JP2001332382A - 有機薄膜発光ディスプレイ - Google Patents

有機薄膜発光ディスプレイ

Info

Publication number
JP2001332382A
JP2001332382A JP2000151215A JP2000151215A JP2001332382A JP 2001332382 A JP2001332382 A JP 2001332382A JP 2000151215 A JP2000151215 A JP 2000151215A JP 2000151215 A JP2000151215 A JP 2000151215A JP 2001332382 A JP2001332382 A JP 2001332382A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
upper electrode
electrode
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000151215A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Kobayashi
誠 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2000151215A priority Critical patent/JP2001332382A/ja
Publication of JP2001332382A publication Critical patent/JP2001332382A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー加工により、素子に損傷を与えるこ
となく容易に上部電極を任意の形状にパターニングする
ことができ、かつ、生産性の高い有機薄膜発光ディスプ
レイを提供する。 【解決手段】 基板1と、該基板1上に形成された下部
電極2と、該下部電極2上に設けられた、少なくとも発
光層を含む有機エレクトロルミネッセンス媒体層4と、
該有機エレクトロルミネッセンス媒体層4上に形成され
た上部電極5とを有し、該下部電極2と、該有機エレク
トロルミネッセンス媒体層4と、該上部電極5との重な
った部分を夫々発光画素とする有機薄膜発光ディスプレ
イであって、前記上部電極5と前記有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体層4とが、レーザー加工により所定の形
状にパターニングされてなる有機薄膜発光ディスプレイ
において、前記上部電極5の表面であって少なくとも前
記レーザー加工部6に、酸化膜3が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス(以下、単に「EL」とも称する)素子に関
し、詳しくは、フラットパネルディスプレイ等に用いら
れる、有機薄膜発光ディスプレイに関する。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子としては、一般に、図2
(a)および(b)に示すような、透明基板1上に、I
TO等からなる陽極の透明電極(下部電極)2と、有機
物からなる正孔輸送層4aおよび発光層4bを含む有機
EL媒体層4と、陰極である金属電極(上部電極)5と
が順次形成された、有機層が2層構造のもの(App
l.Phys.Lett.51巻、913頁、1987
年)や、陰極5と発光層4bとの間にさらに電子輸送層
4cが形成された、有機層が3層構造のものが知られて
いる。また、最近では、陽極2と正孔輸送層4aとの間
にさらに正孔注入層が形成された有機層が4層構造のも
のも知られている。
【0003】有機EL素子を情報表示パネルに適用する
場合、例えば図3に示すようなX−Yマトリクス型(単
純マトリクス型)の素子を構成することができる。この
有機EL素子は、透明ガラス基板1上に、ITO等の複
数個の透明電極2と、正孔輸送層4a、発光層4bおよ
び所望に応じて電子輸送層4c(図示せず)からなる有
機EL媒体層4と、透明電極2と直交する方向の複数個
の金属陰極(上部電極)5と、を順に積層して形成され
る。正孔輸送層と、発光層と、所望に応じてさらに電子
輸送層とを挟持して、互いに直交する方向に対をなして
形成される透明陽極および金属陰極により有機EL素子
となる発光部が形成され、この透明陽極および金属陰極
の各々の交差領域の発光部を1単位として1画素が形成
される。このような複数個の有機EL素子を画素数に応
じて一枚の素子基板上に形成したパネルを、その周囲か
ら突出した透明陽極および金属陰極を介して駆動するこ
とによって、フラットパネルディスプレイ装置が構成さ
れる。
【0004】一般に、下部電極である陽極のパターニン
グは、基板上に陽極材料を成膜した後、湿式のフォトリ
ソグラフィ法により行われる。即ち、陽極膜上にフォト
レジストを塗布して、露光、現像を行い、レジストを所
望の形状にパターニングした後に溶解液により陽極材料
をエッチングして、最後にレジストを剥離する。
【0005】一方、電荷注入層や発光層に用いられる有
機EL媒体の耐熱性、耐溶剤性、耐湿性の低さのため
に、上部電極を湿式のフォトリソグラフィ法によってパ
ターニングすることは極めて困難である。これは、溶剤
が有機層に侵入することによって、素子が容易に発光し
なくなってしまうためである。従って、溶剤を使用しな
い乾式のプロセスが要求される。このような乾式プロセ
スの一例としては、蒸着マスクを用いてパターニングす
る方法(特開平第9−320758号公報参照)がある
が、この方法では、基板とマスクとの密着不良によって
蒸着物の回り込みによるパターンぼけが生じたり、マス
ク部の細い微細なパターンを形成しようとするとマスク
の強度不足によりマスクが撓んでしまう等の問題が生
じ、精度のよいパターン形成は困難である。また、マス
