JP2001298053A - 実装方法及び実装装置 - Google Patents

実装方法及び実装装置

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JP2001298053A
JP2001298053A JP2000112498A JP2000112498A JP2001298053A JP 2001298053 A JP2001298053 A JP 2001298053A JP 2000112498 A JP2000112498 A JP 2000112498A JP 2000112498 A JP2000112498 A JP 2000112498A JP 2001298053 A JP2001298053 A JP 2001298053A
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teflon sheet
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mounting
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Daisuke Maruyama
大介 丸山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 テフロン(登録商標)シートの使用量を低減
させ且つ熱圧着時にテフロンシートが外れるのを防止し
た実装方法及び実装装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る実装方法は、ICチップ2
を、異方性導電フィルムを介して仮圧着した実装基板1
を準備する工程と、圧着ヘッド5の加圧面にテフロンシ
ート7を吸着した状態で、このテフロンシート7を介し
て圧着ヘッド5により上記ICチップ2に熱圧着を施す
工程と、を具備する。上記テフロンシートは少なくとも
圧着ヘッドの加圧面の大きさを有し、1枚のテフロンシ
ートで1回又は2回の熱圧着を行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装基板に電子部
品を実装する実装方法及び実装装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来の実装装置を用いて実装基
板に半導体チップを実装する方法を説明する断面図であ
る。この実装装置は、主に、実装基板101を載置する
載置台103と、この載置台103の上方に配置された
圧着ヘッド105と、から構成されている。載置台10
3にはテフロンシート107を固定するための複数の吸
着用穴103aが設けられており、これらの吸着用穴1
03aは図示せぬ真空ポンプに接続されている。
【0003】圧着ヘッド105は、実装基板101上に
異方性導電フィルム(図示せず)を介してICチップ1
02を熱圧着するものである。圧着ヘッド105には図
示せぬ加圧手段及び加熱手段が取り付けられている。ま
た、圧着ヘッド105はICチップを真空吸着する吸着
手段(図示せず)を備えている。
【0004】次に、上記従来の実装装置において実装基
板に半導体チップを熱圧着する方法について説明する。
【0005】まず、載置台103上に実装基板101を
載置する。この実装基板101の表面におけるICチッ
プ102を実装する領域には異方性導電フィルム(AC
F)が貼り付けられている。この異方性導電フィルム
は、ベースフィルムにNi、Au、Cuなどの導電性粒
子を分散させてなるものであり、この導電性粒子を介し
て電気素子と実装基板とを接続するものである。
【0006】この後、ICチップ102を実装基板10
1表面の異方性導電フィルム上に仮圧着する。次に、図
2に示すように、作業者がテフロンシート107を載置
台103上に載せ、そのテフロンシートを吸着用穴10
3aによって真空吸着する。これにより、テフロンシー
ト107により仮圧着したICチップ102が覆われ
る。
【0007】次に、圧着ヘッド105を矢印のように下
降させ、テフロンシート107上からICチップ102
を圧着ヘッド105によって加圧すると共に加熱する。
これにより、ICチップ102が実装基板101に異方
性導電フィルムを介して熱圧着され、実装基板にICチ
ップが実装される。
【0008】なお、テフロンシート107は、熱圧着時
に異方性導電フィルムの一部がICチップの側面から盛
り上がり、圧着ヘッドに付着してしまうのを防ぐための
ものである。つまり、テフロンシート107を用いるこ
となく圧着ヘッドによってICチップを熱圧着すると、
異方性導電フィルム材が圧着ヘッドの下面に付着し、そ
の付着して硬化した異方性導電フィルムにより圧着ヘッ
ドの加圧力を増大させてしまう。従って、テフロンシー
トが必要となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】通常、実装基板101
には異方性導電フィルムを介して複数のICチップ10
2を実装するため、圧着ヘッド105による熱圧着が1
枚のテフロンシート107に複数回行われる。このよう
