JP2001320166A - 配線基板用検査板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度化への対応が好適に行え、導体突起を
均一な高さで形成することができる配線基板用検査板の
製造方法を提供する。 【解決手段】 配線基板の検査ポイントに対応する複数
の導体突起２４ａが、略同じ高さで検査面に立設される
と共に、その導体突起２４ａが配線パターン２２に接続
されて導通検査が行えるようにしてある配線基板用検査
板の製造方法において、前記導体突起２４ａの立設位置
を含む略全面に、前記導体突起２４ａを構成する金属の
メッキ層２４を形成した後、そのメッキ層２４の前記導
体突起２４ａを形成する表面部分にマスク層２５を形成
し、次いで、そのメッキ層２４のエッチングを行ってか
ら前記マスク層２５を除去する導体突起２４ａの形成工
程を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種配線基板の検
査ポイントに対応する複数の導体突起が、略同じ高さで
検査面に立設されると共に、その導体突起が配線パター
ンに接続されて導通検査が行えるようにしてある配線基
板用検査板（検査プローブ）の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、各種配線基板のパターン配線
の電気的接続状況を検査するための検査方法としては、
配線基板の検査ポイントに対応して導体突起が立設した
検査板を検査プローブとして使用し、検査ポイント間等
の導通状態を計測する方法が実施されていた。その際、
使用される検査板としては、配線基板の検査ポイントに
対応して、スプリング付プローブピンやメッキで形成し
た導体突起が検査板上の検査面に立設され、その部分か
ら検査板の端辺へ配線パターンにより配線されたものが
存在した。

【０００３】上記のうち、メッキで導体突起を形成した
検査板の方が、構造が簡単なため、配線基板の高密度化
に対応し易いという利点がある。そして、メッキで導体
突起を形成する方法としては、後の工程で除去可能な絶
縁層に導電層を底面とする柱状凹部を形成し、その柱状
凹部に銅等の金属を電解メッキして導体突起を形成した
後、導体突起の周囲の絶縁層を除去する方法が知られて
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、柱状凹部が貫通孔でないため、メッキ液の拡
散等の問題から柱状凹部の小径化には限界があり、外径
１００μｍ未満の導体突起を形成するのは困難であっ
た。また、個々の柱状凹部のメッキ層の成長速度で導体
突起の高さが決まるため、形成される導体突起の高さを
均一に制御するのも容易ではなかった。更に、柱状凹部
へのメッキのため電流密度が高められず、導体突起の形
成速度も不十分であった。

【０００５】また、特開平７−２６０８６１号公報に
は、貫通孔の内壁及び基板面にメッキして、メッキスル
ホールとスルホールランドを形成し、当該スルホールラ
ンドを接続ポイントとして利用する検査板が開示されて
いる。しかし、貫通孔のためメッキスルホール自体はか
なり小径に形成できるものの、スルホールランドは外径
１００μｍを越えるものになり、高密度化への対応に限
界があった。

【０００６】そこで、本発明の目的は、高密度化への対
応が好適に行え、導体突起を均一な高さで形成すること
ができる配線基板用検査板の製造方法を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の如き
本発明により達成できる。即ち、本発明の製造方法は、
配線基板の検査ポイントに対応する複数の導体突起が、
略同じ高さで検査面に立設されると共に、その導体突起
が配線パターンに接続されて導通検査が行えるようにし
てある配線基板用検査板の製造方法において、前記導体
突起の立設位置を含む略全面に、前記導体突起を構成す
る金属のメッキ層を形成した後、そのメッキ層の前記導
体突起を形成する表面部分にマスク層を形成し、次い
で、そのメッキ層のエッチングを行ってから前記マスク
層を除去する導体突起の形成工程を有することを特徴と
する。本発明は、以下の第１〜第４実施形態により実施
することができる。

【０００８】本発明の第１実施形態は、前記導体突起の
形成工程が、前記配線パターンを有する部分の略全面に
導電保護層を形成し、更にその略全面に前記導体突起を
構成する金属を電解メッキしてメッキ層を形成した後、
そのメッキ層の前記導体突起を形成する表面部分にマス
ク層を形成し、次いで、そのメッキ層のエッチングを行
ってから、前記導電保護層の露出部分と前記マスク層と
を除去するものである。

