JP2001506416A

JP2001506416A - バイア構造

Info

Publication number: JP2001506416A
Application number: JP52763398A
Authority: JP
Inventors: ヘッセルボム，フヤルアル; ボド，ペテル
Original assignee: テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン（パブル）
Priority date: 1996-12-19
Filing date: 1997-12-19
Publication date: 2001-05-15
Also published as: AU5505998A; KR100411870B1; SE511377C2; CN1146043C; EP0950262A1; CN1247635A; SE9604688L; KR20000069625A; SE9604688D0; US6091027A; WO1998027588A1; CA2275435A1; TW347644B

Abstract

(57)【要約】基板（１）中のバイア位置にスルーホール（３）をエッチングして、孔（３）の傾いたまたは傾斜した側壁（８）上に伝送ライン（２５）を配置することによってバイア構造が得られる。ライン（２５）は、基板の底部にある薄膜構造のフリーな部分中に位置するバイア（２９）を経由して、基板（１）の反対側の表面上の導体（１７）までつながる。フリーな部分は、例えばバス構造を形成する複数の平行なライン（２５）へ接続するためのいくつかのバイア（２９）をそこに形成することができるほど、非常に強く大きい。大きいフリーな部分は、孔（３）中の層の上部に設けられた厚いサポート層（３３）によって付加的に支えられる。基板（１）と伝送ライン（２５）との間に絶縁されたアース面（１９）と誘電体層（２３）とを設けることによって、バイアホール構造の傾斜した側壁（８）上の伝送ラインをインピーダンス整合させることができる。バイアホールの傾斜した側壁（８）は単結晶シリコン基板に関しては、Ｖ字溝エッチを使用すれば容易に得られる。得られたバイア構造はデータ伝送バスに特に適しており、それは、バイア構造を通してそれらの伝送ライン密度を減らす必要がない。

Description

【発明の詳細な説明】バイア構造技術分野本発明は誘電体材料のためのバイア構造、すなわち、異なる面にある導電体経路を電気的に相互接続するためのデバイスと、そのようなバイア構造を製造する方法とに関する。背景および従来技術誘電体材料のためのバイア構造を設計する場合、バイアは多層の回路基板またはその他の多層基板中で使用されるような、互いに並行で隣接して位置する異なる面内にある導体を接続するための電気的接続構造となるのであるが、いくつかの問題がある。厚い基板の場合、データバス中の平行な伝送ライン用として用いられるバイアは、バイアホールを導電性の材料で以て十分埋めるために要求されるバイアホールのアスペクト比のために、伝送ラインと同じ間隔で配置することはできない。この問題に対する解決策は、バイアを作製すべき基板をもっと薄くすることであろう。こうして、米国特許第５，３２２，８１６号には、傾いた側壁を有する孔の底に配置したバイアを用いた深いフィードスルーが開示されている。この孔はシリコン基板の異方性エッチングで作られ、それの側壁は、基板の反対側にある金属層へバイアを通して接続するための金属材料で覆われている。しかし、この孔も上側の直径が大き過ぎて、密に配置された平行な伝送ラインへつなぐことができない。同様な構造が、発行された英国特許出願第２，１５０，７４９号に開示されている。米国特許第４，６１３，８９１号に開示されたように、集積回路チップはそれの能動的な上側をシリコンウエハの底側へ取り付けられている。傾斜した壁を有する孔がウエハ中をチップに達するまでエッチされる。傾斜した壁の上を導電性経路が上方へ延びて、ウエハの上側表面でチップ上の伝導性パッドを他の部品へつないでいる。この構造は、互いから切り離すことのできないチップおよび基板を含むマルチチップ、マルチレベルチップモジュールで使用するためのバイア構造には適していない。更に、バイアを通して伝送される信号の周波数が増大する時、すなわち高周波信号に対しては、余りに大きい歪み／減衰または他の信号との干渉なしで、信号を伝送することには困難があろう。これらの困難は翻って、適正にインピーダンス整合していないバイアの部分に関連する。一般に、伝送される高周波信号に対して余りに重大なエラーを課することのないように、インピーダンス整合していない伝送ラインの部分は、誘電体媒質を通って送信される信号の最大周波数の波長の１／２０を超えるべきでない。例えば、１０ＧＨｚの周波数および等価的誘電率が３に等しい場合に対しては、波長の１／２０は１／２ｍｍ、すなわち５００μｍに等しくなる。このように、導電性経路がいくつかの基板を、すなわち導電性経路を含むいくつかの面を貫通する多層構造の場合のように、１つの部品から別の部品への電気的接続経路がいくつかのバイアを含む場合には、接続経路のインピーダンス整合していない部分の全長はこの接続経路上を伝送される信号に対してエラーを課することができる。接続経路のインピーダンス不整合部分の繰り返しが、受信される信号に対して顕著に影響しないためには、通常、次のことが要求される。 −接続経路の各インピーダンス不整合部分が信号波長の１／２０よりも短い長さを有すること、および −インピーダンス不整合部分が、それぞれ信号波長の１／２よりも長い距離、すなわち上で述べたケースでは少なくとも５ｍｍの距離を有するインピーダンス整合部分によってそれぞれ分離されていることであるが、このことは特にバイアを繰り返し含む接続経路については通常保証できない。別の問題は、導電性経路を支える誘電体媒質が高周波信号に対して減衰をもたらすことに存在する。これらの問題に対する一般的な回答は、同軸構造として設計された、インピーダンス整合したバイアを使用することである。すなわち、例えば米国特許第５，２６６，９１２号は同軸ピン上に外部接続を有するマルチチップモジュールＭＣＭについて述べている。同軸遮蔽については米国特許第５，２５３，１４６号に開示されており、そこでは２つの回路基板間に、アースされた中間の導電性遮蔽フレームがはめられている。このフレームは回路基板を接続する同軸の電気コネクターを取り囲む貫通孔を有する。インピーダンス整合を達成する別の方法が米国特許第５，３３８，９７０号に開示されており、それはパッケージの高周波特性を改善するために、遮蔽技術を用いた多層構造のパッケージについて述べている。これは、制御可能な特性インピーダンスを有する２線式の伝送ラインを生成するために、伝導性バイアの近くに配置された遮蔽バイアを使用することによって実現される。しかし、例えば、幅よりもずっと長い、あるいは深い、すなわち１よりもずっと大きいアスペクト比を有する同軸バイア構造を生成することは非常に困難である。