JP2001308461A - リッジ型半導体素子の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロセスマージンを十分にとることができ、
リッジ型半導体レーザ素子を簡便に低コストで作製する
方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、上部クラッド層を含む半導体
積層構造からなるリッジを有する半導体レーザ素子の作
製方法であって、半導体基板上に形成されたリッジ上面
の以外の領域を覆い、リッジ上面を露出するように絶縁
膜を形成する際、リッジ領域を含む半導体基板上に絶縁
膜を成膜する工程と、粘度が５０ｃｐ以下のネガ型フォ
トレジスト剤を使って、絶縁膜上に第１のフォトレジス
ト膜を成膜する工程と、第１のフォトレジスト膜とは現
像処理での可溶性が異なる第２のフォトレジスト膜を第
１のフォトレジスト膜上に成膜する工程と、第２のフォ
トレジスト膜及び第１のフォトレジスト膜をエッチング
してリッジ上面の絶縁膜を露出させる開口を設ける工程
と、開口を介してリッジ上面の絶縁膜を除去する工程と
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リッジ型半導体素
子、例えばリッジ型半導体レーザ素子の作製方法に関
し、更に詳細には、リッジ側面に所定の膜厚の絶縁膜を
確実に残しつつリッジ上面の絶縁膜をエッチングするこ
とにより、良好なレーザ特性のリッジ型半導体レーザ素
子を作製する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ストライプ状のリッジを形成し、それに
より光及び電流の閉じ込めを行うようにした構成のリッ
ジ型半導体レーザ素子は、簡便な構造と良好なレーザ特
性を有する半導体レーザ素子であって、光通信、光記
録、光計測の分野で光源及び光ファイバアンプ用励起光
源として多用されている。リッジ型半導体レーザ素子の
作製では、先ず、半導体基板上にヘテロ接合の半導体積
層構造を形成し、半導体積層構造の上部をリッジ状に加
工する。その後、基板全面に絶縁膜を形成し、次いでリ
ッジ上面の絶縁膜を除去する。そして、電流注入のため
の電極を上面及び下面に形成し、半導体レーザ素子とし
ている。

【０００３】ここで、図４を参照しつつ、リッジ型半導
体レーザ素子の作製に当たり、リッジ上部の絶縁膜を除
去する従来の方法を説明する。図４（ａ）〜（ｄ）及び
図５（ｅ）〜（ｈ）は、リッジ上面の絶縁膜を除去する
際の各工程での層構造を示す基板断面図である。先ず、
半導体基板９上に、活性層１０、上部クラッド層１１及
びコンタクト層１２を含むヘテロ接合の半導体積層構造
を形成する。次いで、コンタクト１２及び上部クラッド
層１１の上部をエッチングして、図４（ａ）に示すよう
に、両脇にチャネル１３を有するダブルチャネル構造の
リッジ１４を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すよう
に、リッジ１４を含む基板全面に絶縁膜１５をに成膜す
る。次に、図４（ｃ）に示すように、リッジ部分を平坦
化するために、リッジ１４の上面より高い位置まで絶縁
膜１５上に第１のレジスト膜１６を塗布、成膜し、続い
て加熱して第１のレジスト膜１６を不溶化する。次に、
図４（ｄ）に示すように、レジスト膜１６上に再度第２
のレジスト膜１７を塗布、成膜する。

【０００４】次いで、図５（ｅ）に示すように、露光処
理と現像処理とを組み合わせたフォトリソグラフィ処理
によりリッジ１４上部近辺の第２のレジスト膜１７をエ
ッチング除去し、リッジ１４上面の第１のレジスト膜１
６を露出させる開口部１８を開口したマスク１７を形成
する。続いて、開口部１８を介して、図５（ｆ）に示す
ように、酸素プラズマ・アッシング処理より第１のレジ
スト膜１６を除去し、リッジ１４上面の絶縁膜１５を露
出させる。次いで、図５（ｇ）に示すように、フロン系
ガスを使ったプラズマエッチングにより絶縁膜１５を除
去して、リッジ１４上面にコンタクト層１２を露出させ
る。更に、図５（ｈ）に示すように、残っている第２の
レジスト膜１７及び第１のレジスト膜１６をプラズマア
ッシング処理により除去して、リッジ１４上面以外の領
域の絶縁膜１５を露出させる。従来、第１のレジスト膜
１６及び第２のレジスト膜１７の成膜材料には、それぞ
れ相互に粘性の異なるポジ型レジスト剤が用いられてい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来方法で
は、図５（ｅ）に示す開口部１８の形成工程で、第２の
レジスト膜膜１７のみをフォトリソグラフィ処理により
除去しようとしても、露光条件及び露光量の再現性及び
制御性が悪く、リッジ領域の第１のレジスト膜１６がフ
ォトリソグラフィの際に感光し、第１のレジスト膜１６
の一部或いは全層が除去されるという問題があった。従
って、所定厚を有する第１のレジスト膜１６を半導体基
板全域の各リッジ１４上面にわたって均一にかつ再現性
良く残留させておくことは、従来、困難であった。この
ため、第１レジスト１６を酸素プラズマアッシング処理
により除去してリッジ１４上面の絶縁膜１５を露出させ
る際に、図５（ｆ）に示すように、リッジ側面の第１の
レジスト膜１６まで除去される結果となった。そのた
め、リッジ１４上面の絶縁膜１５を除去する際に、図５
（ｇ）に示すように、リッジ１４側面の絶縁膜１５がエ
ッチングされて消滅し、上部クラッド層１１が露出し、
レーザ特性が低下するという問題があった。

