JP2001332493A - レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法Info
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1300825C (zh) * | 2004-07-21 | 2007-02-14 | 友达光电股份有限公司 | 制造多晶硅层的方法 |
JP2008536314A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 薄膜の直線走査連続横方向凝固 |
US8367564B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Crystallization method of amorphous silicon layer |
KR101278045B1 (ko) | 2012-02-17 | 2013-06-24 | 주식회사 엘티에스 | 레이저 리프트 오프 방법 |
KR20170018238A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
JP2017079318A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | レーザアニーリング装置、及びそれを利用したディスプレイ装置の製造方法 |
TWI676214B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-11-01 | 財團法人大邱慶北科學技術院 | 藉由局部熱處理恢復電晶體特性的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01276621A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | ビームアニール装置 |
JPH06252398A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 薄膜集積回路およびその製造方法 |
JPH088179A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH09260681A (ja) * | 1996-03-23 | 1997-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JPH11243057A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JPH11330000A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 |
-
2000
- 2000-05-19 JP JP2000148393A patent/JP2001332493A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01276621A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | ビームアニール装置 |
JPH06252398A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 薄膜集積回路およびその製造方法 |
JPH088179A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH09260681A (ja) * | 1996-03-23 | 1997-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JPH11243057A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JPH11330000A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1300825C (zh) * | 2004-07-21 | 2007-02-14 | 友达光电股份有限公司 | 制造多晶硅层的方法 |
JP2008536314A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 薄膜の直線走査連続横方向凝固 |
KR101407143B1 (ko) | 2005-04-06 | 2014-06-13 | 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 박막의 라인 스캔 순차적 횡방향 고형화 |
JP2014123763A (ja) * | 2005-04-06 | 2014-07-03 | Trustees Of Columbia Univ In The City Of New York | 薄膜の直線走査連続横方向凝固 |
US8367564B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Crystallization method of amorphous silicon layer |
US8697585B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Crystallization method of amorphous silicon layer |
KR101278045B1 (ko) | 2012-02-17 | 2013-06-24 | 주식회사 엘티에스 | 레이저 리프트 오프 방법 |
JP2017038035A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | レーザアニーリング装置、及びそれを利用したディスプレイ装置の製造方法 |
KR20170018238A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
CN106449356A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 激光退火装置 |
US9812471B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-11-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus by using the same |
CN106449356B (zh) * | 2015-08-07 | 2022-02-08 | 三星显示有限公司 | 激光退火装置 |
KR102388723B1 (ko) * | 2015-08-07 | 2022-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
JP2017079318A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | レーザアニーリング装置、及びそれを利用したディスプレイ装置の製造方法 |
CN106611703A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 三星显示有限公司 | 激光退火设备以及通过使用其制造显示设备的方法 |
KR20170046849A (ko) * | 2015-10-21 | 2017-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
US9966392B2 (en) | 2015-10-21 | 2018-05-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus by using the same |
KR102463885B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2022-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
TWI676214B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-11-01 | 財團法人大邱慶北科學技術院 | 藉由局部熱處理恢復電晶體特性的方法 |
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