JP2001330841A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画面表示不良や劣化が少ない液晶表示装置を
得る。 【解決手段】 液晶セルの外周領域において、コモン配
線５０２、ゲート配線５０３、ソース配線２０４、及び
配向膜を有する。配向膜は、ゲート配線５０３とソース
配線２０４からは、絶縁膜を介して絶縁されている。コ
モン配線５０２は、絶縁膜に形成された開口部を介し
て、コモン電位露出部４０１を有し、配向膜と電気的に
接続されている。配向膜に、セルの平均電位に近いコモ
ン電位が供給されるので、不純物イオンが配向膜の表面
または内部に残留することによって生じる画面表示不良
や劣化を防止することができる。
得る。 【解決手段】 液晶セルの外周領域において、コモン配
線５０２、ゲート配線５０３、ソース配線２０４、及び
配向膜を有する。配向膜は、ゲート配線５０３とソース
配線２０４からは、絶縁膜を介して絶縁されている。コ
モン配線５０２は、絶縁膜に形成された開口部を介し
て、コモン電位露出部４０１を有し、配向膜と電気的に
接続されている。配向膜に、セルの平均電位に近いコモ
ン電位が供給されるので、不純物イオンが配向膜の表面
または内部に残留することによって生じる画面表示不良
や劣化を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
関し、特に、配向膜の電位が制御された液晶表示装置に
関するものである。
関し、特に、配向膜の電位が制御された液晶表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまで、様々なモードの液晶表示装置
が開発されている。例えば、ＴＮ（Twisted nematic）
モードやＶＡ（Vertical alignment、垂直配向）モード
と呼ばれるものである。ＴＮモードは、２枚のガラス基
板間に正の誘電異方性を有するネマティック液晶を封入
し、両基板上に形成された配向膜を用いて液晶の配列を
ねじる。この液晶に電界を印加することによって、液晶
の配列を垂直方向に制御し、透過光の偏向を利用して、
画面表示を行うものである。一方、ＶＡモードは、負の
誘電異方性を有する液晶を用いて、液晶がガラス基板に
垂直に立つ方向に配列させる。この液晶に電界を印加す
ることによって方向を傾け、光の透過を制御するもので
ある。
が開発されている。例えば、ＴＮ（Twisted nematic）
モードやＶＡ（Vertical alignment、垂直配向）モード
と呼ばれるものである。ＴＮモードは、２枚のガラス基
板間に正の誘電異方性を有するネマティック液晶を封入
し、両基板上に形成された配向膜を用いて液晶の配列を
ねじる。この液晶に電界を印加することによって、液晶
の配列を垂直方向に制御し、透過光の偏向を利用して、
画面表示を行うものである。一方、ＶＡモードは、負の
誘電異方性を有する液晶を用いて、液晶がガラス基板に
垂直に立つ方向に配列させる。この液晶に電界を印加す
ることによって方向を傾け、光の透過を制御するもので
ある。
【０００３】これらに対し、視野角特性の向上を図るた
めに開発されたモードとして、ＩＰＳ（In plain switc
hing）と呼ばれる液晶表示装置が知られている。これ
は、ガラス基板に平行な平面内で液晶の方向を操作する
ことによって、光の透過を制御するものであり、液晶に
電界を印加する電極が、同一基板に形成された構造を有
する。図７は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶表示装
置の一例を示したものである。これは、ＴＦＴアレイ基
板上の表示画素領域にマトリクス状に配列された副画素
部の、１つの副画素部分の構成を示す図である。図７に
おいて、７０２は一方向に互いに平行に延在する複数対
のコモン配線、７０３は一方向に互いに平行に延在し、
コモン配線と平行に配列されたゲート配線である。
めに開発されたモードとして、ＩＰＳ（In plain switc
hing）と呼ばれる液晶表示装置が知られている。これ
は、ガラス基板に平行な平面内で液晶の方向を操作する
ことによって、光の透過を制御するものであり、液晶に
電界を印加する電極が、同一基板に形成された構造を有
する。図７は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶表示装
置の一例を示したものである。これは、ＴＦＴアレイ基
板上の表示画素領域にマトリクス状に配列された副画素
部の、１つの副画素部分の構成を示す図である。図７に
おいて、７０２は一方向に互いに平行に延在する複数対
のコモン配線、７０３は一方向に互いに平行に延在し、
コモン配線と平行に配列されたゲート配線である。
【０００４】７０４は互いに平行に延在し、コモン配線
７０２およびゲート配線７０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。７０５は副画素部で
あって、コモン配線７０２とゲート配線７０３とソース
配線７０４とで囲まれる。７０６はスイッチング素子と
してのＴＦＴである。ＴＦＴ７０６は、ソース配線７０
４からゲート配線７０３に沿って延在するソース電極７
０７とドレイン電極７０８とを、一定のチャネル７０９
を隔てて互いに平行に配置して構成する。ゲート配線７
０３は、半導体層により形成されるチャネル７０９の下
に、絶縁膜（不図示）を介して形成されている。
７０２およびゲート配線７０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。７０５は副画素部で
あって、コモン配線７０２とゲート配線７０３とソース
配線７０４とで囲まれる。７０６はスイッチング素子と
してのＴＦＴである。ＴＦＴ７０６は、ソース配線７０
４からゲート配線７０３に沿って延在するソース電極７
０７とドレイン電極７０８とを、一定のチャネル７０９
を隔てて互いに平行に配置して構成する。ゲート配線７
０３は、半導体層により形成されるチャネル７０９の下
に、絶縁膜（不図示）を介して形成されている。
【０００５】２本のソース配線７０４に沿って、コモン
配線７０２から２本のコモン電極７１０が図面の下方向
に延び、一方、ＴＦＴ７０６のドレイン電極７０８は画
素電極７１１に接続されている。この画素電極７１１
は、２本のコモン電極７１０の中間でこれら２本のコモ
ン電極７１０と平行に上側に延びている。そして、一つ
の画素内に複数対の平行な電極を持つよう構成され、こ
れらの電極間の電界の大きさによって液晶の配向を制御
することで画素の明暗を作り出し、表示画面を提供して
いる。画素電極７１１にＴＦＴ７０６を介してソース配
線７０４から供給された電荷の一部は蓄積容量７１２に
保持される。
配線７０２から２本のコモン電極７１０が図面の下方向
に延び、一方、ＴＦＴ７０６のドレイン電極７０８は画
素電極７１１に接続されている。この画素電極７１１
は、２本のコモン電極７１０の中間でこれら２本のコモ
ン電極７１０と平行に上側に延びている。そして、一つ
の画素内に複数対の平行な電極を持つよう構成され、こ
れらの電極間の電界の大きさによって液晶の配向を制御
することで画素の明暗を作り出し、表示画面を提供して
いる。画素電極７１１にＴＦＴ７０６を介してソース配
線７０４から供給された電荷の一部は蓄積容量７１２に
保持される。
【０００６】なお、図７には示さないが、通常のＴＦＴ
液晶表示装置と同様に、上述した構成を持つＴＦＴアレ
イ基板と、これと所定の間隙をおいて互いに平行に配置
される対向基板の向かい合う面の表面にはそれぞれ配向
膜が形成され、これら２枚の基板の間に液晶が満たされ
ていることはいうまでもない。また、図７に示す部分
は、カラー表示を行う場合、１画素を構成するＲ、Ｇ、
Ｂの各１つの画素部分を示している。
液晶表示装置と同様に、上述した構成を持つＴＦＴアレ
イ基板と、これと所定の間隙をおいて互いに平行に配置
される対向基板の向かい合う面の表面にはそれぞれ配向
膜が形成され、これら２枚の基板の間に液晶が満たされ
ていることはいうまでもない。また、図７に示す部分
は、カラー表示を行う場合、１画素を構成するＲ、Ｇ、
Ｂの各１つの画素部分を示している。
【０００７】図８は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶
表示装置における、液晶セルの構成を示す断面図であ
る。８０１は駆動回路から入力される画像情報を含む電
気信号を電気光学変換することにより、画像情報を画素
７０５の光透過率の情報として画面に表示する機能を持
つ液晶セルである。８０２はＴＦＴアレイ基板である。
駆動回路から入力された信号は、ゲート配線７０３とソ
ース配線７０４、および、ＴＦＴ７０６を介して画素電
極７０４に分配される。副画素７０５は、表示画素領域
８１７内にマトリクス状に配列されている。コモン電位
は、コモン電位供給配線８１９とコモン配線７０２を介
して、画素７０５内のコモン電極７１０に分配される。
表示装置における、液晶セルの構成を示す断面図であ
る。８０１は駆動回路から入力される画像情報を含む電
気信号を電気光学変換することにより、画像情報を画素
７０５の光透過率の情報として画面に表示する機能を持
つ液晶セルである。８０２はＴＦＴアレイ基板である。
駆動回路から入力された信号は、ゲート配線７０３とソ
ース配線７０４、および、ＴＦＴ７０６を介して画素電
極７０４に分配される。副画素７０５は、表示画素領域
８１７内にマトリクス状に配列されている。コモン電位
は、コモン電位供給配線８１９とコモン配線７０２を介
して、画素７０５内のコモン電極７１０に分配される。
【０００８】ＴＦＴアレイ基板８０２上には、ゲート絶
縁膜８０４や保護膜８０５が被覆されている。８０３は
対向基板である。対向基板８０３上には、画素７０５の
境界部分や表示画面外周領域８１８を遮光するブラック
マトリクス７と、光をＲＧＢの三原色に分離するカラー
フィルタ８０８と、保護膜８０９とが形成されている。
ＴＦＴアレイ基板８０２と対向基板８０３とは所定の間
隙をおいて互いに平行に配置され、それらの間には液晶
８１０が封入されている。２つの基板の向かい合う表面
には、液晶８１０の初期配向を決める配向膜８０６が形
成されている。また、２つの基板の外側の表面には偏光
フィルム８１１が配置されている。
縁膜８０４や保護膜８０５が被覆されている。８０３は
対向基板である。対向基板８０３上には、画素７０５の
境界部分や表示画面外周領域８１８を遮光するブラック
マトリクス７と、光をＲＧＢの三原色に分離するカラー
フィルタ８０８と、保護膜８０９とが形成されている。
ＴＦＴアレイ基板８０２と対向基板８０３とは所定の間
隙をおいて互いに平行に配置され、それらの間には液晶
８１０が封入されている。２つの基板の向かい合う表面
には、液晶８１０の初期配向を決める配向膜８０６が形
成されている。また、２つの基板の外側の表面には偏光
フィルム８１１が配置されている。
【０００９】コモン電極７１０と画素電極７１１に互い
に異なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界
を生じ、電界が、配向膜８０６によって電界と異なる方
向に初期配向を決められた液晶８１０に作用し、液晶の
配向が変化する。このとき、電界の大きさによって液晶
の配向の変化の仕方が変わる。液晶の配向変化によっ
て、バックライト８１２から発せられた光が偏光フィル
ム８１１を通り抜けて出てきた偏光が、液晶８１０層を
通り抜ける際に、偏光方向の変化が生じるので、もう一
方の偏光フィルム８１１を出射する光の強度を変化させ
ることができる。これらにより、電気信号の情報を光の
強度の情報に変化させることができる。
に異なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界
を生じ、電界が、配向膜８０６によって電界と異なる方
向に初期配向を決められた液晶８１０に作用し、液晶の
配向が変化する。このとき、電界の大きさによって液晶
の配向の変化の仕方が変わる。液晶の配向変化によっ
て、バックライト８１２から発せられた光が偏光フィル
ム８１１を通り抜けて出てきた偏光が、液晶８１０層を
通り抜ける際に、偏光方向の変化が生じるので、もう一
方の偏光フィルム８１１を出射する光の強度を変化させ
ることができる。これらにより、電気信号の情報を光の
強度の情報に変化させることができる。
【００１０】図７、８に示す従来のＩＰＳモードのＴＦ
Ｔ液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上の表示画素領域
において、液晶に電界を与えるための２つの電極すなわ
ち画素電極およびコモン電極と、液晶分子に初期配向を
与える配向膜との間に絶縁膜があり、配向膜は電気的に
浮いた状態である。また、対向基板上においても、この
基板上には電気抵抗の高い物質のみが形成されているた
め、それらの上に形成される配向膜は、やはり電気的に
浮いている。こうした電気的に絶縁された配向膜には、
配向膜を通り抜ける電界の向きに偏りがあるとにより、
電界の向きに対応した極性の不純物イオンが集まりやす
い。もともと配向膜にはイオンが吸着しやすいため、集
まった不純物イオンに起因して、残像、焼き付きなどの
画面表示不良を生じてしまう。
Ｔ液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上の表示画素領域
において、液晶に電界を与えるための２つの電極すなわ
ち画素電極およびコモン電極と、液晶分子に初期配向を
与える配向膜との間に絶縁膜があり、配向膜は電気的に
浮いた状態である。また、対向基板上においても、この
基板上には電気抵抗の高い物質のみが形成されているた
め、それらの上に形成される配向膜は、やはり電気的に
浮いている。こうした電気的に絶縁された配向膜には、
配向膜を通り抜ける電界の向きに偏りがあるとにより、
電界の向きに対応した極性の不純物イオンが集まりやす
い。もともと配向膜にはイオンが吸着しやすいため、集
まった不純物イオンに起因して、残像、焼き付きなどの
画面表示不良を生じてしまう。
【００１１】また、表示画素領域に近接する外周領域、
特にゲート配線から駆動回路への引き出しを行う領域に
おいては、ゲート配線の密度が他の領域に比較して高
い。そのため、画面内の平均電位に比べて平均電位が１
０Ｖ前後も低いゲート配線電位が支配的なため、配向膜
を通り抜ける電界が大きく、又、偏りがある。このた
め、その上に絶縁膜を介して形成される配向膜には、特
に不純物イオンが集まりやすいことを新たに見出した。
そのため、表示画面の周辺に沿っては、画素の電荷保持
特性の劣化が起こりやすく、これは表示ムラなどの原因
になる。なお、この領域についてはＩＰＳモードに限ら
ず、ＴＮモードやＶＡモードなどのあらゆるＴＦＴ液晶
表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が電気
的に絶縁されていることにより、同様の表示ムラ問題が
ある。
特にゲート配線から駆動回路への引き出しを行う領域に
おいては、ゲート配線の密度が他の領域に比較して高
い。そのため、画面内の平均電位に比べて平均電位が１
０Ｖ前後も低いゲート配線電位が支配的なため、配向膜
を通り抜ける電界が大きく、又、偏りがある。このた
め、その上に絶縁膜を介して形成される配向膜には、特
に不純物イオンが集まりやすいことを新たに見出した。
そのため、表示画面の周辺に沿っては、画素の電荷保持
特性の劣化が起こりやすく、これは表示ムラなどの原因
になる。なお、この領域についてはＩＰＳモードに限ら
ず、ＴＮモードやＶＡモードなどのあらゆるＴＦＴ液晶
表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が電気
的に絶縁されていることにより、同様の表示ムラ問題が
