JP2001308266A - 半導体モジュール装置 - Google Patents
半導体モジュール装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒートシンクマスの省略乃至大幅な小型軽量化
による装置のコンパクト化を実現した半導体モジュ−ル
装置を提供すること。 【解決手段】外主面に電極端子部材の放熱面が露出する
半導体モジュ−ル３０、４０、５０と、扁平形状の筒形
電解コンデンサ８とを有し、半導体モジュ−ル３０、４
０、５０の前記放熱面は、絶縁スペ−サ５００を介して
筒形電解コンデンサ８の外周面の平坦部に直接又はヒー
トシンクマスを介して接する。これにより、ヒートシン
クマスの省略又は小型化によりコンパクトな半導体モジ
ュ−ル装置を実現することができる。
による装置のコンパクト化を実現した半導体モジュ−ル
装置を提供すること。 【解決手段】外主面に電極端子部材の放熱面が露出する
半導体モジュ−ル３０、４０、５０と、扁平形状の筒形
電解コンデンサ８とを有し、半導体モジュ−ル３０、４
０、５０の前記放熱面は、絶縁スペ−サ５００を介して
筒形電解コンデンサ８の外周面の平坦部に直接又はヒー
トシンクマスを介して接する。これにより、ヒートシン
クマスの省略又は小型化によりコンパクトな半導体モジ
ュ−ル装置を実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体モジュ−ル
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】三相交流モ−タを駆動制御する従来の三
相インバータ回路は、たとえば特開平２ー２９４２７８
号公報に記載されるように、正負直流電源ラインに放出
されるスイッチングノイズ電圧を吸収するために、この
三相インバータ回路の正負直流電源端間に一個乃至複数
の平滑コンデンサを並列接続することが一般的である。
この種の平滑コンデンサとしては、大きな体積当たりの
容量を確保できる筒形電解コンデンサを採用することが
一般的である。
相インバータ回路は、たとえば特開平２ー２９４２７８
号公報に記載されるように、正負直流電源ラインに放出
されるスイッチングノイズ電圧を吸収するために、この
三相インバータ回路の正負直流電源端間に一個乃至複数
の平滑コンデンサを並列接続することが一般的である。
この種の平滑コンデンサとしては、大きな体積当たりの
容量を確保できる筒形電解コンデンサを採用することが
一般的である。
【０００３】実開平４−４５２３３号公報は電解コンデ
ンサの形状を扁平筒形とすることを提案している。
ンサの形状を扁平筒形とすることを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の三相インバータ回路装置において、その最大出
力は半導体モジュ−ルの放熱性能により実質的に規定さ
れることが知られている。
た従来の三相インバータ回路装置において、その最大出
力は半導体モジュ−ルの放熱性能により実質的に規定さ
れることが知られている。
【０００５】なお、通常の三相インバータ回路装置にお
いて、装置がこの最大出力で駆動される時間は、非常に
短時間であることが知られている。また、冷凍サイクル
装置の冷媒により冷却する方式の三相インバータ回路装
置を搭載する車両では、三相インバータ回路装置への給
電と冷凍サイクル装置の始動とがイグニッションキ−な
どにより同時に行われる場合が通常であり、この場合、
冷凍サイクル装置が正常な状態にまで立ち上がる始動後
の数分程度が三相インバータ回路装置の冷却にとって過
酷な時間帯となる。
いて、装置がこの最大出力で駆動される時間は、非常に
短時間であることが知られている。また、冷凍サイクル
装置の冷媒により冷却する方式の三相インバータ回路装
置を搭載する車両では、三相インバータ回路装置への給