【０００６】特に、上部クラッド層１１としてＡｌＧａ
Ａｓクラッド層を設けたＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ
では、露出したＡｌＧａＡｓクラッド層が酸化されるこ
とにより、ＣＯＤによるレーザ劣化が生じるといった問
題がある。

【０００７】また、リッジ幅が６μｍ以下のときには、
リッジ幅以下の狭いストライプマスクで第２のレジスト
膜１７を除去するためのフォトリソグラフィ処理の際
に、リッジストライプとマスクの位置合わせが、非常に
困難になり、時間を要して、プロセスの作業効率が低下
するという問題もあった。

【０００８】一方、特開平６−１３４９号公報に開示さ
れているように、可溶性の異なる多層レジスト膜を用い
ることより、確実に第１層のレジスト膜を残すことが出
来るものの、平面基板では、第１層のレジスト膜が均一
な膜厚で成膜されるのに対し、リッジが形成されている
パターン基板にこの手法を適用した時には、リッジ上面
の第１層のレジスト膜を均一な膜厚で成膜することが難
しく、膜厚分布が生じる。その結果、乾式エッチングに
よりリッジ上面の第１層のレジスト膜を完全に除去する
ことが難しく、レジスト膜の残存する領域が生じるため
に、絶縁膜を完全に除去できないという問題が生じ、製
造歩留りの低下を招く。本発明者は、上記問題を解決す
べく、第１層の成膜条件を検討したところ、リッジ上面
の第１層のレジスト膜の膜厚分布の程度が、レジスト剤
の粘性に大きく支配されることを見出した。

【０００９】すなわち、従来の方法では、リッジ上面の
絶縁膜の除去工程において、プロセスマージンが非常に
小さく、リッジ側面の絶縁膜が消失して上部クラッド層
がリッジ側面に露出するためにレーザ特性が低下した
り、またフォトリソグラフィ処理に時間を要するために
生産性の向上が難しく、良好なレーザ特性を有するレー
ザ素子を高い生産性で生産することが難しかった。一
方、半導体レーザ素子の製造には、高性能化とともに低
価格化が要求されていて、良好なレーザ特性を有する半
導体レーザ素子を効率良く低コストで生産することが重
要になっている。以上の説明では、リッジ型半導体レー
ザ素子を例にして説明したが、他のリッジ型半導体素
子、例えばリッジ導波路型半導体受光素子を作製するに
当たり、半導体基板上に形成されたリッジ上面を露出
し、かつリッジ上面以外の領域を覆うように絶縁膜を形
成する際にも同じ問題があった。

【００１０】そこで、本発明の目的は、半導体基板上に
形成されたリッジ上面を露出し、かつリッジ上面以外の
領域を覆うように絶縁膜を形成する際、プロセスマージ
ンを十分にとることができ、簡便に低コストでリッジ型
半導体素子を作製する方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るリッジ型半導体素子の作製方法は、リ
ッジ型半導体素子の作製方法において、半導体基板上に
形成されたリッジ上面を露出し、かつリッジ上面以外の
領域を覆うように絶縁膜を形成する際、リッジ上面を含
む半導体基板上に絶縁膜を成膜する工程と、粘度５０ｃ
ｐ以下のネガ型フォトレジスト剤を使って、絶縁膜上に
第１のフォトレジスト膜を成膜する工程と、現像処理で
の可溶性が第１のフォトレジスト膜とは異なる第２のフ
ォトレジスト膜を第１のフォトレジスト膜上に成膜する
工程と、第２のフォトレジスト膜及び第１のフォトレジ
スト膜を除去してリッジ上面の絶縁膜を露出させる開口
を設ける工程と、開口を介してリッジ上面の絶縁膜を除
去する工程とを有することを特徴としている。

