JP2001332387A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
- Publication number
- JP2001332387A JP2001332387A JP2000155108A JP2000155108A JP2001332387A JP 2001332387 A JP2001332387 A JP 2001332387A JP 2000155108 A JP2000155108 A JP 2000155108A JP 2000155108 A JP2000155108 A JP 2000155108A JP 2001332387 A JP2001332387 A JP 2001332387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- layer
- organic electroluminescent
- electroluminescent device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 poly (p-phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 3
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低電圧、高発光効率で駆動させることがで
き、かつ長期間に亙って安定な発光特性を維持できる有
機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1上に、陽極2及び陰極5により挟
持された発光層3を有する有機電界発光素子。陰極5と
発光層3との間に、陰極5に接して、下記一般式(I)
で表わされる化合物を含有する陰極界面層4が設けられ
ている。 【化7】 (式中、Arは置換基を有していてもよい芳香族複素環
基又は置換基を有していてもよい縮合多環芳香族環を表
し、Mはアルカリ金属原子を示す。)
き、かつ長期間に亙って安定な発光特性を維持できる有
機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1上に、陽極2及び陰極5により挟
持された発光層3を有する有機電界発光素子。陰極5と
発光層3との間に、陰極5に接して、下記一般式(I)
で表わされる化合物を含有する陰極界面層4が設けられ
ている。 【化7】 (式中、Arは置換基を有していてもよい芳香族複素環
基又は置換基を有していてもよい縮合多環芳香族環を表
し、Mはアルカリ金属原子を示す。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51巻,
913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結
晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善が
なされ、実用特性に近づいている。
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51巻,
913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結
晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善が
なされ、実用特性に近づいている。
【0004】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシル
オキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキル
チオフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開
発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発
光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われて
いる。
子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシル
オキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキル
チオフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開
発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発
光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われて
いる。
【0005】このような状況において、有機電界発光素
子の課題としては、駆動安定性の向上と低駆動電圧化の
二点が挙げられる。
子の課題としては、駆動安定性の向上と低駆動電圧化の
二点が挙げられる。
【0006】即ち、有機電界発光素子の駆動時における
電圧が高く、耐熱性を含めた駆動安定性が低いことは、
ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライ
ト等の光源としては大きな問題であり、特にフルカラー
フラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望
ましくない。
電圧が高く、耐熱性を含めた駆動安定性が低いことは、
ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライ
ト等の光源としては大きな問題であり、特にフルカラー
フラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望
ましくない。
【0007】有機電界発光素子の駆動時の不安定性とし
ては、発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発
光部分(ダークスポット)の発生等が挙げられる。これ
らの不安定性の原因はいくつか存在するが、主として、
陰極材料、特に、陰極の発光層側の界面の劣化が大きな
要因となっていると考えられる。即ち、有機電界発光素
子の場合、陰極から有機層側への電子注入を容易に行う
ために、通常、陰極材料としてはマグネシウム合金やカ
ルシウム等の低仕事関数金属が用いられるが、これらの
金属は空気中の水分により酸化されやすく、駆動時の不
安定性の大きな要因となっている。低仕事関数金属を用
いた陰極は、素子の駆動電圧を低くするためには有効で
あるが、上述の不安定性のために改善が望まれている。
ては、発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発
光部分(ダークスポット)の発生等が挙げられる。これ
らの不安定性の原因はいくつか存在するが、主として、
陰極材料、特に、陰極の発光層側の界面の劣化が大きな
要因となっていると考えられる。即ち、有機電界発光素
子の場合、陰極から有機層側への電子注入を容易に行う
ために、通常、陰極材料としてはマグネシウム合金やカ
ルシウム等の低仕事関数金属が用いられるが、これらの
金属は空気中の水分により酸化されやすく、駆動時の不
安定性の大きな要因となっている。低仕事関数金属を用
いた陰極は、素子の駆動電圧を低くするためには有効で
あるが、上述の不安定性のために改善が望まれている。
【0008】一方、アルミニウムにリチウム金属を0.01
〜0.1 重量部含有させた合金よりなる陰極が開示されて
いる(特開平5−121172号公報)。この陰極の形成のた
めには、リチウム金属の含有量を厳密に制御する必要が
あるが、真空蒸着法においてアルミニウムとリチウム金
属をそれぞれ独立に蒸着源として用いる2元蒸着によ
り、所望の組成比のアルミニウム・リチウム合金の陰極
層を形成するのはプロセス上困難である。アルミニウム
とリチウムの所望の組成比の合金を予めペレットやター
ゲットの形で作製しておき、電子ビーム蒸着法やスパッ
タ法で陰極を形成することも考えられてはいるが、この
方法では、リチウムとアルミニウムの蒸気圧及びスパッ
タ効率の違いにより、成膜を重ねると蒸着源であるアル
ミニウム・リチウム合金の組成比の変動を起こすとい
う、実用上の問題が存在する。また、金属リチウム原子
は拡散しやすく、隣接する有機層に拡散して発光を消光
すること、更には、水分には非常に敏感であるため、リ
チウム原子を含む陰極が形成された素子では、封止精度
に対する要求が甚だ厳しいものとなるといった不具合も
ある。
〜0.1 重量部含有させた合金よりなる陰極が開示されて
いる(特開平5−121172号公報)。この陰極の形成のた
めには、リチウム金属の含有量を厳密に制御する必要が
あるが、真空蒸着法においてアルミニウムとリチウム金
