JP2001298251A - 電子デバイス素子の実装方法、電子部品および通信機装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディングツールと電子デバイス素子との間
のすべりを防ぐとともに超音波の伝達効率を高め、か
つ、実装工程を多数回繰り返しても信頼性の高い接続が
得られる電子デバイス素子の実装方法、およびその実装
方法を用いて形成した電子部品を提供する。 【解決手段】基板表面９に素子電極が形成された電子デ
バイス素子１と、底部に押圧面を有するボンディングツ
ール１１と、実装電極６が形成された実装基板とを用意
する工程と、電子デバイス素子１の基板裏面１０にボン
ディングツール１１の押圧面を接触させながら、ボンデ
ィングツール１１に超音波を印加して、電子デバイス素
子１を実装基板上に金属バンプ４を介して実装する工程
とを有する電子デバイス素子１の実装方法において、前
記電子デバイス素子１の基板裏面１０は粗面化処理され
ており、かつ、前記ボンディングツール１１の押圧面は
粗面化処理されていない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス素子
の実装方法および電子部品に関し、特に電子デバイス素
子に超音波を印加しながら押圧して実装基板上に実装す
る電子デバイス素子の実装方法、およびその実装方法を
用いて形成された電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子部品の小型化、低背化に伴
い、電子デバイス素子の実装方法としてフリップチップ
工法が開発されている。フリップチップ工法とは、電子
デバイス素子の素子電極が形成されている機能面を実装
基板に対向させた状態で実装する工法であり、ボンディ
ングツール底部の押圧面を電子デバイス素子の裏面に接
触させて押圧することにより、電子デバイス素子の素子
電極上に形成された金属バンプと実装基板上の実装電極
を電気的機械的に接続する工法である。また、金属バン
プと実装基板上の実装電極との接続強度を上げるため
は、接続時にボンディングツールに超音波を印加する工
法や超音波と熱を同時に印加する工法がしばしば用いら
れる。

【０００３】このような超音波を用いたフリップチップ
工法では、ボンディングツールの押圧面を電子デバイス
素子の裏面に接触させて押圧しているだけであるため、
ボンディングツールと電子デバイス素子との間ですべり
が生じたり、超音波が電子デバイス素子に十分に伝わら
ないという問題が生じていた。ボンディングツールと電
子デバイス素子との間ですべりが生じ電子デバイス素子
が実装位置からずれた場合には、ボンディングツールか
ら印加される超音波や荷重が電子デバイス素子の一部に
局所的に集中し、電子デバイス素子にクラックが生じる
という恐れがあった。また、超音波の伝達効率が低下し
た場合には、金属バンプと実装電極との接続強度が低下
するという恐れがあった。

【０００４】このような問題を解決し、金属バンプと実
装電極との接続部の信頼性や接続強度を向上させる手法
の例として、特開平１１−７４３１５号公報に開示され
ているものがある。この手法は、ボンディングツールの
押圧面を粗面化することによってボンディングツールと
電子デバイス素子との摩擦力を増大させ、ボンディング
ツールと電子デバイス素子との間のすべりを防ぐととも
に、超音波の伝達効率を高めるものである。また、ボン
ディングツールの押圧面に加えて電子デバイス素子の裏
面も粗面化することによって、この効果は一層高まると
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ボンディングツールを用いた実装方法には次のような問
題があった。すなわち上述の方法では、ボンディングツ
ールを量産工程において繰り返し使用していると、その
押圧面は徐々に摩耗していく。ボンディングツールを硬
い材質で形成した場合であっても、摩耗の発生を完全に
防ぐことはできない。押圧面が摩耗すれば押圧面の表面
粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が次第に減少すること
になり、その結果ボンディングツールと電子デバイス素
子との摩擦力が低下する。そのため、ボンディングツー
ルと電子デバイス素子との間ですべりが生じたり、超音
波の伝達効率が変化し、金属バンプと実装電極との接続
状態が変化することで、素子間の特性上のばらつきが発
生する。また、特開平１１−７４３１５号公報に記載の
ものでは、その電子デバイス素子裏面における表面粗さ
自体が過度に大きい。