例えば、マルチチップモジュール、あるいはＭＣＭの同じ側にあって平行な２本の導電体間の典型的な距離は５０−７５μｍであり、他方で、基板の厚さは１／２と１ｍｍの間にある。いくつかの平行な導電体経路を含む信号バス用として使用されるバイアから伝送ラインがファンアウト（ｆａｎ−ｏｕｔ）されないようにするためには、約２０μｍの外径と０．５ｍｍの長さを有する同軸構造、すなわちそれらの長さ対厚さの比が２５：１である構造が必要とされようが、これは実際に実現することは非常に困難である。例えば、２５μｍの外側寸法、すなわち遮蔽金属の外側の直径と、５０オームの特性インピーダンスを有する同軸構造が必要であると仮定する。更に、遮蔽金属の厚さが３μｍであると仮定する。この結果、絶縁体の外側直径は１９μｍとなる。更に、絶縁体の相対的誘電率が３に等しいと仮定する。これは次の式に従って、Ｚ₀＝５９．９７＊ｓｑｒｔ（ｌ／ε_r）＊ｌｎ（Ｒ／ｒ）ここで、ε_rは絶縁体の相対的誘電率、Ｒおよびｒはそれぞれ絶縁体の外径および内径とすると、５０オームに対して内部導体の直径は４．５μｍとなる。２５ μｍの孔の壁をほぼ均一に遮蔽金属で以て覆うために、この場合には、約２６である長さまたは深さ対直径の比に対して、なんらかの気相または液相での堆積が必要とされる。これは蒸着または同様な手法では、形成される層の満足できる均一性が得られないからである。高い伝導度を有する金属に対しては、最初の堆積を無電気メッキから得ることができ、これは非常に均一であるが、多分もつと薄い層を提供することができる。この層は電解メッキによってより厚くすることができるが、輸送および電流の制限によって均一な厚さを保つことは困難であろう。気相からの直接的なタングステンによってかなり均一な層が得られる。しかし、Ｗ金属は比較的電気抵抗率が高く、遮蔽金属としては適していないかもしれない。しかし、気相からの直接的な堆積によって、比較的均一なポリマー材料の絶縁体“パイラリン（Ｐｙｒａｌｉｎｅ）”を得ることは可能で、従って、この材料の堆積時には、堆積が一層毎に行われ、この場合のように、約２０という長さ／直径比でも均一な堆積を得ることが可能であろう。最も困難な問題は、内部の中心導体を作製することに付随している。４．５μ ｍの直径のために、上の議論に従えば、長さ／直径の比と１１１になり、それが原因で多分、そのように非常に薄いプラグを作製するために使用されるあらゆる堆積手法が何らかの形の輸送制限を受けるために、十分に厚い金属層が孔の壁の内部部分に堆積される前に、スルーホールの終端部が閉じられてしまう危険性が大きい。概要本発明の１つの目的は、伝送ラインのバスやその他の密に配置された導体のためのバイア構造を形成する問題点、特に同軸のバイア構造に付随する問題点を克服するバイア構造を提供することである。特に、本発明の１つの目的は、バイア構造であつて、それらのほとんど全長にわたってインピーダンス整合させることができ、それらのインピーダンス整合しない小部分がバイア導体を通して送信される高周波信号に擾乱を与えることのない導電体を含むバイア構造を提供することである。本発明の、更に別の１つの目的は、基板上にわずかな空間あるいはわずかな面積しか必要としないバイア構造を提供することである。本発明の、更に別の１つの目的は、密に配置された平行な導体経路を、基板の反対側の同様な導体経路へつなぐことを可能とするバイア構造であって、導体経路の連続したものを構成し、その連続が導体から本質的に前方に真っ直ぐに延びており、あるいは導体の位置する基板表面に対して垂直な、本質的に同じ面にそれらが位置するようにバイア構造を提供することである。本発明の、別の１つの目的は、バイア構造であって、密に間隔をおいて配置された平行な導体経路を、基板の反対側の表面にある同様な導体経路へつなぐバイア導体を有しており、導体に対するのと同じ方向から見た時に、密に間隔をおいて配置された導体と同じ間隔を前記バイア導体が有している、バイア構造を提供することである。更に、本発明の１つの目的は、バイア導体をそれらのほとんど全長に亘ってインピーダンス整合させ、またバイア導体をバス構造中の正規の導電体と同じ密な間隔で以て配置させるようにバイア構造を作製する方法を提供することである。バイア構造は本質的にインピーダンス整合したバイアを実現するために同軸構造とする必要はない。その代わりに、上部表面から傾いた傾斜側壁を有するスルーホールを得るために、それの上部表面から基板をエッチングすることによってバイアが形成される。伝送ラインまたは伝送ラインのバスは、基板の１つの表面から反対側の表面へ、エッチされた孔の傾斜した側壁に沿って、そこに位置するパターン化された１つの導体またはパターン化された複数の導体によってつながる。それらの傾斜した側壁上に存在するバイア構造の導電体の部分は、伝送ラインを形成する導体の直下に位置する適当な誘電体層の１層によって、および誘電体層と基板との間に位置するアース面によって、インピーダンス整合される。スルーホールの底には、傾斜した側壁上の伝送ラインを基板の底面にある伝送ラインへつなぐ、短く、インピーダンス整合していない導電体が設けられる。スルーホールの底は、基板の底面を覆って広がり、基板底面の伝送ラインを含む薄膜構造によって閉じることができる。従って、短い、インピーダンス整合していないバイア導体部分は、それらの底面伝送ラインをインピーダンス整合させるために必要な層の全体厚さに本質的に対応する長さ、すなわち例えば、アース面またはグラウンド層と誘電体層の厚さの和に対応する長さを有することになろう。薄膜の層の厚さは２−１０μｍの大きさであり、従って、非常に高い周波数を有する信号が顕著な影響を受けることなく、バイア導体のインピーダンス整合していない部分を通って伝搬することができる。一般的に表現すると、バイア構造は２つの対向する表面の各々に導電体経路または伝送ラインを有しており、前面または上面のフロントまたはトップの導体経路はトップ伝送ラインを形成しており、裏面または底面のリアまたはボトム導体経路はボトム伝送ラインを形成している。バイア構造は、一般に電気的に絶縁されるか、あるいは少なくとも半絶縁される、通常は薄い、本質的に平坦な板状の基板中に作製される。基板は、例えば、三次元的なマルチチップモジュールで、モジュールのスタックされた基板の異なるもの、あるいは異なるレベルを電気的に相互接続するために用いられるバイアチップ、あるいは三次元的マルチチップモジュール中で、いくつかの平行な面、特に上面および底面に導電体を有し、導体によって相互接続された電子部品を搭載する基板の１つでよい。特に、基板は未ドープの単結晶シリコンで作ることができて、例えば、集積回路を製造する時に使用されるタイプのシリコンチップでよい。基板中のスルーホールは前面にある上部開口から基板の裏面にある底部開口への傾いた側壁を有するように作られる。側壁は、基板表面に対して、例えば４５ −６０°の角度を有することができる。