ある。
【００１２】上記の問題を解決する手段として、配向膜
と電極配線との間に絶縁膜を設けず、直接両者を接触さ
せることが、特開平１０−３０１１４１に開示されてい
る。しかし、この発明は、画素内において、画素電極と
共通電極の双方が配向膜と電気的に接続しているので、
画素電極に断線・短絡等の欠陥がある場合に大きな問題
となる。なぜなら、画素電極がゲート配線と接続した場
合に、配向膜にゲート電位が供給されてしまうからであ
る。又、本例は表示外周領域における、焼きつき・表示
ムラを防止する方法について一切の開示を行っていな
い。
と電極配線との間に絶縁膜を設けず、直接両者を接触さ
せることが、特開平１０−３０１１４１に開示されてい
る。しかし、この発明は、画素内において、画素電極と
共通電極の双方が配向膜と電気的に接続しているので、
画素電極に断線・短絡等の欠陥がある場合に大きな問題
となる。なぜなら、画素電極がゲート配線と接続した場
合に、配向膜にゲート電位が供給されてしまうからであ
る。又、本例は表示外周領域における、焼きつき・表示
ムラを防止する方法について一切の開示を行っていな
い。
【００１３】又、配向膜と絶縁膜に穴を設け、電極と液
晶を電気的に接続することが、特開平４−３５９２２２
に開示されている。しかし、この発明はアクティブ・マ
トリックス型の液晶表示装置に関するものではなく、上
記のような課題に関する知見が一切開示されていない。
晶を電気的に接続することが、特開平４−３５９２２２
に開示されている。しかし、この発明はアクティブ・マ
トリックス型の液晶表示装置に関するものではなく、上
記のような課題に関する知見が一切開示されていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上述し
た課題を解決することを目的とし、高品質かつ高信頼性
の画面表示を実現する液晶表示装置を得ることを一つの
目的とする。本発明の他の目的は、焼き付きや表示ムラ
の発生が抑えられる、液晶表示装置を得ることである。
た課題を解決することを目的とし、高品質かつ高信頼性
の画面表示を実現する液晶表示装置を得ることを一つの
目的とする。本発明の他の目的は、焼き付きや表示ムラ
の発生が抑えられる、液晶表示装置を得ることである。
【００１５】他の目的は、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、画素電極における断線、短絡等の欠
陥に左右されることなく、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、外周領域の不純物イオンに起因する
欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることである。他の
目的は、効率的に配向膜に共通電位を供給することがで
きる、液晶表示装置を得ることである。
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、画素電極における断線、短絡等の欠
陥に左右されることなく、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、外周領域の不純物イオンに起因する
欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることである。他の
目的は、効率的に配向膜に共通電位を供給することがで
きる、液晶表示装置を得ることである。
【００１６】
【００１７】本発明の液晶表示装置は、副画素部内にお
いて、配向膜に共通電位を供給する。好ましくは、配向
膜と共通電極配線との間に形成された絶縁膜に開口部を
形成し、その開口部を介して、配向膜と共通電極配線を
電気的に接続する。副画素部内において、画素電極配線
と配向膜とは絶縁されている。
いて、配向膜に共通電位を供給する。好ましくは、配向
膜と共通電極配線との間に形成された絶縁膜に開口部を
形成し、その開口部を介して、配向膜と共通電極配線を
電気的に接続する。副画素部内において、画素電極配線
と配向膜とは絶縁されている。
【００１８】好ましくは、開口部は共通配線と配向膜と
の間、もしくは、共通電極配線と配向膜との間に形成さ
れる。好ましくは、配向膜は導電体部を介して共通配線
と接続され、さらに好ましくは、導電体部は、前記共通
電極配線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触
することにより電気的に接続される。
の間、もしくは、共通電極配線と配向膜との間に形成さ
れる。好ましくは、配向膜は導電体部を介して共通配線
と接続され、さらに好ましくは、導電体部は、前記共通
電極配線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触
することにより電気的に接続される。
【００１９】本発明の他の液晶表示装置は、表示画面領
域の外周に設けられた外周領域において、配向膜に共通
電位が供給される。配向膜は外周領域においてゲート配
線から絶縁される。好ましくは、配向膜は絶縁層に設け
られた開口部を介して共通配線と電気的に接続される。
域の外周に設けられた外周領域において、配向膜に共通
電位が供給される。配向膜は外周領域においてゲート配
線から絶縁される。好ましくは、配向膜は絶縁層に設け
られた開口部を介して共通配線と電気的に接続される。
【００２０】さらに、好ましくは、配向膜は導電体部を
介して共通配線と接続される。導電体部は、前記共通配
線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触するこ
とにより電気的に接続される。尚、液晶表示装置は、液
晶セル、液晶モジュール、液晶ディスプレイ等の表示装
置を含むものである。
介して共通配線と接続される。導電体部は、前記共通配
線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触するこ
とにより電気的に接続される。尚、液晶表示装置は、液
晶セル、液晶モジュール、液晶ディスプレイ等の表示装
置を含むものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、本実施形態におけるＩＰ
ＳモードＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セル１０１の全体
構造を示した概略図である。液晶セル１０１は、ＴＦＴ
アレイ基板１０２と、対向基板としてのカラーフィルタ
基板１０３とによって構成されている。図において、１
０４は、マトリックス状に配置された複数の副画素部か
ら構成される、表示画素領域である。この領域が、画面
の表示を行う。副画素部は、２つの基板のそれぞれの一
部によって挟まれた構成部である。１０５は、表示画素
領域１０４の周囲に形成された表示画面外周領域であ
る。ここには、表示画素領域１０４への配線等が形成さ
れ、画面表示には直接的に寄与しない。
ＳモードＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セル１０１の全体
構造を示した概略図である。液晶セル１０１は、ＴＦＴ
アレイ基板１０２と、対向基板としてのカラーフィルタ
基板１０３とによって構成されている。図において、１
０４は、マトリックス状に配置された複数の副画素部か
ら構成される、表示画素領域である。この領域が、画面
の表示を行う。副画素部は、２つの基板のそれぞれの一
部によって挟まれた構成部である。１０５は、表示画素
領域１０４の周囲に形成された表示画面外周領域であ
る。ここには、表示画素領域１０４への配線等が形成さ
れ、画面表示には直接的に寄与しない。
【００２２】図２と３とは、図１における表示画素領域
内に形成された副画素部であって、アレイ基板上におけ
る概略構成を示す、構成図である。カラー表示を行う場
合、１画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂの各１つの副画素部分
を示している。図において、２０２は一方向に互いに平
行に延在する複数対のコモン配線（共通配線）、２０３
は一方向に互いに平行に延在し、コモン配線と平行に配
列されたゲート配線である。
内に形成された副画素部であって、アレイ基板上におけ
る概略構成を示す、構成図である。カラー表示を行う場
合、１画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂの各１つの副画素部分
を示している。図において、２０２は一方向に互いに平
行に延在する複数対のコモン配線（共通配線）、２０３
は一方向に互いに平行に延在し、コモン配線と平行に配
列されたゲート配線である。
【００２３】２０４は互いに平行に延在し、コモン配線
２０２およびゲート配線２０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。２０５はアレイ基板
上における副画素部であって、コモン配線２０２とゲー
ト配線２０３とソース配線２０４とで囲まれる。２０６
はスイッチング素子としてのＴＦＴである。ＴＦＴ２０
６は、ソース配線２０４からゲート配線２０３に沿って
延在するソース電極２０７とドレイン電極２０８とを、
一定のチャネル２０９を隔てて互いに平行に配置して構
成する。ゲート配線２０３は、半導体層により形成され
るチャネル２０９の下に、絶縁膜（不図示）を介して形
成されている。
２０２およびゲート配線２０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。２０５はアレイ基板
上における副画素部であって、コモン配線２０２とゲー
ト配線２０３とソース配線２０４とで囲まれる。２０６
はスイッチング素子としてのＴＦＴである。ＴＦＴ２０
６は、ソース配線２０４からゲート配線２０３に沿って
延在するソース電極２０７とドレイン電極２０８とを、
一定のチャネル２０９を隔てて互いに平行に配置して構
成する。ゲート配線２０３は、半導体層により形成され
るチャネル２０９の下に、絶縁膜（不図示）を介して形
成されている。
【００２４】２本のソース配線２０４に沿って、コモン
配線２０２から２本のコモン電極（共通電極配線）２１
０が図面の下方向に延び、一方、ＴＦＴ２０６のドレイ
ン電極２０８は画素電極（画素電極配線）２１１に接続
されており、この画素電極２１１は、２本のコモン電極
２１０の中間でこれら２本のコモン電極２１０と平行に
上側に延びている。そして、一つの副画素が、複数対の
平行な電極を持つよう構成され、これらの電極間の電界
の大きさによって液晶の配向を制御する。
配線２０２から２本のコモン電極（共通電極配線）２１
０が図面の下方向に延び、一方、ＴＦＴ２０６のドレイ
ン電極２０８は画素電極（画素電極配線）２１１に接続
されており、この画素電極２１１は、２本のコモン電極
２１０の中間でこれら２本のコモン電極２１０と平行に
上側に延びている。そして、一つの副画素が、複数対の
平行な電極を持つよう構成され、これらの電極間の電界
の大きさによって液晶の配向を制御する。
【００２５】画素電極２１１にＴＦＴ２０６を介してソ
ース配線２０４から供給された電荷の一部は蓄積容量２
１２に保持される。２２０はコモン電位露出部分であ
る。これは、配向膜（不図示）とコモン電極との間に形
成された絶縁膜に開口部を形成することにによって得ら
れる。コモン電極と配向膜は電気的に接続され、配向膜
にコモン電位が与えられる。具体的には、コモン電極お
よびコモン配線を被覆し、これらと配向膜との間を隔て
る、ゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜に穴を開けるな
どにより実現する。尚、蓄積容量２１２をゲート配線の
上に形成することも可能である。これにより、さらに容
量を大きくすることができる。コモン電極は、アルミニ
ウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、
やそれらの合金などで形成され、画素電極は、それらに
加えて、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などで形成され
る
ース配線２０４から供給された電荷の一部は蓄積容量２
１２に保持される。２２０はコモン電位露出部分であ
る。これは、配向膜（不図示）とコモン電極との間に形
成された絶縁膜に開口部を形成することにによって得ら
れる。コモン電極と配向膜は電気的に接続され、配向膜
にコモン電位が与えられる。具体的には、コモン電極お
よびコモン配線を被覆し、これらと配向膜との間を隔て
る、ゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜に穴を開けるな
どにより実現する。尚、蓄積容量２１２をゲート配線の
上に形成することも可能である。これにより、さらに容
量を大きくすることができる。コモン電極は、アルミニ
ウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、
やそれらの合金などで形成され、画素電極は、それらに
加えて、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などで形成され
る
【００２６】図４と５とは、本実施形態のＩＰＳモード
ＴＦＴ液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の表
示画面外周領域１０５を示す図である。図は、表示画素
領域１０４に近接する部分の概略構成を示す拡大図であ
る。図４において、５０２は表示画素領域１０４内のコ
モン配線２０２に接続され、駆動回路（不図示）から入
力された電位を供給するための共通配線の１つであるコ
モン配線、５０３は表示画素領域１０４内のゲート配線
２０２に接続され、駆動回路から電位を供給するための
ゲート配線である。
ＴＦＴ液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の表
示画面外周領域１０５を示す図である。図は、表示画素
領域１０４に近接する部分の概略構成を示す拡大図であ
る。図４において、５０２は表示画素領域１０４内のコ
モン配線２０２に接続され、駆動回路（不図示）から入
力された電位を供給するための共通配線の１つであるコ
モン配線、５０３は表示画素領域１０４内のゲート配線
２０２に接続され、駆動回路から電位を供給するための
ゲート配線である。
【００２７】５０４は、駆動回路から入力されたコモン
電位を全てのコモン配線５０２に分配供給するための共
通配線の１つである、コモン電位供給配線、５０５はコ
モン電位供給配線とコモン配線５０２とを接続するため
のコンタクトホールである。４０１はコモン電位露出部
分である。コモン配線を被覆しこれらと配向膜（不図
示）との間を隔てるゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜
に孔を開けるなどにより実現する。開口部を介して配向
膜とコモン配線が電気的に接続され、配向膜にコモン電
位を供給することができる。各配線と配向膜とは、絶縁
層によって絶縁されており、コモン電位露出部４０１に
おいてのみ接続されている。
電位を全てのコモン配線５０２に分配供給するための共
通配線の１つである、コモン電位供給配線、５０５はコ
モン電位供給配線とコモン配線５０２とを接続するため
のコンタクトホールである。４０１はコモン電位露出部
分である。コモン配線を被覆しこれらと配向膜（不図
示）との間を隔てるゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜
に孔を開けるなどにより実現する。開口部を介して配向
膜とコモン配線が電気的に接続され、配向膜にコモン電
位を供給することができる。各配線と配向膜とは、絶縁