【０００６】本発明の電子デバイス素子の実装方法およ
び電子部品は、上述の問題を鑑みてなされたものであ
り、これらの問題を解決し、ボンディングツールと電子
デバイス素子との間のすべりを防ぐとともに超音波の伝
達効率を高め、かつ、実装工程を多数回繰り返しても、
ばらつきなく信頼性の高い接続が得られる電子デバイス
素子の実装方法、およびその実装方法を用いて形成した
電子部品を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の電子デバイス素子の実装方法は、基板表面に素
子電極が形成された電子デバイス素子と、底部に押圧面
を有するボンディングツールと、実装電極の形成された
実装基板とを用意する工程と、電子デバイス素子の基板
裏面にボンディングツールの押圧面を接触させながら、
ボンディングツールに超音波を印加して、電子デバイス
素子を実装基板上に金属バンプを介して実装する工程と
を有する電子デバイス素子の実装方法において、前記電
子デバイス素子の基板裏面は粗面化処理されており、か
つ、前記ボンディングツールの押圧面は粗面化処理され
ていないことを特徴とする。

【０００８】このように本発明では、ボンディングツー
ルの押圧面を粗面化処理しないため、実装工程を多数回
繰り返しても押圧面が摩耗して表面粗さ（中心線平均表
面粗さＲａ）が低下することもない。そのため、ボンデ
ィングツールと電子デバイス素子との間で常に一定の摩
擦力を保つことができ、金属バンプと実装電極との間で
安定した接続状態を得ることができる。

【０００９】一方本発明では、電子デバイス素子の基板
裏面を粗面化処理することで、ボンディングツールと電
子デバイス素子との間で一定の摩擦力を生じさせること
ができるため、電子デバイス素子のすべりを防ぐととも
に超音波の伝達効率を高めることができる。電子デバイ
ス素子のすべりを防止できれば、電子デバイス素子が実
装位置からずれることもなく、ボンディングツールから
印加される超音波や荷重が電子デバイス素子の一部に局
所的に集中して電子デバイス素子にクラックが生じると
いう恐れもない。また、超音波を有効に伝達することが
できるため、金属バンプと実装電極との接続強度を向上
させることができる。なお、上記のように電子デバイス
素子の基板裏面を粗面化処理するが、実装工程において
は常に新しい電子デバイス素子が供給されるため、電子
デバイス素子の基板裏面が摩耗して摩擦力が変化する場
合を考慮する必要はない。

【００１０】また、電子デバイス素子の基板裏面の表面
粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）は０．６μｍ以上であ
ることが望ましい。表面粗さ（中心線平均表面粗さＲ
ａ）が０．６μｍより小さい場合には、ボンデイングツ
ールの裏面と電子デバイス素子の基板裏面の間に生じる
摩擦力が小さいため、ボンデイングツールから印加され
る超音波振動や荷重が弾性表面波素子に十分に伝わりに
くく、また電子デバイス素子がすべりを起しやすいとい
う問題が生じるためである。

【００１１】さらに、電子デバイス素子の基板裏面の表
面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）は７．０μｍ以下で
あることが望ましい。例えば、電子デバイス素子の基板
としてタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム、水晶等
の圧電基板を用いる場合、これらの基板はクラックや割
れを生じやすいという特徴を有する。したがって、基板
にこれらの材料を用いた場合、基板裏面の表面粗さ（中
心線平均表面粗さＲａ）が７．０μｍを超えるような、
過度の粗面化処理を行うと、基板の割れが生じ易くなり
歩留まりが低下するという問題が発生するためである。