電と冷凍サイクル装置の始動とがイグニッションキ−な
どにより同時に行われる場合が通常であり、この場合、
冷凍サイクル装置が正常な状態にまで立ち上がる始動後
の数分程度が三相インバータ回路装置の冷却にとって過
酷な時間帯となる。
【０００６】この種の問題のソリュ−ションにはいわゆ
るヒートシンクマスを用いてその熱容量により半導体モ
ジュ−ルの温度上昇を抑止する方式が採用される。
るヒートシンクマスを用いてその熱容量により半導体モ
ジュ−ルの温度上昇を抑止する方式が採用される。
【０００７】しかしながら、このようなヒートシンクマ
スの採用は、装置重量、体格が大幅に増大するという欠
点をもち、特に収容スペ−スや燃費の点で軽量小型化を
要請される車両搭載用途では十分な採用が困難であっ
た。
スの採用は、装置重量、体格が大幅に増大するという欠
点をもち、特に収容スペ−スや燃費の点で軽量小型化を
要請される車両搭載用途では十分な採用が困難であっ
た。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、ヒートシンクマスの省略乃至大幅な小型軽量化に
よる装置のコンパクト化を実現した半導体モジュ−ル装
置を提供することをその目的としている。
あり、ヒートシンクマスの省略乃至大幅な小型軽量化に
よる装置のコンパクト化を実現した半導体モジュ−ル装
置を提供することをその目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する請求
項１記載の半導体モジュ−ル装置は、外主面に電極端子
部材の放熱面が露出する半導体モジュ−ルと、扁平形状
の筒形電解コンデンサとを有する半導体モジュ−ル装置
において、前記半導体モジュ−ルの前記電極端子部材の
前記放熱面は、絶縁スペ−サを介して前記筒形電解コン
デンサの外周面の平坦部に直接又はヒートシンクマスを
介して接することを特徴としている。
項１記載の半導体モジュ−ル装置は、外主面に電極端子
部材の放熱面が露出する半導体モジュ−ルと、扁平形状
の筒形電解コンデンサとを有する半導体モジュ−ル装置
において、前記半導体モジュ−ルの前記電極端子部材の
前記放熱面は、絶縁スペ−サを介して前記筒形電解コン
デンサの外周面の平坦部に直接又はヒートシンクマスを
介して接することを特徴としている。
【００１０】すなわち、本構成によれば、扁平に形成さ
れた筒形電解コンデンサの平坦面を半導体モジュ−ルの
平坦な放熱面に絶縁スペ−サを介して又は平板状のヒー
トシンクマスを通じて密接させ、これにより筒形電解コ
ンデンサを半導体モジュ−ルのヒートシンクマスとして
用いるので、ヒートシンクマスの省略又は小型化により
コンパクトな半導体モジュ−ル装置を実現することがで
きる。
れた筒形電解コンデンサの平坦面を半導体モジュ−ルの
平坦な放熱面に絶縁スペ−サを介して又は平板状のヒー
トシンクマスを通じて密接させ、これにより筒形電解コ
ンデンサを半導体モジュ−ルのヒートシンクマスとして
用いるので、ヒートシンクマスの省略又は小型化により
コンパクトな半導体モジュ−ル装置を実現することがで
きる。
【００１１】請求項２記載の構成によれば請求項１記載
の半導体モジュ−ル装置において更に、前記半導体モジ
ュ−ル及び筒形電解コンデンサの両側に配置された冷媒
チュ−ブを有し、 前記半導体モジュ−ルは、両面放熱
型半導体モジュ−ルからなり、前記冷媒チュ−ブ、半導
体モジュ−ル、筒形電解コンデンサ、冷媒チュ−ブは、
挟圧部材により前記半導体モジュ−ルの厚さ方向に挟圧
されることを特徴としている。
の半導体モジュ−ル装置において更に、前記半導体モジ
ュ−ル及び筒形電解コンデンサの両側に配置された冷媒
チュ−ブを有し、 前記半導体モジュ−ルは、両面放熱
型半導体モジュ−ルからなり、前記冷媒チュ−ブ、半導
体モジュ−ル、筒形電解コンデンサ、冷媒チュ−ブは、
挟圧部材により前記半導体モジュ−ルの厚さ方向に挟圧