【００１２】本発明では、第１のフォトレジスト膜にネ
ガ型レジスト剤を使用することにより、第１のフォトレ
ジスト膜と第２のフォトレジスト膜とは現像処理時の可
溶性が異なるので、第２のフォトレジスト膜を露光及び
現像処理して所定のパターンに開口する際、第１のフォ
トレジスト膜はエッチングされることなく、ほぼ成膜さ
れた時の膜厚状態でリッジ領域に残留することができ
る。ここで、ポジ型フォトレジスト剤は紫外線等の光照
射により現像処理時に可溶化するフォトレジスト剤であ
り、ネガ型フォトレジスト剤は紫外線等の光照射により
現像処理時に不溶化するフォトレジスト剤である。

【００１３】本発明方法で、ネガ型レジスト剤の粘度を
５０ｃｐ以下と限定しているのは、粘度が５０ｃｐより
も高いネガ型フォトレジスト剤を用いて、第１のフォト
レジスト膜を成膜すると、フォトレジスト剤の流動性が
低いために、リッジ上面の第１のフォトレジスト膜に膜
厚分布が生じたり、また、リッジ上面の第１のフォトレ
ジスト膜の膜厚が厚くなったりする。そのため、乾式エ
ッチングを施してリッジ上面の第１のフォトレジスト膜
を除去する際、フォトレジスト膜を除去しきれず、フォ
トレジスト膜が残った領域が生じるといった問題があ
る。逆に、オーバーエッチングして確実にフォトレジス
ト膜を除去しようとすると、リッジ側部の第１のフォト
レジスト膜がエッチングされて、絶縁膜が露出し、リッ
ジ上面の絶縁膜を除去する際に、同時にリッジ側部の露
出した絶縁膜までエッチングされ、レーザ特性不良の原
因となるからである。

【００１４】好適には、開口を設ける工程では、先ず、
第２のフォトレジスト膜をパターニングして開口し、次
いで開口した第２のフォトレジスト膜をマスクにして第
１のフォトレジスト膜を開口する。第２のフォトレジス
ト膜を成膜するためのフォトレジスト剤は、第１のフォ
トレジスト膜に対して、現像処理での可溶性が異なる限
り、その種類等に制約は無い。更に好適な実施態様で
は、第１のフォトレジスト膜の膜厚が、リッジを構成す
る半導体積層構造の最上層であるコンタクト層の層厚以
下である。本発明方法は、リッジ型半導体レーザ素子の
作製及びリッジ導波路型半導体受光素子の作製に好適に
適用できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るリッジ型半導体素子の作
製方法をリッジ型半導体レーザ素子の作製に適用した実
施形態の一例であって、図１（ａ）〜（ｄ）、図２
（ｅ）〜（ｈ）及び図３（ｉ）〜（ｋ）は、それぞれ、
本実施形態例に従ってリッジ型半導体レーザ素子を形成
する際の各工程での層構造を示す基板断面図である。先
ず、ｎ−Ｇa Ａs 基板１９上に半導体レーザ構造を形成
して半導体レーザ素子基板２０を作製する。半導体レー
ザ構造は、図１（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板
１９上に順に成膜されたｎ−Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓ下部
クラッド層２１、ＩｎＧａＡｓ活性層２２、ｐ−Ａｌ
_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓ上部クラッド層２３、及びｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層２４からなる積層構造である。次いで、
半導体レーザ素子基板２０上にフォトレジスト膜を成膜
し、露光及び現像処理によりパターニングして、所定の
パターンを有するマスク２５を形成する。

【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、クエン酸
系溶液を用いた湿式エッチング処理をマスク２５上から
半導体レーザ基板２０に施すことにより、両側にチャネ
ルを有するリッジ２６を半導体レーザ基板２０上に形成
する。次いで、図１（ｃ）に示すように、半導体レーザ
基板２０上のマスク２５を剥離液により溶解、除去し、
更に、除去されなかった残存マスクを酸素プラズマアッ
シング処理により除去する。次に、図１（ｄ）に示すよ
うに、半導体レーザ基板２０上全面にプラズマＣＶＤ法
を用いて絶縁膜２７を成膜する。本実施形態例では、絶
縁膜２７として厚さ０．１３μｍの窒化珪素膜を成膜し
た。