【００１２】本発明は、電子デバイス素子の基板にタン
タル酸リチウムやニオブ酸リチウム、水晶等の圧電基板
を用いた弾性表面波素子に特に有利に適用できる。

【００１３】さらに、弾性表面波素子の基板に水晶基板
を用いる場合には、基板裏面の表面粗さ（中心線平均表
面粗さＲａ）を１．１μｍ以上とすることが望ましい。
水晶基板はタンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム
基板とは異なる機械的特性を有する。したがって、弾性
表面波素子のすべりを十分に防止して、ボンディングツ
ールから印加される超音波や荷重の局所的な集中による
弾性表面波素子のクラック発生を防ぐためには、基板裏
面の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）を１．１μｍ
より大きくして、ボンデイングツールの裏面と弾性表面
波素子の基板裏面の間に生じる摩擦力を大きくする必要
がある。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である電子
デバイス素子の実装方法、および電子部品を、図１〜６
に基づいて説明する。以下の実施例では、弾性表面波装
置を製造する場合について説明する。図１は本発明を用
いて製造された弾性表面波装置の断面図を示し、図２
は、本発明を用いて弾性表面波素子をパッケージ容器内
に実装する際の断面図を示す。

【００１５】本実施例における弾性表面波装置８は、図
１に示すように、パッケージ容器５と、パッケージ容器
内に実装された弾性表面波素子１と、パッケージ容器を
気密封止するためのキャップ７とを有する。弾性表面波
素子１は、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム、水
晶等の圧電基板２と、その表面９（図２において、基板
２の下面側）に形成されたＡｌからなる厚さ０．１〜
０．２μｍ程度の薄膜で形成された櫛形電極等の素子電
極（図示せず）、櫛形電極に電気的に接続された電極パ
ッド３、および電極パッド３上に形成されたＡｕまたは
Ａｕを含む合金からなる金属バンプ４等から構成され
る。圧電基板２の裏面１０（図２において、基板２の上
面側）は、ラップ加工やホーニング加工等の機械加工に
よって粗面化処理されている。パッケージ容器５はＡｌ
₂Ｏ₃等のセラミック材料からなり、内底面にパッケージ
容器５と弾性表面波素子１とを電気的に接続するための
実装電極６が形成されている。

【００１６】次に、上記弾性表面波装置８の製造方法を
図２を用いて説明する。まず、弾性表面波素子１をパッ
ケージ容器５内に実装するためのフリップチップ実装機
を用意する。フリップチップ実装機はボンディングツー
ル１１を有し、ボンディングツール１１はその底部に、
弾性表面波素子１を押圧するための押圧面（図２におい
て、ボンディングツール１１の弾性表面波素子１の裏面
１０との接触部分）が形成されている。なお、ボンディ
ングツール１１の押圧面は粗面化処理されていない。

【００１７】弾性表面波素子１を、パッケージ容器５内
の実装電極６に金属バンプ４を介して対向させた状態で
配置し、弾性表面波素子１の裏面１０に上記ボンディン
グツール１１の押圧面を接触させながら、ボンディング
ツール１１に超音波を印加、押圧し、金属バンプ４と実
装電極６を圧着して電気的機械的に接続する。この際、
超音波と同時に熱を印加してもよい。最後に、弾性表面
波素子１の実装されたパッケージ容器５をキャップ７で
気密封止することにより、弾性表面波装置８が完成す
る。

【００１８】このように本発明では、ボンディングツー
ル１１の押圧面を粗面化処理していないため、実装工程
を多数回繰り返しても押圧面が摩耗して表面粗さ（中心
線平均表面粗さＲａ）が低下することはない。したがっ
て、繰り返し多数の素子を実装しても、金属バンプ４と
実装電極６との間で常に安定した接続状態を得ることが
できる。一方、本発明では、弾性表面波素子１の基板裏
面１０を粗面化処理することで、ボンディングツール１
１と弾性表面波素子１との間に一定の摩擦力を生じさせ
ることができるため、弾性表面波素子１のすべりを防ぐ
とともに超音波の伝達効率を高めることができる。弾性
表面波素子１のすべりを防止できれば、弾性表面波素子
１が実装位置からずれることもなく、ボンディングツー
ル１１から印加される超音波や荷重が弾性表面波素子１
の一部に局所的に集中して素子にクラックが生じるとい
う恐れもない。また、超音波を有効に伝達することがで
きるため、金属バンプ４と実装電極６との接続強度を向
上させることができる。なお、実装工程においては常に
新しい弾性表面波素子１が供給されるため、弾性表面波
素子１の基板裏面１０が摩耗して摩擦力が変化すること
はない。

