JP2001300297A

JP2001300297A - ダイオキシン含有被処理物質の浄化方法

Info

Publication number: JP2001300297A
Application number: JP2000121513A
Authority: JP
Inventors: Kiyotaka Ito; 清孝伊藤; Masato Nishimura; 真人西村; Yuji Hayashi; 佑二林
Original assignee: Daido Steel Co Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Daido Steel Co Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-04-21
Filing date: 2000-04-21
Publication date: 2001-10-30

Abstract

(57)【要約】【課題】ダイオキシンを含んだ被処理物質の浄化処理
を簡便かつ安価に行なうことができる物質浄化処理方法
と、それに用いる物質浄化装置とを提供する。【解決手段】プラズマ発生電極１，１にプラズマ発生
用電圧を印加してプラズマＰを発生させ、そのプラズマ
Ｐ中にダイオキシンを含有した気体状の被処理物質Ｇを
導入する。これにより、ダイオキシンを主にダイオキシ
ン以外の有機物に転化して、被処理物質Ｇ中のダイオキ
シン含有量を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、物質の浄化方法
及び浄化装置に関し、特に気体状態での処理により被処
理物に含まれる有害物（例えばダイオキシン）等の除去
対象成分を除去又は減少させてこれを浄化する浄化方法
及び浄化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】地球環境問題に関する議論が喧しい今
日、各種の産業処理過程で排出される有害物の除去方法
に関してさまざまな検討がなされている。そのような有
害物のうちでもダイオキシンに関しては、毒性が強いこ
とも相まって、その除去対策には特に注意が払われてい
る。狭義のダイオキシンはポリ塩化ジベンゾダイオキシ
ンのことであるが、一般にダイオキシン類とは、分子中
に塩素を持つジベンゾ・パラジオキシン、ジベンゾフラ
ン及びコプラナーＰＣＢの総称を意味するものとされる
（以下、本明細書においてこのダイオキシン類のことを
単にダイオキシンと称する）。これらの物質はいずれも
自然界には存在せず、パルプ漂白工場の排煙に含まれた
り、除草剤等の生産過程で発生したりするほか、あるい
はごみ焼却炉内での反応により排煙内に含有される場合
がある。特に、ポリ塩化ビニルなどの塩素を含有した高
分子材料が廃棄物として捨てられ、これを焼却する際に
燃焼温度が十分に高くないと、高分子材料の不完全分解
による中間生成物としてダイオキシンが発生しやすいこ
とがわかっている。なお、１９９８年に環境庁が発表し
たわが国のダイオキシン発生量は欧米の数十倍から数百
倍であり、ごみ焼却炉等を中心にした今後の対策が重要
となってきている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ごみ焼却炉等におけるダイオキシンの発生を抑制するに
は、焼却炉自体の燃焼温度を高めなければならず、設備
の更新などが必要とされる。これは、多くの場合、環境
対策上必須のこととわかっていながら、処理施設を保有
する自治体等の財政上の問題で後手に回っていることが
多いのが現状である。

【０００４】また、別の問題としては、ダイオキシン等
の有害物規制が進むにつれ、その分析頻度も急増してい
る。ダイオキシンの分析対象は、土壌、水、水生生物、
排ガス、一般環境あるいは作業環境など非常に多種類あ
るが、これらはいずれも、それぞれ決められた方法によ
り溶媒抽出→濃縮→クリーンアップ等を繰り返すことで
濃縮分析液とされた後、分析に供される。しかし、実際
の分析で使用される分析液の量はわずかであり、残った
分析済み廃液は例えば密封容器に入れ、さらに冷凍保管
庫の中で保存されたりしている。分析試験機関等では、
このような分析液の発生量が増加しているが、ダイオキ
シン等の場合、高温での燃焼分解など、多額の費用と設
備を要する方法を除いては適切な処理方法が確立されて
おらず、増え続ける分析済み廃液を抱え込んで頭を痛め
ている。

