JP2001508586A - ゲッターの局所的エネルギー活性化 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 フラットパネル装置のような中空構造のキャビティー内に配設されたゲッター（５０又は７４）が、中空構造の一部を通して、該ゲッター上に局所的に光エネルギーを当てることにより活性化される。光エネルギーは通常レーザービーム（６０）により与えられる。典型的には非蒸発型であるゲッターは、通常一片のゲッタリング材料としてキャビティー内に挿入される。ゲッターは、通常は構造の異なる部品を密閉する際に、このようにして複数回活性化／再活性化され得る。ゲッターを内包するキャビティーは、周囲及び外側壁（４４）にサンドウィッチ状に挟まれた一対のプレート構造（４０及び４２）により形成されるか、典型的にはプレート構造と外側壁によって構成されるより大形の主コンパートメント（７０）に連通した補助コンパートメント（７２）によって形成される。

Description

【発明の詳細な説明】 ゲッターの局所的エネルギー活性化利用分野 本発明は、ゲッタリング、つまり常圧より低い圧力において環境から少量のガ スを収集及び除去、若しくは効果的に除去することに関連するものである。詳述 すると、本発明は、フラットパネル装置のような構造において使用されるゲッタ ーを活性化するための技術と、ゲッターを包入するように設計された構造とに関 するものである。背景 フラットパネル装置は、中間機構を介して互いに結合された一対の概ね平坦な プレートを有する。この２つのプレートは典型的には矩形の形状を有する。２つ のプレートと中間結合機構とによって構成された比較的平坦な形状の構造の厚み は、各プレートの対角線の長さと比較して小さい。 情報を表示するために使用されるフラットパネル装置は、典型的にはフラット パネルディスプレイと称される。フラットパネルディスプレイにおける２つのプ レートは、一般にフェースプレート（又はフロントプレート）及びベースプレー ト（又はバックプレート）と称される。視聴面となるフェースプレートは、フェ ースプレートの上に形成された１枚以上の層を含むフェースプレート構造の一部 である。ベースプレートは、同様にベースプレートの上に形成された１枚以上の 層を含むベースプレート構造の一部である。フェースプレート構造及びベースプ レート構造は、通常は外側壁とともに密閉構造をなす。 フラットパネルディスプレイは、フェースプレート上に情報を表示す るために、陰極線（電子）、プラズマ、及び液晶のような様々な機構を使用する 。フラットパネル型ＣＲＴディスプレイでは、典型的には電子放出素子がベース プレートの内側表面上に設けられる。電子放出素子が適切に励起されると、電子 放出素子は電子を放出し、この電子が例えばガラスのような透明な材料からなる フェースプレートの内側表面上に設けられた燐光体に当たる。次にこの燐光体は フェースプレートの外側表面上で目に見える光を発光する。電子の流れを適切に 制御することにより、フェースプレート上に適切な画像が表示される。 フラットパネル型ＣＲＴディスプレイにおける電子放出には、ディスプレイが 適切に動作するようにし、その性能の急速な劣化を回避するために高度に真空状 態にされた環境において電子が放出されることが必要である。従って、フェース プレート構造、ベースプレート構造、及び外側壁によって形成されたエンクロー ジャは、電界放出型フラットパネルＣＲＴディスプレイの場合には典型的には１ ０^-7トル以下の圧力である、高いレベルの真空状態となるような方法で形成され る。何らかの真空状態の劣化が生ずると、例えば電子放出素子を劣化させる汚染 ガスによって生ずるディスプレイの輝度のばらつきのような種々の問題が生じ得 る。汚染ガスは、例えば燐光体から生じることがある。また電子放出素子の劣化 によりディスプレイの動作寿命が短くなる。従って、フラットパネル型ＣＲＴデ ィスプレイが密閉されていること、密閉された（気密状態の）エンクロージャに おいて高レベルの真空状態が与えられていること、及びその後その高いレベルの 真空状態を維持することは極めて重要である。 通常電子放出ディスプレイ（“ＦＥＤ”）と称される電界放出フラットパネル ＣＲＴディスプレイは、通常、まず気密状態にされ、次にディスプレイ上に設け られた管を通して真空状態にされる。第１図は、この ような従来型のＦＥＤの１つが、どのようにして密閉された後に減圧されるかを 示す。第１図のＦＥＤは、ベースプレート構造１０、フェースプレート構造１１ 、外側壁１２、及び複数のスペーサ壁１３で構成されている。このＦＥＤは、ベ ースプレート構造１０の開口１５に設けられた、図面では閉鎖された状態にある ポンプアウト管１４を通して真空状態にされる。 典型的にはバリウムからなるゲッター１６は、密閉されたエンクロージャ内に 存在する汚染ガスを回収するために、通常管１４の内側に沿って設けられる。こ れによって、ＦＥＤの寿命が尽きるまでその中に高レベルの真空状態が維持され 得るようになる。このゲッター１６は、バリウムが管１４の内部に蒸着されてい るという点で蒸発型（又は気化型）である。 ゲッター１６は、通常は満足できる機能を発揮する。しかし、管１４はＦＥＤ から離れた方向に突出している。従って、ゲッターを含む管１４の破損及びＦＥ Ｄの破壊を回避するために、ＦＥＤは注意深く取り扱わなければならない。従っ て管１４はないほうがよい。管１４の除去すると、管１４の内部に沿ったゲッタ ー１６用の位置も無くなってしまう。 単にベースプレート構造１０又は／及びフェースプレート構造１１の内側表面 上に沿った位置に形成された蒸発型バリウムゲッターは、あまり良いものとは言 えない。詳述すると、ゲッターは通常そのガス収集機能を発揮するためにかなり の大きさの表面積が必要である。しかしＦＥＤにおいては、通常、活性領域面積 対全面積比、即ちベースプレート（又はフェースプレート）構造の全内側表面積 に対する活性表示面積の比が極めて大きいことが重要である。蒸発型バリウムゲ ッターが蒸着によって形成されることから、ベースプレート構造又は／及びフェ ースプレート構造の内側表面に沿ったかなりの広さの不活性領域が、バリウムゲ ッ ター用に割り当てられなければならず、これによって活性領域面積対全面積比が 著しく小さくなる。更に、ＦＥＤの活性部分は、ゲッター取着プロセスの際に容 易に汚染され得る。活性ＦＥＤ部分のいくつかは短絡してしまうこともある。 蒸発型ゲッターの代わりに、非蒸発型ゲッターを用いることができる。非蒸発 型ゲッターは、通常前もって形成されたユニットからなる。この結果、非蒸発型 ゲッターでは、それをＦＥＤに組み込む際にＦＥＤの構成要素が損傷を受ける可 能性は、蒸発型ゲッターの場合と比較して著しく小さくなる。非蒸発型ゲッター はかなりの表面積を必要とするが、この非蒸発型ゲッターは予めユニットとして 形成されているため、蒸発型ゲッターの場合より実際のディスプレイ要素に近い 位置に配置することができる。 非蒸発型ゲッターは、種々の幾何学的形態に形成することができる。第２ａ図 及び第２ｂ図（集合的に「第２図」）は、SAES Gettersによって製造された２つ の従来型の非蒸発型ゲッターの基本的な幾何学的構造を示す。Borghi,"St121 an d St122 Porous Coating Getters,"SAES Getters,27 July 1994,pages 1-13を参 照されたい。第２ａ図のゲッターは、ゲッタリング材料の被膜１９Ａでカバーさ れた金属ワイヤ１８Ａからなる。第２ｂ図のゲッターは、ゲッタリング材料の被 膜１９Ｂによってカバーされた金属ストリップ１８Ｂからなる。チタン及びジル コニウム含有合金の多孔性混合物が、通常これら２つの非蒸発型ゲッター用のゲ ッタリング材料である。 高度に真空状態にされた環境におかれたとき、第２図の各ゲッターは、適切な 長さの活性化時間、典型的には１０分間、ゲッター被膜１９Ａ又は１９Ｂの温度 を適切に高い温度、典型的には５００℃まで上昇させることによって活性化され る。一定の活性化時間が経過したときのゲッタ ーの性能は、活性化温度を上昇させることにより上げることができる。第２図の ゲッターの場合の活性化温度は９００〜９００℃であり得、この温度より高くな るとゲッターは永久的な損傷を受け得る。或いは、活性化温度を上げることによ って、より短い活性化時間で同等の性能を達成することができる。活性化温度を ３５０℃まで下げると、反対のことがおこり、この温度より低い温度では第２図 のゲッターのゲッタリング性能は著しく低下する。 ゲッターは典型的には多孔性の粒子の混合物からなり、この粒子はその外側表 面に接触するガスを吸着する。第２図の非蒸発性ゲッターが高度に真空状態の環 境において活性化されると、ゲッター粒子の外側表面上に存在する吸着されたガ スが、ゲッター粒子の大部分の中に拡散し、それらの外側表面上に更にガスを吸 着できるような状態にする。ガスが接触し得るゲッター粒子の内部に蓄積され得 るガスの量は、典型的には接触可能な粒子の外側表面上にゲッターが吸着し得る ガスの最大量よりもかなり多い。接触可能な外側ゲッター表面が吸着されたガス で満たされたとき、若しくは部分的に満たされたとき、ゲッターは高度に真空状 態にある環境内で再活性化されて、接触可能な外側表面上のガスをゲッター粒子 の内部に移し、再び接触可能な外側表面を更にガスを吸着できるような状態にす る。再活性化は、通常比較的かなり多くの回数行うことができる。 Borghiは、高度な真空状態の下での第２図のゲッターの活性化方法を３つ述べ ている。即ち、（ａ）抵抗性加熱による活性化、（ｂ）高周波加熱による活性化 、及び（ｃ）間接的加熱による活性化の３つである。抵抗性加熱は、金属製の導 体１８Ａ又は１８Ｂに電流を流して、ゲッター被膜１９Ａ又は１９Ｂの温度を活 性化温度まで上昇させることによって行う。活性化プロセスの際に必要な電流及 び電力は比較的高く、この ことはゲッターを活性化するために抵抗性加熱を用いる場合に考慮に入れなけれ ばならない。Borghiは、ゲッターを内包している真空装置のベーキング処理の際 に、ゲッターが活性化され得ることについても述べている。 Wallace等の米国特許第5,453,659号には、フェースプレート構造の活性領域全 体にわたってゲッタリング材料が拡散されているＦＥＤのゲッター構造が開示さ れている。第３．１図に示すように、Wallace等のフェースプレート構造は、透 明な基板２０、薄い絶縁性層２１、導電性アノード領域２２、及び燐光体領域２ ３を含む。アノード領域２２よりも著しく厚い絶縁性材料２４は、領域２２の間 の空間に配設される。ゲッタリング材料２５は、絶縁性材料２４の上に配置され 、燐光体領域２３から離隔される。Wallace等は、ゲッター材料２５がバリウム 又はジリコニウム−バナジウム−鉄合金であり得ることについて記している。 Wallaceのゲッター材料２５は、初めにＦＥＤの組立の際に、高度な真空状態 の下、３００℃で活性化される。Wallace等は、ゲッター材料２５に接続される 、ゲッター材料２５の再活性化のための導電体を含む回路も開示している。 Wallace等のゲッター構造は、領域使用度の点からいえば比較的効率的である と考えられる。しかし、ゲッター材料２５は形状が比較的複雑で、かなりコスト がかさむ製造工程が必要である。ゲッター材料２５と燐光体領域２３との間隔を 維持する必要性があるため、信頼性についての懸念もある。ゲッター材料２５の 再活性化のための回路を設けることにより、更に信頼性についての懸念が生じ、 また製造コストが更に上昇する。特に、Wallace等の場合のように信頼性につい ての懸念が生じず、ゲッター装着コストが高くならず、また、通常ＦＥＤにおい て蒸発型ゲッターと共に用いられるポンプアウト管のようなゲッターを内包する 不 恰好な付属装置を用いることなく、フラットパネル装置において比較的単純な設 計のゲッターを活性化／再活性化するための利用が容易な技術が望まれている。 Pepiに付与された米国特許第5,519,284号には、第１図の従来型のゲッター／ ポンプアウト装置に存在する非常に不便な点が解消された複合式ゲッター／ポン プアウト構造が開示されている。第３．２ａ図は、例えばＦＥＤのようなフラッ トパネル型スクリーンのプレート２５にポンプアウト孔２６が設けられたPepiの ゲッター／ポンプアウト構造を示す。ポンプアウト管２７は孔２６上に設けられ 、プレート２５の外側表面に連結されている。ポンプアウト管２７は、凹み壁２ ７Ｃを有する環状の円筒形部分２７Ｂに連なる縮径部分２７Ａを有する。Pepiは 、ゲッター２８が円筒形のバー又はストリップからなり得ることを指定している 。Pepiはまた、広がった管部分２７Ｂ上にゲッタリング材料が蒸着され得ること を開示している。 Pepiのフラット型ディスプレイスクリーンは、管２７を通して排気が行われる 。その後、管２７は、第３．２ｂ図に示すように縮径部２７Ａのところで閉じら れる。この閉鎖処理は、縮径部２７Ａの残りの部分２７Ｄの先端が、広がった管 部分２７Ｂの最も高い部分の下にくるようになされる。 Pepiのゲッター／ポンプアウト構造により、ゲッター２８が、ポンプアウト管 に配設され得るようになり、このポンプアウト管は、管閉鎖後には、フラットデ ィスプレイスクリーンから遠位まで突出していない。この構造では、第１図のゲ ッター／ポンプアウト構造と比較してディスプレイが破損する可能性が低くなる 。しかし、閉鎖管２７は、凹み壁２７Ｃに非常に近い位置に沿って縮径部２７Ａ を加熱すると考えられる。凹み部分２７Ｃにおいて不要な応力が発生し、これに よってディスプレ イに弱点が生ずる。またゲッター材料は、（凹み壁２７Ｃを含む）広がった管部 分２７Ｂに蒸着されるが、蒸着されたゲッター材料の一部はポンプアウト孔２７ を通過し得、活性ディスプレイ素子を汚染し得る。Pepiの構造の欠点を解決し、 非蒸発型ゲッターに適した単純なＦＥＤゲッター構造を有することが望まれてい る。 第３．３図は、Wiemann等の米国特許第5,545,946号のＦＥＤを示しており、こ こでは、ゲート制御式電子エミッタ３０が、フェースプレート３３、アノード層 ３４、及び陰極ルミネセンス材料層３５からなるフェースプレート構造とバック プレート３２との間に位置する基板３１に設けられている。ゲート制御式エミッ タ３０から放出された電子は、基板アパーチャ３１Ａに入り、次に絶縁性層３６ の間のアパーチャ３６Ａを通って、陰極ルミネセンス材料層３５に衝当する。ス ペーサ３７は、バックプレート３２の上層をなす薄いゲッタリング層３８と電子 エミッタ３０との間の一定の間隔を維持している。ゲッター３８は、アノード層 ３４に対して負の電位に維持されていると考えられ、これはアパーチャ３６Ａ及 び３１Ａ、及び基板３１とゲッター３８との間の真空領域に存在する汚染ガスを 吸収する。 WiemannのＦＥＤは、エミッタを含む基板３０又はフェースプレート構造とは 異なる高さ位置にゲッタリング層３８を設けることにより高い活性領域面積対全 面積比を達成している。これは有益なことである。しかし、ゲッター３８がどの ように活性化されるかということ、又はそれが再活性化され得るか否かというこ とは明らかでない。更に、ゲッター３８とスペーサ３７が存在することによりＦ ＥＤの全厚みが著しく厚くなり、望ましくない結果が生ずる。ゲッターを含むＦ ＥＤでは、ゲッターの存在によりＦＥＤの全厚みを著しく厚くさせることなく、 高い活性領域面積対全面積比を達成することが望まれている。発明の概要の開示 本発明は、局所的エネルギー伝達を利用してゲッターを活性化するものである 。詳述すると、本発明によれば、光エネルギーを、例えばフラットパネル型装置 のような中空構造の一部を通して局所的に構造のキャビティー内に配置されたゲ ッターに当ててゲッターを活性化して、ゲッターがガスを吸着できるようにする 。本明細書において、エネルギー伝達について記述する際に用いられる用語「局 所的」又は「局所的に」は、そのエネルギーを、エネルギーを受けさせることを 意図した材料の一定の部分に、エネルギーを受けさせることを意図していないそ の近傍には著しくエネルギーを伝達させることなく選択的に当てることを意味す る。 局所的エネルギー伝達は、典型的にはレーザービームをゲッターに向けること によって行われる。ゲッターの活性化をレーザーで行うことにより、ゲッターの 形状を比較的単純にすることができる。例えば、本発明により活性化されるゲッ ターは、活性化ステップの前に中空構造のキャビティー内に挿入される典型的に は非蒸発型のゲッターで、好ましくは一片の非蒸発ゲッター材料からなる。従っ て本発明では。Wallace等のゲッターのような複雑なゲッター設計に伴う信頼性 についての問題や高い製造コストが回避される。 中空構造は、典型的には外側壁によって離隔されている一対のプレート構造を 含む。或る態様では、ゲッターは２つのプレート構造の間に配設される。プレー ト構造から比較的離れた位置まで延びている隣接する管や、他の不格好な副室の 中にゲッターの一部を配置する必要はない。この形態では、このような不格好な ゲッターを含む構造が破損し、フラットパネル装置又は他の中空構造に基づいて 構成された製品が破壊する可能性がなくなる。 別の態様では、中空構造が補助コンパートメントと、それより大きい主コンパ ートメントを有する。ゲッターは、補助コンパートメントの内部に配置される。 主コンパートメントとゲッターを内包する補助コンパートメントは、互いに結合 され、概ね等しい定常チャンバ圧力を達成している。 中空構造が２つのプレート構造及び間に挟まれた外側壁を有するとき、これら の３つの要素は、典型的には第２の態様における主コンパートメントを構成する 。プレート構造の一方を第１プレート構造と称するものとすると、中空構造は、 好ましくは第１プレート構造に接触し、第１プレート構造及び主コンパートメン トから離れた位置まで延在し、ゲッターを含む補助コンパートメントを形成する 補助壁を有する。プレート構造における素子用の制御回路は、典型的には、主コ ンパートメントの外側の第１プレート構造の上の補助コンパートメント側に設け られる。 上述のように中空構造を構成することにより、ゲッターを含む補助コンパート メントは、主コンパートメントから遠位まで突出した形態となる。しかし、突出 の程度は、第１図の従来のＦＥＤの場合と比較して、通常は小さい。詳述すると 、補助コンパートメントは、概ね、通常第１プレート構造の上に設けられた制御 回路より第１プレート構造から離れた位置までは延在していない。この結果、補 助コンパートメント及び制御回路の損傷を避けるために、この中空構造を取り扱 う際に払わなければならない注意の程度は、制御回路が損傷しないようにするた めに払わなければならない取り扱いの際の注意の程度より著しく大きくなること はない。第１図の従来型のＦＥＤにおけるゲッターを含む管１４の場合とは異な り、このゲッターを含む補助コンパートメントが存在することによって、必要な 取り扱いの際の注意の程度が著しく高まることはないのである。 中空構造がフラットパネルディスプレイである場合には、上述のようにディス プレイを構成し、ゲッターを内包する補助コンパートメントが、少なくとも部分 的に第１プレート構造の上にくるようにすることによって、高い活性領域面積対 全面積比を達成できると共に、比較的大きなゲッターを形成することが可能とな る。これは非常に有益なことである。補助コンパートメントが、第１プレート構 造の上に位置する制御回路より、第１プレート構造から著しく離れた位置まで延 び出していないことから、ディスプレイの全厚みは、制御回路の厚みによって決 まることになる。補助コンパートメントが存在することによって、制御回路によ って決まる厚みを超えて、ディスプレイの全厚みが著しく厚くなることはない。 結局、このように構成されたディスプレイは、ディスプレイが通常使用できる空 間の全容積を極めて効率的に利用できることになる。 中空構造内のゲッターが配置される場所に応じて、ゲッター活性化プロセスは 、通常プレート構造の一方の透明な材料を通して、若しくは補助壁が存在する場 合には補助壁を通してレーザービームを向けることによって行われる。ゲッター 自体は高い温度まで温度が上昇するが、通常は、活性化プロセスの際に生じるエ ネルギー伝達によって、プレート構造や外側壁、又は補助壁が存在する場合に補 助壁が著しく加熱されることはない。 