【０００９】本発明の第２実施形態は、前記導体突起の
形成工程が、前記配線パターンの各々を被覆する導電保
護層を形成し、更にその導電保護層を含む略全面に前記
導体突起を構成する金属のメッキ層を形成した後、その
メッキ層の前記導体突起を形成する表面部分にマスク層
を形成し、次いで、そのメッキ層のエッチングを行って
から前記マスク層を除去するものである。

【００１０】本発明の第３実施形態は、前記配線パター
ンが、前記導体突起を構成する金属のエッチング時に耐
性を有し得る金属で形成されると共に、前記導体突起の
形成工程が、前記配線パターンを有する部分の略全面
に、前記導体突起を構成する金属のメッキ層を形成した
後、そのメッキ層の前記導体突起を形成する表面部分に
マスク層を形成し、次いで、そのメッキ層のエッチング
を行ってから前記マスク層を除去するものである。

【００１１】本発明の第４実施形態は、前記導体突起の
形成工程が、前記導体突起を構成する金属と同時にエッ
チング可能で、基板のほぼ全面に設けた金属パネル層の
表面に、その金属パネル層のエッチング時に耐性を有
し、前記配線パターンと同一パターンの導電パターン層
を形成し、その導電パターン層を含む前記金属パネル層
のほぼ全面に、前記導体突起を構成する金属のメッキ層
を形成し、そのメッキ層の前記導体突起を形成する表面
部分にマスク層を形成し、前記金属パネル層と前記メッ
キ層とのエッチングを行って、前記配線パターンと前記
導体突起とを形成するものである。

【００１２】［作用効果］本発明によると、メッキ層を
形成する際、導体突起を形成する部分の高さが略等しく
なるため、略均一な高さの導体突起を形成することがで
きる。また、開口内でなく、略全面（全面を含む）にメ
ッキ層を形成するため、電流密度を高めて短時間に所望
厚さを有するメッキ層を形成することができ、全体の工
程時間を短縮することができる。また、マスク後のメッ
キ層のエッチングにより導体突起を形成するため、従来
より小径の導体突起を形成することができる。その結
果、高密度化への対応が好適に行え、導体突起を均一な
高さで形成することができる配線基板用検査板の製造方
法を提供することができた。

【００１３】本発明の第１実施形態によると、導電保護
層を形成してあるため、メッキ層のエッチング時に配線
パターンを保護することができ、配線パターンと導体突
起を同一の金属で形成することができる。また、導電保
護層に通電して電解メッキを行うことが可能になるた
め、メッキ速度を高めつつ、信頼性の高い導体突起を形
成することができる。

【００１４】本発明の第２実施形態によると、導電保護
層を形成してあるため、上記と同様に配線パターンと導
体突起を同一の金属で形成することができる。また、導
電保護層が各々の配線パターンを被覆するため、導電保
護層を後に除去する必要がない。

【００１５】本発明の第３実施形態によると、配線パタ
ーンが、導体突起を構成する金属のエッチング時に耐性
を有し得る金属で形成されるため、導電保護層を形成す
る工程が不要になり、工程の簡略化が図れる。

【００１６】本発明の第４実施形態によると、金属パネ
ル層の表面にエッチングレジストとなる導電パターン層
を形成した後、メッキ層と導体突起形成用のマスク層と
を形成してからエッチングを行うため、金属パネル層と
メッキ層が浸食される際、導体突起とパターン形成され
た配線パターンと導電パターン層とが残存することにな
る。従って、導体突起の形成と配線パターンの形成とを
同時に行うことができ、工程数や全工程時間を減少させ
つつ、工程における負荷を小さくすることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら、第１〜第４実施形態の順で説
明する。

【００１８】〔第１実施形態〕本発明の導体突起の形成
工程は、図１（１）に示すような、基板２１上に形成さ
れた配線パターン２１上に、複数の導体突起２４ａを導
電保護層１１等を介して形成するものである。配線パタ
ーン２１は導通検査のための回路配線として設けられ、
検査対象となる配線基板の検査ポイントに対応する位置
に立設される導体突起２４ａに電気的に接続される。