【００１９】上述のように、弾性表面波素子１の基板裏
面１０を粗面化処理することによって金属バンプ４と実
装電極６との接続強度を向上させることができる。しか
し、弾性表面波素子１の基板２として用いるタンタル酸
リチウムやニオブ酸リチウム、水晶等の圧電基板はクラ
ックや割れを生じやすいという特徴を有する。したがっ
て、基板にこれらの材料を用いた場合は、基板裏面１０
の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が７．０μｍを
超えると、粗面化処理の際に基板２に割れが生じ易くな
り、歩留まりが低下するという問題が発生する。ゆえ
に、基板裏面１０の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲ
ａ）は７．０μｍ以下であることが望ましいといえる。 （実施例１）上記方法を用いて製造した弾性表面波装置
８について、弾性表面波素子１の基板裏面１０の表面粗
さ（中心線平均表面粗さＲａ）と弾性表面波素子１とパ
ッケージ容器５との接続強度の関係を調べた。その結果
を図３に示す。

【００２０】弾性表面波素子１の基板２にはタンタル酸
リチウム基板を用い、基板２の裏面１０はラップ加工に
より粗面化処理を行った。基板裏面１０の表面粗さはレ
ーザフォーカス変位計を用いて測定し、レーザ波長は６
７０ｎｍのものを用いた。接続強度は、基板裏面１０の
表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が２．２μｍのと
きの強度を１として規格化した値を示す。

【００２１】図３からわかるように、基板裏面１０の表
面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６μｍ以上で
あるときに、弾性表面波素子１とパッケージ容器５との
間で大きな接続強度が得られていることがわかる。表面
粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６μｍより小さ
い場合は、ボンデイングツール１１の裏面と弾性表面波
素子１の基板裏面１０の間に生じる摩擦力が小さく、ボ
ンデイングツール１１から印加される超音波振動や荷重
が弾性表面波素子１に十分に伝わっていないためである
と考えられる。 （実施例２）同じく上記方法を用いて製造した弾性表面
波装置８について、弾性表面波素子１の基板裏面１０の
表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）と、弾性表面波素
子１のパッケージ容器５に対する接続位置ずれの発生率
の関係を調べた。その結果を図４に示す。

【００２２】実施例１の場合と同様に、弾性表面波素子
１の基板２にはタンタル酸リチウム基板を用い、基板２
の裏面１０はラップ加工により粗面化処理をした。基板
裏面１０の表面粗さはレーザフォーカス変位計を用いて
測定し、レーザ波長は６７０ｎｍのものを用いた。本実
施例では、フリップチップ実装機の接続位置精度の保証
値を大きく上回る位置ずれを起こしたものを位置ずれ発
生とした。

【００２３】図４からわかるように、基板裏面１０の表
面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６μｍ以上で
あるときに、弾性表面波素子１の位置ずれを抑制できて
いることがわかる。表面粗さ（中心線平均表面粗さＲ
ａ）が０．６μｍより小さい場合には、ボンデイングツ
ール１１の裏面と弾性表面波素子１の基板裏面１０の間
に生じる摩擦力が小さく、弾性表面波素子１がボンデイ
ングツール１１の押圧面に対してすべり、位置ずれが発
生しているものと考えられる。 （実施例３）同じく上記方法を用いて製造した弾性表面
波装置８について、弾性表面波素子１の基板裏面１０の
表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）と、弾性表面波素
子１のクラック発生率の関係を調べた。その結果を図５
に示す。