に熱圧着回数を重ねるに従い、テフロンシートが熱で硬
化してしまう。これにより、テフロンシートの真空吸着
が外れ、載置台103からテフロンシートが無くなって
しまい、その状態のまま圧着ヘッドによる熱圧着が行わ
れることがある。
【0010】また、上記従来の実装方法では、テフロン
シート107により実装基板101の全面を覆っている
ため、必要以上に大きなテフロンシートを用いることと
なる。従って、テフロンシートの使用量が多くなり、製
造コストが増大する。
【0011】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、テフロンシートの使用量
を低減させ且つ熱圧着時にテフロンシートが外れるのを
防止した実装方法及び実装装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る実装方法
は、半導体チップを、導電膜を介して仮圧着した実装基
板を準備する工程と、圧着ヘッドの加圧面にテフロンシ
ートを吸着した状態で、このテフロンシートを介して圧
着ヘッドにより上記半導体チップに熱圧着を施す工程
と、を具備し、上記テフロンシートは少なくとも圧着ヘ
ッドの加圧面の大きさを有し、1枚のテフロンシートで
1回又は2回の熱圧着を行うことを特徴とする。
【0013】上記実装方法によれば、少なくとも圧着ヘ
ッドの加圧面の大きさを有するテフロンシートを前記圧
着ヘッドの加圧面に吸着した状態で、このテフロンシー
トを介して半導体チップに熱圧着を施すため、圧着ヘッ
ドの加圧面に合わせた大きさのテフロンシートを用いる
ことができ、必要以上に大きなテフロンシートを用いる
必要がなくなる。従って、テフロンシートの使用量を低
減できる。また、1回又は2回の熱圧着でテフロンシー
トを1枚ずつ使用するため、熱圧着時に熱で硬化しすぎ
たテフロンシートを使用することがなくなる。従って、
熱圧着時にテフロンシートが外れるのを防止できる。
【0014】本発明に係る実装方法は、表面に導電膜が
貼り付けられた実装基板を準備する工程と、圧着ヘッド
の加圧面に半導体チップを吸着し、この半導体チップを
圧着ヘッドにより上記導電膜上に仮圧着する工程と、圧
着ヘッドの加圧面にテフロンシートを吸着した状態で、
このテフロンシートを介して圧着ヘッドにより上記半導
体チップに熱圧着を施す工程と、を具備し、上記テフロ
ンシートは少なくとも圧着ヘッドの加圧面の大きさを有
し、1枚のテフロンシートで1回又は2回の熱圧着を行
うことを特徴とする。
【0015】本発明に係る実装装置は、半導体チップが
導電膜を介して仮圧着された実装基板を載置する載置台
と、この載置台の上方に配置された圧着ヘッドと、上記
載置台の近傍に配置されたテフロンシートをストックす
るストッカーと、上記圧着ヘッドに設けられた、テフロ
ンシートを吸着する吸着手段と、上記圧着ヘッドに設け
られた加圧手段と、上記圧着ヘッドに設けられた加熱手
段と、を具備する実装装置であって、この実装装置は、
上記圧着ヘッドの加圧面にテフロンシートを吸着手段に
より吸着した状態で、このテフロンシートを介して圧着
ヘッドの加圧手段及び加熱手段により上記半導体チップ
に熱圧着を施すものであり、上記テフロンシートは少な
くとも圧着ヘッドの加圧面の大きさを有し、1枚のテフ
ロンシートで1回又は2回の熱圧着を行うことを特徴と
する。
【0016】本発明に係る実装装置は、表面に導電膜が
貼り付けられた実装基板を載置する載置台と、この載置
台の上方に配置された圧着ヘッドと、上記載置台の近傍
に配置されたテフロンシートをストックするストッカー
と、上記圧着ヘッドに設けられた、テフロンシート又は
半導体チップを吸着する吸着手段と、上記圧着ヘッドに
設けられた加圧手段と、上記圧着ヘッドに設けられた加
熱手段と、を具備する実装装置であって、この実装装置
は、上記圧着ヘッドの加圧面に半導体チップを吸着手段
により吸着し、この半導体チップを圧着ヘッドの加圧手
段及び加熱手段により上記導電膜上に仮圧着した後、上
記圧着ヘッドの加圧面にテフロンシートを吸着手段によ
り吸着した状態で、このテフロンシートを介して圧着ヘ
ッドの加圧手段及び加熱手段により上記半導体チップに
熱圧着を施すものであり、上記テフロンシートは少なく
とも圧着ヘッドの加圧面の大きさを有し、1枚のテフロ
ンシートで1回又は2回の熱圧着を行うことを特徴とす
る。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図1(a)〜(c)は、
本発明の実施の形態による実装装置を用いて実装基板に
半導体チップを実装する方法を説明する断面図である。
【0018】図1に示す実装装置は、主に、実装基板1
を載置する載置台3と、この載置台3の上方に配置され
た圧着ヘッド5と、テフロンシート7をストックしてお
くシートストッカー6と、使用後のテフロンシート7を
収納するリジェクトボックス8と、から構成されてい
る。テフロンシート7は少なくとも圧着ヘッド5の下面
(押圧面)の大きさが必要であり、その下面を十分に覆
う程度の面積を有していればテフロンシートの大きさに
は限定されない。
【0019】圧着ヘッド5は、載置台3の上方を移動可
