JP2001501538A - 半固体材料の生成装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 容器中に導入される溶融材料から形成される、直接構成部品にキャスティングするのに適した半固体材料を生成する装置および方法を提供する。半固体は、溶融材料を撹拌し、シヤリングし、温度を制御することによってそれから生成される。半固体材料は、適当な熱制御および徹底した３次元混合により、容器内でほぼ等温状態に維持される。容器からは、半固体材料を容器から除去する手段が延びており、これはこの除去手段内の半固体材料の温度を制御するための温度制御機構を含む。

Description

【発明の詳細な説明】 半固体材料の生成装置および方法 技術分野 本発明は一般に、材料成形プロセスで使用するために半固体材料のスラリを生 成および送出することに関する。特に、本発明は、成型またはキャスティングの 装置での使用に適した、実質的に非樹枝状の半固体材料のスラリを生成する装置 に関する。 背景情報 スラリのキャスティングまたはレオキャスティングは、溶融した材料を凝固す る際に激しく撹拌する方法である。通常（すなわち非レオキャスティング）の凝 固プロセス中には、凝固中の材料内で樹枝状構造が形成される。幾何的に言うと 、樹枝状構造は、横方向の枝を有する細長い茎のような形状の凝固した粒子であ る。凝固中に材料、特に金属を激しく撹拌し、少なくとも一部の樹枝状構造を除 去する。このような撹拌は、凝固中の樹枝状構造の先端をシヤリングし、それに より樹枝状結晶の形成を減少させる。その結果生じる材料のスラリは、液体マト リックス中の比較的微細な固体の非樹枝状粒子から構成される半固体組成物とな る（以下、半固体材料と呼ぶ）。 成型段階で、半固体材料から作成された構成部品が、従来の溶融金属形成プロ セスに勝る大きな利点を有することは周知である。これらの利点の大部分は、半 固体材料を扱うのに必要な温度が低いことによる。半固体状態の材料は、液体状 態の同じ材料より低温である。さらに、半固体形態の材料の熱容量もはるかに低 くなる。したがって、必要なエネルギーはより少なくなり、除去する必要のある 熱がより少なくなり、半固体から構成部品を形成するために使用されるキャステ ィング装置または鋳型の寿命は長くなる。さらに、またおそらく最も重要な点と して、冷却サイクルが短縮されるので、キャスティング装置は所与の時間内によ り多くの材料を処理することができる。半固体材料の使用によるその他の利点と しては、冷却がより均一になること、組成がより均質になること、ならびにその 結果生じた構成部品中の空隙率および気孔率が低下することが含まれる。 従来技術は、半固体材料の形成に使用される多くの方法および装置を含む。例 えば、激しい撹拌を実施する方法は基本的に２つある。１つの方法は、機械的か き混ぜである。この方法は、回転るつぼ内の回転羽根を開示するＭｅｈｒａｂｉ ａｎ他の米国特許第３９５１６５１号によって例示される。第２の撹拌方法は、 電磁気式かき混ぜで実施される。この方法の一例が、Ｗｉｎｔｅｒ他の米国特許 第４２２９２１０号に開示されており、これは参照により本明細書に組み込む。 Ｗｉｎｔｅｒ他は、交流誘導磁界またはパルス直流磁界を使用して、半固体の間 接的なかき混ぜを生み出すことを開示している。 しかし、半固体材料が形成された後で、実質上全ての従来技術の方法は、凝固 および再加熱段階を含む。このいわゆる２重処理は、半固体材料を凝固させてビ レットにすることを伴う。２重処理の多くの例のうち１つが、Ｋｅｎｎｅｙの米 国特許第４７７１８１８号に開示されている。２重処理の結果生じるビレットは 、容易に格納する、または後続の処理のために移送される。凝固後に、上述の半 固体の特性および利点を取り戻すために、ビレットを再加熱しなければならない 。再加熱されたビレットは、次いで、ダイ・キャスティングや成型などの操作を 受け、構成部品を形成する。半固体の材料特性の変性に加えて、２重処理では追 加の冷却および再加熱段階が必要となる。効率および材料取扱費の理由から、２ 重処理で必要となる凝固および再加熱段階をなくすことが非常に望ましい。 参照によって本明細書に組み込む、Ｆｌｅｍｉｎｇｓ他の米国特許第３９０２ ５４４号は、キャスティング・プロセスと統合された半固体形成プロセスを開示 している。