【００２４】実施例１の場合と同様に、弾性表面波素子
１の基板２にはタンタル酸リチウム基板を用い、基板２
の裏面１０はラップ加工により粗面化処理をした。基板
裏面１０の表面粗さはレーザフォーカス変位計を用いて
測定し、レーザ波長は６７０ｎｍのものを用いた。

【００２５】図５からわかるように、基板裏面１０の表
面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６μｍ以上で
あるときに、弾性表面波素子１のクラック発生を抑制で
きていることがわかる。表面粗さ（中心線平均表面粗さ
Ｒａ）が０．６μｍより小さく、ボンデイングツール１
１の裏面と弾性表面波素子１の基板裏面１０の間に生じ
る摩擦力が小さい場合には、実施例２から明らかなよう
に、弾性表面波素子１がすべりを起しやすい。その結
果、ボンディングツール１１から印加される超音波や荷
重が弾性表面波素子１の一部に局所的に集中し、弾性表
面波素子１にクラックが生じるものと考えられる。

【００２６】以上の実施例１〜３より、弾性表面波素子
１の基板２としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合
には、基板裏面１０の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲ
ａ）を０．６μｍ以上７．０μｍ以下とすることで、弾
性表面波素子１とパッケージ容器５との間で、信頼性の
高い接続を得ることができると考えられる。また、ニオ
ブ酸リチウムはタンタル酸リチウムと類似の機械的特性
を有すると考えられるため、弾性表面波素子１の基板２
としてニオブ酸リチウム基板を用いた場合にも、基板裏
面１０の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）を０．６
μｍ以上７．０μｍ以下とすることで、信頼性の高い接
続を得ることができると考えられる。 （実施例４）同じく上記方法を用いて製造した弾性表面
波装置８について、弾性表面波素子１の基板裏面１０の
表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）と、弾性表面波素
子１のクラック発生率の関係を調べた。その結果を図６
に示す。

【００２７】本実施例では、弾性表面波素子１の基板２
には水晶基板を用い、基板２の裏面１０はラップ加工に
より粗面化処理を行った。基板裏面１０の表面粗さはレ
ーザフォーカス変位計を用いて測定し、レーザ波長は６
７０ｎｍのものを用いた。

【００２８】図６からわかるように、基板裏面１０の表
面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が１．１μｍ以上で
あるときに、弾性表面波素子１のクラック発生を抑制で
きていることがわかる。さらに、基板裏面１０の表面粗
さ（中心線平均表面粗さＲａ）が１．３μｍ以上である
ときに、弾性表面波素子１のクラック発生を完全に抑制
できていることがわかる。

【００２９】水晶基板はタンタル酸リチウム基板やニオ
ブ酸リチウム基板とは異なる機械的特性を有する。した
がって、弾性表面波素子１のすべりを十分に防止して、
ボンディングツール１１から印加される超音波や荷重の
局所的な集中による弾性表面波素子１のクラック発生を
防ぐためには、基板裏面１０の表面粗さ（中心線平均表
面粗さＲａ）を１．１μｍより大きくして、ボンデイン
グツールの裏面と弾性表面波素子の基板裏面１０の間に
生じる摩擦力を大きくする必要があるものと考えられ
る。さらに、弾性表面波素子１のクラック発生を完全に
抑制するには、基板裏面１０の表面粗さ（中心線平均表
面粗さＲａ）を１．３μｍ以上とするのが望ましい。

【００３０】実施例４より、弾性表面波素子１の基板２
として水晶基板を用いた場合には、弾性表面波素子１の
基板裏面１０の表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）を
１．１μｍ以上、望ましくは１．３μｍ以上、かつ７．
０μｍ以下とすることで、弾性表面波素子１とパッケー
ジ容器５との間で信頼性の高い接続を得ることができる
と考えられる。