属をそれぞれ独立に蒸着源として用いる2元蒸着によ
り、所望の組成比のアルミニウム・リチウム合金の陰極
層を形成するのはプロセス上困難である。アルミニウム
とリチウムの所望の組成比の合金を予めペレットやター
ゲットの形で作製しておき、電子ビーム蒸着法やスパッ
タ法で陰極を形成することも考えられてはいるが、この
方法では、リチウムとアルミニウムの蒸気圧及びスパッ
タ効率の違いにより、成膜を重ねると蒸着源であるアル
ミニウム・リチウム合金の組成比の変動を起こすとい
う、実用上の問題が存在する。また、金属リチウム原子
は拡散しやすく、隣接する有機層に拡散して発光を消光
すること、更には、水分には非常に敏感であるため、リ
チウム原子を含む陰極が形成された素子では、封止精度
に対する要求が甚だ厳しいものとなるといった不具合も
ある。
【0009】一方、リチウムを6モル%以上含むアルミ
ニウム合金よりなる陰極も開示されているが(特開平4
−212287号公報)、このような素子でも既述したリチウ
ム金属原子の不安定性のために厳重な保護膜を必要と
し、また、リチウム原子に由来する拡散不安定性を回避
することはできない。
ニウム合金よりなる陰極も開示されているが(特開平4
−212287号公報)、このような素子でも既述したリチウ
ム金属原子の不安定性のために厳重な保護膜を必要と
し、また、リチウム原子に由来する拡散不安定性を回避
することはできない。
【0010】陰極の有機発光層側に接する界面に、フッ
化リチウム、酸化リチウム等の極薄膜無機絶縁層(0.3
〜10nm)を挿入することも検討されているが(Appl. Ph
ys.Lett., 70巻,152頁,1997年;IEEE Trans. Electro
n. Devices,44巻,1245頁,1997年)、有機層との付着
力に難があり、陰極の剥離等によるダークスポット発生
の問題がある。
化リチウム、酸化リチウム等の極薄膜無機絶縁層(0.3
〜10nm)を挿入することも検討されているが(Appl. Ph
ys.Lett., 70巻,152頁,1997年;IEEE Trans. Electro
n. Devices,44巻,1245頁,1997年)、有機層との付着
力に難があり、陰極の剥離等によるダークスポット発生
の問題がある。
【0011】また、安息香酸のリチウム塩の層を同様に
陰極界面に挿入することも報告されているが(Jpn. J.
Appl. Phys.,38巻,L1348頁,1999年)、発光性能が十
分とは言えない。
陰極界面に挿入することも報告されているが(Jpn. J.
Appl. Phys.,38巻,L1348頁,1999年)、発光性能が十
分とは言えない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来、有
機電界発光素子の陰極材料としては、アルミニウム金属
にリチウムを合金化させたものやリチウム化合物を混合
したものなどが提案されているが、駆動安定性の向上と
低駆動電圧化に有効なものは提供されておらず、更には
製造プロセスにおいても実用上の問題を有するものであ
った。
機電界発光素子の陰極材料としては、アルミニウム金属
にリチウムを合金化させたものやリチウム化合物を混合
したものなどが提案されているが、駆動安定性の向上と
低駆動電圧化に有効なものは提供されておらず、更には
製造プロセスにおいても実用上の問題を有するものであ
った。
【0013】また、陰極界面に別途界面層を形成するこ
とも提案されているが、発光性能等において、十分な特
性が得られていない。
とも提案されているが、発光性能等において、十分な特
性が得られていない。
【0014】本発明は上記従来の問題点を解決し、低電
圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ長期間に
亙って安定な発光特性を維持できる有機電界発光素子を
提供することを目的とする。
圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ長期間に
亙って安定な発光特性を維持できる有機電界発光素子を
提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層
を有する有機電界発光素子において、前記陰極と発光層
との間に、該陰極に接して、下記一般式(I)で表わさ
れる化合物を含有する陰極界面層が設けられていること
を特徴とする。
子は、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層
を有する有機電界発光素子において、前記陰極と発光層
との間に、該陰極に接して、下記一般式(I)で表わさ
れる化合物を含有する陰極界面層が設けられていること
を特徴とする。
【0016】
【化2】
【0017】(式中、Arは置換基を有していてもよい
芳香族複素環基又は置換基を有していてもよい縮合多環
芳香族環を表し、Mはアルカリ金属原子を示す。)
芳香族複素環基又は置換基を有していてもよい縮合多環
芳香族環を表し、Mはアルカリ金属原子を示す。)
【0018】即ち、本発明者は、低電圧で高輝度に発光
し、かつ、駆動時においても安定な発光特性を維持で
き、更には、素子作製時に選択し得るプロセス条件の範
囲が広い有機電界発光素子を提供すべく鋭意検討した結
果、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を
有する有機電界発光素子において、陰極と発光層との間
に陰極に接して、特定のカルボン酸アルカリ金属塩を含
有する陰極界面層を設けることにより、上記課題を解決
することができることを見出し、本発明を完成するに至
った。
し、かつ、駆動時においても安定な発光特性を維持で
き、更には、素子作製時に選択し得るプロセス条件の範
囲が広い有機電界発光素子を提供すべく鋭意検討した結
果、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を
有する有機電界発光素子において、陰極と発光層との間
に陰極に接して、特定のカルボン酸アルカリ金属塩を含
有する陰極界面層を設けることにより、上記課題を解決
することができることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【0019】本発明の有機電界発光素子にあっては、陰
極金属と陰極界面層を構成する上記一般式(I)で表さ
れる有機化合物とで蒸着時に反応が起こり、結果として
電子注入が容易になる反応生成物が陰極界面に形成され
る。この反応生成物の詳細については明らかではない
が、陰極界面層を形成する有機化合物に含まれるアルカ
リ金属が部分的に遊離することが想定される。
極金属と陰極界面層を構成する上記一般式(I)で表さ
れる有機化合物とで蒸着時に反応が起こり、結果として
電子注入が容易になる反応生成物が陰極界面に形成され
る。この反応生成物の詳細については明らかではない
が、陰極界面層を形成する有機化合物に含まれるアルカ
リ金属が部分的に遊離することが想定される。
【0020】前記一般式(I)において、芳香族複素環
としては、ピリジン、ピラジン、キノリン、フラン又は
チオフェンが挙げられる。また、縮合多環芳香族環とし
ては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピ
レン又はペリレンが挙げられる。
としては、ピリジン、ピラジン、キノリン、フラン又は
チオフェンが挙げられる。また、縮合多環芳香族環とし
ては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピ
レン又はペリレンが挙げられる。
【0021】本発明において、この陰極界面層の膜厚は
0.3〜10nmの範囲内にあることが好ましい。
0.3〜10nmの範囲内にあることが好ましい。
【0022】また、陰極を形成する金属は、アルミニウ
ム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、バ
ナジウム、クロム及びスズよりなる群から選ばれる1種
又は2種以上であることが好ましい。
ム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、バ
ナジウム、クロム及びスズよりなる群から選ばれる1種
又は2種以上であることが好ましい。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【0024】図1〜3は本発明の有機電界発光素子の構
造例を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は陽
極、3は有機発光層、3aは陽極バッファ層、3bは正
孔輸送層、3cは電子輸送層、4は陰極界面層、5は陰
極を各々表す。
造例を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は陽