詳述すると、衝当するレーザービームの光エネルギーが、レーザービームが通 過する透明な材料に直接吸収されることは殆どない。レーザービームがゲッター の各部を一回だけスキャンすると、ゲッター上の局部のみが高温になり、放射熱 によって生ずる二次的な加熱は殆ど生じない。本発明において、プレート構造と 外側壁及び補助壁が存在する場合に補助壁が著しく加熱されないことは、抵抗性 加熱式ゲッターと比較して大きな利点である。抵抗性過熱式ゲッターでは、ゲッ ターを活性化するた めの電流を流す導体が壁を通らなければならないことが多く、またゲッター活性 化には大電流が必要なため、導体の付随的なオーミック加熱から生ずるエネルギ ー伝達によって壁の一部が溶解するようなことが生じやすいからである。 本発明のレーザーを利用したゲッター活性化ステップは、通常その圧力が常圧 より低い密閉された環境内で行われる。密閉環境における圧力は、典型的には、 １２^-2トル未満の極めて高度な真空状態である。この結果、このゲッター活性化 技術は、高レベルの真空状態が必要とされるフラットパネルＣＲＴディスプレイ のような用途で用いるに適したものである。それにもかかわらず、典型的には不 活性ガスが存在するために、密閉された環境における圧力が１０^-2トルを超える ようなプラズマディスプレイやプラズマ液晶ディスプレイのようなデバイスにお いても本発明のゲッター活性化技術を用いることができる。何れの場合にも、ゲ ッターは密閉された環境内に存在するガスを化学的に吸着する。 また本発明は、主コンパートメント及びゲッターを内包する補助コンパートメ ントを有するフラットパネル型ディスプレイのために特に有利な構造を提供する 。このフラットパネル型ディスプレイの主コンパートメントは、第１プレート構 造、第２プレート構造、及び両プレート構造の間に延在する概ね環状の外側壁で 形成される。 このフラットパネル装置の或る実施例では、ゲッターを内包する補助コンパー トメントが補助壁で形成される。この補助壁は主コンパートメントの外部で第１ プレート構造と接触しており、第１プレート構造及び主コンパートメントから離 れた位置まで延び出し、第２プレート構造に向かって曲がり、主コンパートメン トの外側の第２プレート構造と接触する。この複コンパートメント構造は、中間 外部壁と共に主コンパートメントを形成している２つのプレート構造の一方のみ が、隣接する補助 コンパートメントの形成において利用されている複コンパートメント構造よりは いくらか複雑である。しかし、この複コンパートメント構造における２つのコン パートメントは、外側壁に設けられた１以上の開口部を通して連通され得る。補 助コンパートメントを形成するためにプレート構造の一方のみが利用されている より単純な構造においては通常必要となるような、プレート構造の一方を通して コンパートメント間を連通させることは不要である。このように、この複コンパ ートメント構造では、プレート構造の一方に開口が設けられるために構造的脆弱 さが生じることがない。 このフラットパネル装置の別の実施例では、外側壁が主コンパートメントに対 向する壁内側表面を有する。補助コンパートメントとしての役目を果たすキャビ ティーは、壁内側表面から、部分的に外側壁を通して延在する。ゲッターは少な くとも部分的にキャビティー内に配置される。このようにフラットパネル装置を 形成することにより、ゲッターを内包するキャビティーと主コンパートメントを 連通させるために主コンパートメントの壁を貫通する開口を設ける必要がなくな ることから装置の製造が容易になる。ゲッターを内包するキャビティーを外側壁 に配置することにより、主コンパートメントの内部領域の上にゲッターを配置す る必要なく、装置の気密状態を達成するに十分な厚みに外側壁を形成することが 可能となり、これによってフラットパネル装置の全体のサイズを小さくすること ができる。 概略を述べると、本発明は、高い表示性能を達成するために高度な真空状態が 必要なフラットパネル装置、特にＣＲＴのフラットパネルディスプレイに配置さ れたゲッターを活性化するための簡単な技術と共に、フラットパネル装置内にゲ ッターを含入する重要な構造を提供する。重要なことは、ゲッターが、非常に単 純な形状、即ち一片の非蒸発ゲッタ リング材料を含み得る点である。またゲッターの取り付け及び活性化は、コスト をかけずに行うことができる。また本発明では、活性化プロセス時にエネルギー 伝達によって中空構造が損傷を受ける可能性は非常に低くなっている。装置の全 厚み又は装置の全占有面積を著しく高めることなく、かなり大きいゲッターを形 成することができる。従って、本発明は従来技術と比較して大きな進歩性を有す る。図面の簡単な説明 第１図は、蒸発型ゲッターを含むポンプアウト管を備えた従来型のフラットパ ネルＣＲＴディスプレイの断面図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は、従来の非蒸発型ゲッターの断面図である。 第３．１図は、従来型のフラットパネル型ＣＲＴディスプレイの、ゲッターを 内包するフェースプレート構造の断面図である。 第３．２ａ図及び第３．２ｂ図は、それぞれ、ポンプアウト管を閉じる前及び 後の、従来型フラットディスプレイスクリーンにおけるゲッター／ポンプアウト 構造の断面図である。 第３．３図は、ゲッタリング層が電子エミッタを含む基板から離隔されたバッ クプレート上に存在する、従来型のフラットパネルＣＲＴディスプレイの断面図 である。 第４ａ図〜第４ｈ図は、本発明によるフラットパネルディスプレイのゲッター をレーザーで活性化させるステップを表す断面図である。 第５ａ図及び第５ｂ図はそれぞれ、第４ａ図及び第４ｂにおけるフェースプレ ート構造及びその上層をなす構成要素の平面断面図である。第５ａ図及び第５ｂ 図の断面図は、それぞれ、第４ａ図及び第４ｂ図の面５ａ−５ａ及び５ｂ−５ｂ で切った断面である。第４ａ図及び第４ｂ図の断面図はそれぞれ、第５ａ図及び 第５ｂ図における面４ａ−４ａ及び ４ｂ−４ｂで切った断面である。 第６図は、第４ｂ図及び第５ｂ図のフェースプレート構造及びその上層をなす 構成要素の別の側断面図である。第６図の断面は、第４ｂ図及び第５ｂ図の面６ −６で切った断面である。第６ｂ図及び第５ｂ図の断面はそれぞれ、第６図にお ける面４ｂ−４ｂ及び５ｂ−５ｂで切った断面である。 第７ａ図及び第７ｂ図は、本発明によりレーザー活性化されるのに適した非蒸 発型ゲッターを内包するより小型の補助コンパートメント及び主コンパートメン トを有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの側断面図である。第７ａ図の断 面は、第７ｂ図の面７ａ−７ａで切った断面である。第７ｂ図の断面は、第７ａ 図の面７ｂ−７ｂで切った断面である。 第８図は、第７図及び第７ｂ図におけるフラットパネルＣＲＴディスプレイの 平面断面図である。第８図の断面は、第７ａ図及び第７ｂ図の面８−８で切った 断面である。第７ａ図及び第７ｂ図の断面はそれぞれ、第８図における面７ａ− ７ａ及び７ｂ−７ｂで切った断面である。 第９ａ図及び第９ｂ図は、第７ｂ図に対応する側断面図であり、本発明による 、第７ａ図、第７ｂ図、及び第８図のフラットパネル型ＣＲＴディスプレイにお けるゲッターのレーザー活性化を示している。 第１０図は、第７ａ図に対応する側断面図であり、第７ａ図、第７ｂ図、及び 第８図のディスプレイ上に設けられた制御回路を示している。 第１１ａ図及び第１１ｂ図は、第７ｂ図に対応する側断面図であり、それぞれ ポンプアウト管を閉じる前及び後に第７ａ図、第７ｂ図、及び第８図のディスプ レイがどのような状態にあるかを示している。 第１２ａ図及び第１２ｂ図は、本発明により、レーザー活性化されるために適 したゲッターを内包するより小さい補助コンパートメントと主 コンパートメントとを有するように、本発明に従って構成されたフラットパネル ＣＲＴディスプレイの側断面図である。第１２ａ図の断面は、第１２ｂ図の面１ ２ａ−１２ａに沿って切った断面である。第２ｂ図の断面は、第１２ａ図の面１ ２ｂ−１２ｂで切った断面である。 第１３図は、第１２ａ図及び第１２ｂ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ の平面断面図である。第１３図の断面は、第１２ａ図及び第１２ｂ図の面１３− １３で切った断面である。第１２ａ図及び第１２ｂ図の断面はそれぞれ、第１３ 図の面１２ａ−１２ａ及び１２ｂ−１２ｂで切った断面である。 第１４ａ図及び第１４ｂ図は、第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のフラ ットパネルディスプレイにおける補助コンパートメントの、本発明による二部品 型の補助壁を組み立てたところを示す斜視図である。 第１５ａ図及び第１５ｂ図は、第１２ｂ図に対応する側断面図であり、本発明 による、第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のフラットパネルＣＲＴディス プレイにおけるゲッターのレーザー活性化を示している。 第１６図は、第１３ａ図に対応する側断面図であり、本発明により、第１２ａ 図、第１２ｂ図、及び第１３図のディスプレイ上に設けられた制御回路を示して いる。 第１７ａ図及び第１７ｂ図は、第１３ｂ図に対応する側断面図であり、それぞ れ、本発明によりディスプレイ上に設けられたポンプアウト管を閉じる前及び後 の第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のディスプレイの状態がどのようにな っているかを示した図である。 第１８ａ図及び第１８ｂ図は、本発明によりレーザー活性化されるのに適した ゲッターを内包するより小型の補助コンパートメントと主コンパートメントを有 する、本発明に従って形成された別のフラットパネルＣＲＴディスプレイの側断 面図である。第１８ａ図の断面は、第１８ｂ 図の面１８ａ−１８ａで切った断面であり、第１８ｂ図の断面は、第１８ａ図の 面１８ｂ−１８ｂで切った断面である。 第１９図は、第１８ａ図及び第１８ｂ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ における外側壁の一部の斜視図である。 図面及び好適実施例の説明において、同一の、又は非常に類似した要素又は要 素群を表すために類似の符号が用いられている。好適実施例の説明 第４ａ図〜第４ｈ図（集合的に「第４図」）は、ディスプレイの組立の際に（ 気密状態にすることを含む）、フラットパネルディスプレイの非蒸発型ゲッター が、本発明に従ってどのようにレーザー活性化されるかを示す図である。第４図 は側面図である。第５ａ図及び第５ｂ図（集合的に「第５図」）は、それぞれ第 ４ａ図及び第４ｂ図に示す段階における、フラットパネルディスプレイのフェー スプレート構造及びその上層をなす構成要素の平面図である。第６図は、第４ｂ 図に示された段階におけるフェースプレート構造及びその上側の構成要素を、第 ４ｂ図の平面に対して垂直な平面で切った側断面図である。 本明細書において、フラットパネルディスプレイのフェースプレート構造の「 外側」表面は、視聴者が見ることができるディスプレイの画像が表示される表面 である。フェースプレート構造の反対側は、その「内側」表面と称される。これ はフェースプレート構造の内側表面の一部が、外側壁によってベースプレート構 造とフェースプレート構造で密閉構造をつくることにより形成されるエンクロー ジャの外部であっても内側表面と称される。同様に、フェースプレート構造の内 側表面に対向するベースプレート構造の表面は、ベースプレート構造の「内側」 表面と称される。これは、ベースプレート構造の内側表面の一部が、通常２枚の プ レート構造及び外側壁によって形成された密閉エンクロージャの外部であっても 「内側」表面と称される。その内部表面に対して反対側のベースプレート構造の 側は、ベースプレート構造の「外側」表面と称される。 上述のように、第４図のプロセスによって組み立てられたフラットパネルディ スプレイの構成要素には、ベースプレート構造４０、フェースプレート構造４２ 、外側壁４４、及びスペーサ壁４６の群が含まれる。ベースプレート構造４０及 びフェースプレート構造４２は、一般に環状の形状を有する。プレート構造４０ 及び４２の内部構造は図示されていない。しかし、ベースプレート構造４０は、 フェースプレート、及びベースプレートの内側表面上に形成された１以上の層か らなる。フェースプレート構造４２は、透明なフェースプレート及びフェースプ レートの内側表面上に形成された１以上の層からなる。外側壁４４は、矩形に構 成された４つの小壁からなる。スペーサ壁４６は、第５ａ図に示すように活性化 された表示領域４８全体にわたって延在しており、密閉されたディスプレイにお けるプレート構造４０と４２の間の一定の間隔を維持し、かつディスプレイに強 度を与えている。 第４図のプロセスに従って組み立てられたフラットパネルディスプレイは、Ｃ ＲＴディスプレイや真空蛍光ディスプレイのような多数の異なるタイプの真空式 フラットパネルディスプレイや、プラズマディスプレイやプラズマ処理した液晶 ディスプレイのような多数の減圧式フラットパネルディスプレイの何れかであり 得る。電界放出の原理に従って動作するフラットパネルＣＲＴディスプレイでは 、ベースプレート構造４０が、ベースプレート上に設けられた電界放出素子の画 素（ピクセル）の二次元配列を含む。電子放出素子は電界放出力ソードを形成し ている。 詳述すると、電界放出ディスプレイ（或いは「ＦＥＤ」）におけるベースプレ ート構造４０は、典型的には、ベースプレートを行方向に横断 して延在するエミッタ行電極の群を有する。電極間絶縁層はエミッタ電極の上層 をなし、エミッタ電極の間の空間においてベースプレートに接触している。ベー スプレート構造４０における各ピクセルの位置では、多数の開口部が、電極間絶 縁層を通して延在しており、対応するエミッタ電極の１つに達している。典型的 には円錐形状又はフィラメント形状の電子放出素子は、電極間絶縁体における各 開口部に配置されている。 パターニングされたゲート層は、電極間絶縁体上に配置されている。各電子放 出素子は、ゲート層の対応する開口部を通して露出されている。パターニングさ れたゲート層、又はゲート層に接触している別の列電極層の何れかより形成され た列電極の群は、行方向に対して直交する列方向に電極間絶縁体上に延在してい る。各行電極及び各列電極におけるピクセルからの電子の放出は、行電極及び列 電極に適切な電圧を印加することにより制御される。 ＦＥＤにおけるフェースプレート構造４２は、透明なフェースプレートの内側 表面上に形成された燐光体画素の二次元配列を含む。アノード、つまりコレクタ 電極は、構造４２における燐光体に隣接する位置に配置されている。アノードは 燐光体の上に配置され得、従って燐光体によってフェースプレートから離隔され ている。この場合、アノードは、典型的にはアルミニウムのような導電性の光反 射性材料の薄い層からなり、放出された電子はそれを容易に通過して燐光体に衝 当し得る。この光反射性層によって、後ろ向きにフェースプレートに向かって進 む光をある程度反射することによりディスプレイの輝度を高めることができる。 米国特許第5,424,605号及び第5,477,105号には、上述のように構成されたフェー スプレート構造４２を有するＦＥＤの例が記載されている。別形態として、フェ ースプレートと燐光体との間に配置される、インジウム錫酸化物のような導電性 の透明な材料の薄い層でアノードを形成する こともできる。 ＦＥＤが上述の何れかの形態に構成されているとき、ベースプレート構造４０ の行電極及び列電極に適切な電圧を印加することにより、選択されたピクセルに おいて、電子が電子放出素子から引き出されることになる。適切な高電圧が印加 されるアノードは、引き出された電子をフェースプレート構造４２の対応するピ クセルにおける燐光体に向ける。電子が燐光体に衝当すると、その燐光体はフェ ースプレートの外側表面から可視光を発光し、所望の画像を形成する。カラー動 作の場合には、各燐光体ピクセルが、ベースプレート上に形成された対応する３ つの小ピクセルにおける電子放出素子から放出された電子が衝当したとき、それ ぞれ青、赤、及び緑の光を発光する３つの燐光体小ピクセルを含んでいる。 ベースプレート構造４０は、外側壁４４及びフェースプレート構造４２ととも に気密状態に密閉された構造を作る。第４ａ図及び第５ａ図に示す段階では、外 側壁４４がフェースプレート構造４２に対して密着(つまり結合)される。外側壁 ４４は、典型的には矩形の円環の形態に構成されたフリット（frit）からなる。 スペーサ壁４４は、外側壁４４内部のフェースプレート構造４２の内側表面上に 取り付けられる。スペーサ壁４６は、通常外側壁４４より高い。複合構造４２／ ４４／４６を構造４０に対して気密状態となるように密着結合した部分は、（ａ ）外側壁４４の上側エッジ４４Ｓによって形成された環状の矩形の密着結合領域 及び（ｂ）ベースプレート構造４０の内側表面に沿った環状の矩形の密着結合領 域４０Ｓに沿って形成される。 ベースプレート構造４０は、密着結合領域４０Ｓの少なくとも一部分（通常は その大部分）及びゲッターの活性化のための光エネルギーが通過する領域におい て透明である。ベースプレート構造４０における不透 明な導電性（通常は金属製）のラインは、典型的には密着結合領域４０Ｓと交差 する。このような不透明のラインは、このような交差が生じている場所では十分 に薄くなっており、ラインが構造４０を通した光エネルギーの局所的な伝達に著 しい影響を与えないようになっている。 非蒸発型ゲッターストリップ５０及び一対の熱的に（及び電気的に）絶縁性の ゲッター支持体５２からなるゲッター構造は、外側壁４４内部のフェースプレー ト構造４２の内側表面上に取着される。第４ｂ図、第５ｂ図、及び第６図を参照 されたい。第５ｂ図に示すように、ゲッター構造５０／５２は、活性ディスプレ イ領域４８の外側に配置される。ゲッター支持体５２は、フェースプレート構造 ５２に結合されている。非蒸発型ゲッターストリップ５０の末端は、支持体５２ の中ほどの高さ位置に配置されたスロット型のキャビティに配置される。このス ロットは、支持体５２の幅より僅かに細いものである。スロットはまた、ゲッタ ーストリップ５０の末端部の厚み及びゲッターの幅よりも僅かに大きく、これに よって熱膨張を受容する余地が形成され得る。 このように構成されたゲッター構造５０／５２を用いると、非蒸発型ゲッター ５０は、フェースプレート構造４２、外側壁４４、及びスペーサ壁４６から離隔 される。またベースプレート構造４０が外側壁４４を介してフェースプレート構 造４２に結合されると、ゲッター５０はベースプレート構造４０からも離隔され る。これによって、ゲッターストリップ５０の上側及び下側表面の双方が、その 外側エッジ部分にそって、ガス回収機能を果たすようになる。ゲッター支持体５ ２が熱的（及び電気的）絶縁体であることから、ゲッター５０は、フェースプレ ート４２、外側壁４４、及びスペーサ壁４６から熱的（及び電気的）に絶縁され ており、ベースプレート構造４０からも熱的（及び電気的）に絶縁されている。 非蒸発型ゲッター５０は、典型的には、第２ｂ図に示すように初めに形成され る。内部ストリップ１８Ｂは、通常ニクロム又はニッケルからなる。ゲッター被 膜１９Ｂは、チタン及びジルコニウムとアルミニウムのゲッタリング合金若しく はジルコニウム、バナジウム、及び鉄のゲッタリング合金の何れかの多孔性混合 物からなる。例えば、ゲッター５０は、典型的にはSAES Getters製のSt121又はS t122ゲッターストリップに類似のゲッターストリップである。内部ストリップ１ ８Ｂの厚みは０．０２〜０．１ｍｍであり、ゲッターの全厚みは０．１〜０．５ ｍｍである。ゲッターの幅は概ね２ｍｍである。 ゲッター５０の外側表面は、通常フラットパネルディスプレイ全体に対して十 分なゲッタリング能力を与えるだけの十分な大きさとなるように選択される。し かし、ゲッター５０の外側表面が、ディスプレイのその部分においてゲッター５ ０のために使用できる空間における必要なゲッタリング能力を達成するに不十分 なものである場合、ゲッター構造５０／５２に類似した形状の１以上の追加のゲ ッター構造を、フェースプレート構造４２の内部表面上の別の部位に設けること ができる。