オリフィス３４９に流入する陽イオンの１
部を毛細管孔部３５０を介し減圧中に掃引し、次いで質量スペクトロメータおよ
び検出器により質量対電荷の分析を行う。ＡＰＩ供給源３４２における電圧極性
の逆転はＥＳプローブ先端部３４４からエレクトロスプレーされた溶液より陰イ
オンを発生させると共に、ＥＳプローブ先端部３４６からエレクトロスプレーさ
れた溶液より陽イオンを発生させる。極性を逆転させると、発生陰イオンは毛細
管入口オリフィス３４９の方向へ移動し、毛細管孔部３５０を介し減圧中に掃引
され、次いで質量対電荷が分析される。 【００６１】 ＥＳプローブの幾つかの配置を、多重ＥＳプローブ集成体からエレクトロスプ
レーされる種々異なる溶液からの多重試料イオン−イオン相互作用を得るよう配
置することができる。３個以上のＥＳプローブを、０〜１８０°の範囲の角度φ 1 ――iおよび０〜３６０°の回転角度θ1――iに位置せしめたＡＰＩ供給源に配
置することができる。選択された中性ガス組成物を噴霧器または向流乾燥ガスに
添加して、イオン−イオン相互作用に関するイオン−中性反応を検討することが
できる。スミス等により報告された部分減圧下で行われる反対極性のイオン−イ
オン相互作用の検討とは異なり、上記本発明の具体例はＥＳイオンの発生を１つ
のＡＰＩ供給源チャンバにて可能にすると共に、イオン−イオン相互作用をより
高いイオンおよびガス密度にて大気圧で行うことを可能にする。 【００６２】 二重ＡＰＣＩ気化器とコロナ放電針とプローブ集成体とが配置されたＡＰＩ供
給源の１例を図１７に示す。１つのＡＰＣＩプローブ集成体３６６を、ＡＰＩ供
給源ノーズピース３７５から距離Ｚ366にて軸線外し（φ366＝９０°）で位置せ
しめる。ＡＰＣＩプローブ集成体３６６は空気圧噴霧器試料入口プローブ集成体
３６７と適宜の液滴分離器ボール３６８と気化器３６９とコロナ放電針３７０と
を備える。液体供給システム３７２から供給された試料溶液を入口プローブ集成
体３６７から噴霧する。噴霧液滴は分離器ボール３６８を迂回すると共に気化器
３６９に流入し、ここで液滴が蒸発して蒸気を形成する。気化器３６９から流出
する蒸気を、コロナ放電針３７０の先端部にてコロナ放電領域でイオン化させる
。第２ＡＰＣＩプローブ集成体３６０をも、ＡＰＩ供給源ノーズピース３７５か
ら距離Ｚ360に離間させて軸線外し（φ360＝９０°）で位置せしめる。図示した
配置において、寸法Ｚ360はＺ366より短い。ＡＰＣＩプローブ集成体３６０は噴
霧器試料入口プローブ集成体３６２と適宜の液滴分離器ボール３６３と気化器３
６４とコロナ放電針３６５とを備える。入口プローブ３６２は、液体供給システ
ム３７３から供給された試料溶液をＡＰＣＩプローブ集成体３６０中に供給する
。検討の目的で、印加されたＡＰＩ供給源部材の電位およびガス流は、噴霧され
ると共に気化されかつＡＰＣＩプローブ３６６によりイオン化された陽イオンと
、噴霧されると共に気化されかつＡＰＣＩプローブ３６０によりイオン化された
陰イオンとを発生するよう設定される。コロナ放電針３７０の先端部を包囲する
コロナ放電領域にて発生した陽イオンを毛細管３６１、端板３７５およびコロナ
放電針３６５の方向へ印加電位に基づいて引付ける。コロナ放電針３６５の先端
部を包囲するコロナ放電領域にて発生した陰イオンは、印加電位に基づきコロナ
放電針３７０の方向に引付けられる。陽イオンと陰イオンとが領域３７１におけ
る大気圧にて相互作用すると共に反応する。大気圧における陽イオンと陰イオン
との相互作用は陽イオンと陰イオンとの或る程度の中性化を生ぜしめるが、反応
後の或る程度の陽イオンは再イオン化され、次いでノーズピース３７５および毛
細管３６１の方向へ印加電位により引付けられる。陽イオンは毛細管の孔部を介
し減圧中に掃引され、ここで減圧領域３７４に位置する質量スペクトロメータに
より質量分析される。より多数の溶剤陽イオンをＡＰＣＩプローブ集成体３６６
を介し、ＡＰＣＩプローブ集成体３６０に供給される溶液流量と比較し、一層高
い流量にて導入することができる。混合領域３７１における溶剤陽イオンの一層
高い濃度は、陰イオンとの中性化反応後における陽イオンの再イオン化効率を増
大させる。ＡＰＩ供給源における電圧極性の逆転は、ＡＰＣＩプローブ集成体３
６６に供給された溶液から陰イオンを発生することを可能にすると共に、ＡＰＣ
Ｉプローブ集成体３６０に供給された溶液から陽イオンを発生することをも可能
にする。反応した陰イオン集団の１部を減圧中に掃引して質量対電荷を分析する
。 【００６３】 ＡＰＣＩプローブ位置の改変を行って、多重ＡＰＣＩプローブ集成体から噴霧
された種々異なる溶液より多重試料のイオン−イオン相互作用を得ることもでき
る。３個以上のＡＰＣＩプローブを、０〜１８０°の範囲の角度φ1――iおよび
０〜３６０°の範囲の回転角度θ1――iに位置せしめたＡＰＩ供給源に配置する
ことができる。選択中性ガス組成物を噴霧器または向流乾燥ガスに添加して、イ
オン−イオン相互作用に関するイオン−中性反応を検討することができる。 【００６４】 大気圧におけるイオン−イオン相互作用の検討を容易化させるべく位置せしめ
た２個のＡＰＣＩプローブ集成体を配置したＡＰＩ供給源の具体例を図１８に示
す。ＡＰＣＩプローブ集成体３８０を角度φ380＝９０°およびθ380＝２７０°
にて位置せしめると共に、電位をグリッド３８１に対し印加してコロナ放電針３
９２の先端部を包囲するコロナ放電領域にて陰イオンを発生させる。第２のＡＰ
ＣＩプローブ集成体３８２を角度φ382＝９０°およびθ382＝９０°に位置せし
めると共に、電位をグリッド３８４に印加して陰イオンを発生させる。第３のＡ
ＰＣＩプローブ集成体３８５を角度φ＝０およびθ＝０に位置せしめると共に、
グリッド３９０に対し電位を印加して陽イオンを発生させる。ＡＰＣＩプローブ
集成体３８０、３８２および３８５から発生した陽イオンおよび陰イオンはそれ
ぞれグリッド３８１、３８４および３９０を通過して大気圧で相互作用する。２
個のグリッド３８１および３８４をＡＰＣＩプローブ集成体３８５と毛細管３８
６の入口との間に位置せしめる。反対極性のイオン間の相互作用は陽イオンと陰
イオンとの中和をもたらすが、ＡＰＣＩプローブ集成体３８５から供給された試
料および溶剤の陽イオンは反応生成物分子を再イオン化することができる。新た
に形成されたイオンは、印加電場によりノーズピース３８９および毛細管３８６
の方向に引付けられる。毛細管３８６の孔部を介し減圧中に掃引されたイオンを
質量スペクトロメータおよびイオン検出器により質量分析する。印加電圧極性を
切換えて反応陰イオン集団の質量分析を行うことができる。図１８に示した具体
例にて配置された１個もしくはそれ以上のＡＰＣＩプローブ集成体は、除去し或
いはエレクトロスプレープローブ集成体で置換することもできる。多重ＡＰＣＩ
プローブ集成体を配置したＡＰＩ供給源を用いて、広範囲のイオン−イオン相互
作用および反応を検討することができる。 【００６５】 図１、２、３，５、６，８、９，１１、１４、１６、１７および１８に示した
多重ＥＳおよびＡＰＣＩプローブの配置は、各入口プローブ先端部に接続された
個々の溶液供給システムを示す。代案として多重試料供給システムを、個々の入
口プローブ先端部に溶液を供給するよう切換えることもできる。多重試料入口経
路と多重噴霧器との組合せを単一のＡＰＩ供給源集成体に配置することもできる
。多重プローブ先端部位置の組合せは当業者により構成可能であり、本発明は上
記に特定した多重ＥＳおよびＡＰＣＩプローブの具体例に限定されない。 【００６６】 以上、特定具体例につき本発明を説明したが、この説明は単に例示に過ぎず、
本発明の思想および範囲を逸脱することなく種々の改変をなしうることが当業者