このプロセスは２重処理の凝固段階を必要とせず、しかし、Ｆｌｅｍ ｉｎｇｓ他の開示の方法には多くの難点がある。第１に、また最も重要な点とし て、Ｆｌｅｍｉｎｇｓ他は、一体に接続された溶融ゾーンおよび撹拌ゾーンを含 む複数のゾーンを必要とし、また極めて精密な温度制御を必要とする。さらに、 半固体材料を生成するために、一体に接続されたゾーンを通る材料流が存在する 。半固体材料は、撹拌ゾーン中の材料流および温度勾配の組合せによって生成さ れる。したがって、（おそらくは変化しやすい）流れる材料で必要な温度勾配を 較正することは非常に困難である。第２に、Ｆｌｅｍｉｎｇｓ他の方法は、単一 の撹拌手段を開示している。上述の半固体の特徴を最大限にするには、徹底した 完全な撹拌が必要である。第３に、Ｆｌｅｍｉｎｇｓ他の方法は、有効な移送手 段および撹拌ゾーンからキャスティング装置への流れの調節を欠いている。Ｆｌ ｅｍｉｎｇｓの方法についてのさらに別の難点およびその改良点は、以下の詳細 な説明から明らかになるであろう。 本発明の主な目的は、直接構成部品を作るのに適した半固体材料の形成を実現 することである。 本発明の別の目的は、より効率的かつ費用効果の高い半固体材料形成方法を提 供することである。 本発明の別の目的は、半固体材料を形成し、半固体材料を実質的に等温状態下 で維持する装置および方法を提供することである。 本発明の更なる目的は、凝固および再加熱の段階なしで構成部品を形成するの に適した半固体材料の形成を実現することで ある。 本発明の更に他の目的は、シヤリングおよび撹拌の改善された、半固体材料を 形成する方法および装置を提供することである。 発明の概要 本発明は、溶融材料源と、溶融材料を受ける容器と、この容器に取り付けられ た、容器温度を制御する熱制御手段と、材料中に沈められた撹拌手段とを含む、 構成部品を直接形成するのに適した半固体材料を生成する方法および装置を提供 するものである。撹拌手段および熱制御手段は協働して、実質的に等温の半固体 材料を容器中で生成させる。半固体材料を容器から取り出すための温度制御手段 が提供される。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明による半固体生成装置を示す概略的な前断面図である。 第２図は、第１図の装置の概略的な横断面図である。 第３図は、本発明の他の実施形態を示す、第２図の装置の概略的な横断面図で ある。 第４図は、本発明のもう一つの他の実施形態を示す、第２図の装置の概略的な 横断面図である。 好ましい実施形態の説明 第１図に、半固体生成装置を概略的に参照番号１０で示す。溶融材料源１１は 装置１０から分離されている。一般に処理して半固体材料５０にすることができ る任意の材料がこの装置１０での使用に適している。適当な溶融材料１１として は、アルミニウムやマンガンなどの純粋な金属、鋼やアルミニウム合金 Ａ３５６などの金属合金、およびアルミニウムやシリコン・カーバイドなどの金 属／セラミック粒子の混合物が含まれる。 装置１０は、円筒形チャンバ１２と、主回転子１４と、２次回転子１６と、チ ャンバ・カバー１８とを含む。チャンバ１２は、内側底壁２０と円筒形内側側壁 ２２とを有し、ともに耐火材料から作成されるのが好ましい。チャンバ１２は、 好ましくは鋼製の外側支持層２４を有する。チャンバ１２の頂部はチャンバ・カ バー１８で覆われ、チャンバ・カバー１８も同様に、断熱耐火材層を有する。 熱制御システム３０は、加熱セグメント３２および冷却セグメント３４を含み 、加熱および冷却セグメント３２、３４はチャンバ１２の外側層２４に取り付け られ、またはこの中に埋め込まれる。加熱および冷却セグメント３２、３４は、 様々な形で配置させることができるが、図示するように、加熱および冷却セグメ ント３２、３４はチャンバ１２の円周の周りに散在している。加熱および冷却セ グメント３２、３４は、チャンバ・カバー１８にも取り付けられている。各加熱 および冷却セグメント３２、３４は独立して熱を加えおよび／または除去するこ とができ、したがってチャンバ１２の内容物の温度制御の可能性が向上する。 主回転子１４は、回転子端部４２、および回転子端部４２から上方に延びるシ ャフト４４を有する。主回転シャフト４４ハチャンバ蓋１８を通って延びている 。回転子端部４２はチャンバ１２中に完全に沈められ、チャンバによって完全に 取り囲まれる。