例えば、このような別のゲッター構造を、ゲッター構造５０／５２が 位置するところから反対側の活性領域４８上に設けることができる。小形のゲッ ター構造が有益である場合、つまり大形のゲッター構造を形成することに対する 制限を設けることが有益である場合には、ゲッター構造５０に類似した形状の１ 以上のゲッター構造をゲッター構造５０／５２の隣に設けることもできる。 ゲッター支持体５２は、通常外側壁４４より僅かに短い。ゲッター５２を受容 するスロットを除いて、支持体５２は、概ね矩形の中実構造である。支持体５２ は、典型的には適切なモールディングプロセスによって形成される。適切な支持 体材料を加工して支持体５２を形成すること もできる。 ゲッターストリップ５０が長すぎて、重力又は／及び他の力の影響のために曲 がってベースプレート構造４０又はフェースプレート構造４２に接触しがちな場 合には、１以上の追加の熱的に（及び電気的に）絶縁性の支持体をゲッター５０ に沿って設けて、ゲッターが構造４０又は４２に接触するのを防止する。各追加 のゲッター支持体の一部分はフェースプレート構造４２とゲッター５０との間に 、各追加の支持体の残り部分はゲッター５０の上に位置して、ゲッターがベース プレート構造４０から離隔された状態を確保している。追加のゲッター支持体の 存在はゲッター領域を占めてしまうため、追加のゲッター支持体の数は適切な少 ない数にするのが好ましい。 適切な整合システム（図示せず）を用いることにより、構造体４０及び４２／ ４４／４６／５０／５２は、第４ｃ図に示すような相対的な位置に配置される。 これによって、密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓの位置合わせがなされ(第４ｃ図 に垂直方向に示されている)、ベースプレート構造４０の内側表面がスペーサ壁 ４６の上側エッジ部に接触することになる。ゲッター支持体５２は外側壁４４よ り短く、従ってベースプレート構造４０は、スペーサ壁４６より短いために支持 体５２から垂直方向に離隔される。この整合は、非真空環境で通常は室温におい てなされるのが最適であり、位置合わせマークがプレート構造４０及び４２の上 にそれらの位置合わせのために設けられ、密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓがこれ によって位置合わせされる。プレート構造４０及び４２及び外側壁４４はこのと きキャビティーを有する中空構造を形成する。キャビティーの内部にはスペーサ 壁４６及びゲッター構造５０／５２が配置される。スペーサ壁４６は、外側壁４ ０よりも十分に高く、ギャップ５２は密着結合領域４４Ｓと４０Ｓとの間に延在 する形となる。 構造４０及び４２／４４／４６／５０／５２が整合システムに配置さ れている場合、構造４０を、構造４２／４４／４６／５０／５２に対して固定し た位置に保持するためにタック止め処理が行われる。タック止め処理（tacking operation）及びその後のギャップジャンピング（gap jumping）最終密着結合処 理を行うための技術は、Fahlen等による同時出願の国際特許出願 （ 代理人案件番号Ｍ−４５７２ＰＣＴ）に記載されており、この出願の内容は、こ こに引用することにより本明細書と一体にされたものとする。 第４図のプロセスでは、タック止め処理は、通常整合された密着結合領域４０ Ｓ及び４４Ｓに沿ったいくつかの位置において構造４０を構造４２／４４／４６ ／５０／５２に対してタック止めするレーザー（図示せず）を用いて行われる。 第４ｃ図を参照されたい。タック止め処理によって、外側壁４４の一部分４４Ａ が、上向きに突出し、ベースプレート構造４０に固く結合することになる。タッ ク止め処理は、外側壁４４の外側に配設された別のタックポストを用いて選択的 に行われ得、プレート構造４０及び４２に適切な接着剤を用いてタック止めされ 得る。 タック止めされ／部分的に密着結合されたフラットパネルディスプレイは、整 合システムから取り出され、第４ｄ図に示すように、レーザー活性化ゲッター５ ０用及び完全な気密状態にする他の処理を行うための真空チャンバ５６内に設置 される。真空チャンバ５６は、周囲圧力からポンプにより１０^-2トル以下、典型 的には１０^-6トル以下の圧力の高レベルの真空状態まで減圧される。 レーザービーム６０を生成するレーザー５８は、真空チャンバ５６の外部に配 置される。レーザー５８は、レーザービーム６０がチャンバ５６の透明な窓５６ Ｗを通過して次にベースプレート構造４０の透明な材料を通過し、ゲッター５０ に衝当できるように配置される。窓５６Ｗは、典型的には水晶からなる。 べースプレート構造４０の透明な材料は通常ガラスからなる。レーザービーム ６０は、ガラスが光エネルギーを著しく吸収しない主波長を有する。例えば、ベ ースプレート構造４０の透明な材料がSchott D263ガラスからなるとき、レーザ ービーム６０の波長は概ね０．３〜２．５μｍの範囲にあり、この範囲ではScho tt D263ガラスはほぼ完全に光を透過させる。光の透過性に関連してここで用い られている場合、「ほぼ完全に」とは、９０％以上の透過率を意味する。この結 果レーザービーム６０の熱エネルギーは、レーザービーム６０が構造４０の透明 な材料を通過したときにベースプレート構造４０に直接伝達されることは殆どな くなる。同様に、レーザービーム６０の熱エネルギーの実質的な一部分がフェー スプレート構造４２、外側壁４４、又はスペーサ壁４６の何れかに直接伝達され ることも殆どない。 レーザー５８は、例えば半導体ダイオードレーザー、二酸化炭素レーザー（ビ ームオフセットが９０）、紫外線レーザー、又はネオジムＹＡＧレーザーのよう な多数の異なるタイプのレーザーの何れかで実現され得る。例えば、レーザー５ ８は、典型的にはそのビームの波長が概ね０．８５μｍである、Optopower OPCA 015-810-FCPS連続波一体型繊維結合式ダイオードレーザーのようなダイオード レーザーである。レーザーのパワーは通常２〜５Ｗである。ゲッターストリップ ５０の幅は、典型的にはレーザービーム６０の直径以下である。ゲッター５０の 幅が２ｍｍである場合、ビーム６０の直径は典型的には３ｍｍである。 構造が室温でタック止めされており、チャンバ５６内の圧力が高度に真空状態 にある場合、レーザービーム６０は、所望に応じてゲッター５０の長さ方向に沿 ってスキャンされ、その温度をゲッター５０を活性化するのに十分なレベルまで 上昇させる。活性化温度は３００〜９５０℃の範囲にある。より具体的には活性 化温度は７００〜９００℃であり、 典型的には８００℃である。 ゲッターストリップ５０の長さ方向に沿ったスキャンを一回行えば、レーザー ビーム６０の直径がゲッター５０の幅以上である限り、ゲッター５０の全てのゲ ッタリング材料を活性化するのに十分である。ビーム６０の直径が、ゲッタース トリップ５０の幅と比較して小さすぎ、ゲッタリング材料が１回のレーザースキ ャンの間に活性化されない傾向がある場合には、ビーム６０は、ゲッター５０の 長さ方向に沿って延びる異なる横向きの別々の経路に沿って２回以上スキャンす ることができる。 レーザー５８が上述のように操作されているとき、ゲッターストリップ５０の 各部分は一度だけレーザービーム６０を直接受けることになる。ビーム６０を受 けた直後のゲッター５０の一部はゲッター５０のその部分を活性化するために十 分高い温度に上昇するが、ゲッター５０の活性化された部分の温度はビーム６０ が通過すると急速に下がる。この結果、常にゲッター５０の局所的な一部分のみ が高温にあることになる。従って、ゲッター５０からの放射熱による要素４０〜 ４６の二次的な加熱は極僅かである。 加熱素子（図示せず）を用いて、フラットパネルディスプレイの温度を２００ 〜３５０℃、典型的には３００℃のバイアス温度まで上昇させる。温度の上昇は 通常３〜５℃／分の温度上昇速度で、概ね直線的に温度が上昇するように行われ る。 部分的に密着結合されたフラットパネルディスプレイの構成要素は、ディスプ レイの密閉の前に温度を上昇させる間、及びその後のバイアス温度における「均 熱する」時間の間に気体を放出する。ディスプレイ構造の中に捕捉された通常は 望ましくない気体は、真空チャンバ５６の空間部分に入り、その圧力を僅かに上 昇させる。ベースプレート構造４０を複合構造４２／４４／４６／５０／５２に 対して完全に密着結合した ときに形成されるエンクロージャからこれらのガスを取り除くために、チャンバ ５６の真空ポンプによる排気はチャンバ５６の密着結合処理の間継続される。活 性化の場合には、ゲッターストリップ５０は、温度の直線的上昇及びその後の均 熱化の間に不必要なガスを回収する助けとなる。 レーザービーム６４を生成するレーザー６２は、第４ｅ図に示すように真空チ ャンバ５６の外部に配置される。レーザー６２は、所望のパワーレベル及びビー ム直径のような要素についてレーザー５８と同一であり得る。レーザー６２は、 ビーム６４が密着結合領域４０Ｓに沿ってチャンバ窓５６Ｗ及びベースプレート 構造４０の透明な材料を通過し得るように配置される。 真空チャンバ５４の圧力が高レベルの真空状態にあり、フラットパネルディス プレイがバイアス温度にある場合、レーザービーム６４は、その後完全に整合さ れた密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓを横断するように動かされる。第４ｅ図は、 密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ってビーム６４が横断する間にフラットパネ ルディスプレイがどのように中間点に現れるかということを示した図である。必 要ならば、ビーム６４は、タック部分４４Ａをスキップすることができる。レー ザービーム６４が密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓを横断するとき、光エネルギー は、ベースプレート構造４０を透過して、ギャップ５４に沿った外側壁４４の上 側材料に局所的に伝達される。局所的エネルギー伝達によって、光エネルギーを 受けた外側壁４４の材料は溶解しギャップ５４をジャンプする。密着結合領域４ ４Ｓに沿った溶解した壁材料は、ビーム６４が通過した後固化する。 ゲッターストリップ５０は、上述のようにレーザー５８を用いてギャップジャ ンピング封止処理の際に活性化され得る。ゲッター５０が最後 のギャップジャンピング封止の前に活性化された場合、この活性化は再活性化を 構成する。また、ゲッター活性化がこの過程の間に行われる場合には、レーザー ６２は通常レーザー５８とは異なるレーザーである。 ギャップ５４は、レーザー６２による封止処理の間に除々に閉じる。ギャップ ５４が閉じると、外側壁４４をベースプレート構造４０に対して密着結合するこ とによって形成されたエンクロージャ内に存在するガスが、除々に狭まっていく ギャップ５４の残りの部分を通してエンクロージャから出ていく。ギャップ５４ が完全に閉じるのは、ビーム６４が密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓを矩形に横切 ることが終了したときである。 更なる汚染ガスは、ディスプレイ密閉プロセスの結果、真空チャンバ５６の何 もない部分に通常導入される。このようなガスの一定の部分は、プレート構造４ ０及び４２及び外側壁４４によって形成された、この時点で密閉されているコン パートメント（キャビティー）に存在する。フラットパネルディスプレイが密閉 されていることから、密閉されたエンクロージャ４０／４２／４４におけるガス は、チャンバ５６の更なる真空ポンプによる排気によって除去することはできな い。 ゲッターストリップ５０が、（チャンバ５６を所望の真空レベルまで排気した 後に）最後の密閉処理を行う前又は／及び行っている間に活性化された場合、ゲ ッター５０は、密閉エンクロージャ４０／４２／４４に存在するガスの一定の部 分を収集した。しかし、そのようにする場合、ゲッター５０のガス収集能力の一 定の部分は使い尽くされた。 何れの場合でも、ディスプレイ密閉過程が終了した後、及び密閉されたフラッ トパネルディスプレイが概ねバイアス温度にある間、上述のようにゲッター５０ を活性化するために通常はレーザー５８が用いられる。第４ｆ図は、バイアス温 度ゲッター活性化ステップを示す。ゲッター５ ０が前のように活性化された場合は、この活性化は再活性化を構成する。 密閉されたフラットパネルディスプレイの温度は、次に冷却熱サイクルに従っ て室温に戻る。この冷却熱サイクルは、瞬間的な冷却速度が、３〜５℃／分の範 囲にある選択された値を超えないように調節される。ここで用語「室温」は、外 部の（通常は室内の）周囲温度を意味し、典型的には２０〜２５℃程度である。 熱冷却サイクルの初めの自然な冷却速度が通常は３〜５℃／分を超えているため 、サイクルの初めの部分では冷却速度を３〜５℃／分の範囲にある選択された値 に維持するために熱が加えられる。加熱量は、自然冷却速度が概ね選択された値 になる温度に達するまでに除々に少なくされ、その後フラットパネルディスプレ イが次第に低下して０になる速度で自然に温度を低下できるようになる。別形態 では、冷却サイクルのこの部分において冷却速度を上げるために強制冷却を用い ることができる。 冷却時間の間に、ゲッター５０は上述のようにレーザー５８を用いて１回以上 活性化／再活性化されて、以前に回収されていなかった汚染ガス及び／又は密閉 オペレーション及び冷却の際に放出された汚染ガスを除去することができる。次 に真空チャンバにおける圧力は常圧まで上昇し、完全に密閉されたフラットパネ ルディスプレイは、チャンバ５６から取り出される。ここで用語「常圧」は外部 の環境圧力を意味し、通常１気圧程度であるが標高によって変わってくる。別形 態では、密閉されたディスプレイを室温まで冷却する前にチャンバ圧力を常圧ま で上げることができる。何れの場合にも、第４ｇ図に示す構造が得られる。密閉 されたフラットパネルディスプレイにおける要素４４Ｂは、密閉された状態にあ る外側壁４４を表す。 ゲッターストリップ５０のゲッタリング能力の一部は、エンクロージャ４０／ ４２／４４が密閉され、フラットパネルディスプレイが室温ま で下げられた後にエンクロージャ内に存在するガスの収集において使い尽くされ る。従って、ゲッター５０は、温度の低下が終了して密閉されたフラットパネル ディスプレイが概ね室温となった後に再活性化される。この再活性は、第４ｇ図 に示すようにレーザービーム６８を有するレーザー６６を用いて行われる。 ゲッターの再活性化は、密閉されたフラットパネルディスプレイが真空チャン バ５６内にある間、又はディスプレイがチャンバ５６から取り出された後に行わ れ得る。ゲッター再活性化が、フラットパネルディスプレイがチャンバ５６内に ある間に行われる場合、用いられるレーザー６６は、通常レーザー５８と同一で ある。この場合、再活性化はゲッター５０の活性化（又は再活性化）のための上 述した方法で行われる。 冷却後再活性化がフラットパネルディスプレイが真空チャンバ５６から取り出 された後に行われる場合、用いられるレーザー６６は通常はレーザービーム６８ がベースプレート構造４０の透明なガラスを通過し、ゲッター５０に当たるよう に配置された別のレーザーである。レーザービーム６０を用いるとき、レーザー ビーム６０はガラスが光を強力に透過させる波長を有する。構造４０〜４６の何 れもが再活性化の際に著しく加熱されることはない。レーザー６６はレーザー５ ８とは別のレーザーであるとき、レーザー６６の再活性化は、レーザー５８によ る活性化／再活性化と概ね同じ方式で、及び非常に類似した条件で行われる。 第４ｈ図は、ゲッター５０の冷却後再活性化が終了した後フラットパネルディ スプレイがどのような状態にあるかを示している。活性化されたゲッター５０を 備えた密閉されたディスプレイには、容易に外部回路の付加、及び／又はテレビ 、ビデオモニタ、又は他の画像表示装置への組み込みを行うことができる。 第４ｈ図の最終的なフラットパネルディスプレイでは、プレート構造 ４０及び４２、及び外側壁４４の組み合わせが、非蒸発型ゲッター５０を内包す るゲッター支持体５２を含むコンパートメント(又はチャンバ)を形成している。 別形態では、本発明に従ってレーザビームにより活性化される非蒸発型ゲッター を、要素４０〜４４で形成された主コンパートメントに隣接する補助コンパート メントに設置することができる。ゲッターを内包する補助コンパートメントは、 通常１以上の要素４０〜４４における開口部を通して主コンパートメントと連通 されており、２つのコンパートメントは概ね等しい定常コンパートメント圧力に 達する。ガス分子のランダムな動きのために、主コンパートメントに存在するガ スは、補助コンパートメントに移動し、ゲッターに吸着される。 このような複コンパートメント型フラットパネルディスプレイは、ゲッターを 内包する補助チャンバが補助コンパートメントを損傷したり、ディスプレイが破 壊されるのを回避するために高程度の取り扱い上の注意が必要となる主チャンバ から離れた位置まで突出した部分がなくなるように形成される。詳述すると、こ の非蒸発型ゲッターは、ベースプレート構造４０の外側表面の上に位置、又は概 ね上層をなし、ベースプレート構造４０の外側表面の一部の上層をなす補助コン パートメントに内包される。補助コンパートメントの垂直方向の寸法、即ちベー スプレート構造４０の外側表面に対して垂直な方向の寸法は、好ましくはその長 さが構造４０の外側表面上の、ゲッターを内包する補助コンパートメント側に設 けられた、フラットパネルディスプレイの画像発生素子を制御するための回路よ りも、ベースプレート構造４０から著しく離れない程度に垂直方向に延び出した 形態に選択される。この結果、補助コンパートメントの存在によって、制御回路 が存在するために既に必要となっている程度の取り扱い上の注意よりも更に高い レベルの取り扱い上の注意が必要となることはなくなる。 ゲッターが主コンパートメントの上層をなす、若しくは概ね上層をなすように 主コンパートメントの外側に設置される場合、ゲッターによって主コンパートメ ントの内部領域が著しく大きくなることはなくなる。この結果、このように構成 されたフラットパネル装置は、高い活性領域面積対全面積比を有するようになる 。ゲッターを内包する補助コンパートメントが、主コンパートメント上の補助コ ンパートメント側の上の制御回路より主コンパートメントから著しく突出しない ように形成されていることから、ディスプレイの全厚みは制御回路の厚み（又は 高さ）によって決まってくる。補助コンパートメントが存在することで、このよ うに形成されたフラットパネルディスプレイの全厚みが著しく厚くなることはな くなる。 第７ａ図及び第７ｂ図（集合的に「第７図」）は、本発明によりレーザ活性化 されるのに適した非蒸発型ゲッターストリップ７４を内包する小形の補助コンパ ートメント７２と主コンパートメント７０とを有する２コンパートメント型フラ ットパネルディスプレイの一実施例を示す。第８図は、第７図のフラットパネル ディスプレイの平面図を示す。第８図の平面図は、補助コンパートメント７２を 横断する断面である。 第７図に示すように、主コンパートメント７０は、プレート構造４０及び４２ 、及び外側壁４４で形成されている。第７図のベースプレート構造４０は、上述 のように電子放出素子が設けられている。同様にフェースプレート構造４２には 、上述のように発光素子が設けられている。スペーサ壁４６は主コンパートメン ト７０に存在し、プレート構造４０と４２との間に延在して構造４０と４２との 間の一定の間隔を維持し、且つディスプレイに強度を与えている。スペーサ壁４ ６は、ゲッターストリップ７４の長さ方向に対して概ね垂直に走っている。 補助コンパートメント７２はベースプレート構造４０の外側表面の一 部の上の主コンパートメント７０の上に存在する。補助コンパートメント７２は 、矩形の環状に配置された４つの比較的平坦な矩形の横部分７６Ｌと比較的平坦 な矩形の上部分７６Ｔからなる五面透明補助壁７６、及びベースプレート構造４ ０で形成される。補助壁上部分７６Ｔは、ベースプレート構造と概ね平行に延在 する。