能に構成されており、ICチップ2を真空吸着する吸着
手段(図示せず)を備えている。また、圧着ヘッド5
は、実装基板1上に異方性導電フィルム(図示せず)を
介してICチップ2を熱圧着するものである。圧着ヘッ
ド5には図示せぬ加圧手段及び加熱手段が取り付けられ
ている。
【0020】次に、上記従来の実装装置において実装基
板に半導体チップを熱圧着する方法について説明する。
【0021】まず、図1(a)に示すように、載置台3
上に実装基板1を載置する。この実装基板1の表面にお
けるICチップ2を実装するチップ実装領域には異方性
導電フィルム(ACF)が貼り付けられている。この異
方性導電フィルムは、ベースフィルムにNi、Au、C
uなどの導電性粒子を分散させてなるものであり、この
導電性粒子を介して電気素子と実装基板とを接続するも
のである。
【0022】この後、ICチップ2を圧着ヘッド5によ
り真空吸着し、この圧着ヘッド5を実装基板1のチップ
実装領域上に移動させる。次に、圧着ヘッド5に吸着し
たICチップ2を位置合わせし、圧着ヘッドを矢印のよ
うに下降させ、このICチップ2を圧着ヘッドによって
異方性導電フィルムを介して実装基板1に仮圧着する。
【0023】この後、圧着ヘッド5を上昇させ、次のI
Cチップを圧着ヘッドにより真空吸着し、上記の方法で
次のチップ実装領域にICチップを仮圧着する。これを
繰り返すことにより、実装基板1表面における全てのチ
ップ実装領域に異方性導電フィルムを介してICチップ
を仮圧着する。
【0024】次に、圧着ヘッド5をシートストッカー6
上に移動させ、このシートストッカー6内のテフロンシ
ート7を圧着ヘッドによって真空吸着する。このとき、
圧着ヘッド5の下面(押圧面)はテフロンシート7によ
って覆われている。この後、図1(b)に示すように、
テフロンシート7を吸着した圧着ヘッド5を載置台3の
上方に移動させる。なお、圧着ヘッドにテフロンシート
を真空吸着する際はチップ吸着機構を利用している。
【0025】次に、図1(c)に示すように、圧着ヘッ
ド5を矢印のように下降させ、テフロンシート7を介し
てICチップ2を圧着ヘッド5によって加圧すると共に
加熱する。これにより、ICチップ2が実装基板1に異
方性導電フィルムを介して熱圧着され、実装基板にIC
チップが実装される。なお、テフロンシート7は、熱圧
着時に異方性導電フィルムの一部がICチップの側面か
ら盛り上がり、圧着ヘッドに付着してしまうのを防ぐた
めのものである。
【0026】この後、テフロンシート7を吸着したまま
圧着ヘッド5を上昇させ、その圧着ヘッドをリジェクト
ボックス8上に移動させる。この後、圧着ヘッド5の真
空吸着を解除することにより、使用後のテフロンシート
7をリジェクトボックス8内に捨てる。
【0027】次に、圧着ヘッド5をシートストッカー6
上に移動させ、このシートストッカー6内のテフロンシ
ート7を圧着ヘッドによって真空吸着する。そして、テ
フロンシート7を吸着したまま圧着ヘッド5を上昇さ
せ、テフロンシート7を介して次のICチップ2を圧着
ヘッド5によって加圧、加熱する。
【0028】この後、圧着ヘッド5をリジェクトボック
ス8上に移動させ、圧着ヘッド5の真空吸着を解除する
ことにより、使用後のテフロンシート7をリジェクトボ
ックス8内に捨てる。このような熱圧着を繰り返すこと
により、実装基板1上の全てのICチップ2を熱圧着す
る。
【0029】上記実施の形態によれば、圧着ヘッド5の
下面を十分に覆う程度の大きさのテフロンシート7をシ
ートストッカー6にストックしておき、圧着ヘッド5に
よりテフロンシート7を吸着した状態で、ICチップ2
の熱圧着を行っている。このため、圧着ツールサイズの
テフロンシートを用いることが可能となり、従来の実装
方法のように必要以上に大きなテフロンシートを用いる
必要がなくなり、テフロンシートの使用量を低減でき
る。従って、製造コストを減少させることができる。
【0030】また、本実施の形態では、1回の熱圧着で
テフロンシート7を1枚ずつ使用するため、従来の実装
方法のように圧着ヘッドによる熱圧着が1枚のテフロン
シートで複数回行われない。従って、熱圧着時に熱で硬
化したテフロンシートを使用することがなくなるので、
テフロンシートの真空吸着が外れることがなく、載置台
3からテフロンシートが無くなった状態のまま圧着ヘッ
ドによる熱圧着が行われることを防止できる。
【0031】また、本実施の形態では、圧着ヘッド5が
ICチップ2の仮圧着及びテフロンシートを用いたIC
チップの本圧着の両方を行う機能を有しているため、上
記実装装置では仮圧着と本圧着の連続運転が可能にな
る。
【0032】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態では、1枚のテフロンシート7で1回の
熱圧着を行っているが、1枚のテフロンシートで2回〜
数回の熱圧着を行うことも可能である。
【0033】また、本実施の形態では、ICチップ2の
仮圧着とテフロンシートを用いたICチップの本圧着の
両方を1台の実装装置により行っているが、1台の実装
装置を仮圧着専用とし、他の1台の実装装置を本圧着専