【００１７】次に、図２（ｅ）に示すように、半導体レ
ーザ基板２０の絶縁膜２７上に第１のフォトレジスト膜
２８をスピンコートにより塗布、成膜する。本実施形態
例では、第１のフォトレジスト膜２８の成膜剤として、
粘度２０cpのネガ型フォトレジスト剤、例えば東京応化
製の商品名「ＯＭＲ−８３」を用い、高さ１．８〜２μ
ｍのリッジ２６に対し、スピンコート装置のディスク回
転数を毎分３０００回転に設定した。次いで、半導体基
板２０に温度１１０℃で５分間のベーキングを施し、更
に、半導体レーザ基板２０全面に紫外線露光を施した。
紫外線露光により、ネガ型フォトレジスト剤からなる第
１のフォトフォトレジスト膜２８は、不溶化される。次
に、図２（ｆ）に示すように、半導体レーザ基板２０の
第１のフォトレジスト膜２８上全面に第２のフォトレジ
スト膜２９を塗布、成膜する。

【００１８】ここで、第１のフォトレジスト膜２８及び
第２のフォトレジスト膜２９は、それぞれ、ネガ型レジ
スト剤及びポジ型レジスト剤で構成されているので、第
２のフォトレジスト膜２９の除去の際、第１のフォトレ
ジスト膜２８は現像液に不溶であって、第２のフォトレ
ジスト膜２９の現像処理は、必ず、第１のフォトレジス
ト膜２８の表面で停止し、第１のフォトレジスト膜２８
は、成膜されたときとほぼ同じ膜厚で残る。

【００１９】続いて、図２（ｇ）に示すように、第２の
フォトレジスト膜２９に露光及び現像処理を施し、リッ
ジ２６上の第１のフォトレジスト膜２８を露出させる開
口３０を有する所定のパターンのマスク２５を形成す
る。本実施形態例では、第２のフォトレジスト膜２９の
成膜剤として、紫外線照射により可溶化するポジ型レジ
スト剤、例えばヘキスト製の商品名「ＡＺ１５００」を
用い、露光にはフォトマスクアライナを用いた。

【００２０】次に、半導体レーザ基板２０に酸素プラズ
マエッチング処理を施すことにより、第１のフォトレジ
スト膜２８をエッチングし、図２（ｈ）に示すように、
膜厚分だけ突出させるようにして、つまりコンタクト層
２４の上面まで絶縁膜２７を露出させる。このとき、絶
縁膜２７が膜厚分だけ突出して露出する程度にエッチン
グ時間を制御して、リッジ２６上面のネガ型の第１のフ
ォトレジスト膜２８を除去する。本実施形態例では、第
１のフォトレジスト膜２８に５０ｃｐ以下の低粘性のネ
ガ型レジスト剤を使用して、半導体基板全面に均一に分
散流動させ、引き延ばしているので、リッジ上面の第１
のフォトレジスト膜２８の厚さは、０．１４μｍから
０．２６μｍの範囲の厚さであって、一方、ダブルチャ
ネル領域に残存する第１のフォトレジスト膜２８は、そ
の膜厚が１．６μｍから１．８μｍの範囲の厚さで半導
体基板全面に渡って均一であった。

【００２１】本実施形態例では、リッジ２６の側部のエ
ッチング量は、コンタクト層２４の上面、又はコンタク
ト層２４の途中で停止するように制御されているので、
リッジ２６上面の絶縁膜２７を乾式エッチングにより除
去しても、図２（ｈ）に示すように、リッジ２６の側部
の上部クラッド層２３が露出することはない。

【００２２】尚、第１のフォトレジスト膜２８として、
粘度が本発明方法で特定した５０ｃｐよりも大きい６０
ｃｐのネガ型レジスト剤を用いた例では、リッジ２６の
上面の第１のフォトレジスト膜２８の膜厚は、０．２μ
ｍから０．４μｍの範囲の厚さとなった。このため、酸
素プラズマエッチング処理を施してリッジ２６の上面の
第１のフォトレジスト膜２８を除去する際、第１のフォ
トレジスト膜２８が下限の膜厚０．２μｍであるときに
は、第１のフォトレジスト膜２８を除去しきれず、第１
のフォトレジスト膜２８の残った領域が生じ、歩留り低
下の要因となった。一方、第１のフォトレジスト膜２８
が上限の膜厚０．４μｍであるときには、リッジ２６の
側部のエッチング量が上部クラッド層２３の一部にまで
到達するので、乾式エッチング後に上部クラッド層２３
の一部が露出した。尚、この構造でレーザ特性を評価し
たところ、光出力が４４０ｍＷで、ＣＯＤによる素子劣
化が生じ、クラッド層が露出していない本発明の構造よ
りも５０ｍＷ程度出力が低いといったレーザ特性不良が
生じた。