には了解されよう。 【図面の簡単な説明】 【図１】 多重独立エレクトロスプレープローブを装着配置したエレクトロ
スプレーイオン供給源の略図。 【図２】 ＥＳ供給源中心線の近くに位置するＥＳ二重プローブ集成体の断
面平面図を示す図１のエレクトロスプレーイオン供給源の略図。 【図３】 ＥＳ供給源中心線から軸線外しで配置された二重ＥＳプローブ集
成体および中心線の近くに位置するＥＳ二重プローブ集成体の断面側面図を示す
図１のエレクトロスプレーイオン供給源の略図。 【図４】 ａは、空気圧噴霧補助で操作する二重先端軸線外しＥＳプローブ
の一方の先端部からエレクトロスプレーされたグラミシジンＳの二重帯電ピーク
を有する試料溶液の質量スペクトル図、ｂは、二重先端軸線外しＥＳプローブの
第２ＥＳ先端部から空気圧噴霧補助にてエレクトロスプレーされた検量溶液の質
量スペクトル図、ｃは、二重先端軸線外しＥＳプローブから同時的に一方の先端
部よりエレクトロスプレーされた試料溶液および他方の先端部からエレクトロス
プレーされた検量溶液の質量スペクトル図。 【図５】 ＥＳ供給源チャンバ中心線に対する軸線近くに装着された空気圧
噴霧補助を有する６先端ＥＳプローブ列の略図。 【図６】 ＥＳ供給源に配置された独立ｘ−ｙ−ｚ先端位置調整を伴う２つ
のＥＳプローブ集成体の断面図。 【図７】 ａは、軸線外しＥＳプローブ集成体を介しＥＳチャンバ中へ空気
圧噴霧補助でエレクトロスプレーされたロイシン・エンケファリンを含有する試
料溶液の質量スペクトル図、ｂは、ＥＳ供給源中心線の近くに位置する第２ＥＳ
プローブから空気圧噴霧補助でエレクトロスプレーされたトリ−チロシンおよび
ヘキサ−チロシンを含有する検量溶液の質量スペクトル図、ｃは、軸線外しのＥ
ＳプローブおよびＥＳ供給源中心線の近くに位置する２ＥＳプローブからそれぞ
れＥＳチャンバ中へ同時にエレクトロスプレーされた試料溶液および検量溶液の
質量スペクトル図。 【図８】 ２つのＬＣ分離システムに接続された２つの軸線外しＥＳプロー
ブと共に３つの独立したエレクトロスプレープローブを配置したエレクトロスプ
レー供給源の略図。 【図９】 ＡＰＣＩ供給源中心線に対し軸線外しで角度をつけた１つのプロ
ーブとＡＰＣＩ供給源中心線に整列した１つのプローブとを配置した２つの独立
試料入口プローブを有する大気圧化学イオン化供給源の略図。 【図１０】 個々のＡＰＣＩ入口プローブから別々に噴霧された試料溶液お
よび検量溶液の質量スペクトル図、並びに図９に示したように配置された二重入
口プローブＡＰＣＩ供給源にて同時噴霧された試料溶液および検量溶液の質量ス
ペクトル図。 【図１１】 実質的に平行方向で噴霧するよう配向された２つのＡＰＣＩ試
料入口空気圧噴霧先端部を配置した大気圧化学イオン化供給源の略図。 【図１２】 ２層エレクトロスプレープローブ先端部の断面図。 【図１３】 ３層エレクトロスプレー先端部の断面図。 【図１４】 エレクトロスプレープローブ集成体と大気圧化学イオン化プロ
ーブ集成体とを配置した大気圧イオン供給源の略図。 【図１５】 図１４に示したように配置したエレクトロスプレープローブお
よびＡＰＣＩプローブに供給された異なる試料溶液より別々にかつ同時に得られ
た一連の質量スペクトル図。 【図１６】 反対極性のエレクトロスプレーイオンを発生するよう配置され
た２つのエレクトロスプレープローブを備えるエレクトロスプレーイオン供給源
の略図。 【図１７】 反対極性のイオンを発生させるよう配置された２つのＡＰＣＩ
プローブおよび気化器集成体を備えるＡＰＣＩ供給源の略図。 【図１８】 陽イオンと陰イオンとの混合物を同時に発生させるよう配置さ
れた３つのＡＰＣＩプローブおよび気化器集成体を備えるＡＰＣＩ供給源の略図
。 【符号の説明】 １ エレクトロスプレー供給源集成体 ２ ＥＳプローブ ３、４ ＥＳ先端部 ５ ＥＳプローブ ６、７ ＥＳ先端部 ８、９、１０、１１、１２、１３ 供給経路 １６ 固定ネジ ２０ 円筒電極 ２１ 毛細管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(31)優先権主張番号 ６０／０８７，２５６
(32)優先日 平成10年５月29日(1998．5．29)
(33)優先権主張国 米国（ＵＳ）
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ
，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)
，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，
ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ
Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ
，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，
ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ
Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ
，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，
ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ
Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ
(72)発明者 ホワイトハウス、 クレイグ、 エム.
アメリカ合衆国、 コネティカット州
06405 ブランフォード、 ビジネス パ
ーク ドライブ 29
(72)発明者 シェン、 シダ
アメリカ合衆国、 コネティカット州
06405 ブランフォード、 ビジネス パ
ーク ドライブ 29
(72)発明者 サンソン、 マイケル、 エー.
アメリカ合衆国、 コネティカット州
06405 ブランフォード、 ビジネス パ
ーク ドライブ 29
Ｆターム(参考） 5C038 EE02 EF01 EF04 GG06 GG08
GG09 GG11 GH05 GH11 HH02
HH03
【要約の続き】
準として使用することができる。内部検量ピークを含む
質量スペクトルの獲得は、液相にて検量溶液と試料溶液
とを混合する必要なしに種々異なる溶液を多重入口プロ
ーブから同時に噴霧して達成することができる。ＥＳプ
ローブおよびＡＰＣＩプローブの配置は１つのＡＰＩ供
給源チャンバ内に配置することができ、ＥＳもしくはＡ
ＰＣＩプローブの任意の組合せを介する溶液流は分析操
作に際しオン・オフ切換することができる。それぞれ試
料溶液を別途のＥＳもしくはＡＰＣＩ入口プローブを介
して大気圧イオン供給源に供給する多重分離システムの
検出器として単一の質量分析器を作用させることができ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （ａ）実質的に大気圧で操作されて試料含有溶液からイオン
を発生するイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記イオン供給源に導入された少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｄ）発生した前記イオンを混合する手段と； （ｅ）各イオンと減圧領域に供給する手段と を備えることを特徴とする化学物質からのイオンの発生装置。 【請求項２】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレー手段から
なる請求項１に記載の装置。 【請求項３】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助手段を有するエレ