【０００５】本発明の課題は、ダイオキシンを含有した
被処理物質の浄化処理を簡便かつ安価に行なうことがで
きる物質浄化処理方法と、それに用いる物質浄化装置と
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記の課
題を解決するために、本発明のダイオキシン含有被処理
物質の浄化方法（装置）は、プラズマ発生電極にプラズ
マ発生用電圧を印加してプラズマを発生させ、そのプラ
ズマ中にダイオキシンを含有した気体状の被処理物質を
導入して、ダイオキシンを主にダイオキシン以外の有機
物に転化することにより、被処理物質中のダイオキシン
含有量を減少させることを特徴とする。

【０００７】上記の方法によると、プラズマ発生電極に
プラズマ発生用電圧を印加してプラズマを発生させ、そ
のプラズマ中にダイオキシンを含有した気体状の被処理
物質を導入することにより、ダイオキシンがダイオキシ
ン以外の有機物に転化して、被処理物質中のダイオキシ
ン含有量を効率的に減少させることができる。また、従
来のごみ焼却炉等では、炉内温度を上昇させて炭酸ガス
等への完全分解により排出ダイオキシン量の減少を行な
うようにしていたため、設備の高出力化など非常にコス
トのかかる方法を採用せざるを得なかった。しかしなが
ら、本発明によると、プラズマ中に被処理物質を導入
し、これをダイオキシン以外の有機物に転化する形で無
害化するようにしたので、高温発生等が不要であり、ま
た、プラズマは、プラズマ発生電極にプラズマ発振用の
高周波を印加するのみで簡単に発生させることができ
る。さらに、上記の方法を実施するための装置の要部は
プラズマ発生部さえ含んでいればよいから簡便であり、
被処理気体の排出流路にも簡単に付加することができ
る。従って、被処理気体（あるいはその元となる被処理
物質）発生源となる設備側の改良や更新を行なうことな
く、安価に除去対象物質の除去機能を付与することが可
能となる。なお、本発明においては、被処理物質中のダ
イオキシンは、上記本発明の効果が極度に損なわれない
限り、一部が炭酸ガス等の無機化合物に転化される形と
なってもよい。

【０００８】プラズマ発生電極の、プラズマを発生させ
る電極面の少なくとも一部は、金属系又は非金属系の触
媒層とすることができる。このような触媒層を用いるこ
とで、ダイオキシのダイオキシン以外の有機物への転化
反応を促進することができ、ひいては被処理物質中のダ
イオキシンをより効率的に除去できるようになる。一
方、プラズマ中に導入された被処理物質を、プラズマ発
生電極とは別に設けられた金属系又は非金属系の触媒と
接触させることもできる。

【０００９】上記のような触媒として、金属系触媒を使
用する場合、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＲｅから選ばれる１種
以上を主成分とする金属にて形成されたものを使用する
と、被処理物質中のダイオキシンの除去効率を一層高め
ることができる。これらのうち、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及び
Ｐｔを特に好適に使用できる。なお、本明細書において
「主成分」とは、最も重量含有率の高い成分のことをい
う。

【００１０】また、プラズマ発生電極としては、電極面
が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒ
ｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＲｅから選ばれる１種以上を
主成分とする金属にて形成されているものを使用するこ
とで、被処理物質中のダイオキシンの除去効率を一層高
めることができる。

【００１１】上記本発明の方法ないし装置においては、
プラズマ発生電極の周囲に、プラズマ形成媒体をなすプ
ラズマ媒体気体を供給することが必要である。この場
合、プラズマ媒体気体は被処理気体に含まれるものであ
ってもよいし、被処理気体とは別に供給されるものであ
ってもいずれでもよい。

【００１２】次に、被処理物質は、常温で液体状又は固
体状の物質を気化したものとすることができる。これに
より、浄化したい物質が常温で液体状あるいは固体状の
ものであっても、加熱等によりこれを気化することで、
本発明の方法ないし装置により、含まれるダイオキシン
を容易に除去ないし減少させることができ、これを浄化
することができる。他方、被処理物質が常温で気体状の
場合は、これをそのまま被処理気体として処理すること
ができる。