されることを特徴としている。
【００１２】本構成によれば、両面放熱型半導体モジュ
−ル及び筒形電解コンデンサを共通の冷却部材で同時冷
却できるので、全体体格をコンパクト化することができ
る。また、これらは同一の挟圧部材で挟圧されて一体化
されるので、各部材間の接触確保構造が簡素となる。
−ル及び筒形電解コンデンサを共通の冷却部材で同時冷
却できるので、全体体格をコンパクト化することができ
る。また、これらは同一の挟圧部材で挟圧されて一体化
されるので、各部材間の接触確保構造が簡素となる。
【００１３】特に、冷媒チュ−ブが冷凍サイクル装置に
より冷却される方式を採用し、この冷凍サイクル装置の
始動と半導体モジュ−ルへの給電を同時的に行う場合に
おいて、冷媒チュ−ブ内の冷媒がまだ低温にならず、冷
却能力が小さい運転初期において、筒形電解コンデンサ
がヒートシンクマスとして半導体モジュ−ルの発熱を良
好に吸収することができ、運転初期における半導体モジ
ュ−ルへの給電制限を必要としないという利点も生じ
る。
より冷却される方式を採用し、この冷凍サイクル装置の
始動と半導体モジュ−ルへの給電を同時的に行う場合に
おいて、冷媒チュ−ブ内の冷媒がまだ低温にならず、冷
却能力が小さい運転初期において、筒形電解コンデンサ
がヒートシンクマスとして半導体モジュ−ルの発熱を良
好に吸収することができ、運転初期における半導体モジ
ュ−ルへの給電制限を必要としないという利点も生じ
る。
【００１４】請求項３記載の構成によれば請求項１記載
の半導体モジュ−ル装置において更に、前記半導体モジ
ュ−ルの両側の前記冷媒チュ−ブは、扁平Ｕ字状の一体
物とされることを特徴としている。
の半導体モジュ−ル装置において更に、前記半導体モジ
ュ−ルの両側の前記冷媒チュ−ブは、扁平Ｕ字状の一体
物とされることを特徴としている。
【００１５】本構成によれば、冷媒チュ−ブ構造を簡素
化することができる。
化することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体モジュ−ル装置を
用いた三相インバータ装置の好適な実施態様を図面を参
照して以下説明する。
用いた三相インバータ装置の好適な実施態様を図面を参
照して以下説明する。
【００１７】（回路構成）この三相インバータ回路装置
の回路構成を図１に示す。
の回路構成を図１に示す。
【００１８】１は電池、２〜７はそれぞれ、その寄生ダ
イオ−ドをフライホイルダイオ−ドとして利用するＮＭ
ＯＳＴが形成された半導体チップである。半導体チップ
２、３のペアはＵ相の単相インバ−タ回路１００を構成
し、半導体チップ４、５のペアはＶ相の単相インバ−タ
回路２００を構成し、半導体チップ６、７のペアはＷ相
の単相インバ−タ回路３００を構成している。各単相イ
ンバ−タ回路１００、２００、３００はそれぞれ個々に
モジュ−ル化されて半導体モジュ−ル３０、４０、５０
となっている。
イオ−ドをフライホイルダイオ−ドとして利用するＮＭ
ＯＳＴが形成された半導体チップである。半導体チップ
２、３のペアはＵ相の単相インバ−タ回路１００を構成
し、半導体チップ４、５のペアはＶ相の単相インバ−タ
回路２００を構成し、半導体チップ６、７のペアはＷ相
の単相インバ−タ回路３００を構成している。各単相イ
ンバ−タ回路１００、２００、３００はそれぞれ個々に
モジュ−ル化されて半導体モジュ−ル３０、４０、５０
となっている。
【００１９】１０１はＵ相の単相インバ−タ回路１００
の正の直流電源端子、１０２はＵ相の単相インバ−タ回
路１００の負の直流電源端子、１０３はＵ相の単相イン
バ−タ回路１００の交流出力端子である。
の正の直流電源端子、１０２はＵ相の単相インバ−タ回
路１００の負の直流電源端子、１０３はＵ相の単相イン
バ−タ回路１００の交流出力端子である。
【００２０】２０１はＶ相の単相インバ−タ回路２００
の正の直流電源端子、２０２はＶ相の単相インバ−タ回