層によって絶縁されており、コモン電位露出部４０１に
おいてのみ接続されている。
【００２８】図４においては、コモン電位露出部分４０
１はコモン配線５０２上に設けられている。もちろん、
コモン電位供給配線５０５に露出部分を形成し、配向膜
にコモン電位を供給してもよい。図５においては、第３
の導電層５０６を介して配向膜にコモン電位が供給され
る。第３の導電層は、コモン電位供給配線５０５に接続
されている。この第３の導電層はコモン配線と同一の材
料や、その外の導電材料で形成することができる。この
第３の導電層と配向膜との間に絶縁層がある場合は、絶
縁層に開口部を設け、それを介して両者を電気的に接続
する。尚、外周領域１０５において、コモン電位供給配
線５０４や第３の導電層５０６と配向膜との間に、絶縁
膜を設けることなく接触させることも可能である。
１はコモン配線５０２上に設けられている。もちろん、
コモン電位供給配線５０５に露出部分を形成し、配向膜
にコモン電位を供給してもよい。図５においては、第３
の導電層５０６を介して配向膜にコモン電位が供給され
る。第３の導電層は、コモン電位供給配線５０５に接続
されている。この第３の導電層はコモン配線と同一の材
料や、その外の導電材料で形成することができる。この
第３の導電層と配向膜との間に絶縁層がある場合は、絶
縁層に開口部を設け、それを介して両者を電気的に接続
する。尚、外周領域１０５において、コモン電位供給配
線５０４や第３の導電層５０６と配向膜との間に、絶縁
膜を設けることなく接触させることも可能である。
【００２９】このように、他の配線部よりもを越えて広
がる第３の導電層を設けることにより、配向膜との電気
的接続をより確かなものにでき、さらに、露出部の数を
減らすことができる。尚、このコモン電位露出部分４０
１は、表示画面外周領域１０５内の全域にわたって設け
られる必要はなく、離散的な分布であってもよい。又、
この構造は通常のＴＦＴアレイ製造工程において、マス
クパターンを変形することによって製造することが可能
であり、ここでは特に説明を行わない。
がる第３の導電層を設けることにより、配向膜との電気
的接続をより確かなものにでき、さらに、露出部の数を
減らすことができる。尚、このコモン電位露出部分４０
１は、表示画面外周領域１０５内の全域にわたって設け
られる必要はなく、離散的な分布であってもよい。又、
この構造は通常のＴＦＴアレイ製造工程において、マス
クパターンを変形することによって製造することが可能
であり、ここでは特に説明を行わない。
【００３０】図６は、本実施形態における、ＩＰＳモー
ドＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セルの構成を示す断面図
である。１０２はＴＦＴアレイ基板である。コモン電位
供給配線５０４には第三の導電層５０６が接続されてい
る。ＴＦＴアレイ基板１０２上にはゲート絶縁膜６０４
や保護膜６０５が被覆されている。コモン電極２１０上
や、第三の導電層５０６上には、ゲート絶縁膜６０４や
保護膜６０５の被覆の開口部があり、コモン電位露出部
分２２０または４０１が設けられている。なお、ゲート
絶縁膜６０４や保護膜６０５は、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、チタン酸化膜、アルミ酸化膜、アクリル樹
脂膜、その他有機高分子膜などであり、厚さは数百ｎｍ
から数μｍ程度である。
ドＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セルの構成を示す断面図
である。１０２はＴＦＴアレイ基板である。コモン電位
供給配線５０４には第三の導電層５０６が接続されてい
る。ＴＦＴアレイ基板１０２上にはゲート絶縁膜６０４
や保護膜６０５が被覆されている。コモン電極２１０上
や、第三の導電層５０６上には、ゲート絶縁膜６０４や
保護膜６０５の被覆の開口部があり、コモン電位露出部
分２２０または４０１が設けられている。なお、ゲート
絶縁膜６０４や保護膜６０５は、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、チタン酸化膜、アルミ酸化膜、アクリル樹
脂膜、その他有機高分子膜などであり、厚さは数百ｎｍ
から数μｍ程度である。
【００３１】また、副画素内のコモン電極露出部分２２
０の大きさは、好ましくは数十平方μｍから数百平方μ
ｍ程度である。外周領域のコモン電極露出部分４０１の
大きさは、好ましくは、数十平方μｍから数万平方μｍ
程度である。対向基板１０３には、画素２０５の境界部
分や表示画面外周領域１０５を遮光する機能を持つブラ
ックマトリクス６１７と、光をＲＧＢの三原色に分離す
る機能を持つカラーフィルタ６１８と、保護膜６１９と
が形成されている。
０の大きさは、好ましくは数十平方μｍから数百平方μ
ｍ程度である。外周領域のコモン電極露出部分４０１の
大きさは、好ましくは、数十平方μｍから数万平方μｍ
程度である。対向基板１０３には、画素２０５の境界部
分や表示画面外周領域１０５を遮光する機能を持つブラ
ックマトリクス６１７と、光をＲＧＢの三原色に分離す
る機能を持つカラーフィルタ６１８と、保護膜６１９と
が形成されている。
【００３２】ＴＦＴアレイ基板１０２と対向基板１０３
とは所定の間隙をおいて互いに平行に配置され、それら
の間には液晶６１０が封入されている。２つの基板の向
かい合う表面には、液晶６１０の初期配向を決める配向
膜６０６が形成されている。また、２つの基板の外側の
表面には偏光フィルム６０１が配置されている。６０２
はバックライトである。
とは所定の間隙をおいて互いに平行に配置され、それら
の間には液晶６１０が封入されている。２つの基板の向
かい合う表面には、液晶６１０の初期配向を決める配向
膜６０６が形成されている。また、２つの基板の外側の
表面には偏光フィルム６０１が配置されている。６０２
はバックライトである。
【００３３】動作について説明する。ＴＦＴアレイ基板
２上に、駆動回路（不図示）から、画像情報を含む電気
信号、すなわち走査信号と映像信号が入力される。これ
ら画像信号は、外周領域１０５に形成された画素配線を
介して表示領域１０４の副画素２０５に送られる。ゲー
ト配線５０３から走査信号が入力され、副画素内のゲー
ト配線２０３を通って、ＴＦＴ２０６のゲート制御を行
う。ソース配線２０４入力された信号は、ＴＦＴ２０６
を介して表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列さ
れた画素２０５内の画素電極２１１に与えられる。
２上に、駆動回路（不図示）から、画像情報を含む電気
信号、すなわち走査信号と映像信号が入力される。これ
ら画像信号は、外周領域１０５に形成された画素配線を
介して表示領域１０４の副画素２０５に送られる。ゲー
ト配線５０３から走査信号が入力され、副画素内のゲー
ト配線２０３を通って、ＴＦＴ２０６のゲート制御を行
う。ソース配線２０４入力された信号は、ＴＦＴ２０６
を介して表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列さ
れた画素２０５内の画素電極２１１に与えられる。
【００３４】また、コモン電位は、外周領域１０５のコ
モン電位供給配線５０４に入力され、コモン配線５０３
と、副画素内のコモン配線２０２を介して、画素２０５
内のコモン電極２１０に分配される。又、コモン電位供
給配線５０４に接続された第三の導電層５０６にも供給
される。コモン電極２１０と画素電極２１１に互いに異
なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界を生
じ、電界が、配向膜６０６によって電界と異なる方向に
初期配向を決められた液晶６１０に作用し、液晶の配向
が変化する。
モン電位供給配線５０４に入力され、コモン配線５０３
と、副画素内のコモン配線２０２を介して、画素２０５
内のコモン電極２１０に分配される。又、コモン電位供
給配線５０４に接続された第三の導電層５０６にも供給
される。コモン電極２１０と画素電極２１１に互いに異
なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界を生
じ、電界が、配向膜６０６によって電界と異なる方向に
初期配向を決められた液晶６１０に作用し、液晶の配向
が変化する。
【００３５】画素電極には、コモン電極電位に近い電位
を中心とする所定振幅の電圧が与えられる。例えば、Vc
+ Va が与えられた次のフレームには、Vc - Va が与え
られる。Vc は電圧中心であり、Vcom（コモン電位）に
近い電圧、もしくは、ほぼ同様の電圧である。具体的に
は、例えば、Vc = 10V, Va = 0〜8V, Vcom = 9.5V の電
圧が印加される。このとき、Va の大きさによって画素
の光透過率が変わる。ノーマリー・ブラックモードで
は、大きいときに明るくなる。コモン電位は画面内の平
均電位に極めて近い値となる。又、ゲート配線に与えら
れるゲート電位は、平均するとコモン電位の-10V程度の
電位が与えられる。尚、コモン電位は常に一定に保たれ
ているとは限らず、所定の平均電位を有する交流の電位
を与えることも可能である。
を中心とする所定振幅の電圧が与えられる。例えば、Vc
+ Va が与えられた次のフレームには、Vc - Va が与え
られる。Vc は電圧中心であり、Vcom（コモン電位）に
近い電圧、もしくは、ほぼ同様の電圧である。具体的に
は、例えば、Vc = 10V, Va = 0〜8V, Vcom = 9.5V の電
圧が印加される。このとき、Va の大きさによって画素
の光透過率が変わる。ノーマリー・ブラックモードで
は、大きいときに明るくなる。コモン電位は画面内の平
均電位に極めて近い値となる。又、ゲート配線に与えら
れるゲート電位は、平均するとコモン電位の-10V程度の
電位が与えられる。尚、コモン電位は常に一定に保たれ
ているとは限らず、所定の平均電位を有する交流の電位
を与えることも可能である。
【００３６】配向膜６０６に、表示画素領域１０４にお
いてはコモン電位露出部分２２０で、表示画面外周領域
１０５においてはコモン電位露出部分４０１で、それぞ
れ画面の平均電位とほぼ一致するコモン電位が与えられ
るため、これらの近傍では配向膜を通り抜ける向きの偏
った電界の効果を打ち消すことができる。この結果とし
て、配向膜６０６に不純物イオンが集まることを防止す
ることができる。
いてはコモン電位露出部分２２０で、表示画面外周領域
１０５においてはコモン電位露出部分４０１で、それぞ
れ画面の平均電位とほぼ一致するコモン電位が与えられ
るため、これらの近傍では配向膜を通り抜ける向きの偏
った電界の効果を打ち消すことができる。この結果とし
て、配向膜６０６に不純物イオンが集まることを防止す
ることができる。
【００３７】以上のように、本実施の形態においては、
画面内の平均電位とほぼ一致するコモン電位が、コモン
電位露出部分を介して配向膜に供給されるので、不純物
イオンが配向膜表面または内部に残留することを防ぐこ
とができ、その結果、不純物イオンによって生じる画面
表示不良や劣化を防止することができる。
画面内の平均電位とほぼ一致するコモン電位が、コモン
電位露出部分を介して配向膜に供給されるので、不純物
イオンが配向膜表面または内部に残留することを防ぐこ
とができ、その結果、不純物イオンによって生じる画面
表示不良や劣化を防止することができる。
【００３８】本実施例では、副画素内の画素電極と配向
膜とは電気的に絶縁されている。これは、画素電極と配
向膜が接続されていると、画素電極に断線や短絡が生じ
た場合に、問題が生ずるからである。特に、画素電極と
ゲート配線が短絡する場合が問題となる。なぜなら、画
素電極と配向膜が接続されていると、ゲート配線と配向
膜が画素電極を介して接続されて、配向膜の電位が画面
内の平均電位よりも大きく下がることによって、不純物
イオンが集まってしまうからである。
膜とは電気的に絶縁されている。これは、画素電極と配
向膜が接続されていると、画素電極に断線や短絡が生じ
た場合に、問題が生ずるからである。特に、画素電極と
ゲート配線が短絡する場合が問題となる。なぜなら、画
素電極と配向膜が接続されていると、ゲート配線と配向
膜が画素電極を介して接続されて、配向膜の電位が画面
内の平均電位よりも大きく下がることによって、不純物
イオンが集まってしまうからである。
【００３９】また、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が、コ
モン電位露出部分を介してコモン配線と接続されること
によって、表示画素領域の全面の配向膜がほぼ同一電位
に保たれることから、製造工程や最終製品使用時におけ
る静電気帯電によって生じる画面表示不良や劣化を防止
することができる。
モン電位露出部分を介してコモン配線と接続されること
によって、表示画素領域の全面の配向膜がほぼ同一電位
に保たれることから、製造工程や最終製品使用時におけ
る静電気帯電によって生じる画面表示不良や劣化を防止
することができる。
【００４０】なお、本実施例においては、幾多の変形、
変更が可能である。例えば、図２に示す例では、コモン
電位露出部分２２０をコモン電極２１０上のほとんど全
ての領域に設けたが、図４に示す例のように、コモン電
極２１０またはコモン配線２０２上の狭く限られた領域
に設けてもよい。また、このコモン電位露出部分２２０
は、表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列された
全ての副画素のそれぞれの中に設けられる必要もなく、
離散的な分布であってもよい。
変更が可能である。例えば、図２に示す例では、コモン
電位露出部分２２０をコモン電極２１０上のほとんど全
ての領域に設けたが、図４に示す例のように、コモン電
極２１０またはコモン配線２０２上の狭く限られた領域
に設けてもよい。また、このコモン電位露出部分２２０
は、表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列された
全ての副画素のそれぞれの中に設けられる必要もなく、
離散的な分布であってもよい。
【００４１】また、本発明はＩＰＳモードのＴＦＴ液晶
表示装置にのみ適用されるものではなく、ＴＮモードや
ＶＡモードといったコモン電極が対向基板上に設けられ
た場合にも適用できる。一般に、表示画面外周領域１０
５においては、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜は電気的に
浮いていることから、本発明の適用対象となり得る。コ
モン電極が対向基板上に設けられた場合には、コモン電
位はＴＦＴアレイ基板上に駆動回路から入力され、トラ
ンスファを介して対向基板上のコモン電極に供給される
ため、アレイ基板上の配向膜と共通配線とを容易に接続
することができる。
表示装置にのみ適用されるものではなく、ＴＮモードや
ＶＡモードといったコモン電極が対向基板上に設けられ
た場合にも適用できる。一般に、表示画面外周領域１０
５においては、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜は電気的に
浮いていることから、本発明の適用対象となり得る。コ
モン電極が対向基板上に設けられた場合には、コモン電
位はＴＦＴアレイ基板上に駆動回路から入力され、トラ
ンスファを介して対向基板上のコモン電極に供給される
ため、アレイ基板上の配向膜と共通配線とを容易に接続
することができる。
【００４２】本発明のまとめとして、以下に開示する。 （１）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、前記副画素部は、
前記液晶に電界を印加する画素電極配線及び共通電極配
線と、前記液晶の配列方向を制御する配向膜と、を備