【００３１】次に、本発明の通信機装置を図７に基づい
て説明する。なお、図７は本発明の通信機装置のブロッ
ク図である。図７に示すように本発明の通信機装置は、
アンテナ３０およびアンテナ３０に接続されたデュプレ
クサ３１と、デュプレクサ３１に接続される送信用回路
および受信用回路とから構成されている。送信用回路
は、発振器３２から発振されディバイダ３３により分割
された送信信号を濾波する段間フィルタ３４、送信信号
を増幅するパワーアンプ３５や受信信号を送信側に通過
させないためのアイソレータ３６などから構成されてい
る。一方、受信用回路はアンテナ３０からの受信信号を
増幅するローノイズアンプ３７や受信信号を濾波する段
間フィルタ３８などから構成されている。そして、受信
信号およびローカル信号を混合して、ミキサ３９よりＩ
Ｆ信号が出力される。このような構成の通信機装置にお
いて、例えば受信用回路における段間フィルタ３７とし
て、本発明の電子デバイス素子の実装方法により得られ
た電子デバイス素子または本発明の電子部品が用いられ
る。

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ボンディ
ングツールの押圧面を粗面化処理しないため、実装工程
を多数回繰り返しても押圧面が摩耗して表面粗さ（中心
線平均表面粗さＲａ）が低下することもなく、金属バン
プと実装電極との間で常に安定した接続状態を得ること
ができる。

【００３３】一方本発明では、電子デバイス素子の基板
裏面を粗面化処理することで、ボンディングツールと電
子デバイス素子との間で一定の摩擦力を生じさせること
ができるため、電子デバイス素子のすべりを防ぐととも
に超音波の伝達効率を高めることができる。電子デバイ
ス素子のすべりを防止できれば、電子デバイス素子が実
装位置からずれることもなく、ボンディングツールから
印加される超音波や荷重が電子デバイス素子の一部に局
所的に集中して電子デバイス素子にクラックが生じると
いう恐れもない。また、超音波を有効に伝達することが
できるため、金属バンプと実装電極との接続強度を向上
させることができる。その結果、電子デバイス素子の歩
留まりの向上や故障率の低減、信頼性の向上を達成する
ことができることになる。特に、その電子デバイス素子
裏面の粗面化処理を、表面粗さ（中心線平均表面粗さＲ
ａ）が０．６μｍ以上かつ７．０μｍ以下となるように
すれば、クラックが発生せず、接続強度の安定した電子
デバイス素子が得られる。

【００３４】なお、本発明の実装工程においては常に新
しい電子デバイス素子が供給されるため、電子デバイス
素子の基板裏面の摩耗による摩擦力の変化を考慮する必
要はない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を用いて製造された弾性表面波装置の断
面図である。

【図２】本発明を用いて弾性表面波素子をパッケージ容
器内に実装する際の断面図である。

【図３】本発明を用いて製造した弾性表面波装置につい
て、弾性表面波素子の基板裏面の表面粗さ（中心線平均
表面粗さＲａ）と、金属バンプと実装電極との接続強度
の関係を示すグラフである。

【図４】本発明を用いて製造した弾性表面波装置につい
て、弾性表面波素子の基板裏面の表面粗さ（中心線平均
表面粗さＲａ）と、弾性表面波素子のパッケージ容器に
対する接続位置ずれの発生率の関係を示すグラフであ
る。

【図５】本発明を用いて製造した弾性表面波装置につい
て、弾性表面波素子の基板裏面の表面粗さ（中心線平均
表面粗さＲａ）と、弾性表面波素子のクラック発生率の
関係を示すグラフである。

【図６】本発明を用いて製造した弾性表面波装置につい
て、弾性表面波素子の基板裏面の表面粗さ（中心線平均
表面粗さＲａ）と、弾性表面波素子のクラック発生率の
関係を示すグラフである。