【００１９】基板２１としては、導通検査のための配線
パターン２１を面状に形成できるものであればよく、従
来から配線基板用の検査プローブに使用される基板２１
であれば何れのものでも使用可能である。例えばポリイ
ミド、エポキシ等の樹脂をガラス繊維等で補強した基板
など、配線基板に使用される各種基板が挙げられる。

【００２０】第１実施形態では、まず、配線パターン２
２を有する部分の略全面に導電保護層１１を形成するに
先立って、図１（２）に示すように、略全面に無電解メ
ッキを行って下地導電層１０を形成する。無電解メッキ
には、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用され
るが、これらの金属は、配線パターン２２を構成する金
属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッ
キ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが
市販されている。一般的には、液組成として、金属イオ
ン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを
含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム
等のメッキ触媒を沈着させてもよい。なお、無電解メッ
キのみで導電保護層１１を形成することも可能であり、
また、下地導電層１０をスパッタリングで形成すること
も可能である。

【００２１】次に、図１（３）に示すように、導電保護
層１１を略全面に形成すべく、下地導電層１０の略全面
に電解メッキを行って導電保護層１１を形成する。その
際、導電保護層１１を構成する金属としては、導体突起
を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を
使用するのが好ましく、例えば、金、銀、亜鉛、パラジ
ウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はん
だ合金、又はニッケル−金合金等が使用できる。

【００２２】上記の電解メッキは、周知の方法で行うこ
とができるが、一般的には、図１（２）の基板をメッキ
浴内に浸漬しながら、下地導電層１０を陰極とし、メッ
キする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解
反応により陰極側に金属を析出させることにより行うこ
とができる。

【００２３】第１実施形態では、導電保護層１１を、ス
パッタ装置やＥＢ装置により形成することも可能であ
り、その場合、図１（２）に示す下地導電層１０の形成
は不要になる。なお、導電保護層１１としては、配線パ
ターン２２の金属と導体突起を構成する金属との接合力
を高めるべく、金属多層膜として形成してもよい。その
場合、配線パターンと導体突起がアルミ−金系では、下
層としてチタン又はクロムが、上層としてタングステ
ン、白金、銀、銅、ニッケルが好ましく、アルミ−銅系
では、下層としてクロムが、上層としてニッケルが好ま
しい。

【００２４】次に、図２（４）に示すように、更にその
導電保護層１１の略全面に導体突起２４ａを構成する金
属を電解メッキしてメッキ層２４を形成する。当該金属
としては、金、銅、はんだ合金、ニッケル、銀等が使用
されるが、酸化しにくい金、銅、銀等が好ましい。電解
メッキは、上記と同様の方法により行われるが、導電保
護層１１が陰極として利用される。具体的なメッキ層２
４の厚みとしては、導体突起２４ａの高さに応じて、例
えば５〜１００μｍが例示される。このように電解メッ
キにより全面にメッキ層２４を形成するため、メッキ層
２４の高さが導体突起形成部分で略等しくなり、略均一
な高さの導体突起２４ａを迅速に形成することができ
る。

【００２５】次に、図２（５）に示すように、上記のメ
ッキ層２４の導体突起２４ａを形成する表面部分に、マ
スク層２５を形成する。本実施形態では、スクリーン印
刷により、散点状にマスク層２５を印刷する例を示す
が、感光性塗膜等を使用し、露光、現像してマスク形成
を行ってもよい。マスク層２５の個々の大きさ（面積又
は外径等）は、導体突起２４ａの大きさに対応して決定
され、例えば１０〜１０００μｍの外径を有するものが
例示される。このようにマスク層２４が散点状に形成さ
れるため、印刷等の簡易かつ安価な方法で、マスク層２
５を形成することができる。

【００２６】次に、図２（６）に示すように、メッキ層
２４のエッチングを行う。その際、エッチングによる浸
食量が多過ぎると、形成される導体突起２４ａが小径化
（アンダーカットの増大）して、後の工程に支障をきた
す場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パター
ン部にメッキ層２４が残存して、短絡の原因となる場合
が生じる。従って、上記のエッチングによる浸食の程度
は、図２（６）に示す程度か、或いはこれより多少増減
する範囲内が好ましい。