単結晶シリコン基板の場合には、孔は異方性エッチングによって、側壁が基板表面に対して５４．７４°の角度を有するように作ることができる。電気的に絶縁された、および／または誘電体の膜が、それに対してスルーホールが傾きを有する裏面または底面を覆って、裏面導体経路が膜の下側表面または底面に位置するようにされる。膜中、裏面導体経路の端に、膜の底面から延びて、スルーホールの底部開口の内側の場所で終端する第１のアパーチャが設けられる。この場所は、アパーチャから孔の側壁の隣接する下端までに本質的な距離が存在することから好ましいものとなっている。この距離は例えば、アパーチャの少なくとも直径に対応している。導電体経路は上部導体経路から発して、側壁に沿って底部開口中へ下方に延びて、第１アパーチャまで達している。この導電体は次に好ましくは、膜のフリーな部分の上面を、側壁から第１アパーチャまたは窪みまで本質的な距離を走る。この距離は従って、少なくともアパーチャの直径に対応している。アパーチャ中の導電性材料は、側壁導体経路と裏面導体経路とを電気的に相互接続するバイアを形成する。伝送ラインの密な間隔および貫通接続のための小さい領域積を達成するために、複数のバイア、または少なくとも２つの別個のバイアがスルーホールの底に配置される。これは、個々のバイアの断面領域がスルーホールの底面領域の小さい部分でなければならない、すなわちそれの１０分の１以下でなければならないことを意味する。従って、側壁上の対応する複数の伝送ラインまたは側壁導体経路を、各伝送ラインが例えば１個のバイアに対応するように、バイアへつなぐことができる。このように一般的に、対応するバイアへつながれた少なくとも２つの側壁導体経路を配置することができる。２つのそのような側壁導体経路は、平行に互いに隣接しながら接続されたバイアの場所で終わるように延びることができて、従ってそれらは導体経路に対して本質的に垂直なラインに沿って位置することができる。２つのそのような側壁導体経路はまた、基板の表面に対して垂直な面内に位置するラインに沿って延びることもできて、それらはその場合にはこれもその面内に位置するバイアの場所で終端し、それへつながれる。底部開口中の電気的に絶縁性の膜のフリーな部分を支え、保護するために、膜の上側表面上、スルーホールの内部に、側壁へ延びるサポート層を配置することができる。側壁導体経路はインピーダンス整合させて、側壁導体経路の位置する場所で側壁へ適当な材料の層を設けることにより高周波伝送ラインを形成することができる。こうして、誘電体材料の第１層は、側壁上、および側壁導体経路下に位置する。第１の導電性層は誘電体材料の第１層の直下に位置して、この構造が使用される時に電気信号のアースへつながれることを意図している。第１層の誘電体材料および厚さは、側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選ぶことができる。更に、裏面導体経路は、第２の導電性層を誘電体膜と基板底面との間に位置づけ、電気信号のアースへつながれることを意図することによって、インピーダンス整合させることができる。次に、第２の導電性層と基板底面との間に、誘電体材料の第２層が配置される。２つのグラウンド層を相互接続するために、誘電体材料の第２層中に第２のアパーチャが作製されて、それがスルーホール内部で終端するようにされる。このアパーチャ中の導電性材料は第１および第２の導電性層を互いに電気的に接続するバイアを形成する。図面の簡単な説明本発明はここで添付図面を引用しながら、非限定的な実施例を取り上げて詳細に説明することにしよう。 −図１ａはバイア構造の断面図である。 −図１ｂは図１ａに示されるバイア構造の上からの眺めであって、図１ａの眺めは図１ｂのラインＩａ−Ｉａに沿って取られている。 −図１ｃは図１ａに従うバイア構造の断面図であって、アース層を電気的に絶縁するための付加的な層を有する。 −図１ｄは図１ａに従うバイア構造の断面図であって、付加的な外部保護ポリマー層を有する。 −図２ａは密に配置された伝送ラインを許容するバイア構造の別の実施例の断面図である。 −図２ｂは図２ａに示されるバイア構造の上からの眺めであって、図２ａの眺めは図２ｂのラインＩＩａ−ＩＩａに沿って取られている。 −図３は図１ａのそれのように本質的に作られたバイア構造の断面図であるが、上面および底面に位置するアース面の相互接続を有する。 −図４は、４つの直交する方向に伝送ラインを許容する、上から傾いて眺めたバイア構造の模式的鳥瞰図である。 −図５は、図１ａ−４のバイアを有利に使用することのできるマルチチップパッケージ構成の断面図である。詳細な説明図１ａには、バイア構造の断面図が示されている。この図は単結晶シリコン基板の一部分を示しており、それはそれの上面から底面まで、Ｖ字溝エッチングまたは異方性エッチングによって溝３を形成するようにエッチされている。溝３はテーパーのついた構造をしており、そのため基板底面よりも基板上面で幅広くなっている。基板１の結晶方向に対するＶ字溝３の適当な方位のために、それは、上または、図１ｂでもっと分かるように、面または基板１の表面に対して垂直な方向から見て長方形の形状を有するであろう。このように、基板１の上面には大きな長方形の開口５が形成され、底面には上のものに対して同心で同様なより小さい長方形の開口７が形成される。Ｖ字溝にエッチされたスルーホール３の４つの平坦な傾斜側壁８、８’は、後で述べるように、＜１００＞表面方位を有するシリコン基板１に対して５４．７４°の傾斜角度を有する。基板１の底面には、薄膜構造９が位置しており、それは誘電性または電気的に絶縁性材料の２つの層、内部、裏面または上部層１３と外部または前面、下側または底部層１５との間に挟まれた導電性のアース面１１を含んでいる。薄膜構造９は孔３の下側を本質的に平坦で、途切れることなく延びており、孔の底部開口７を跨いでいる。電気的伝送ライン１７は薄膜構造９の最も下の誘電体層１５のフリーな表面上に位置している。少なくとも、互いに対向して位置するスルーホール３の長い側壁８上に、好ましくは短い対向する側壁８’上にも、そしてエッチされた基板１の上面上に、導電性層１９が堆積されており、それはアース面として機能し、Ｖ字溝３の底面上、薄膜構造９の上側または裏面、内側表面上、それの内側誘電体層１３のフリーな上側表面上に広がることができる。導電性層１９は、バイア構造を使用する時に、信号アースへつながれることになっている。導電性層１９は図１ｃの断面図に見られるように、電気的に絶縁性の層２１によって基板１から電気的に絶縁することができる。後者の層２１は基板表面の直上、導電性アース層１９の直下に位置しており、Ｖ字溝３の傾斜した側辺全体を覆い、薄膜構造９の裏面側または上側表面によって構成されるそれの底面を覆って広がっている。導電性アース層１９の上に、誘電体材料の層２３が、基板１の上面全体に亘り、溝３の傾斜した側壁を覆い、またそれの底面を覆って広がって位置している。伝送ラインまたは一般的に導電性経路２５は、誘電体層２３の上に広がっている。