極、3は有機発光層、3aは陽極バッファ層、3bは正
孔輸送層、3cは電子輸送層、4は陰極界面層、5は陰
極を各々表す。
【0025】基板1は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎる
と、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化
することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂
基板を用いる場合には、いずれか一方の面又は両面に緻
密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する
のが好ましい。
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎる
と、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化
することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂
基板を用いる場合には、いずれか一方の面又は両面に緻
密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する
のが好ましい。
【0026】基板1上には陽極2が設けられる。陽極2
は有機発光層3への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3-メ
チルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導
電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布することにより
陽極2を形成することもできる。更に、導電性高分子の
場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成した
り、基板1上に導電性高分子を塗布したりすることによ
り、陽極2を形成することもできる(Appl. Phys. Let
t., 60巻,2711頁,1992年)。陽極2は異なる物質で積
層して形成することも可能である。陽極2の厚みは、必
要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場
合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80
%以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常
5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程度である。不透明で
よい場合は陽極2は基板1と同一でもよい。また、更に
は上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも
可能である。
は有機発光層3への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3-メ
チルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導
電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布することにより
陽極2を形成することもできる。更に、導電性高分子の
場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成した
り、基板1上に導電性高分子を塗布したりすることによ
り、陽極2を形成することもできる(Appl. Phys. Let
t., 60巻,2711頁,1992年)。陽極2は異なる物質で積
層して形成することも可能である。陽極2の厚みは、必
要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場
合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80
%以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常
5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程度である。不透明で
よい場合は陽極2は基板1と同一でもよい。また、更に
は上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも
可能である。
【0027】図1の有機電界発光素子では、陽極2の上
には有機発光層3が設けられている。有機発光層3は、
電界を与えられた電極間において、陽極2から注入され
た正孔と陰極4から注入された電子を効率良く輸送して
再結合させ、かつ、再結合により効率良く発光する材料
から形成される。通常、この有機発光層3は発光効率の
向上のために、図2に示す様に、正孔輸送層3bと電子
輸送層3cに分割して機能分離型にすることが行われる
(Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁,1987年)。
には有機発光層3が設けられている。有機発光層3は、
電界を与えられた電極間において、陽極2から注入され
た正孔と陰極4から注入された電子を効率良く輸送して
再結合させ、かつ、再結合により効率良く発光する材料
から形成される。通常、この有機発光層3は発光効率の
向上のために、図2に示す様に、正孔輸送層3bと電子
輸送層3cに分割して機能分離型にすることが行われる
(Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁,1987年)。
【0028】上記の機能分離型素子において、正孔輸送
層3bの材料としては、陽極2からの正孔注入効率が高
く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することがで
きる材料であることが必要である。そのためには、イオ
ン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大き
く、更に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時
や使用時に発生しにくいことが要求される。
層3bの材料としては、陽極2からの正孔注入効率が高
く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することがで
きる材料であることが必要である。そのためには、イオ
ン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大き
く、更に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時
や使用時に発生しにくいことが要求される。
【0029】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み、
2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジ
アミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumi
n.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの
四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,217
5頁、1996年)、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Syn
th.Metals,91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて
2種以上を混合して用いてもよい。
ば、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み、
2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジ
アミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumi
n.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの
四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,217
5頁、1996年)、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Syn