第１図に示すように、回転子端部４２は、Ｌ字型の羽根を有し、 ２枚の羽根が好ましくは１８０°離れて、回転子端部４２の底部から延びている 。Ｌ字型の羽根４３は２つの部分を有し、その一方は内側側壁２２と平行であり 、もう一方は内側 底壁２０と平行である。Ｌ字型の羽根４３は、回転したときに、チャンバ１２の 内側側壁２２および内側底壁２０に形成される傾向のある樹枝状結晶をシヤリン グする。さらに、羽根４３の回転によって、水平面内の材料の混合が促進される 。羽根４３はその他の幾何形状（例えばＴ字型）でも、チャンバの内側側壁２２ と羽根４３との間の隙間が小さければ効果的である。この隙間は２インチより小 さいことが望ましい。さらに、シヤリングをさらに促進するために、チャンバの 底部２０と羽根４３との間の隙間も２インチより小さくすべきである。シヤー回 転子１４の通常の回転速度は約３０ｒｐｍである。 ２次回転子１６は、回転子端部４８、および回転子端部４８から延びるシャフ ト４６を有する。回転子端部４８の形状は、半固体材料５０の垂直方向の混合を 促進し、半固体材料５０のシヤリングを改善するように設計すべきである。回転 子端部４８は、オーガ型またはねじ型であることが好ましいが、水平面に対して 傾斜した羽根などその他多くの形状が同様に機能する。シャフト４６はオーガ型 回転子端部４８から上向きに延びる。２次回転子１６の回転方向に依存して、チ ャンバ１２中の材料は上向きまたは下向きに動かされる。２次回転子１６の通常 の回転速度は３００ｒｐｍである。 主回転子１４および２次回転子１６は、半固体材料５０のシヤリングおよび３ 次元撹拌を強めるように、チャンバ１２に対して、かつ互いに対して関連ずけて 配置される。第１図では、主回転子１４が２次回転子１６の周りを回転すること が分かる。２次回転子１６は、主回転子１４の水平方向に支配的な混合作用の中 で回転する。この構成により、半固体材料５０の徹底した３次元混合が促進され る。 第１図には複数の回転子を示すが、適当なシヤリングおよび 混合の特性を与える単一の回転子を利用することもできる。このような単一の回 転子は、シヤリングと混合の両方を与えねばならず、混合は、容器１２中の半固 体材料５０を実質的に均一な温度に維持することができるように３次元となる混 合である。 回転子１４、１６が沈められる半固体材料の環境は、非常に過酷である。回転 子１４、１６は、非常に高い温度、しばしば腐食性となる状態、および相当な物 理的力にさらされる。これらの状態に対処するために、回転子１４、１６の好ま しい組成は、高温ＭｇＺｒＯ₃セラミック・コーティングを有するステンレス鋼 など、耐熱かつ耐食性合金である。Ａｌ₂Ｏ₃でコーティングした超合金など、そ の他の耐高温材料も適している。 フレーム５６は、チャンバのふた１８に取り付けられ、フレーム５６は、主駆 動モータ５８および２次駆動モータ６０を支持する。モータ５８、６０はそれぞ れ、それぞれの回転子１４、１６のシャフト４４、４６に機械的に結合される。 第１図に示すように、主モータ５８は、一対の減速歯車６２および６４によって 主回転子のシャフト４４に結合される。主回転子のシャフト４４は軸受スリーブ ６６によってフレーム５６中で支持される。同様に、２次回転子のシャフト４６ も、軸受スリーブ６８によってフレーム５６中で支持される。両モータ５８、６ ０を減速または増速歯車を介して回転子に接続し、動力および／またはトルクの 伝達を改善することができる。 上述の機械かき混ぜの代るものとしては、電磁気かき混ぜがある。電磁気かき 混ぜの一例は、Ｗｉｎｔｅｒ他による米国特許第４２２９２１０号に見られる。 電磁気撹拌は、本発明で望まれる所望の等方性かつ３次元のシヤリングおよび混 合の特性を実現することができる。 溶融材料１１は、いくつかの異なった方法でチャンバ１２に 送り込むことができる。一実施形態では、溶融材料１１は、チャンバ・カバー１ ８のオリフィス７０を介して送り込まれる。別法として、溶融金属１１は、側壁 ２２のオリフィス（図示せず）および／または底壁２０（図示せず）のオリフィ スを介して送り込むこともできる。 半固体材料５０は、主回転子１４および２次回転子１６による撹拌、ならびに 熱制御システム３０による適当な冷却によって、溶融材料１１から形成される。 最初の始動サイクル後は、プロセスは半連続的となり、それにより半固体材料５ ０がチャンバ１２から取り出されるにつれて、溶融材料１１が追加されるが、回 転子１４、１６および熱制御システム３０は、半固体５０を実質的に等温状態に 維持する。 