それらは、例えば図１ｂに示されるように、溝３の近辺および内部に適当な間隔をおいてすべて互いに平行で、一般に孔３およびそれの長い側壁８の長手方向に垂直に延びている。そのような導体経路２５は、こうして、基板上面から溝３の底面上へ、長い傾斜した側壁８に沿って下方へ延びてそこで終端して、溝３の底部開口の長手方向中心線２７をわずかに通過または超えて停止する。それはまた、ウエル３のこちら側に位置する基板の上面へ、反対側の側壁８に沿って上方へつながることができるが、このケースについては図面に示されていない。中心線２７は、それの底部開口７の面内でそれの長い側壁８に平行に、溝３の長手方向に延びている。孔３の下側開口７では、伝送ライン２５はこのように薄膜構造９および電気的に絶縁性の層２３に搭載されている。そこでは、それらはこの構造の底面にある伝送ライン１７へバイア２９を介して電気的につながれる。バイア２９は、誘電性の、電気的に絶縁性の層中に形成されたスルーホール中およびそれを覆って導電性材料を堆積することによって形成されるプラグまたはチューブ状の構造のような、垂直または直交する導電性のラインである。バイア２９はこのように、溝３の底部７に位置するそれの領域にある薄膜構造９および電気的に絶縁性の層２３を貫通する。図１ｃのバイア構造において、バイア２９は次に、付加的な電気的に絶縁性の層２１も通るであろう。バイア２９は、例えば、中心線２７に沿って位置することができる。図１ｂを参照。上側のアース層１９および薄膜構造９のアース層１１はバイア２９の領域には延びておらず、すなわち、それに近づかず、その代わりにそこに適切および対応するように設計されたアパーチャを有しており、それらがバイア２９と電気的に接する危険性はないようになっている。そのようなアパーチャは溝３の下側開口７と同じ形状、あるいはその開口に類似した形状を有することができ、それ、従って溝３と平行で同心円状に位置している。図１ｂは基板上面上、および溝３の長い側壁８上の伝送ライン２５の密な配置を示しており、一般に真っ直ぐなライン２５の形状は、孔３の側壁または近辺におけるラインのどのような”ファンアウト”をも必要とせず、この事実がバイア構造を非常にコンパクトなものとし、それが基板１上に必要とする空間または面積をわずかなものとする。基板上面および溝３中にある伝送ライン２５が、それに沿って基本的に遮蔽され減衰のないやり方で高周波信号が通過するのを許容するように適当なやり方でそれらのインピーダンスを整合させるために、アース層１９の上、伝送ライン２５の直下に位置する誘電体層２３の厚さはそれに従って選択されて、伝送ライン２５の全長に亘ってほぼ一定であることが要求される。これは、特にこの長い傾斜した側壁８の上に位置するこの誘電体層２３の部分の厚さがせいぜい（ａｔｍｏｓｔ）、孔３の上部開口５の周囲の、基板１の上側の、上面の水平な表面上に位置する同じ誘電体層２３の部分の厚さと比べて、制限され再現性のあるやり方でせいぜい（ａｔｍｏｓｔ）分散することが許容されるということを意味する。図１ａ−１ｃの構造の、最上および最下層は、付加的なポリマー層によって保護することができる。図１ｄの断面図を参照。このように、１つの保護用ポリマー層３１が底部、薄膜構造９の底面、フリーな表面、および底部の伝送ライン１７のすべてを覆う。別の１つの保護用ポリマー層３３が誘電体層２３の上側フリーな表面および伝送ライン２５のすべてを覆う。更に、図面には示されていないが、最も外側の遮蔽またはアース面を設けることもできる。その場合には、１５および２３で示したものと類似の誘電体層が存在することになろうが、それらは伝送ラインの導電体の底面または直上に位置するので、それらの誘電体層はそれぞれ１９および１１で示されたものと類似のアース層によって覆われる。保護層３１、３３はどのような場合でも、最も外側の層となろう。バイア構造の基板溝は図１ａ−１ｄに示されたものよりも幅広いものとすることができる。すなわち、底部開口７の幅ｗｂは図２ａおよび図２ｂの実施例では増大している。このことは、バイア構造３の２つの対向する傾斜した側壁８上に平行な信号導体または伝送ライン２５を、同じ密度または間隔で、あたかも一時に１つの側壁のみが利用可能であるかのように配置することを可能としよう。この様子は図２ｂの平面図に示されている。同図は、図１ａ−１ｄに示されたものと同じような、対向する２重信号導体３５と単一信号導体２５の両方を示している。従ってこの場合、バイア２９は、例えば、溝３の長手方向に延びる２本の平行なライン３７に沿って、それの底部開口７中に位置するであろう。こうして、２つの対向する導体３５はバイア２９のところで終端し、それの一方は１つの平行ライン３７中に、そして他方は他方の平行ライン中に位置しており、それら２つのバイア２９は、従ってこれも、２つの考慮している伝送ライン３５の方向の、２本の平行ライン３７に垂直なライン上に位置することになる。この実施例で、単一の導体２５はいずれかのライン３７中に位置するバイア２９で終端することができる。図２ｂの導体３９を参照。図３を参照しながらここに説明するように、バイアはまた上側および下側のアース面１０３および１０９を電気的に相互接続するように配置することができる。ここで、溝３は、例えば図２ａの実施例のように、図１ａに示されるものを超える幅ｗｂを持たせて作られる。ここで下側アース層１１および上側アース層１９は溝３の底部開口７の領域中に延びており、互いに平行で同心円状に位置するそれらの層中のその場所に本質的に同じアパーチャが形成される。短いバイア４１は溝３の底にある２本の平行な長手方向のライン中に位置しており、アース層を互いに電気的につないでいるが、それらのバイア４１は基本的に薄膜構造の内部誘電体層１３のみを貫通して延びている。下側アース層１１中には、この層のアパーチャ内部に島４３もあって、それらの島の形状は例えば、本質的に長方形である。これらの島４３はアパーチャの十分内部に位置しており、そのためそれらはアパーチャの境界から、従ってこの層１１の残りの部分からも電気的に絶縁される。それらはまた、互いの間にも適当な距離をおいて位置しており、それによってそれらは互いに電気的に絶縁されている。導電性の島４３はこの構造の底側にある対応する伝送導体１７へ下側の短いバイア４５を通って電気的につながれており、短いバイア４５は薄膜構造９の外部分離層１５のみを貫通している。島４３はまた、溝３の底へ延びる、この構造の上側にある伝送ライン２５へ上側の長いバイア４７を通って電気的につながれている。上側バイア４７は、このように、薄膜構造９の上側の、内部分離層１３を貫通し、更に、基板上面に位置する誘電体層２３を貫通して延びている。図１ａの構造のバイア２９の電気的接続機能は、ここで、島４３によってつながれた２つのバイア４５および４７によって実現されている。もし溝の底部開口７の幅ｗｂが十分であれば、伝送ライン用の導電体を溝３の傾斜した短い端面８’にも設けられる。