th.Metals,91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて
2種以上を混合して用いてもよい。
【0030】正孔輸送層3bの材料としては、上記の化
合物以外に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリ
フェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェ
ニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサル
ホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等の高分
子材料も挙げられる。
合物以外に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリ
フェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェ
ニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサル
ホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等の高分
子材料も挙げられる。
【0031】正孔輸送層3bは、上記の正孔輸送材料を
塗布法あるいは真空蒸着法により、前記陽極2上に積層
することにより形成される。
塗布法あるいは真空蒸着法により、前記陽極2上に積層
することにより形成される。
【0032】塗布法の場合は、正孔輸送材料の1種又は
2種以上に、必要により正孔のトラップにならないバイ
ンダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、溶解
して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法によ
り陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層3bを形成す
る。この場合、バインダー樹脂としては、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル等を用いることが
できる。バインダー樹脂はその添加量が多いと正孔移動
度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50
重量%以下が好ましい。
2種以上に、必要により正孔のトラップにならないバイ
ンダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、溶解
して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法によ
り陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層3bを形成す
る。この場合、バインダー樹脂としては、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル等を用いることが
できる。バインダー樹脂はその添加量が多いと正孔移動
度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50
重量%以下が好ましい。
【0033】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、ルツボ
を加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合
って置かれた基板1上の陽極2上に正孔輸送層3bを形
成させる。
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、ルツボ
を加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合
って置かれた基板1上の陽極2上に正孔輸送層3bを形
成させる。
【0034】正孔輸送層3bの膜厚は、通常10〜300n
m、好ましくは30〜100nmである。この様に薄い膜を一様
に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられ
る。
m、好ましくは30〜100nmである。この様に薄い膜を一様
に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられ
る。
【0035】なお、正孔注入の効率を更に向上させ、か
つ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、
図3に示す如く、正孔輸送層3bと陽極2との間に陽極
バッファ層3aを形成することも行われている。このよ
うな陽極バッファ層3aを形成することにより、初期の
素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続
駆動した時の電圧上昇も抑制できる効果がある。陽極バ
ッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、
陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的
に安定であること、即ち、融点及びガラス転移温度が高
く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては
100℃以上が要求される。更に、イオン化ポテンシャル
が低く、陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度
が大きいことが要求される。
つ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、
図3に示す如く、正孔輸送層3bと陽極2との間に陽極
バッファ層3aを形成することも行われている。このよ
うな陽極バッファ層3aを形成することにより、初期の
素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続
駆動した時の電圧上昇も抑制できる効果がある。陽極バ
ッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、
陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的
に安定であること、即ち、融点及びガラス転移温度が高
く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては
100℃以上が要求される。更に、イオン化ポテンシャル
が低く、陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度
が大きいことが要求される。
【0036】このような材料としては、従来、銅フタロ
シアニン等のフタロシアニン化合物(特開昭63−295695
号公報)、ポリアニリン(Appl.Phys.Lett.,64巻、1245
頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials,9
巻、125頁、1998年)等の有機化合物や、スパッタ・カ
ーボン膜(Synth.Met.,91巻、73頁、1997年)や、バナ
ジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等
の金属酸化物(J.Phys.D,29巻、2750頁、1996年)が報
告されている。
シアニン等のフタロシアニン化合物(特開昭63−295695
号公報)、ポリアニリン(Appl.Phys.Lett.,64巻、1245
頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials,9
巻、125頁、1998年)等の有機化合物や、スパッタ・カ
ーボン膜(Synth.Met.,91巻、73頁、1997年)や、バナ
ジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等
の金属酸化物(J.Phys.D,29巻、2750頁、1996年)が報
告されている。
【0037】陽極バッファ層3aも、正孔輸送層3bと
同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、
更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD
法を用いることができる。
同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、
更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD
法を用いることができる。
【0038】この様にして形成される陽極バッファ層3
aの膜厚は、通常3〜100nm、好ましくは10〜50nmであ
る。
aの膜厚は、通常3〜100nm、好ましくは10〜50nmであ
る。
【0039】正孔輸送層3bの上には電子輸送層3cが
設けられる。電子輸送層3cは、電界を与えられた電極
間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層3bの
方向に輸送するために形成され、従って、電子輸送層3
cに用いられる電子輸送性化合物としては、陰極4から
の電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よ
く輸送することができる化合物であることが必要であ
る。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移
動度が大きく、更に安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが
要求される。
設けられる。電子輸送層3cは、電界を与えられた電極
間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層3bの
方向に輸送するために形成され、従って、電子輸送層3
cに用いられる電子輸送性化合物としては、陰極4から
の電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よ
く輸送することができる化合物であることが必要であ
る。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移
動度が大きく、更に安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが
要求される。
【0040】このような条件を満たす材料としては、8
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、ビ
ススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、
同2−222484号公報)などが挙げられる。
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、ビ
ススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、
同2−222484号公報)などが挙げられる。
【0041】これらの化合物を用いた電子輸送層3c
は、一般に、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結
合の際に発光をもたらす役割を同時に果たすことができ
る。ただし、正孔輸送層3bが発光機能を有する場合
は、電子輸送層3cは電子を輸送する役割だけを果たす
場合もある。
は、一般に、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結
合の際に発光をもたらす役割を同時に果たすことができ
る。ただし、正孔輸送層3bが発光機能を有する場合
は、電子輸送層3cは電子を輸送する役割だけを果たす
場合もある。
【0042】電子輸送層3cの膜厚は、通常10〜200n
m、好ましくは30〜100nmである。
m、好ましくは30〜100nmである。
【0043】電子輸送層3cも正孔輸送層3bと同様の
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。
【0044】なお、素子の発光効率を向上させるととも
に発光色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノ
リンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン
等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phy
s.,65巻,3610頁,1989年)等が行われている。この方法
の利点は、 1)高効率の蛍光色素により発光効率が向上、 2)蛍光色素の選択により発光波長が可変、 3)濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、 4)薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、 等が挙げられる。
に発光色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノ
リンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン
等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phy
s.,65巻,3610頁,1989年)等が行われている。この方法
の利点は、 1)高効率の蛍光色素により発光効率が向上、 2)蛍光色素の選択により発光波長が可変、 3)濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、 4)薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、 等が挙げられる。
【0045】素子の駆動寿命を改善する目的において
も、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をド
ープすることは有効である。例えば、8−ヒドロキシキ
ノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料
として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体(Jpn.
J.Appl.Phys.,7A巻、L824頁、1995年)、キナクリドン
誘導体(Appl.Phys.Lett.,70巻、1665頁、1997年)をホ
スト材料に対して 0.1〜10重量%ドープすることによ
り、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させ
ることができる。発光層ホスト材料に上記ナフタセン誘
導体、キナクリドン誘導体等の蛍光色素をドープする方
法としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃
度で混合しておく方法がある。
も、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をド
ープすることは有効である。例えば、8−ヒドロキシキ
ノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料
として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体(Jpn.
J.Appl.Phys.,7A巻、L824頁、1995年)、キナクリドン
誘導体(Appl.Phys.Lett.,70巻、1665頁、1997年)をホ
スト材料に対して 0.1〜10重量%ドープすることによ
り、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させ
ることができる。発光層ホスト材料に上記ナフタセン誘
導体、キナクリドン誘導体等の蛍光色素をドープする方
法としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃
度で混合しておく方法がある。
【0046】機能分離を行わない単層型の有機発光層3
としては、先に挙げたポリ(p-フェニレンビニレン)
(Nature,347巻,539頁,1990年他)、ポリ[2-メトキ
シ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニ
レン](Appl.Phys.Lett.,58巻,1982頁,1991年
他)、ポリ(3-アルキルチオフェン)(Jpn.J.Appl.
Phys.,30巻,L1938頁,1991年他)等の高分子材料や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移
動材料を混合した系(応用物理,61巻,1044頁,1992
年)等が挙げられる。
としては、先に挙げたポリ(p-フェニレンビニレン)
(Nature,347巻,539頁,1990年他)、ポリ[2-メトキ
シ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニ
レン](Appl.Phys.Lett.,58巻,1982頁,1991年
他)、ポリ(3-アルキルチオフェン)(Jpn.J.Appl.