クトロスプレーからなる請求項１に記載の装置。 【請求項４】 イオンを発生させる前記手段が大気圧化学イオン化手段から
なる請求項１に記載の装置。 【請求項５】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーと大気圧
化学イオン化手段との両者からなる請求項１に記載の装置。 【請求項６】 イオンを発生させる前記手段が電磁結合プラズマ手段からな
る請求項１に記載の装置。 【請求項７】 発生した前記イオンを混合する前記手段が前記イオンを実質
的に大気圧にて混合する請求項１に記載の装置。 【請求項８】 （ａ）実質的に大気圧で操作されて試料含有溶液からイオン
を発生させるイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記イオン供給源に導入された少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｄ）発生した前記イオンを混合する手段と； （ｅ）発生した前記イオンを質量分析手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項９】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレー手段から
なる請求項８に記載の装置。 【請求項１０】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助手段を有するエ
レクトロスプレーからなる請求項８に記載の装置。 【請求項１１】 イオンを発生させる前記手段が大気圧化学イオン化手段か
らなる請求項８に記載の装置。 【請求項１２】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーと大気
圧化学イオン化手段との両者からなる請求項８に記載の装置。 【請求項１３】 イオンを発生させる前記手段が電磁結合プラズマ手段から
なる請求項８に記載の装置。 【請求項１４】 発生した前記イオンを混合する前記手段が前記イオンを実
質的に大気圧にて混合する請求項８に記載の装置。 【請求項１５】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が飛行時間質
量スペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項１６】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が４極質量ス
ペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項１７】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がイオントラ
ップ質量スペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項１８】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がフーリエ変
換質量スペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項１９】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が磁気セクタ
ー質量スペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項２０】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がハイブリッ
ド質量スペクトロメータからなる請求項８に記載の装置。 【請求項２１】 前記少なくとも２つのプローブの少なくとも一方がマイク
ロチップからなる請求項８に記載の装置。 【請求項２２】 （ａ）実質的に大気圧で操作されてイオンを溶液から発生
させるイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する際に、前記少なくと
も２つのプローブの位置が固定され； （ｄ）前記イオン供給源に導入される少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｅ）イオンを減圧領域に供給する手段と を備えることを特徴とする化学物質からのイオンの発生装置。 【請求項２３】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレー手段か
らなる請求項２２に記載の装置。 【請求項２４】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助手段を有するエ
レクトロスプレーからなる請求項２２に記載の装置。 【請求項２５】 イオンを発生させる前記手段が大気圧化学イオン化手段か
らなる請求項２２に記載の装置。 【請求項２６】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーと大気
圧化学イオン化手段との両者からなる請求項２２に記載の装置。 【請求項２７】 イオンを発生させる前記手段が電磁結合プラズマ手段から
なる請求項２２に記載の装置。 【請求項２８】 少なくとも２種の溶液から発生する前記イオンが前記減圧
領域に流入する前に混合される請求項２２に記載の装置。 【請求項２９】 前記少なくとも２つのプローブの少なくとも一方がマイク
ロチップからなる請求項２２に記載の装置。 【請求項３０】 （ａ）試料含有溶液からイオンを発生させるイオン供給源
と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記溶液の少なくとも２種からイオンを同時に発生させるエレクトロスプ
レーイオン化手段と； （ｄ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項３１】 前記エレクトロスプレーイオン化手段が噴霧補助を含む請
求項３０に記載の装置。 【請求項３２】 前記イオン供給源が、エレクトロスプレーされた帯電液滴
を乾燥させるのに役立つ浴ガス流からなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３３】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が飛行時間質
量スペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３４】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が４極質量ス
ペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３５】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がイオントラ
ップ質量スペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３６】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がフーリエ変
換質量スペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３７】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が磁気セクタ
ー質量スペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３８】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がハイブリッ
