JP2001358119A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン窒化膜を有する試料の加工において、
異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜と
の選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものであ
る。 【解決手段】シリコン窒化膜を有する試料の加工におい
て、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混
合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエ
ッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。
異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜と
の選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものであ
る。 【解決手段】シリコン窒化膜を有する試料の加工におい
て、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混
合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエ
ッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の表面
加工方法に係わり、特にプラズマを用いて、シリコン窒
化膜をエッチングする方法に関する。
加工方法に係わり、特にプラズマを用いて、シリコン窒
化膜をエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の加工には、プラズマを利用
した装置や方法が広く用いられている。本発明は、この
ようなプラズマを利用した装置に適用する。従来、シリ
コン窒化膜をエッチングするプラズマとしては、Ｕ.Ｓ.
Ｐａｔｅｎｔ５,７５６,４０２に記載されているよう
に、フッ素元素を含むガスを主成分として、水素元素を
含むガス、または酸素元素を含むガスを混合して利用さ
れていた。
した装置や方法が広く用いられている。本発明は、この
ようなプラズマを利用した装置に適用する。従来、シリ
コン窒化膜をエッチングするプラズマとしては、Ｕ.Ｓ.
Ｐａｔｅｎｔ５,７５６,４０２に記載されているよう
に、フッ素元素を含むガスを主成分として、水素元素を
含むガス、または酸素元素を含むガスを混合して利用さ
れていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の高集積化
に伴い、微細化が必要となっている。このため、ＭＯＳ
（Metal Oxide Semiconductor）素子のゲートチャネル
長に影響するＬＤＤ（Lightly Doped Drain、以下「Ｌ
ＤＤ」と略す） ＳＰＡＣＥＲエッチングの寸法精度が
重要となっている。また、近年では、半導体素子の高集
積化に伴って、ＳＡＣ(Self Aliment Contact)技術を適
用するために、このＬＤＤ ＳＰＡＣＥＲをシリコン窒
化膜で形成する方法が用いられている。従って、前記Ｌ
ＤＤＳＰＡＣＥＲエッチングの際には、異方性に寸法精
度よく、且つ下地であるシリコン酸化膜と選択性の高い
エッチング技術が要求される。
に伴い、微細化が必要となっている。このため、ＭＯＳ
（Metal Oxide Semiconductor）素子のゲートチャネル
長に影響するＬＤＤ（Lightly Doped Drain、以下「Ｌ
ＤＤ」と略す） ＳＰＡＣＥＲエッチングの寸法精度が
重要となっている。また、近年では、半導体素子の高集
積化に伴って、ＳＡＣ(Self Aliment Contact)技術を適
用するために、このＬＤＤ ＳＰＡＣＥＲをシリコン窒
化膜で形成する方法が用いられている。従って、前記Ｌ
ＤＤＳＰＡＣＥＲエッチングの際には、異方性に寸法精
度よく、且つ下地であるシリコン酸化膜と選択性の高い
エッチング技術が要求される。
【０００４】従来技術であるフッ素元素を含むガスを主
成分として前記シリコン窒化膜をエッチングすると、異
方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との
選択性に優れたエッチングが難しかった。図１は試料の
断面図であり、初期状態は図１（ａ）に示すように半導
体基板１０１上にゲート酸化膜１０２，多結晶シリコン
とゲート被覆絶縁膜１０３とからなるゲート電極１０４
を形成後、その上にシリコン窒化膜１０５が形成されて
いる。フッ素元素を含むガスをエッチングガスとして用
いると、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する選択
比は大きくなるが、図１（ｂ）のように等方性が強くな
り、シリコン窒化膜１０５にサイドエッチングが発生
し、寸法加工精度が悪くなる。
成分として前記シリコン窒化膜をエッチングすると、異
方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との
選択性に優れたエッチングが難しかった。図１は試料の
断面図であり、初期状態は図１（ａ）に示すように半導
体基板１０１上にゲート酸化膜１０２，多結晶シリコン
とゲート被覆絶縁膜１０３とからなるゲート電極１０４
を形成後、その上にシリコン窒化膜１０５が形成されて
いる。フッ素元素を含むガスをエッチングガスとして用
いると、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する選択
比は大きくなるが、図１（ｂ）のように等方性が強くな
り、シリコン窒化膜１０５にサイドエッチングが発生
し、寸法加工精度が悪くなる。
【０００５】本発明の目的は、これらの課題の解決策を