Phys.,30巻,L1938頁,1991年他)等の高分子材料や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移
動材料を混合した系(応用物理,61巻,1044頁,1992
年)等が挙げられる。
【0047】有機電界発光素子の発光効率を更に向上さ
せる方法として、このような有機発光層3の上に更に電
子注入層を積層することもできる。この電子注入層に用
いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電
子の輸送能力が更に大きいことが要求される。この様な
電子輸送材料としては、既に発光層材料として挙げた8
−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール
誘導体(Appl.Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989年他)やそ
れらをポリメタクリル酸メチル(PMMA)等の樹脂に
分散した系(Appl.Phys.Lett.,61巻,2793頁, 1992
年)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公
報)等が挙げられる。この場合、電子注入層の膜厚は、
通常5〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
せる方法として、このような有機発光層3の上に更に電
子注入層を積層することもできる。この電子注入層に用
いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電
子の輸送能力が更に大きいことが要求される。この様な
電子輸送材料としては、既に発光層材料として挙げた8
−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール
誘導体(Appl.Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989年他)やそ
れらをポリメタクリル酸メチル(PMMA)等の樹脂に
分散した系(Appl.Phys.Lett.,61巻,2793頁, 1992
年)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公
報)等が挙げられる。この場合、電子注入層の膜厚は、
通常5〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
【0048】陰極界面層4は有機発光層3、電子輸送層
3c、又は電子注入層の上に積層される。本発明におい
ては、陰極界面層4の形成材料として、前記一般式
(I)で示される有機化合物を用いることを特徴とす
る。
3c、又は電子注入層の上に積層される。本発明におい
ては、陰極界面層4の形成材料として、前記一般式
(I)で示される有機化合物を用いることを特徴とす
る。
【0049】前記一般式(I)において、Arは置換基
を有していてもよい芳香族複素環又は置換基を有してい
てもよい縮合多環芳香族環を示す。
を有していてもよい芳香族複素環又は置換基を有してい
てもよい縮合多環芳香族環を示す。
【0050】芳香族複素環としては、好ましくはピリジ
ン、ピラジン、キノリン、フラン、チオフェンが挙げら
れる。
ン、ピラジン、キノリン、フラン、チオフェンが挙げら
れる。
【0051】縮合多環芳香族環としては、好ましくは、
ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、
ペリレンが挙げられる。
ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、
ペリレンが挙げられる。
【0052】これらの芳香族複素環又は縮合多環芳香族
環に置換する置換基としてはメチル基、エチル基等の炭
素数1〜6のアルキル基;メトキシ基等の炭素数1〜6
のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;
ベンジルオキシ基等のアリールアルコキシ基;フェニル
基、ナフチル基等のアリール基;ジメチルアミノ基等の
置換アミノ基等が挙げられる。特に好ましくは、水素原
子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコ
キシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙げ
られる。
環に置換する置換基としてはメチル基、エチル基等の炭
素数1〜6のアルキル基;メトキシ基等の炭素数1〜6
のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;
ベンジルオキシ基等のアリールアルコキシ基;フェニル
基、ナフチル基等のアリール基;ジメチルアミノ基等の
置換アミノ基等が挙げられる。特に好ましくは、水素原
子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコ
キシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙げ
られる。
【0053】Mはリチウム、ナトリウム、カリウム、ル
ビジウム、セシウムのいずれかのアルカリ金属原子を示
す。
ビジウム、セシウムのいずれかのアルカリ金属原子を示
す。
【0054】前記一般式(I)で表わされる化合物の好
ましい具体例を以下の構造式に示すが、これらに限定す
るものではない。
ましい具体例を以下の構造式に示すが、これらに限定す
るものではない。
【0055】
【化3】
【0056】
【化4】
【0057】上記化合物は、薄膜化した後でも、安定な
薄膜形状を有し、素子の安定化にも寄与する。本発明の
陰極界面層は、前記一般式(I)で表される化合物の特
色を損わない範囲で、他の成分を含んでいても良い。
薄膜形状を有し、素子の安定化にも寄与する。本発明の
陰極界面層は、前記一般式(I)で表される化合物の特
色を損わない範囲で、他の成分を含んでいても良い。
【0058】陰極界面層4の膜厚は、好ましくは0.3〜1
0nm、特に好ましくは0.5〜5nmである。このような薄い
薄膜を形成するには、一般的には、真空蒸着法が用いら
れる。
0nm、特に好ましくは0.5〜5nmである。このような薄い
薄膜を形成するには、一般的には、真空蒸着法が用いら
れる。
【0059】陰極5は、陰極界面層4を介して、有機発
光層3に電子を注入する役割を果たす。本発明におい
て、陰極を形成する金属としては、アルミニウム、イン
ジウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、バナジウ
ム、クロム、スズ、銅が挙げられ、特に好ましくはアル
ミニウムが挙げられる。
光層3に電子を注入する役割を果たす。本発明におい
て、陰極を形成する金属としては、アルミニウム、イン
ジウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、バナジウ
ム、クロム、スズ、銅が挙げられ、特に好ましくはアル
ミニウムが挙げられる。
【0060】本発明の有機電界発光素子では、前述の如
く、これらの陰極金属と陰極界面層を構成する有機化合
物とで蒸着時に反応が起こり、結果として電子注入が容
易になる反応生成物が陰極界面に形成される。
く、これらの陰極金属と陰極界面層を構成する有機化合
物とで蒸着時に反応が起こり、結果として電子注入が容
易になる反応生成物が陰極界面に形成される。
【0061】陰極4の膜厚は通常、陽極2と同様であ
る。
る。
【0062】陰極4を保護する目的で、この上にさら
に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属材料からな
る、保護層を積層することは素子の安定性を増すため好
ましい。この目的のために、アルミニウム、銅、クロ
ム、金、銀の金属が使われる。保護層に使用される金属
材料は、陰極4に使用される金属材料と同じものであっ
ても異なるものであってもよい。
に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属材料からな
る、保護層を積層することは素子の安定性を増すため好
ましい。この目的のために、アルミニウム、銅、クロ
ム、金、銀の金属が使われる。保護層に使用される金属
材料は、陰極4に使用される金属材料と同じものであっ
ても異なるものであってもよい。
【0063】なお、図1〜3は、本発明の有機電界発光
素子の実施の形態の一例を示すものであって、何ら本発
明の有機電界発光素子の構成を限定するものではない。
例えば、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極5、
陰極界面層4、有機発光層3、陽極2の順に積層するこ
とも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明
性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を
設けることも可能である。同様に、図2及び図3に示し
た有機電界発光素子についても、前記各層構成とは逆の
構造に積層することも可能である。
素子の実施の形態の一例を示すものであって、何ら本発
明の有機電界発光素子の構成を限定するものではない。
例えば、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極5、
陰極界面層4、有機発光層3、陽極2の順に積層するこ
とも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明
性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を
設けることも可能である。同様に、図2及び図3に示し
た有機電界発光素子についても、前記各層構成とは逆の
構造に積層することも可能である。
【0064】
【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例により限定されるものではない。
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例により限定されるものではない。
