JP2001348388A - R1r2r3r4n+・bf4−で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法 - Google Patents
R1r2r3r4n+・bf4−で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法Info
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- JP2001348388A JP2001348388A JP2001070063A JP2001070063A JP2001348388A JP 2001348388 A JP2001348388 A JP 2001348388A JP 2001070063 A JP2001070063 A JP 2001070063A JP 2001070063 A JP2001070063 A JP 2001070063A JP 2001348388 A JP2001348388 A JP 2001348388A
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C209/00—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高純度の4級アルキルアンモニウム塩を何等
の再結晶を行なうことなく簡単に製造しうるR1R2R3
R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 R1R2R3R4N+・X1 -(式中R1、
R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素数1〜5のア
ルキル基を示し、X1はClは又はBrを示す)で表さ
れる4級アルキルアンモニウムハライドと、HBF4と
をアルコール中で反応させることを特徴とする。
の再結晶を行なうことなく簡単に製造しうるR1R2R3
R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 R1R2R3R4N+・X1 -(式中R1、
R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素数1〜5のア
ルキル基を示し、X1はClは又はBrを示す)で表さ
れる4級アルキルアンモニウムハライドと、HBF4と
をアルコール中で反応させることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、4級アルキルアンモニ
ウム塩の製造方法に係り、より詳細には、例えば電解コ
ンデンサー又は電池の有機電解液の電解質として有用な
R1R2R3R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアン
モニウム塩の製造方法に関する。
ウム塩の製造方法に係り、より詳細には、例えば電解コ
ンデンサー又は電池の有機電解液の電解質として有用な
R1R2R3R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアン
モニウム塩の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、4級アルキルアンモニウム塩は、
4級アルキルアンモニウムクロライド、ブロマイド又は
ヒドロキシドとホウフッ化水素酸又はヘキサフルオロリ
ン酸の水溶液とを反応させることにより製造されてい
る。
4級アルキルアンモニウムクロライド、ブロマイド又は
ヒドロキシドとホウフッ化水素酸又はヘキサフルオロリ
ン酸の水溶液とを反応させることにより製造されてい
る。
【0003】また、特開平5−286981号公報に開
示されているように無水フッ化水素酸を溶媒に用いて製
造されている。
示されているように無水フッ化水素酸を溶媒に用いて製
造されている。
【0004】また、特開平11−310555号公報に
開示されているように、4級アルキルアンモニウムフル
オリドのフッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはその錯化
合物を反応させることにより製造されている。また特開
平11−315055号公報に開示されているように、
4級アルキルアンモニウム重炭酸塩とホウフッ化水素酸
とを反応させることにより製造されている。
開示されているように、4級アルキルアンモニウムフル
オリドのフッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはその錯化
合物を反応させることにより製造されている。また特開
平11−315055号公報に開示されているように、
4級アルキルアンモニウム重炭酸塩とホウフッ化水素酸
とを反応させることにより製造されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】4級アルキルアンモニ
ウムクロライド、ブロマイド又はヒドロキシドとホウフ
ッ化水素酸又はヘキサフルオロリン酸の水溶液とを反応
させる製法では、得られる4級アンモニウム塩が水への
溶解度が大きいために収量が悪い。
ウムクロライド、ブロマイド又はヒドロキシドとホウフ
ッ化水素酸又はヘキサフルオロリン酸の水溶液とを反応
させる製法では、得られる4級アンモニウム塩が水への
溶解度が大きいために収量が悪い。
【0006】このため濃縮して収量を高めている。ま
た、このような場合、原料の塩素や臭素が多く含まれ、
製品の純度が低下し、電解コンデンサーや電解質として
使用することができない。従って、製品の高純度化のた
めに再結晶を繰り返している。
た、このような場合、原料の塩素や臭素が多く含まれ、
製品の純度が低下し、電解コンデンサーや電解質として
使用することができない。従って、製品の高純度化のた
めに再結晶を繰り返している。
【0007】また、無水フッ化水素酸を溶媒にする方法
は取り扱いに問題があり、またフッ化水素を完全に除去
できないのでメタノールで再結晶しなければならない。
は取り扱いに問題があり、またフッ化水素を完全に除去
できないのでメタノールで再結晶しなければならない。
【0008】4級アルキルアンモニウムフルオリドのフ
ッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはその錯化合物とを反
応させる製法では、4級アルキルアンモニウムフルオリ
ドのフッ化水素塩を合成する際に無水フッ化水素酸を使