え、前記画素電極配線は、前記スイッチング素子を介し
て画素電位が印加され、前記共通電極配線は、共通電位
が印加され、前記配向膜は、前記画素電極配線から絶縁
され、前記共通電極配線に電気的に接続された、液晶表
示装置。 （２）前記副画素部は、前記アレイ基板上に、前記画素
電極配線と、前記共通電極配線とを備え、前記画素電極
配線及び前記共通電極配線と、前記配向膜との間に、絶
縁膜を備え、前記共通電極配線と前記配向膜とは、前記
絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続されて
いる、（１）に記載の液晶表示装置。 （３）前記開口部は、前記共通電極配線と前記配向膜と
の間に形成された、（２）に記載の液晶表示装置。 （４）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に共通
電位を与える共通配線とを備え、前記開口部は、前記共
通配線と前記配向膜との間に形成されている、（２）に
記載の液晶表示装置。 （５）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記配
向膜と電気的に接続されている、（１）に記載の液晶表
示装置。 （６）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、前記導電体部は前記開
口部を通って前記配向膜に電気的に接続されている、
（２）に記載の液晶表示装置。 （７）前記導電体部は、前記共通電極配線を越えて形成
され、前記配向膜は、前記導電体部に接触することによ
り電気的に接続される、（５）又は（６）に記載の液晶
表示装置。 （８）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、複数の副画素部を
備える表示画面領域と、前記表示画面領域の外周に設け
られた外周領域とを備え、前記外周領域は、前記複数の
副画素部への接続配線を有し、前記接続配線は、前記副
画素部に共通電位を与える共通配線と、前記スイッチン
グ素子に信号を与える画素配線とを備え、前記配向膜
は、前記外周領域において、前記共通配線に電気的に接
続されている、液晶表示装置。 （９）前記画素配線は、前記スイッチング素子のゲート
に信号を与えるゲート配線であり、前記配向膜は前記ゲ
ート配線から絶縁された、（８）に記載の液晶表示装
置。 （１０）前記外周領域は、前記共通配線と、前記配向膜
との間に、絶縁膜を備え、前記配向膜と前記共通配線
は、前記絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接
続されている、（８）に記載の液晶表示装置。 （１１）前記外周領域は、前記ゲート配線及び前記共通
配線と、前記配向膜との間に、絶縁膜を備え、前記配向
膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された開口部を
介して電気的に接続されている、（９）に記載の液晶表
示装置。 （１２）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
配向膜と電気的に接続されている、（８）又は（９）に
記載の液晶表示装置。 （１３）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
開口部を通って前記配向膜と電気的に接続されている、
（１０）又は（１１）に記載の液晶表示装置。 （１４）前記導電体部は、前記共通配線を越えて形成さ
れ、前記配向膜は、前記導電体部に接触することにより
電気的に接続される、（１２）又は（１３）に記載の液
晶表示装置。
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、前記副画素部は、
前記液晶に電界を印加する画素電極配線及び共通電極配
線と、前記液晶の配列方向を制御する配向膜と、を備
え、前記画素電極配線は、前記スイッチング素子を介し
て画素電位が印加され、前記共通電極配線は、共通電位
が印加され、前記配向膜は、前記画素電極配線から絶縁
され、前記共通電極配線に電気的に接続された、液晶表
示装置。 （２）前記副画素部は、前記アレイ基板上に、前記画素
電極配線と、前記共通電極配線とを備え、前記画素電極
配線及び前記共通電極配線と、前記配向膜との間に、絶
縁膜を備え、前記共通電極配線と前記配向膜とは、前記
絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続されて
いる、（１）に記載の液晶表示装置。 （３）前記開口部は、前記共通電極配線と前記配向膜と
の間に形成された、（２）に記載の液晶表示装置。 （４）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に共通
電位を与える共通配線とを備え、前記開口部は、前記共
通配線と前記配向膜との間に形成されている、（２）に
記載の液晶表示装置。 （５）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記配
向膜と電気的に接続されている、（１）に記載の液晶表
示装置。 （６）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、前記導電体部は前記開
口部を通って前記配向膜に電気的に接続されている、
（２）に記載の液晶表示装置。 （７）前記導電体部は、前記共通電極配線を越えて形成
され、前記配向膜は、前記導電体部に接触することによ
り電気的に接続される、（５）又は（６）に記載の液晶
表示装置。 （８）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、複数の副画素部を
備える表示画面領域と、前記表示画面領域の外周に設け
られた外周領域とを備え、前記外周領域は、前記複数の
副画素部への接続配線を有し、前記接続配線は、前記副
画素部に共通電位を与える共通配線と、前記スイッチン
グ素子に信号を与える画素配線とを備え、前記配向膜
は、前記外周領域において、前記共通配線に電気的に接
続されている、液晶表示装置。 （９）前記画素配線は、前記スイッチング素子のゲート
に信号を与えるゲート配線であり、前記配向膜は前記ゲ
ート配線から絶縁された、（８）に記載の液晶表示装
置。 （１０）前記外周領域は、前記共通配線と、前記配向膜
との間に、絶縁膜を備え、前記配向膜と前記共通配線
は、前記絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接
続されている、（８）に記載の液晶表示装置。 （１１）前記外周領域は、前記ゲート配線及び前記共通
配線と、前記配向膜との間に、絶縁膜を備え、前記配向
膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された開口部を
介して電気的に接続されている、（９）に記載の液晶表
示装置。 （１２）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
配向膜と電気的に接続されている、（８）又は（９）に
記載の液晶表示装置。 （１３）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
開口部を通って前記配向膜と電気的に接続されている、
（１０）又は（１１）に記載の液晶表示装置。 （１４）前記導電体部は、前記共通配線を越えて形成さ
れ、前記配向膜は、前記導電体部に接触することにより
電気的に接続される、（１２）又は（１３）に記載の液
晶表示装置。
【図１】 本実施形態における、液晶セルを示す概略図
である。
である。
【図２】 本実施形態における、副画素部を示す概略図
である。
である。
【図３】 本実施形態における、副画素部を示す概略図
である。
である。
【図４】 本実施形態における、液晶セルの外周部を示
す概略図である。
す概略図である。
【図５】 本実施形態における、液晶セルの外周部を示
す概略図である。
す概略図である。
【図６】 本実施形態における、液晶セルの断面を示す
概略図である。
概略図である。
【図７】 従来技術における、副画素部を示す概略図で
ある。
ある。
【図８】 従来技術における、液晶セルの断面を示す該
略図である。
略図である。
１０１ 液晶セル、１０２ ＴＦＴアレイ基板、１０３
カラーフィルタ基板、１０４ 表示画素領域、１０５
表示画面外周領域、２０２コモン配線、２０３ ゲー
ト配線、２０４ ソース配線、２０５ 副画素部、２０
６ ＴＦＴ、２０７ソース電極、２０８ ドレイン電
極、２０９ チャネル、２１０ コモン電極、２１１
画素電極、２１２ 蓄積容量、２２０ コモン電位露出
部分、４０１ コモン電位露出部分、５０２ コモン配
線、５０３ ゲート配線、５０４ コモン電位供給配
線、５０５ コンタクトホール、５０６ 第３の導電
層、６０１ 偏光フィルム、６０２ バックライト、６
０４ ゲート絶縁膜、６０５ 保護膜、６０６ 配向
膜、６１０ 液晶、６１７ ブラックマトリクス、６１
８ カラーフィルタ、６１９ 保護膜、７０２ コモン
配線、７０３ ゲート配線、７０４ ソース配線、７０
５ 副画素部、７０６ ＴＦＴ、７０７ ソース電極、
７０８ ドレイン電極、７０９ チャネル、７１０ コ
モン電極、７１１ 画素電極、７１２ 蓄積容量、８０
１ 液晶セル、８０２ ＴＦＴアレイ基板、８１７ 表
示画素領域、８１９ コモン電位供給配線、８０４ゲー
ト絶縁膜、８０５ 保護膜、８０３ 対向基板、８１８
表示画面外周領域、８０７ ブラックマトリクス７、
８０８ カラーフィルタ、８１０ 液晶、８０６ 配向
膜、８１１ 偏光フィルム
カラーフィルタ基板、１０４ 表示画素領域、１０５
表示画面外周領域、２０２コモン配線、２０３ ゲー
ト配線、２０４ ソース配線、２０５ 副画素部、２０
６ ＴＦＴ、２０７ソース電極、２０８ ドレイン電
極、２０９ チャネル、２１０ コモン電極、２１１
画素電極、２１２ 蓄積容量、２２０ コモン電位露出
部分、４０１ コモン電位露出部分、５０２ コモン配
線、５０３ ゲート配線、５０４ コモン電位供給配
線、５０５ コンタクトホール、５０６ 第３の導電
層、６０１ 偏光フィルム、６０２ バックライト、６
０４ ゲート絶縁膜、６０５ 保護膜、６０６ 配向
膜、６１０ 液晶、６１７ ブラックマトリクス、６１
８ カラーフィルタ、６１９ 保護膜、７０２ コモン
配線、７０３ ゲート配線、７０４ ソース配線、７０
５ 副画素部、７０６ ＴＦＴ、７０７ ソース電極、
７０８ ドレイン電極、７０９ チャネル、７１０ コ
モン電極、７１１ 画素電極、７１２ 蓄積容量、８０
１ 液晶セル、８０２ ＴＦＴアレイ基板、８１７ 表
示画素領域、８１９ コモン電位供給配線、８０４ゲー
ト絶縁膜、８０５ 保護膜、８０３ 対向基板、８１８
表示画面外周領域、８０７ ブラックマトリクス７、
８０８ カラーフィルタ、８１０ 液晶、８０６ 配向
膜、８１１ 偏光フィルム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１２月１２日（２０００．１２．
１２）
１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 液晶表示装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
関し、特に、配向膜の電位が制御された液晶表示装置に
関するものである。
関し、特に、配向膜の電位が制御された液晶表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまで、様々なモードの液晶表示装置
が開発されている。例えば、ＴＮ（Twisted nematic）
モードやＶＡ（Vertical alignment、垂直配向）モード
と呼ばれるものである。ＴＮモードは、２枚のガラス基
板間に正の誘電異方性を有するネマティック液晶を封入
し、両基板上に形成された配向膜を用いて液晶の配列を
ねじる。この液晶に電界を印加することによって、液晶
の配列を垂直方向に制御し、透過光の偏光を利用して、
画面表示を行うものである。一方、ＶＡモードは、負の
誘電異方性を有する液晶を用いて、液晶がガラス基板に
垂直に立つ方向に配列させる。この液晶に電界を印加す
ることによって方向を傾け、光の透過を制御するもので
ある。
が開発されている。例えば、ＴＮ（Twisted nematic）
モードやＶＡ（Vertical alignment、垂直配向）モード
と呼ばれるものである。ＴＮモードは、２枚のガラス基
板間に正の誘電異方性を有するネマティック液晶を封入
し、両基板上に形成された配向膜を用いて液晶の配列を
ねじる。この液晶に電界を印加することによって、液晶
の配列を垂直方向に制御し、透過光の偏光を利用して、
画面表示を行うものである。一方、ＶＡモードは、負の
誘電異方性を有する液晶を用いて、液晶がガラス基板に
垂直に立つ方向に配列させる。この液晶に電界を印加す
ることによって方向を傾け、光の透過を制御するもので
ある。
【０００３】これらに対し、視野角特性の向上を図るた
めに開発されたモードとして、ＩＰＳ（In Plane switc
hing）と呼ばれる液晶表示装置が知られている。これ
は、ガラス基板に平行な平面内で液晶の方向を操作する
ことによって、光の透過を制御するものであり、液晶に
電界を印加する電極が、同一基板に形成された構造を有
する。図７は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶表示装
置の一例を示したものである。これは、ＴＦＴアレイ基
板上の表示画素領域にマトリクス状に配列された副画素
部の、１つの副画素部分の構成を示す図である。図７に
おいて、７０２は一方向に互いに平行に延在する複数対
のコモン配線、７０３は一方向に互いに平行に延在し、
コモン配線と平行に配列されたゲート配線である。
めに開発されたモードとして、ＩＰＳ（In Plane switc
hing）と呼ばれる液晶表示装置が知られている。これ
は、ガラス基板に平行な平面内で液晶の方向を操作する
ことによって、光の透過を制御するものであり、液晶に
電界を印加する電極が、同一基板に形成された構造を有
する。図７は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶表示装
置の一例を示したものである。これは、ＴＦＴアレイ基
板上の表示画素領域にマトリクス状に配列された副画素
部の、１つの副画素部分の構成を示す図である。図７に
おいて、７０２は一方向に互いに平行に延在する複数対
のコモン配線、７０３は一方向に互いに平行に延在し、
コモン配線と平行に配列されたゲート配線である。
【０００４】７０４は互いに平行に延在し、コモン配線
７０２およびゲート配線７０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。７０５は副画素部で
あって、コモン配線７０２とゲート配線７０３とソース
配線７０４とで囲まれる。７０６はスイッチング素子と
してのＴＦＴである。ＴＦＴ７０６は、ソース配線７０
４からゲート配線７０３に沿って延在するソース電極７
０７とドレイン電極７０８とを、一定のチャネル７０９
を隔てて互いに平行に配置して構成する。ゲート配線７
０３は、半導体層により形成されるチャネル７０９の下
に、絶縁膜（不図示）を介して形成されている。
７０２およびゲート配線７０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。７０５は副画素部で
あって、コモン配線７０２とゲート配線７０３とソース
配線７０４とで囲まれる。７０６はスイッチング素子と
してのＴＦＴである。ＴＦＴ７０６は、ソース配線７０
４からゲート配線７０３に沿って延在するソース電極７