路２００の負の直流電源端子、２０３はＶ相の単相イン
バ−タ回路２００の交流出力端子である。
の正の直流電源端子、２０２はＶ相の単相インバ−タ回
路２００の負の直流電源端子、２０３はＶ相の単相イン
バ−タ回路２００の交流出力端子である。
【００２１】３０１はＷ相の単相インバ−タ回路３００
の正の直流電源端子、３０２はＷ相の単相インバ−タ回
路３００の負の直流電源端子、３０３はＷ相の単相イン
バ−タ回路３００の交流出力端子である。
の正の直流電源端子、３０２はＷ相の単相インバ−タ回
路３００の負の直流電源端子、３０３はＷ相の単相イン
バ−タ回路３００の交流出力端子である。
【００２２】各正の直流電源端子１０１、２０１、３０
１は、平滑コンデンサ８の正極端子とともに電池１の正
極端子に接続され、各負の直流電源端子１０２、２０
２、３０２は、平滑コンデンサ８の負極端子とともに電
池１の負極端子に接続され、各交流出力端子１０３、２
０３、３０３は三相交流モ−タ９に給電している。
１は、平滑コンデンサ８の正極端子とともに電池１の正
極端子に接続され、各負の直流電源端子１０２、２０
２、３０２は、平滑コンデンサ８の負極端子とともに電
池１の負極端子に接続され、各交流出力端子１０３、２
０３、３０３は三相交流モ−タ９に給電している。
【００２３】１０はコントロ−ラであり、各ＩＧＢＴの
ゲ−ト電極に制御電圧を出力するとともに各ＩＧＢＴの
温度検出などを行っている。この三相インバータ回路及
び平滑コンデンサ８の動作自体は周知であり、説明を省
略する （半導体モジュ−ル構成）Ｕ相の単相インバ−タ回路１
００をモジュ−ル化してなる半導体モジュ−ル３０を図
２に示す。
ゲ−ト電極に制御電圧を出力するとともに各ＩＧＢＴの
温度検出などを行っている。この三相インバータ回路及
び平滑コンデンサ８の動作自体は周知であり、説明を省
略する （半導体モジュ−ル構成）Ｕ相の単相インバ−タ回路１
００をモジュ−ル化してなる半導体モジュ−ル３０を図
２に示す。
【００２４】１０５は交流出力端子１０３を有する金属
伝熱板（電極端子部材）、１０６は正の直流電源端子１
０１を有する金属伝熱板（電極端子部材）、１０７は負
の直流電源端子１０２を有する金属伝熱板（電極端子部
材）、１１、１２は金属スペ−サ、１０８は半導体チッ
プ２、３の制御電極端子である。
伝熱板（電極端子部材）、１０６は正の直流電源端子１
０１を有する金属伝熱板（電極端子部材）、１０７は負
の直流電源端子１０２を有する金属伝熱板（電極端子部
材）、１１、１２は金属スペ−サ、１０８は半導体チッ
プ２、３の制御電極端子である。
【００２５】半導体チップ２は金属伝熱板１０６上に、
半導体チップ３は金属伝熱板１０５上にはんだ付けさ
れ、これら半導体チップ２、３上に金属スペ−サ１１、
１２がはんだ付けされ、金属スペ−サ１１には金属伝熱
板１０７が、金属スペ−サ１２には金属伝熱板１０５が
はんだ付けされている。金属スペ−サ１１、１２は、半
導体チップ２、３の制御電極端子１０８と半導体チップ
２、３の制御電極面（図示せず）とをワイヤボンディン
グするための厚さ方向スペ−スを確保するために介設さ
れている。
半導体チップ３は金属伝熱板１０５上にはんだ付けさ
れ、これら半導体チップ２、３上に金属スペ−サ１１、
１２がはんだ付けされ、金属スペ−サ１１には金属伝熱
板１０７が、金属スペ−サ１２には金属伝熱板１０５が
はんだ付けされている。金属スペ−サ１１、１２は、半
導体チップ２、３の制御電極端子１０８と半導体チップ
２、３の制御電極面（図示せず）とをワイヤボンディン
グするための厚さ方向スペ−スを確保するために介設さ
れている。
【００２６】最終的に、この単相インバ−タ回路１００
は樹脂モ−ルドにより、金属伝熱板１０５〜１０７の外
主面を露出させ、端子１０１〜１０３を突出させた状態
で封止されて半導体モジュ−ルとされている。
は樹脂モ−ルドにより、金属伝熱板１０５〜１０７の外