【００２７】エッチングの方法としては、メッキ層２４
及び導電保護層１１を構成する各金属の種類に応じた、
各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられ
る。例えば、メッキ層２４（即ち導体突起２４ａ）が銅
であり、導電保護層１１が前述の金属（金属系レジスト
を含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸
アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用される。ま
た、メッキ層２４が金の場合、シアン系エッチング液や
王水等が使用される。上記のエッチングによると、図２
（６）に示すように、導電保護層１１で被覆された配線
パターン２２、導体突起２４ａ及びマスク層２５がエッ
チングされずに残ることになる。

【００２８】次に、図３（７）に示すように、マスク層
２５の除去を行うが、これは化学的又は物理的な薬剤除
去、剥離除去など、マスク層２５の種類に応じて適宜選
択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成され
た感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除
去される。

【００２９】次に、図３（８）に示すように、導電保護
層１１の浸食が可能なエッチングを行う。エッチングの
方法としては、前記のエッチング工程とは異なるエッチ
ング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物
エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が
浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好
ましい。具体的には、柱状金属体２４ａと下層の配線パ
ターン２２が銅であり、導電保護層１１が前記の金属で
ある場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸
系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用
いるのが好ましい。これにより、図３（８）に示すよう
に、導体突起２４ａと配線パターン２２とに介在する導
電保護層１１のみを残存させることができる。また、配
線パターン２２のない部分には、下地導電層１０のみが
残存する。

【００３０】次に、図３（９）に示すように、非パター
ン部に残存する下地導電層１０をソフトエッチングで除
去するが、ソフトエッチングを行うのは、導体突起２４
ａや、露出する配線パターン２２を過度に浸食するのを
防止するためである。ソフトエッチングの方法として
は、下地導電層１０を構成する金属に対するエッチング
液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの
処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。なお、
ソフトエッチングの代わりに逆スパッタリング等で下地
導電層１０を除去することも可能である。

【００３１】即ち、第１実施形態では、少なくとも導電
保護層１１の浸食が可能なエッチングを行って、露出す
る導電保護層１１を除去するものであるが、上述のよう
に下地導電層１０を有する場合には、導電保護層１１と
下地導電層１０を順次エッチングして、露出する導電保
護層１１と下地導電層１０とを除去する。これにより、
配線パターン２２間の短絡を確実に防止することができ
る。

【００３２】本発明により製造される配線基板用検査板
は、例えば以下のようにして使用される。なお、図４
（Ａ）は、検査対象となる配線基板の一例を模式的に示
す平面図であり、図４（Ｂ）は、配線基板用検査板の一
例を模式的に示す平面図（配線基板との対応が理解し易
いように裏側パターンを表側から表示した）である。

【００３３】配線基板用検査板は、図４に示すように、
配線基板Ｂの検査ポイントＰ１〜Ｐ３等に対応する位置
に、複数の導体突起２４ａが、略同じ高さで検査基板上
に立設（同図では紙面の下側）されると共に、その導体
突起２４ａが配線パターン２２に接続されて導通検査が
行えるようにしてある。具体的には、例えば配線基板Ｂ
のパターンＡ１の導通を検査する場合、検査ポイントＰ
１とＰ２の導通を検査すればよいが、検査ポイントＰ１
とＰ２に、それぞれに対応する導体突起２４ａを接触さ
せ、それらと配線パターン２２を介して接続されたコネ
クター接続部Ｃ１，Ｃ２の導通を検査すればよい。逆
に、パターンＡ１とパターンＡ２との短絡を検査する場
合、検査ポイントＰ１とＰ３の導通を検査して絶縁状態
であることを確認すればよいが、検査ポイントＰ１とＰ
３に、それぞれに対応する導体突起２４ａを接触させ、
それらと配線パターン２２を介して接続されたコネクタ
ー接続部Ｃ１，Ｃ３の導通を検査すればよい。なお、導
体突起２４ａを検査ポイントＰ１等に接触させる際、導
電性のゴムシートを介在させて、接触をより確実に行う
ようにしてもよい。

【００３４】そして、検査は、検査装置本体とケーブル
接続したコネクター１０をコネクター接続部Ｃに接続し
た状態で行われる。なお、図４（Ａ）に示す配線基板
は、ＩＣ等の電子部品を表面実装するタイプの配線基板
を、理解を容易にするため単純化したものであり、本発
明によるとより複雑で高密度化した配線基板の検査を行
うことができる。