この幅ｗｂをもっと大きくして、溝の底部および上部開口７、５が、１：１に近い、隣接側辺の長さの比を有する長方形の形状になるようにすることもできる。そうすれば、孔１０２は安易に”溝”と呼ぶわけにはいかなくなる。図１ａ−２ｂの実施例は約４：１の比を示している。本質的に四角い”溝”３の実施例は図４の鳥瞰図に示されている。ここでは、伝送ライン２５は２つの隣接する傾斜した側壁に位置するように示されている。上で述べたように、この構造はチップまたはシリコンウエハ中に位置することができて、その場合にチップはバイアチップとして機能して、それはバイアチップの上に配置された基板の底面を下側基板の上面とを相互接続する。そのような構成は、例えば、三次元マルチチップモジュールＭＣＭにおいて、ＭＣＭ中の異なる層を相互接続する場合に非常に有用である。スウェーデン特許出願第９６０４６９０−９号、”集積回路用のパッケージ構造（Ａｐａｃｋａｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｓ）”を参照。こうして、図５には、集積回路チップ５３およびバイアチップ５５をその上面に搭載した４個の基板５１を有する、三次元マルチチップモジュールの断面が示されている。基板１の上面にある位置決めバンプ５７は、集積回路チップ５３およびバイアチップ５５のエッジまたはコーナーと協力し合う。基板１の表面層を各種チップ５３、５５の底面にある導電性領域へ接続するための電気的接続バンプが５９で示されている。更に、図５はバイアチップ５５と、バイアチップ５５の上に位置する基板５１との位置合わせを示している。この位置合わせは、例えば、スウェーデン特許出願第９６０４６７８−４号、”弾性的位置決めのための溝中のバンプ（Ｂｕｍｐｓｉｎｇｒｏｏｖｅｓｆｏｒｅｌａｓｔｉｃｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ）”に開示されている方法によって得られる。もしそのような位置合わせを採用すれば、各々の基板中に、すなわちそれの上面および／またはそれの底面に、バイアチップ９の上面に位置する弾性的バンプ６３を受け取るためにＶ字溝６１がエッチされる。共同するバンプ６３およびＶ字溝６１はまた、スウェーデン特許出願第９６０４６７７−６号、”高密度電気コネクタ（Ｈｉｇｈｄｅｎｓｉｔｙｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｎｎｅｃｔｏｒｓ）” に開示された装置を使用して、バイアチップ５５と、上に隣接して位置する基板１とを互いに電気的に接続するようにも設計することができる。図５のバイアチップ５５は上で述べたバイア構造を有しており、それらの傾斜した表面上に導電体を有する深いＶ字溝３を含んでいる。そのようなバイア構造はまた基板５１中にも配置できるが、上下を逆さにする。バイアチップ５５の、それの上に位置する基板５１へつながる深いＶ字溝３は、図示の実施例では、基板中のバイア構造の深いＶ字溝と同じ垂直ラインに沿って配置されており、共同する位置合わせバンプ６３および下側のＶ字溝６１はバイア構造の深い溝３の両側に対称的に位置している。バイア構造の作製についてここで詳細に説明しよう。本製造プロセスは、相互接続されたアース面１１、１９を有し、これに加えて図１ｃに示される上側アース層１９の直下に絶縁層２１、更に図１ｄに示される保護用のポリマー被覆３１、３３を有する図３に示されたタイプのバイア構造を作製するために必要なすべての工程を網羅するものとなろう。それは更に図２ａ−２ｂの構造を作製する場合にも適用可能である。製造は単結晶シリコンウエハあるいはシリコン基板１からスタートする。ウエハ１はまず、両面にシリコン窒化物を被覆される。このシリコン窒化物は薄く、図では見えない。一方の表面である底面はまた、スピン／回転およびキュアによって、例えばベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）ＢＣＢタイプのポリマーの誘電体層１３で被覆される。反対側の表面である上面上のシリコン窒化物はフォトレジストマスクを用いてエッチされて、溝３の上部開口５の寸法を定義する窓が形成される。マスクの窓の側辺またはエッジは、適当な結晶方向と揃えられていることが想定されており、それによって後続のエッチング工程が思惑通りに実行できるようになっている。次にウエハは異方性エッチャント、例えば約８５℃のＫＯＨを使用してエッチされ、溝３が形成される。＜１００＞表面方位を有するシリコンウエハに対しては、開口の側辺が好適な結晶方位と正しく揃えられている場合には、異方性エッチングによって形成される溝３の傾斜した壁８、８’はウエハ表面に対して５４．７４°の角度を持つ。そのような溝または孔３を、逆さにして途中で切断したピラミッドと仮定して、その小さい方の、下側表面の長さ１ｂが５０μｍに等しく、基板１の厚さに等しい深さｈが５００μｍであれば、孔３の上面の長さｌｔはｌ_t＝ｌ_b＋２ｈ／ｔａｎ５４．７４° となり、この場合には、これは６８７μｍに等しい。底面上の内側層１３のために使用されるポリマーに依存して、この構造のフリーな底面は、例えば何らかの適当なマスク材料を用いてエッチャントから保護する必要があろう。もしマスク中の開口の側辺がほぼ同じ長さを有するのであれば、シリコンを除去して、途中で切断したピラミッドが図４に従って形成されよう。どのような場合でも、エッチされた孔または溝３は、ウエハの反対側または底面にあるシリコン窒化物およびポリマー膜１３のところで終端して、シリコン窒化物およびポリマー膜１３は、エッチされた孔または溝３の下側開口７を跨ぐ。上側のアース面１９がシリコン基板１と直接的に接触するようになっているかどうかに依存して、次の工程は、エッチされたウエハの表面をメタライズすることになるか、あるいはそれに先だって誘電性または電気的絶縁性の材料２１が堆積される。図１ｃを参照。この層はシリコン酸化物層でよいが、低い誘電率が望まれる場合には、使用される誘電体は適当なポリマーとなろう。そのような誘電体層２１が孔の壁および底を覆って十分共形に堆積されるようにするために、気相または液相からの何らかのサブリメーション（ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）またはプレシピテーション（ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ）法を使用することができる。機能するであろう材料は、上で述べたポリマー”パイラリン”である。この誘電体層２１の上に金属堆積（ｍｅｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）１９を行った後で、また何もそのような誘電体層を堆積せずに金属化を行った後で、得られたアース面金属層１９を孔３の底でパターン化して、そこにある導電性材料を除去する必要がある。このように、アース面１９から十分電気的に絶縁すべきバイア２９、４７が後で形成される場所を取り囲んでアース面１９内に適当な窓が形成される。