チャンバ１２の温度を制御し、それにより半固体材料５０を実質的に等方状態 に維持するだけでなく、熱制御システム３０は、装置１０を始動および停止する 際にも役立つ。始動時に、熱制御システムは、溶融材料１１を受けるためにチャ ンバ１２およびその内容物を適当な温度まで上昇させなければならない。チャン バ１２内には、先の運転でその中に残っている、凝固した半固体材料または凝固 した（以前は溶融していた）材料を大量に有することがある。熱制御システム３ ０は、凝固した材料を再度溶融させるのに十分な電力を送ることができなければ ならない。同様に、装置１０を停止する際には、チャンバ１２から完全に排出す るために、熱制御システム３０が半固体材料５０を加熱することが望ましい。も う１つの停止手順は、半固体５０を慎重に冷却し、固体状態にさせることである 。 第２図に示すように、チャンバ１２中に形成された半固体材料５０の除去は、 カバー１８のオリフィス７１を通って延びる除去ポート７２を介して行われるこ とが好ましい。除去ポート ７２の一端は、半固体材料５０の表面より下になけれはならない。除去ポート７ ２は絶縁され、半固体材料５０が周囲大気によって汚染されないように保護する 。この保護がなければ、酸化がより容易に半固体材料の外側で起こり、それから 作成される構成部品中に散在することになる。除去ポート７２の周りにはヒータ ８０が設けられ、半固体材料５０を所望温度で維持する。 第２図では、除去ポート７２は、装置１０からチャンバ・カバー１８を通って 延びている。代替の好ましい実施形態では、除去ポート７２は、第３図に示すよ うに出口オリフィス１１２を有するチャンバの側壁２２から延びる。別法として 、第３図は、出口オリフィス１１３を有する底壁２０から延びる除去ポート７３ も示している。どちらの場合も、上述のように除去ポートはヒータ８０を含み、 取り出される半固体材料５０の等方状態を維持する。 ポート７２を通る半固体５０の流れをつくり出すことは、多数の方法のどれか で達成することができる。除去ポート７２を真空にして、半固体をチャンバ１２ から吸い出すこともできる。第３図のポート７３に示すように重力を利用するこ ともできる。サブマージド・ピストンや、ヘリカル回転子、または半固体材料５ ０の制御された移送速度を生み出すその他の容積式アクチュエータなど、機械手 段を利用する他の方法も効果的である。 上述の除去ポートのいずれかを介してチャンバ１２を出る半固体材料５０の流 れをさらに調節するために、ポート７２にバルブ８３を設ける。バルブ８３は単 純なゲート・バルブにすることも、その他の液体流調節装置にすることもできる 。半固体５０が所望温度に維持され、詰まりが防止されるように、バルブ８３を 加熱することが望ましいこともある。 流れの調節は、局所的な凝固によって自然に実現されることもある。バルブ８ ３の代わりに、ヒータ／冷却器（図示せず）でポート７２中の半固体５０を局所 的に凝固させ、それにより流れを停止させることができる。後に、ヒータ／冷却 器は材料を再加熱し、流れを回復することができる。この手順は、始動および停 止のサイクルの一部となり、必ずしも上述した等温の半固体材料を生成するプロ セスの一部となるわけではない。 固有の流れ制御を提供しながら半固体材料５０を移送するもう１つの方法では 、第４図に示すトリベ１１４を利用する。トリベ１１４は、トリベ１１４に取り 付けられたヒータ８２によって除去される半固体材料５０の温度を維持しながら 、チャンバ１２から半固体材料５０を除去する。トリベ１１４のトリベ・カップ １１５は、トリベ・アクチュエータ１１６に取り付けられる。カップ１１５は回 転してその内容物をあけることができ、アクチュエータ１１６は水平方向および 垂直方向にトリベを移動させる。 チャンバ１２内の適当な温度状態を維持する助けとなるように、半固体材料５ ０の移送を連続サイクルで行うことができる。各サイクル中に、上述の流れの調 節により、様々な量の半固体材料５０を除去することができる。各サイクル中に 除去される半固体材料の量は、チャンバ１２中に残る材料に比例して少なくなる はずである。このように、除去サイクル中のチャンバ１２内の熱量の変化は小さ い。通常のサイクルでは、チャンバ１２内の半固体５０の１０パーセント未満が 除去される。 半固体材料は、除去した後で、キャスティング装置に直接移送し、構成部品を 形成することができる。