【００３５】使用される配線基板用検査装置は、以上の
ような配線基板用検査板を検査プローブとして具備し、
配線基板用検査板や配線基板をセットする検査部、及び
検査板に電気的に接続されて検査信号の入出力や演算・
制御、結果表示等を行う計測部などは、従来の配線基板
用検査装置と同様のものが用いられる。例えば検査部で
は、検査板と配線基板との正確な位置合わせと確実な接
触が不可欠であり、これらを実現するための構造が採用
される。また、計測部では、コンピュータにより検査信
号の入出力や演算・制御が行われ、その結果が表示され
る。

【００３６】〔第１実施形態の別実施形態〕以下、第１
実施形態の別実施形態について説明する。

【００３７】（１）前記の実施形態では、マスク層を印
刷により形成する例を示したが、ドライフィルムレジス
ト等を用いてマスク層を形成してもよい。その場合、ド
ライフィルムレジストの熱圧着、露光、現像が行われ
る。また、マスク層の除去（剥離）には、メチレンクロ
ライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。

【００３８】（２）前記の実施形態では、マスク層の除
去をメッキ層のエッチングの直後に行う例を示したが、
マスク層の除去工程の順序はこれに限定されず、例え
ば、導電保護層のエッチング工程の直後、下地導電層の
ソフトエッチング工程の直後、あるいは、その他の層の
積層後に行ってもよい。

【００３９】〔第２実施形態〕本発明の第２実施形態に
ついては、前記の第１実施形態と異なる点についてのみ
説明する。

【００４０】第２実施形態では、図５（１）〜（２）に
示すように、まず、配線パターン２２の各々を被覆する
導電保護層２３を形成する。本実施形態では、第１実施
形態と同様の金属を、配線パターン２２を構成する金属
を触媒とする無電解メッキにより、配線パターン２２に
析出させて導電保護層２３を形成する例を示す。導電保
護層２３としては、例えば配線パターン２２が銅等の場
合、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケ
ル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金
合金等が使用できる。

【００４１】配線パターン２２がアルミ製の場合、無電
解メッキを行う際には、予め配線パターン２２の表面処
理、ジンケート処理を行うのが好ましい。表面処理は表
面の有機物やアルミ酸化物等をプラズマ処理やリン酸系
溶液で処理し、表面の汚染物質等を除去するものであ
る。ジンケート処理は、アルミと亜鉛の置換処理であ
り、電極表面に無電解メッキを促進させる亜鉛結晶層を
形成させるものである。

【００４２】無電解メッキの方法としては、金属等が溶
解したメッキ液に、メッキする基板を浸漬し、所定温度
で所定時間処理する方法等が挙げられる。その際、メッ
キ液組成としては、金属イオン源、アルカリ源、還元
剤、及びキレート剤等を含むものが挙げられるが、これ
らは市販のものを使用することができる。

【００４３】なお、導電保護層２３は、エッチング時に
配線パターン２２を保護しつつ、配線パターン２２を短
絡させないものであればよいため、配線パターン２２全
体を完全に被覆する必要はなく、逆に配線パターン２２
の形成されていない基板２１の表面を部分的に被覆した
ものであってもよい。

【００４４】図５（３）〜図６（６）に示す工程は第１
実施形態と同様であるが、第２実施形態では導電保護層
２３の露出部分を除去する工程が不要である。即ち、導
電保護層２３を含む略全面に導体突起２４ａを構成する
金属のメッキ層２４を形成した後、そのメッキ層２４の
前記導体突起２４ａを形成する表面部分にマスク層２５
を形成し、次いで、そのメッキ層２４のエッチングを行
ってからマスク層２５を除去する。このように、メッキ
層２４をエッチングするだけで、配線パターン２２の短
絡が生じない状態とすることができる。

【００４５】〔第２実施形態の別実施形態〕前記の実施
形態では、導電保護層をメッキにより形成する例を示し
たが、導電性ペーストを配線パターンに塗布した後、硬
化させることにより形成することも可能である。その場
合、スクリーン印刷等を用いることができる。