用しなければならない。また、4級アルキルアンモニウ
ムフルオリドのフッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはそ
の錯化合物とを反応させた後、過剰のフッ化水素酸や過
剰の3フッ化ホウ素錯化合物を除去する為、加温しなけ
ればならない。
ッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはその錯化合物とを反
応させる製法では、4級アルキルアンモニウムフルオリ
ドのフッ化水素塩を合成する際に無水フッ化水素酸を使
用しなければならない。また、4級アルキルアンモニウ
ムフルオリドのフッ化水素塩と3フッ化ホウ素またはそ
の錯化合物とを反応させた後、過剰のフッ化水素酸や過
剰の3フッ化ホウ素錯化合物を除去する為、加温しなけ
ればならない。
【0009】本発明が解決しようとする課題は、上記従
来方法の難点を解消することであり、更に詳しくは、高
純度の目的物を何等の再結晶や、無水フッ化水素酸を使
用することなく簡単に製造しうる4級アルキルアンモニ
ウム塩の製造方法を提供することである。
来方法の難点を解消することであり、更に詳しくは、高
純度の目的物を何等の再結晶や、無水フッ化水素酸を使
用することなく簡単に製造しうる4級アルキルアンモニ
ウム塩の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明では、R1R2R3
R4N+・X1 -(式中R1、R2、R3及びR4は同一又は相
違なる炭素数1〜5のアルキル基を示し、X1はCl又
はBrを示す)で表される4級アルキルアンモニウムハ
ライドと、HBF4とをアルコール中で反応させること
を特徴とするR1R2R3R4N+・BF4 -で表される4級
アルキルアンモニウム塩の製造方法をその要旨としてい
る。
R4N+・X1 -(式中R1、R2、R3及びR4は同一又は相
違なる炭素数1〜5のアルキル基を示し、X1はCl又
はBrを示す)で表される4級アルキルアンモニウムハ
ライドと、HBF4とをアルコール中で反応させること
を特徴とするR1R2R3R4N+・BF4 -で表される4級
アルキルアンモニウム塩の製造方法をその要旨としてい
る。
【0011】また、本発明では、R1R2R3R4N+・X1
-(式中R1、R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素
数1〜5のアルキル基を示し、X1はCl又はBrを示
す)で表される4級アルキルアンモニウムハライドと、
HBF4とをアルコール中で反応させた後、乾燥を行う
ことを特徴とするR1R2R3R4N+・BF4 -で表される
4級アルキルアンモニウム塩の製造方法をその要旨とし
ている。
-(式中R1、R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素
数1〜5のアルキル基を示し、X1はCl又はBrを示
す)で表される4級アルキルアンモニウムハライドと、
HBF4とをアルコール中で反応させた後、乾燥を行う
ことを特徴とするR1R2R3R4N+・BF4 -で表される
4級アルキルアンモニウム塩の製造方法をその要旨とし
ている。
【0012】本発明の4級アンモニウム塩のアルキル基
は炭素数が1〜5と小さく、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、n−ブチル、isoブチル、
t−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、t−ペ
ンチルを指す。4級アンモニウム塩のアルキル基は上記
のアルキル基の中の1種類のもの、2種類組み合わせた
もの、又は2種類以上の組み合わせたものからなる。
は炭素数が1〜5と小さく、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、n−ブチル、isoブチル、
t−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、t−ペ
ンチルを指す。4級アンモニウム塩のアルキル基は上記
のアルキル基の中の1種類のもの、2種類組み合わせた
もの、又は2種類以上の組み合わせたものからなる。
【0013】使用する溶媒のアルコールはメタノール、
エタノール、n−プロピルアルコール、iso−プロピ
ルアルコール等の低級脂肪族アルコールであり、好まし
くはメタノールとエタノールである。
エタノール、n−プロピルアルコール、iso−プロピ
ルアルコール等の低級脂肪族アルコールであり、好まし
くはメタノールとエタノールである。
【0014】また、反応は適常常温で行うが、加温して
もよい。
もよい。
【0015】本発明は4級アルキルアンモニウムハライ
ドとHBF4とを反応させたあと、乾燥工程で副生成物
であり不純物となるハロゲン化水素(HX1)を除去す
る方法である。
ドとHBF4とを反応させたあと、乾燥工程で副生成物
であり不純物となるハロゲン化水素(HX1)を除去す
る方法である。
【0016】塩化テトラエチルアンモニウムとHBF4
とをメタノール中で反応させた場合の反応式を(1)に
示した。 (C2H5)4NCl+HBF4=(C2H5)NBF4+HCl (1)
とをメタノール中で反応させた場合の反応式を(1)に
示した。 (C2H5)4NCl+HBF4=(C2H5)NBF4+HCl (1)
【0017】目的のアンモニウム塩と塩化水素が生成す
る。アンモニウム塩はメタノールへの溶解度が小さいた
め、溶液中から析出してくる。塩化水泰は反応中に蒸発
するものもあるが、アンモニウム塩を溶液から分離する
際結晶に付着するものもある。塩化水素は加熱により気
化するため、分離したアンモニウム塩を乾燥するだけ
で、高純度の製品が得られる。
る。アンモニウム塩はメタノールへの溶解度が小さいた
め、溶液中から析出してくる。塩化水泰は反応中に蒸発
するものもあるが、アンモニウム塩を溶液から分離する
際結晶に付着するものもある。塩化水素は加熱により気
化するため、分離したアンモニウム塩を乾燥するだけ
で、高純度の製品が得られる。
【0018】なお、更に純度を上げるために、アルコー
ルで洗浄してもよい。特に水分の除去に有効である。
ルで洗浄してもよい。特に水分の除去に有効である。
【0019】また、乾燥は30〜200℃、好ましくは
60〜150℃で行うことが副生成物であるHX1や水
分の効率的除去にとって好ましい。
60〜150℃で行うことが副生成物であるHX1や水