【００２３】次に、半導体レーザ基板２０にフロン系ガ
スのプラズマエッチング処理を施すことにより、図３
（ｉ）に示すように、リッジ２６上面及び側部の絶縁膜
２７を除去する。この際、リッジ２６上面のコンタクト
層２４上の絶縁膜２７の膜厚分をエッチングするように
エッチング時間を制御する。実験では、半導体レーザ基
板のリッジの９８％に対して絶縁膜２７の均一な除去に
成功した。続いて、芳香族炭化水素：フェノール：アル
キルベンゼンスルホン酸＝６：２：２で構成されるエッ
チング液を用いて、図３（ｊ）に示すように、第２のフ
ォトレジスト膜２９及び第１のフォトレジスト膜２８を
溶解、除去し、更に、酸素プラズマアッシング処理を施
して、残存するフォトレジスト膜を完全に除去する。

【００２４】この後、図３（ｋ）に示すように、ｐ側電
極３１としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜をリッジ２６のコ
ンタクト層２４の露出面上及び絶縁膜２７上に形成し、
ｎ−ＧａＡｓ基板１９の裏面を研磨した後、Ａｕ／Ｇｅ
／Ｎｉ積層金属層等でｎ側電極３２を形成する。さら
に、オーミックシンターにより、電極形成を行う。これ
により、半導体レーザ構造を形成することができる。次
に、半導体レーザ構造のへき開を行い、各レーザチップ
に分割した後、モジュールとして組み立て、実装を行う
ことで半導体レーザ装置を完成することができる。

【００２５】本実施形態例では、ｎ−ＧａＡｓ基板上に
半導体レーザ構造を作製する例を挙げて本発明方法を説
明しているが、ｐ−ＧａＡｓ基板上に半導体レーザ構造
を作製する際にも、同様に適用できる。本実施形態例で
は、第１のフォトレジスト膜２８の成膜材料にネガ型レ
ジスト剤「ＯＭＲ−８３」、第２のフォトレジスト膜２
９の成膜材料にポジ型レジスト剤「ＡＺ１５００」を使
用しているが、これに限らず、第１のフォトレジスト膜
２８の成膜材料には、粘度が５０ｃｐ以下であれば、他
のネガ型レジスト剤を使用しても良く、また、第２のフ
ォトレジスト膜２９の成膜材料には他のポジ型レジスト
剤を使用しても良い。

【００２６】尚、本実施形態例の改変例として、ネガ型
の第１のフォトレジスト膜２８を塗布した後、第１のフ
ォトレジスト膜２８に紫外線照射を施すことなく、ポジ
型の第２のフォトレジスト膜２９を塗布、成膜、露光
し、現像した。この例でも、第１のフォトレジスト膜２
８の表面で、第２のフォトレジスト膜２９の現像を停止
することを確認することができた。改変例でも、それぞ
れ、ネガ型レジスト剤及びポジ型レジスト剤で第１のフ
ォトレジスト膜２８及び第２のフォトレジスト膜２９を
成膜することにより、リッジ２６上面のフォトレジスト
膜を除去しても、リッジ２６側面でのフォトレジスト膜
のエッチング量は、図２（ｈ）に示すように、上部クラ
ッド層に達するようなことがないので、リッジ２６の側
面で上部クラッド層２３の露出を防ぐことができる。

【００２７】また、本実施形態例では、ウェットエッチ
ング法によりリッジ加工を行っているが、ドライエッチ
ング法で加工したリッジに対しても、本発明方法は適用
できる。更には、本実施形態例では、ダブルチャネル構
造を用いているが、単純なリッジストライプ構造に対し
ても適用出来ることは言うまでもない。また、本実施形
態例では、リッジ型半導体レーザ素子を例にしている
が、本発明方法は、半導体レーザ素子の作製のみに限ら
ず、例えばリッジ導波路型半導体受光素子の作製工程で
リッジ上の絶縁膜を所望のパターンにパターニングする
際に適用できる。