提供するものである。
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、フッ素元素を含まない塩素ガスでエッチングするこ
とによりシリコン窒化膜の等方的なエッチングを防止
し、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために
アルミニウムを混合したプラズマで処理することで、前
記課題を解決するものである。
に、フッ素元素を含まない塩素ガスでエッチングするこ
とによりシリコン窒化膜の等方的なエッチングを防止
し、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために
アルミニウムを混合したプラズマで処理することで、前
記課題を解決するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図２に
より説明する。
より説明する。
【０００８】図２は、本発明を適用するプラズマ処理装
置のプラズマ生成部の詳細を示した図である。本実施例
はプラズマを生成する手段としてＵＨＦ波と磁界を利用
した例である。ＵＨＦ波電源２０１から同軸ケーブル２
０２，アンテナ２０３とUHF波透過窓(例えば石英平板)
２０４を介して真空容器２１０にＵＨＦ波が導入され
る。真空容器２１０の廻りは、石英もしくはアルミナの
円筒２１１で覆い、磁場を発生するソレノイドコイル２
０５が設置されており、磁場とＵＨＦ波の相乗作用を利
用して、プラズマ２０６を発生させる構造となってい
る。φ２００mmの試料２０７は試料台２０８上に設置さ
れ、直流電源２１３により印加された直流電圧により誘
電膜２０９と前記試料２０７を静電吸着している。前記
試料台２０８には連続的もしくは周期的にオン，オフで
きる高周波電源２１２と前記試料台２０８温度調整のた
めの冷媒温度コントローラ２１５が接続されている。ま
た、前記真空容器２１０内のプラズマ２０６に晒される
一部分または全面を、アルミニウムを主成分とするリン
グ２１４で形成し、これらの部分からアルミニウムを前
記プラズマ２０６に供給する。
置のプラズマ生成部の詳細を示した図である。本実施例
はプラズマを生成する手段としてＵＨＦ波と磁界を利用
した例である。ＵＨＦ波電源２０１から同軸ケーブル２
０２，アンテナ２０３とUHF波透過窓(例えば石英平板)
２０４を介して真空容器２１０にＵＨＦ波が導入され
る。真空容器２１０の廻りは、石英もしくはアルミナの
円筒２１１で覆い、磁場を発生するソレノイドコイル２
０５が設置されており、磁場とＵＨＦ波の相乗作用を利
用して、プラズマ２０６を発生させる構造となってい
る。φ２００mmの試料２０７は試料台２０８上に設置さ
れ、直流電源２１３により印加された直流電圧により誘
電膜２０９と前記試料２０７を静電吸着している。前記
試料台２０８には連続的もしくは周期的にオン，オフで
きる高周波電源２１２と前記試料台２０８温度調整のた
めの冷媒温度コントローラ２１５が接続されている。ま
た、前記真空容器２１０内のプラズマ２０６に晒される
一部分または全面を、アルミニウムを主成分とするリン
グ２１４で形成し、これらの部分からアルミニウムを前
記プラズマ２０６に供給する。
【０００９】上述のエッチング装置を用いて、真空容器
２１０内に塩素ガスを導入し、真空容器２１０内にプラ
ズマ２０６を発生させることで前記リング２１４からア
ルミニウムが供給される。この塩素ガスとアルミニウム
の混合ガスを用いてシリコン窒化膜をエッチングしたと
ころ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比
（シリコン窒化膜／シリコン酸化膜）を大きくした状態
で、シリコン窒化膜の垂直方向の異方性エッチングが可
能であることがわかった。
２１０内に塩素ガスを導入し、真空容器２１０内にプラ
ズマ２０６を発生させることで前記リング２１４からア
ルミニウムが供給される。この塩素ガスとアルミニウム
の混合ガスを用いてシリコン窒化膜をエッチングしたと
ころ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比
（シリコン窒化膜／シリコン酸化膜）を大きくした状態
で、シリコン窒化膜の垂直方向の異方性エッチングが可
能であることがわかった。
【００１０】図３は、真空容器２１０内に塩素ガスプラ
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４の有無の状態で、高周波電力を変化させて調
べた例である。本実施例における塩素ガス流量は１７０
ｍＬ／分、処理圧力は３.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５
００Ｗ、高周波電力は７０Ｗである。図３において、ア
ルミニウムを主体とする前記リング２１４が無い状態の
シリコン窒化膜のエッチング速度を図３の曲線３ａに示
し、シリコン酸化膜のエッチング速度を図３の曲線３ｂ
に示す。前記リング２１４を設置した状態のシリコン窒
化膜のエッチング速度は図３の曲線３ｃ、シリコン酸化
膜のエッチング速度を図３の曲線３ｄに示す。この結果
によれば真空容器２１０内にアルミニウムが供給される
とシリコン窒化膜のエッチング速度は殆ど変化しない
が、シリコン酸化膜のエッチング速度を低下させる効果
がある。
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４の有無の状態で、高周波電力を変化させて調
べた例である。本実施例における塩素ガス流量は１７０
ｍＬ／分、処理圧力は３.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５
００Ｗ、高周波電力は７０Ｗである。図３において、ア
ルミニウムを主体とする前記リング２１４が無い状態の
シリコン窒化膜のエッチング速度を図３の曲線３ａに示