ド質量スペクトロメータからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項３９】 前記少なくとも２つのプローブの少なくとも一方がマイク
ロチップからなる請求項３０に記載の装置。 【請求項４０】 （ａ）試料含有溶液からイオンを発生させるイオン供給源
と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記イオン供給源に導入された少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｄ）イオンを発生させる少なくとも１つの手段としての大気圧化学イオン化手
段と； （ｅ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項４１】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーイオン
化による請求項４０に記載の装置。 【請求項４２】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助を有するエレク
トロスプレーイオン化による請求項４０に記載の装置。 【請求項４３】 前記プローブがエレクトロスプレープローブであって、そ
の出口先端部に３つのチューブ層を備える請求項４０に記載の装置。 【請求項４４】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が飛行時間質
量スペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項４５】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が４極質量ス
ペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項４６】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がイオントラ
ップ質量スペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項４７】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がフーリエ変
換質量スペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項４８】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が磁気セクタ
ー質量スペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項４９】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がハイブリッ
ド質量スペクトロメータからなる請求項４０に記載の装置。 【請求項５０】 （ａ）試料含有溶液からイオンを発生させるイオン供給源
と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記イオン供給源に導入された前記溶液の少なくとも一方からイオンを発
生させるエレクトロスプレーイオン化手段と； （ｄ）前記イオン供給源に導入された前記溶液の少なくとも一方からイオンを発
生させる大気圧化学イオン化手段と； （ｅ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項５１】 前記エレクトロスプレー手段が噴霧補助を含む請求項５０
に記載の装置。 【請求項５２】 前記プローブがエレクトロスプレープローブであって、そ
の出口先端部に３つのチューブ層を備える請求項５０に記載の装置。 【請求項５３】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が飛行時間質
量スペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５４】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が４極質量ス
ペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５５】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がイオントラ
ップ質量スペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５６】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がフーリエ変
換質量スペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５７】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段が磁気セクタ
ー質量スペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５８】 発生した前記イオンを質量分析する前記手段がハイブリッ
ド質量スペクトロメータからなる請求項５０に記載の装置。 【請求項５９】 （ａ）実質的に大気圧で操作されて試料含有溶液からイオ
ンを発生させるイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記イオン供給源に導入される少なくとも１種の前記溶液が既知化学成分
を含み； （ｄ）前記イオン供給源に導入される少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せると共に混合する少なくとも１つの手段（前記混合物は前記既知化学成分から
のイオンを含有する）と； （ｅ）発生したイオンの前記混合物を質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項６０】 前記既知化学成分がマススケール検量化合物である請求項
５９に記載の装置。 【請求項６１】 前記マス検量化合物が前記混合物にイオンを形成して、前
記混合物を質量分析する際に内部検量標準として作用する請求項６０に記載の装
置。 【請求項６２】 （ａ）実質的に大気圧で操作されて試料含有溶液からイオ
ンを発生させるイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記溶液を前記プローブに供給する少なくとも２つの手段と； （ｄ）前記溶液の少なくとも２種からイオンを発生させる少なくとも１つの手段
と； （ｅ）前記溶液の少なくとも２種から発生された前記イオンを混合する手段と； （ｆ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項６３】 前記溶液を供給する前記手段が液体カラムクロマトグラフ
システムを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項６５】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が少なくと
も２つの液体クロマトグラフシステムを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項６６】 前記溶液を供給する前記手段が毛細管電気泳動システムを
含む請求項６２に記載の装置。 【請求項６７】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が少なくと