主面を露出させ、端子１０１〜１０３を突出させた状態
で封止されて半導体モジュ−ルとされている。
【００２７】半導体モジュ−ル４０、５０は半導体モジ
ュ−ル３０と同一構造を有するので、説明を省略する。
ュ−ル３０と同一構造を有するので、説明を省略する。
【００２８】（平滑コンデンサ８の構成）平滑コンデン
サ８は、図３に示すように扁平筒形に形成された筒形電
解コンデンサからなる。平滑コンデンサ８は、深絞り加
工により形成された扁平筒形の一端開口のアルミ合金製
のケ−ス内部に扁平柱形の電極ロール（図示せず）を収
容し、ケ−スの開口を蓋板により閉鎖してなる。電極ロ
−ルは電解液が含浸された２枚の多孔性スペ−サと、こ
れら多孔性スペ−サにより互いに隔てられた負極箔及び
正極箔とを扁平に巻き取ることにより形成されている。
電極ロール自体は周知であり、詳細説明は省略する。蓋
板は絶縁樹脂板からなり、正負一対の端子８０が貫設、
固定されている。これら正負の端子８０はケ−ス内にて
金属製の多数のリ−ドの一端が溶接されており、各リ−
ドは電極ロールの巻き取り前に上記電極ロールの正極箔
の表面及び負極箔の表面に延設されている。
サ８は、図３に示すように扁平筒形に形成された筒形電
解コンデンサからなる。平滑コンデンサ８は、深絞り加
工により形成された扁平筒形の一端開口のアルミ合金製
のケ−ス内部に扁平柱形の電極ロール（図示せず）を収
容し、ケ−スの開口を蓋板により閉鎖してなる。電極ロ
−ルは電解液が含浸された２枚の多孔性スペ−サと、こ
れら多孔性スペ−サにより互いに隔てられた負極箔及び
正極箔とを扁平に巻き取ることにより形成されている。
電極ロール自体は周知であり、詳細説明は省略する。蓋
板は絶縁樹脂板からなり、正負一対の端子８０が貫設、
固定されている。これら正負の端子８０はケ−ス内にて
金属製の多数のリ−ドの一端が溶接されており、各リ−
ドは電極ロールの巻き取り前に上記電極ロールの正極箔
の表面及び負極箔の表面に延設されている。
【００２９】（全体装置構成）この実施例の三相インバ
ータ回路装置の全体構成を、その正面図を示す図３を参
照して以下に説明する。
ータ回路装置の全体構成を、その正面図を示す図３を参
照して以下に説明する。
【００３０】２は冷媒チュ−ブである。冷媒チュ−ブ２
は、アルミニウム合金を引き抜き成形法あるいは押し出
し成形法で成形された板材を必要な長さに切断して作製
されている。冷媒チュ−ブ２は、図４に示すように、そ
の幅方向に隔壁により互いに区画されてその長手方向に
延設される複数の貫通流路を有している。冷媒チュ−ブ
２の両端は入り口側のヘッダ４と出口側のヘッダ５とに
接合されており、これらヘッダ４、５を通じて図示しな
い外部の冷凍サイクル装置に接続されてそのエバポレ−
タを構成している。
は、アルミニウム合金を引き抜き成形法あるいは押し出
し成形法で成形された板材を必要な長さに切断して作製
されている。冷媒チュ−ブ２は、図４に示すように、そ
の幅方向に隔壁により互いに区画されてその長手方向に
延設される複数の貫通流路を有している。冷媒チュ−ブ
２の両端は入り口側のヘッダ４と出口側のヘッダ５とに
接合されており、これらヘッダ４、５を通じて図示しな
い外部の冷凍サイクル装置に接続されてそのエバポレ−
タを構成している。
【００３１】冷媒チュ−ブ２は、扁平で容易に厚さ方向
へ塑性変形可能な特性をもち、図３に示すようにＵ字状
に湾曲されている。冷媒チュ−ブ２は、平坦で互いに平
行で互いに対向する３つの平坦部２１、２２と、平坦部
２１、２２の間の湾曲部２３と、平坦部２１、２２の間
の湾曲部２３とを有している。
へ塑性変形可能な特性をもち、図３に示すようにＵ字状
に湾曲されている。冷媒チュ−ブ２は、平坦で互いに平
行で互いに対向する３つの平坦部２１、２２と、平坦部
２１、２２の間の湾曲部２３と、平坦部２１、２２の間
の湾曲部２３とを有している。