ク、蒸着源、基板の三者の位置関係について一定の制限
があるため、複雑な形状のパターンを形成することがで
きないという難点もある。
【0006】このような問題を解決する方法として、エ
キシマレーザーやYAGレーザー等を用いたレーザー加
工が提案されている(特開平8−222371号、特開
平9−320760号公報参照)。図4はレーザー光に
より上部電極を加工した有機薄膜発光ディスプレイを示
しており、図中の6がレーザー加工部である。レーザー
光による加工においては上述のような溶剤による損傷等
の問題はないが、一般に、有機EL媒体上に形成される
陰極はAlやMg等の金属の単体やこれらの合金であり
高い反射率を有するため、陰極表面が加工に用いるレー
ザー光を反射してしまい、加工しようとする部分に加工
に必要な熱を十分吸収させるためには高いレーザー光強
度が必要となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高強度のレーザーを用いた場合、広範囲に熱が分散
して、レーザー光照射部周辺の有機層がダメージを受け
たり、加工する陰極部分の下層の陽極に損傷が生ずる等
の問題が発生する。また、使用するレーザー光の強度分
布等によりレーザー光の弱い部分がある場合、陰極が完
全に除去されず、加工形成した陰極ラインエッヂ周辺に
バリが生じて、これが陽極との短絡の原因になるという
問題がある。さらに、陰極の形成状態によって陰極表面
の反射率に局所的に差異が発生する等、レーザー光照射
に対する応答が異なる場合もあり、加工時の光量の過剰
または不足を呈する原因となっていた。
【0008】この問題に対しては、例えば、特開平第9
−50888号公報において、陰極上にレーザー吸収層
を設けることが提案されている。しかし、新たに層形成
をすることにより工程が増加すること、また、レーザー
吸収層の配置によってはその後の工程に影響を与える可
能性があることなどの問題があった。即ち、レーザー光
による有機ELディスプレイの上部電極のパターニング
は、有効な手段ではあるものの、依然として解決すべき
問題点を有するものであった。
【0009】そこで本発明の目的は、上記問題点を解消
して、レーザー加工により、素子に損傷を与えることな
く容易に上部電極を任意の形状にパターニングすること
ができ、かつ、生産性の高い有機薄膜発光ディスプレイ
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機薄膜発光ディスプレイは、基板と、該
基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に設けら
れた、少なくとも発光層を含む有機エレクトロルミネッ
センス媒体層と、該有機エレクトロルミネッセンス媒体
層上に形成された上部電極とを有し、該下部電極と、該
有機エレクトロルミネッセンス媒体層と、該上部電極と
の重なった部分を夫々発光画素とする有機薄膜発光ディ
スプレイであって、前記上部電極と前記有機エレクトロ
ルミネッセンス媒体層とが、レーザー加工により所定の
形状にパターニングされてなる有機薄膜発光ディスプレ
イにおいて、前記上部電極の表面であって少なくとも前
記レーザー加工部に、酸化膜が形成されていることを特
徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機薄膜発光ディ
スプレイの実施の形態について、図面を参照しながら詳
細に説明する。図1は、本発明の有機薄膜発光ディスプ
レイの一例の概略を示す部分斜視図であり、基板1上
に、ストライプ状に配列された下部電極2と、基板1お
よび下部電極2上に、少なくとも下部電極2と上部電極
5との交差部分に存在するよう成膜された有機EL媒体
層4と、さらにこの上に形成された上部電極5と、この
上部電極5の表面を酸化プロセスによって酸化して形成
された酸化膜3とから構成されている。この酸化膜3
は、上部電極5およびその下の有機EL媒体層4ととも
にレーザー光照射により加工され、図示するように、レ
ーザー加工部6の電極間隙部によって複数の上部電極ラ
インが形成されている。下部電極2とこの上部電極ライ
ンとが交差して有機EL媒体層4を挟持する部分が発光
部に対応し、一画素を形成している。
【0012】本発明においては、酸化膜3が、上部電極
5の表面であって、少なくともレーザー加工部6に形成
されていることが重要であり、他の条件等は適宜設定す
ることが可能である。これにより、上部電極5の上部層
は、金属酸化物から構成された光吸収層となるため、レ
ーザー光照射時に、一定の、しかもより小さなレーザー
出力で、部分的にスキャン回数を変更することなく均一
な上部電極5の加工を行うことが可能である。また、光
吸収層としての酸化膜3はレーザー光の熱を吸収して蒸
発するため、必要以上にパワーを与えなくてすみ、発光
層や下部電極2等に対し損傷を与えることがない。さら
に、従来のレーザー吸収層の場合とは異なり、工程的に
簡易に形成することができるため、生産性に影響を及ぼ
すこともない。従って、任意の形状の上部電極5を、容
易に、かつ、歩留りよく加工することが可能となる。
【0013】本発明においては、酸化膜3を、少なくと
もレーザー加工部6に設けることが必要であるが、図1
に示すように、上部電極5の表面全体に設けてもよく、
特に制限はない。酸化膜3の形成方法としては、例え
ば、オゾン雰囲気に暴露するなどの簡便な方法で行うこ
とができるが、特に限定されるものではない。また、酸
化膜3の膜厚は、特に制限はないが、好適には0.1n
m〜10nmの範囲内である。
【0014】基板1としては、石英やガラス板の他に、
ポリエステル、ポリメタクリルアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリサルホン等の透明な合成樹脂板を用いる
ことができる。また、金属板や金属箔、プラスティック
フィルム等を用いてもよい。