例えば、孔の底にある中央部分に位置するアース面金属のすべては、溝３の底部開口７のそれと同様な形状を有する単一の窓を形成するために除去することができる。このことは直接的なエッチングまたはレーザーを用いて行うことができるが、フォトレジストをマスクとして用いてプラズマあるいは湿式エッチングを用いて行うこともできる。孔３の側壁８、８’を十分被覆することを保証するほかに、そのレジストの妥当な露光を得るために、十分共形なレジストが必要とされよう。これは液相または気相からのサブリメーション、あるいはレジストを金属層１９の上へ堆積するのであるから使用することのできる電気メッキによって堆積する必要があろう。この後、上と同様な方法で新しい誘電体層２３が堆積されて、その後で伝送ライン２５、３５、３９を形成するために、上と同じ方法を用いて単一の導体金属層が堆積およびパターン化される。典型的な厚さは、金属層に関しては約２ないし４μｍであり、誘電体層に関しては、数十ミクロンの伝送ラインの導電体線幅に対して１０μｍ付近である。孔３を覆って、それの下側開口７の場所に支えられた、元々のシリコン窒化物層および内部ＢＣＢ層１３で構成され、それに加えて上面から堆積された金属および誘電体層を含む構造の強度を増大させるために、露出された孔３を有するこの上面には、図１ｄに示されるように、ベンゾシクロブテンがスピン塗布されて層３３が形成されて、それは孔３の中央および底に比較的厚い堆積物を形成する。保護およびサポート用のＢＣＢ層３３のキュアの後で、処理はウエハ１の裏面または底面からマルチチップモジュール用の通常の薄膜プロセスと同じようにスタートする。そして、レジストマスクを使用して、信号伝送用のバイア２９およびアース面１９、１１用のバイア４１が、もしそれらを相互接続するのであれば、プラズマエッチングを用いてエッチされる。図３の構造において、アース面バイア４１および信号バイアの上側部分４７に対して誘電体層の厚さがもしも異なっていても、誘電体用に用いられるエッチング成分は金属に対してほとんどエッチング速度を持たないので、このエッチングを同じ工程の中で行うことができる。この工程の後には、上側アース面１８および上側信号金属層、すなわち伝送ライン２５、３５、３９にまで達するバイアホールが形成されている。この工程の後で、下側アース面１１および島４３を形成するために金属が堆積される時に、堆積金属は、マルチチップモジュール中の従来のように堆積された薄膜基板中に形成されるバイアと同じように、孔を覆い、バイアを確立する。これは、誘電体層の厚さおよびバイアホールの直径に依存して、アスペクト比を１付近の値にできることから可能である。これは、同じピッチで従来のバイアを作製する時に可能なアスペクト比と対照的である。図面において、各種層の厚さは図面を分かりやすくするために強調されている。従って一般的に、図面から見えるよりも、バイア用に作られる孔はずっと浅いものになろう。次に、信号バイア２９を絶縁するために、あるいはバイア島４３を形成するために、既に形成された下側アース面１１のパターン化が行われる。誘電体層１５が、この構造の下側の、フリーな表面に対して、主として下側アース層１１の下側表面に設けられる。ここで再び、それぞれのポリマーの１層または複数層を貫通して金属層または金属部分まで下方へバイア２９、４５用のバイアホールがエッチされるが、それは図１ａおよび２ａの構造に関しては伝送ライン２５、３５、３９でよく、また図３のそれに関してはバイア島４３でよい。この構造のフリーな下側または底部表面は金属堆積されて、それぞれのバイア２９、４５が形成され、またパターン化されて伝送ライン１７が底面に形成される。最後に、底面には保護用のポリマー層３１がスピン塗布および硬化（ｃｕｒｅｄ）される。図１ａ、１ｃ、１ｄ、２ａの実施例において、伝送ラインバイア２９は、特にシリコン基板１の直上に絶縁層２１が存在する時は、若干長いかあるいは深くすることが多分可能である。それらのバイア用の孔のエッチングは、従って長時間を要することになる。従って、図３の構造は、アース面を相互接続するためのバイアが必要でない時も、形成される時も、好ましいものとなる。それはほんの１つの付加的工程、上側のバイアホール部分のエッチングを要求するだけである。いずれの場合でも、バイア用の孔をエッチングするために用いられる適当なエッチング剤は孔の内部に露出された伝送ライン部分またはアース面を損なうことはないであろう。それは誘電体材料および金属用として得られるエッチング速度の差を非常に大きくすることができるためである。製造プロセスの異なる工程を次に要約する。１．両表面をシリコン窒化物で被覆すること。２．底面にポリマーをスピン塗布すること。３．上面シリコン窒化物をパターン化して、溝を形成するのに適した開口を作ること。４．底面にあるポリマーまで溝をエッチングすること。５．図１ｃの実施例に関してのみ、上面に絶縁層を形成するために酸化すること／堆積すること。６．上面を金属化すること。７．溝の底にある金属層を除去すること。８．上面に誘電体層を堆積すること。９．上面に金属層を堆積すること。１０．金属層をパターン化して導体を形成すること。１１．図１ｄの実施例に関してのみ、上面にポリマー保護層をスピン塗布すること。１２．図３の実施例に関してのみ、底面からバイアホールをエッチングすること。１３．バイアホールの充填のためにも底面に金属層を堆積すること、この充填は図３の実施例に関してのみ必要とされる。１４．底面の金属層をパターン化して、伝送ライン用のバイアまたは島のバイア島を絶縁すること。バイア島は図３の実施例に関してのみ必要とされる。１５．底面に誘電体層を堆積すること。１６．底面からバイアホールをエッチングすること。１７．バイアホールを充填するためにも底面に金属層を堆積すること。１８．底面の金属層をパターン化すること。１９．図１ｄの実施例に関してのみ、底面に保護用のポリマー層をスピン塗布すること。このように、それの本質的に従来のバイアプラグを非常に、非常に短くすることによって、バイア構造のインピーダンス整合していない部分をほぼ薄膜構造の厚さにまで短くすることによって、非常にうまくインピーダンス整合させることのできるバイア導体を有するバイア構造が得られる。このバイアのインピーダンス整合していない部分の長さは、使用される最も短い波長の１／２０よりも短くすることは容易である。更に、得られたバイア構造中の伝送ラインの実装密度は、基板上に設けられる通常のデータ信号バスと同じ高密度とすることができる。このことによって、この構造を得るために必要な空間を減らすことが可能となり、そのことは翻って、例えば、モジュールの隣接するレベル間に電気接続を要求する三次元マルチチップモジュールの、あるいは対向する表面間に電気接続を要求する基板を有するマルチチップモジュールＭＣＭの寸法を縮小することを可能とする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ【要約の続き】ア構造を通してそれらの伝送ライン密度を減らす必要がない。