０７とドレイン電極７０８とを、一定のチャネル７０９
を隔てて互いに平行に配置して構成する。ゲート配線７
０３は、半導体層により形成されるチャネル７０９の下
に、絶縁膜（不図示）を介して形成されている。
【０００５】２本のソース配線７０４に沿って、コモン
配線７０２から２本のコモン電極７１０が図面の下方向
に延び、一方、ＴＦＴ７０６のドレイン電極７０８は画
素電極７１１に接続されている。この画素電極７１１
は、２本のコモン電極７１０の中間でこれら２本のコモ
ン電極７１０と平行に上側に延びている。そして、一つ
の画素内に複数対の平行な電極を持つよう構成され、こ
れらの電極間の電界の大きさによって液晶の配向を制御
することで画素の明暗を作り出し、表示画面を提供して
いる。画素電極７１１にＴＦＴ７０６を介してソース配
線７０４から供給された電荷の一部は蓄積容量７１２に
保持される。
配線７０２から２本のコモン電極７１０が図面の下方向
に延び、一方、ＴＦＴ７０６のドレイン電極７０８は画
素電極７１１に接続されている。この画素電極７１１
は、２本のコモン電極７１０の中間でこれら２本のコモ
ン電極７１０と平行に上側に延びている。そして、一つ
の画素内に複数対の平行な電極を持つよう構成され、こ
れらの電極間の電界の大きさによって液晶の配向を制御
することで画素の明暗を作り出し、表示画面を提供して
いる。画素電極７１１にＴＦＴ７０６を介してソース配
線７０４から供給された電荷の一部は蓄積容量７１２に
保持される。
【０００６】なお、図７には示さないが、通常のＴＦＴ
液晶表示装置と同様に、上述した構成を持つＴＦＴアレ
イ基板と、これと所定の間隙をおいて互いに平行に配置
される対向基板の向かい合う面の表面にはそれぞれ配向
膜が形成され、これら２枚の基板の間に液晶が満たされ
ていることはいうまでもない。また、図７に示す部分
は、カラー表示を行う場合、１画素を構成するＲ、Ｇ、
Ｂの各１つの画素部分を示している。
液晶表示装置と同様に、上述した構成を持つＴＦＴアレ
イ基板と、これと所定の間隙をおいて互いに平行に配置
される対向基板の向かい合う面の表面にはそれぞれ配向
膜が形成され、これら２枚の基板の間に液晶が満たされ
ていることはいうまでもない。また、図７に示す部分
は、カラー表示を行う場合、１画素を構成するＲ、Ｇ、
Ｂの各１つの画素部分を示している。
【０００７】図８は、従来のＩＰＳモードのＴＦＴ液晶
表示装置における、液晶セルの構成を示す断面図であ
る。８０１は駆動回路から入力される画像情報を含む電
気信号を電気光学変換することにより、画像情報を画素
７０５の光透過率の情報として画面に表示する機能を持
つ液晶セルである。８０２はＴＦＴアレイ基板である。
駆動回路から入力された信号は、ゲート配線７０３とソ
ース配線７０４、および、ＴＦＴ７０６を介して画素電
極７１１に分配される。副画素７０５は、表示画素領域
８１７内にマトリクス状に配列されている。コモン電位
は、コモン電位供給配線８１９とコモン配線７０２を介
して、画素７０５内のコモン電極７１０に分配される。
表示装置における、液晶セルの構成を示す断面図であ
る。８０１は駆動回路から入力される画像情報を含む電
気信号を電気光学変換することにより、画像情報を画素
７０５の光透過率の情報として画面に表示する機能を持
つ液晶セルである。８０２はＴＦＴアレイ基板である。
駆動回路から入力された信号は、ゲート配線７０３とソ
ース配線７０４、および、ＴＦＴ７０６を介して画素電
極７１１に分配される。副画素７０５は、表示画素領域
８１７内にマトリクス状に配列されている。コモン電位
は、コモン電位供給配線８１９とコモン配線７０２を介
して、画素７０５内のコモン電極７１０に分配される。
【０００８】ＴＦＴアレイ基板８０２上には、ゲート絶
縁膜８０４や保護膜８０５が被覆されている。８０３は
対向基板である。対向基板８０３上には、画素７０５の
境界部分や表示画面外周領域８１８を遮光するブラック
マトリクス８０７と、光をＲＧＢの三原色に分離するカ
ラーフィルタ８０８と、保護膜８０９とが形成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板８０２と対向基板８０３とは所定
の間隙をおいて互いに平行に配置され、それらの間には
液晶８１０が封入されている。２つの基板の向かい合う
表面には、液晶８１０の初期配向を決める配向膜８０６
が形成されている。また、２つの基板の外側の表面には
偏光フィルム８１１が配置されている。
縁膜８０４や保護膜８０５が被覆されている。８０３は
対向基板である。対向基板８０３上には、画素７０５の
境界部分や表示画面外周領域８１８を遮光するブラック
マトリクス８０７と、光をＲＧＢの三原色に分離するカ
ラーフィルタ８０８と、保護膜８０９とが形成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板８０２と対向基板８０３とは所定
の間隙をおいて互いに平行に配置され、それらの間には
液晶８１０が封入されている。２つの基板の向かい合う
表面には、液晶８１０の初期配向を決める配向膜８０６
が形成されている。また、２つの基板の外側の表面には
偏光フィルム８１１が配置されている。
【０００９】コモン電極７１０と画素電極７１１に互い
に異なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界
を生じ、電界が、配向膜８０６によって電界と異なる方
向に初期配向を決められた液晶８１０に作用し、液晶の
配向が変化する。このとき、電界の大きさによって液晶
の配向の変化の仕方が変わる。液晶の配向変化によっ
て、バックライト８１２から発せられた光が偏光フィル
ム８１１を通り抜けて出てきた偏光が、液晶８１０層を
通り抜ける際に、偏光方向の変化が生じるので、もう一
方の偏光フィルム８１１を出射する光の強度を変化させ
ることができる。これらにより、電気信号の情報を光の
強度の情報に変化させることができる。
に異なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界
を生じ、電界が、配向膜８０６によって電界と異なる方
向に初期配向を決められた液晶８１０に作用し、液晶の
配向が変化する。このとき、電界の大きさによって液晶
の配向の変化の仕方が変わる。液晶の配向変化によっ
て、バックライト８１２から発せられた光が偏光フィル
ム８１１を通り抜けて出てきた偏光が、液晶８１０層を
通り抜ける際に、偏光方向の変化が生じるので、もう一
方の偏光フィルム８１１を出射する光の強度を変化させ
ることができる。これらにより、電気信号の情報を光の
強度の情報に変化させることができる。
【００１０】図７、８に示す従来のＩＰＳモードのＴＦ
Ｔ液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上の表示画素領域
において、液晶に電界を与えるための２つの電極すなわ
ち画素電極およびコモン電極と、液晶分子に初期配向を
与える配向膜との間に絶縁膜があり、配向膜は電気的に
浮いた状態である。また、対向基板上においても、この
基板上には電気抵抗の高い物質のみが形成されているた
め、それらの上に形成される配向膜は、やはり電気的に
浮いている。こうした電気的に絶縁された配向膜には、
配向膜を通り抜ける電界の向きに偏りがあることによ
り、電界の向きに対応した極性の不純物イオンが集まり
やすい。もともと配向膜にはイオンが吸着しやすいた
め、集まった不純物イオンに起因して、残像、焼き付き
などの画面表示不良を生じてしまう。
Ｔ液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上の表示画素領域
において、液晶に電界を与えるための２つの電極すなわ
ち画素電極およびコモン電極と、液晶分子に初期配向を
与える配向膜との間に絶縁膜があり、配向膜は電気的に
浮いた状態である。また、対向基板上においても、この
基板上には電気抵抗の高い物質のみが形成されているた
め、それらの上に形成される配向膜は、やはり電気的に
浮いている。こうした電気的に絶縁された配向膜には、
配向膜を通り抜ける電界の向きに偏りがあることによ
り、電界の向きに対応した極性の不純物イオンが集まり
やすい。もともと配向膜にはイオンが吸着しやすいた
め、集まった不純物イオンに起因して、残像、焼き付き
などの画面表示不良を生じてしまう。
【００１１】また、表示画素領域に近接する外周領域、
特にゲート配線から駆動回路への引き出しを行う領域に
おいては、ゲート配線の密度が他の領域に比較して高
い。そのため、画面内の平均電位に比べて平均電位が１
０Ｖ前後も低いゲート配線電位が支配的なため、配向膜
を通り抜ける電界が大きく、又、偏りがある。このた
め、その上に絶縁膜を介して形成される配向膜には、特
に不純物イオンが集まりやすいことを新たに見出した。
そのため、表示画面の周辺に沿っては、画素の電荷保持
特性の劣化が起こりやすく、これは表示ムラなどの原因
になる。なお、この領域についてはＩＰＳモードに限ら
ず、ＴＮモードやＶＡモードなどのあらゆるＴＦＴ液晶
表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が電気
的に絶縁されていることにより、同様の表示ムラ問題が
ある。
特にゲート配線から駆動回路への引き出しを行う領域に
おいては、ゲート配線の密度が他の領域に比較して高
い。そのため、画面内の平均電位に比べて平均電位が１
０Ｖ前後も低いゲート配線電位が支配的なため、配向膜
を通り抜ける電界が大きく、又、偏りがある。このた
め、その上に絶縁膜を介して形成される配向膜には、特
に不純物イオンが集まりやすいことを新たに見出した。
そのため、表示画面の周辺に沿っては、画素の電荷保持
特性の劣化が起こりやすく、これは表示ムラなどの原因
になる。なお、この領域についてはＩＰＳモードに限ら
ず、ＴＮモードやＶＡモードなどのあらゆるＴＦＴ液晶
表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が電気
的に絶縁されていることにより、同様の表示ムラ問題が
ある。
【００１２】上記の問題を解決する手段として、配向膜
と電極配線との間に絶縁膜を設けず、直接両者を接触さ
せることが、特開平１０−３０１１４１に開示されてい
る。しかし、この発明は、画素内において、画素電極と
共通電極の双方が配向膜と電気的に接続しているので、
画素電極に断線・短絡等の欠陥がある場合に大きな問題
となる。なぜなら、画素電極がゲート配線と接続した場
合に、配向膜にゲート電位が供給されてしまうからであ
る。又、本例は表示外周領域における、焼きつき・表示
ムラを防止する方法について一切の開示を行っていな
い。
と電極配線との間に絶縁膜を設けず、直接両者を接触さ
せることが、特開平１０−３０１１４１に開示されてい
る。しかし、この発明は、画素内において、画素電極と
共通電極の双方が配向膜と電気的に接続しているので、
画素電極に断線・短絡等の欠陥がある場合に大きな問題
となる。なぜなら、画素電極がゲート配線と接続した場
合に、配向膜にゲート電位が供給されてしまうからであ
る。又、本例は表示外周領域における、焼きつき・表示
ムラを防止する方法について一切の開示を行っていな
い。
【００１３】又、配向膜と絶縁膜に穴を設け、電極と液
晶を電気的に接続することが、特開平４−３５９２２２
に開示されている。しかし、この発明はアクティブ・マ
トリックス型の液晶表示装置に関するものではなく、上
記のような課題に関する知見が一切開示されていない。
晶を電気的に接続することが、特開平４−３５９２２２
に開示されている。しかし、この発明はアクティブ・マ
トリックス型の液晶表示装置に関するものではなく、上
記のような課題に関する知見が一切開示されていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上述し
た課題を解決することを目的とし、高品質かつ高信頼性
の画面表示を実現する液晶表示装置を得ることを一つの
目的とする。本発明の他の目的は、焼き付きや表示ムラ
の発生が抑えられる、液晶表示装置を得ることである。
た課題を解決することを目的とし、高品質かつ高信頼性
の画面表示を実現する液晶表示装置を得ることを一つの
目的とする。本発明の他の目的は、焼き付きや表示ムラ
の発生が抑えられる、液晶表示装置を得ることである。
【００１５】他の目的は、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、画素電極における断線、短絡等の欠
陥に左右されることなく、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、外周領域の不純物イオンに起因する
欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることである。他の
目的は、効率的に配向膜に共通電位を供給することがで
きる、液晶表示装置を得ることである。
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、画素電極における断線、短絡等の欠
陥に左右されることなく、配向膜における不純物イオン
に起因する欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることで
ある。他の目的は、外周領域の不純物イオンに起因する
欠陥を防止する、液晶表示装置を得ることである。他の
目的は、効率的に配向膜に共通電位を供給することがで
きる、液晶表示装置を得ることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
【００１７】本発明の液晶表示装置は、副画素部内にお
いて、配向膜に共通電位を供給する。好ましくは、配向
膜と共通電極配線との間に形成された絶縁膜に開口部を
形成し、その開口部を介して、配向膜と共通電極配線を
電気的に接続する。副画素部内において、画素電極配線
と配向膜とは絶縁されている。
いて、配向膜に共通電位を供給する。好ましくは、配向
膜と共通電極配線との間に形成された絶縁膜に開口部を
形成し、その開口部を介して、配向膜と共通電極配線を
電気的に接続する。副画素部内において、画素電極配線
と配向膜とは絶縁されている。
【００１８】好ましくは、開口部は共通配線と配向膜と
の間、もしくは、共通電極配線と配向膜との間に形成さ
れる。好ましくは、配向膜は導電体部を介して共通配線
と接続され、さらに好ましくは、導電体部は、前記共通
電極配線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触
することにより電気的に接続される。
の間、もしくは、共通電極配線と配向膜との間に形成さ
れる。好ましくは、配向膜は導電体部を介して共通配線
と接続され、さらに好ましくは、導電体部は、前記共通
電極配線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触
することにより電気的に接続される。
【００１９】本発明の他の液晶表示装置は、表示画面領
域の外周に設けられた外周領域において、配向膜に共通
電位が供給される。配向膜は外周領域においてゲート配
線から絶縁される。好ましくは、配向膜は絶縁層に設け
られた開口部を介して共通配線と電気的に接続される。
域の外周に設けられた外周領域において、配向膜に共通
電位が供給される。配向膜は外周領域においてゲート配
線から絶縁される。好ましくは、配向膜は絶縁層に設け
られた開口部を介して共通配線と電気的に接続される。
【００２０】さらに、好ましくは、配向膜は導電体部を
介して共通配線と接続される。導電体部は、前記共通配
線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触するこ
とにより電気的に接続される。尚、液晶表示装置は、液