【００３２】冷媒チュ−ブ２の平坦部２１は、図示しな
い電気絶縁性スペ−サ５００を介して半導体モジュ−ル
３０、４０、５０の外主面に露出する伝熱部材（電極端
子部材）１０６、１０７に接している。半導体モジュ−
ル３０、４０、５０は冷媒チュ−ブ２の流路方向に互い
に所定間隔を隔てて配置されている。
い電気絶縁性スペ−サ５００を介して半導体モジュ−ル
３０、４０、５０の外主面に露出する伝熱部材（電極端
子部材）１０６、１０７に接している。半導体モジュ−
ル３０、４０、５０は冷媒チュ−ブ２の流路方向に互い
に所定間隔を隔てて配置されている。
【００３３】半導体モジュ−ル３０、４０、５０の反冷
媒チュ−ブ側の主面に露出する伝熱部材（電極端子部
材）１０５は絶縁スペ−サ５００を介してそれぞれ異な
る平滑コンデンサ８の平坦周面に当接している。平滑コ
ンデンサ８の反半導体モジュ−ル側の平坦周面は冷媒チ
ュ−ブ２の平坦部２２に当接している。
媒チュ−ブ側の主面に露出する伝熱部材（電極端子部
材）１０５は絶縁スペ−サ５００を介してそれぞれ異な
る平滑コンデンサ８の平坦周面に当接している。平滑コ
ンデンサ８の反半導体モジュ−ル側の平坦周面は冷媒チ
ュ−ブ２の平坦部２２に当接している。
【００３４】冷媒チュ−ブ２の平坦部２１、２２の外側
主面はそれぞれ押さえ板６に当接しており、ボルト６１
が両押さえ板６の貫通孔に挿通され、ナット６２を締結
して各部材を半導体モジュ−ル３０、４０、５０の厚さ
方向に挟圧している。すなわち、押さえ板６、ボルト６
１、ナット６２は挟圧部材を構成している。
主面はそれぞれ押さえ板６に当接しており、ボルト６１
が両押さえ板６の貫通孔に挿通され、ナット６２を締結
して各部材を半導体モジュ−ル３０、４０、５０の厚さ
方向に挟圧している。すなわち、押さえ板６、ボルト６
１、ナット６２は挟圧部材を構成している。
【００３５】本構成によれば、三相インバータ回路を構
成する半導体モジュ−ル３０、４０、５０と平滑コンデ
ンサ８とを共通の挟圧部材で挟圧して共通の冷媒チュ−
ブ２で冷却する構成を採用し、更に半導体モジュール３
０、４０、５０の過渡発熱をそれに密着される平滑コン
デンサ８で良好に吸収するようになされている。すなわ
ち、三相インバータ回路が一時的に大発熱する場合に、
平滑コンデンサ８がそのヒ−トシンクとして機能するの
で、三相インバータ回路の過渡的な温度上昇の抑止を実
現することができる。
成する半導体モジュ−ル３０、４０、５０と平滑コンデ
ンサ８とを共通の挟圧部材で挟圧して共通の冷媒チュ−
ブ２で冷却する構成を採用し、更に半導体モジュール３
０、４０、５０の過渡発熱をそれに密着される平滑コン
デンサ８で良好に吸収するようになされている。すなわ
ち、三相インバータ回路が一時的に大発熱する場合に、
平滑コンデンサ８がそのヒ−トシンクとして機能するの
で、三相インバータ回路の過渡的な温度上昇の抑止を実
現することができる。
【００３６】また、各部材を１セットの挟圧部材で挟圧
して一体化するので、簡素な機構でコンパクトな装置を
実現できるとともに各部の熱抵抗を良好に低減すること
ができる。
して一体化するので、簡素な機構でコンパクトな装置を
実現できるとともに各部の熱抵抗を良好に低減すること
ができる。
【００３７】なお、図３において絶縁スペ−サ５００の
図示は省略され、図４において半導体モジュ−ル４０は
断面図示されていない。
図示は省略され、図４において半導体モジュ−ル４０は
断面図示されていない。
【００３８】なお、上記各部材間の接触境界面に熱伝導
性のシリコングリスなどを介設して伝熱抵抗を低減でき
ることはもちろんである。
性のシリコングリスなどを介設して伝熱抵抗を低減でき
ることはもちろんである。
【００３９】（変形態様）この実施例の半導体モジュ−
ル装置の変形態様を図５に示す。
ル装置の変形態様を図５に示す。
【００４０】この態様では、図４に示す冷媒チュ−ブ２