も２つの毛細管電気泳動システムを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項６８】 前記溶液を供給する前記手段が液体ポンプを含む請求項６
２に記載の装置。 【請求項６９】 前記溶液を供給する前記手段がエレクトロスプレーマイク
ロチップを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項７０】 前記溶液を供給する前記手段が溶液貯槽を含む請求項６２
に記載の装置。 【請求項７１】 前記溶液を供給する前記手段が加圧溶剤貯槽を含む請求項
６２に記載の装置。 【請求項７２】 前記溶液を供給する前記手段が、注入弁を有する少なくと
も１つの液体供給システムを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項７３】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が、それぞ
れ注入弁を有する少なくとも２つの液体供給システムを含む請求項６２に記載の
装置。 【請求項７４】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が、注入弁
を有する少なくとも１つの液体供給システムと少なくとも１つの液体クロマトグ
ラフシステムとを含む請求項６２に記載の装置。 【請求項７５】 （ａ）試料含有溶液からイオンを発生させるイオン供給源
と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）前記溶液の少なくとも２種を前記プローブに供給する少なくとも２つの手
段と； （ｄ）少なくとも１種の前記溶液を供給する化学分離システムからなる少なくと
も１つの前記手段と； （ｅ）前記イオン供給源に供給された少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｆ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項７６】 前記化学分離システムが溶液クロマトグラフシステムであ
る請求項７５に記載の装置。 【請求項７７】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動システムである請
求項７５に記載の装置。 【請求項７８】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動クロマトグラフシ
ステムである請求項７５に記載の装置。 【請求項７９】 化学分離システムを備える前記手段が溶液クロマトグラフ
システムと毛細管電気泳動システムとからなる請求項７５に記載の装置。 【請求項８０】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレー手段か
らなる請求項７５に記載の装置。 【請求項８１】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助手段を有するエ
レクトロスプレーからなる請求項７５に記載の装置。 【請求項８２】 イオンを発生させる前記手段が大気圧化学イオン化手段か
らなる請求項７５に記載の装置。 【請求項８３】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーと大気
圧化学イオン化手段との両者からなる請求項７５に記載の装置。 【請求項８４】 イオンを発生させる前記手段が電磁結合プラズマ手段から
なる請求項７５に記載の装置。 【請求項８５】 前記溶液を供給する前記手段が、注入弁を有する少なくと
も１つの液体供給システムを含む請求項７５に記載の装置。 【請求項８6】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が、それぞ れ注入弁を有する少なくとも２つの液体供給システムを含む請求項７５に記載の
装置。 【請求項８７】 前記溶液を供給する前記少なくとも２つの手段が、注入弁
を有するを少なくとも１つの液体供給システムと少なくとも１つの液体クロマト
グラフシステムとを含む請求項７５に記載の装置。 【請求項８８】 （ａ）実質的に大気圧で操作されて試料含有溶液からイオ
ンを発生させるイオン供給源と； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に導入する少なくとも２つのプ
ローブと； （ｃ）それぞれ溶液を前記プローブに供給する、それぞれ化学分離システムから
なる少なくとも２つの手段と； （ｄ）前記イオン供給源に供給された少なくとも２種の溶液からイオンを発生さ
せる少なくとも１つの手段と； （ｅ）発生した前記イオンを質量分析する手段と を備えることを特徴とする化学物質の分析装置。 【請求項８９】 前記化学分離システムが溶液クロマトグラフシステムであ
る請求項８８に記載の装置。 【請求項９０】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動システムである請
求項８８に記載の装置。 【請求項９１】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動クロマトグラフシ
ステムである請求項８８に記載の装置。 【請求項９２】 それぞれ化学分離システムからなる前記少なくとも２つの
手段が溶液クロマトグラフシステムと毛細管電気泳動システムとからなる請求項
８８に記載の装置。 【請求項９３】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレー手段か
らなる請求項８８に記載の装置。 【請求項９４】 イオンを発生させる前記手段が、噴霧補助手段を有するエ
レクトロスプレーからなる請求項８８に記載の装置。 【請求項９５】 イオンを発生させる前記手段が大気圧化学イオン化手段か
らなる請求項８８に記載の装置。 【請求項９６】 イオンを発生させる前記手段がエレクトロスプレーと大気
圧化学イオン化手段との両者からなる請求項８８に記載の装置。 【請求項９７】 イオンを発生させる前記手段が電磁結合プラズマ手段から
なる請求項８８に記載の装置。 【請求項９８】 （ａ）実質的に大気圧で操作されるイオン供給源と、前記
イオン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと、減圧システムとを用い
； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源中へ少なくとも２つのプローブ
を介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の前記溶
液からイオンを発生させ； （ｄ）発生した前記イオンを混合し； （ｅ）発生したイオンの前記混合物を前記減圧システムに供給すること ことを特徴とする溶液からのイオンの発生方法。 【請求項９９】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発生
させる請求項９８記載の方法。 【請求項１００】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項９８に記載の方法。 【請求項１０１】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項９８に記載の方法。 【請求項１０２】 前記イオンを、エレクトロスプレーと大気圧化学イオン
化との両者を用いて発生させる請求項９８に記載の方法。 【請求項１０３】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項９８に記載の方法。 【請求項１０４】 前記イオンを実質的に大気圧で混合する請求項９８に記