晶セル、液晶モジュール、液晶ディスプレイ等の表示装
置を含むものである。
介して共通配線と接続される。導電体部は、前記共通配
線を越えて形成され、配向膜は、導電体部に接触するこ
とにより電気的に接続される。尚、液晶表示装置は、液
晶セル、液晶モジュール、液晶ディスプレイ等の表示装
置を含むものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、本実施形態におけるＩＰ
ＳモードＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セル１０１の全体
構造を示した概略図である。液晶セル１０１は、ＴＦＴ
アレイ基板１０２と、対向基板としてのカラーフィルタ
基板１０３とによって構成されている。図において、１
０４は、マトリックス状に配置された複数の副画素部か
ら構成される、表示画素領域である。この領域が、画面
の表示を行う。副画素部は、２つの基板のそれぞれの一
部によって挟まれた構成部である。１０５は、表示画素
領域１０４の周囲に形成された表示画面外周領域であ
る。ここには、表示画素領域１０４への配線等が形成さ
れ、画面表示には直接的に寄与しない。
ＳモードＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セル１０１の全体
構造を示した概略図である。液晶セル１０１は、ＴＦＴ
アレイ基板１０２と、対向基板としてのカラーフィルタ
基板１０３とによって構成されている。図において、１
０４は、マトリックス状に配置された複数の副画素部か
ら構成される、表示画素領域である。この領域が、画面
の表示を行う。副画素部は、２つの基板のそれぞれの一
部によって挟まれた構成部である。１０５は、表示画素
領域１０４の周囲に形成された表示画面外周領域であ
る。ここには、表示画素領域１０４への配線等が形成さ
れ、画面表示には直接的に寄与しない。
【００２２】図２と３とは、図１における表示画素領域
内に形成された副画素部であって、アレイ基板上におけ
る概略構成を示す、構成図である。カラー表示を行う場
合、１画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂの各１つの副画素部分
を示している。図において、２０２は一方向に互いに平
行に延在する複数対のコモン配線（共通配線）、２０３
は一方向に互いに平行に延在し、コモン配線と平行に配
列されたゲート配線である。
内に形成された副画素部であって、アレイ基板上におけ
る概略構成を示す、構成図である。カラー表示を行う場
合、１画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂの各１つの副画素部分
を示している。図において、２０２は一方向に互いに平
行に延在する複数対のコモン配線（共通配線）、２０３
は一方向に互いに平行に延在し、コモン配線と平行に配
列されたゲート配線である。
【００２３】２０４は互いに平行に延在し、コモン配線
２０２およびゲート配線２０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。２０５はアレイ基板
上における副画素部であって、コモン配線２０２とゲー
ト配線２０３とソース配線２０４とで囲まれる。２０６
はスイッチング素子としてのＴＦＴである。ＴＦＴ２０
６は、ソース配線２０４からゲート配線２０３に沿って
延在するソース電極２０７とドレイン電極２０８とを、
一定のチャネル２０９を隔てて互いに平行に配置して構
成する。ゲート配線２０３は、半導体層により形成され
るチャネル２０９の下に、絶縁膜（不図示）を介して形
成されている。
２０２およびゲート配線２０３とほぼ直交する方向に配
列された複数のソース配線である。２０５はアレイ基板
上における副画素部であって、コモン配線２０２とゲー
ト配線２０３とソース配線２０４とで囲まれる。２０６
はスイッチング素子としてのＴＦＴである。ＴＦＴ２０
６は、ソース配線２０４からゲート配線２０３に沿って
延在するソース電極２０７とドレイン電極２０８とを、
一定のチャネル２０９を隔てて互いに平行に配置して構
成する。ゲート配線２０３は、半導体層により形成され
るチャネル２０９の下に、絶縁膜（不図示）を介して形
成されている。
【００２４】２本のソース配線２０４に沿って、コモン
配線２０２から２本のコモン電極（共通電極配線）２１
０が図面の下方向に延び、一方、ＴＦＴ２０６のドレイ
ン電極２０８は画素電極（画素電極配線）２１１に接続
されており、この画素電極２１１は、２本のコモン電極
２１０の中間でこれら２本のコモン電極２１０と平行に
上側に延びている。そして、一つの副画素が、複数対の
平行な電極を持つよう構成され、これらの電極間の電界
の大きさによって液晶の配向を制御する。
配線２０２から２本のコモン電極（共通電極配線）２１
０が図面の下方向に延び、一方、ＴＦＴ２０６のドレイ
ン電極２０８は画素電極（画素電極配線）２１１に接続
されており、この画素電極２１１は、２本のコモン電極
２１０の中間でこれら２本のコモン電極２１０と平行に
上側に延びている。そして、一つの副画素が、複数対の
平行な電極を持つよう構成され、これらの電極間の電界
の大きさによって液晶の配向を制御する。
【００２５】画素電極２１１にＴＦＴ２０６を介してソ
ース配線２０４から供給された電荷の一部は蓄積容量２
１２に保持される。２２０はコモン電位露出部分であ
る。これは、配向膜（不図示）とコモン電極との間に形
成された絶縁膜に開口部を形成することにによって得ら
れる。コモン電極と配向膜は電気的に接続され、配向膜
にコモン電位が与えられる。具体的には、コモン電極お
よびコモン配線を被覆し、これらと配向膜との間を隔て
る、ゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜に穴を開けるな
どにより実現する。尚、蓄積容量２１２をゲート配線の
上に形成することも可能である。これにより、さらに容
量を大きくすることができる。コモン電極は、アルミニ
ウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、
やそれらの合金などで形成され、画素電極は、それらに
加えて、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などで形成され
る
ース配線２０４から供給された電荷の一部は蓄積容量２
１２に保持される。２２０はコモン電位露出部分であ
る。これは、配向膜（不図示）とコモン電極との間に形
成された絶縁膜に開口部を形成することにによって得ら
れる。コモン電極と配向膜は電気的に接続され、配向膜
にコモン電位が与えられる。具体的には、コモン電極お
よびコモン配線を被覆し、これらと配向膜との間を隔て
る、ゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜に穴を開けるな
どにより実現する。尚、蓄積容量２１２をゲート配線の
上に形成することも可能である。これにより、さらに容
量を大きくすることができる。コモン電極は、アルミニ
ウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、
やそれらの合金などで形成され、画素電極は、それらに
加えて、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などで形成され
る
【００２６】図４と５とは、本実施形態のＩＰＳモード
ＴＦＴ液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の表
示画面外周領域１０５を示す図である。図は、表示画素
領域１０４に近接する部分の概略構成を示す拡大図であ
る。図４において、５０２は表示画素領域１０４内のコ
モン配線２０２に接続され、駆動回路（不図示）から入
力された電位を供給するための共通配線の１つであるコ
モン配線、５０３は表示画素領域１０４内のゲート配線
２０３に接続され、駆動回路から電位を供給するための
ゲート配線である。
ＴＦＴ液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の表
示画面外周領域１０５を示す図である。図は、表示画素
領域１０４に近接する部分の概略構成を示す拡大図であ
る。図４において、５０２は表示画素領域１０４内のコ
モン配線２０２に接続され、駆動回路（不図示）から入
力された電位を供給するための共通配線の１つであるコ
モン配線、５０３は表示画素領域１０４内のゲート配線
２０３に接続され、駆動回路から電位を供給するための
ゲート配線である。
【００２７】５０４は、駆動回路から入力されたコモン
電位を全てのコモン配線５０２に分配供給するための共
通配線の１つである、コモン電位供給配線、５０５はコ
モン電位供給配線とコモン配線５０２とを接続するため
のコンタクトホールである。４０１はコモン電位露出部
分である。コモン配線を被覆しこれらと配向膜（不図
示）との間を隔てるゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜
に孔を開けるなどにより実現する。開口部を介して配向
膜とコモン配線が電気的に接続され、配向膜にコモン電
位を供給することができる。各配線と配向膜とは、絶縁
層によって絶縁されており、コモン電位露出部４０１に
おいてのみ接続されている。
電位を全てのコモン配線５０２に分配供給するための共
通配線の１つである、コモン電位供給配線、５０５はコ
モン電位供給配線とコモン配線５０２とを接続するため
のコンタクトホールである。４０１はコモン電位露出部
分である。コモン配線を被覆しこれらと配向膜（不図
示）との間を隔てるゲート絶縁膜や保護膜などの絶縁膜
に孔を開けるなどにより実現する。開口部を介して配向
膜とコモン配線が電気的に接続され、配向膜にコモン電
位を供給することができる。各配線と配向膜とは、絶縁
層によって絶縁されており、コモン電位露出部４０１に
おいてのみ接続されている。
【００２８】図４においては、コモン電位露出部分４０
１はコモン配線５０２上に設けられている。もちろん、
コモン電位供給配線５０４に露出部分を形成し、配向膜
にコモン電位を供給してもよい。図５においては、第３
の導電層５０６を介して配向膜にコモン電位が供給され
る。第３の導電層は、コモン電位供給配線５０４に接続
されている。この第３の導電層はコモン配線と同一の材
料や、その外の導電材料で形成することができる。この
第３の導電層と配向膜との間に絶縁層がある場合は、絶
縁層に開口部を設け、それを介して両者を電気的に接続
する。尚、外周領域１０５において、コモン電位供給配
線５０４や第３の導電層５０６と配向膜との間に、絶縁
膜を設けることなく接触させることも可能である。
１はコモン配線５０２上に設けられている。もちろん、
コモン電位供給配線５０４に露出部分を形成し、配向膜
にコモン電位を供給してもよい。図５においては、第３
の導電層５０６を介して配向膜にコモン電位が供給され
る。第３の導電層は、コモン電位供給配線５０４に接続
されている。この第３の導電層はコモン配線と同一の材
料や、その外の導電材料で形成することができる。この
第３の導電層と配向膜との間に絶縁層がある場合は、絶
縁層に開口部を設け、それを介して両者を電気的に接続
する。尚、外周領域１０５において、コモン電位供給配
線５０４や第３の導電層５０６と配向膜との間に、絶縁
膜を設けることなく接触させることも可能である。
【００２９】このように、他の配線部よりもを越えて広
がる第３の導電層を設けることにより、配向膜との電気
的接続をより確かなものにでき、さらに、露出部の数を
減らすことができる。尚、このコモン電位露出部分４０
１は、表示画面外周領域１０５内の全域にわたって設け
られる必要はなく、離散的な分布であってもよい。又、
この構造は通常のＴＦＴアレイ製造工程において、マス
クパターンを変形することによって製造することが可能
であり、ここでは特に説明を行わない。
がる第３の導電層を設けることにより、配向膜との電気
的接続をより確かなものにでき、さらに、露出部の数を
減らすことができる。尚、このコモン電位露出部分４０
１は、表示画面外周領域１０５内の全域にわたって設け
られる必要はなく、離散的な分布であってもよい。又、
この構造は通常のＴＦＴアレイ製造工程において、マス
クパターンを変形することによって製造することが可能
であり、ここでは特に説明を行わない。
【００３０】図６は、本実施形態における、ＩＰＳモー
ドＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セルの構成を示す断面図
である。１０２はＴＦＴアレイ基板である。コモン電位
供給配線５０４には第三の導電層５０６が接続されてい
る。ＴＦＴアレイ基板１０２上にはゲート絶縁膜６０４
や保護膜６０５が被覆されている。コモン電極２１０上
や、第三の導電層５０６上には、ゲート絶縁膜６０４や
保護膜６０５の被覆の開口部があり、コモン電位露出部
分２２０または４０１が設けられている。なお、ゲート
絶縁膜６０４や保護膜６０５は、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、チタン酸化膜、アルミ酸化膜、アクリル樹
脂膜、その他有機高分子膜などであり、厚さは数百ｎｍ
から数μｍ程度である。
ドＴＦＴ液晶表示装置の、液晶セルの構成を示す断面図
である。１０２はＴＦＴアレイ基板である。コモン電位
供給配線５０４には第三の導電層５０６が接続されてい
る。ＴＦＴアレイ基板１０２上にはゲート絶縁膜６０４
や保護膜６０５が被覆されている。コモン電極２１０上
や、第三の導電層５０６上には、ゲート絶縁膜６０４や
保護膜６０５の被覆の開口部があり、コモン電位露出部
分２２０または４０１が設けられている。なお、ゲート
絶縁膜６０４や保護膜６０５は、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、チタン酸化膜、アルミ酸化膜、アクリル樹
脂膜、その他有機高分子膜などであり、厚さは数百ｎｍ
から数μｍ程度である。
【００３１】また、副画素内のコモン電極露出部分２２
０の大きさは、好ましくは数十平方μｍから数百平方μ
ｍ程度である。外周領域のコモン電極露出部分４０１の
大きさは、好ましくは、数十平方μｍから数万平方μｍ
程度である。対向基板１０３には、画素２０５の境界部
分や表示画面外周領域１０５を遮光する機能を持つブラ
ックマトリクス６１７と、光をＲＧＢの三原色に分離す
る機能を持つカラーフィルタ６１８と、保護膜６０９と
が形成されている。
０の大きさは、好ましくは数十平方μｍから数百平方μ
ｍ程度である。外周領域のコモン電極露出部分４０１の
大きさは、好ましくは、数十平方μｍから数万平方μｍ
程度である。対向基板１０３には、画素２０５の境界部
分や表示画面外周領域１０５を遮光する機能を持つブラ
ックマトリクス６１７と、光をＲＧＢの三原色に分離す
る機能を持つカラーフィルタ６１８と、保護膜６０９と
が形成されている。
【００３２】ＴＦＴアレイ基板１０２と対向基板１０３
とは所定の間隙をおいて互いに平行に配置され、それら
の間には液晶６１０が封入されている。２つの基板の向
かい合う表面には、液晶６１０の初期配向を決める配向
膜６０６が形成されている。また、２つの基板の外側の
表面には偏光フィルム６０１が配置されている。６０２
はバックライトである。
とは所定の間隙をおいて互いに平行に配置され、それら
の間には液晶６１０が封入されている。２つの基板の向
かい合う表面には、液晶６１０の初期配向を決める配向
膜６０６が形成されている。また、２つの基板の外側の
表面には偏光フィルム６０１が配置されている。６０２
はバックライトである。
【００３３】動作について説明する。ＴＦＴアレイ基板