【0065】実施例1 図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
で作製した。
【0066】ガラス基板1上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(三容真空
社製;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技
術と塩酸エッチングを用いて3mm幅のストライプにパタ
ーニングして陽極2を形成した。パターン形成したIT
O基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水
洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗
浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄
を行って、真空蒸着装置内に設置した。
(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(三容真空
社製;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技
術と塩酸エッチングを用いて3mm幅のストライプにパタ
ーニングして陽極2を形成した。パターン形成したIT
O基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水
洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗
浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄
を行って、真空蒸着装置内に設置した。
【0067】上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行
った後、装置内の真空度が2×10− 6Torr(約2.7×10
−4Pa)以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡
散ポンプを用いて排気し、その後、この装置内に配置さ
れたタンタルボートに入れた以下に示す4,4'-ビス[N-
(m-トリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルをタンタ
ルボートを通電加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度
は3×10−6Torr(約4.0×10−4Pa)で、蒸着速度0.
2nm/秒で膜厚75nmの正孔輸送層3bを形成した。
った後、装置内の真空度が2×10− 6Torr(約2.7×10
−4Pa)以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡
散ポンプを用いて排気し、その後、この装置内に配置さ
れたタンタルボートに入れた以下に示す4,4'-ビス[N-
(m-トリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルをタンタ
ルボートを通電加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度
は3×10−6Torr(約4.0×10−4Pa)で、蒸着速度0.
2nm/秒で膜厚75nmの正孔輸送層3bを形成した。
【0068】
【化5】
【0069】引き続き、発光機能を有する電子輸送層3
cの材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの8
−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C9H6NO)3を正孔輸送
層3bと同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は3×10
−6Torr(約4.0×10−4Pa)で、蒸着速度0.25nm/秒
で、膜厚75nmの電子輸送層3cを形成した。
cの材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの8
−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C9H6NO)3を正孔輸送
層3bと同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は3×10
−6Torr(約4.0×10−4Pa)で、蒸着速度0.25nm/秒
で、膜厚75nmの電子輸送層3cを形成した。
【0070】
【化6】
【0071】続いて、電子輸送層3cの上に、前記化合
物(H−3)を、同様にして蒸着速度0.04nm/秒で蒸着
して膜厚2nmの陰極界面層4を形成した。蒸着時の真空
度は3.5×10−6Torr(約4.7×10−4Pa)であった。
物(H−3)を、同様にして蒸着速度0.04nm/秒で蒸着
して膜厚2nmの陰極界面層4を形成した。蒸着時の真空
度は3.5×10−6Torr(約4.7×10−4Pa)であった。
【0072】上記の正孔輸送層3b、電子輸送層3c及
び陰極界面層4を真空蒸着する時の基板温度は室温に保
持した。
び陰極界面層4を真空蒸着する時の基板温度は室温に保
持した。
【0073】ここで、陰極界面層4までの蒸着を行った
素子に、陰極蒸着用のマスクとして3mm幅のストライプ
状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直
交するように素子に密着させた。このマスク交換作業は
真空をやぶらずに行った。
素子に、陰極蒸着用のマスクとして3mm幅のストライプ
状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直
交するように素子に密着させた。このマスク交換作業は
真空をやぶらずに行った。
【0074】続いて、陰極5として、アルミニウムを蒸
着速度1nm/秒で陰極界面層4上に膜厚90nmで形成した。
蒸着時の真空度は1.0×10−5Torr(約1.3×10−4Pa)
であった。陰極蒸着時の基板温度は室温に保持した。
着速度1nm/秒で陰極界面層4上に膜厚90nmで形成した。
蒸着時の真空度は1.0×10−5Torr(約1.3×10−4Pa)
であった。陰極蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【0075】以上の様にして、3mm×3mmのサイズの有機
電界発光素子が得られた。
電界発光素子が得られた。
【0076】この素子を陰極蒸着装置から取り出した
後、大気中において陽極と陰極間とに順方向の電圧を印
加して発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特性
を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、低
電圧で高輝度が得られた。
後、大気中において陽極と陰極間とに順方向の電圧を印
加して発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特性
を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、低
電圧で高輝度が得られた。
【0077】比較例1 陰極界面層の構成材料として安息香酸のリチウム塩を用
いた他は、実施例1と同様にして素子を作製し、得られ
た素子の発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特
性を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、
実施例1と比較すると高電圧化した特性であった。
いた他は、実施例1と同様にして素子を作製し、得られ
た素子の発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特
性を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、
実施例1と比較すると高電圧化した特性であった。
【0078】比較例2 陰極界面層の構成材料としてアセチルアセトナートのリ
チウム塩を用いた他は、実施例1と同様にして素子を作
製し、得られた素子の発光特性を測定した。この素子の
輝度−電圧特性を図4のグラフに示す。グラフから明ら
かなように、実施例1と比較すると高電圧化した特性で
あった。
チウム塩を用いた他は、実施例1と同様にして素子を作
製し、得られた素子の発光特性を測定した。この素子の
輝度−電圧特性を図4のグラフに示す。グラフから明ら
かなように、実施例1と比較すると高電圧化した特性で
あった。
【0079】比較例3 陰極界面層としてフッ化リチウム層を膜厚0.8nmで形成
した他は、実施例1と同様にして素子を作製し、得られ
た素子の発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特
性を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、
実施例1と比較すると高電圧化した特性であった。
した他は、実施例1と同様にして素子を作製し、得られ
た素子の発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特
性を図4のグラフに示す。グラフから明らかなように、
実施例1と比較すると高電圧化した特性であった。
【0080】比較例4 陰極界面層を設けない他は実施例1と同様にして素子を
作製し、得られた素子の発光特性を測定した。この素子
の輝度−電圧特性を図4のグラフに示す。グラフから明
らかなように、低輝度かつ高電圧の素子であった。
作製し、得られた素子の発光特性を測定した。この素子
の輝度−電圧特性を図4のグラフに示す。グラフから明
らかなように、低輝度かつ高電圧の素子であった。
【0081】実施例1及び比較例1〜4にて作製した各
素子の輝光−電圧特性から明らかなように、本発明の有
機電界発光素子は、従来公知の材料による陰極界面層を
有する素子に比べて、発光効率が優れることがわかる。