【００１３】ダイオキシン含有被処理物質は、例えばダ
イオキシンを含有した溶液、例えばダイオキシン分析廃
液とすることができる。ダイオキシン分析廃液は、被分
析成分を溶解・抽出するための有機溶媒にダイオキシン
が溶解したものである。このようなダイオキシン分析廃
液は、加熱等により気化することで本発明の適用対象と
なる被処理気体となる。一方、除草剤等の生産など化学
合成工程や、パルプ漂白工程などの化学処理工程で発生
するダイオキシン含有排ガスや、燃焼炉あるいはごみ焼
却炉にて発生するダイオキシン含有排煙なども、本発明
の適用対象となる被処理物質となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
の図面を用いて説明する。図１は、本発明の、ダイオキ
シン含有被処理物質の浄化装置の一例を概念的に示すも
のである。この装置５０では、プラズマ発生電極１，１
に、高周波電源３によりプラズマ発生用電圧を印加して
プラズマＰを発生させ、そのプラズマＰ中にダイオキシ
ンを含有したガス状の被処理物質Ｇ（以下、被処理気体
Ｇともいう）を導入する。これにより、被処理物質Ｇ中
のダイオキシンをダイオキシン以外の有機物に転化する
ことにより、被処理物質Ｇ中のダイオキシン含有量を減
少させる。

【００１５】プラズマ発生電極１，１の周囲には、所定
の気体導入空間６を形成するとともに、被処理気体Ｇを
気体導入空間６に導入するための被処理気体導入口４
と、浄化済みの排気物を気体導入空間６から排気するた
めの排気口５（排気管１４に連通している）とを備えた
気体導入空間形成体１５が配置され、浄化ユニットが形
成されている。そして、互いに対向するプラズマ発生電
極１，１の組の間にプラズマＰを発生させた状態にて、
それら電極１，１間に被処理気体Ｇを流通させるように
なっている。

【００１６】被処理気体Ｇは、被処理廃液を気化装置９
にて気化したもので、バルブ８を経て被処理気体供給配
管７及び主配管１３を経て気体導入空間６に導かれる。
気化装置９にはヒータが内蔵され、被処理廃液を加熱に
より蒸発させて気化する。被処理廃液は、ここではダイ
オキシン分析を行った後の残液である、ダイオキシンを
含有した有機溶媒廃液であり、気体導入空間６へは、例
えば一定の供給単位に分割されて、断続的に気化・供給
される。他方、プラズマ媒体気体（ここでは窒素）が、
その供給源１０よりバルブ１１及び主配管１３を経て気
体導入空間６へ供給される。すなわち、被処理気体供給
配管７は、気化された被処理物質をプラズマ中に供給す
る供給管路の役割を果たす。プラズマ媒体気体は被処理
気体Ｇと混合された形で気体導入空間６へ供給される。
なお、被処理気体Ｇが凝結して液体に戻るのを防止する
ために、配管７，１３，１４及び気体導入空間形成体１
５を含む浄化ユニットが、これに巻きつけられたバンド
ヒータ等のヒータにより加熱されるようになっている。
すなわち、供給管路を加熱する管路加熱用ヒータが設け
られている。

【００１７】次に、プラズマ発生電極１は、プラズマを
発生させる電極面、ここではその全体が、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ及びＲｅから選ばれる１種以上を主成分とする金属
（以下、電極面形成金属と称する）、ここではＰｔによ
り形成されている。図２（ａ）に示すように、プラズマ
発生電極１は、上記のような金属のムク材で形成しても
よいし、Ｆｅ又は鉄合金など、他の金属からなる基材表
面を、上記電極面形成金属の層にてライニングした構造
を採用してもよい。

【００１８】また、プラズマ発生電極１は、図２（ｂ）
に示すように、電極面形成金属からなる多孔質電極とし
て構成することもできる。このような多孔質電極は、例
えば焼結多孔質部材として形成することが可能である。
このようにすることで、電極面が触媒として作用する場
合の触媒効率を高めることができる。なお、（ｃ）に示
すように、基材１ａの電極面形成部に電極面形成金属か
らなる多孔質電極層１ｂを形成した構造を採用すること
ができる。

【００１９】図１に戻り、対向するプラズマ発生電極
１，１に高周波電圧を引火することにより、対向電極面
間にプラズマＰが発生する。そして、その状態で対向電
極面間に被処理気体Ｇを供給することで、これに含まれ
るダイオキシンがダイオキシンとは異なる有機物に転化
され、そのダイオキシン含有量が減少する。ダイオキシ
ン含有量が減じられた排気ガスは、排気口５から排気管
１４を経て排出されるようになっており、図示しないト
ラップ等に回収される。