このようなキャスティング装置としては、参照によって 本明細書に組み込む、１９９６年１０月４日に出願された仮出願「Ａｐｐａｒａ ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｅｍｉ−Ｓｏｌｉｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｃａｓｔｉｎｇ」に記載 の装置がある。その他の例の適当なキャスティング装置には、鋳型、米国特許第 ５２８７７１９号の明細書に記載の鍛造ダイ・アセンブリ、またはその他の一般 に既知のダイ・キャスティング機構が含まれる。 必要というわけではないが、装置１０全体を制御された環境（図示せず）中で 維持することが望ましいこともある。溶融材料および半固体材料の外側層には、 酸化物が容易に形成される。酸化物以外の汚染物質も溶融および半固体の材料に 入り込む。窒素やアルゴンの環境など、不活性な環境であれば、酸化物形成は低 下する、または解消される。不活性な環境は、半固体材料中の汚染物質の減少に もつながる。ただし、制御された環境を、溶融材料１１のチャンバ１２への送出 部など、装置１０の個別の部分に限定すればより経済的にすることができる。も う１つの個別の経済的な環境制御部分は、除去ポート７２（またはトリベ１１４ ）にすることができる。除去ポート７２では、半固体材料５０はもはや撹拌され ず、この材料はすぐに構成部品にキャスティングされることになる。したがって 、このステージで形成される酸化物皮膜は、容器１２中の混合によって材料全体 にわたって分散しないことになる。その代わりに、酸化物は半固体の外側層に集 中することになる。したがって、酸化物形成および高濃度酸化物ポケットをとも に減少させるために、制御された窒素環境（またはその他の適当かつ経済的な環 境）が除去ポート７２のステージでは有利となる。 以下は、始動サイクルが完了した後の上述の方法および装置の一例である。６ ７７℃の概算温度の溶融アルミニウムを、大量の半固体材料が既に入っているチ ャンバ１２に注入する。主 回転子１４は約３０ｒｐｍで回転し、アルミニウムを時計回りにかき混ぜ、シヤ リングする。２次回転子１６は約３００ｒｐｍで回転し、アルミニウムをシヤリ ングしながら押し上げる、または押し下げる、あるいはその両方を行う。２つの 回転子１４、１６を組み合わせた効果により、アルミニウムは３次元に徹底的に 撹拌およびシヤリングされる。熱制御システム３０はアルミニウムの温度を約６ ００℃に維持し、樹枝状構造が形成されるようにする。回転子１４、１６は、こ の樹枝状構造をそれらが形成されるにつれてシヤリングする。熱制御システムで 半固体アルミニウムの温度を約６００℃に維持しながら、回転子１４、１６は半 固体のアルミニウムを連続的に混合し、材料内の温度を実質的に均一に保つ。こ の特定のプロセスで生成される固体粒子のサイズは、通常は５０〜２００ミクロ ンの範囲となり、半固体アルミニウム中に浮遊する固体の体積の割合は約２０パ ーセントとなる。 半固体アルミニウムは、除去ポート７２を介してチャンバ１２から移送される 。除去ポートのヒータ８０も、半固休アルミニウムを６００℃に維持する。構成 部品は、追加の凝固および再加熱の段階なしで、除去された半固体アルミニウム から直接形成される。 本発明の好ましい実施形態と考えられるものを本明細書に記載したが、本明細 書の教示から、本発明のその他の修正形態は当業者には明らかになるであろう。 したがって、本発明の真の主旨および範囲内となるこのような全ての修正形態が 、添付の請求の範囲において保証されることが望む。したがって、以下の請求の 範囲に定義し、識別した本発明が、米国の特許状によって保証されることが望ま しい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ， ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，Ｆ Ｉ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ， ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，Ｎ Ｏ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ， ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ライス，クリストファー，エス. アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02141 ケンブリッジ，＃２エル，スプリ ング ストリート 62 (72)発明者 ミョージン，シンヤ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02139 ケンブリッジ，＃２，タフツ ス トリート 11