【００２８】

【発明の効果】本発明方法によれば、半導体基板上に形
成されたリッジの上面以外の領域を覆い、リッジ上面を
露出するように絶縁膜を形成する際、下地のフォトフォ
トレジスト膜に対して可溶性が異なるフォトフォトレジ
スト膜を成膜し、それをマスクにすることにより、リッ
ジ上面の絶縁膜をエッチングする際のプロセスマージン
を十分にとることができるため、プロセスを大幅に簡略
化出来る。特に、第１のフォトフォトレジスト膜の成膜
材料として５０ｃｐ以下の低粘度のネガ型レジスト剤を
用いることにより、リッジ上部の絶縁膜除去の際に、半
導体基板全域にわたってリッジ側面の絶縁膜を、最少限
のエッチング量に維持することが出来る。これにより、
本発明による半導体レーザの製造方法は、レーザの製造
コストを大幅に低減できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、実施形態例
に従ってリッジ型半導体レーザ素子を形成する際の各工
程での層構造を示す基板断面図である。

【図２】図２（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、図１（ｄ）
に続いて、実施形態例に従ってリッジ型半導体レーザ素
子を形成する際の各工程での層構造を示す基板断面図で
ある。

【図３】図３（ｉ）〜（ｋ）は、それぞれ、図２（ｈ）
に続いて、実施形態例に従ってリッジ型半導体レーザ素
子を形成する際の各工程での層構造を示す基板断面図で
ある。

【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、従来方法に
よりリッジ上部の絶縁膜を除去する際、各工程での層構
造を示す基板断面図である。

【図５】図５（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、図４（ｄ）
に続いて、従来方法によりリッジ上部の絶縁膜を除去す
る際、各工程での層構造を示す基板断面図である。

【符号の説明】

９ 半導体基板 １０ 活性層 １１ 上部クラッド層 １２ コンタクト層 １１ 半導体基板 １２ 活性層 １３ チャネル １４ リッジ １５ 絶縁膜 １６ 第１のレジスト膜 １７ 第２のレジスト膜 １８ 開口部 １９ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０ 半導体レーザ素子基板 ２１ 下部クラッド層 ２２ 活性層 ２３ 上部クラッド層 ２４ コンタクト層 ２５ マスク ２６ リッジ ２７ 絶縁層 ２８ 第１のフォトレジスト膜 ２９ 第２のフォトレジスト膜 ３０ 開口 ３１ ｐ側電極 ３２ ｎ側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 築地 直樹 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F049 MA04 MB07 NA08 NA18 PA14 QA02 5F073 AA11 AA13 AA51 CA07 CB22 DA23 DA30 DA35

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リッジ型半導体素子の作製方法におい
   て、 半導体基板上に形成されたリッジ上面を露出し、かつリ
   ッジ上面以外の領域を覆うように絶縁膜を形成する際、 リッジ上面を含む半導体基板上に絶縁膜を成膜する工程
   と、 粘度５０ｃｐ以下のネガ型フォトレジスト剤を使って、
   絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を成膜する工程と、 現像処理での可溶性が第１のフォトレジスト膜とは異な
   る第２のフォトレジスト膜を第１のフォトレジスト膜上
   に成膜する工程と、 第２のフォトレジスト膜及び第１のフォトレジスト膜を
   除去してリッジ上面の絶縁膜を露出させる開口を設ける
   工程と、 開口を介してリッジ上面の絶縁膜を除去する工程とを有
   することを特徴とするリッジ型半導体素子の作製方法。
2. 【請求項２】 開口を設ける工程では、先ず、第２のフ
   ォトレジスト膜をパターニングして開口し、次いで開口
   した第２のフォトレジスト膜をマスクにして第１のフォ
   トレジスト膜を開口することを特徴とする請求項１に記
   載のリッジ型半導体素子の製造方法。
3. 【請求項３】 ポジ型フォトレジスト剤で第２のフォト
   レジスト膜を成膜することを特徴とする請求項１又は２
   に記載の半導体レーザ素子の作製方法。
4. 【請求項４】 第１のフォトレジスト膜の膜厚が、リッ
   ジを構成する半導体積層構造の最上層であるコンタクト
   層の層厚以下であることを特徴とする請求項１から３の
   うちのいずれか１項に記載のリッジ型半導体素子の作製
   方法。
5. 【請求項５】 リッジ型半導体素子が、リッジ型半導体
   素子、又はリッジ導波路型半導体受光素子であることを
   特徴とする請求項１から４のうちのいずれか３項に記載
   のリッジ型半導体素子の作製方法。