【0015】下部電極2は、陽極であっても陰極であっ
てもよいが、基板1を透明基板とする場合には、陽極と
して正孔注入の役割を担わせる。陽極用の材料として
は、ITO(In23+SnO2、インジウムスズ酸化
物)、インジウム亜鉛酸化物(In23+ZnO)等を
挙げることができる。また、これら透明導電膜と金属膜
との積層体を用いてもよい。
【0016】基板1および下部電極2を透明にした場合
には、発光は基板1側から取り出すことになるが、これ
とは逆に、上部電極5を透明電極材料で構成して、発光
を上部電極側から取り出すこともできる。この場合は、
光の取り出し効率を高めるために、下部電極材料に金属
を用いるか、基板の成膜面とは反対側の面に反射膜を形
成することが好ましい。
【0017】下部電極2の形成方法は特に制限されず、
慣用の方法で、例えば、スパッタリング法等により成膜
して、フォトリソグラフィ法によりストライプ状に加工
形成することができ、抵抗加熱法等により形成する。ま
た、下部電極2は、ラインエッヂがテーパー形状となる
よう形成することが好ましい。
【0018】有機EL媒体層4は、発光層の単一層、正
孔輸送層および発光層の2層構造、または、正孔輸送
層、発光層および電子輸送層の3層構造等の種々の構成
とすることができる。また、有機EL媒体層4の材料と
しては、例えば、銅フタロシアニン、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3メチルフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)、トリス
(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)等を挙
げることができる。
【0019】また、上部電極5は、例えば、Al−Li
合金などを用いて有機EL媒体層4と同様に抵抗加熱法
等により形成することができ、本発明においては、上部
電極5を成膜した後、例えば、O3(オゾン)雰囲気に
暴露するなどの酸化プロセスを施すことにより、上部電
極5の表面を酸化して、酸化膜3を形成する。オゾン
は、例えば、大気中のコロナ放電等により発生させるこ
とができる。尚、本発明における酸化方法等はこれらに
は限定されない。
【0020】上部電極5上に酸化膜3を形成した後、上
方からのレーザー光の照射により、レーザー加工部6に
おいて、酸化膜3、上部電極層5および有機EL媒体層
4を蒸発除去して上部電極5同士を分離し、所定の形状
にパターニングする。酸化膜3がレーザー加工部6に設
けられていることにより、金属電極表面の反射率が低下
するため、一定の低強度レーザー光による一様な加工が
可能となり、歩留りよく上部電極の加工を行うことが可
能となる。
【0021】レーザー加工は、エキシマレーザー(Ar
F、KrF、XeCl)や、YAGレーザー(SHG、
THG、FHG含む)等を用いて行うことができ、レー
ザー光をレンズにより数十〜数百μmに絞って走査した
り、面光源として用い、加工部のみを透過するようなマ
スクを用いて基板に対し照射する。尚、レーザー光の強
度は、下部電極2を傷つけることがないよう、適切に調
整する必要がある。
【0022】
【実施例】以下、本発明を、実施例を用いてより詳細に
説明する。最初に、ガラス製の透明基板1上に、ITO
からなる透明電極材料をスパッタリング法にて成膜し、
フォトリソグラフィ法によりストライプ状に加工して、
透明な下部電極2を形成した。下部電極2は、膜厚約1
00nm、線幅90μm、ギャップ20μmとした。
【0023】次に、下部電極2上に、有機EL媒体層4
および上部電極5を、抵抗加熱法により順次真空蒸着し
た。有機EL媒体層4の蒸着は、N,N’−ジフェニル
−N,N’−ビス(3メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4’−ジアミン(TPD)からなる有機
正孔輸送層4aと、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム(Alq3)からなる発光層4bとを、夫々膜厚
約50nmにて順次成膜することにより行った。さら
に、上部電極5としてのAl−Li合金を膜厚約100
nmとなるように成膜した。
【0024】次に、上部電極5の表面を酸化するため
に、大気中のコロナ放電によって発生させた濃度約1%
のO3中に1分間放置して、上部電極5の表面を酸化さ
せた。
【0025】次に、レーザー加工部6に対し上方よりレ
ーザー光を照射して、レーザー加工部6における酸化膜
3、上部電極5および有機EL媒体層4を蒸発除去し、
上部電極5同士を分離した。このようにして、画素領域
に対応する複数の画素が形成された有機薄膜発光素子を
得ることができた。
【0026】尚、レーザー加工には、住友重機械工業
製、EX−700シリーズ エキシマレーザー加工装置
(KrFレーザー:Lumonics社製、PM−84
8K型レーザー発振器)を使用した。マスクとレンズを
用い、レーザー光を線幅20μmに絞って走査すること
により、レーザー出力100mJ/pulse〜450
mJ/pulseの範囲で、良好に上部電極等を加工す
ることができた。
【0027】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、上部電極表面の、少なくともレーザー加工部分を酸
化させて酸化膜を形成することにより、金属電極表面の
反射率を低下させて、上部電極を一定のより低いレーザ
ー光強度により一様に加工することが可能であり、容易
に、かつ、歩留り良く作製することのできる有機薄膜発
光ディスプレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一例の有機薄膜発光ディスプレイを示
す切欠部分斜視図である。
【図2】有機エレクトロルミネッセンス素子を示す部分
断面図である。