１０２上に、駆動回路（不図示）から、画像情報を含む
電気信号、すなわち走査信号と映像信号が入力される。
これら画像信号は、外周領域１０５に形成された配線を
介して表示領域１０４の副画素２０５に送られる。ゲー
ト配線５０３から走査信号が入力され、副画素内のゲー
ト配線２０３を通って、ＴＦＴ２０６のゲート制御を行
う。ソース配線２０４入力された信号は、ＴＦＴ２０６
を介して表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列さ
れた画素２０５内の画素電極２１１に与えられる。
１０２上に、駆動回路（不図示）から、画像情報を含む
電気信号、すなわち走査信号と映像信号が入力される。
これら画像信号は、外周領域１０５に形成された配線を
介して表示領域１０４の副画素２０５に送られる。ゲー
ト配線５０３から走査信号が入力され、副画素内のゲー
ト配線２０３を通って、ＴＦＴ２０６のゲート制御を行
う。ソース配線２０４入力された信号は、ＴＦＴ２０６
を介して表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列さ
れた画素２０５内の画素電極２１１に与えられる。
【００３４】また、コモン電位は、外周領域１０５のコ
モン電位供給配線５０４に入力され、コモン配線５０２
と、副画素内のコモン配線２０２を介して、画素２０５
内のコモン電極２１０に分配される。又、コモン電位供
給配線５０４に接続された第三の導電層５０６にも供給
される。コモン電極２１０と画素電極２１１に互いに異
なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界を生
じ、電界が、配向膜６０６によって電界と異なる方向に
初期配向を決められた液晶６１０に作用し、液晶の配向
が変化する。
モン電位供給配線５０４に入力され、コモン配線５０２
と、副画素内のコモン配線２０２を介して、画素２０５
内のコモン電極２１０に分配される。又、コモン電位供
給配線５０４に接続された第三の導電層５０６にも供給
される。コモン電極２１０と画素電極２１１に互いに異
なる電位が与えられることで、２つの電極間に電界を生
じ、電界が、配向膜６０６によって電界と異なる方向に
初期配向を決められた液晶６１０に作用し、液晶の配向
が変化する。
【００３５】画素電極には、コモン電極電位に近い電位
を中心とする所定振幅の電圧が与えられる。例えば、Vc
+ Va が与えられた次のフレームには、Vc - Va が与え
られる。Vc は電圧中心であり、Vcom（コモン電位）に
近い電圧、もしくは、ほぼ同様の電圧である。具体的に
は、例えば、Vc = 10V, Va = 0〜8V, Vcom = 9.5Vの電
圧が印加される。このとき、Va の大きさによって画素
の光透過率が変わる。ノーマリー・ブラックモードで
は、大きいときに明るくなる。コモン電位は画面内の平
均電位に極めて近い値となる。又、ゲート配線に与えら
れるゲート電位は、平均するとコモン電位の-10V程度の
電位が与えられる。尚、コモン電位は常に一定に保たれ
ているとは限らず、所定の平均電位を有する交流の電位
を与えることも可能である。
を中心とする所定振幅の電圧が与えられる。例えば、Vc
+ Va が与えられた次のフレームには、Vc - Va が与え
られる。Vc は電圧中心であり、Vcom（コモン電位）に
近い電圧、もしくは、ほぼ同様の電圧である。具体的に
は、例えば、Vc = 10V, Va = 0〜8V, Vcom = 9.5Vの電
圧が印加される。このとき、Va の大きさによって画素
の光透過率が変わる。ノーマリー・ブラックモードで
は、大きいときに明るくなる。コモン電位は画面内の平
均電位に極めて近い値となる。又、ゲート配線に与えら
れるゲート電位は、平均するとコモン電位の-10V程度の
電位が与えられる。尚、コモン電位は常に一定に保たれ
ているとは限らず、所定の平均電位を有する交流の電位
を与えることも可能である。
【００３６】配向膜６０６に、表示画素領域１０４にお
いてはコモン電位露出部分２２０で、表示画面外周領域
１０５においてはコモン電位露出部分４０１で、それぞ
れ画面の平均電位とほぼ一致するコモン電位が与えられ
るため、これらの近傍では配向膜を通り抜ける向きの偏
った電界の効果を打ち消すことができる。この結果とし
て、配向膜６０６に不純物イオンが集まることを防止す
ることができる。
いてはコモン電位露出部分２２０で、表示画面外周領域
１０５においてはコモン電位露出部分４０１で、それぞ
れ画面の平均電位とほぼ一致するコモン電位が与えられ
るため、これらの近傍では配向膜を通り抜ける向きの偏
った電界の効果を打ち消すことができる。この結果とし
て、配向膜６０６に不純物イオンが集まることを防止す
ることができる。
【００３７】以上のように、本実施の形態においては、
画面内の平均電位とほぼ一致するコモン電位が、コモン
電位露出部分を介して配向膜に供給されるので、不純物
イオンが配向膜表面または内部に残留することを防ぐこ
とができ、その結果、不純物イオンによって生じる画面
表示不良や劣化を防止することができる。
画面内の平均電位とほぼ一致するコモン電位が、コモン
電位露出部分を介して配向膜に供給されるので、不純物
イオンが配向膜表面または内部に残留することを防ぐこ
とができ、その結果、不純物イオンによって生じる画面
表示不良や劣化を防止することができる。
【００３８】本実施例では、副画素内の画素電極と配向
膜とは電気的に絶縁されている。これは、画素電極と配
向膜が接続されていると、画素電極に断線や短絡が生じ
た場合に、問題が生ずるからである。特に、画素電極と
ゲート配線が短絡する場合が問題となる。なぜなら、画
素電極と配向膜が接続されていると、ゲート配線と配向
膜が画素電極を介して接続されて、配向膜の電位が画面
内の平均電位よりも大きく下がることによって、不純物
イオンが集まってしまうからである。
膜とは電気的に絶縁されている。これは、画素電極と配
向膜が接続されていると、画素電極に断線や短絡が生じ
た場合に、問題が生ずるからである。特に、画素電極と
ゲート配線が短絡する場合が問題となる。なぜなら、画
素電極と配向膜が接続されていると、ゲート配線と配向
膜が画素電極を介して接続されて、配向膜の電位が画面
内の平均電位よりも大きく下がることによって、不純物
イオンが集まってしまうからである。
【００３９】また、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜が、コ
モン電位露出部分を介してコモン配線と接続されること
によって、表示画素領域の全面の配向膜がほぼ同一電位
に保たれることから、製造工程や最終製品使用時におけ
る静電気帯電によって生じる画面表示不良や劣化を防止
することができる。
モン電位露出部分を介してコモン配線と接続されること
によって、表示画素領域の全面の配向膜がほぼ同一電位
に保たれることから、製造工程や最終製品使用時におけ
る静電気帯電によって生じる画面表示不良や劣化を防止
することができる。
【００４０】なお、本実施例においては、幾多の変形、
変更が可能である。例えば、図２に示す例では、コモン
電位露出部分２２０をコモン電極２１０上のほとんど全
ての領域に設けたが、図３に示す例のように、コモン電
極２１０またはコモン配線２０２上の狭く限られた領域
に設けてもよい。また、このコモン電位露出部分２２０
は、表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列された
全ての副画素のそれぞれの中に設けられる必要もなく、
離散的な分布であってもよい。
変更が可能である。例えば、図２に示す例では、コモン
電位露出部分２２０をコモン電極２１０上のほとんど全
ての領域に設けたが、図３に示す例のように、コモン電
極２１０またはコモン配線２０２上の狭く限られた領域
に設けてもよい。また、このコモン電位露出部分２２０
は、表示画素領域１０４内にマトリクス状に配列された
全ての副画素のそれぞれの中に設けられる必要もなく、
離散的な分布であってもよい。
【００４１】また、本発明はＩＰＳモードのＴＦＴ液晶
表示装置にのみ適用されるものではなく、ＴＮモードや
ＶＡモードといったコモン電極が対向基板上に設けられ
た場合にも適用できる。一般に、表示画面外周領域１０
５においては、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜は電気的に
浮いていることから、本発明の適用対象となり得る。コ
モン電極が対向基板上に設けられた場合には、コモン電
位はＴＦＴアレイ基板上に駆動回路から入力され、トラ
ンスファを介して対向基板上のコモン電極に供給される
ため、アレイ基板上の配向膜と共通配線とを容易に接続
することができる。
表示装置にのみ適用されるものではなく、ＴＮモードや
ＶＡモードといったコモン電極が対向基板上に設けられ
た場合にも適用できる。一般に、表示画面外周領域１０
５においては、ＴＦＴアレイ基板上の配向膜は電気的に
浮いていることから、本発明の適用対象となり得る。コ
モン電極が対向基板上に設けられた場合には、コモン電
位はＴＦＴアレイ基板上に駆動回路から入力され、トラ
ンスファを介して対向基板上のコモン電極に供給される
ため、アレイ基板上の配向膜と共通配線とを容易に接続
することができる。
【００４２】本発明のまとめとして、以下に開示する。 （１）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、前記副画素部は、
前記液晶に電界を印加する画素電極配線及び共通電極配
線と、前記液晶の配列方向を制御する配向膜と、を備
え、前記画素電極配線は、前記スイッチング素子を介し
て画素電位が印加され、前記共通電極配線は、共通電位
が印加され、前記配向膜は、前記画素電極配線から絶縁
され、前記共通電極配線に電気的に接続された、液晶表
示装置。 （２）前記副画素部は、前記アレイ基板上に、前記画素
電極配線と、前記共通電極配線とを備え、前記画素電極
配線及び前記共通電極配線と、前記配向膜との間に、絶
縁膜を備え、前記共通電極配線と前記配向膜とは、前記
絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続されて
いる、（１）に記載の液晶表示装置。 （３）前記開口部は、前記共通電極配線と前記配向膜と
の間に形成された、（２）に記載の液晶表示装置。 （４）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に共通
電位を与える共通配線とを備え、前記開口部は、前記共
通配線と前記配向膜との間に形成されている、（２）に
記載の液晶表示装置。 （５）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記配
向膜と電気的に接続されている、（１）に記載の液晶表
示装置。 （６）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、前記導電体部は前記開
口部を通って前記配向膜に電気的に接続されている、
（２）に記載の液晶表示装置。 （７）前記導電体部は、前記共通電極配線を越えて形成
され、前記配向膜は、前記導電体部に接触することによ
り電気的に接続される、（５）又は（６）に記載の液晶
表示装置。 （８）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、複数の副画素部を
備える表示画面領域と、前記表示画面領域の外周に設け
られた外周領域とを備え、前記外周領域は、前記複数の
副画素部への接続配線を有し、前記接続配線は、前記副
画素部に共通電位を与える共通配線と、前記スイッチン
グ素子に信号を与える画素配線とを備え、前記配向膜
は、前記外周領域において、前記共通配線に電気的に接
続されている、液晶表示装置。 （９）前記画素配線は、前記スイッチング素子のゲート
に信号を与えるゲート配線であり、前記配向膜は前記ゲ
ート配線から絶縁された、（８）に記載の液晶表示装
置。 （１０）前記外周領域は、前記共通配線と、前記配向膜
との間に、絶縁膜を備え、前記配向膜と前記共通配線
は、前記絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接
続されている、（８）に記載の液晶表示装置。 （１１）前記外周領域は、前記ゲート配線及び前記共通
配線と、前記配向膜との間に、絶縁膜を備え、前記配向
膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された開口部を
介して電気的に接続されている、（９）に記載の液晶表
示装置。 （１２）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
配向膜と電気的に接続されている、（８）又は（９）に
記載の液晶表示装置。 （１３）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
開口部を通って前記配向膜と電気的に接続されている、
（１０）又は（１１）に記載の液晶表示装置。 （１４）前記導電体部は、前記共通配線を越えて形成さ
れ、前記配向膜は、前記導電体部に接触することにより
電気的に接続される、（１２）又は（１３）に記載の液
晶表示装置。
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、前記副画素部は、
前記液晶に電界を印加する画素電極配線及び共通電極配
線と、前記液晶の配列方向を制御する配向膜と、を備
え、前記画素電極配線は、前記スイッチング素子を介し
て画素電位が印加され、前記共通電極配線は、共通電位
が印加され、前記配向膜は、前記画素電極配線から絶縁
され、前記共通電極配線に電気的に接続された、液晶表
示装置。 （２）前記副画素部は、前記アレイ基板上に、前記画素
電極配線と、前記共通電極配線とを備え、前記画素電極
配線及び前記共通電極配線と、前記配向膜との間に、絶
縁膜を備え、前記共通電極配線と前記配向膜とは、前記
絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続されて
いる、（１）に記載の液晶表示装置。 （３）前記開口部は、前記共通電極配線と前記配向膜と
の間に形成された、（２）に記載の液晶表示装置。 （４）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に共通
電位を与える共通配線とを備え、前記開口部は、前記共
通配線と前記配向膜との間に形成されている、（２）に
記載の液晶表示装置。 （５）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記配
向膜と電気的に接続されている、（１）に記載の液晶表
示装置。 （６）前記副画素部はさらに、前記共通電極配線に電気
的に接続された導電体部を有し、前記導電体部は前記開
口部を通って前記配向膜に電気的に接続されている、
（２）に記載の液晶表示装置。 （７）前記導電体部は、前記共通電極配線を越えて形成
され、前記配向膜は、前記導電体部に接触することによ
り電気的に接続される、（５）又は（６）に記載の液晶
表示装置。 （８）スイッチング素子を有する副画素部がマトリック
ス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向
する対向基板と、前記２つの基板の間に封入された液晶
と、を有する液晶表示装置であって、複数の副画素部を
備える表示画面領域と、前記表示画面領域の外周に設け
られた外周領域とを備え、前記外周領域は、前記複数の
副画素部への接続配線を有し、前記接続配線は、前記副
画素部に共通電位を与える共通配線と、前記スイッチン
グ素子に信号を与える画素配線とを備え、前記配向膜
は、前記外周領域において、前記共通配線に電気的に接