し、シリコン酸化膜のエッチング速度を図３の曲線３ｂ
に示す。前記リング２１４を設置した状態のシリコン窒
化膜のエッチング速度は図３の曲線３ｃ、シリコン酸化
膜のエッチング速度を図３の曲線３ｄに示す。この結果
によれば真空容器２１０内にアルミニウムが供給される
とシリコン窒化膜のエッチング速度は殆ど変化しない
が、シリコン酸化膜のエッチング速度を低下させる効果
がある。
【００１１】図４は、真空容器２１０内に塩素ガスプラ
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４が設置された状態で処理圧力を変化させて調
べた例である。この実施例における塩素ガスは１７０ｍ
Ｌ／分、ＵＨＦ波の電力は５００Ｗ、高周波電力は７０
Ｗである。図４（ａ）において、シリコン窒化膜のエッ
チング速度を図４の曲線４ａに示し、シリコン酸化膜の
エッチング速度を図４の曲線４ｂに示す。図４（ａ）に
示すように、エッチング速度は処理圧力が高くなるにつ
れてシリコン窒化膜，シリコン酸化膜共にエッチング速
度が低下することがわかる。したがって、図４（ｂ）に
示すように、処理圧力を調整することで選択比を容易に
コントロールできる。
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４が設置された状態で処理圧力を変化させて調
べた例である。この実施例における塩素ガスは１７０ｍ
Ｌ／分、ＵＨＦ波の電力は５００Ｗ、高周波電力は７０
Ｗである。図４（ａ）において、シリコン窒化膜のエッ
チング速度を図４の曲線４ａに示し、シリコン酸化膜の
エッチング速度を図４の曲線４ｂに示す。図４（ａ）に
示すように、エッチング速度は処理圧力が高くなるにつ
れてシリコン窒化膜，シリコン酸化膜共にエッチング速
度が低下することがわかる。したがって、図４（ｂ）に
示すように、処理圧力を調整することで選択比を容易に
コントロールできる。
【００１２】図５に、真空容器２１０内に塩素ガスプラ
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４が設置された状態で高周波電力を変化させて
調べた例である。この実施例における塩素ガスは１７０
ｍＬ／分、処理圧力は１.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５
００Ｗである。図５（ａ）において、シリコン窒化膜の
エッチング速度を図５の曲線５ａに示し、シリコン酸化
膜のエッチング速度を図５の曲線５ｂに示す。図５
（ａ）に示すように、エッチング速度は高周波電力が低
くなるにつれてシリコン窒化膜，シリコン酸化膜共にエ
ッチング速度が低下することがわかる。したがって、図
５（ｂ）に示すように高周波電力を調整することでシリ
コン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を容易にコ
ントロールできる。
ズマを発生させた状態でアルミニウムを主成分とするリ
ング２１４が設置された状態で高周波電力を変化させて
調べた例である。この実施例における塩素ガスは１７０
ｍＬ／分、処理圧力は１.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５
００Ｗである。図５（ａ）において、シリコン窒化膜の
エッチング速度を図５の曲線５ａに示し、シリコン酸化
膜のエッチング速度を図５の曲線５ｂに示す。図５
（ａ）に示すように、エッチング速度は高周波電力が低
くなるにつれてシリコン窒化膜，シリコン酸化膜共にエ
ッチング速度が低下することがわかる。したがって、図
５（ｂ）に示すように高周波電力を調整することでシリ
コン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を容易にコ
ントロールできる。
【００１３】図６は加工形状を調べた例である。図６
（ａ）に示すφ２００mmの半導体基板１０１上にゲート
酸化膜１０２，多結晶シリコンとゲート被覆絶縁膜１０
３とからなるゲート電極１０４を形成後、その上にシリ
コン窒化膜１０５が形成されている試料を塩素ガス５０
〜５００ｍＬ／分,処理圧力０.５〜５０.０Ｐａ,ＵＨＦ
波の電力は３００〜８００Ｗ、高周波電力は２０〜１０
０Ｗで前記塩素ガス流量，前記処理圧力，前記高周波電
力を適正化して処理すると、図６（ｂ）の異方性加工が
できる。
（ａ）に示すφ２００mmの半導体基板１０１上にゲート
酸化膜１０２，多結晶シリコンとゲート被覆絶縁膜１０
３とからなるゲート電極１０４を形成後、その上にシリ
コン窒化膜１０５が形成されている試料を塩素ガス５０
〜５００ｍＬ／分,処理圧力０.５〜５０.０Ｐａ,ＵＨＦ
波の電力は３００〜８００Ｗ、高周波電力は２０〜１０
０Ｗで前記塩素ガス流量，前記処理圧力，前記高周波電
力を適正化して処理すると、図６（ｂ）の異方性加工が
できる。
【００１４】本実施例のように、塩素ガスを真空容器２
１０に導入し、前記真空容器２１０内にアルミニウムが
供給された状態で前記処理圧力と前記高周波電力を変え
ることで、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選
択比を高くし、シリコン窒化膜を異方性形状加工でき
る。さらに、前記処理圧力と前記高周波電力の調整によ
りシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を任
意で調整できる。
１０に導入し、前記真空容器２１０内にアルミニウムが
供給された状態で前記処理圧力と前記高周波電力を変え
ることで、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選
択比を高くし、シリコン窒化膜を異方性形状加工でき
る。さらに、前記処理圧力と前記高周波電力の調整によ
りシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を任
意で調整できる。