載の方法。 【請求項１０５】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と、前記
イオン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと、質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の前記溶
液からイオンを発生させ； （ｄ）発生した前記イオンを混合し； （ｅ）発生したイオンの前記混合物を前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１０６】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生させる請求項１０５記載の方法。 【請求項１０７】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１０５に記載の方法。 【請求項１０８】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項１０５に記載の方法。 【請求項１０９】 前記イオンを、エレクトロスプレーと大気圧化学イオン
化との両者を用いて発生させる請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１０】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１１】 前記イオンを実質的に大気圧で混合する請求項１０５に
記載の方法。 【請求項１１２】 前記イオンを、飛行時間質量スペクトロメータを用いて
質量分析する請求項１０５記載の方法。 【請求項１１３】 前記イオンを、４極質量スペクトロメータを用いて質量
分析する請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１４】 前記イオンを、イオントラップ質量スペクトロメータを
用いて質量分析する請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１５】 前記イオン・オフリエ変換質量スペクトロメータを用い
て質量分析する請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１６】 前記イオンを、磁気セクター質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１７】 前記イオンを、ハイブリッド質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１０５に記載の方法。 【請求項１１８】 前記イオンを、マイクロチップを用いてエレクトロスプ
レーする請求項１０６に記載の方法。 【請求項１１９】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と、前記
イオン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと、減圧システムとを用い
； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記イオン供給源に導入された少なくとも２種の前記溶液からイオンを発
生させ； （ｄ）前記イオンが前記溶液の少なくとも２種から発生されつつある際に前記少
なくとも２つのプローブの位置を固定し； （ｅ）発生したイオンの前記混合物を前記減圧システムに供給する ことを特徴とする溶液からのイオンの発生方法。 【請求項１２０】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生させる請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２１】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２２】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２３】 前記イオンを、エレクトロスプレーと大気圧化学イオン
化との両者を用いて発生させる請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２４】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２５】 少なくとも２種の溶液から発生した前記イオンを混合す
る請求項１１９に記載の方法。 【請求項１２６】 前記イオンを、マイクロチップを用いてエレクトロスプ
レーする請求項１１９記載の方法。 【請求項１２７】 （ａ）イオン供給源と前記イオン供給源に配置された少
なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）前記イオン供給源を実質的に大気圧で操作し； （ｃ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｄ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の前記溶
液からイオンを発生させ； （ｅ）前記溶液の少なくとも１種からエレクトロスプレーイオン化を用いてイオ
ンを発生させ； （ｆ）発生した前記イオンを混合し； （ｇ）発生したイオンの前記混合物を前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１２８】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１２７に記載の方法。 【請求項１２９】 前記エレクトロスプレーイオン化が浴ガス流を用いて、
エレクトロスプレーされた帯電液滴を乾燥するのに役立てる請求項１２７に記載
の方法。 【請求項１３０】 前記溶液の少なくとも２種を、前記イオン供給源に前記
プローブの少なくとも１つを介し同心チューブを通して導入する請求項１２７に
記載の方法。 【請求項１３１】 前記イオンを、飛行時間質量スペクトロメータを用いて
質量分析する請求項１２７に記載の方法。 【請求項１３２】 前記イオンを、４極質量スペクトロメータを用いて質量
分析する請求項１２７に記載の方法。 【請求項１３３】 前記イオンを、イオントラップ質量スペクトロメータを
用いて質量分析する請求項１２７に記載の方法。 【請求項１３４】 前記イオン・オフリエ変換質量スペクトロメータを用い
て質量分析する請求項１２７に記載の方法。 【請求項１３５】 前記イオンを、磁気セクター質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１２７に記載の方法。 【請求項１３６】 前記イオンをハイブリッド質量スペクトロメータを用い
て質量分析する請求項１２７記載の方法。 【請求項１３７】 前記イオンを、マイクロチップを用いてエレクトロスプ
レーする請求項１２８記載の方法。 【請求項１３８】 （ａ）イオン供給源と前記イオン供給源に配置された少
なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の前記溶
液からイオンを発生させ； （ｄ）前記溶液の少なくとも１種から大気圧化学イオン化を用いてイオンを発生
させ； （ｅ）発生したイオンの前記混合物を前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１３９】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生させる請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４０】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４１】 前記イオンを、飛行時間質量スペクトロメータを用いて