補助壁横部分７６Ｌは、壁上部分７６Ｔとベースプレート構造４０の双方 に対して概ね垂直に延在する。壁横部分７６Ｌの上側エッジは、壁上部分７６Ｔ のエッジと併合している。壁横部分７６Ｌの下側エッジは、典型的にはフリット 又はインジウム製の密着材料７８によってその外側表面に沿ってベースプレート 構造４０に気密状態を形成するように結合される。 補助壁７６は、好ましくは一体的なガラス片からなる。補助壁７６は、通常モ ールディング、ガラス吹き、エッチング、又は加工プロセスによって、そのよう な形態に形成される。補助壁７６の角部には丸みをつけることができる。別形態 として、補助壁の部分７６Ｌ及び７６Ｔを、個別に形成し、その後結合して補助 壁を形成することができる。 補助コンパートメント７２は、ベースプレート構造４０を貫通する開口８０の グループによって主コンパートメント７０と連通されている。第７ｂ図及び第８ 図は、このようなコンパートメント間の開口部８０が４つ示されている。第８図 に示すように、開口部８０は、上から見たとき円形の形状であり得る。 ゲッターストリップ７４は、典型的には、上述のゲッターストリップ５０と同 じ形状で同じように構成される。一対のゲッター支持体８２は、補助コンパート メント７２の中に配置され、その外部表面に沿ってベースプレート構造４０に結 合されている。ゲッター支持体８２は、補助壁７６、ベースプレート構造４０、 及びフラットパネルディスプレイの他の構成要素からゲッター７４を熱的（及び 電気的）に絶縁する。ゲッタ ー支持体８２は、典型的には、上述のゲッター支持体５２と類似した形状に形成 され構成される。ゲッターストリップ７４の末端は、ゲッター支持体８２の中ほ どの高さ位置に設けられたスロット型のキャビティー内に配置される。 第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイは、種々の方法で組み立てら れ得る。ベースプレート構造４０に設けられるコンパートメント間開口部８０か ら始まる典型的な組立順序では、プレート構造４０及び４２が適切な技術によっ て外側壁４４によって気密状態に結合される。次にゲッター構造７４／８４は、 ベースプレート構造４０の上に適切に配置され、その後ゲッター支持体８４がそ の外側表面に沿って構造４０に結合される。補助壁７６は、ゲッター構造７４／ ８４の上に配設され、ベースプレート構造４０に気密状態になるように結合され る。 ゲッター支持体８４をベースプレート構造４０に結合させる代わりに、第７図 及び第８図のフラットパネルディスプレイは、ゲッター支持体８２を補助壁７６ 、好ましくは上部分７６Ｔの内部に結合することによって改変され得る。次に、 ゲッター支持体８２、ゲッターストリップ７４、及び補助壁７６の組み合わせを 、後にベースプレート構造４０の上に載置されるユニットとして組み立てること ができる。典型的にはコンパートメント間開口部８０は、補助壁７６をそれ自身 で、若しくはゲッター構造７４／８２と共に予め組み立てられたユニットの一部 としてベースプレート構造４０に結合する前に、ベースプレート構造４０に設け られるが、壁７６を構造４０に結合した後に開口部８０を構造４０に設けること もできる。 ゲッターストリップ７４は、第４ｄ図、第４ｆ図、及び第４ｇ図を参照して前 に説明したのと概ね同じような方法でレーザビームによって活性化されるが、た だしこの場合はレーザビームがベースプレート構造４ ０の透明な材料ではなく上補助壁７６Ｔの透明材料を通過する。ゲッター活性化 過程での補助コンパートメント７２内の圧力は、１０^-2トル以下、典型的には１ ０^-6トル以下の高いレベルの真空状態である。またレーザビームによるゲッター 活性化温度は、３００〜９５０℃、好ましくは７００〜９００℃である。第４図 のプロセスにおける場合のように、ゲッター活性化プロセスの際にゲッタ７４以 外のディスプレイの構成要素が加熱されるのは極僅かである。 第９ａ図には、第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイが真空チャン バ５６内にある間に、レーザ５８によって生成されたレーザビーム６０がゲッタ ーストリップ７４をいかに活性化するかを示した図である。１回目のゲッタ活性 化の後、１回以上の再活性化過程が同じレーザ又は違うレーザを用いて行われ得 る。第９ｂ図には、第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイが真空チャ ンバ５６から取り出された後に、レーザ６６によって生成されたレーザビーム６ ８でゲッター７４がどのように活性化／再活性化されるかを示した図である。活 性化／再活性化の際、ゲッター７４はコンパートメント７０及び７２にガスを放 出することによって高温処理の際に生成されるガスを含む、ゲッター７４に接触 するガス（即ちガス分子又は原子）を吸着する。 第４図のプロセスの場合について上述したレーザで開始されるガスジャンピン グ技術を、第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイにおいてプレート構 造４０及び４２を外側壁４４によって気密状態を形成するように結合する際に用 いることができる。第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイのためのゲ ッター活性化、ギャップジャンプ密着、及びゲッター再活性化処理の処理シーケ ンスは、第４図のプロセスについて上述したものと同様であるが、ギャップジャ ンピングを生成するレーザビームを当てる過程が、ゲッター構造７４／８２によ ってカバ ーされたベースプレート構造４０の任意の部分を通して行われず、また典型的に は補助壁７６によってカバーされたベースプレート構造４０の任意の部分を通し て行われないという点が異なっている。第７図及び第８図に示すフラットパネル ディスプレイの特定の構造における整合した密着結合領域４０Ｓ及び４４Ｓの部 分での場合と同様に、ギャップジャンピングによって気密状態となるように密着 結合される領域をゲッター構造７４／８２又は補助壁７６がカバーするようにす ることによって生ずる問題は、外側壁４４の上にくる部分がなくなるように補助 壁７２を僅かに動かすことによって克服することができる。別形態では、ベース プレート構造４０を外側壁４４に密着結合させた後、且つ補助壁７６をベースプ レート構造４０に結合した後に、フェースプレート構造４２を外側壁４４に密着 結合させるためにギャップジャンピングを用いることができる。 制御回路は、通常第１０図に示すようにベースプレート構造４０の外側表面の 補助コンパートメント７２側に設けられる。制御回路は、典型的には、ベースプ レート構造４０に取り付けられたプリント回路基板８６上に設けられた導電性ト レース（図示せず）によって相互接続された回路素子８４からなる。制御回路８ ４／８６が密閉及び結合処理の際に受け得る高い温度を最小化するために、制御 回路８４／８６は、通常プレート構造４０及び４２を外側壁４４に密閉した後、 且つ補助壁７６をベースプレート構造４０に結合した後に、フラットパネルディ スプレイ上に設置される。第１０図は、補助壁７６が、制御回路８４／８６と同 じベースプレート構造４０からの高さ位置まで概ね延びているところを示した図 である。何れの場合においても、補助壁７６は、制御回路８４／８６よりベース プレート構造４０から離れた位置まで延び出さない。 第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイを、高レベルで真空 状態の環境においてレーザで開始されるギャップジャンピング処理を行うプロセ スによって気密状態となるように密閉する代わりに、プレート構造４０及び４２ を、外側壁４４によって気密状態となるように密着結合する処理を、適切な中性 （即ち非反応性）環境において常圧に近い圧力で行い、次いで、密閉されたディ スプレイの圧力をディスプレイからそこに設けられた適切なポート、好ましくは ディスプレイから不格好に突出していない形態のポンプアウトポートを通してガ スをポンプで排気することによって高い真空状態に低下させることができる。第 １１ａ図は、第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイの改変形態を示す 図であり、ここではガラス製のポンプアウト管８８が補助壁横部分７６Ｌの１つ における開口部９０を通して補助チャンバ７２に連通されており、本発明により ディスプレイからポンプで排気するためのポートを形成している。ポンプアウト 管８８は、制御回路８４／８６によって覆われていないベースプレート構造４０ の一部分の上に横向きに延在している。 ポンプアウト管８８は、管８８が補助壁横部分７６Ｌの１つに接触する位置に 近い縮径部分８８Ａを有する。ディスプレイが部分８８を通して１０^-2トル以下 、典型的には１０^-6トル以下の高レベルの真空状態まで排気された後、部分８８ Ａの近くに配置された適切な加熱素子を備えた加熱部８８Ａによってポンプアウ ト部分８８を閉鎖するが、この閉鎖のために縮径管部分８８Ａが用いられる。縮 径部分８８Ａの前後の圧力差（即ち、中性環境における高い外側圧力と、排気後 のディスプレイにおける非常に低い圧力との圧力差）により、それを適切に加熱 したとき部分８８は崩壊し、閉鎖することになる。管部分８８Ａを閉鎖するため の加熱も、レーザによって行われ得る。 第１１ａ図に示すように、ポンプアウト管８８は、補助コンパートメ ント７２から離れる方向に横向きに延出し、従ってコンパートメント７２の上に は位置していない。この結果、管８８を閉鎖するために縮径部分８８Ａを加熱し ても、補助壁７６に著しい応力が発生し、フラットパネルディスプレイに弱点を 発生するような熱伝達が生じることは殆どない。 第１１ｂ図は、ポンプアウトポート８８が閉鎖した後の第１１ａ図のフラット パネルディスプレイがどのような状態にあるかを示した図である。第１１ｂ図に おける要素８８Ｂは、ポンプアウト管８８閉鎖後の残った部分である。閉鎖され たポンプアウト部分８８Ｂが補助コンパートメント７２から横向きに離れる方向 に延在していることから、閉鎖された部分８８Ｂは、補助壁７６よりベースプレ ート構造４０から著しく高い位置まで延び出していない。更に、閉鎖されたポン プアウト部分８８Ｂは、通常、ベースプレート構造の外側の境界部分を超えて横 向きに延在していない。この結果、閉鎖されたポンプアウト部分８８Ｂを密閉さ れたフラットパネルディスプレイに組み込むために、ディスプレイの損傷を避け るための取り扱い上の注意を多く必要とするということはなくなる。 概ね常圧での、例えばアルゴンのような不活性ガス又は乾燥した窒素のような 中和環境において、外側壁４４によってプレート構造４０及び４２を常圧での気 密状態に密閉することは、第ｌｌａ図のフラットパネルディスプレイの場合、高 い密閉温度、典型的には３００℃の温度で行われる。補助壁７６をベースプレー ト構造４０に気密状態に結合することは、プレート構造４０及び４２と外側壁４ ４を気密状態にするための過程に対して種々の回数行うことができ、これも同様 に、概ね常圧で且つ高温下での、例えばアルゴンのような不活性ガスか乾燥した 窒素のような中和環境において行われる。 ディスプレイをその通常の動作時に損傷し得る密閉及び結合オペレーションの 間に放出されたガスのようなガスを更に放出させるために、これらの密閉及び結 合処理が終了した後、第１１ａ図のフラットパネルディスプレイに対して焼き付 け処理が行われる。この焼き付けは、１５０〜３００℃、典型的には２００℃で １〜２時間行われるのが一般的である。 次に第１１ａ図のディスプレイはポンプアウトポート８８に直接連結された適 切な真空ポンプ（図示せず）によって排気される。必要な真空レベルに達すると 、ポンプアウト管８８は縮径部分８８Ａのところで熱的に閉鎖され、第１１ｂ図 の密閉されたディスプレイが形成される。ディスプレイの排気及び管の閉鎖ステ ップは、典型的にはディスプレイが室温まで冷却された後に行われるが、ディス プレイが焼き付け温度にある間又は冷却中に行うこともできる。 非蒸発型ゲッター７４は、ポンプアウトポート８８が閉鎖された後レーザで活 性化される。最小限、第９ｂ図のレーザビーム６８によるゲッター７４の活性化 が、フラットパネルディスプレイが室温まで冷却された後に行われる。ポンプア ウトポート８８が、ディスプレイが高温である間に閉鎖された場合には、ゲッタ ー７４を、ディスプレイが高温である間及び／又は室温まで冷却している最中に １回以上、第９ａ図又は第９ｂ図のレーザビーム６０又は６８で活性化すること ができる。室温まで低下した後のゲッターの活性化は再活性化である。 第１２ａ図及び第１２ｂ図（集合的に「第１２図」）は、本発明によりレーザ 活性化されるのに適した非蒸着性ゲッターストリップ９４を内包する補助コンパ ートメント９２を有する２コンパートメント型フラットパネルディスプレイの或 る実施例を示す図である。第１２図の２コンパートメント型フラットパネルディ スプレイにおける主コンパートメン ト７０の外側に設置されたゲッターストリップ９２は、第７図及び第８図のディ スプレイにおける補助コンパートメント７２よりいくらか複雑な形状であるが、 ベースプレート構造４０を貫通する開口部による強度の低下を回避できる形状で ある。この違いを除いて、第１２図及び第１３図の２コンパートメント型ディス プレイは、第７図及び第８図の２コンパートメント型ディスプレイの全ての利点 、特に高い活性領域面積対全面積比を概ね達成している。第１３図は、第１２図 のフラットパネルディスプレイの平面図である。第１３図の平面図は、ベースプ レート構造４０の上の補助コンパートメント９２の部分を横断する断面である。 第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイにおける主コンパートメ ント７０は、第７図及び第８図のディスプレイと同様に、プレート構造４０及び ４２及び外側壁４４で形成されている。しかし、第１２図及び第１３図のディス プレイでは、ベースプレート構造４０は左側エッジにおいて僅かに短く、第１２ 図及び第１３図のディスプレイではフェースプレート構造４２は左側エッジにお いて僅かに長い。第１２及び第１３図のディスプレイではプレート構造４０及び ４２のそれぞれが、上述のように電子放出素子及び発光素子を有している。スペ ーサ壁４６は、ゲッターストリップ９６の長さ方向に対して垂直な方向に延びて いる。 補助コンパートメント９２は、ベースプレート構造４０の外側表面の一部分の 上にあるより大形の主コンパートメント７０の上に配置され、主コンパートメン ト７０より高い位置まで延在しており、フェースプレート構造４２の内側表面の 一部の上に達している。補助コンパートメント９２は、ベースプレート構造４０ 、フェースプレート構造４２、及び比較的平坦な矩形の上部分９６Ｔと、矩形の 環状に構成された４つの比較的平坦な横部分９６Ｌ１、９６Ｌ２、９６Ｌ３、及 び９６Ｌ４（集合 的に「９６Ｌ」）からなる五面の透明な補助壁で形成される。上壁部分９６Ｔは 、ベースプレート構造４０と概ね平行に延びている。横壁部分９６Ｌは、上壁部 分９６Ｔ及びプレート構造４０及び４２に対して概ね垂直な方向に延びている。 横壁部分９６Ｌの上側エッジ部分は、上側壁部分９６Ｔと併合している。 対向する横補助壁部分９６Ｌ１及び９６Ｌ２は、矩形の形状をしている。横壁 部分９６Ｌ１の下側エッジ部分は、その外側表面に沿ってベースプレート構造４ ０に気密状態となるように結合されている。横壁部分９６Ｌ２の下側エッジ部分 は、ベースプレート構造４０と重複していない位置においてその内側表面に沿っ てフェースプレート構造４２に気密状態となるように結合されている。 各対向する横補助壁部分９６Ｌ３及び９６Ｌ４は、矩形部分の角部の１つが除 去された矩形の形状を有する。各横壁部分９６Ｌ３及び９６Ｌ４の下側エッジは 、ベースプレート構造４０、外側壁４４の外側表面、及びフェースプレート構造 ４２の内側表面にそれぞれ結合された上側エッジ部分、横側エッジ部分、及び下 側エッジ部分を有する。補助的横側壁部分９６Ｌの要素４０〜４４への結合は、 典型的にはフリットである密閉材料９８を用いて行われる。 補助壁部分９６Ｌ及び９６Ｔ（集合的に「９６」）は、典型的には一体的なガ ラス片からなる。補助的壁７６の場合のように、補助的壁９６は、通常モールデ ィング、ガラス吹き、エッチング、又は加工プロセスによって形成される。同様 に、補助壁９６の角部は丸角にされ得る。別形態として、補助壁部分９６Ｌ及び ９６Ｔを別々に形成して、その後両者を結合することもできる。 第１４ａ図及び第１４ｂ図（集合的に「第１４図」）は、２部品からなる要素 として補助壁９６を形成する方法を示している。第１４ａ図に 示すように、補助壁９６の２つの構成要素は、五面上壁部分９６Ａ及び三面下壁 部分９６Ｂである。上補助壁部分９６Ａは、その複合上側エッジ部分が上壁部分 ９６Ｔの周囲エッジと併合する同じ高さの壁部分９６Ｌ１、９６Ｌ２Ｕ、９６Ｌ ３Ｕ、及び９６Ｌ４Ｕからなる環状の四面壁部分に併合する上壁部分９６Ｔから なる。下補助壁部分９６Ｂは、部分的に環状の壁を形成する同じ高さの壁部分９ ６Ｌ２Ｌ、９６Ｌ３Ｌ、及び９５Ｌ４Ｌからなる。第１４ａ図の各壁部分９６Ａ 及び９６Ｂは、典型的にはモールディング、ガラス吹き、エッチング、又は加工 により形成される。 上壁部分９６Ａの下側エッジは、第１４ｂ図に示すように結合材料９６Ｊによ って下壁部分９６Ｂの上側エッジに結合される。この結合は、壁部分９６Ｌ２Ｕ 及び９６Ｌ２Ｌが、互いに結合されて、壁部分９６Ｌを形成し、壁部分９６Ｌ３ Ｕ及び９６Ｌ３Ｌが互いに結合されて壁部分９６Ｌ３を形成し、且つ壁部分９６ Ｌ４Ｕ及び９６Ｌ４Ｌが互いに結合されて壁部分９６Ｌ４を形成するように行わ れる。第１４図に示すように補助コンパートメント９６を形成するために、第１ ２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイが他の密閉材（結合材料９６Ｊ ）を有する必要はあるが、図示されているように壁部分９６Ａ及び９６Ｂから補 助壁９６を組み立てることにより、壁９６の製造が容易になる。 補助コンパートメント９２が外側壁４４の１個の小壁を貫通する１以上の開口 部１００によって主コンパートメント７０と連通される。このようなコンパート メント間開口部１００の１つが第１２図及び第１３図に示されている。第１２図 及び第１３図のコンパートメント間開口部１００は、外側壁４４の全高さ分まで 延びており、このように延在していない場合には環状の壁４４にギャップが形成 される。外側壁４４を貫通する１以上の開口部によってコンパートメント７０及 び９２を相互連結 することにより、ベースプレート構造４０を貫通する１以上の開口部によってコ ンパートメント７０及び９２を連通させる必要がなくなる。ベースプレート構造 ４０を貫通する開口部の存在によってフラットパネルディスプレイに生じ得る弱 点は、第１２及び第１３図のディスプレイでは避けることができる。 第７図及び第８図のディスプレイにおけるゲッターストリップ７４の場合のよ うに、ゲッターストリップ９４は、典型的には、上述のゲッターストリップ５０ と同じ形状に形成され、構成される。一対のゲッター支持体１０２は、ベースプ レート構造４０の上の補助コンパートメント９２の中に配置され、その外側表面 に沿って構造４０に結合される。ゲッター支持体１０２は、第１２ａ図の例に示 すようにベースプレート構造４０の外周部を超えて僅かに横向きに延在し得る。 ゲッター支持体１０２は、補助壁９２、プレート構造４０及び４２、及び他のデ ィスプレイ構成要素からゲッター９０を熱的に（及び電気的に）絶縁する。第７ 図及び第８図のディスプレイにおけるゲッター支持体８２の場合と同様に、ゲッ ター支持体１０２は、典型的には、ゲッター支持体５２と類似の形態に形成され 構成される。ゲッターストリップ９４の末端部は、ゲッター支持体１０２の中ほ どの高さ位置に設けられたスロット内に配置される。従って、ゲッター９４は、 プレート構造４０及び４２及び壁４４及び９６から離隔される。 第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイは、典型的には第７図及 び第８図のディスプレイと類似の方式で、様々な方法で組み立てられ得る。