【００１５】尚、本技術はＥＣＲプラズマ方式の装置の
みならず、反応性イオンエッチング，マグネトロンエッ
チング，誘導結合型プラズマエッチング等の処理装置に
も応用可能である。
みならず、反応性イオンエッチング，マグネトロンエッ
チング，誘導結合型プラズマエッチング等の処理装置に
も応用可能である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板上に堆積さ
れたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜の加工時に、ハ
ロゲン元素を含むガスとアルミニウムの混合雰囲気をプ
ラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度
を抑制し、優れた加工特性が得られる。
れたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜の加工時に、ハ
ロゲン元素を含むガスとアルミニウムの混合雰囲気をプ
ラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度
を抑制し、優れた加工特性が得られる。
【図１】（ａ）から（ｂ）は、従来技術のプラズマ処理
方法により加工した場合の例である。
方法により加工した場合の例である。
【図２】本発明の一実施例のプラズマ処理室構成を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の効果を説明するための一実施例であっ
て、真空容器内にアルミニウム有無での各膜のエッチン
グ速度と高周波電力の関係を示す図である。
て、真空容器内にアルミニウム有無での各膜のエッチン
グ速度と高周波電力の関係を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例を説明す
るための例であって、各膜のエッチング速度と処理圧力
との関係を示す図である。
るための例であって、各膜のエッチング速度と処理圧力
との関係を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例を説明す
るための例であって、各膜のエッチング速度と高周波電
力との関係を示す図である。
るための例であって、各膜のエッチング速度と高周波電
力との関係を示す図である。
【図６】（ａ）から（ｂ）は、本発明の一実施例のプラ
ズマ処理方法による加工特性を説明する断面図である。
ズマ処理方法による加工特性を説明する断面図である。
１０１…半導体基板、１０２…ゲート酸化膜、１０３…
ゲート被覆絶縁膜、１０４…ゲート電極、１０５…シリ
コン窒化膜、２０１…ＵＨＦ波電源、２０２…同軸ケー
ブル、２０３…アンテナ、２０４…ＵＨＦ波透過窓、２
０５…ソレノイドコイル、２０６…プラズマ、２０７…
試料、２０８…試料台、２０９…誘電膜、２１０…真空
容器、２１１…円筒、２１２…高周波電源、２１３…直
流電源、２１４…リング、２１５…冷媒温度コントロー
ラ。
ゲート被覆絶縁膜、１０４…ゲート電極、１０５…シリ
コン窒化膜、２０１…ＵＨＦ波電源、２０２…同軸ケー
ブル、２０３…アンテナ、２０４…ＵＨＦ波透過窓、２
０５…ソレノイドコイル、２０６…プラズマ、２０７…
試料、２０８…試料台、２０９…誘電膜、２１０…真空
容器、２１１…円筒、２１２…高周波電源、２１３…直
流電源、２１４…リング、２１５…冷媒温度コントロー
ラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒瀬 高男 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 斉藤 剛 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 坂口 正道 山口県下松市大字東豊井794番地 日立笠 戸エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 石村 裕昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 下村 隆浩 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 5F004 AA02 BA20 BB22 BB29 CA02 CA03 DA00 DB07
Claims (11)
- 【請求項１】真空容器とその中にプラズマを発生させる
手段、及び該プラズマにより表面加工される試料を設置
する試料台と、前記試料台に高周波バイアス電圧を印加
するための電源からなるプラズマ処理装置を用い、ハロ
ゲン元素を含むガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラ
ズマ化することによって、半導体基板上に堆積されたシ
リコン酸化膜上のシリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜
に対して選択的にエッチングすることを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置を用い、
ハロゲン元素を含むガスとアルミニウムとシリコンとの
混合雰囲気をプラズマ化することによって、半導体基板
上に堆積されたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を前
記シリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】請求項１および２記載のハロゲン元素を含
むガスは、塩素または臭素またはヨウ素元素を含むこと
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項４】前記プラズマを発生させるガスの処理圧力
は、０.５Ｐａ 以上１００Ｐａ（パスカル）以下である