用とすることも可能である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、少
なくとも圧着ヘッドの加圧面の大きさを有するテフロン
シートを前記圧着ヘッドの加圧面に吸着した状態で、こ
のテフロンシートを介して半導体チップに熱圧着を施し
ている。したがって、テフロンシートの使用量を低減さ
せ且つ熱圧着時にテフロンシートが外れるのを防止した
実装方法及び実装装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は、本発明の実施の形態による
実装装置を用いて実装基板に半導体チップを実装する方
法を説明する断面図である。
【図2】従来の実装装置を用いて実装基板に半導体チッ
プを実装する方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
1 実装基板 2 ICチップ 3 載置台 5 圧着ヘッド(圧着ツール) 6 シートストッカー 7 テフロンシート 8 リジェクトボックス 101 実装基板 102 ICチップ 103 載置台 103a 吸着用穴 105 圧着ヘッド 107 テフロンシート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを、導電膜を介して仮圧着
    した実装基板を準備する工程と、 圧着ヘッドの加圧面にテフロンシートを吸着した状態
    で、このテフロンシートを介して圧着ヘッドにより上記
    半導体チップに熱圧着を施す工程と、 を具備し、 上記テフロンシートは少なくとも圧着ヘッドの加圧面の
    大きさを有し、1枚のテフロンシートで1回又は2回の
    熱圧着を行うことを特徴とする実装方法。
  2. 【請求項2】 表面に導電膜が貼り付けられた実装基板
    を準備する工程と、 圧着ヘッドの加圧面に半導体チップを吸着し、この半導
    体チップを圧着ヘッドにより上記導電膜上に仮圧着する
    工程と、 圧着ヘッドの加圧面にテフロンシートを吸着した状態
    で、このテフロンシートを介して圧着ヘッドにより上記
    半導体チップに熱圧着を施す工程と、 を具備し、 上記テフロンシートは少なくとも圧着ヘッドの加圧面の
    大きさを有し、1枚のテフロンシートで1回又は2回の
    熱圧着を行うことを特徴とする実装方法。
  3. 【請求項3】 半導体チップが導電膜を介して仮圧着さ
    れた実装基板を載置する載置台と、 この載置台の上方に配置された圧着ヘッドと、 上記載置台の近傍に配置されたテフロンシートをストッ
    クするストッカーと、 上記圧着ヘッドに設けられた、テフロンシートを吸着す
    る吸着手段と、 上記圧着ヘッドに設けられた加圧手段と、 上記圧着ヘッドに設けられた加熱手段と、 を具備する実装装置であって、 この実装装置は、上記圧着ヘッドの加圧面にテフロンシ
    ートを吸着手段により吸着した状態で、このテフロンシ
    ートを介して圧着ヘッドの加圧手段及び加熱手段により
    上記半導体チップに熱圧着を施すものであり、 上記テフロンシートは少なくとも圧着ヘッドの加圧面の
    大きさを有し、1枚のテフロンシートで1回又は2回の
    熱圧着を行うことを特徴とする実装装置。
  4. 【請求項4】 表面に導電膜が貼り付けられた実装基板
    を載置する載置台と、 この載置台の上方に配置された圧着ヘッドと、 上記載置台の近傍に配置されたテフロンシートをストッ
    クするストッカーと、 上記圧着ヘッドに設けられた、テフロンシート又は半導
    体チップを吸着する吸着手段と、 上記圧着ヘッドに設けられた加圧手段と、 上記圧着ヘッドに設けられた加熱手段と、 を具備する実装装置であって、 この実装装置は、上記圧着ヘッドの加圧面に半導体チッ
    プを吸着手段により吸着し、この半導体チップを圧着ヘ
    ッドの加圧手段及び加熱手段により上記導電膜上に仮圧
    着した後、上記圧着ヘッドの加圧面にテフロンシートを
    吸着手段により吸着した状態で、このテフロンシートを
    介して圧着ヘッドの加圧手段及び加熱手段により上記半
    導体チップに熱圧着を施すものであり、 上記テフロンシートは少なくとも圧着ヘッドの加圧面の
    大きさを有し、1枚のテフロンシートで1回又は2回の
    熱圧着を行うことを特徴とする実装装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090289097A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Weng-Jin Wu Wafer Leveling-Bonding System Using Disposable Foils
JP2012174722A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN107275186A (zh) * 2017-06-16 2017-10-20 中山德华芯片技术有限公司 一种柔性结构支撑衬底的制备方法

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