【００２０】図４は、そのダイオキシンの分解処理過程
を推測して示すものである。ダイオキシンは、プラズマ
中に導入されることで分解・励起され、ダイオキシンよ
りも低分子量の種々の励起生成物を生ずる。そして、プ
ラズマ発生電極１の表層部を構成する電極面形成金属層
を触媒層として、励起生成物が再結合し、ダイオキシン
とは別の無害化された有機化合物となり、排出される。
なお、励起生成物には、当然にダイオキシン以外の成分
に由来するものも含有されるが、これがダイオキシンに
由来する励起生成物と再結合しても、結局はダイオキシ
ン以外の有機物を生成することになる。

【００２１】プラズマ媒体気体として窒素を用いると、
プラズマＰ中にて窒素が励起されることにより窒素ラジ
カルが発生し、ダイオキシンの分解・除去反応を一層効
率的に進行させることができる場合がある。また、図１
において、プラズマ媒体気体として、窒素の代わりに空
気を導入することもできる（例えばバルブ１２を介して
主配管１３により）。この場合は、窒素ラジカルのほか
に酸素ラジカルが同様に発生し、ダイオキシンの分解・
除去に寄与する場合がある。また、プラズマ媒体気体と
ともに水蒸気を導入することもできる。具体的には、バ
ルブ１２を介して主配管１３により、水蒸気を含んだ空
気を供給する方法がある。このようにすると、プラズマ
Ｐ中において水分子が励起されることによりオゾンやＯ
Ｈラジカル等の酸素含有活性成分が発生し、これがダイ
オキシンの分解・除去反応に寄与する場合がある。

【００２２】図３は浄化ユニットの具体例を示すもので
ある。この浄化ユニット４１は、対向配置した第一プラ
ズマ発生電極である筒状の内筒電極４２と、第二プラズ
マ発生電極である筒状の外筒電極４３を備え、内筒電極
４２は外筒電極４３の内側にほぼ同軸的に固定されてい
る（すなわち、電極４２，４３が図１の電極１，１に相
当する）。内筒電極４２及び外筒電極４３がいずれもＰ
ｔ金属製である。また、内筒電極４２と外筒電極４３と
には、図１のプラズマ発生用の高周波電源３が接続さ
れ、外筒電極４３を支持するガラス管４４（図１の気体
導入空間形成体１５である）の両端にそれぞれ、被処理
気体導入口４に相当する被処理気体送給流路４５と、同
じく排気口５に相当する排気流路４６とが形成されてい
る。

【００２３】上記のような浄化ユニット４１において、
内筒電極４２と外筒電極４３との間に高周波電源３によ
り高周波高電圧を印加すると、内筒電極４２の外周面と
外筒電極４３の内周面（これらが対向電極面である）と
の間で、かつガラス管４４の内部でプラズマＰが発生す
る。この状態において、被処理気体送給流路４５よりダ
イオキシンを含有する被処理ガスとプラズマ媒体ガスで
ある窒素との混合ガスを送給すると、窒素がプラズマＰ
となり、ここに導入されるダイオキシンの分解反応が促
進されることとなる。

【００２４】なお、図５に示すように、プラズマ発生電
極１，１とは別に、前記した電極面形成金属と同様の材
質にて構成された触媒を設けることもできる。具体的に
は、プラズマ発生電極１，１間を通過した被処理気体
は、触媒と接触することにより、ダイオキシンの無害有
機物への転化反応を促進することができる。例えば、プ
ラズマ発生電極１，１が前記した触媒としての機能をあ
まり顕著に発揮しない場合、上記触媒との接触により、
プラズマＰ中にて生成した励起生成物の再合成反応を促
進することができるようになる。なお、この実施例にお
いて触媒は、気体流通管路の全断面にわたり、気体の流
通を許容した形で触媒粒子が充填された触媒充填層とし
て構成されている。

【００２５】なお、上記本発明の装置は、図６に示すよ
うに、例えば燃焼炉やごみ焼却炉の排気管上に浄化ユニ
ットを設け、その排気管を通る排気ガスを被処理ガスと
して、これに含まれるダイオキシン等の除去対象物質の
除去を行なう目的にも適用できる。