分の効率的除去にとって好ましい。
【0020】また、4級アルキルアンモニウムハライド
1モルに対しHBF4は1〜1.5モル添加させること
が酸成分の低下を図る上から好ましい。
1モルに対しHBF4は1〜1.5モル添加させること
が酸成分の低下を図る上から好ましい。
【0021】
【実施例】以下に本発明の代表的な例を示しながら更に
具体的に説明する。尚、これらは説明のための単なる例
示であって、本発明はこれらに何等制限されるものでは
ないことは言うまでもない。
具体的に説明する。尚、これらは説明のための単なる例
示であって、本発明はこれらに何等制限されるものでは
ないことは言うまでもない。
【0022】(実施例1)塩化テトラエチルアンモニウ
ム828.5g(5mol)を30%HBF4メタノー
ル溶液1463g(HBF4 5mol)に混合し、1
時間撹拌した。ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの
結晶が析出した。
ム828.5g(5mol)を30%HBF4メタノー
ル溶液1463g(HBF4 5mol)に混合し、1
時間撹拌した。ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの
結晶が析出した。
【0023】溶液を0℃程度まで冷却し充分結晶を析出
させた後、溶液を濾過し、結晶を窒素気流中)105℃
で20時間乾燥した。
させた後、溶液を濾過し、結晶を窒素気流中)105℃
で20時間乾燥した。
【0024】製品の収量は867.2g(収率80
%)、製品純度は99.9%、不純物はCl、Na、C
a、Mg、Al、Fe、Crはそれぞれ1ppm以下で
あった。
%)、製品純度は99.9%、不純物はCl、Na、C
a、Mg、Al、Fe、Crはそれぞれ1ppm以下で
あった。
【0025】(実施例2)臭化テトラエチルアンモニウ
ム1051g(5mol)を30%HBF4メタノール
溶液1463g(HBF4 5mol)に混合し、1時
間撹拌した。ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの結
晶が折出した。
ム1051g(5mol)を30%HBF4メタノール
溶液1463g(HBF4 5mol)に混合し、1時
間撹拌した。ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの結
晶が折出した。
【0026】溶液を0℃程度まで冷却し充分結晶を折出
させた後、溶液を濾過し、結晶を窒素気流中105℃で
20時間乾燥した。
させた後、溶液を濾過し、結晶を窒素気流中105℃で
20時間乾燥した。
【0027】製品の収量は867.2g(収率80
%)、製品純度は99.9%、不純物はBr3ppm以
下、Na、Ca、Mg、Al、Fe、Crはそれぞれ1
ppm以下であった。
%)、製品純度は99.9%、不純物はBr3ppm以
下、Na、Ca、Mg、Al、Fe、Crはそれぞれ1
ppm以下であった。
【0028】(実施例3)実施例2で得られたホウフッ
化テトラエチルアンモニウムをイソプロピルアルコール
に懸濁させ、懸濁液から結晶を取り出し、窒素気流中1
05℃で20時間乾燥した。製品中の水分は15ppm
以下であった。
化テトラエチルアンモニウムをイソプロピルアルコール
に懸濁させ、懸濁液から結晶を取り出し、窒素気流中1
05℃で20時間乾燥した。製品中の水分は15ppm
以下であった。
【0029】臭化テトラエチルアンモニウム1051g
(5mol)を30%HBF4メタノール溶液1463
g(HBF4 5mol)に混合し、1時間撹拌した。
ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの結晶が析出し
た。
(5mol)を30%HBF4メタノール溶液1463
g(HBF4 5mol)に混合し、1時間撹拌した。
ホウフッ化テトラエチルアンモニウムの結晶が析出し
た。
【0030】溶液を0℃まで冷却し充分結晶を析出させ
た後、溶液を濾過し、結晶を取り出した後、乾燥温度を
変えて乾燥を行った。乾燥温度と乾燥後の不純物(水
分)分析結果を表1に示す。
た後、溶液を濾過し、結晶を取り出した後、乾燥温度を
変えて乾燥を行った。乾燥温度と乾燥後の不純物(水
分)分析結果を表1に示す。
【0031】乾燥温度と残留不純物(水分)濃度
【表1】
【0032】(実施例5)本例では、実施例1における
乾燥を行わう前のホウフッ化テトラエチルアンモニウム
を調べた。この場合、製品中にClは数百〜数千ppm
残留していた。なお、Na、Ca、Mg、Al、Fe、
Crはそれぞれ1ppm以下であった。
乾燥を行わう前のホウフッ化テトラエチルアンモニウム
を調べた。この場合、製品中にClは数百〜数千ppm
残留していた。なお、Na、Ca、Mg、Al、Fe、
Crはそれぞれ1ppm以下であった。
【0033】
【発明の効果】取り扱いの困難な薬品を使用せず、容易
にしかも高純度で目的製品であるR1R2R3R4N+・B
F4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩を得ること
ができる
にしかも高純度で目的製品であるR1R2R3R4N+・B
F4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩を得ること
ができる
フロントページの続き (72)発明者 菊永 芳弘 大阪府泉大津市臨海町1丁目41番地ステラ ケミファ株式会社内 (72)発明者 宮下 雅之 大阪府堺市海山町7丁227番地ステラケミ ファ株式会社内 Fターム(参考) 4H048 AA02 AB78 AC90 VA75 VB10 5H024 FF11 FF19 5H029 AJ14 AM07 DJ09 HJ02
Claims (5)
- 【請求項1】 R1R2R3R4N+・X1 -(式中R1、
R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素数1〜5のア
ルキル基を示し、X1はCl又はBrを示す)で表され
る4級アルキルアンモニウムハライドと、HBF4とを
アルコール中で反応させることを特徴とするR1R2R3
R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩
の製造方法。 - 【請求項2】 4級アルキルアンモニウムハライドと、
HBF4とをアルコール中で反応させたのちアルコール
洗浄を行うことを特徴とする請求項1記載のR1R2R3
