JP2001298176A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 半導体基板に不純物を導入して形成されたフォトダイオードと、前記半導体基板に不純物を導入して形成された複数のＭＯＳトランジスタとにより構成されるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、
   前記フォトダイオードの不純物領域と接続した不純物領域を有するＭＯＳトランジスタの少なくとも前記フォトダイオード側の前記不純物領域の表面にシリサイド膜がなく、他のＭＯＳトランジスタの不純物領域の表面にシリサイド膜が設けられていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。
2. 半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
   前記半導体基板に形成され、前記フォトダイオードの不純物領域に連続する不純物領域をドレインとする第１のＭＯＳトランジスタと、
   前記半導体基板に形成され、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースに連続する不純物領域をソースとする第２のＭＯＳトランジスタと、
   前記半導体基板に形成され、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインに連続する不純物領域をソースとする第３のＭＯＳトランジスタとを有し、
   前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ドレインの表面にはシリサイド膜がなく、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースの表面、並びに前記第２のＭＯＳトランジスタ及び第３のＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。
3. 前記半導体基板に、前記第３のＭＯＳトランジスタから出力される信号を処理するＭＯＳトランジスタ回路が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
4. 前記半導体基板に、前記第１のＭＯＳトランジスタ及び前記第３のＭＯＳトランジスタの各ゲートにそれぞれ所定のタイミングで信号を供給するタイミング回路と、前記第３のＭＯＳトランジスタから出力される信号を読み出す読出し回路とが形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
5. 前記第１乃至第３のＭＯＳトランジスタを被覆する層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜の上に形成された配線と、
   前記層間絶縁膜に埋め込まれ、前記１乃至第３のＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの少なくとも１つと前記配線とを電気的に接続する接続プラグと
   を有することを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
6. 前記第１のＭＯＳトランジスタのソース、前記第２のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン、及び前記第３のＭＯＳトランジスタのソース・ドレインはいずれもＬＤＤ構造を有し、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインはＬＤＤ構造を有しないことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
7. 半導体基板に不純物を導入しフォトダイオードを形成する工程と、
   前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
   前記半導体基板にＮ型不純物を導入して前記フォトダイオードのカソードに連続したＮ型不純物領域を有するリセットトランジスタを含む複数のＮチャネルＭＯＳトランジスタを形成する工程と、
   少なくとも前記フォトダイオードの上から前記リセットトランジスタの前記フォトダイオード側の不純物領域の上までの領域を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記半導体基板の上側に金属膜を形成し、該金属膜中の金属と前記シリコン基板の表面のシリコンとを反応させてシリサイド膜を形成する工程と
   を有することを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
8. 前記シリサイド膜を形成する工程の後に、
   前記金属膜を除去し、前記シリサイド膜のみを残す工程と、
   前記半導体基板の上側に第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の絶縁膜に、前記リセットトランジスタの前記フォトダイオード側不純物領域に到達するコンタクトホールと、前記シリサイド膜に到達するコンタクトホールとを選択的に形成する工程と、
   前記コンタクトホールに導電体を埋め込み前記第２の絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
   前記導電膜をパターニングして配線を形成する工程と
   を有することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
9. 前記フォトダイオードを形成する工程の前に、各素子領域間を電気的に分離するフィールド酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
10. 前記金属膜中の金属がチタンであることを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
11. 前記第１の絶縁膜をシリコン酸化物で形成することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
12. 前記第２の絶縁膜は、複数の絶縁体を積層して形成することを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
13. 前記第２の絶縁膜の表面にＳＯＧを塗布して表面を平坦化することを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。