ことを特徴とする請求項１および２記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項５】前記高周波バイアス電圧は連続的もしくは
周期的にオン，オフしてプラズマ処理することを特徴と
する請求項１および２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項６】請求項１および２記載のアルミニウムは、
前記真空容器内のプラズマに晒される一部分または全面
を、アルミニウムを主成分とする材質で形成されたこと
により、これらの部分からプラズマ中にアルミニウムが
供給されることを特徴とする請求項１および２記載のプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項７】請求項１および２記載の真空容器は、脱着
可能な９９％以上の高純度アルミニウムで形成されたパ
ーツを設置することで、不純物の少ないアルミニウムを
前記プラズマ中に供給できることを特徴とする請求項１
および２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項８】請求項１および２記載の真空容器に、アル
ミニウムを含むガスを供給できる機能を有することによ
り、プラズマ中にアルミニウムを供給することを特徴と
するプラズマ処理方法。 - 【請求項９】請求項２記載のシリコンは、前記真空容器
内のプラズマに晒される一部分を、シリコンを主成分と
する材質で形成されたことにより、これらの部分からプ
ラズマ中にシリコンが供給されることを特徴とする請求
項２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１０】請求項２記載の真空容器に、シリコンを
含むガスを供給できる機能を有することにより、プラズ
マ中にシリコンを供給することを特徴とするプラズマ処
理方法。 - 【請求項１１】前記試料を前記試料台に静電吸着により
保持することを特徴とする請求項１および２記載のプラ
ズマ処理方法。
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|---|---|---|---|---|
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| US7951262B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
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|---|---|---|---|---|
| US4832787A (en) * | 1988-02-19 | 1989-05-23 | International Business Machines Corporation | Gas mixture and method for anisotropic selective etch of nitride |
| US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| JPH06132253A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法 |
| US5756402A (en) | 1992-12-28 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of etching silicon nitride film |
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| US6136211A (en) * | 1997-11-12 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning etch process |
| JP3066007B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2000-07-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US6146954A (en) * | 1998-07-21 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Minimizing transistor size in integrated circuits |
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| US6235643B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a trench having rounded top and bottom corners in a silicon substrate |
| US6180533B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a trench having rounded top corners in a silicon substrate |
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- 2003-04-02 US US10/404,647 patent/US7098138B2/en not_active Expired - Fee Related
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2005
- 2005-10-20 US US11/253,698 patent/US20060048892A1/en not_active Abandoned
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