外側 壁４４に設けられるコンパートメント間開口部１００から始まる組立シーケンス の一例では、プレート構造４０及び４２が、適切な技術によって外側壁４４によ り互いに気密状態になるように密着結合される。要素４０〜４４を気密状態に密 着結合する際には、上述の レーザで開始されるギャップジャンピング技術を用いることができる。ゲッター 構造９４／１０２は、ゲッター支持体１０２を構造４０に結合した後、ベースプ レート構造４０の上に配置される。最後に、補助壁９６は、ゲッター構造９４／ １０２の上に配置され、プレート構造４０及び４２に気密状態に結合される。 第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイにおいて行ったことに類似し て、第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイを、ゲッター支持体１ ０２をベースプレート構造４０ではなく補助チャンバ９６、同様に好ましくは上 壁部分９６Ｔの内側に結合することにより改変することができる。次にゲッター 支持体８２、ゲッター９４、及び補助壁９６の組み合わせを、ベースプレート構 造４０上に設置されるユニットとして予め形成することができる。 ゲッターストリップ９４は、第７図及び第８図のディスプレイのゲッタースト リップ７４について上述したのと同じ方法で、レーザビームにより活性化される 。即ちこのゲッターストリップの活性化は、レーザビームがベースプレート構造 ４０ではなく上補助壁部分９６Ｔの透明な材料を通過する点を除いて、第４ｄ図 、第４ｆ図、及び第４ｇ図について上述したのと概ね同じ方法で行われる。レー ザビームによるゲッター９４の活性化に対する温度及び圧力のパラメータは、ゲ ッター７４のレーザ活性化の場合と同じである。第１２図及び第１３図のフラッ トパネルディスプレイを気密状態に密着結合するのにギャップジャンピングが用 いられるとき、このギャップジャンピングは、第７図及び第８図のディスプレイ について上述した方法を改変したものであるのが一般的である。即ち、典型的に はギャップジャンピングは、ベースプレート構造−外側壁境界面ではなく、フェ ースプレート構造−外側壁境界面に沿って行われる。 第１５ａ図は、第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイが真空チ ャンバ５６内にあるときゲッターストリップ９４がどのようにしてレーザビーム ６０で活性化されるかを示した図である。初めにゲッター９４を活性化した後、 同じレーザ又は別のレーザで１回以上の再活性化過程が行われ得る。第１５ｂ図 は、第１２図及び第１３図のディスプレイをチャンバ５６から取り出した後ゲッ ターストリップ９４がレーザビーム６８でどのように活性化／再活性化されるか を示した図である。活性化／再活性化されるとき、ゲッター９４は、コンパート メント７０及び９２においてガス放出されることにより高温オペレーションの間 に発生するガスを含む、ゲッター９４に接触してくるガスを吸着する。 ベースプレート構造４０の外側表面に取り付けられたプリント回路基板８６上 の導電トレースによって相互接続された回路素子８４からなる制御回路は、第１ ６図に示すように、第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイ上の補 助コンパートメント９２の側に設けられる。要素４０〜４６、及び９６の密閉／ 結合に伴う高温に制御回路８４／８６がさらされるのを避けるために、制御回路 ８４／８６は、プレート構造４０及び４２を外側壁４４に密着結合させた後、且 つ補助壁９６を要素４０〜４４に結合した後にディスプレイ上に設置される。補 助壁９６は、典型的には、ベースプレート構造４０から制御回路８４／８６と概 ね同じ高さ位置まで延び、いかなる場合にも、制御回路８４／８６より構造４０ から著しく離れた位置まで延び出すことはない。 第７図及び第８図のディスプレイに類似して、第１２図及び第１３図のディス プレイにおけるプレート構造４０及び４２を外側壁４４によって気密状態に密着 結合することは、適切な中性（つまり非反応性）環境において常圧に近い圧力で 行われ得、その後ディスプレイは、ディスプレイ上に設けられた適切なポートを 通してその内部が真空圧力レベルま で減圧される。ポンプアウトポートは、同様に、ディスプレイの取り扱い上著し い問題を引き起こさないようひどく突出しない形態に形成されたポンプアウトポ ートである。第１７ａ図は、第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレ イを変形したものを示しており、ここではガラス製のポンプアウト管１０４が、 横補助壁部分９６Ｌ４における開口部１０６を通して補助チャンバ９２に連通さ れており、これが本発明に従ってディスプレイから排気するためのポートを形成 している。第１１ａ図において第７図及び第８図のディスプレイに適用されてい るポンプアウト管８８を用いる場合のように、第１７ａ図において、第１２図及 び第１３図のディスプレイに適用されているポンプアウト管１０４が、制御回路 ８４／８６によってカバーされていないベースプレート構造４０の部分の上に横 向きに延在している。 ポンプアウトポート１０４は、ポート１０４が横壁部分９６Ｌ４と併合する位 置の近くに縮径部分１０４Ａを有する。縮径ポート部分１０４Ａは、部分１０４ Ａの近傍に設置された適切な加熱要素によって縮径部分１０４を加熱することに よりポート１０４を閉じるために用いられる。部分１０４Ａにおいて管１０４を 閉じるためにレーザを用いることもできる。第１１ａ図のポンプアウト管８８に おける場合と類似して、第１７ａ図には、ポンプアウト管１０４が補助コンパー トメント９２から離れる方向に横向きに延在しており、且つコンパートメント９ ２の上には達していないことが示されている。従って、補助壁９６に著しい応力 を発生したり、ディスプレイに弱点を生成し得る熱伝達が、ポート１０４を閉鎖 するための縮径部分１０４Ａの加熱が原因で生ずることは殆どない。 第１７ｂ図は、ポート閉鎖の後の第１７ａ図のフラットパネルディスプレイを 示す図である。第１７ｂ図における要素１０４ｂは、ポンプア ウトポート１０４の閉じられた残りの部分である。閉じられたポンプアウト部分 １０４ｂは、補助９６よりベースプレート構造４０から著しく高い位置まで延び てはいない。また、ポンプアウト管の残りの部分１０４Ｂも通常はベースプレー ト構造４０の外周部分を超えた位置まで横向きに延在していない。従って、第１ ２図及び第１３図の密閉されたフラットパネルディスプレイに残りのポンプアウ ト部分１０４Ｂを組み込むことによってディスプレイの損傷を避けるために必要 となる取り扱い上の注意が著しく高まることはない。 概ね常圧での中性環境において第１７ａ図のディスプレイを気密状態を形成す るように密閉することは、第１１ａ図のディスプレイについて上述した方法で行 われる。同じことが、補助コンパートメントの結合処理にも適用される。これら の処理が終了したとき、第１７ａ図のディスプレイは、第１１ａ図のディスプレ イについて上述したように焼き付けされ、次に排気されて、その後ポンプアウト ポート１０４が縮径部分１０４Ａの部位で閉じられて、第１７ｂ図の密閉された ディスプレイが形成される。ポートを閉鎖した後の、第１７ｂ図のディスプレイ におけるゲッター９４のレーザによる活性化／再活性化は、ゲッター７４が第１ １ａ図の密閉されたディスプレイにおいて活性化されるのと同じ段階で行われる 。 第１８ａ図及び第１８ｂ図（集合的に「第１８図」）は、本発明による、環状 の外側壁１１０を有する２コンパートメント型フラットパネルディスプレイの一 実施例を示す図である。ここでは、環状外側壁１１０を通して、キャビティーが 部分的に延在しており、これが主コンパートメント７０の隣に補助コンパートメ ント１１２を形成している。補助コンパートメント１１２には、本発明によりレ ーザ活性化されるのに適した非蒸発型ゲッター１１４が内包されている。スペー サ壁４６を含む主 コンパートメント７０は、ここではベースプレート構造４０、フェースプレート 構造４２、及びその間に挟まれた外側壁１１０で形成されている。第１９図は補 助コンパートメントを有する外側壁１１０の一部分の斜視図である。 外側壁１１０は、（相対的に）高い部分１１０Ａ、短い上部分１１０Ｂ、短い 中間部分１１０Ｃ、及び短い下部分１１０Ｄからなる。高い外側壁部分ＩＩＯＡ は、外側壁周囲の３つの面を占めており、プレート構造４０及び４２の双方に接 触している。短い外側壁部分１１０Ｂ及び１１０Ｄは、それぞれ外側壁周囲の４ つの面に沿ってプレート構造４０及び４２と接触している矩形の層である。外側 壁部分１１０Ａ、１１０Ｂ、及び１１０Ｄは、典型的にはフリットからなる。部 分１１０Ｂ及び１１０Ｄはまた、エポキシで形成することもできる。外側壁部分 ＩＩＯＢの材料は、通常ある一定の波長の帯域の光を透過させるものである。 短い中間外側壁部分１１０Ｃは、上側、下側、上側及び下側と併合する一対の 対向する横側（つまり末端）、及び他の４つの面と併合する中央の第３横側を有 する中空の５面透明構造である。中間部分１１０Ｃの上側及び下側はそれぞれ、 上外側壁部分１１０Ｂ及び下外側壁部分１１０Ｄと接触する。中間部分１１０Ｃ の末端は、高い横壁部分１１０Ａの末端の内部に接触する。部分１１０Ｃの末端 は、部分１１０Ｃの残りの部分が部分１１０Ｃに沿ったプレート構造４０及び４ ２の間の必要な間隔を維持できるだけの十分な強度を有している場合には、取り 除くことができる。中間部分１１０Ｃの中空部分は、補助コンパートメント１１ ２のキャビティーを形成している。中間部分１１０Ｃは、透明な材料、典型的に はモールディング、ガラス吹き、エッチング、又は加工プロセスによって形成さ れた一体となったガラス片からなる。 ゲッターストリップ１１４は、ゲッターストリップ５０と同様に形成 され、構成される。補助コンパートメント１１２に設置された一対のゲッター支 持体１１６は、ゲッター１１４を、中間外側壁部分１１０Ｃ、及びフラットパネ ルディスプレイの他の構成要素から熱的に（及び電気的に）絶縁している。ゲッ ター支持体１１６は、中間部分１１０Ｃの下側の上に結合されている。ゲッター 支持体１１６は、典型的には、ゲッター支持体５２と同じように形成され構成さ れる。ゲッターストリップ１１４の末端は、ゲッター支持体１１６の中ほどの高 さ位置に設けられたスロット内に配置され、従ってゲッター１１４は、中間部分 １１０Ｃ及び他のディスプレイ構成要素から離隔された形態となる。 第１８図及び第１９図のフラットパネルディスプレイの組立は、ゲッター構造 １１４／１１６を補助コンパートメント１１２に挿入し、ゲッター支持体１１６ を中間外側壁部分１１０Ｃの上に結合し、外側壁部分１１０Ｂ及び１１０Ｄをそ れぞれ中間部分１１０Ｃの上及び下側に配置し、複合壁構造１１０Ｂ／１１０Ｃ ／１１０Ｄをプレート構造４０及び４２の一方、典型的にはベースプレート構造 ４０上に設置された３面の高い外側壁部分１１０Ａの末端の両側の間に配置する ことによって始められる。これらの初期ステップは、種々の順番で行われ得る。 初めの組立ステップの終了後、プレート構造４０及び４２は、外側壁部分１１０ によって互いに気密状態を形成するように密着結合され、その間に中間部分１１ ０Ｃは外側壁部分１１０Ｂ及び１１０Ｄに気密状態を形成するように密着結合さ れることになる。 第４図のプロセスについて上述したのと概ね同じ方法で、プレート構造４０及 び４２を外側壁部分１１０によって互いに気密状態に密閉する際にはレーザによ って開始されるギャップジャンピングを用いることができる。次にゲッター１１ ４は、第４図のプロセスにおけるのと同じ段階での気密状態に密閉するプロセス の際に活性化／再活性化される。唯 一の違いは、レーザビームをベースプレート構造４０の透明な概ね中央の部分を 通過させる代わりに、レーザビームが横側から、中間外側壁部分１１０Ｃの中央 を通して、或いは上側から、ベースプレート構造４０のその周辺部の近傍の透明 な部分を通して通過させ、更に上外側壁部分１１０Ｂ、ついで中間外側壁部分１ １０Ｃの上側を通過させている点である。レーザビームが中間外側壁部分１１０ Ｃの側部を通過するとき、ゲッターストリップ１１０は、レーザビームからゲッ ター１１４への局所的な熱伝達を促進させるべく典型的には斜めの角度をなして いる。 レーザビームがどのようにフラットパネルディスプレイに入ってゲッター１１ ４を活性化させるかについての違い、及び第１８図及び第１９図のディスプレイ が第４図の１コンパートメント構造ではなく２コンパートメント型構造であると いう事実が存在する条件の下では、第４ｆ図及び第４ｇに示す図面は、ゲッター １１４が第４ｆ図及び４ｇ図のゲッタ−５０の代わりに用いられている場合にデ ィスプレイを真空チャンバ５６から取り出す前及び後にゲッター１１４がどのよ うにレーザ活性化されるかをよく表している。ゲッター１１４のレーザ活性化／ 再活性化の際に、ゲッター１１４以外のディスプレイの任意の要素に熱が伝達さ れることはごく僅かである。 別形態では、第１８図及び第１９図のフラットパネルディスプレイはポンプア ウトポート（図示せず）を備えることができる。プレート構造４０及び４２を外 側壁１１０によって気密状態となるように密閉結合することは、適切な中性環境 、典型的には乾燥した窒素又はアルゴンの中で概ね常圧で行われる。次にディス プレイはポンプアウトポートを通して真空圧力レベルまで排気され、ポートが閉 じられる。このときゲッター１１４は上述のように少なくとも１回活性化される 。ゲッター１１４のレーザ活性化は、少なくともディスプレイを室温まで冷却さ せた後に 行われる。ゲッター１１４のレーザ活性化は、ディスプレイが密閉温度にあると き及び／又は冷却中に行うことができる。 本発明の特定の実施例について説明してきたが、この説明は、単なる例示を目 的としており、請求項に記載の本発明の真の範囲をこれに限定することを目的と しているのではない。例えば、ゲッターストリップ５０に類似のゲッターを、密 閉エンクロージャにおける圧力が、密閉されたエンクロージャ内に不活性ガスが 存在しているために、その圧力が常圧と高レベルの真空状態との間にあるような 減圧フラットパネルディスプレイの密閉されたエンクロージャ（キャビティー） に設置することができる。このような減圧ディスプレイの例には、プラズマディ スプレイ及びプラズマ液晶ディスプレイがある。 同様に、ゲッターストリップ７４、９４、又は１１４に類似したゲッターは、 ディスプレイオペレーションの際にプラズマが形成される主コンパートメントを 有する減圧型フラットパネル装置の補助コンパートメント内に設置することがで きる。この補助的及び主コンパートメントは、互いに連通され、２つのコンパー トメント内の圧力は、２つのコンパートメント内に不活性ガスが存在するために 常圧と高度に真空状態との間の圧力である共通の圧力に達している。前述の変更 実施例のそれぞれにおける不活性ガスは、典型的にはキセノン、ネオン、ヘリウ ム、クリプトン、又は／及びアルゴンである。密閉されたエンクロージャ内の圧 力は、１トル以上、典型的には５トル〜０．５気圧である。 減圧装置の密閉エンクロージャに設置されたゲッターは、上述のようにレーザ 活性化される。ゲッターは密閉されたエンクロージャ内の非不活性ガスを吸着す るが、不活性ガスは吸着しない。この結果、エンクロージャ内の不活性ガスの存 在によって、ゲッターの能力が著しく消費されることはない。密閉されたエンク ロージャがプラズマチャンバである ような１コンパートメント型の場合は、プラズマは、典型的には不活性ガスから 生成される。複コンパートメント型の場合は、主コンパートメント内で生成され 、そのイオンが補助コンパートメント内に常に入っていくようなプラズマは、同 様に不活性ガスから生成される。ゲッターは不活性ガスのイオンを収集しない。 外側壁４４は、一対の矩形の環状フリット層の間にサンドウィッチ状に挟まれ た矩形の環状非フリット部分で形成することができる。非蒸発型ゲッターストリ ップ５０、７４、９４、及び１１４は、チタン及びバナジウム含有合金の多孔性 の化合物以外の材料で形成することができる。ゲッター５０、７４、９４、及び １１４のそれぞれは、ストリップ形状以外の形状を有し得る。 ゲッター支持体５２、８２、１０２、及び１１６も同様に、それらがゲッター ５０、７４、９４、及び１１４を他のディスプレイ構成要素から熱的に（及び電 気的に）絶縁しているという条件の下で、上述のもの以外の異なる形状を有し得 る。ゲッター支持体５２は、位置合わせ及び密閉ステップの前に、フェースプレ ート構造４２ではなくベースプレート構造４０に結合することができる。ゲッタ ー支持体１１６は、位置合わせ及び密閉ステップの前に、中間外側壁部分１１０ Ｃの下側ではなく、中間外側壁部分１１０Ｃの上側又は中央部分に結合すること ができる。ゲッター７４、９４、又は１１４が曲がって望ましくない面に接触し やすい場合には、１以上の追加のゲッター支持体をゲッター７４、９４、又は１ １４の長さ方向に沿って設け、このような曲げに対する抵抗力を与えることがで きる。 補助コンパートメント７２にゲッター７４の代わりに２以上のゲッターを配置 することができる。同様に、補助コンパートメント９２内にゲッター９４の代わ りに２以上のゲッターを配置することができる。主コ ンパートメント７０の外側に配置された複数の補助コンパートメント内に複数の ゲッターを配置することができる。 第１８図及び第１９図のディスプレイにおける外側壁１１０の２以上の小壁の それぞれを、ゲッター支持体１１６に沿ってゲッター１１４を設けることができ る。中間外側壁部分１１０Ｃの対向する横側が複合外側壁部分１１０Ｂ／１１０ Ｃ／１１０Ｄに沿ったプレート構造４０と４２の間の概ね一定の間隔を十分に保 持できない場合には、下側外側壁部分１１０Ｄから上側外側壁部分１１０Ｂまで 延在する１以上のスペーサ支持体を、キャビティー１１２内に設けることができ る。 ゲッター５０、７４、９４、又は１１４の代わりに蒸発型のゲッターを用いる こともできる。ゲッター支持体５２、８２、１０２、又は１１６がこの場合には 通常は除去されるが、ゲッタリング材料を、蒸発型ゲッターを活性ディスプレイ 要素から熱的（及び電気的）に絶縁する材料の上に蒸着することができる。 フラットパネルディスプレイの密閉においてギャップジャンピング及び／又は 放射性加熱を用いる代わりに、外側壁４４又は１１０の上側エッジ部分を、ベー スプレート構造４０の内側表面に概ね接触させた後にレーザで局所的に加熱する ことによってディスプレイを密閉することができる。密閉オペレーションは、適 切な中性環境（例えば乾燥した窒素又はアルゴンのような不活性ガス）の中で常 圧に近い圧力で行われ得、その後この密閉されたディスプレイ内の圧力は、ディ スプレイ上の適切なポート、好ましくは密閉されたディスプレイから不格好に突 出していないポートを通してガスを除去することによって真空レベルまで減圧さ れる。外側壁４４は、ベースプレート構造４０に結合され得、その後フェースプ レート構造４２が外側壁４４に密閉される。レーザ５８及び／又はレーザ６２は 、真空チャンバ５６内に配置され得る。 フラットパネルＣＲＴディスプレイは、電界放出技術の代わりに熱電子放出技 術を用いることができる。本発明を用いて、ディスプレイ以外のフラットパネル 装置においてゲッターを活性化することができる。フラットパネル装置以外の中 空構造内に設置されたゲッターは、本発明のレーザ活性化技術を用いて密閉する ことができる。 適切なスペクトル室力を有する焦点ランプのような光エネルギー源を、ゲッタ ー５０、７４、９４、又は１１４の活性化のためにレーザの代わりに用いること ができる。更に、フラットパネルＣＲＴディスプレイにおけるゲッター５０、７ ４、９４、又は１１４を、十分に強力なエネルギーのビームをつくり出す任意の エネルギー源を用いて活性化／再活性化することができる。この場合エネルギー のビームは、エネルギービームがゲッターに達する前に通過する要素を著しく加 熱することなく、及びビームが通過する材料以外のＣＲＴディスプレイの他の構 成要素にビームが当たることが殆どなく、ゲッターに局所的に与えられ得るもの である。