質量分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４２】 前記イオンを、４極質量スペクトロメータを用いて質量
分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４３】 前記イオンを、イオントラップ質量スペクトロメータを
用いて質量分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４４】 前記イオン・オフリエ変換質量スペクトロメータを用い
て質量分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４５】 前記イオンを、磁気セクター質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４６】 前記イオンを、ハイブリッド質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１３８に記載の方法。 【請求項１４７】 （ａ）イオン供給源と前記イオン供給源に配置された少
なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の前記溶
液からイオンを発生させ； （ｄ）前記プローブの少なくとも１つを介し導入した前記溶液の少なくとも１種
からエレクトロスプレーイオン化を用いてイオンを発生させ； （ｅ）前記プローブの少なくとも１つを介し導入された前記溶液の少なくとも１
種から大気圧化学イオン化を用いてイオンを発生させ； （ｆ）発生した前記イオンを前記質量分析器で分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１４８】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１４７に記載の方法。 【請求項１４９】 前記溶液の少なくとも２種を前記イオン供給源に前記プ
ローブの少なくとも１つを介し同心チューブを通して導入する請求項１４７に記
載の方法。 【請求項１５０】 前記イオンを、飛行時間質量スペクトロメータを用いて
質量分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５１】 前記イオンを、４極質量スペクトロメータを用いて質量
分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５２】 前記イオンを、イオントラップ質量スペクトロメータを
用いて質量分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５３】 前記イオン・オフリエ変換質量スペクトロメータを用い
て質量分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５４】 前記イオンを、磁気セクター質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５５】 前記イオンを、ハイブリッド質量スペクトロメータを用
いて質量分析する請求項１４７に記載の方法。 【請求項１５６】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と前記イ
オン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）既知試料物質を含む少なくとも１種の溶液を導入し； （ｄ）前記少なくとも２つのプローブを介して導入された少なくとも２種の前記
溶液からイオンを発生させ； （ｅ）既知試料物質を含む前記少なくとも１種の溶液からイオンを発生させ； （ｆ）発生した前記イオンを混合し； （ｇ）発生したイオンの前記混合物を前記分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１５７】 前記既知試料物質が、マススケール検量につき使用され
る化学成分を含有する請求項１５６に記載の方法。 【請求項１５８】 前記イオンを発生させる前記既知化学成分が、質量分析
される際に内部マススケール検量ピークをもたらす請求項１５６に記載の方法。 【請求項１５９】 前記溶液の少なくとも２種を前記イオン供給源に前記プ
ローブの少なくとも１つを介し同心層状チューブを通して導入する請求項１５６
に記載の方法。 【請求項１６０】 前記イオン供給源に前記同心チューブを通して導入され
た前記溶液の少なくとも１種が前記イオンを発生させる既知試料物質を含み、質
量分析される際に内部マススケール検量ピークをもたらす請求項１５９に記載の
方法。 【請求項１６１】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と前記イ
オン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２種の溶液を少なくとも２つの供給手段により供給し； （ｄ）前記少なくとも２つのプローブを介して導入された少なくとも２種の前記
溶液からイオンを発生させ； （ｅ）発生した前記イオンを混合し； （ｆ）発生した前記イオンの前記混合物を前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１６２】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに、液体クロマトグラフシステムを用いて供給する請求項１６１に記載の方
法。 【請求項１６３】 前記溶液の少なくとも２種を少なくとも２つの前記プロ
ーブに、少なくとも２つの液体クロマトグラフシステムを用いて供給する請求項
１６１に記載の方法。 【請求項１６４】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに、毛細管電気泳動システムを用いて供給する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１６５】 少なくとも２種の前記溶液を少なくとも２つの前記プロ
ーブに、少なくとも２つの毛細管電気泳動システムを用いて供給する請求項１６
１に記載の方法。 【請求項１６６】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに液体ポンプにより供給する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１６７】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに溶液貯槽から供給する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１６８】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに加圧溶液貯槽から供給する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１６９】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに、注入弁を有する液体供給システムから供給する請求項１６１に記載の方
法。 【請求項１７０】 前記溶液の少なくとも２種を前記プローブの少なくとも
２つに、それぞれ注入弁を有する少なくとも２つの液体供給システムから供給す
る請求項１６１に記載の方法。 【請求項１７１】 少なくとも１種の前記溶液を前記イオン供給源にエレク