【００２６】

【実験例】本発明の効果を確認するために、以下の実験
を行った。（実験例１）図３に示す浄化ユニット（ただし、内筒電
極４２と外筒電極４３との対向距離は１ｍｍである）を
用い、ダイオキシンの一種である１，２，３，４−テト
ラクロロジベンゾ−ｐ−ジオキシン（以下、１２３４Ｔ
ＣＤＤと略記する）を含有した溶液の浄化実験を行っ
た。まず、濃度１００ｎｇ／μｌの１２３４ＴＣＤＤの
トルエン溶液を作製し、これを１μｌずつに区切って５
００回、すなわち総量として５０μｇの１２３４ＴＣＤ
Ｄが処理されるように、気化しながら浄化ユニットに注
入した。なお、プラズマ発生用の高周波印加電圧のレベ
ルは１０〜１６ｋＶにて、周波数は１〜５ｋＨｚの各種
値に調整した。

【００２７】そして、処理後の排気ガスは５００ｍｌの
トルエンにトラップし、そのトラップしたトルエン中の
１２３４ＴＣＤＤの量を測定するとともに、１２３４Ｔ
ＣＤＤの投入総量で除することにより、分解率を求め
た。表１に結果を示す。

【００２８】

【表1】

【００２９】すなわち、高周波印加電圧のレベルと周波
数とを適切に印加することにより、５０％以上の１２３
４ＴＣＤＤの分解が可能であり、特に印加電圧１２ｋＶ
以上、周波数１ｋＨｚ以上で９０％以上、さらに印加電
圧１４ｋＶ以上、周波数１ｋＨｚ以上でほぼ１００％に
近い分解率が達成できていることがわかる。

【００３０】（実験例２）ダイオキシンとして、２，
３，７，８−テトラクロロジベンゾ−ｐ−ジオキシン
（以下、２３７８ＴＣＤＤという）を用いた点と、高周
波印加電圧を１５ｋＶ、周波数を２ｋＨｚに固定した以
外は、実験例１と同様にして実験を行った。その結果、
９９．１％の分解率にてこれを浄化できていることがわ
かった。

【００３１】図７は、処理後の排気ガスをトラップした
ベンゼン溶液のガスクロマトグラフィー分析結果であ
る。２３７８ＴＣＤＤのピークは観察されず、代わって
ベンズアルデヒド、ベンズニトリル、ジベンジル等の、
ダイオキシン以外の有機化合物が多く検出されているこ
とがわかる（なお、構造同定できなかったピークもいく
つかみられるが、これらはいずれもダイオキシンとは明
らかに異なるピークを示す）。これは、ダイオキシンが
分解し、上記の有機化合物に再結合して除去されたこと
を示すものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の物質浄化装置の一例を示す模式図。