【図3】一般的な有機薄膜発光ディスプレイの構成を示
す切欠斜視図である。
【図4】従来の有機薄膜発光ディスプレイを示す部分斜
視図である。
【符号の説明】
1 基板 2 下部電極 3 酸化膜 4 有機EL媒体層 4a 正孔輸送層 4b 発光層 4c 電子輸送層 5 上部電極 6 レーザー加工部 7 画素領域

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板上に形成された下部電極
    と、該下部電極上に設けられた、少なくとも発光層を含
    む有機エレクトロルミネッセンス媒体層と、該有機エレ
    クトロルミネッセンス媒体層上に形成された上部電極と
    を有し、該下部電極と、該有機エレクトロルミネッセン
    ス媒体層と、該上部電極との重なった部分を夫々発光画
    素とする有機薄膜発光ディスプレイであって、前記上部
    電極と前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層とが、
    レーザー加工により所定の形状にパターニングされてな
    る有機薄膜発光ディスプレイにおいて、 前記上部電極の表面であって少なくとも前記レーザー加
    工部に、酸化膜が形成されていることを特徴とする有機
    薄膜発光ディスプレイ。
JP2000151215A 2000-05-23 2000-05-23 有機薄膜発光ディスプレイ Pending JP2001332382A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000151215A JP2001332382A (ja) 2000-05-23 2000-05-23 有機薄膜発光ディスプレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000151215A JP2001332382A (ja) 2000-05-23 2000-05-23 有機薄膜発光ディスプレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001332382A true JP2001332382A (ja) 2001-11-30

Family

ID=18656808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000151215A Pending JP2001332382A (ja) 2000-05-23 2000-05-23 有機薄膜発光ディスプレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001332382A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4124379B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
US7332263B2 (en) Method for patterning an organic light emitting diode device
JP2008235178A (ja) 有機elディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイ
JP2000012220A (ja) 有機elディスプレイパネルの製造方法
JP2000077192A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法
EP2378841A1 (en) Organic el display and method for manufacturing same
JP2008235177A (ja) 有機elディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイ
JP2947250B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2001176672A (ja) 有機電界発光装置およびその製造方法
JP3736179B2 (ja) 有機薄膜発光素子
JP3599964B2 (ja) 発光ディスプレイ及びその製造方法
JP2000036385A (ja) 有機elディスプレイの製造方法
JP2845233B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US8258505B2 (en) Organic electroluminescence display apparatus and manufacturing method therefor
JP2001244073A (ja) 有機薄膜発光ディスプレイ
JPH11317288A (ja) 有機elディスプレイパネルの製造方法
JP2837559B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2001210469A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH09320760A (ja) 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法
JP3485749B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001332382A (ja) 有機薄膜発光ディスプレイ
JPH11307268A (ja) 有機薄膜発光素子およびその製造方法
JP2007265659A (ja) 有機el素子の製造方法
JP2002164167A (ja) 有機el素子の製造方法
JP2008181699A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050308