【００４６】また、はんだを利用したソルダーコーティ
ング等も可能である。例えば、錫−鉛系のはんだ合金を
用いる場合、メッキ層（銅）のエッチング液としてアル
カリエッチング液を用いれば、はんだが耐性を示すこと
ができる。

【００４７】更に、スパッタリングによりクロム又はロ
ジウムで導電保護層を形成することも可能である。その
場合、配線パターン以外の部分をマスク材で覆うことに
より、配線パターンのみを導電保護層で被覆するように
すればよい。

【００４８】〔第３実施形態〕本発明の第３実施形態に
ついては、前記の第１〜第２実施形態と異なる点につい
てのみ説明する。

【００４９】第３実施形態では、導電保護層を設けない
ため、図７（１）に示す配線パターン２２を、導体突起
２４ａを構成する金属のエッチング時に耐性を有し得る
金属で形成する必要がある。従って、配線パターン２２
を構成する金属は、導体突起２４ａを構成する金属や、
そのエッチング液との関係で決定される。例えば導体突
起２４ａを構成する金属が銅等の場合、配線パターン２
２には、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッ
ケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−
金合金等が使用できる。また、その逆も可能であるが、
その他、各種の異種金属の組合せが適宜使用可能であ
る。なお、配線パターン２２の形成方法はいずれでもよ
く、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パ
ターンメッキ用レジストを使用する方法等が挙げられ
る。

【００５０】図７（２）〜図８（５）に示す工程は第１
実施形態と同様であるが、第３実施形態では導電保護層
２３を形成する工程や導電保護層２３の露出部分を除去
する工程が不要である。即ち、導体突起２４ａの形成工
程は、配線パターン２２を有する部分の略全面に、導体
突起２４ａを構成する金属のメッキ層２４を形成した
後、そのメッキ層２４の導体突起２４ａを形成する表面
部分にマスク層２５を形成し、次いで、そのメッキ層２
４のエッチングを行ってからマスク層２５を除去するも
のである。なお、メッキ層２４の形成は、無電解メッ
キ、又は無電解メッキと電解メッキとにより行うことが
できる。

【００５１】〔第４実施形態〕先ず、図９（１）に示す
ような、導体突起２４ａを構成する金属と同時にエッチ
ング可能で、基板２１のほぼ全面に金属パネル層２２ａ
を形成したものを準備する。基板２１としては、例えば
ガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の各種反
応硬化性樹脂とからなる基板を用いることができる。ま
た、金属パネル層２２ａを構成する金属としては、通
常、銅、ニッケル、錫等が使用され、好ましくは銅が使
用される。金属パネル層２２ａはメッキや、接着剤もし
くは熱圧着等による積層によって形成することができ
る。メッキを行う場合、無電解メッキや、無電解メッキ
と電解メッキとの組み合わせが採用できる。

【００５２】次いで、図９（２）に示すように、基板２
１のほぼ全面に設けた金属パネル層２２ａの表面に、そ
の金属パネル層２２ａのエッチング時に耐性を有し、形
成される配線パターン２２と同一パターンの導電パター
ン層１３を形成する。この工程は、ドライフィルム、感
光性樹脂塗料、スクリーン印刷等を用いて所望パターン
のメッキレジストを形成した後にメッキする方法や、全
面に設けた金属層にドライフィルム、感光性樹脂塗料、
スクリーン印刷等を用いて所望パターンのエッチングレ
ジストを形成した後にエッチングする方法や、導電性塗
料を用いたスクリーン印刷による印刷法や、所望のパタ
ーンでマスクした状態でスパッタリングする方法等によ
り、行うことができる。

【００５３】但し、金属パネル層２２ａを感光性樹脂層
で被覆した後、導電パターン層１３を形成する部分をパ
ターン露光・現像して除去し、その除去した部分に金属
をメッキすることで導電パターン層１３を形成する方法
が、前述の理由より好ましい。本実施形態では、この方
法について詳述する。

【００５４】感光性樹脂層とは光により光分解、光架
橋、又は光重合を起こすような、低分子量及び／又は高
分子量の成分を含む樹脂組成物を指す。被覆には、ドラ
イフィルムをラミネートする方法や感光性樹脂組成物を
塗布・硬化させる方法等が利用できる。ドライフィルム
（フォトレジスト）は、有機溶剤現像タイプやアルカリ
水溶液現像タイプが存在し、加熱圧着ロール等を有する
ドライフィルムラミネータ等を用いて、熱圧着（ラミネ
ート）が行われる。感光性樹脂組成物の塗布は、各種コ
ーターを用いて行うことができる。