Claims

【特許請求の範囲】 1. バイア構造であって、 −２つの対向する表面、前面および裏面を有する電気的に絶縁性または半絶縁性の基板、 −基板の２つの対向する表面の各々上の導電体経路であって、前面上の前面導体経路および裏面上の裏面導体経路、 −基板中のスルーホールであって、前面にある上部開口から基板の裏面にある底部開口へ下方へ傾斜する側壁を有するスルーホール、を含み、 −底部開口を覆い、側壁および／または裏面の隣接部分を覆って広がる電気的に絶縁性の膜であって、スルーホールの側壁に面する、スルーホールの内側にフリーな底面を有する電気的に絶縁性の膜、 −側壁の下端から本質的な距離を有する、スルーホールの底部開口の内部に位置して、電気的に絶縁性の膜中に形成された第１アパーチャ、 −電気的に絶縁性の膜を覆って第１アパーチャまで延びる裏面導体経路、 −前面導体経路へ電気的につながれて、傾斜した側壁を覆って、下方へはフリーな底面を覆う底部開口中まで、また上方へは第１アパーチャまで延びる側壁導電体経路、および −第１アパーチャ中の導電性バイアであって、側壁導体経路と裏面導体経路とを電気的に相互接続するバイア、を特徴とするバイア構造。 2. 請求項１記載のバイア構造であって、バイアの断面領域が底面の領域の小部分であることを特徴とするバイア構造。 3. 請求項１及び２のうちの任意の項記載のバイア構造であって、少なくとも２つの別個のバイアおよびそれぞれのバイアへつながれた少なくとも２つの側壁導体が配置されており、２つの側壁導体経路が、導体経路に垂直なラインに沿って位置するバイアの場所で終端するように互いに隣接して平行に延びており、および／または２つの側壁導体経路が基板の表面に垂直な面内に位置するラインに沿って延びて、これもこの面に位置するバイアの場所で終端するようになっていることを特徴とするバイア構造。 4. 請求項１乃至３のうちの任意の項記載のバイア構造であって、底部開口中の電気的に絶縁性の膜のフリーな部分が電気的に絶縁性のサポート層を有しており、サポート層は底面の上に設けられ、側壁上を延びて、フリーな部分を支え保護しており、それによってフリーな部分が少なくとも２つの別個のバイアを搭載できるようにしていることを特徴とするバイア構造。 5. 請求項１乃至４のうちの任意の項記載のバイア構造であって、側壁へ設けられた層であって、誘電体材料の層と導電性層とを含んでおり、導電性層はこのバイア構造を使用する時に、側壁導体経路をインピーダンス整合させるために電気信号アースへつながれることを意図している層を特徴とするバイア構造。 6. 請求項１乃至５のうちの任意の項記載のバイア構造であって、 −側壁の上および側壁導体経路の下に位置する誘電体材料の第１層、および −誘電体材料の第１層の下側に位置して、このバイア構造を使用する時に、電気信号アースへつながれることを意図している第１の導電性層、 −第１層の誘電体材料および厚さが、側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選ばれていること、を特徴とするバイア構造。 7. 請求項６記載のバイア構造であって、電気的に絶縁性の膜が裏面を覆って広がっていることを特徴とし、バイア構造が更に、 −裏面を覆い、電気的に絶縁性の膜と基板の裏面との間を覆うように広がって位置する第２の導電性の層であって、このバイア構造を使用する時に、電気信号アースへつながれることを意図する第２の導電性層、 −第２の導電性層と基板の裏面との間に位置する第２の誘電体材料の層、 −第２の誘電体材料の層中に形成されて、スルーホール内部に位置する第２アパーチャ、および −第１および第２の導電性層を電気的に相互接続する、第２アパーチャ中に設けられた導電性バイア、を含んでいるバイア構造。 8. 請求項１乃至７のうちの任意の項記載のバイア構造であって、基板が単結晶シリコンでできており、特にチップまたは板であることを特徴とするバイア構造。 9. 請求項１乃至８のうちの任意の項記載のバイア構造であって、側壁が４５ °−６０°の範囲の角度、特に基板の表面に対して本質的に５４．７４°の角度を有していることを特徴とするバイア構造。 10．請求項１乃至９のうちの任意の項記載のバイア構造であって、バイア構造が、モジュールの異なるレベルまたは異なるスタック基板を電気的に相互接続するために、三次元マルチチップモジュールで使用するためのバイアチップを構成する基板を含んでいることを特徴とするバイア構造。 11．請求項１乃至１０のうちの任意の項記載のバイア構造であって、バイア構造が、三次元マルチチップモジュール中の基板であって、少なくとも１つの電子部品を搭載する基板を含んでいることを特徴とするバイア構造。 12．バイア構造であって、 −２つの対向する表面、前面および裏面を有する電気的に絶縁性または半絶縁性の基板、 −基板の２つの対向する表面の各々上の導電体経路であって、前面上の前面導体経路および裏面上の裏面導体経路、 −基板中のスルーホールであって、前面にある上部開口から基板の裏面にある底部開口ヘ下方へ傾斜する側壁を有するスルーホール、を含み、 −底部開口を覆い、側壁および／または裏面の隣接部分を覆って広がる電気的に絶縁性の膜であって、スルーホールの側壁に面する、スルーホールの内側にフリーな底面を有する電気的に絶縁性の膜、 −スルーホールの底部開口の内部に位置して、電気的に絶縁性の膜中に形成された第１アパーチャ、 −電気的に絶縁性の膜を覆って第１アパーチャまで広がる裏面導体経路、 −前面導体経路へ電気的につながれて、傾斜した側壁を覆って、下方へはフリーな底面を覆う底部開口中まで、また上方へは第１アパーチャまで広がる側壁導電体経路、 −第１アパーチャ中の導電性バイアであって、側壁導体経路と裏面導体経路を電気的に相互接続するバイア、 −側壁上および側壁導体経路下に位置する誘電体材料の第１層、および −誘電体第１層の下に位置して、このバイア構造を使用する時に、電気信号アースへつながれることを意図する第１の導電性層、 −第１層の誘電体材料および厚さが、側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選ばれること、を特徴とするバイア構造。 13．請求項１２記載のバイア構造であって、電気的に絶縁性の膜が裏面を覆って広がっていることを特徴とし、バイア構造が更に、 −裏面を覆い、電気的に絶縁性の膜と基板の裏面との間を覆うように広がって位置する第２の導電性の層であって、このバイア構造を使用する時に、電気信号アースへつながれることを意図する第２の導電性層、 −第２の導電性層と基板の裏面との間に位置する第２の誘電体材料の層、 −第２の誘電体材料の層中に形成されて、スルーホール内部に位置する第２アパーチャ、および −第１および第２の導電性層を電気的に相互接続する、第２アパーチャ中に設けられた導電性バイア、を含んでいるバイア構造。 