トロスプレーマイクロチップにより導入する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１７２】 前記溶液の少なくとも１種を前記イオン供給源に注入弁
を有する少なくとも１つの液体供給システムを用いて供給すると共に、前記溶液
の少なくとも１種を前記イオン供給源に少なくとも１つの液体クロマトグラフシ
ステムを用いて供給する請求項１６１に記載の方法。 【請求項１７３】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と前記イ
オン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２種の溶液を少なくとも２つの供給手段を用いて供給し； （ｄ）前記少なくとも１種の溶液を、限定はしないが化学分離システムを含む手
段から供給し； （ｅ）前記少なくとも２つのプローブを介し導入された少なくとも２種の溶液か
らイオンを発生させ； （ｆ）発生した前記イオンを前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１７４】 前記化学分離システムが液体クロマトグラフシステムで
ある請求項１７３に記載の方法。 【請求項１７５】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動システムである
請求項１７３に記載の方法。 【請求項１７６】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動クロマトグラフ
システムである請求項１７３に記載の方法。 【請求項１７７】 前記化学分離システムが、それぞれ別々の前記溶液を前
記イオン供給源に供給する液体クロマトグラフシステムおよび電気泳動クロマト
グラフシステムである請求項１７３に記載の方法。 【請求項１７８】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生させる請求項１７３に記載の方法。 【請求項１７９】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１７３に記載の方法。 【請求項１８０】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項１７３に記載の方法。 【請求項１８１】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化および大気
圧化学イオン化を用いて発生させる請求項１７３に記載の方法。 【請求項１８２】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項１７３に記載の方法。 【請求項１８３】 少なくとも１種の前記溶液を少なくとも１つの前記プロ
ーブに、注入弁を有する液体供給システムから供給する請求項１７３に記載の方
法。 【請求項１８４】 前記溶液の少なくとも２種を前記プローブの少なくとも
２つに、それぞれ注入弁を有する少なくとも２つの液体供給システムから供給す
る請求項１７３載の方法。 【請求項１８５】 前記溶液の少なくとも１種を前記イオン供給源に注入弁
を有する少なくとも１つの液体供給システムを用いて供給すると共に、前記溶液
の少なくとも１種を前記イオン供給源に少なくとも１つの液体クロマトグラフシ
ステムを用いて供給する請求項１７３載の方法。 【請求項１８６】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と前記イ
オン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の溶液を前記イオン供給源に少なくとも２つのプローブを
介して導入し； （ｃ）前記少なくとも２種の溶液を少なくとも２つのプローブに、限定はしない
がそれぞれ化学分離システムを含む少なくとも２つの手段から供給し； （ｄ）前記少なくとも２つのプローブを介して導入された少なくとも２種の前記
溶液からイオンを発生させ； （ｅ）発生した前記イオンを前記質量分析器で質量分析する ことを特徴とする化学物質の分析方法。 【請求項１８７】 前記化学分離システムが液体クロマトグラフシステムで
ある請求項１８６に記載の方法。 【請求項１８８】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動システムである
請求項１８６に記載の方法。 【請求項１８９】 前記化学分離システムが毛細管電気泳動クロマトグラフ
システムである請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９０】 前記化学分離システムが、それぞれ別々に前記溶液を前
記イオン供給源に供給する液体クロマトグラフシステムおよび電気泳動クロマト
グラフシステムである請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９１】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生させる請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９２】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９３】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９４】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化および大気
圧化学イオン化を用いて発生させる請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９５】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項１８６に記載の方法。 【請求項１９６】 （ａ）実質的に大気圧で操作するイオン供給源と前記イ
オン供給源に配置された少なくとも２つのプローブと質量分析器とを用い； （ｂ）少なくとも２種の別々の溶液を前記イオン供給源に同時に導入し； （ｃ）既知試料物質を含む少なくとも１種の前記溶液を導入し； （ｄ）前記イオン供給源に導入された少なくとも２種の前記溶液からイオンを発
生させ； （ｅ）既知試料物質を含む前記少なくとも１種の溶液からイオンを発生させ； （ｆ）発生した前記イオンを混合し； （ｇ）発生したイオンの前記混合物を前記質量分析器で質量分析し； （ｈ）前記既知試料物質から発生した前記イオンより生ずる前記質量スペクトル
ピークの少なくとも１つを、前記質量分析から得られた質量スペクトルにおける
検量基準として使用する ことを特徴とする内部検量標準を含む質量スペクトルの獲得方法。 【請求項１９７】 前記溶液の少なくとも２種を前記イオン供給源に前記プ
ローブの少なくとも１つを介し同心層状チューブを通して導入する請求項１９６
に記載の方法。 【請求項１９８】 前記イオンを、エレクトロスプレーイオン化を用いて発
生される請求項１９６に記載の方法。 【請求項１９９】 前記イオンを、噴霧補助を有するエレクトロスプレーイ
オン化を用いて発生させる請求項１９６に記載の方法。 【請求項２００】 前記イオンを、大気圧化学イオン化を用いて発生させる
請求項１９６に記載の方法。 【請求項２０１】 前記イオンを、エレクトロスプレーと大気圧化学イオン
化との両者を用いて発生させる請求項１９６に記載の方法。 【請求項２０２】 前記イオンを、電磁結合プラズマイオン化を用いて発生
させる請求項１９６に記載の方法。
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