【００５５】次いで、導電パターン層１３を形成する部
分をパターン露光・現像して除去してヌキパターンとす
る。パターン露光は、フォトマスク用フィルムを介在さ
せつつ、又はフォトプロッター等による直接露光によ
り、露光機を用いて通常、紫外線等により行われる。現
像には、ドライフィルムの種類に応じた現像液等が使用
され、例えば有機溶剤現像タイプに対してはトリクロロ
エタンやメチレンクロライド等、アルカリ水溶液現像タ
イプに対しては、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等
が使用される。

【００５６】更に、除去した部分に金属をメッキするこ
とで導電パターン層１３を形成することができる。当該
メッキには、無電解メッキを用いることもできるが、下
地となる金属パネル層２２ａに導通させて電解メッキを
行うのが好ましく、これにより形成される配線パターン
２２との密着性をより高めることができる。メッキする
金属としては、金属パネル層２２ａ及びメッキ層２４を
構成する金属が銅である場合、金、銀、亜鉛、パラジウ
ム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ
合金、又はニッケル−金合金等が好適に使用される。電
解メッキの方法としては、これらの金属等が溶解したメ
ッキ液に、メッキする基板を浸漬し、金属パネル層２２
ａを介して適宜導通を行いながら、所定温度で所定時間
処理する方法等が挙げられる。その際、メッキ液として
は、上記の金属に対応する市販のものを使用することが
できる。

【００５７】上記のようにして、配線パターン２２をパ
ターン形成するための導電パターン層１３を形成するこ
とができる。また、導電パターン層１３の厚みについて
は、エッチング時にパターン形成部分を保護（レジス
ト）できる厚さであればよく、１０〜１００μｍが好ま
しい。

【００５８】次に、図９（３）に示すように、導電パタ
ーン層１３を含む金属パネル層２２ａのほぼ全面に、金
属パネル層２２ａと同時にエッチング可能な金属のメッ
キ層２４を形成する。当該金属としては、通常、銅、ニ
ッケル等が使用され、好ましくは金属パネル層２２ａと
同じ金属、特に銅を用いるのが好ましい。メッキ層２４
の形成には、無電解メッキ、又は電解メッキが採用され
るが、電解メッキを行うのが好ましい。

【００５９】次に、図９（４）に示すように、上記のメ
ッキ層２４の導体突起２４ａを形成する表面部分に、マ
スク層２５を形成する。この工程は、第１実施形態等と
同様である。

【００６０】次に、図１０（５ａ），（５ｂ）に示すよ
うに、金属パネル層２２ａとメッキ層２４のエッチング
を行う。なお、図１０（５ｂ）は、図１０（５ａ）の一
部断面斜視図を示すものである。エッチングの方法とし
ては、金属パネル層２２ａとメッキ層２４及び導電パタ
ーン層１３を構成する各金属の種類に応じた、各種エッ
チング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例え
ば、メッキ層２４（即ち導体突起２４ａ）が銅であり、
導電パターン層１３が、金、銀、亜鉛、パラジウム、ル
テニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、
又はニッケル−金合金等の場合、市販のアルカリエッチ
ング液が使用される。上記のエッチングによると、図１
０（５ａ），（５ｂ）に示すように、導電パターン層１
３が表面に形成された配線パターン２２と、その上面の
導体突起２４ａ及びマスク層２５がエッチングされずに
残ることになる。次に、図１０（６）に示すように、マ
スク層２５の除去を行うが、これは第１実施形態と同様
である。

【００６１】〔第４実施形態の別実施形態〕（１）前記
の実施形態では、エッチングにより、表面に導電パター
ン層を有する配線パターンと導体突起とを形成した後、
当該導電パターン層を剥離せずに、その後の工程を行う
例を示したが、配線パターンの表面に残存する導電パタ
ーン層を剥離してから、その後の工程を行ってもよい。
その場合、剥離方法としては、配線パターンと導体突起
とを浸食しにくいエッチング液を用いてソフトエッチン
グする方法や、スパッタエッチング等の物理的な方法に
より行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（１）〜（３）