このようなものの例には、局所的に配向された高周波エネルギーがあり 、このような高周波エネルギーには、高周波帯域の中間的な周波数の局所的に向 けられたマイクロ波エネルギーが含まれる。従って、当業者は、請求項に記載の 本発明の真の範囲及び精神から逸脱することなく様々な改変や適用が可能であろ う。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年３月１９日（１９９９．３．１９） 【補正内容】 イに弱点が生ずる。またゲッター材料は、（凹み壁２７Ｃを含む）広がった管部 分２７Ｂに蒸着されるが、蒸着されたゲッター材料の一部はポンプアウト孔２７ を通過し得、活性ディスプレイ素子を汚染し得る。Pepiの構造の欠点を解決し、 非蒸発型ゲッターに適した単純なＦＥＤゲッター構造を有することが望まれてい る。 第３．３図は、Wiemann等の米国特許第5,545,946号のＦＥＤを示しており、こ こでは、ゲート制御式電子エミッタ３０が、フェースプレート３３、アノード層 ３４、及び陰極ルミネセンス材料層３５からなるフェースプレート構造とバック プレート３２との間に位置する基板３１に設けられている。ゲート制御式エミッ タ３０から放出された電子は、基板アパーチャ３１Ａに入り、次に絶縁性層３６ の間のアパーチャ３６Ａを通って、陰極ルミネセンス材料層３５に衝当する。ス ペーサ３７は、バックプレート３２の上層をなす薄いゲッタリング層３８と電子 エミッタ３０との間の一定の間隔を維持している。ゲッター３８は、アノード層 ３４に対して負の電位に維持されていると考えられ、これはアパーチャ３６Ａ及 び３１Ａ、及び基板３１とゲッター３８との間の真空領域に存在する汚染ガスを 吸収する。 Wiemann等のＦＥＤは、エミッタを含む基板３０又はフェースプレート構造と は異なる高さ位置にゲッタリング層３８を設けることにより高い活性領域面積対 全面積比を達成している。これは有益なことである。しかし、ゲッター３８がど のように活性化されるかということ、又はそれが再活性化され得るか否かという ことは明らかでない。更に、ゲッター３８とスペーサ３７が存在することにより ＦＥＤの全厚みが著しく厚くなり、望ましくない結果が生ずる。ゲッターを含む ＦＥＤでは、ゲッターの存在によりＦＥＤの全厚みを著しく厚くさせることなく 、高い活性領域面積対全面積比を達成することが望まれている。発明の概要の開示 本発明は、局所的エネルギー伝達を利用してゲッターを活性化するものである 。詳述すると、本発明によれば、光エネルギーを、例えばフラットパネル型装置 のような中空構造の一部を通して局所的に構造のキャビティー内に配置されたゲ ッターに当ててゲッターを活性化して、ゲッターがガスを吸着できるようにする 。本明細書において、エネルギー伝達について記述する際に用いられる用語「局 所的」又は「局所的に」は、そのエネルギーを、エネルギーを受けさせることを 意図した材料の一定の部分に、エネルギーを受けさせることを意図していないそ の近傍には著しくエネルギーを伝達させることなく選択的に当てることを意味す る。 局所的エネルギー伝達は、典型的にはレーザービームをゲッターに向けること によって行われる。ゲッターの活性化をレーザーで行うことにより、ゲッターの 形状を比較的単純にすることができる。例えば、本発明により活性化されるゲッ ターは、活性化ステップの前に中空構造のキャビティー内に挿入される典型的に は非蒸発型のゲッターで、好ましくは一片のゲッター材料からなる。従って本発 明では。Wallace等のゲッターのような複雑なゲッター設計に伴う信頼性につい ての問題や高い製造コストが回避される。 中空構造は、典型的には外側壁によって離隔されている一対のプレート構造を 含む。或る態様では、ゲッターは２つのプレート構造の間に配設される。プレー ト構造から比較的離れた位置まで延びている隣接する管や、他の不格好な副室の 中にゲッターの一部を配置する必要はない。この形態では、このような不格好な ゲッターを含む構造が破損し、フラットパネル装置又は他の中空構造に基づいて 構成された製品が破壊する可能性がなくなる。 コンパートメントとを有するように、本発明に従って構成されたフラットパネル ＣＲＴディスプレイの側断面図である。第１２ａ図の断面は、第１２ｂ図の面１ ２ａ−１２ａに沿って切った断面である。第２ｂ図の断面は、第１２ａ図の面１ ２ｂ−１２ｂで切った断面である。 第１３図は、第１２ａ図及び第１２ｂ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ の平面断面図である。第１３図の断面は、第１２ａ図及び第１２ｂ図の面１３− １３で切った断面である。第１２ａ図及び第１２ｂ図の断面はそれぞれ、第１３ 図の面１２ａ−１２ａ及び１２ｂ−１２ｂで切った断面である。 第１４ａ図及び第１４ｂ図は、第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のフラ ットパネルディスプレイにおける補助コンパートメントの、本発明による二部品 型の補助壁を組み立てたところを示す斜視図である。 第１５ａ図及び第１５ｂ図は、第１２ｂ図に対応する側断面図であり、本発明 による、第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のフラットパネルＣＲＴディス プレイにおけるゲッターのレーザー活性化を示している。 第１６図は、第１２ａ図に対応する側断面図であり、本発明により、第１２ａ 図、第１２ｂ図、及び第１３図のディスプレイ上に設けられた制御回路を示して いる。 第１７ａ図及び第１７ｂ図は、第１２ｂ図に対応する側断面図であり、それぞ れ、本発明によりディスプレイ上に設けられたポンプアウト管を閉じる前及び後 の第１２ａ図、第１２ｂ図、及び第１３図のディスプレイの状態がどのようにな っているかを示した図である。 第１８ａ図及び第１８ｂ図は、本発明によりレーザー活性化されるのに適した ゲッターを内包するより小型の補助コンパートメントと主コンパートメントを有 する、本発明に従って形成された別のフラットパネルＣＲＴディスプレイの側断 面図である。第１８ａ図の断面は、第１８ｂ れている場合、構造４０を、構造４２／４４／４６／５０／５２に対して固定し た位置に保持するためにタック止め処理が行われる。タック止め処理（tacking operation）及びその後のギャップジャンピング（gapjumping）最終密着結合処 理を行うための技術は、Fahlen等による同時出願の国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９ ７／２１０９５に記載されており、この出願の内容は、ここに引用することによ り本明細書と一体にされたものとする。 第４図のプロセスでは、タック止め処理は、通常整合された密着結合領域４０ Ｓ及び４４Ｓに沿ったいくつかの位置において構造４０を構造４２／４４／４６ ／５０／５２に対してタック止めするレーザー（図示せず）を用いて行われる。 第４ｃ図を参照されたい。タック止め処理によって、外側壁４４の一部分４４Ａ が、上向きに突出し、ベースプレート構造４０に固く結合することになる。タッ ク止め処理は、外側壁４４の外側に配設された別のタックポストを用いて選択的 に行われ得、プレート構造４０及び４２に適切な接着剤を用いてタック止めされ 得る。 タック止めされ／部分的に密着結合されたフラットパネルディスプレイは、整 合システムから取り出され、第４ｄ図に示すように、レーザー活性化ゲッター５ ０用及び完全な気密状態にする他の処理を行うための真空チャンバ５６内に設置 される。真空チャンバ５６は、周囲圧力からポンプにより１０^-2トル以下、典型 的には１０^-6トル以下の圧力の高レベルの真空状態まで減圧される。 レーザービーム６０を生成するレーザー５８は、真空チャンバ５６の外部に配 置される。レーザー５８は、レーザービーム６０がチャンバ５６の透明な窓５６ Ｗを通過して次にベースプレート構造４０の透明な材料を通過し、ゲッター５０ に衝当できるように配置される。窓５６Ｗは、典型的には水晶からなる。 ４０及び４２、及び外側壁４４の組み合わせが、非蒸発型ゲッター５０を内包す るゲッター支持体５２を含むコンパートメント(又はチャンバ)を形成している。 別形態では、本発明に従ってレーザビームにより活性化される非蒸発型ゲッター を、要素４０〜４４で形成された主コンパートメントに隣接する補助コンパート メントに設置することができる。ゲッターを内包する補助コンパートメントは、 通常１以上の要素４０〜４４における開口部を通して主コンパートメントと連通 されており、２つのコンパートメントは概ね等しい定常コンパートメント圧力に 達する。ガス分子のランダムな動きのために、主コンパートメントに存在するガ スは、補助コンパートメントに移動し、ゲッターに吸着される。 このような複コンパートメント型フラットパネルディスプレイは、ゲッターを 内包する補助チャンバが補助コンパートメントを損傷したり、ディスプレイが破 壊されるのを回避するために高程度の取り扱い上の注意が必要となる主チャンバ から離れた位置まで突出した部分がなくなるように形成される。詳述すると、こ の非蒸発型ゲッターは、ベースプレート構造４０の外側表面の上に位置、又は概 ね上層をなし、ベースプレート構造４０の外側表面の一部の上層をなす補助コン パートメントに内包される。補助コンパートメントの垂直方向の寸法、即ちベー スプレート構造４０の外側表面に対して垂直な方向の寸法は、好ましくはその長 さが構造４０の外側表面上の、ゲッターを内包する補助コンパートメント側に設 けられた、フラットパネルディスプレイの画像発生素子を制御するための回路よ りも、ベースプレート構造４０から著しく離れない程度に垂直方向に延び出した 形態に選択される。この結果、補助コンパートメントの存在によって、制御回路 が存在するために既に必要となっている程度の取り扱い上の注意よりも更に高い レベルの取り扱い上の注意が必要となることはなくなる。 状態の環境においてレーザで開始されるギャップジャンピング処理を行うプロセ スによって気密状態となるように密閉する代わりに、プレート構造４０及び４２ を、外側壁４４によって気密状態となるように密着結合する処理を、適切な中性 （即ち非反応性）環境において常圧に近い圧力で行い、次いで、密閉されたディ スプレイの圧力をディスプレイからそこに設けられた適切なポート、好ましくは ディスプレイから不格好に突出していない形態のポンプアウトポートを通してガ スをポンプで排気することによって高い真空状態に低下させることができる。第 １１ａ図は、第７図及び第８図のフラットパネルディスプレイの改変形態を示す 図であり、ここではガラス製のポンプアウト管８８が補助壁横部分７６Ｌの１つ における開口部９０を通して補助コンパートメント７２に連通されており、本発 明によりディスプレイからポンプで排気するためのポートを形成している。ポン プアウト管８８は、制御回路８４／８６によって覆われていないベースプレート 構造４０の一部分の上に横向きに延在している。 ポンプアウト管８８は、管８８が補助壁横部分７６Ｌの１つに接触する位置に 近い縮径部分８８Ａを有する。ディスプレイが部分８８を通して１０^-2トル以下 、典型的には１０^-6トル以下の高レベルの真空状態まで排気された後、部分８８ Ａの近くに配置された適切な加熱素子を備えた加熱部８８Ａによってポンプアウ ト部分８８を閉鎖するが、この閉鎖のために縮径管部分８８Ａが用いられる。縮 径部分８８Ａの前後の圧力差（即ち、中性環境における高い外側圧力と、排気後 のディスプレイにおける非常に低い圧力との圧力差）により、それを適切に加熱 したとき部分８８は崩壊し、閉鎖することになる。管部分８８Ａを閉鎖するため の加熱も、レーザによって行われ得る。 第１１ａ図に示すように、ポンプアウト管８８は、補助コンパートメ 示すように、補助壁９６の２つの構成要素は、五面上壁部分９６Ａ及び三面下壁 部分９６Ｂである。上補助壁部分９６Ａは、その複合上側エッジ部分が上壁部分 ９６Ｔの周囲エッジと併合する同じ高さの壁部分９６Ｌ１、９６Ｌ２Ｕ、９６Ｌ ３Ｕ、及び９６Ｌ４Ｕからなる環状の四面壁部分に併合する上壁部分９６Ｔから なる。下補助壁部分９６Ｂは、部分的に環状の壁を形成する同じ高さの壁部分９ ６Ｌ２Ｌ、９６Ｌ３Ｌ、及び９６Ｌ４Ｌからなる。第１４ａ図の各壁部分９６Ａ 及び９６Ｂは、典型的にはモールディング、ガラス吹き、エッチング、又は加工 により形成される。 上壁部分９６Ａの下側エッジは、第１４ｂ図に示すように結合材料９６Ｊによ って下壁部分９６Ｂの上側エッジに結合される。この結合は、壁部分９６Ｌ２Ｕ 及び９６Ｌ２Ｌが、互いに結合されて、壁部分９６Ｌを形成し、壁部分９６Ｌ３ Ｕ及び９６Ｌ３Ｌが互いに結合されて壁部分９６Ｌ３を形成し、且つ壁部分９６ Ｌ４Ｕ及び９６Ｌ４Ｌが互いに結合されて壁部分９６Ｌ４を形成するように行わ れる。第１４図に示すように補助コンパートメント９２を形成するために、第１ ２図及び第１３図のフラットパネルディスプレイが他の密閉材（結合材料９６Ｊ ）を有する必要はあるが、図示されているように壁部分９６Ａ及び９６Ｂから補 助壁９６を組み立てることにより、壁９６の製造が容易になる。 補助コンパートメント９２が外側壁４４の１個の小壁を貫通する１以上の開口 部１００によって主コンパートメント７０と連通される。このようなコンパート メント間開口部１００の１つが第１２図及び第１３図に示されている。第１２図 及び第１３図のコンパートメント間開口部１００は、外側壁４４の全高さ分まで 延びており、このように延在していない場合には環状の壁４４にギャップが形成 される。外側壁４４を貫通する１以上の開口部によってコンパートメント７０及 び９２を相互連結 で減圧される。ポンプアウトポートは、同様に、ディスプレイの取り扱い上著し い問題を引き起こさないようひどく突出しない形態に形成されたポンプアウトポ ートである。第１７ａ図は、第１２図及び第１３図のフラットパネルディスプレ イを変形したものを示しており、ここではガラス製のポンプアウト管１０４が、 横補助壁部分９６Ｌ４における開口部１０６を通して補助コンパートメント９２ に連通されており、これが本発明に従ってディスプレイから排気するためのポー トを形成している。第１１ａ図において第７図及び第８図のディスプレイに適用 されているポンプアウト管８８を用いる場合のように、第１７ａ図において、第 １２図及び第１３図のディスプレイに適用されているポンプアウト管１０４が、 制御回路８４／８６によってカバーされていないベースプレート構造４０の部分 の上に横向きに延在している。 ポンプアウトポート１０４は、ポート１０４が横壁部分９６Ｌ４と併合する位 置の近くに縮径部分１０４Ａを有する。縮径ポート部分１０４Ａは、部分１０４ Ａの近傍に設置された適切な加熱要素によって縮径部分１０４を加熱することに よりポート１０４を閉じるために用いられる。部分１０４Ａにおいて管１０４を 閉じるためにレーザを用いることもできる。第１１ａ図のポンプアウト管８８に おける場合と類似して、第１７ａ図には、ポンプアウト管１０４が補助コンパー トメント９２から離れる方向に横向きに延在しており、且つコンパートメント９ ２の上には達していないことが示されている。従って、補助壁９６に著しい応力 を発生したり、ディスプレイに弱点を生成し得る熱伝達が、ポート１０４を閉鎖 するための縮径部分１０４Ａの加熱が原因で生ずることは殆どない。 第１７ｂ図は、ポート閉鎖の後の第１７ａ図のフラットパネルディスプレイを 示す図である。第１７ｂ図における要素１０４Ｂは、ポンプア ウトポート１０４の閉じられた残りの部分である。閉じられたポンプアウト部分 １０４Ｂは、補助壁９６よりベースプレート構造４０から著しく高い位置まで延 びてはいない。また、ポンプアウト管の残りの部分１０４Ｂも通常はベースプレ ート構造４０の外周部分を超えた位置まで横向きに延在していない。従って、第 １２図及び第１３図の密閉されたフラットパネルディスプレイに残りのポンプア ウト部分１０４Ｂを組み込むことによってディスプレイの損傷を避けるために必 要となる取り扱い上の注意が著しく高まることはない。 概ね常圧での中性環境において第１７ａ図のディスプレイを気密状態を形成す るように密閉することは、第１１ａ図のディスプレイについて上述した方法で行 われる。同じことが、補助コンパートメントの結合処理にも適用される。これら の処理が終了したとき、第１７ａ図のディスプレイは、第１１ａ図のディスプレ イについて上述したように焼き付けされ、次に排気されて、その後ポンプアウト ポート１０４が縮径部分１０４Ａの部位で閉じられて、第１７ｂ図の密閉された ディスプレイが形成される。ポートを閉鎖した後の、第１７ｂ図のディスプレイ におけるゲッター９４のレーザによる活性化／再活性化は、ゲッター７４が第１ １ａ図の密閉されたディスプレイにおいて活性化されるのと同じ段階で行われる 。 第１８ａ図及び第１８ｂ図（集合的に「第１８図」）は、本発明による、環状 の外側壁１１０を有する２コンパートメント型フラットパネルディスプレイの一 実施例を示す図である。ここでは、環状外側壁１１０を通して、キャビティーが 部分的に延在しており、これが主コンパートメント７０の隣に補助コンパートメ ント１１２を形成している。補助コンパートメント１１２には、本発明によりレ ーザ活性化されるのに適した非蒸発型ゲッター１１４が内包されている。スペー サ壁４６を含む主請求の範囲 １．中空構造の特定の部分を通して該中空構造のキャビティーに設置されたゲッ ターに局所的に中空構造の外部から光エネルギーを向けてゲッターを活性化させ るエネルギー供給過程を含むことを特徴とするゲッター活性化方法。 ２．前記中空構造が、一対のプレート構造及び前記プレート構造を分離している 外側壁を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３．前記プレート構造及び前記外側壁が、フラットパネルディスプレイの構成要 素であることを特徴とする請求項２に記載の方法。 ４．前記エネルギー供給過程の前に、ゲッターが２つの前記プレート構造の間に 配置されるようにゲッターを前記キャビティー内に挿入する過程を含むことを特 徴とする請求項３に記載の方法。 ５．前記中空構造の前記特定の部分が、前記プレート構造の一方の透明な材料を 含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。 ６．前記エネルギー供給過程が、両前記プレート構造を前記外側壁を挟んで密着 結合して気密状態に密閉されたエンクロージャを形成する前若しくはその間に行 われることを特徴とする請求項３に記載の方法。 ７．前記エネルギー供給過程が、両前記プレート構造を前記外側壁を挟んで密着 結合して気密状態に密閉されたエンクロージャを形成した後に行われることを特 徴とする請求項３に記載の方法。 ８．前記キャビティーが補助コンパートメントを含み、前記補助コンパートメン トにゲッターが配置され、前記補助コンパートメントが、中空構造でより大形の 主コンパートメントの外側に配置され、主コンパートメントに連通させられて、 ２つのコンパートメントが概ね等しい定常圧力に達するようになっていることを 特徴とする請求項１に記載の方法。 ９．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造の特定の部分を通して、 前記ゲッターにレーザビームを向ける過程を含むことを特徴とする請求項１乃至 ８の何れかに記載の方法。 １０．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを一片のゲッタリング材料 として前記キャビティー内に挿入する過程を更に含むことを特徴とする請求項１ 乃至８の何れかに記載の方法。 １１．前記ゲッタリング材料が非蒸発型であることを特徴とする請求項１乃至８ の何れかに記載の方法。 １２．前記ゲッターが３００〜９５０℃の活性化温度に上昇させられた際に活性 化されることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の方法。 １３．前記活性化温度が７００〜９００℃であることを特徴とする請求項１２に 記載の方法。 １４．前記エネルギー供給過程が、少なくとも部分的に焦点ランプを用いて行わ れることを特徴とする請求項８に記載の方法。 １５．