の平坦部２１と平滑コンデンサ８との位置関係を逆にし
たものであるが、このように構成しても実施例１と同様
の作用効果を奏することができることは明白である。
の平坦部２１と平滑コンデンサ８との位置関係を逆にし
たものであるが、このように構成しても実施例１と同様
の作用効果を奏することができることは明白である。
【図１】本発明の筒形電解コンデンサを用いた三相イン
バータ回路装置の回路図である。
バータ回路装置の回路図である。
【図２】図１に示す装置の半導体モジュールの組み立て
図である。
図である。
【図３】図１に示す装置の正面図である。
【図４】図３に示す装置のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図５】変形態様を示す断面図である。
２：冷媒チュ−ブ ８：平滑コンデンサ ３０：半導体モジュール ４０：半導体モジュール ５０：半導体モジュール
Claims (3)
- 【請求項１】外主面に電極端子部材の放熱面が露出する
半導体モジュ−ルと、扁平形状の筒形電解コンデンサと
を有する半導体モジュ−ル装置において、 前記半導体モジュ−ルの前記電極端子部材の前記放熱面
は、絶縁スペ−サを介して前記筒形電解コンデンサの外
周面の平坦部に直接又はヒートシンクマスを介して接す
ることを特徴とする半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体モジュ−ル装置にお
いて、 前記半導体モジュ−ル及び筒形電解コンデンサの両側に
配置された冷媒チュ−ブを有し、 前記半導体モジュ−ルは、両面放熱型半導体モジュ−ル
からなり、 前記冷媒チュ−ブ、半導体モジュ−ル、筒形電解コンデ
ンサ、冷媒チュ−ブは、挟圧部材により前記半導体モジ
ュ−ルの厚さ方向に挟圧されることを特徴とする半導体
モジュ−ル装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体モジュ−ル装置にお
いて、 前記半導体モジュ−ルの両側の前記冷媒チュ−ブは、扁
平Ｕ字状の一体物とされることを特徴とする三相インバ
ータ回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120578A JP2001308266A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 半導体モジュール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120578A JP2001308266A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 半導体モジュール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308266A true JP2001308266A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18631363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000120578A Pending JP2001308266A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 半導体モジュール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308266A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-04-21 JP JP2000120578A patent/JP2001308266A/ja active Pending
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