【図２】第１実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（４）〜（６）

【図３】第１実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（７）〜（９）

【図４】本発明で製造される配線基板用検査板の一例を
配線基板と共に示す平面図であり、（Ａ）は検査対象と
なる配線基板の一例を模式的に示す平面図、（Ｂ）は配
線基板用検査板の一例を模式的に示す平面図

【図５】第２実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（１）〜（３）

【図６】第２実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（４）〜（６）

【図７】第３実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（１）〜（３）

【図８】第３実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（４）〜（６）

【図９】第４実施形態の導体突起の形成工程の一例を示
す工程図（１）〜（４）

【図１０】第４実施形態の導体突起の形成工程の一例を
示す工程図（５ａ）〜（６）

【符号の説明】

１１ 導電保護層（全面被覆） １３ 導電パターン層 ２１ 基板 ２２ 配線パターン ２３ 導電保護層（部分被覆） ２４ メッキ層 ２４ａ 導体突起 ２５ マスク層 Ｂ 配線基板 Ｐ１〜３検査ポイント

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G011 AA01 AB01 AC09 AE01 2G014 AA13 AB59 AC10 5E317 AA02 BB01 BB11 CC31 CC51 CD25 CD29 CD36 GG14 5E339 AB02 BC01 BD03 BD08 BE11 CC01 CD01 CE12 CE19 CF15 EE03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線基板の検査ポイントに対応する複数
   の導体突起が、略同じ高さで検査面に立設されると共
   に、その導体突起が配線パターンに接続されて導通検査
   が行えるようにしてある配線基板用検査板の製造方法に
   おいて、 前記導体突起の立設位置を含む略全面に、前記導体突起
   を構成する金属のメッキ層を形成した後、そのメッキ層
   の前記導体突起を形成する表面部分にマスク層を形成
   し、次いで、そのメッキ層のエッチングを行ってから前
   記マスク層を除去する導体突起の形成工程を有すること
   を特徴とする配線基板用検査板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記導体突起の形成工程が、前記配線パ
   ターンを有する部分の略全面に導電保護層を形成し、更
   にその略全面に前記導体突起を構成する金属を電解メッ
   キしてメッキ層を形成した後、そのメッキ層の前記導体
   突起を形成する表面部分にマスク層を形成し、次いで、
   そのメッキ層のエッチングを行ってから、前記導電保護
   層の露出部分と前記マスク層とを除去するものである請
   求項１記載の配線基板用検査板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記導体突起の形成工程が、前記配線パ
   ターンの各々を被覆する導電保護層を形成し、更にその
   導電保護層を含む略全面に前記導体突起を構成する金属
   のメッキ層を形成した後、そのメッキ層の前記導体突起
   を形成する表面部分にマスク層を形成し、次いで、その
   メッキ層のエッチングを行ってから前記マスク層を除去
   するものである請求項１記載の配線基板用検査板の製造
   方法。
4. 【請求項４】 前記配線パターンが、前記導体突起を構
   成する金属のエッチング時に耐性を有し得る金属で形成
   されると共に、 前記導体突起の形成工程が、前記配線パターンを有する
   部分の略全面に、前記導体突起を構成する金属のメッキ
   層を形成した後、そのメッキ層の前記導体突起を形成す
   る表面部分にマスク層を形成し、次いで、そのメッキ層
   のエッチングを行ってから前記マスク層を除去するもの
   である請求項１記載の配線基板用検査板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記導体突起の形成工程が、前記導体突
   起を構成する金属と同時にエッチング可能で、基板のほ
   ぼ全面に設けた金属パネル層の表面に、その金属パネル
   層のエッチング時に耐性を有し、前記配線パターンと同
   一パターンの導電パターン層を形成し、その導電パター
   ン層を含む前記金属パネル層のほぼ全面に、前記導体突
   起を構成する金属のメッキ層を形成し、そのメッキ層の
   前記導体突起を形成する表面部分にマスク層を形成し、
   前記金属パネル層と前記メッキ層とのエッチングを行っ
   て、前記配線パターンと前記導体突起とを形成するもの
   である請求項１記載の配線基板用検査板の製造方法。