前記中空構造が、第１プレート構造、第２プレート構造、及び両前記プレ ート構造の間に延在し主コンパートメントを形成している外側壁を含むことを特 徴とする請求項８に記載の方法。 １６．前記中空構造が、前記第１プレート構造に接触し、前記第１プレート構造 及び前記主コンパートメントの双方から離れる向きに延在する、前記補助コンパ ートメントを形成する補助壁を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 １７．前記主コンパートメント及び前記補助コンパートメントの外側の前記第１ プレート構造の上に制御回路を設ける過程を更に含むことを特徴とし、 前記補助コンパートメントが、前記制御回路よりも前記第１プレート構造から 遠位まで延びていないことを特徴とする請求項１６に記載の方 法。 １８．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを前記補助コンパートメン トに挿入する過程を更に含むことを特徴とし、 前記ゲッターが前記プレート構造群及び壁から熱的に絶縁されていることを特 徴とする請求項１６に記載の方法。 １９．前記エネルギーが、前記補助コンパートメントの壁の透明な材料を局所的 に通過することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 ２０．前記エネルギー供給過程が、前記プレート構造群を前記外側壁を挟んで密 着結合して密閉状態を形成する前又はその間に行われることを特徴とする請求項 １５に記載の方法。 ２１．前記エネルギー供給過程が、前記プレート構造群を前記外側壁を挟んで密 着結合して密閉状態を形成した後に行われることを特徴とする請求項１５に記載 の方法。 ２２．前記中空構造が、前記エネルギー供給過程の間に常圧より低い内部圧力に あることを特徴とする請求項１５に記載の方法。 ２３．前記内部圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2トル以下であるこ とを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２４．前記コンパートメントが、前記フラットパネルディスプレイによって生成 される画像が可視状態に表示されるフェースプレートを含むプレート構造の一方 に対するフラットパネルディスプレイの一部であこることを特徴とする請求項１ ５に記載の方法。 ２５．前記エネルギー供給過程の前に、 前記プレート構造の一方に複数の電子放出素子を設ける過程と、 前記プレート構造の他方に複数の発光素子を設ける過程とを含むことを特徴と し、 前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したと きに発光することを特徴とする請求項２４に記載の方法。 ２６．前記電子放出素子が、電界放出に基づいて動作することを特徴とする請求 項２５に記載の方法。 ２７．前記内部圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2トル以上であるこ とを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２８．前記コンパートメント群が不活性ガスを含むことを特徴とする請求項２７ に記載の方法。 ２９．前記主コンパートメント内にプラズマを形成する過程を更に含むことを特 徴とする請求項２８に記載の方法。 ３０．前記内部圧力が１トル以上であることを特徴とする請求項２９に記載の方 法。 ３１．常圧より低い圧力にある密閉された環境に設置されたゲッターに光エネル ギーを局所的に当ててゲッターを活性化させるべくエネルギーを向けるエネルギ ー供給過程を有することを特徴とするゲッター活性化方法。 ３２．前記閉鎖された環境における圧力が、前記エネルギ一供給過程の間に１２^-2 トル以下の最大真空レベルに達することを特徴とする請求項３１に記載の方法 。 ３３．前記エネルギー供給過程が、レーザビームを前記ゲッターに向ける過程を 含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。 ３４．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを、一片のゲッタリング材 料として閉鎖された環境内に挿入する過程を更に含むことを特徴とする請求項３ ３に記載の方法。 ３５．前記ゲッタリング材料が非蒸発型であることを特徴とする請求項３４に記 載の方法。 ３６．前記エネルギー供給過程の間に、ゲッターが、２つのプレート構 造の間に位置する外側壁を含む中空構造の２つのプレート構造の間に位置するこ とを特徴とする請求項３３に記載の方法。 ３７．前記エネルギー供給過程が、２００℃以上のバイアス温度にて中空構造と 共に外側壁によって前記２つのプレート構造を気密状態を形成するように密着結 合した後、前記中空構造が１０^-2トル以下の内部圧力である間に行われることを 特徴とする請求項３６に記載の方法。 ３８．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ね室温まで冷却した後に行 われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ３９．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ね室温まで冷却する間に行 われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ４０．前記中空構造を概ね室温まで冷却した後に、レーザビームを前記ゲッター に当てて、前記ゲッターを再活性化する過程を更に含むことを特徴とする請求項 ３９に記載の方法。 ４１．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ねバイアス温度にある間に 行われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ４２．前記中空構造を概ね室温まで冷却している間、若しくは冷却した後に、レ ーザビームを前記ゲッターに当てて、前記ゲッターを再活性化する過程を更に含 むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。 ４３．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造が２００℃以上のバイアス温度 にある真空チャンバ内にあり、前記真空チャンバが１０^-2トル以下のチャンバ圧 力を有する間で、かつ、前記２つのプレート構造を前記外側壁を挟んで気密状態 となるように密着結合する前若しくはその間に行われることを特徴とする請求項 ３６に記載の方法。 ４４．前記２つのプレート構造を前記外側壁によって気密状態となるように密着 結合した後に、レーザビームを前記ゲッターに向けて、前記ゲッターを再活性化 する過程を更に含むことを特徴とする請求項４３に記 載の方法。 ４５．前記プレート構造及び外側壁が、フラットパネルディスプレイによって生 成される画像が映されるフェースプレートを含むプレート構造の一方のための、 フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴とする請求項３６に記 載の方法。 ４６．前記エネルギー供給過程の前に、 前記プレート構造の一方において複数の電子放出素子を設ける過程と、 前記プレート構造の他方において複数の発光素子を設ける過程とを更に有する ことを特徴とし、 前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したときに発光 することを特徴とする請求項４５に記載の方法。 ４７．前記密閉された環境における圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2 トルを超える圧力であることを特徴とする請求項３１に記載の方法。 ４８．前記密閉された環境が、中空構造のキャビティーによって形成されており 、前記キャビティーが不活性ガスを含んでいることを特徴とする請求項４７に記 載の方法。 ４９．前記キャビティーにおいてプラズマを形成する過程を更に有することを特 徴とする請求項４８に記載の方法。 ５０．前記キャビティー内の圧力が１トル以上であることを特徴とする請求項４ ９に記載の方法。 ５１．第１プレート構造に複数の電子放出素子を設ける過程と、 フェースプレートを含む第２プレート構造に複数の発光素子を設ける過程であ って、前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したとき発 光する、該過程と、 前記２つのプレート構造の間に外側壁をサンドウィッチ状に挟み、フ ラットパネルディスプレイの主コンパートメントを形成する過程であって、前記 電子放出素子で生成された画像がディスプレイの動作中にフェースプレート上に 表示される、該過程と、 前記外側壁の内部又は前記主コンパートメントの外側に位置し、前記主コンパ ートメントと連通し、２つのコンパートメントが概ね等しい定常コンパートメン ト圧力に達するようにされている補助コンパートメントにゲッターを設置する過 程と、 前記ディスプレイの特定の部分を通して局所的に前記ディスプレーの外部から ゲッター上にエネルギーを向け、前記ゲッターを活性化するエネルギー供給過程 とを含むことを特徴とするゲッター活性化方法。 ５２．前記エネルギー供給過程が、前記ディスプレイの特定の部分を通して、前 記ゲッター上にレーザビームを当てる過程を含むことを特徴とする請求項５１に 記載の方法。 ５３．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、第２プレート構造、及びこの２つのプレート構造の間に延 在する概ね環状の外側壁で形成された主コンパートメントと、前記主コンパート メントの外側に設けられた補助コンパートメントと、 前記補助コンパートメント内に設置されたゲッターと、 ２つのコンパートメントの外側の第１プレート構造の上に設置された制御回路 とを有することを特徴とし、 前記補助コンパートメントが、前記主コンパートメントの外側の前記第１プレ ート構造に接触し、前記第１プレート構造及び主コンパートメントから離れる向 きに延在し、前記第２プレート構造に向かって戻る方向に曲がっており、且つ前 記主コンパートメントの外側の前記第２プレート構造に接触している補助壁で形 成されていることを特徴とし、 前記補助コンパートメントが、前記主コンパートメントと連通してお り、この２つのコンパートメントが概ね等しい定常コンパートメント圧力に達す るようになっていることを特徴とし、 前記補助壁が、前記制御回路より前記第１プレート構造から遠位まで延びてい ないことを特徴とするフラットパネル装置。 ５４．前記２つのコンパートメントが、前記外側壁に設けられた１以上の開口部 で互いに連通していることを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５５．前記補助壁が、 （ａ）前記プレート構造から離隔した概ね平坦な第１壁部分と、 （ｂ）前記第１壁部分に連結された第１エッジを有し、且つ各プレート構造に 連結した第２エッジを有し、前記第１壁部分に対して概ね垂直な方向に延在する 概ね環状の第２壁部分とを含むことを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５６．前記ゲッターが、前記補助コンパートメントの内部で、前記補助壁を通し て局所的に光エネルギーを伝達することによって活性化されるのに適した位置に 配置されていることを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５７．前記プレート構造の間に互いに概ね平行に延在する複数のスペーサ壁を更 に有することを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５８．前記ゲッターを支持し、前記ゲッターを前記プレート構造及び壁から熱的 に絶縁するためのゲッター支持手段を更に有することを特徴とする請求項５３に 記載の装置。 ５９．前記ゲッターが、一片の非蒸発ゲッタリング材料を含むことを特徴とする 請求項５３に記載の装置。 ６０．前記補助コンパートメントに連通したポンプアウトポートを更に有するこ とを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ６１．前記ポンプアウトポートが前記第１プレート構造に概ね平行に延在してい ることを特徴とする請求項６０に記載の装置。 ６２．ポンプアウトポートが、それが閉じられているとき、前記第１プレート構 造を超えて横向きに延在していないことを特徴とする請求項６１に記載の装置。 ６３．前記補助壁が、 プレート用部分及び環状壁部分を含む一体型第１部分であって、前記環状壁部 分がその周縁部に沿って前記第１プレート用部分に併合し、前記環状壁部分が概 ね一定の高さを有する、該一体型第１部分と、 前記環状壁部分に、その第１エッジの反対側の第２エッジに沿って結合するエ ッジ部分を有する一体型の部分的に環状な第２部分とを含むことを特徴とする請 求項５３に記載の装置。 ６４．前記環状壁部分が矩形で、且つ前記部分的に環状の第２部分が三面を有す ることを特徴とする請求項６３に記載の装置。 ６５．前記プレート構造、壁、及びゲッターが、前記フラットパネルディスプレ イによって生成される画像が表示されるフェースプレートを含む前記第２プレー ト構造のための、フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴とす る請求項６３に記載の装置。 ６６．前記第１プレート構造が複数の電子放出素子を有し、 前記第２プレート構造が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したと きに発光する複数の発光素子を有することを特徴とする請求項６５に記載の装置 。 ６７．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、第２プレート構造、及び両プレート構造の間に延在する少 なくとも部分的に環状の外側壁で構成された主コンパートメントであって、前記 外側壁が前記コンパートメントに対向する壁内側表面、 前記外側壁を部分的に通して前記壁内側表面から延在するゲッターキャビティー を有する、該主コンパートメントと、 少なくとも部分的に前記ゲッターキャビティー内に設置されたゲッターとを有 することを特徴とするフラットパネル装置。 ６８．前記外側壁が完全に環状であることを特徴とする請求項６７に記載の装置 。 ６９．前記ゲッターを支持し、前記ゲッターを前記外側壁及びプレート構造から 熱的に絶縁するためのゲッター支持手段を更に有することを特徴とする請求項６ ７に記載の方法。 ７０．前記ゲッターキャビティーが前記外側壁の中間部分に配設されており、前 記中間部分は、それぞれ前記第１及び第２プレート構造に連結された第１及び第 ２延長部分にサンドウィッチ状に挟まれており、これらの第１及び第２の延長部 分が、前記中間部分とは、異なるタイプの材料からなることを特徴とする請求項 ６９に記載の装置。 ７１．前記プレート構造、外側壁、及びゲッターが、前記フラットパネルディス プレイによって生成された画像が表示されるフェースプレートを有する第２プレ ート構造のための、フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴と する請求項６７に記載の装置。 ７２．前記第１プレート構造が、複数の電子放出素子を有し、 前記第２プレート構造が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したと き発光する複数の発光素子を有することを特徴とする請求項７１に記載の装置。 ７３．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、及び前記第１プレート構造の反対側にそれに結合した形態 で設けられている第２プレート構造によって形成された主コンパートメントと、 （ａ）前記第１プレート構造に結合された補助壁と、（ｂ）前記第１プレート 構造を貫通する１個以上の開口部によって前記主コンパートメントと連通してい る補助コンパートメントであって、２つのコンパートメントが概ね等しい定常コ ンパートメント圧力に達するようになっている、該補助コンパートメントと、 前記補助コンパートメントの中に設けられているゲッターと、 前記両コンパートメントの外側で、前記第１プレート構造の上に配設されてい る追加の構成要素材料とを有することを特徴とし、 前記補助壁が、前記追加の構成要素材料よりも前記第１プレート構造から著し く離れた位置まで延在していないことを特徴とするフラットパネル装置。 ７４．前記追加の構成要素材料が、制御回路を含むことを特徴とする請求項７３ に記載の装置。 ７５．前記制御回路及び前記補助壁が、前記第１プレート構造から概ね同じ距離 だけ離れた位置まで延在していることを特徴とする請求項７４に記載の装置。 ７６．前記第１プレート構造が制御されて選択的に電子を放出し、 前記第２プレート構造が、前記第１プレート構造から受け取った電子に応じて 画像を生成するべく発光することを特徴とする請求項７３乃至７５の何れかに記 載の装置。 ７７．前記主コンパートメントが、それを通して前記プレート構造が互いに結合 されている概ね環状の外側壁によっても形成されていることを特徴とする請求項 ７３乃至７５の何れかに記載の装置。 ７８．前記ゲッターが、一片の非蒸発性ゲッタリング材料を含むことを特徴とす る請求項７３乃至７５の何れかに記載の装置。 ７９．前記補助コンパートメントに連通したポンプアウトポートを更に 有することを特徴とする請求項７３乃至７５の何れかに記載の装置。 ８０．前記ポンプアウトポートが、前記第１プレート構造と概ね平行に延在して いることを特徴とする請求項７９に記載の装置。 ８１．前記ポンプアウトポートが、それが閉じられているとき、前記第１プレー ト構造を超えて横向きに延在していないことを特徴とする請求項８０に記載の装 置。 ８２．前記ゲッターが、前記補助壁を通して局所的に伝達される光エネルギーに よって活性化されるのに適した、前記補助コンパートメント内部の位置に配設さ れていることを特徴とする請求項７３乃至７５の何れかに記載の装置。 ８３．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、第２プレート構造、及び両プレート構造の間に延在する概 ね環状の外側壁で形成された主コンパートメントと、 前記主コンパートメントの外側に配置され、前記主コンパートメントの外側の 第１プレート構造に接触し、前記第１プレート構造と主コンパートメントから離 れる向きに延在し、前記第２プレート構造に向かって後ろ向きに曲がり、且つ前 記主コンパートメントの外側で前記第２プレート構造に接触する補助壁で形成さ れた補助コンパートメントであって、前記補助コンパートメントが前記主コンパ ートメントと連通し、２つのコンパートメントが概ね等しい定常コンパートメン ト圧力に達するようになっている、該補助コンパートメントと、 前記補助コンパートメント内に配設されたゲッターと、 前記第１プレート構造に概ね平行に延在し、それが閉じられたとき、前記第１ プレート構造を超えて横向きに延在していない、前記補助コンパートメントに直 接連結されたポンプアウトポートとを有することを特徴とするフラットパネル装 置。 ８４．前記ポンプアウトポートが、それが閉じられたとき、前記補助壁より前記 第１プレート構造から遠位まで延在しないことを特徴とする請求項８３に記載の 装置。 ８５．前記補助壁を通して局所的に伝達された光エネルギーによって活性化され るのに適した前記補助コンパートメント内の位置に前記ゲッターが配設されるこ とを特徴とする請求項８３若しくは８４に記載の装置。 ８６．前記プレート構造、壁、ゲッター、及びポンプアウトポートが、前記フラ ットパネルディスプレイによって生成された画像が表示されるフェースプレート を含む第２プレート構造のための、フラットパネルディスプレイの構成要素であ ることを特徴とする請求項８３若しくは８４に記載の装置。 ８７．中空構造の外側から、前記中空構造の特定の部分を局所的に通して、前記 中空構造のキャビティーに配設されたゲッター上にエネルギーを当てて前記ゲッ ターを活性化させるエネルギー供給過程を含むゲッター活性化方法。 ８８．前記中空構造が、一対のプレート構造及び前記プレート構造を分離する外 側壁を有することを特徴とする請求項８７に記載の方法。 ８９．前記プレート構造及び前記外側壁が、フラットパネルディスプレイの構成 要素であることを特徴とする請求項８８に記載の方法。 ９０．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを前記キャビティー内に挿 入し、前記ゲッターが前記２つのプレート構造の間に配設されるようにする過程 を有することを特徴とする請求項８８若しくは８９に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ (72)発明者 カーティン、クリストファー・ジェイ アメリカ合衆国カリフォルニア州94024・ ロスアルトスヒルズ・ノースクレストレイ ン 24795 (72)発明者 チョ、スティーブン・ティー アメリカ合衆国カリフォルニア州95054・ サンタクララ・＃301・ビスタクラブサー クル 1550 (72)発明者 コンテ、アルフレッド・エス アメリカ合衆国カリフォルニア州95023・ ホリスター・ティエラデルソル 291 (72)発明者 ポソーブン、フロイド・アール アメリカ合衆国カリフォルニア州90250・ ホーソーン・ウエストワンハンドレッドフ ォーティーセカンドストリート 5425 (72)発明者 クーパー、アンソニー・ジェイ アメリカ合衆国カリフォルニア州92025・ エスコンディード・ラスパルマスアベニュ ー 2705