14．２つの対向する表面の各々の上に導電体経路、すなわち基板の前面上の前面導体経路と基板の裏面上の裏面導体経路、および導体経路を相互接続する導電性バイアを含む電気的に絶縁性または半絶縁性の基板用のバイア構造を作製する方法であって、 −基板の裏面に対して電気的に絶縁性の材料の膜を設ける工程、 −基板の前面から、膜の内部の上面へ下方へ傾斜した側壁を有するスルーホールをエッチングして、スルーホールの底部開口を形成し、それが膜のフリーな部分によって跨がれるようにする工程、 −傾斜した側壁に対して、膜の上面を覆って底部開口中へ広がり、前面導体経路へ電気的につながれる側壁導電体経路を設ける工程、 −底部導体経路のある場所に、上側表面に対向する膜の下側表面から膜を通って第１アパーチャまたは窪みを作製する工程であって、第１アパーチャまたは窪みが底部開口の内側の場所、底部開口中へ延びる側壁導体経路の下側表面で終端するように第１アパーチャまたは窪みを作製する工程、および −膜の下側表面に対して導電性材料を取り付けて、第１アパーチャまたは窪みも充填して、側壁導体経路へつないで底部導体経路を形成する工程、を含み、スルーホールのエッチング時に、それが膜のフリーな部分を大きく残すようにエッチングされて、また第１アパーチャまたは窪みを作製する時には、側壁導電体経路が膜のフリーな部分の上側表面上で側壁から第１アパーチャまたは窪みまで本質的な距離を通過するような場所および／または直径を有するように作製されることを特徴とする方法。 15．請求項１４記載の方法であって、スルーホールのエッチング、および／または窪みの形成の操作を実行する時に、バイアの断面領域が膜のフリーな部分の領域の小部分になるようなやり方で行われることを特徴とする方法。 16．請求項１４乃至１５のうちの任意の項記載の方法であって、 −側壁導体経路を設ける工程において、少なくとも２つの側壁導体経路が設けられ、２つの側壁導体経路は導体経路に対して垂直なラインに沿った場所および膜のフリーな部分の表面で終端するように互いに平行に隣接して延びるように設けられ、また／あるいは２つの側壁導体経路は面内にある場所および膜のフリーな部分の表面で終端するように、基板表面に対して垂直な面内に位置するラインに沿って延びるように設けられること、 −第１アパーチャまたは窪みを作製する工程において、それぞれの側壁導体経路の下側表面において終端するように、前記場所に少なくとも２つの第１アパーチャまたは窪みが作製されること、および −膜の下側表面に対して導電性材料を取り付ける時に、材料がすべての第１アパーチャまたは窪みをも充填するように取り付けられること、を特徴とする方法。 17．請求項１３乃至１６のうちの任意の項記載の方法であって、第１アパーチャまたは窪みを作製する工程の前に、底部開口中の、電気的に絶縁性の膜のフリーな部分の上側表面および側壁に対して電気的に絶縁性のサポート層を設けて、フリーな部分が少なくとも２つの別個のバイアを搭載できるようにフリーな部分を支え、保護することのできるようにサポート層を強く作る、更なる工程を特徴とする方法。 18．請求項１４乃至１７のうちの任意の項記載の方法であって、傾斜した壁および膜のフリーな部分上に誘電体層および導電性層を含む付加的な層を、側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選ばれた付加的な層を設ける、更なる工程を特徴とする方法。 19．請求項１８記載の方法であって、付加的な層を設ける工程が、側壁導体経路を設ける工程の前に実行されることを特徴とする方法。 20．請求項１４乃至１９のうちの任意の項記載の方法であって、次の更なる工程、 −側壁導体経路を設ける工程の前に、傾斜した壁に対して第１の導電性層を設ける工程、および −その直後に続く工程において、これも傾斜した壁に対して、第１の導電性層を覆い側壁導体経路の直下に位置するように、誘電体材料の第１層を、その第１誘電体層の誘電体材料および厚さを側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選んで設ける工程、を特徴とする方法。 21．請求項２０記載の方法であって、次の更なる工程、 −電気的に絶縁性の材料の膜を設ける工程の前に、基板の裏面に対して第２の誘電体材料の層を設ける工程、 −その直後に続く工程において、誘電体材料の第２層中、スルーホール中の場所に、第２のアパーチャまたは窪みを作製する工程、 −その直後に続く工程において、誘電体材料の第２層と誘電体膜との間に位置するように、第２の導電性層を設ける工程、および −第２アパーチャまたは窪みに対して導電性材料を取り付けて、第１および第２の導電性層を電気的に相互接続する導電性バイアを形成する工程、を特徴とする方法。 22．２つの対向する表面上の導電体経路、すなわち基板の前面上の前面導体経路と基板の裏面上の裏面導体経路、および導体経路を相互接続する導電性バイアを含む電気的に絶縁性または半絶縁性の基板用のバイア構造を作製する方法であって、 −基板の裏面に対して電気的に絶縁性の材料の膜を設ける工程、 −基板の前面から、膜の内部の上面へ下方へ傾斜した側壁を有するスルーホールをエッチングして、スルーホールの底部開口を形成し、それが膜のフリーな部分によって跨がれるようにする工程、 −傾斜した側壁に対して、膜の上面を覆って底部開口中へ広がり、前面導体経路へ電気的につながれる側壁導電体経路を設ける工程、 −底部導体経路のある場所に、上側表面に対向する膜の下側表面から膜を通って第１アパーチャまたは窪みを作製する工程であって、第１アパーチャまたは窪みが底部開口の内側の場所、底部開口中へ延びる側壁導体経路の下側表面で終端するように第１アパーチャまたは窪みを作製する工程、および −膜の下側表面に対して導電性材料を取り付けて、第１アパーチャまたは窪みも充填して、側壁導体経路へつないで底部導体経路を形成する工程、を含み、次の更なる工程、 −側壁導体経路を設ける工程の前に、傾斜した壁に対して第１の導電性層を設ける工程、および −その直後に続く工程において、これも傾斜した壁に対して、第１の導電性層を覆い側壁導体経路の直下に位置するように、誘電体材料の第１層を、その第１誘電体層の誘電体材料および厚さを側壁導体経路をインピーダンス整合させるように選んで設ける工程、を特徴とする方法。 23．請求項２２記載の方法であって、次の更なる工程、 −電気的に絶縁性の材料の膜を設ける工程の前に、基板の裏面に対して誘電体材料の第２層を設ける工程、 −その直後に続く工程において、誘電体材料の第２層中、スルーホール中の場所に、第２のアパーチャまたは窪みを作製する工程、 −その直後に続く工程において、誘電体材料の第２層と誘電体膜との間に位置するように、第２の導電性層を設ける工程、および −第２アパーチャまたは窪みに対して導電性材料を取り付けて、第１および第２の導電性層を電気的に相互接続する導電性バイアを形成する工程、を特徴とする方法。