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．構成部品を直接形成するのに適した半固体材料を生成する装置であって、 溶融材料源と、 前記溶融材料を受ける容器と、 前記容器の温度を制御する熱制御手段と、 前記材料中に沈められた、前記熱制御手段と協働してほぼ等温の半固体材料を 生成する働きをする撹拌手段と、 前記半固体材料を前記容器から除去する手段とを含み、前記除去手段が、その 中の前記半固体材料の温度を制御するために温度制御機構を有する装置。 ２．前記除去手段が、前記チャンバから出る前記半固体材料の流れを調節する流 れ制御機構をさらに含む、請求の範囲第１項に記載の装置。 ３．前記の溶融材料源が、前記流れ制御装置とともに動作して前記容器中の半固 体材料をほぼ一定レベルに維持する流れ調節器を含む、請求の範囲第２項に記載 の装置。 ４．前記流れ制御装置が、前記チャンバから出る前記の半固体材料の流れを調節 し、除去サイクルごとに前記半固体材料のせいぜい１０分の１未満しか除去され ないようにする、請求の範囲第２項に記載の装置。 ５．前記撹拌手段が機械撹拌装置を含む、請求の範囲第１項に記載の装置。 ６．前記機械撹拌装置が主回転子および２次回転子を含む、請求の範囲第５項に 記載の装置。 ７．前記機械撹拌装置が、セラミックでコーティングされた高温合金から作成さ れる、請求の範囲第５項に記載の装置。 ８．前記主回転子が、前記容器の側壁とほぼ平行な第１部分を有するアームがそ こから延びるシャフトを含む、請求の範囲第６項に記載の装置。 ９．前記アームが、前記容器の底壁とほぼ平行な第２部分を含む、請求の範囲第 ８項に記載の装置。 １０．前記アームの前記第１および第２の部分が、前記容器の前記壁面から２イ ンチ未満離れている、請求の範囲第９項に記載の装置。 １１．前記２次回転子がオーガ型であり、前記２次回転子の軸に沿った前記半固 体材料の混合を促進する、請求の範囲第８項に記載の装置。 １２．前記撹拌手段が電磁気撹拌装置を含む、請求の範囲第１項に記載の装置。 １３．前記半固体材料が、アルミニウムまたはその合金を含む、請求の範囲第１ 項に記載の装置。 １４．前記半固体材料が、マンガンまたはその合金を含む、請求の範囲第１項に 記載の装置。 １５．前記半固体材料が、鋼またはその合金を含む、請求の範囲第１項に記載の 装置。 １６．前記除去手段が除去ポートを含む、請求の範囲第１項に記載の装置。 １７．前記除去ポートが前記チャンバ中のカバーを通って延びる、請求の範囲第 １６項に記載の装置。 １８．前記除去ポートが前記チャンバの側壁を通って延びる、請求の範囲第１６ 項に記載の装置。 １９．前記除去ポートが前記チャンバの底壁を通って延びる、請求の範囲第１６ 項に記載の装置。 ２０．半固体材料から直接構成部品を生成する装置であって、 半固体材料源と、 前記半固体材料を受ける容器と、 前記容器とともに作用する、前記容器中の前記半固体材料を撹拌する撹拌手段 と、 前記容器の温度を制御する熱制御手段とを含み、 前記撹拌手段が、協働して動作して３次元混合およびシヤリングを実現する主 回転子および２次回転子を含み、 前記熱制御手段および前記撹拌手段が、半固体材料を生成し、前記材料をほぼ 等温状態に維持する働きをする装置。 ２１．半固体材料から直接構成部品を生成する方法であって、 溶融材料を獲得する段階と、 前記溶融材料を容器中で受ける段階と、 かき混ぜ手段を用いて前記容器中の前記溶融材料をシヤリングする段階と、 前記かき混ぜ手段を用いて前記容器中の前記溶融材料を混合する段階と、 前記のかき混ぜと協働して前記溶融材料の温度を制御し、ほぼ等温状態に維持 された半固体材料を形成する段階と、 前記半固体材料を除去ポートを介して前記チャンバから移送する段階と を含む方法。