素子の輝光−電圧特性から明らかなように、本発明の有
機電界発光素子は、従来公知の材料による陰極界面層を
有する素子に比べて、発光効率が優れることがわかる。
【0082】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明に係る陰極界
面層を形成することにより、低電圧において高輝度、高
効率で発光させることが可能となり、更には高電流密度
の駆動においても安定であり、保存時の劣化の少ない素
子を得ることができる。
面層を形成することにより、低電圧において高輝度、高
効率で発光させることが可能となり、更には高電流密度
の駆動においても安定であり、保存時の劣化の少ない素
子を得ることができる。
【0083】従って、本発明による有機電界発光素子は
フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュー
タ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や
面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機
の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光
源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的
価値は大きいものである。
フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュー
タ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や
面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機
の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光
源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的
価値は大きいものである。
【図1】本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図2】本発明の有機電界発光素子の他の実施の形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図3】本発明の有機電界発光素子の別の実施の形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図4】実施例1及び比較例1〜4における輝度−電圧
特性を表すグラフである。
特性を表すグラフである。
1 基板 2 陽極 3 有機発光層 3a 陽極バッファ層 3b 正孔輸送層 3c 電子輸送層 4 陰極界面層 5 陰極
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
た発光層を有する有機電界発光素子において、前記陰極
と発光層との間に、該陰極に接して、下記一般式(I)
で表わされる化合物を含有する陰極界面層が設けられて
いることを特徴とする有機電界発光素子。 【化1】 (式中、Arは置換基を有していてもよい芳香族複素環
基又は置換基を有していてもよい縮合多環芳香族環を表
し、Mはアルカリ金属原子を示す。) - 【請求項2】 前記一般式(I)における芳香族複素環
が、ピリジン、ピラジン、キノリン、フラン又はチオフ
ェンであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項3】 前記一般式(I)における縮合多環芳香
族環が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、
ピレン又はペリレンであることを特徴とする請求項1に
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項4】 前記陰極界面層の膜厚が0.3〜10nmの範
囲内にあることを特徴とする請求項1ないし3のいずれ
か1項に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項5】 前記陰極を形成する金属がアルミニウ
ム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、バ
ナジウム、クロム及びスズよりなる群から選ばれる1種
又は2種以上であることを特徴とする請求項1ないし4
のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000155108A JP2001332387A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000155108A JP2001332387A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001332387A true JP2001332387A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18660103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000155108A Pending JP2001332387A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001332387A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216531A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2015185710A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 国立大学法人山形大学 | 電子注入材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000155108A patent/JP2001332387A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216531A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2015185710A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 国立大学法人山形大学 | 電子注入材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3945123B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3855675B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4058842B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
EP0869701A2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP3972588B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2001313179A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2003031371A (ja) | 有機電界発光素子及び青色発光素子 | |
JP2002056985A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2002008860A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2002100482A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH06325871A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2002100478A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
WO2001058222A1 (en) | Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof | |
JPH11242996A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2001223084A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3978976B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH09289081A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3552317B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
JP2000150169A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4006951B2 (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
JPH1126167A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH08199161A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4396115B2 (ja) | 高分子化合物、1,4−フェニレンジアミン誘導体、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP3463364B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH11135262A (ja) | 有機電界発光素子 |