【図７】本発明の通信機装置を示すブロック図である。

【符号の説明】

１ 弾性表面波素子 ２ 基板 ３ 素子電極 ４ 金属バンプ ５ パッケージ容器 ６ 実装電極 ７ キャップ ８ 弾性表面波装置 １１ ボンディングツール

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板表面に素子電極が形成された電子デバ
   イス素子と、底部に押圧面を有するボンディングツール
   と、実装電極が形成された実装基板とを用意する工程
   と、 電子デバイス素子の基板裏面にボンディングツールの押
   圧面を接触させながら、ボンディングツールに超音波を
   印加して、電子デバイス素子を実装基板上に金属バンプ
   を介して実装する工程とを有する電子デバイス素子の実
   装方法において、 前記電子デバイス素子の基板裏面は粗面化処理されてお
   り、かつ、前記ボンディングツールの押圧面は粗面化処
   理されていないことを特徴とする電子デバイス素子の実
   装方法。
2. 【請求項２】前記電子デバイス素子の基板裏面の表面粗
   さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６μｍ以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス素子の
   実装方法。
3. 【請求項３】前記電子デバイス素子の基板裏面の表面粗
   さ（中心線平均表面粗さＲａ）が７．０μｍ以下である
   ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス素子の
   実装方法。
4. 【請求項４】基板表面に素子電極が形成された電子デバ
   イス素子と、底部に押圧面を有するボンディングツール
   と、実装電極が形成された実装基板とを用意する工程
   と、 電子デバイス素子の基板裏面にボンディングツールの押
   圧面を接触させながら、ボンディングツールに超音波を
   印加して、電子デバイス素子を実装基板上に金属バンプ
   を介して実装する工程とを有する電子デバイス素子の実
   装方法において、 前記電子デバイス素子の基板裏面は粗面化処理されてお
   り、その表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６
   μｍ以上かつ７．０μｍ以下であることを特徴とする電
   子デバイス素子の実装方法。
5. 【請求項５】前記電子デバイス素子が弾性表面波素子で
   あることを特徴とする、請求項１ないし請求項４に記載
   の電子デバイス素子の実装方法。
6. 【請求項６】前記電子デバイス素子の基板が、タンタル
   酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であること
   を特徴とする請求項５に記載の電子デバイス素子の実装
   方法。
7. 【請求項７】前記電子デバイス素子の基板が水晶基板で
   あり、かつ、前記電子デバイス素子の基板裏面の表面粗
   さ（中心線平均表面粗さＲａ）が１．１μｍ以上である
   ことを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス素子の
   実装方法。
8. 【請求項８】基板表面に素子電極が形成された電子デバ
   イス素子と、内底面に実装電極が形成されたパッケージ
   容器と、パッケージ容器を気密封止するためのキャップ
   とを有し、 前記電子デバイス素子が前記実装基板上の実装電極に金
   属バンプを介して、超音波を用いた圧着により接続され
   ている電子部品において、 前記電子デバイス素子の基板裏面が粗面化処理されてお
   り、その表面粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が０．６
   μｍ以上かつ７．０μｍ以下であることを特徴とする電
   子部品。
9. 【請求項９】前記電子デバイス素子が弾性表面波素子で
   あることを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
10. 【請求項１０】前記電子デバイス素子の基板が、タンタ
    ル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であるこ
    とを特徴とする請求項９に記載の電子部品。
11. 【請求項１１】前記電子デバイス素子の基板が水晶基板
    であり、かつ、前記電子デバイス素子の基板裏面の表面
    粗さ（中心線平均表面粗さＲａ）が１．１μｍ以上であ
    ることを特徴とする請求項９に記載の電子部品。
12. 【請求項１２】請求項１ないし７記載の電子デバイス素
    子の実装方法を用いて製造された電子デバイス素子、ま
    たは請求項８ないし１１記載の電子部品を含んでなるこ
    とを特徴とする通信機装置。