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．中空構造の特定の部分を通して該中空構造のキャビティーに設置されたゲッ ターに局所的に光エネルギーを向けてゲッターを活性化させるエネルギー供給過 程を含むことを特徴とするゲッター活性化方法。 ２．前記中空構造が、一対のプレート構造及び前記プレート構造を分離している 外側壁を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３．前記プレート構造及び前記外側壁が、フラットパネルディスプレイの構成要 素であることを特徴とする請求項２に記載の方法。 ４．前記エネルギー供給過程の前に、ゲッターが２つの前記プレート構造の間に 配置されるようにゲッターを前記キャビティー内に挿入する過程を含むことを特 徴とする請求項３に記載の方法。 ５．前記中空構造の前記特定の部分が、前記プレート構造の一方の透明な材料を 含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。 ６．前記エネルギー供給過程が、両前記プレート構造を前記外側壁を挟んで密着 結合して気密状態に密閉されたエンクロージャを形成する前若しくはその間に行 われることを特徴とする請求項３に記載の方法。 ７．前記エネルギー供給過程が、両前記プレート構造を前記外側壁を挟んで密着 結合して気密状態に密閉されたエンクロージャを形成した後に行われることを特 徴とする請求項３に記載の方法。 ８．前記キャビティーが補助コンパートメントを含み、前記補助コンパートメン トにゲッターが配置され、前記補助コンパートメントが、中空構造でより大形の 主コンパートメントの外側に配置され、主コンパートメントに連通させられて、 ２つのコンパートメントが概ね等しい定常圧力に達するようになっていることを 特徴とする請求項１に記載の方法。 ９．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造の特定の部分を通して、前記ゲッ ターにレーザビームを向ける過程を含むことを特徴とする請求 項１乃至８の何れかに記載の方法。 １０．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを一片のゲッタリング材料 として前記キャビティー内に挿入する過程を更に含むことを特徴とする請求項１ 乃至８の何れかに記載の方法。 １１．前記ゲッタリング材料が非蒸発型であることを特徴とする請求項１乃至８ の何れかに記載の方法。 １２．前記ゲッターが３００〜９５０℃の活性化温度に上昇させられた際に活性 化されることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の方法。 １３．前記活性化温度が７００〜９００℃であることを特徴とする請求項１２に 記載の方法。 １４．前記エネルギー供給過程が、少なくとも部分的に焦点ランプを用いて行わ れることを特徴とする請求項８に記載の方法。 １５．前記中空構造が、第１プレート構造、第２プレート構造、及び両前記プレ ート構造の間に延在し主コンパートメントを形成している外側壁を含むことを特 徴とする請求項８に記載の方法。 １６．前記中空構造が、前記第１プレート構造に接触し、前記第１プレート構造 及び前記主コンパートメントの双方から離れる向きに延在する、前記補助コンパ ートメントを形成する補助壁を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 １７．前記主コンパートメント及び前記補助コンパートメントの外側の前記第１ プレート構造の上に制御回路を設ける過程を更に含むことを特徴とし、 前記補助コンパートメントが、前記制御回路よりも前記第１プレート構造から 遠位まで延びていないことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 １８．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを前記補助コンパートメン トに挿入する過程を更に含むことを特徴とし、 前記ゲッターが前記プレート構造群及び壁から熱的に絶縁されていることを特 徴とする請求項１６に記載の方法。 １９．前記エネルギーが、前記補助コンパートメントの壁の透明な材料を局所的 に通過することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 ２０．前記エネルギー供給過程が、前記プレート構造群を前記外側壁を挟んで密 着結合して密閉状態を形成する前又はその間に行われることを特徴とする請求項 １５に記載の方法。 ２１．前記エネルギー供給過程が、前記プレート構造群を前記外側壁を挟んで密 着結合して密閉状態を形成した後に行われることを特徴とする請求項１５に記載 の方法。 ２２．前記中空構造が、前記エネルギー供給過程の間に常圧より低い内部圧力に あることを特徴とする請求項１５に記載の方法。 ２３．前記内部圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2トル以下であるこ とを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２４．前記コンパートメントが、前記フラットパネルディスプレイによって生成 される画像が可視状態に表示されるフェースプレートを含むプレート構造の一方 に対するフラットパネルディスプレイの一部であこることを特徴とする請求項１ ５に記載の方法。 ２５．前記エネルギー供給過程の前に、 前記プレート構造の一方に複数の電子放出素子を設ける過程と、 前記プレート構造の他方に複数の発光素子を設ける過程とを含むことを特徴と し、 前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したときに発光 することを特徴とする請求項２４に記載の方法。 ２６．前記電子放出素子が、電界放出に基づいて動作することを特徴とする請求 項２５に記載の方法。 ２７．前記内部圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2トル以上であるこ とを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２８．前記コンパートメント群が不活性ガスを含むことを特徴とする請求項２７ に記載の方法。 ２９．前記主コンパートメント内にプラズマを形成する過程を更に含むことを特 徴とする請求項２８に記載の方法。 ３０．前記内部圧力が１トル以上であることを特徴とする請求項２９に記載の方 法。 ３１．常圧より低い圧力にある密閉された環境に設置されたゲッターに光エネル ギーを局所的に当ててゲッターを活性化させるべくエネルギーを向けるエネルギ ー供給過程を有することを特徴とするゲッター活性化方法。 ３２．前記閉鎖された環境における圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１２^-2 トル以下の最大真空レベルに達することを特徴とする請求項３１に記載の方法 。 ３３．前記エネルギー供給過程が、レーザビームを前記ゲッターに向ける過程を 含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。 ３４．前記エネルギー供給過程の前に、前記ゲッターを、一片のゲッタリング材 料として閉鎖された環境内に挿入する過程を更に含むことを特徴とする請求項３ ３に記載の方法。 ３５．前記ゲッタリング材料が非蒸発型であることを特徴とする請求項３４に記 載の方法。 ３６．前記エネルギー供給過程の間に、ゲッターが、２つのプレート構造の間に 位置する外側壁を含む中空構造の２つのプレート構造の間に位 置することを特徴とする請求項３３に記載の方法。 ３７．前記エネルギー供給過程が、２００Ｃ以上のバイアス温度にて中空構造と 共に外側壁によって前記２つのプレート構造を気密状態を形成するように密着結 合した後、前記中空構造が１０^-2トル以下の内部圧力である間に行われることを 特徴とする請求項３６に記載の方法。 ３８．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ね室温まで冷却した後に行 われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ３９．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ね室温まで冷却する間に行 われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ４０．前記中空構造を概ね室温まで冷却した後に、レーザビームを前記ゲッター に当てて、前記ゲッターを再活性化する過程を更に含むことを特徴とする請求項 ３９に記載の方法。 ４１．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造を概ねバイアス温度にある間に 行われることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ４２．前記中空構造を概ね室温まで冷却している間、若しくは冷却した後に、レ ーザビームを前記ゲッターに当てて、前記ゲッターを再活性化する過程を更に含 むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。 ４３．前記エネルギー供給過程が、前記中空構造が２００Ｃ以上のバイアス温度 にある真空チャンバ内にあり、前記真空チャンバが１０^-2トル以下のチャンバ圧 力を有する間で、かつ、前記２つのプレート構造を前記外側壁を挟んで気密状態 となるように密着結合する前若しくはその間に行われることを特徴とする請求項 ３６に記載の方法。 ４４．前記２つのプレート構造を前記外側壁によって気密状態となるように密着 結合した後に、レーザビームを前記ゲッターに向けて、前記ゲッターを再活性化 する過程を更に含むことを特徴とする請求項４３に記載の方法。 ４５．前記プレート構造及び外側壁が、フラットパネルディスプレイによって生 成される画像が映されるフェースプレートを含むプレート構造の一方のための、 フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴とする請求項３６に記 載の方法。 ４６．前記エネルギー供給過程の前に、 前記プレート構造の一方において複数の電子放出素子を設ける過程と、 前記プレート構造の他方において複数の発光素子を設ける過程とを更に有する ことを特徴とし、 前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したときに発光 することを特徴とする請求項４５に記載の方法。 ４７．前記密閉された環境における圧力が、前記エネルギー供給過程の間に１０^-2 トルを超える圧力であることを特徴とする請求項３１に記載の方法。 ４８．前記密閉された環境が、中空構造のキャビティーによって形成されており 、前記キャビティーが不活性ガスを含んでいることを特徴とする請求項４７に記 載の方法。 ４９．前記キャビティーにおいてプラズマを形成する過程を更に有することを特 徴とする請求項４８に記載の方法。 ５０．前記キャビティー内の圧力が１トル以上であることを特徴とする請求項４ ９に記載の方法。 ５１．第１プレート構造に複数の電子放出素子を設ける過程と、 フェースプレートを含む第２プレート構造に複数の発光素子を設ける過程であ って、前記発光素子が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したとき発 光する、該過程と、 前記２つのプレート構造の間に外側壁をサンドウィッチ状に挟み、フラットパ ネルディスプレイの主コンパートメントを形成する過程であっ て、前記電子放出素子で生成された画像がディスプレイの動作中にフェースプレ ート上に表示される、該過程と、 前記外側壁の内部又は前記主コンパートメントの外側に位置し、前記主コンパ ートメントと連通し、２つのコンパートメントが概ね等しい定常コンパートメン ト圧力に達するようにされている補助コンパートメントにゲッターを設置する過 程と、 前記ディスプレイの特定の部分を通して局所的にエネルギーを向け、前記ゲッ ターを活性化するエネルギー供給過程とを含むことを特徴とするゲッター活性化 方法。 ５２．前記エネルギー供給過程が、前記ディスプレイの特定の部分を通して、前 記ゲッター上にレーザビームを当てる過程を含むことを特徴とする請求項５１に 記載の方法。 ５３．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、第２プレート構造、及びこの２つのプレート構造の間に延 在する概ね環状の外側壁で形成された主コンパートメントと、前記主コンパート メントの外側に設けられた補助コンパートメントと、 前記補助コンパートメント内に設置されたゲッターとを有することを特徴とし 、 前記補助コンパートメントが、前記主コンパートメントの外側の前記第１プレ ート構造に接触し、前記第１プレート構造及び主コンパートメントから離れる向 きに延在し、前記第２プレート構造に向かって戻る方向に曲がっており、且つ前 記主コンパートメントの外側の前記第２プレート構造に接触している補助壁で形 成されていることを特徴とし、 前記補助コンパートメントが、前記主コンパートメントと連通しており、この ２つのコンパートメントが概ね等しい定常コンパートメント圧力に達するように なっていることを特徴とするフラットパネル装置。 ５４．前記２つのコンパートメントが、前記外側壁に設けられた１以上の開口部 で互いに連通していることを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５５．前記コンパートメントの外側で前記第１プレート構造の上に設置された制 御回路を更に有し、前記補助壁が、前記第１プレート構造から前記制御回路より も遠位まで延在していないことを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５６．前記補助壁が、 （ａ）前記プレート構造から離隔した概ね平坦な第１壁部分と、 （ｂ）前記第１壁部分に連結された第１エッジを有し、且つ各プレート構造に 連結した第２エッジを有し、前記第１壁部分に対して概ね垂直な方向に延在する 概ね環状の第２壁部分とを含むことを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５７．前記ゲッターが、前記補助コンパートメントの内部で、前記補助壁を通し て局所的に光エネルギーを伝達することによって活性化されるのに適した位置に 配置されていることを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ５８．前記プレート構造の間に互いに概ね平行に延在し、前記ゲッターに対して 概ね垂直に延在する複数のスペーサ壁を更に有することを特徴とする請求項５３ に記載の装置。 ５９．前記ゲッターを支持し、前記ゲッターを前記プレート構造及び壁から熱的 に絶縁するためのゲッター支持手段を更に有することを特徴とする請求項５３に 記載の装置。 ６０．前記ゲッターが、一片の非蒸発ゲッタリング材料を含むことを特徴とする 請求項５３に記載の装置。 ６１．前記補助チャンバに連通したポンプアウトポートを更に有するこ とを特徴とする請求項５３に記載の装置。 ６２．前記ポンプアウトポートが前記第１プレート構造に概ね平行に延在してい ることを特徴とする請求項６１に記載の装置。 ６３．前記補助壁が、 プレート用部分及び環状壁部分を含む一体型第１部分であって、前記環状壁部 分がその周縁部に沿って前記第１プレート用部分に併合し、前記環状壁部分が概 ね一定の高さを有する、該一体型第１部分と、 前記環状壁部分に、その第１エッジの反対側の第２エッジに沿って結合するエ ッジ部分を有する一体型の部分的に環状な第２部分とを含むことを特徴とする請 求項５３に記載の装置。 ６４．前記環状壁部分が矩形で、且つ前記部分的に環状の第２部分が三面を有す ることを特徴とする請求項６３に記載の装置。 ６５．前記プレート構造、壁、及びゲッターが、前記フラットパネルディスプレ イによって生成される画像が表示されるフェースプレートを含む前記第２プレー ト構造のための、フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴とす る請求項６３に記載の装置。 ６６．前記第１プレート構造が複数の電子放出素子を有し、 前記第２プレート構造が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したと きに発光する複数の発光素子を有することを特徴とする請求項６５に記載の装置 。 ６７．フラットパネル装置であって、 第１プレート構造、第２プレート構造、及び両プレート構造の間に延在する少 なくとも部分的に環状の外側壁で構成された主コンパートメントであって、前記 外側壁が前記コンパートメントに対向する壁内側表面、前記外側壁を部分的に通 して前記壁内側表面から延在するゲッターキャビティーを有する、該主コンパー トメントと、 少なくとも部分的に前記ゲッターキャビティー内に設置されたゲッターとを有 することを特徴とするフラットパネル装置。 ６８．前記外側壁が完全に環状であることを特徴とする請求項６７に記載の装置 。 ６９．前記ゲッターを支持し、前記ゲッターを前記外側壁及びプレート構造から 熱的に絶縁するためのゲッター支持手段を更に有することを特徴とする請求項６ ７に記載の方法。 ７０．前記ゲッターキャビティーが前記外側壁の中間部分に配設されており、前 記中間部分は、それぞれ前記第１及び第２プレート構造に連結された第１及び第 ２延長部分にサンドウィッチ状に挟まれており、これらの第１及び第２の延長部 分が、前記中間部分とは、異なるタイプの材料からなることを特徴とする請求項 ６９に記載の装置。 ７１．前記プレート構造、外側壁、及びゲッターが、前記フラットパネルディス プレイによって生成された画像が表示されるフェースプレートを有する第２プレ ート構造のための、フラットパネルディスプレイの構成要素であることを特徴と する請求項６７に記載の装置。 ７２．前記第１プレート構造が、複数の電子放出素子を有し、 前記第２プレート構造が、前記電子放出素子から放出された電子が衝当したと き発光する複数の発光素子を有することを特徴とする請求項７１に記載の装置。