続されている、液晶表示装置。 （９）前記画素配線は、前記スイッチング素子のゲート
に信号を与えるゲート配線であり、前記配向膜は前記ゲ
ート配線から絶縁された、（８）に記載の液晶表示装
置。 （１０）前記外周領域は、前記共通配線と、前記配向膜
との間に、絶縁膜を備え、前記配向膜と前記共通配線
は、前記絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接
続されている、（８）に記載の液晶表示装置。 （１１）前記外周領域は、前記ゲート配線及び前記共通
配線と、前記配向膜との間に、絶縁膜を備え、前記配向
膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された開口部を
介して電気的に接続されている、（９）に記載の液晶表
示装置。 （１２）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
配向膜と電気的に接続されている、（８）又は（９）に
記載の液晶表示装置。 （１３）前記外周領域はさらに、前記共通電極配線に電
気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は前記
開口部を通って前記配向膜と電気的に接続されている、
（１０）又は（１１）に記載の液晶表示装置。 （１４）前記導電体部は、前記共通配線を越えて形成さ
れ、前記配向膜は、前記導電体部に接触することにより
電気的に接続される、（１２）又は（１３）に記載の液
晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施形態における、液晶セルを示す概略図
である。
である。
【図２】 本実施形態における、副画素部を示す概略図
である。
である。
【図３】 本実施形態における、副画素部を示す概略図
である。
である。
【図４】 本実施形態における、液晶セルの外周部を示
す概略図である。
す概略図である。
【図５】 本実施形態における、液晶セルの外周部を示
す概略図である。
す概略図である。
【図６】 本実施形態における、液晶セルの断面を示す
概略図である。
概略図である。
【図７】 従来技術における、副画素部を示す概略図で
ある。
ある。
【図８】 従来技術における、液晶セルの断面を示す該
略図である。
略図である。
【符号の説明】 １０１ 液晶セル、１０２ ＴＦＴアレイ基板、１０３
カラーフィルタ基板、１０４ 表示画素領域、１０５
表示画面外周領域、２０２コモン配線、２０３ ゲー
ト配線、２０４ ソース配線、２０５ 副画素部、２０
６ ＴＦＴ、２０７ソース電極、２０８ ドレイン電
極、２０９ チャネル、２１０ コモン電極、２１１
画素電極、２１２ 蓄積容量、２２０ コモン電位露出
部分、４０１ コモン電位露出部分、５０２ コモン配
線、５０３ ゲート配線、５０４ コモン電位供給配
線、５０５ コンタクトホール、５０６ 第３の導電
層、６０１ 偏光フィルム、６０２ バックライト、６
０４ ゲート絶縁膜、６０５ 保護膜、６０６ 配向
膜、６１０ 液晶、６１７ ブラックマトリクス、６１
８ カラーフィルタ、６１９ 保護膜、７０２ コモン
配線、７０３ ゲート配線、７０４ ソース配線、７０
５ 副画素部、７０６ ＴＦＴ、７０７ ソース電極、
７０８ ドレイン電極、７０９ チャネル、７１０ コ
モン電極、７１１ 画素電極、７１２ 蓄積容量、８０
１ 液晶セル、８０２ ＴＦＴアレイ基板、８１７ 表
示画素領域、８１９ コモン電位供給配線、８０４ゲー
ト絶縁膜、８０５ 保護膜、８０３ 対向基板、８１８
表示画面外周領域、８０７ ブラックマトリクス７、
８０８ カラーフィルタ、８１０ 液晶、８０６ 配向
膜、８１１ 偏光フィルム
カラーフィルタ基板、１０４ 表示画素領域、１０５
表示画面外周領域、２０２コモン配線、２０３ ゲー
ト配線、２０４ ソース配線、２０５ 副画素部、２０
６ ＴＦＴ、２０７ソース電極、２０８ ドレイン電
極、２０９ チャネル、２１０ コモン電極、２１１
画素電極、２１２ 蓄積容量、２２０ コモン電位露出
部分、４０１ コモン電位露出部分、５０２ コモン配
線、５０３ ゲート配線、５０４ コモン電位供給配
線、５０５ コンタクトホール、５０６ 第３の導電
層、６０１ 偏光フィルム、６０２ バックライト、６
０４ ゲート絶縁膜、６０５ 保護膜、６０６ 配向
膜、６１０ 液晶、６１７ ブラックマトリクス、６１
８ カラーフィルタ、６１９ 保護膜、７０２ コモン
配線、７０３ ゲート配線、７０４ ソース配線、７０
５ 副画素部、７０６ ＴＦＴ、７０７ ソース電極、
７０８ ドレイン電極、７０９ チャネル、７１０ コ
モン電極、７１１ 画素電極、７１２ 蓄積容量、８０
１ 液晶セル、８０２ ＴＦＴアレイ基板、８１７ 表
示画素領域、８１９ コモン電位供給配線、８０４ゲー
ト絶縁膜、８０５ 保護膜、８０３ 対向基板、８１８
表示画面外周領域、８０７ ブラックマトリクス７、
８０８ カラーフィルタ、８１０ 液晶、８０６ 配向
膜、８１１ 偏光フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 伸一 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 草深 薫 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 清水 栄寿 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 Ｆターム(参考） 2H090 HD11 LA01 LA04 MA02 MA07 2H092 GA59 JA24 JA46 JB05 JB13 JB32 JB33 JB56 NA01 NA11 PA02
Claims (14)
- 【請求項１】スイッチング素子を有する副画素部がマト
リックス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板
と対向する対向基板と、前記２つの基板の間に封入され
た液晶と、を有する液晶表示装置であって、 前記副画素部は、 前記液晶に電界を印加する画素電極配線及び共通電極配
線と、 前記液晶の配列方向を制御する配向膜と、を備え、 前記画素電極配線は、前記スイッチング素子を介して画
素電位が印加され、 前記共通電極配線は、共通電位が印加され、 前記配向膜は、前記画素電極配線から絶縁され、前記共
通電極配線に電気的に接続された、液晶表示装置。 - 【請求項２】前記副画素部は、 前記アレイ基板上に、前記画素電極配線と、前記共通電
極配線とを備え、 前記画素電極配線及び前記共通電極配線と、前記配向膜
との間に、絶縁膜を備え、 前記共通電極配線と前記配向膜とは、前記絶縁膜に形成
された開口部を介して電気的に接続されている、請求項
１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記開口部は、前記共通電極配線と前記配
向膜との間に形成された、請求項２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】前記副画素部はさらに、前記共通電極配線
に共通電位を与える共通配線とを備え、前記開口部は、
前記共通配線と前記配向膜との間に形成されている、請
求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記副画素部はさらに、前記共通電極配線
に電気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部は
前記配向膜と電気的に接続されている、請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項６】前記副画素部はさらに、前記共通電極配線
に電気的に接続された導電体部を有し、前記導電体部は
前記開口部を通って前記配向膜に電気的に接続されてい
る、請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】前記導電体部は、前記共通電極配線を越え
て形成され、前記配向膜は、前記導電体部に接触するこ
とにより電気的に接続される、請求項５又は６に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項８】スイッチング素子を有する副画素部がマト
リックス状に配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板
と対向する対向基板と、前記２つの基板の間に封入され
た液晶と、を有する液晶表示装置であって、 複数の副画素部を備える表示画面領域と、前記表示画面
領域の外周に設けられた外周領域とを備え、 前記外周領域は、前記複数の副画素部への接続配線を有
し、 前記接続配線は、前記副画素部に共通電位を与える共通
配線と、前記スイッチング素子に信号を与える画素配線
とを備え、 前記配向膜は、前記外周領域において、前記共通配線に
電気的に接続されている、液晶表示装置。 - 【請求項９】前記画素配線は、前記スイッチング素子の
ゲートに信号を与えるゲート配線であり、前記配向膜は
前記ゲート配線から絶縁された、請求項８に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１０】前記外周領域は、前記共通配線と、前記
配向膜との間に、絶縁膜を備え、 前記配向膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された
開口部を介して電気的に接続されている、請求項８に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記外周領域は、前記ゲート配線及び前
記共通配線と、前記配向膜との間に、絶縁膜を備え、 前記配向膜と前記共通配線は、前記絶縁膜に形成された
開口部を介して電気的に接続されている、請求項９に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】前記外周領域はさらに、前記共通電極配
線に電気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部
は前記配向膜と電気的に接続されている、請求項８又は
９に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】前記外周領域はさらに、前記共通電極配
線に電気的に接続された導電体部を有し、当該導電体部
は前記開口部を通って前記配向膜と電気的に接続されて
いる、請求項１０又は１１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】前記導電体部は、前記共通配線を越えて
形成され、前記配向膜は、前記導電体部に接触すること
により電気的に接続される、請求項１２又は１３に記載
の液晶表示装置。
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| JP2000075565A JP3542023B2 (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-17 | 液晶表示装置 |
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| KR1020010009722A KR100355403B1 (ko) | 2000-03-16 | 2001-02-26 | 액정 표시 장치 |
| US09/802,689 US6704084B2 (en) | 2000-03-16 | 2001-03-09 | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000074608 | 2000-03-16 | ||
| JP2000-74608 | 2000-03-16 | ||
| JP2000075565A JP3542023B2 (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-17 | 液晶表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001330841A true JP2001330841A (ja) | 2001-11-30 |
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ID=26587712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3542023B2 (ja) |
| KR (1) | KR100355403B1 (ja) |
| TW (1) | TW507105B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019021A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Ecran a cristaux liquides |
| CN100397161C (zh) * | 2004-04-30 | 2008-06-25 | 富士通株式会社 | 具有改善的视角特性的液晶显示器 |
| JP2015118189A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及び電子機器 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100959367B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치 |
| JP2006015271A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法 |
| JP4361844B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2009-11-11 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4111195B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスとその製造方法及び電気光学装置とその製造方法並びに電子機器 |
| JP5477523B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2014-04-23 | 三国電子有限会社 | 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置 |
| KR101108158B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN102043295B (zh) * | 2009-12-25 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
| CN102998856B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103226269B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板、显示装置及电子器件 |
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| CN111856825B (zh) * | 2020-07-28 | 2023-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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