【図２】電極構造をいくつか例示して示す模式図。

【図３】図１の装置の浄化ユニットの具体例を示す側面
部分断面図。

【図４】ダイオキシンの分解・再合成過程を推測して示
す模式図。

【図５】浄化ユニットの変形例を示す模式図。

【図６】燃焼排気ガスの処理に本発明の物質浄化装置を
適用する例を示す模式図。

【図７】実験例２における処理後の排気ガスのガスクロ
マトグラフィー分析結果を示すチャート。

【符号の説明】

１プラズマ発生電極４被処理気体導入口５排出口６気体導入空間ＰプラズマＧ被処理ガス５０ダイオキシン含有被処理物質の浄化装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ０１Ｄ 53/36 ＺＡＢＧ (72)発明者林佑二東京都稲城市向陽台４−３−２−1106 Ｆターム(参考） 2E191 BA12 BD18 4D048 AA11 AB03 BA29Y BA30Y BA31Y BA32Y BA33Y BA34Y BA35Y BA37Y BA38Y EA02 EA03 4G075 AA01 AA03 AA37 BA05 CA25 CA47 CA63 DA01 EB21 4H006 AA05 AC26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ発生電極にプラズマ発生用電圧
を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ中にダイ
オキシンを含有した気体状の被処理物質を導入して、前
記ダイオキシンを主にダイオキシン以外の有機物に転化
することにより、前記被処理物質中のダイオキシン含有
量を減少させることを特徴とするダイオキシン含有被処
理物質の浄化方法。
【請求項２】前記プラズマ発生電極の、プラズマを発
生させる電極面の少なくとも一部が、金属系又は非金属
系の触媒層とされている請求項１記載のダイオキシン含
有被処理物質の浄化方法。
【請求項３】前記プラズマ発生電極として、前記電極
面が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒ
ｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＲｅから選ばれる１種以上を
主成分とする金属にて形成されているものが使用される
請求項１又は２に記載のダイオキシン含有被処理物質の
浄化方法。
【請求項４】前記プラズマ中に導入された前記被処理
物質を、前記プラズマ発生電極とは別に設けられた金属
系又は非金属系の触媒と接触させる請求項1ないし３の
いずれかに記載のダイオキシン含有被処理物質の浄化方
法。
【請求項５】前記プラズマ発生電極の周囲に、プラズ
マ形成媒体をなすプラズマ媒体気体を供給する請求項１
ないし４のいずれかに記載のダイオキシン含有被処理物
質の浄化方法。
【請求項６】前記プラズマ媒体気体は気体状の前記被
処理物質に含まれるものである請求項５記載のダイオキ
シン含有被処理物質の浄化方法。
【請求項７】前記プラズマ媒体気体は、前記被処理物
質とは別に供給されるものである請求項５又は６に記載
のダイオキシン含有被処理物質の浄化方法。
【請求項８】前記被処理物質は、常温で液体状又は固
体状の物質を気化したものである請求項１ないし７のい
ずれかに記載のダイオキシン含有被処理物質の浄化方
法。
【請求項９】前記被処理物質は、常温で気体状のもの
である請求項１ないし８のいずれかに記載のダイオキシ
ン含有被処理物質の浄化方法。
【請求項１０】前記プラズマ媒体気体として窒素が使
用される請求項１ないし９のいずれかに記載のダイオキ
シン含有被処理物質の浄化方法。
【請求項１１】プラズマ発生電極にプラズマ発生用電
圧を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ中にダ
イオキシンを含有した気体状の被処理物質を導入して、
前記ダイオキシンを主にダイオキシン以外の有機物に転
化することにより、前記被処理物質中のダイオキシン含
有量を減少させることを特徴とするダイオキシン含有被
処理物質の浄化装置。
【請求項１２】前記プラズマ発生電極の周囲に所定の
気体導入空間を形成するとともに、前記気体状の被処理
物質を前記気体導入空間に導入するための被処理物質導
入口と、浄化済みの排気物を前記気体導入空間から排気
するための排気口とを備えた気体導入空間形成体を備え
る請求項１１記載のダイオキシン含有被処理物質の浄化
装置。
【請求項１３】互いに対向するプラズマ発生電極の組
の間に前記プラズマを発生させた状態にて、それら電極
間に前記気体状の被処理物質を流通させる請求項１１又
は１２に記載のダイオキシン含有被処理物質の浄化装
置。
【請求項１４】前記プラズマ発生電極として、プラズ
マを発生させる電極面の少なくとも一部を、金属系又は
非金属系の触媒層とした請求項１１ないし１３のいずれ
かに記載のダイオキシン含有被処理物質の浄化装置。
【請求項１５】前記プラズマ発生電極として、前記電
極面が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＲｅから選ばれる１種以上
を主成分とする金属にて形成されているものが使用され
る請求項１１ないし１４のいずれかに記載のダイオキシ
ン含有被処理物質の浄化装置。
【請求項１６】前記プラズマ中に導入された前記被処
理物質を、前記プラズマ発生電極とは別に設けられた金
属系又は非金属系の触媒と接触させる請求項１１ないし
１５のいずれかに記載のダイオキシン含有被処理物質の
浄化装置。
【請求項１７】常温で液体状又は固体状の被処理物質
を気化する気化装置と、その気化された被処理物質を前
記プラズマ中に供給する供給管路とを含む請求項１１な
いし１６のいずれかに記載のダイオキシン含有被処理物
質の浄化装置。
【請求項１８】前記供給管路を加熱する管路加熱用ヒ
ータが設けられている請求項１７記載のダイオキシン含
有被処理物質の浄化装置。