R4N+・BF4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩
の製造方法。 - 【請求項3】 R1R2R3R4N+・X1 -(式中R1、
R2、R3及びR4は同一又は相違なる炭素数1〜5のア
ルキル基を示し、X1はCl又はBrを示す)で表され
る4級アルキルアンモニウムハライドと、HBF4とを
アルコール中で反応させた後、乾燥を行うことを特徴と
するR1R2R3R4N+・BF4 -で表される4級アルキル
アンモニウム塩の製造方法。 - 【請求項4】 前記乾燥は30〜200℃で行うことを
特徴とする請求項3記載のR1R2R3R4N+・BF4 -で
表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法。 - 【請求項5】 前記乾燥後アルコール洗浄を行うことを
特徴とする請求項3または4記載のR1R2R3R4N+・
BF4 -で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001070063A JP2001348388A (ja) | 2000-04-07 | 2001-03-13 | R1r2r3r4n+・bf4−で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
TW90106223A TWI237015B (en) | 2000-04-07 | 2001-03-16 | Process for the preparation of quaternary alkylammonium salts represented by R1R2R3R4N+ to BF4- |
PCT/JP2001/003036 WO2001077063A1 (fr) | 2000-04-07 | 2001-04-09 | Procede de preparation de sels d'alkylammonium quaternaire representes par r1r2r3r4n+ • bf4?-¿ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-107174 | 2000-04-07 | ||
JP2000107174 | 2000-04-07 | ||
JP2001070063A JP2001348388A (ja) | 2000-04-07 | 2001-03-13 | R1r2r3r4n+・bf4−で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001348388A true JP2001348388A (ja) | 2001-12-18 |
Family
ID=26589724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001070063A Pending JP2001348388A (ja) | 2000-04-07 | 2001-03-13 | R1r2r3r4n+・bf4−で表される4級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001348388A (ja) |
TW (1) | TWI237015B (ja) |
WO (1) | WO2001077063A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007112811A (ja) * | 2003-07-01 | 2007-05-10 | Otsuka Chemical Co Ltd | 第4級アンモニウム塩および電解質並びに電気化学デバイス |
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JP4194296B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2008-12-10 | ステラケミファ株式会社 | 四級アルキルアンモニウム塩の精製方法及び四級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
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JPS6330454A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 四級アンモニウム塩の陰イオン交換方法 |
JPH1087574A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-04-07 | Sutera Chemiphar Kk | 4級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
JP2000226361A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 四級アルキルアンモニウム塩の製造方法 |
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-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001070063A patent/JP2001348388A/ja active Pending
- 2001-03-16 TW TW90106223A patent/TWI237015B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-09 WO PCT/JP2001/003036 patent/WO2001077063A1/ja active Search and Examination
Patent Citations (3)
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JP2007306017A (ja) * | 2003-07-01 | 2007-11-22 | Otsuka Chemical Co Ltd | 第4級アンモニウム塩を含む電解液並びに電気化学デバイス |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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